JPH06293581A - ＡｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法 - Google Patents
ＡｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法Info
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- JPH06293581A JPH06293581A JP7696393A JP7696393A JPH06293581A JP H06293581 A JPH06293581 A JP H06293581A JP 7696393 A JP7696393 A JP 7696393A JP 7696393 A JP7696393 A JP 7696393A JP H06293581 A JPH06293581 A JP H06293581A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＡｌＮセラミックス材の表面に密着性に優れ
た金属層を常温で形成する方法。 【構成】 ＡｌＮセラミックス材の表面に蒸着中の金属
に金属イオンを照射しながら、該セラミックス材を構成
する元素と被覆する金属層の元素とをミキシング作用に
より連続的に混ざり合わせて該セラミックス材と金属層
を強固に繋ぐ界面ミキシング層を形成し、該界面ミキシ
ング層を介して金属層を強固にＡｌＮセラミックス材の
表面に形成するメタライズ方法。
た金属層を常温で形成する方法。 【構成】 ＡｌＮセラミックス材の表面に蒸着中の金属
に金属イオンを照射しながら、該セラミックス材を構成
する元素と被覆する金属層の元素とをミキシング作用に
より連続的に混ざり合わせて該セラミックス材と金属層
を強固に繋ぐ界面ミキシング層を形成し、該界面ミキシ
ング層を介して金属層を強固にＡｌＮセラミックス材の
表面に形成するメタライズ方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌＮセラミックス材
の表面へのメタライズ方法に関し、更に詳細には、例え
ばＩＣ、半導体素子等の電子デバイス用の配線基板およ
びパッケージ用基板に用いるＡｌＮセラミックス材の表
面へのメタライズ方法に関する。
の表面へのメタライズ方法に関し、更に詳細には、例え
ばＩＣ、半導体素子等の電子デバイス用の配線基板およ
びパッケージ用基板に用いるＡｌＮセラミックス材の表
面へのメタライズ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＮセラミックス材は電気絶縁性、高
熱伝導性、Ｓｉに近い熱膨脹係数を持つ、毒性がない
等、その優れた材料特性から、ＩＣ、ＬＳＩ等の電子デ
バイス用の配線およびパッケージ用基板として使用され
ている。
熱伝導性、Ｓｉに近い熱膨脹係数を持つ、毒性がない
等、その優れた材料特性から、ＩＣ、ＬＳＩ等の電子デ
バイス用の配線およびパッケージ用基板として使用され
ている。
【０００３】そして、ＡｌＮセラミックス材の表面に金
属層を形成する方法としては、次に挙げられる方法が知
られている。
属層を形成する方法としては、次に挙げられる方法が知
られている。
【０００４】(1) ＡｌＮセラミックス材の表面を酸化雰
囲気中で１０００℃以上の高温下で酸化させた後、その
表面上にＭｏ−Ｍｎ法によりＭｏとＭｎの混合粉末を分
散させたペーストを塗布し、加湿水素気流中で１５００
℃前後に加熱することによりＭｏ−Ｍｎの金属層を形成
させ、その後メッキ法により該金属層上にＮｉ層を形成
し、更に蒸着法、メッキ法等により該Ｎｉ層を介してＡ
ｕ、Ｃｕ等の導電層を形成する方法。
囲気中で１０００℃以上の高温下で酸化させた後、その
表面上にＭｏ−Ｍｎ法によりＭｏとＭｎの混合粉末を分
散させたペーストを塗布し、加湿水素気流中で１５００
℃前後に加熱することによりＭｏ−Ｍｎの金属層を形成
させ、その後メッキ法により該金属層上にＮｉ層を形成
し、更に蒸着法、メッキ法等により該Ｎｉ層を介してＡ
ｕ、Ｃｕ等の導電層を形成する方法。
【０００５】(2) ＡｌＮセラミックス材の表面を酸化雰
囲気中で１０００℃以上の高温下で酸化させて酸化アル
ミニウム層を形成した後、該酸化アルミニウム層の表面
にＣｕ板、或いはＣｕ粉末を載置し、これを１０００℃
以上での加熱・焼成処理を施してセラミックス材表面に
Ｃｕの金属層を形成する方法。
囲気中で１０００℃以上の高温下で酸化させて酸化アル
ミニウム層を形成した後、該酸化アルミニウム層の表面
にＣｕ板、或いはＣｕ粉末を載置し、これを１０００℃
以上での加熱・焼成処理を施してセラミックス材表面に
Ｃｕの金属層を形成する方法。
【０００６】(3) 蒸着法或いはスパッタ法によりＡｌＮ
セラミックス材の表面にＴｉ等の活性金属の接着層を形
成した後、蒸着法により該接着層上にＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕ
