JPH10251085A - セラミック配線基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミック配線基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10251085A JPH10251085A JP5663797A JP5663797A JPH10251085A JP H10251085 A JPH10251085 A JP H10251085A JP 5663797 A JP5663797 A JP 5663797A JP 5663797 A JP5663797 A JP 5663797A JP H10251085 A JPH10251085 A JP H10251085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating film
- plating
- substrate
- alumina substrate
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック基板表面のＣｕめっき膜を加熱処
理する際に、Ｃｕめっき膜に膨れが発生することを防止
する。 【解決手段】 アルミナ基板１１の表面をエッチングに
より粗化した後、アルミナ基板１１の表面に無電解Ｃｕ
めっき用触媒の液を塗布する。この後、アルミナ基板１
１の表面に膜厚が０．５〜１．５μｍのＣｕめっき膜１
２を形成する。このＣｕめっき膜１２は薄いため、Ｃｕ
めっき膜１２に多数のピンホールが形成される。このピ
ンホールは、次工程の加熱処理時に基板表面で発生した
蒸発ガスを逃がす役割を果たす。その後、アルミナ基板
１１のＣｕめっき膜１２を不活性ガス雰囲気中で加熱処
理して、Ｃｕめっき膜１２とアルミナ基板１１との密着
強度を高める。この加熱処理時に発生した蒸発ガスは、
Ｃｕめっき膜１２のピンホールから外部に逃がされ、Ｃ
ｕめっき膜１２を押し上げることはない。
理する際に、Ｃｕめっき膜に膨れが発生することを防止
する。 【解決手段】 アルミナ基板１１の表面をエッチングに
より粗化した後、アルミナ基板１１の表面に無電解Ｃｕ
めっき用触媒の液を塗布する。この後、アルミナ基板１
１の表面に膜厚が０．５〜１．５μｍのＣｕめっき膜１
２を形成する。このＣｕめっき膜１２は薄いため、Ｃｕ
めっき膜１２に多数のピンホールが形成される。このピ
ンホールは、次工程の加熱処理時に基板表面で発生した
蒸発ガスを逃がす役割を果たす。その後、アルミナ基板
１１のＣｕめっき膜１２を不活性ガス雰囲気中で加熱処
理して、Ｃｕめっき膜１２とアルミナ基板１１との密着
強度を高める。この加熱処理時に発生した蒸発ガスは、
Ｃｕめっき膜１２のピンホールから外部に逃がされ、Ｃ
ｕめっき膜１２を押し上げることはない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板の
表面にＣｕめっき膜で導体パターンを形成して成るセラ
ミック配線基板及びその製造方法に関するものである。
表面にＣｕめっき膜で導体パターンを形成して成るセラ
ミック配線基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、アルミナ基板の表面にＣｕめ
っき膜で導体パターンを形成したものがある。この導体
パターンの形成方法は、サブトラクティブ法とアディテ
ィブ法とに大別され、サブトラクティブ法では、アルミ
ナ基板の表面全面に無電解Ｃｕめっき法でＣｕめっき膜
を形成した後、Ｃｕめっき膜の不必要な部分をエッチン
グで取り除き、必要な導体パターン部のみを残すもので
ある。一方、アディティブ法では、アルミナ基板表面の
導体パターン部以外の部分にめっきレジストを塗布して
導体パターン部のみに無電解Ｃｕめっき法でＣｕめっき
膜を形成するものである。
っき膜で導体パターンを形成したものがある。この導体
パターンの形成方法は、サブトラクティブ法とアディテ
ィブ法とに大別され、サブトラクティブ法では、アルミ
ナ基板の表面全面に無電解Ｃｕめっき法でＣｕめっき膜
を形成した後、Ｃｕめっき膜の不必要な部分をエッチン
グで取り除き、必要な導体パターン部のみを残すもので
ある。一方、アディティブ法では、アルミナ基板表面の
導体パターン部以外の部分にめっきレジストを塗布して
導体パターン部のみに無電解Ｃｕめっき法でＣｕめっき
膜を形成するものである。
【０００３】近年、このＣｕめっき膜とアルミナ基板と
の密着強度を高めるために、めっき後（又はエッチング
後）に、Ｃｕめっき膜を加熱処理（シンター処理）する
ことが提案されている。