等の導電層を蒸着形成する方法。この場合、蒸着、或い
はスパッタのみではＡｌＮセラミック材とＴｉ膜の充分
な密着性が得られないので、Ｔｉ膜の形成後５００℃以
上の加熱処理を施してＴｉ拡散処理を行うようにしてい
る。
セラミックス材の表面にＴｉ等の活性金属の接着層を形
成した後、蒸着法により該接着層上にＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕ
等の導電層を蒸着形成する方法。この場合、蒸着、或い
はスパッタのみではＡｌＮセラミック材とＴｉ膜の充分
な密着性が得られないので、Ｔｉ膜の形成後５００℃以
上の加熱処理を施してＴｉ拡散処理を行うようにしてい
る。
【０００７】しかしながら、ＡｌＮセラミックス材はＣ
ｕ、Ｎｉ等の金属に対して濡れ性が悪く、前記従来法の
場合、次のような問題がある。前記従来方法は、(1)、
(2)の方法のように、先ず、ＡｌＮセラミックス材の表
面を酸化処理して酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）とし、
その後各種のメタライズを行うか、(3)の方法のように
ＡｌＮセラミックス材に対し反応性を有するＴｉ等の活
性金属を界面に介在させ、その上に金属層を密着形成す
る方法により行うようにしている。これら従来法はいず
れも、ＡｌＮセラミックス材と金属との間に反応を行わ
しめてＡｌＮセラミックス材の表面に金属層を被覆形成
する方法のため、高温処理が必要となり、コスト高とな
る問題がある。更に詳しく述べる。
ｕ、Ｎｉ等の金属に対して濡れ性が悪く、前記従来法の
場合、次のような問題がある。前記従来方法は、(1)、
(2)の方法のように、先ず、ＡｌＮセラミックス材の表
面を酸化処理して酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）とし、
その後各種のメタライズを行うか、(3)の方法のように
ＡｌＮセラミックス材に対し反応性を有するＴｉ等の活
性金属を界面に介在させ、その上に金属層を密着形成す
る方法により行うようにしている。これら従来法はいず
れも、ＡｌＮセラミックス材と金属との間に反応を行わ
しめてＡｌＮセラミックス材の表面に金属層を被覆形成
する方法のため、高温処理が必要となり、コスト高とな
る問題がある。更に詳しく述べる。
【０００８】前記(1)および(2)の方法ではＡｌＮセラミ
ックス材の表面の酸化処理を１０００℃以上で行い、
(1)の方法ではその後、更にＭｏ−Ｍｎ法によるメタラ
イズに１５００℃の加熱処理を要する。前記(3)の方法
においても５００℃以上の加熱処理が必要である。
ックス材の表面の酸化処理を１０００℃以上で行い、
(1)の方法ではその後、更にＭｏ−Ｍｎ法によるメタラ
イズに１５００℃の加熱処理を要する。前記(3)の方法
においても５００℃以上の加熱処理が必要である。
【０００９】また、このような高温処理は熱膨張係数が
大きく異なるＡｌＮセラミックス材とＣｕ等の金属（Ａ
ｌＮセラミックスの熱膨脹係数は４．４×１０-6／℃、
金属の熱膨脹係数は１５〜２０×１０-6／℃）との界面
に熱応力を発生させ、ＡｌＮセラミックス材に歪みが生
じる等の問題の原因となり、電子デバイス用基板作成の
製品歩留まりを低下させる。また(3)の方法で作成され
たものはＡｌＮセラミックス材と金属層の付着強度範囲
が２０〜５０ＭＰａと広範囲にばらつき安定しない。
大きく異なるＡｌＮセラミックス材とＣｕ等の金属（Ａ
ｌＮセラミックスの熱膨脹係数は４．４×１０-6／℃、
金属の熱膨脹係数は１５〜２０×１０-6／℃）との界面
に熱応力を発生させ、ＡｌＮセラミックス材に歪みが生
じる等の問題の原因となり、電子デバイス用基板作成の
製品歩留まりを低下させる。また(3)の方法で作成され
たものはＡｌＮセラミックス材と金属層の付着強度範囲
が２０〜５０ＭＰａと広範囲にばらつき安定しない。
【００１０】そこで、基板のＡｌＮセラミックス材の表
面に対し、密着性（接着強度）の良好な金属層を得るた
めのメタライズ方法として、特開平2-302385号公報（特
願昭63-254531号）で、Ａｒイオンの照射とＣｕの蒸着
とを同時に行うイオンミキシング法でＡｌＮセラミック
ス材の表面にＣｕの金属層を形成する方法が、また、特
開平2-188481号公報（特願平1-7177号）で、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ2から選んだ１または２以上の不活
性ガスイオンの照射とＣｕの蒸着とを同時に行うイオン
ミキシング法でＡｌＮセラミックス材の表面にＣｕの金
属膜を形成する方法が提案されている。
面に対し、密着性（接着強度）の良好な金属層を得るた
めのメタライズ方法として、特開平2-302385号公報（特
願昭63-254531号）で、Ａｒイオンの照射とＣｕの蒸着
とを同時に行うイオンミキシング法でＡｌＮセラミック
ス材の表面にＣｕの金属層を形成する方法が、また、特
開平2-188481号公報（特願平1-7177号）で、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ2から選んだ１または２以上の不活
性ガスイオンの照射とＣｕの蒸着とを同時に行うイオン
ミキシング法でＡｌＮセラミックス材の表面にＣｕの金
属膜を形成する方法が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記提
案のＡｒ等の不活性ガスイオンの照射と、Ｃｕ蒸着とを
同時に行う不活性ガスイオンミキシング法によるＡｌＮ
セラミックス材の表面へのＣｕ金属層のメタライズ法の
場合、例えばイオンミキシング中のＡｒイオンの照射量
が過大になると、基板のＡｌＮセラミックス材とＣｕ膜
の界面部分に残留したＡｒガスが使用時の熱履歴等によ
り拡散集合してボイドを形成し、Ｃｕ層の劣化をまねく
おそれがあり、Ａｒ照射量はボイドが形成し得ない量に
規制され、必ずしも所望の密着性（付着強度）をもつＣ
ｕ層が得られないという問題がある。
案のＡｒ等の不活性ガスイオンの照射と、Ｃｕ蒸着とを
同時に行う不活性ガスイオンミキシング法によるＡｌＮ
セラミックス材の表面へのＣｕ金属層のメタライズ法の
場合、例えばイオンミキシング中のＡｒイオンの照射量
が過大になると、基板のＡｌＮセラミックス材とＣｕ膜
の界面部分に残留したＡｒガスが使用時の熱履歴等によ
り拡散集合してボイドを形成し、Ｃｕ層の劣化をまねく
おそれがあり、Ａｒ照射量はボイドが形成し得ない量に
規制され、必ずしも所望の密着性（付着強度）をもつＣ
ｕ層が得られないという問題がある。
【００１２】本発明はかかる問題点を解消したＡｌＮセ
ラミックス材の表面へのメタライズ方法を提供すること
を目的とする。
ラミックス材の表面へのメタライズ方法を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
上へ密着性の良いメタライズ膜を低温で形成する方法と
して、本発明者らが先に特開平3-159979号（特願平1-29
6092号）公報で提案せる、セラミックス上に金属イオン
の照射と金属蒸着を同時に行う方法を、更に発展せしめ
て、ＡｌＮセラミックス材の表面への金属層の形成に際
し、主な使用分野である電子デバイス用基板の製造工程
も考慮し、金属配線パターン作成時のエッチング工程の
簡略化、また金属層の厚付けの要求への対応も出来るＡ
ｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法を提供す
るものである。
上へ密着性の良いメタライズ膜を低温で形成する方法と
して、本発明者らが先に特開平3-159979号（特願平1-29
6092号）公報で提案せる、セラミックス上に金属イオン
の照射と金属蒸着を同時に行う方法を、更に発展せしめ
て、ＡｌＮセラミックス材の表面への金属層の形成に際
し、主な使用分野である電子デバイス用基板の製造工程
も考慮し、金属配線パターン作成時のエッチング工程の
簡略化、また金属層の厚付けの要求への対応も出来るＡ
ｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法を提供す
るものである。
【００１４】本発明のＡｌＮセラミックス材の表面への
メタライズ方法は、金属イオンミキシング法によりＡｌ
Ｎセラミックス材の表面に、Ｃｕ、Ｎｉのうち少なくと
も１種類の金属の蒸着と、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉのうち少な
くとも１種類の金属イオンの照射を同時に行って、該表
面に金属層を形成することを特徴とする。
メタライズ方法は、金属イオンミキシング法によりＡｌ
Ｎセラミックス材の表面に、Ｃｕ、Ｎｉのうち少なくと
も１種類の金属の蒸着と、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉのうち少な
くとも１種類の金属イオンの照射を同時に行って、該表
面に金属層を形成することを特徴とする。
【００１５】また、もう一つのメタライズ方法は、金属
イオンミキシング法によりＡｌＮセラミックス材の表面
に、Ｃｕ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の金属の蒸着
と、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の金属イ
オンの照射を同時に行って、該表面にＣｕ、Ｎｉ、Ｃｕ
−Ｎｉのいずれかの金属層を形成した後、該金属層上に
湿式メッキ法によりＣｕ、Ｎｉのうちから少なくとも１
種類の金属層を形成することを特徴とする。
イオンミキシング法によりＡｌＮセラミックス材の表面
に、Ｃｕ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の金属の蒸着
と、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の金属イ
オンの照射を同時に行って、該表面にＣｕ、Ｎｉ、Ｃｕ
−Ｎｉのいずれかの金属層を形成した後、該金属層上に