の密着強度を高めるために、めっき後（又はエッチング
後）に、Ｃｕめっき膜を加熱処理（シンター処理）する
ことが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、加熱処理
したＣｕめっき膜の密着強度を評価する試験を行ったと
ころ、図１（ａ）に示すように、加熱処理時にアルミナ
基板１１の表面のＣｕめっき膜１２に膨れ１３が発生す
ることが判明した。この膨れ１３の発生原因は、無電解
Ｃｕめっき時にアルミナ基板１１の表面の微小凹部に水
分がトラップされ、この水分が加熱処理時に蒸発して、
その膨脹圧力によりＣｕめっき膜１２を押し上げるため
と推定される。特に、Ｃｕめっき膜１２の密着強度を高
めるために、無電解Ｃｕめっきの前処理として、アルミ
ナ基板１１の表面をエッチングにより粗化して投錨効果
（アンカー効果）を持たせる場合には、アルミナ基板１
１の表面の凹凸が多くなって、その分、無電解Ｃｕめっ
き時にアルミナ基板１１の表面にトラップされる水分も
多くなり、上述した加熱処理時のＣｕめっき膜１２の膨
れ１３が顕著に発生し、これがＣｕめっき膜１２の平坦
性ひいては製品品質を低下させる原因となっている。
したＣｕめっき膜の密着強度を評価する試験を行ったと
ころ、図１（ａ）に示すように、加熱処理時にアルミナ
基板１１の表面のＣｕめっき膜１２に膨れ１３が発生す
ることが判明した。この膨れ１３の発生原因は、無電解
Ｃｕめっき時にアルミナ基板１１の表面の微小凹部に水
分がトラップされ、この水分が加熱処理時に蒸発して、
その膨脹圧力によりＣｕめっき膜１２を押し上げるため
と推定される。特に、Ｃｕめっき膜１２の密着強度を高
めるために、無電解Ｃｕめっきの前処理として、アルミ
ナ基板１１の表面をエッチングにより粗化して投錨効果
（アンカー効果）を持たせる場合には、アルミナ基板１
１の表面の凹凸が多くなって、その分、無電解Ｃｕめっ
き時にアルミナ基板１１の表面にトラップされる水分も
多くなり、上述した加熱処理時のＣｕめっき膜１２の膨
れ１３が顕著に発生し、これがＣｕめっき膜１２の平坦
性ひいては製品品質を低下させる原因となっている。
【０００５】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、セラミック基板表面
のＣｕめっき膜を加熱処理する際に発生していたＣｕめ
っき膜の膨れを防止することができ、Ｃｕめっき膜の密
着強度向上と平坦性向上（膨れ防止）とを両立させるこ
とができるセラミック配線基板及びその製造方法を提供
することにある。
たものであり、従ってその目的は、セラミック基板表面
のＣｕめっき膜を加熱処理する際に発生していたＣｕめ
っき膜の膨れを防止することができ、Ｃｕめっき膜の密
着強度向上と平坦性向上（膨れ防止）とを両立させるこ
とができるセラミック配線基板及びその製造方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、セラミック基板の表面に形成する
Ｃｕめっき膜の厚みを０．５〜１．５μｍに形成して加
熱処理するものである。つまり、Ｃｕめっき膜が薄い場
合には、Ｃｕめっき膜がまだ緻密化しておらず、Ｃｕめ
っき膜に多数のピンホールが形成されている。このた
め、加熱処理時にセラミック基板の表面にトラップされ
ている水分が蒸発しても、その蒸発ガスがピンホールか
ら外部に放出され、Ｃｕめっき膜を押し上げることはな
い。後述する本発明者の試験結果によれば、Ｃｕめっき
膜の厚みが０．５〜１．５μｍの範囲内であれば、Ｃｕ
めっき膜の膨れが発生せず、且つ、Ｃｕめっき膜の密着
強度も確保できることが確認された。
に、本発明によれば、セラミック基板の表面に形成する
Ｃｕめっき膜の厚みを０．５〜１．５μｍに形成して加
熱処理するものである。つまり、Ｃｕめっき膜が薄い場
合には、Ｃｕめっき膜がまだ緻密化しておらず、Ｃｕめ
っき膜に多数のピンホールが形成されている。このた
め、加熱処理時にセラミック基板の表面にトラップされ
ている水分が蒸発しても、その蒸発ガスがピンホールか
ら外部に放出され、Ｃｕめっき膜を押し上げることはな
い。後述する本発明者の試験結果によれば、Ｃｕめっき
膜の厚みが０．５〜１．５μｍの範囲内であれば、Ｃｕ
めっき膜の膨れが発生せず、且つ、Ｃｕめっき膜の密着
強度も確保できることが確認された。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明をサブトラクティブ
法に適用した一実施形態におけるセラミック配線基板の
製造方法を図１（ｂ）及び図２に基づいて説明する。
法に適用した一実施形態におけるセラミック配線基板の