湿式メッキ法によりＣｕ、Ｎｉのうちから少なくとも１
種類の金属層を形成することを特徴とする。
【００１６】本発明のＡｌＮセラミックス材の表面への
メタライズ方法は、ＡｌＮセラミックス材の表面への金
属層の形成を金属蒸着と金属イオンの照射を同時に行う
併用プロセスで行うことにより、基板となるＡｌＮセラ
ミックス材に対する密着性に優れる金属層を低温下で形
成する。この場合、蒸着金属はＣｕ、Ｎｉの中から選択
された１種類或いは２種類の金属、照射する金属イオン
はＣｕ、Ａｌ、Ｎｉの中から選択された１種類或いは２
種類以上の金属イオンである。また、金属導電層の厚付
けのために、前記方法で作成された金属層を下地層と
し、該下地層の上に、湿式メッキ法によって更にＣｕ、
Ｎｉの中から選択された１種類或いは２種類の金属層を
形成する複合プロセスによって金属層を形成する。
メタライズ方法は、ＡｌＮセラミックス材の表面への金
属層の形成を金属蒸着と金属イオンの照射を同時に行う
併用プロセスで行うことにより、基板となるＡｌＮセラ
ミックス材に対する密着性に優れる金属層を低温下で形
成する。この場合、蒸着金属はＣｕ、Ｎｉの中から選択
された１種類或いは２種類の金属、照射する金属イオン
はＣｕ、Ａｌ、Ｎｉの中から選択された１種類或いは２
種類以上の金属イオンである。また、金属導電層の厚付
けのために、前記方法で作成された金属層を下地層と
し、該下地層の上に、湿式メッキ法によって更にＣｕ、
Ｎｉの中から選択された１種類或いは２種類の金属層を
形成する複合プロセスによって金属層を形成する。
【００１７】
【作用】ＡｌＮセラミックス材の表面に金属を蒸着させ
ながら金属イオンを照射すると該表面でイオンミキシン
グが行われて金属層が形成される。その際、ＡｌＮセラ
ミックス材と金属層の間の界面部分で、蒸着金属および
ＡｌＮセラミックス材を構成するＡｌ元素とＮ元素が金
属イオンの照射衝撃により、結合の切断、原子のノック
オン注入、熱的効果等のミキシング作用を受け、ＡｌＮ
セラミックス材と金属層の元素が互いに連続的に混ざり
合い、ＡｌＮセラミックス材と金属層を強固につなぐ界
面ミキシング層を形成する。この界面ミキシング層の存
在によりＡｌＮセラミックス材の表面と密着性に優れた
金属層が形成される。
ながら金属イオンを照射すると該表面でイオンミキシン
グが行われて金属層が形成される。その際、ＡｌＮセラ
ミックス材と金属層の間の界面部分で、蒸着金属および
ＡｌＮセラミックス材を構成するＡｌ元素とＮ元素が金
属イオンの照射衝撃により、結合の切断、原子のノック
オン注入、熱的効果等のミキシング作用を受け、ＡｌＮ
セラミックス材と金属層の元素が互いに連続的に混ざり
合い、ＡｌＮセラミックス材と金属層を強固につなぐ界
面ミキシング層を形成する。この界面ミキシング層の存
在によりＡｌＮセラミックス材の表面と密着性に優れた
金属層が形成される。
【００１８】また、照射するイオンはそれ自体少なくと
も１０ｋｅＶ以上のエネルギーを有するので、室温程度
のプロセス雰囲気温度下でも前記ミキシング作用は十分
に行われ、また、ミキシングに金属イオンを用いること
により、不活性ガスのように界面部分に残留した元素が
拡散、集合してボイドを形成する恐れがなく、照射され
界面部分に残留した金属はそれ自体の反応性によりＡｌ
Ｎセラミックス材を構成する元素および蒸着金属と結合
し、金属層の密着性を向上させる。
も１０ｋｅＶ以上のエネルギーを有するので、室温程度
のプロセス雰囲気温度下でも前記ミキシング作用は十分
に行われ、また、ミキシングに金属イオンを用いること
により、不活性ガスのように界面部分に残留した元素が
拡散、集合してボイドを形成する恐れがなく、照射され
界面部分に残留した金属はそれ自体の反応性によりＡｌ
Ｎセラミックス材を構成する元素および蒸着金属と結合
し、金属層の密着性を向上させる。
【００１９】また、ＡｌＮセラミックス材の表面に形成
された金属層を下地層とし、該下地層の上に湿式メッキ
法で金属層を形成すれば、該金属層を厚付け層に形成出
来る。この場合、金属イオンミキシングにより形成され
た金属層（下地層）とＡｌＮセラミックス材との間はミ
キシング作用により強固に結合しているので、下地層と
メッキ法により形成されたメッキ層は強固に結合してＡ
ｌＮセラミックス材の表面に密着性のよい金属の厚付層
を形成する。
された金属層を下地層とし、該下地層の上に湿式メッキ
法で金属層を形成すれば、該金属層を厚付け層に形成出
来る。この場合、金属イオンミキシングにより形成され
た金属層（下地層）とＡｌＮセラミックス材との間はミ
キシング作用により強固に結合しているので、下地層と
メッキ法により形成されたメッキ層は強固に結合してＡ
ｌＮセラミックス材の表面に密着性のよい金属の厚付層
を形成する。
【００２０】
【実施例】以下添付図面に従って本発明の実施例を説明
する。
する。
【００２１】図１は本発明のＡｌＮセラミックス材の表
面へのメタライズ方法を実施するための装置の１例を示
すもので、図中、１は真空処理室を示す。該真空処理室
１内を外部の真空ポンプ等の真空排気系２に接続すると
共に、真空処理室１内の上方に表面に金属膜を形成すべ
きセラミックス基板３を保持する基板ホルダー４を配置
した。また、真空処理室１内の下方に前記基板ホルダー
４に保持されたセラミックス基板３に対向させて蒸発さ
せる金属５の金属蒸発源６を配置すると共に、金属イオ
ンを発生させるイオン源と、該イオンを加速させる加速
器を備えたイオンビーム源７を配置した。
面へのメタライズ方法を実施するための装置の１例を示
すもので、図中、１は真空処理室を示す。該真空処理室
１内を外部の真空ポンプ等の真空排気系２に接続すると
共に、真空処理室１内の上方に表面に金属膜を形成すべ
きセラミックス基板３を保持する基板ホルダー４を配置
した。また、真空処理室１内の下方に前記基板ホルダー
４に保持されたセラミックス基板３に対向させて蒸発さ
せる金属５の金属蒸発源６を配置すると共に、金属イオ
ンを発生させるイオン源と、該イオンを加速させる加速
器を備えたイオンビーム源７を配置した。
【００２２】そして真空排気系２を作動させて真空処理
室１内を所定の真空度に設定し、セラミックス基板３に
蒸着させる金属５を金属蒸発源ハース６で加熱して真空
処理室１内に蒸発（矢印８）させると共に、セラミック
ス基板３に照射すべき金属元素をイオンビーム源７で１
０ｋｅＶ以上の高エネルギーに加速された高速イオンビ
ーム（矢印９）とし、該高速イオンビームをセラミック
ス基板３に照射出来るようにした。尚、図中、１０は真
空処理室１内の圧力を測定する圧力計、１１は金属蒸着
速度をモニターするための蒸着速度モニター、１２はイ
オン電流をモニターするためのファラデーカップ、１３
は電流計および電流積算計を示す。
室１内を所定の真空度に設定し、セラミックス基板３に
蒸着させる金属５を金属蒸発源ハース６で加熱して真空
処理室１内に蒸発（矢印８）させると共に、セラミック
ス基板３に照射すべき金属元素をイオンビーム源７で１
０ｋｅＶ以上の高エネルギーに加速された高速イオンビ
ーム（矢印９）とし、該高速イオンビームをセラミック
ス基板３に照射出来るようにした。尚、図中、１０は真
空処理室１内の圧力を測定する圧力計、１１は金属蒸着
速度をモニターするための蒸着速度モニター、１２はイ
オン電流をモニターするためのファラデーカップ、１３
は電流計および電流積算計を示す。
【００２３】次に、前記装置を用いてセラミックス材の
表面への金属材のメタライズ方法の具体的実施例を比較
例と共に説明する。
表面への金属材のメタライズ方法の具体的実施例を比較
例と共に説明する。
【００２４】実施例１ 本実施例はＡｌＮセラミックス材から成る基板３の表面
への金属層の形成をＣｕの蒸着と、Ａｌイオンの照射で
の作成例である。
への金属層の形成をＣｕの蒸着と、Ａｌイオンの照射で
の作成例である。
【００２５】真空排気系２により圧力１０-4Ｐａに排気
された真空処理室１内で、イオンビーム源７から引き出
されたＡｌイオンビーム９を基板３上にエネルギー５０
ｋｅＶ、電流密度５．０μＡ／ｃｍ2で前照射した。そ
してイオン照射量が１×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2に達し
た時点で、イオン照射はそのまま継続しながら、それと
同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内のＣｕ金属
５を溶融蒸発させ、Ｃｕ蒸気８として基板３に蒸着させ
た。Ｃｕの蒸着速度は１０．０Å／秒とし、Ｃｕの膜厚
が５００Åに達した時点でＡｌイオンの照射を停止し、
その後はＣｕ蒸着のみで膜厚１００００ÅのＣｕの金属
層を形成した。
された真空処理室１内で、イオンビーム源７から引き出
されたＡｌイオンビーム９を基板３上にエネルギー５０
ｋｅＶ、電流密度５．０μＡ／ｃｍ2で前照射した。そ
してイオン照射量が１×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2に達し
た時点で、イオン照射はそのまま継続しながら、それと
同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内のＣｕ金属
５を溶融蒸発させ、Ｃｕ蒸気８として基板３に蒸着させ
た。Ｃｕの蒸着速度は１０．０Å／秒とし、Ｃｕの膜厚
が５００Åに達した時点でＡｌイオンの照射を停止し、
その後はＣｕ蒸着のみで膜厚１００００ÅのＣｕの金属
層を形成した。
【００２６】そしてＡｌＮセラミックス材の表面に形成
されたＣｕの金属層のセラミックス基板に対する密着性
の評価は、Ｃｕの金属層の表面にＡｌ製の丸棒をエポキ
シ系接着剤にて接着し、その丸棒を基板に対して垂直方
向に引っ張り、破断時の荷重からＣｕの金属層の付着強
度を測定する方法で測定した。その結果を図２に丸印で
示した。
されたＣｕの金属層のセラミックス基板に対する密着性
の評価は、Ｃｕの金属層の表面にＡｌ製の丸棒をエポキ
シ系接着剤にて接着し、その丸棒を基板に対して垂直方
向に引っ張り、破断時の荷重からＣｕの金属層の付着強