製造方法を図１（ｂ）及び図２に基づいて説明する。
【０００８】まず、セラミック基板であるアルミナ基板
１１を焼成する。その後、このアルミナ基板１１の表面
をエッチング液（例えばフッ酸系溶液、フッ化アンモニ
ウム系溶液等）によってエッチングして粗化する。この
際、エッチング反応を促進するために、エッチング液を
例えば７０℃程度に加温して行うことが好ましい。この
基板表面粗化処理は、基板表面に後工程でＣｕめっき膜
１２を形成する時に、Ｃｕめっき膜１２の一部を基板表
面の微小凹部に食い込ませて、Ｃｕめっき膜１２と基板
表面との結合力を投錨効果（アンカー効果）により高め
るようにするためである。
１１を焼成する。その後、このアルミナ基板１１の表面
をエッチング液（例えばフッ酸系溶液、フッ化アンモニ
ウム系溶液等）によってエッチングして粗化する。この
際、エッチング反応を促進するために、エッチング液を
例えば７０℃程度に加温して行うことが好ましい。この
基板表面粗化処理は、基板表面に後工程でＣｕめっき膜
１２を形成する時に、Ｃｕめっき膜１２の一部を基板表
面の微小凹部に食い込ませて、Ｃｕめっき膜１２と基板
表面との結合力を投錨効果（アンカー効果）により高め
るようにするためである。
【０００９】この基板表面粗化処理終了後に、アルミナ
基板１１の表面に無電解Ｃｕめっき用触媒の液を塗布す
る（アクセレーター法により次工程の無電解Ｃｕめっき
の反応を促進するためである）。この後、無電解Ｃｕめ
っき工程に移り、アルミナ基板１１を無電解Ｃｕめっき
液に浸して、アルミナ基板１１の表面全面に膜厚が０．
５〜１．５μｍのＣｕめっき膜１２を形成する。このＣ
ｕめっき膜１２は薄いため、Ｃｕめっき膜１２がまだ緻
密化しておらず、Ｃｕめっき膜１２に多数のピンホール
が形成されている。このピンホールは、次工程の加熱処
理時に基板表面で発生した蒸発ガスを逃がす役割を果た
す。
基板１１の表面に無電解Ｃｕめっき用触媒の液を塗布す
る（アクセレーター法により次工程の無電解Ｃｕめっき
の反応を促進するためである）。この後、無電解Ｃｕめ
っき工程に移り、アルミナ基板１１を無電解Ｃｕめっき
液に浸して、アルミナ基板１１の表面全面に膜厚が０．
５〜１．５μｍのＣｕめっき膜１２を形成する。このＣ
ｕめっき膜１２は薄いため、Ｃｕめっき膜１２がまだ緻
密化しておらず、Ｃｕめっき膜１２に多数のピンホール
が形成されている。このピンホールは、次工程の加熱処
理時に基板表面で発生した蒸発ガスを逃がす役割を果た
す。
【００１０】無電解Ｃｕめっき終了後に、アルミナ基板
１１のＣｕめっき膜１２を不活性ガス雰囲気（例えばＮ
2 雰囲気）中で加熱処理する。これにより、Ｃｕめっき
膜１２の酸化層とアルミナ基板１１とが反応してＣｕＡ
ｌ2 Ｏ4 の中間層が形成され、この中間層による結合力
と上述した基板表面の粗化処理による投錨効果（アンカ
ー効果）との相乗効果によってＣｕめっき膜１２とアル
ミナ基板１１との密着強度が効果的に高められる。
１１のＣｕめっき膜１２を不活性ガス雰囲気（例えばＮ
2 雰囲気）中で加熱処理する。これにより、Ｃｕめっき
膜１２の酸化層とアルミナ基板１１とが反応してＣｕＡ
ｌ2 Ｏ4 の中間層が形成され、この中間層による結合力
と上述した基板表面の粗化処理による投錨効果（アンカ
ー効果）との相乗効果によってＣｕめっき膜１２とアル
ミナ基板１１との密着強度が効果的に高められる。
【００１１】この加熱処理は、Ｃｕの融点より低い温度
で行う必要があるが、Ｃｕめっき膜１２のピンホールを
塞ぐために、例えば９００℃程度の高温で加熱処理する
ことが好ましい。加熱処理の際に、アルミナ基板１１の
表面の微小凹部にトラップされている水分が蒸発する
が、Ｃｕめっき膜１２の膜厚が０．５〜１．５μｍと薄
く、Ｃｕめっき膜１２に多数のピンホールが形成されて
いるため、加熱処理時に発生した蒸発ガスは、Ｃｕめっ
き膜１２のピンホールから外部に放出され、Ｃｕめっき
膜１２を押し上げることはない。
で行う必要があるが、Ｃｕめっき膜１２のピンホールを
塞ぐために、例えば９００℃程度の高温で加熱処理する
ことが好ましい。加熱処理の際に、アルミナ基板１１の
表面の微小凹部にトラップされている水分が蒸発する
が、Ｃｕめっき膜１２の膜厚が０．５〜１．５μｍと薄
く、Ｃｕめっき膜１２に多数のピンホールが形成されて
いるため、加熱処理時に発生した蒸発ガスは、Ｃｕめっ
き膜１２のピンホールから外部に放出され、Ｃｕめっき
膜１２を押し上げることはない。
【００１２】この加熱処理終了後に、Ｃｕめっき膜１２
の必要な部分（つまり導体パターン部）にエッチングレ
ジストをスクリーン印刷して、該導体パターン部をエッ
チングレジストで被覆する。尚、エッチングレジストの
パターニングは写真法で行っても良い。この後、エッチ
ング工程に移り、不要なＣｕめっき膜を溶解するエッチ
ング液をＣｕめっき膜１２に噴射して、導体パターン部
以外の部分のＣｕめっき膜１２を溶解除去する。これに
より、エッチングレジストで被覆された導体パターン部
のＣｕめっき膜１２のみが残る。このエッチング終了後
に、エッチングレジストを薬品を使って剥離除去し、導
体パターン部のＣｕめっき膜１２を露出させる。
の必要な部分（つまり導体パターン部）にエッチングレ
ジストをスクリーン印刷して、該導体パターン部をエッ
チングレジストで被覆する。尚、エッチングレジストの
パターニングは写真法で行っても良い。この後、エッチ
ング工程に移り、不要なＣｕめっき膜を溶解するエッチ
ング液をＣｕめっき膜１２に噴射して、導体パターン部
以外の部分のＣｕめっき膜１２を溶解除去する。これに
より、エッチングレジストで被覆された導体パターン部
のＣｕめっき膜１２のみが残る。このエッチング終了後
に、エッチングレジストを薬品を使って剥離除去し、導
体パターン部のＣｕめっき膜１２を露出させる。
【００１３】以上説明した製造方法では、無電解Ｃｕめ
っき終了後に加熱処理を行うようにしたが、Ｃｕめっき
膜１２のエッチング後（又はエッチングレジスト剥離
後）に加熱処理を行うようにしても良く、この場合で
も、同様の効果が得られる。
っき終了後に加熱処理を行うようにしたが、Ｃｕめっき
膜１２のエッチング後（又はエッチングレジスト剥離
後）に加熱処理を行うようにしても良く、この場合で
も、同様の効果が得られる。
【００１４】また、上記製造方法は、本発明をサブトラ
クティブ法に適用したものであるが、アディティブ法に
も適用できる。アディティブ法に本発明を適用する場合
には、図３に示すように、アルミナ基板の焼成後、アル
ミナ基板の表面の導体パターン部以外の部分にめっきレ
ジストを塗布し、導体パターン部のみを露出させる。こ
の後、アルミナ基板の表面の露出部分をエッチングして
粗化した後、アルミナ基板の表面の露出部分に無電解Ｃ
ｕめっき用触媒の液を塗布する。そして、次の工程で、
アルミナ基板を無電解Ｃｕめっき液に浸してアルミナ基
板の表面の露出部分に膜厚が０．５〜１．５μｍのＣｕ
めっき膜を形成する。この後、このアルミナ基板のＣｕ
めっき膜を不活性ガス雰囲気（例えばＮ2 雰囲気）中に
て例えば９００℃で加熱処理してＣｕめっき膜とアルミ
ナ基板との密着強度を高める。
クティブ法に適用したものであるが、アディティブ法に
も適用できる。アディティブ法に本発明を適用する場合
には、図３に示すように、アルミナ基板の焼成後、アル
ミナ基板の表面の導体パターン部以外の部分にめっきレ
ジストを塗布し、導体パターン部のみを露出させる。こ
の後、アルミナ基板の表面の露出部分をエッチングして
粗化した後、アルミナ基板の表面の露出部分に無電解Ｃ
ｕめっき用触媒の液を塗布する。そして、次の工程で、
アルミナ基板を無電解Ｃｕめっき液に浸してアルミナ基
板の表面の露出部分に膜厚が０．５〜１．５μｍのＣｕ
めっき膜を形成する。この後、このアルミナ基板のＣｕ
めっき膜を不活性ガス雰囲気（例えばＮ2 雰囲気）中に
て例えば９００℃で加熱処理してＣｕめっき膜とアルミ
ナ基板との密着強度を高める。
【００１５】
【実施例】本発明者は、アルミナ基板の表面に形成する
Ｃｕめっき膜の厚みと密着強度とＣｕめっき膜の膨れの
発生率との関係を考察する評価試験を行ったので、その
試験結果を次の表１と図４に示す。
Ｃｕめっき膜の厚みと密着強度とＣｕめっき膜の膨れの
発生率との関係を考察する評価試験を行ったので、その
試験結果を次の表１と図４に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】この評価試験は、図２に示すサブトラクテ
ィブ法でアルミナのサンプル基板の表面にＣｕめっき膜
を形成した後、Ｎ2 雰囲気中にて９００℃で加熱処理し
て、Ｃｕめっき膜の密着強度と膨れ発生率を測定したも
のである。この測定結果は、各膜厚について、それぞれ
４個のサンプル基板を作成し、その平均値を求めたもの
である。尚、この評価試験では、基板表面粗化工程で、
エッチング液としてフッ化水素アンモニウム溶液（濃
度：５０ｇ／ｌ）を用い、７０℃の温度条件で５分間だ
け基板表面粗化処理を行った。
ィブ法でアルミナのサンプル基板の表面にＣｕめっき膜
を形成した後、Ｎ2 雰囲気中にて９００℃で加熱処理し
て、Ｃｕめっき膜の密着強度と膨れ発生率を測定したも
のである。この測定結果は、各膜厚について、それぞれ
４個のサンプル基板を作成し、その平均値を求めたもの