度を測定する方法で測定した。その結果を図２に丸印で
示した。
【００２７】また、前記方法で表面にＣｕの金属層を形
成したＡｌＮセラミックス材をＣｕ配線パターンに用い
るべく、該パターン作成時のエッチング試験を行った。
試験方法は該試料上にフォストレジストを塗布した後、
長さ２ｍｍ、パターン間ギャップ幅８０μｍのマスクを
用い、紫外線露光、現像を行いレジストによる電極パタ
ーンを作成した。その後、塩化第２鉄４ｍｏｌ＋塩酸
０．０２ｍｏｌ／リットルの水溶液から成るエッチング
液に浸漬し、温度６０℃で５分間のエッチング処理を行
った。その後、レジスト除去処理工程を経て、最終的に
作成された電極パターン間の抵抗を測定した結果、その
値は１０10Ω以上であり、１工程のエッチング処理で、
ミキシング層も含めたＣｕ膜が完全に除去されているこ
とが認められた。
成したＡｌＮセラミックス材をＣｕ配線パターンに用い
るべく、該パターン作成時のエッチング試験を行った。
試験方法は該試料上にフォストレジストを塗布した後、
長さ２ｍｍ、パターン間ギャップ幅８０μｍのマスクを
用い、紫外線露光、現像を行いレジストによる電極パタ
ーンを作成した。その後、塩化第２鉄４ｍｏｌ＋塩酸
０．０２ｍｏｌ／リットルの水溶液から成るエッチング
液に浸漬し、温度６０℃で５分間のエッチング処理を行
った。その後、レジスト除去処理工程を経て、最終的に
作成された電極パターン間の抵抗を測定した結果、その
値は１０10Ω以上であり、１工程のエッチング処理で、
ミキシング層も含めたＣｕ膜が完全に除去されているこ
とが認められた。
【００２８】比較例１ 前記実施例１と比較するために、ＡｌＮセラミックス材
に照射するイオンとしてＡｒイオンを用い、Ａｒイオン
の照射時の条件をエネルギー５０ｋｅＶ、電流密度５．
０μＡ／ｃｍ2、イオン照射量１×１０16ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ2とした以外は前記実施例１と同様の方法でＡｌＮセ
ラミックス材の表面にＡｒイオンがイオンミキシングさ
れたＣｕの金属層を形成した。そしてＣｕの金属層のＡ
ｌＮセラミックス材に対する付着強度を前記実施例１と
同一条件で測定し、その結果を図２に三角印で示した。
に照射するイオンとしてＡｒイオンを用い、Ａｒイオン
の照射時の条件をエネルギー５０ｋｅＶ、電流密度５．
０μＡ／ｃｍ2、イオン照射量１×１０16ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ2とした以外は前記実施例１と同様の方法でＡｌＮセ
ラミックス材の表面にＡｒイオンがイオンミキシングさ
れたＣｕの金属層を形成した。そしてＣｕの金属層のＡ
ｌＮセラミックス材に対する付着強度を前記実施例１と
同一条件で測定し、その結果を図２に三角印で示した。
【００２９】図２から明らかなように、本発明の実施例
ではＡｌＮセラミックス基板の表面に形成されたＣｕの
金属層の基板に対する付着強度は５５から７０ＭＰａを
示し、その値のばらつきは小さく、しかも８試料中５試
料（図２に黒丸印で示す）は付着強度試験時にＣｕの金
属層が基板より剥離したのではなく、ＡｌＮセラミック
ス基板自体の破壊により付着強度試験を続行することが
出来ず、試験を終了せざるを得ず、また１試料（図２に
白四角印で示す）は付着強度試験時にＣｕの金属層が基
板より剥離したのではなく、ＡｌスタッドとＣｕ膜とを
接着させた接着剤層に亀裂、剥離が発生してＡｌスタッ
ドとＣｕ膜とが離脱し、付着強度試験を続行することが
出来ず、試験を終了せざるを得なかった。この場合の試
料の正味の付着強度は図２に示した値以上であると言え
る。これに対し、比較例のＡｒイオンをイオンミキシン
グさせて形成されたＣｕの金属層は付着強度試験中に全
て剥離した。付着強度はその一部で５０ＭＰａ以上の強
度を示す試料はあるものの、最低値４ＭＰａから最高値
７０ＭＰａの範囲でばらついた値を示し、しかも殆どの
試料において５０ＭＰａ以下であった。
ではＡｌＮセラミックス基板の表面に形成されたＣｕの
金属層の基板に対する付着強度は５５から７０ＭＰａを
示し、その値のばらつきは小さく、しかも８試料中５試
料（図２に黒丸印で示す）は付着強度試験時にＣｕの金
属層が基板より剥離したのではなく、ＡｌＮセラミック
ス基板自体の破壊により付着強度試験を続行することが
出来ず、試験を終了せざるを得ず、また１試料（図２に
白四角印で示す）は付着強度試験時にＣｕの金属層が基
板より剥離したのではなく、ＡｌスタッドとＣｕ膜とを
接着させた接着剤層に亀裂、剥離が発生してＡｌスタッ
ドとＣｕ膜とが離脱し、付着強度試験を続行することが
出来ず、試験を終了せざるを得なかった。この場合の試
料の正味の付着強度は図２に示した値以上であると言え
る。これに対し、比較例のＡｒイオンをイオンミキシン
グさせて形成されたＣｕの金属層は付着強度試験中に全
て剥離した。付着強度はその一部で５０ＭＰａ以上の強
度を示す試料はあるものの、最低値４ＭＰａから最高値