である。尚、この評価試験では、基板表面粗化工程で、
エッチング液としてフッ化水素アンモニウム溶液（濃
度：５０ｇ／ｌ）を用い、７０℃の温度条件で５分間だ
け基板表面粗化処理を行った。
【００１８】前掲した表１と図４に示す試験結果によれ
ば、Ｃｕめっき膜の厚みが２．０μｍ以上の範囲では、
膨れ発生率が５０〜１００％となり、Ｃｕめっき膜の平
坦性が損なわれる。これは、Ｃｕめっき膜が厚いと、Ｃ
ｕめっき膜が緻密化されて、Ｃｕめっき膜にピンホール
が形成されないため、加熱処理時に基板表面にトラップ
されている水分が蒸発した時に、その蒸発ガスの逃げ道
が無く、蒸発ガスがＣｕめっき膜の内側に封じ込められ
て、そのガスの膨脹圧力によりＣｕめっき膜が押し上げ
られるためと考えられる。
ば、Ｃｕめっき膜の厚みが２．０μｍ以上の範囲では、
膨れ発生率が５０〜１００％となり、Ｃｕめっき膜の平
坦性が損なわれる。これは、Ｃｕめっき膜が厚いと、Ｃ
ｕめっき膜が緻密化されて、Ｃｕめっき膜にピンホール
が形成されないため、加熱処理時に基板表面にトラップ
されている水分が蒸発した時に、その蒸発ガスの逃げ道
が無く、蒸発ガスがＣｕめっき膜の内側に封じ込められ
て、そのガスの膨脹圧力によりＣｕめっき膜が押し上げ
られるためと考えられる。
【００１９】これに対し、Ｃｕめっき膜の厚みが１．５
μｍ以下の範囲では、Ｃｕめっき膜における膨れ発生率
が０％となり、Ｃｕめっき膜の平坦性を損なわずに済
む。これは、Ｃｕめっき膜の膜厚が薄く、Ｃｕめっき膜
に蒸発ガスの逃げ道となるピンホールが多数形成されて
いるため、加熱処理時に基板表面で発生した蒸発ガスが
Ｃｕめっき膜のピンホールから外部に放出され、Ｃｕめ
っき膜を押し上げることがないためと考えられる。
μｍ以下の範囲では、Ｃｕめっき膜における膨れ発生率
が０％となり、Ｃｕめっき膜の平坦性を損なわずに済
む。これは、Ｃｕめっき膜の膜厚が薄く、Ｃｕめっき膜
に蒸発ガスの逃げ道となるピンホールが多数形成されて
いるため、加熱処理時に基板表面で発生した蒸発ガスが
Ｃｕめっき膜のピンホールから外部に放出され、Ｃｕめ
っき膜を押し上げることがないためと考えられる。
【００２０】但し、Ｃｕめっき膜の厚みが０．３μｍの
場合には、Ｃｕめっき膜の厚みが薄くなり過ぎて、Ｃｕ
めっき膜自体の強度が不足し、密着強度が１．０２ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 まで低下してしまい、加熱処理による密着強
度向上の効果が少ない。
場合には、Ｃｕめっき膜の厚みが薄くなり過ぎて、Ｃｕ
めっき膜自体の強度が不足し、密着強度が１．０２ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 まで低下してしまい、加熱処理による密着強
度向上の効果が少ない。
【００２１】これに対し、Ｃｕめっき膜の厚みが０．５
μｍ以上になると、Ｃｕめっき膜自体の強度も確保で
き、加熱処理による密着強度向上の効果が大きくなる。
これにより、密着強度が１．４４ｋｇｆ／ｍｍ2 以上と
なり、目標とする密着強度を得ることができる。
μｍ以上になると、Ｃｕめっき膜自体の強度も確保で
き、加熱処理による密着強度向上の効果が大きくなる。
これにより、密着強度が１．４４ｋｇｆ／ｍｍ2 以上と
なり、目標とする密着強度を得ることができる。
【００２２】以上の試験結果から、Ｃｕめっき膜の厚み
を０．５〜１．５μｍの範囲内に設定すれば、Ｃｕめっ
き膜の膨れが発生せず、且つ、Ｃｕめっき膜の密着強度
も目標値を確保でき、Ｃｕめっき膜の平坦性向上（膨れ
防止）と密着強度向上とを両立させることができる。ま
た、加熱処理時にガス放出後も暫く高温状態を保持する
ことで、Ｃｕめっき膜のピンホールを塞ぐことができ、
Ｃｕめっき膜の電気的特性も良好に維持することができ
る。
を０．５〜１．５μｍの範囲内に設定すれば、Ｃｕめっ
き膜の膨れが発生せず、且つ、Ｃｕめっき膜の密着強度
も目標値を確保でき、Ｃｕめっき膜の平坦性向上（膨れ
防止）と密着強度向上とを両立させることができる。ま
た、加熱処理時にガス放出後も暫く高温状態を保持する
ことで、Ｃｕめっき膜のピンホールを塞ぐことができ、
Ｃｕめっき膜の電気的特性も良好に維持することができ
る。
【００２３】尚、本発明を適用可能なセラミック基板
は、アルミナ基板に限定されず、窒化アルミニウム基板
等、他の種類のセラミック基板であっても良い。
は、アルミナ基板に限定されず、窒化アルミニウム基板
等、他の種類のセラミック基板であっても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、セラミック基板の表面に形成するＣｕめっき