７０ＭＰａの範囲でばらついた値を示し、しかも殆どの
試料において５０ＭＰａ以下であった。
【００３０】実施例２ 本実施例はＡｌＮセラミックス材から成る基板３の表面
への金属層の形成をＣｕとＮｉの蒸着と、Ｃｕイオンの
照射での作成例である。
への金属層の形成をＣｕとＮｉの蒸着と、Ｃｕイオンの
照射での作成例である。
【００３１】真空排気系２により圧力１０-4Ｐａに排気
された真空処理室１内で、イオンビーム源７から引き出
されたＣｕイオンビーム９を基板３上にエネルギー５０
ｋｅＶ、電流密度２０．０μＡ／ｃｍ2で前照射した。
そしてイオン照射量が５×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2に達
した時点で、イオン照射はそのまま継続しながら、それ
と同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内のＣｕ−
１０at％Ｎｉ合金から成る金属５を溶融蒸発させ、Ｃｕ
−Ｎｉ蒸気８として基板３に蒸着させた。Ｃｕ−Ｎｉの
蒸着速度は１０．０Å／秒とし、Ｃｕ−Ｎｉの膜厚が５
００Åに達した時点でＣｕイオンの照射を停止し、その
後はＣｕ−Ｎｉ蒸着のみで膜厚１００００ÅのＣｕ−Ｎ
ｉ合金から成る金属層を形成した。
された真空処理室１内で、イオンビーム源７から引き出
されたＣｕイオンビーム９を基板３上にエネルギー５０
ｋｅＶ、電流密度２０．０μＡ／ｃｍ2で前照射した。
そしてイオン照射量が５×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2に達
した時点で、イオン照射はそのまま継続しながら、それ
と同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内のＣｕ−
１０at％Ｎｉ合金から成る金属５を溶融蒸発させ、Ｃｕ
−Ｎｉ蒸気８として基板３に蒸着させた。Ｃｕ−Ｎｉの
蒸着速度は１０．０Å／秒とし、Ｃｕ−Ｎｉの膜厚が５
００Åに達した時点でＣｕイオンの照射を停止し、その
後はＣｕ−Ｎｉ蒸着のみで膜厚１００００ÅのＣｕ−Ｎ
ｉ合金から成る金属層を形成した。
【００３２】そして、Ｃｕ−Ｎｉ合金から成る金属層の
ＡｌＮセラミックス材に対する付着強度を前記実施例１
と同一条件で測定した。測定結果を図３に特性値（Ａ）
として示した。図３から明らかなように試料のほとんど
において付着強度は５０ＭＰａ以上であった。
ＡｌＮセラミックス材に対する付着強度を前記実施例１
と同一条件で測定した。測定結果を図３に特性値（Ａ）
として示した。図３から明らかなように試料のほとんど
において付着強度は５０ＭＰａ以上であった。
【００３３】比較例２ 前記実施例２と比較するために、ＡｌＮセラミック材に
照射するイオンとしてＡｒイオンを用い、Ａｒイオンの
照射時の条件をエネルギー３０ｋｅＶ、電流密度２０．
０μＡ／ｃｍ2、イオン照射量１×１０16ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ2とした以外は前記実施例１と同様の方法でＡｌＮセ
ラミックス材の表面にＡｒイオンがイオンミキシングさ
れたＣｕ−Ｎｉ合金から成る金属層を形成した。そして
Ｃｕ−Ｎｉ合金から成る金属層のＡｌＮセラミックス材
に対する付着強度を前記実施例１と同一条件で測定し、
その結果を図３に特性値（Ｆ）として示した。図３から
明らかなようにＣｕ−Ｎｉ合金から成る金属層は付着強
度試験中に全て剥離した。付着強度は最低値５ＭＰａか
ら最高値５５ＭＰａの範囲でばらついた値を示し、しか
も殆どの試料において５０ＭＰａ以下であった。
照射するイオンとしてＡｒイオンを用い、Ａｒイオンの
照射時の条件をエネルギー３０ｋｅＶ、電流密度２０．
０μＡ／ｃｍ2、イオン照射量１×１０16ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ2とした以外は前記実施例１と同様の方法でＡｌＮセ
ラミックス材の表面にＡｒイオンがイオンミキシングさ
れたＣｕ−Ｎｉ合金から成る金属層を形成した。そして
Ｃｕ−Ｎｉ合金から成る金属層のＡｌＮセラミックス材
に対する付着強度を前記実施例１と同一条件で測定し、
その結果を図３に特性値（Ｆ）として示した。図３から
明らかなようにＣｕ−Ｎｉ合金から成る金属層は付着強
度試験中に全て剥離した。付着強度は最低値５ＭＰａか
ら最高値５５ＭＰａの範囲でばらついた値を示し、しか
も殆どの試料において５０ＭＰａ以下であった。
【００３４】実施例３ 本実施例はＡｌＮセラミックス材から成る基板３の表面
への金属膜の形成を、先ず、金属イオンミキシング法で
Ｃｕの蒸着と、Ａｌイオンの照射で金属膜の下地層を形
成し、該下地層の上に湿式メッキ法によりＣｕ層を形成
する作成例である。
への金属膜の形成を、先ず、金属イオンミキシング法で
Ｃｕの蒸着と、Ａｌイオンの照射で金属膜の下地層を形
成し、該下地層の上に湿式メッキ法によりＣｕ層を形成
する作成例である。
【００３５】先ず、真空排気系２により圧力１０-4Ｐａ