膜の厚みを、ピンホールが形成される膜厚である０．５
〜１．５μｍに形成して加熱処理するので、加熱処理時
に基板表面で発生する蒸発ガスをＣｕめっき膜のピンホ
ールから外部に逃がすことができ、蒸発ガスによるＣｕ
めっき膜の膨れを防止できて、Ｃｕめっき膜の平坦性を
損なわずに済むと共に、加熱処理によるＣｕめっき膜の
密着強度向上の効果を得ることができ、品質向上に寄与
できる。
によれば、セラミック基板の表面に形成するＣｕめっき
膜の厚みを、ピンホールが形成される膜厚である０．５
〜１．５μｍに形成して加熱処理するので、加熱処理時
に基板表面で発生する蒸発ガスをＣｕめっき膜のピンホ
ールから外部に逃がすことができ、蒸発ガスによるＣｕ
めっき膜の膨れを防止できて、Ｃｕめっき膜の平坦性を
損なわずに済むと共に、加熱処理によるＣｕめっき膜の
密着強度向上の効果を得ることができ、品質向上に寄与
できる。
【図１】（ａ）は従来の無電解Ｃｕめっき後の状態と加
熱処理時の状態を説明するＣｕめっき膜部分の模式的な
拡大断面図、（ｂ）は本発明の一実施形態における無電
解Ｃｕめっき後の状態と加熱処理時の状態を説明するＣ
ｕめっき膜部分の模式的な拡大断面図
熱処理時の状態を説明するＣｕめっき膜部分の模式的な
拡大断面図、（ｂ）は本発明の一実施形態における無電
解Ｃｕめっき後の状態と加熱処理時の状態を説明するＣ
ｕめっき膜部分の模式的な拡大断面図
【図２】本発明をサブトラクティブ法に適用した場合の
製造工程の一例を示す工程図
製造工程の一例を示す工程図
【図３】本発明をアディティブ法に適用した場合の製造
工程の一例を示す工程図
工程の一例を示す工程図
【図４】アルミナ基板の表面に形成するＣｕめっき膜の
厚みと密着強度とＣｕめっき膜の膨れの発生率との関係
を測定した測定結果を示す図
厚みと密着強度とＣｕめっき膜の膨れの発生率との関係
を測定した測定結果を示す図
１１…アルミナ基板（セラミック基板）、１２…Ｃｕめ
っき膜。
っき膜。
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基板の表面にＣｕめっき膜で
導体パターンを形成して成るセラミック配線基板におい
て、 前記Ｃｕめっき膜の厚みが０．５〜１．５μｍに形成さ
れ、且つ、該Ｃｕめっき膜が加熱処理されていることを
特徴とするセラミック配線基板。 - 【請求項２】 セラミック基板の表面を粗化する工程
と、 前記セラミック基板の表面に無電解Ｃｕめっき法で膜厚
が０．５〜１．５μｍのＣｕめっき膜を形成する工程
と、 前記Ｃｕめっき膜を不活性ガス雰囲気中で加熱処理する
工程とを含むセラミック配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5663797A JPH10251085A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5663797A JPH10251085A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10251085A true JPH10251085A (ja) | 1998-09-22 |
Family
ID=13032856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5663797A Pending JPH10251085A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10251085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012238654A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Ngk Insulators Ltd | 透光性配線基板およびその製造方法 |
| JP2013084975A (ja) * | 2012-12-12 | 2013-05-09 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | プリント配線板用シールドフィルム及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-11 JP JP5663797A patent/JPH10251085A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012238654A (ja) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Ngk Insulators Ltd | 透光性配線基板およびその製造方法 |
| JP2013084975A (ja) * | 2012-12-12 | 2013-05-09 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | プリント配線板用シールドフィルム及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5907790A (en) | Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating | |
| US9462698B2 (en) | Metallized substrate, metal paste composition, and method for manufacturing metallized substrate | |
| JP5574586B2 (ja) | 基板構造及びその形成方法 | |
| EP0073910B1 (en) | Method of etching polyimide | |
| JPS6227393A (ja) | セラミツク基材に銅膜を形成する方法 | |
| JPH10251085A (ja) | セラミック配線基板及びその製造方法 | |
| JP2989975B2 (ja) | 窒化アルミニウム質基板の製造方法 | |
| JPS6347382A (ja) | 窒化アルミセラミック配線基板の製法 | |
| JPH10256699A (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
| JPH09184076A (ja) | 窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法 | |
| US6040068A (en) | Ceramic wiring board and method of producing the same | |
| JP4595183B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法ならびに積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP3049161B2 (ja) | マルチチップ薄膜多層配線板の製造方法 | |
| JPH08153949A (ja) | セラミック配線板の製造方法 | |
| JPH06224538A (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPH10158082A (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JPH03112874A (ja) | セラミック基体と銅の接合方法 | |
| JPH06293581A (ja) | ＡｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法 | |
| JP2875655B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPS6150920B2 (ja) | ||
| JPS62162393A (ja) | スル−ホ−ル形成方法 | |
| JPS5946419B2 (ja) | 半導体装置におけるポリイミド膜の形成方法 | |
| JPH0712068B2 (ja) | 電気装置用絶縁基板 | |
| JPH02221175A (ja) | セラミック基材への銅層の形成方法 | |
| JP2000208937A (ja) | 多層配線基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20040127 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040315 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040316 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
Effective date: 20040609 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
Effective date: 20041109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 |