に排気された真空処理室１内で、イオンビーム源７から
引き出されたＡｌイオンビーム９を基板３上にエネルギ
ー５０ｋｅＶ、電流密度５．０μＡ／ｃｍ2で前照射し
た。そしてイオン照射量が１×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2
に達した時点で、イオン照射をそのまま継続しながら、
それと同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内のＣ
ｕ金属５を溶融蒸発させ、Ｃｕ蒸気８として基板３に蒸
着させた。Ｃｕの蒸着速度は１０．０Å／秒とし、Ｃｕ
の膜厚が５００Åに達した時点でＡｌイオンの照射を停
止し、その後はＣｕ蒸着のみで膜厚１００００ÅのＣｕ
の金属膜の下地層を形成した。次に、Ｃｕの下地層が形
成されたＡｌＮセラミックス材を陰極とし、硫酸銅、硫
酸溶液を用いる湿式メッキ法に従って、純銅製対極（陽
極）との間に直流電流０．０５Ａ／ｃｍ2を通電して、
Ｃｕの下地層の上に最終的に５μｍ（５００００Å）の
Ｃｕの金属層を形成した。
に排気された真空処理室１内で、イオンビーム源７から
引き出されたＡｌイオンビーム９を基板３上にエネルギ
ー５０ｋｅＶ、電流密度５．０μＡ／ｃｍ2で前照射し
た。そしてイオン照射量が１×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2
に達した時点で、イオン照射をそのまま継続しながら、
それと同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内のＣ
ｕ金属５を溶融蒸発させ、Ｃｕ蒸気８として基板３に蒸
着させた。Ｃｕの蒸着速度は１０．０Å／秒とし、Ｃｕ
の膜厚が５００Åに達した時点でＡｌイオンの照射を停
止し、その後はＣｕ蒸着のみで膜厚１００００ÅのＣｕ
の金属膜の下地層を形成した。次に、Ｃｕの下地層が形
成されたＡｌＮセラミックス材を陰極とし、硫酸銅、硫
酸溶液を用いる湿式メッキ法に従って、純銅製対極（陽
極）との間に直流電流０．０５Ａ／ｃｍ2を通電して、
Ｃｕの下地層の上に最終的に５μｍ（５００００Å）の
Ｃｕの金属層を形成した。
【００３６】そしてＡｌＮセラミックス材の表面に金属
イオンミキシング法および湿式メッキ法で形成されたＣ
ｕの金属層のＡｌＮセラミックス材に対する付着強度を
前記実施例１と同一条件で測定した。測定結果に図３に
特性値（Ｂ）として示した。図３から明らかなように試
料のほとんどにおいて付着強度は全ての試料で３０ＭＰ
ａ以上であり、また、半数の試料は５０ＭＰａ以上であ
った。８試料中、膜が剥離を起こした試料は１試料のみ
で、他は全て基板が破壊するまで膜剥離を示さなかっ
た。
イオンミキシング法および湿式メッキ法で形成されたＣ
ｕの金属層のＡｌＮセラミックス材に対する付着強度を
前記実施例１と同一条件で測定した。測定結果に図３に
特性値（Ｂ）として示した。図３から明らかなように試
料のほとんどにおいて付着強度は全ての試料で３０ＭＰ
ａ以上であり、また、半数の試料は５０ＭＰａ以上であ
った。８試料中、膜が剥離を起こした試料は１試料のみ
で、他は全て基板が破壊するまで膜剥離を示さなかっ
た。
【００３７】比較例３ 前記実施例３と比較するために、ＡｌＮセラミックス材
に照射するイオンとしてＡｒイオンを用い、Ａｒイオン
の照射時の条件をエネルギー５０ｋｅＶ、電流密度２
０．０μＡ／ｃｍ2、イオン照射量１×１０16ｉｏｎｓ
／ｃｍ2とした以外は前記実施例３と同様の方法でＡｌ
Ｎセラミックス材の表面にＡｒイオンミキシング法と湿
式メッキ法で形成されたＣｕの金属層を形成した。
に照射するイオンとしてＡｒイオンを用い、Ａｒイオン
の照射時の条件をエネルギー５０ｋｅＶ、電流密度２
０．０μＡ／ｃｍ2、イオン照射量１×１０16ｉｏｎｓ
／ｃｍ2とした以外は前記実施例３と同様の方法でＡｌ
Ｎセラミックス材の表面にＡｒイオンミキシング法と湿
式メッキ法で形成されたＣｕの金属層を形成した。
【００３８】そしてＡｌＮセラミックス材の表面にＡｒ
イオンミキシング法と湿式メッキ法で形成されたＣｕの
金属層のＡｌＮセラミックス材に対する付着強度を前記
実施例１と同一条件で測定した。測定結果を図３に特性
値（Ｇ）として示した。図３から明らかなようにＣｕの
金属層は付着強度試験中に全て剥離した。付着強度は最
低値１．５ＭＰａから最高値３６ＭＰａの範囲でばらつ
いた値を示し、しかも殆どの試料において２０ＭＰａ以
下であった。
イオンミキシング法と湿式メッキ法で形成されたＣｕの
金属層のＡｌＮセラミックス材に対する付着強度を前記
実施例１と同一条件で測定した。測定結果を図３に特性
値（Ｇ）として示した。図３から明らかなようにＣｕの
金属層は付着強度試験中に全て剥離した。付着強度は最
低値１．５ＭＰａから最高値３６ＭＰａの範囲でばらつ
いた値を示し、しかも殆どの試料において２０ＭＰａ以
下であった。
【００３９】実施例４ 本実施例はＡｌＮセラミックス材から成る基板３の表面
への金属層の形成をＮｉの蒸着と、Ｎｉイオンの照射で
金属膜の下地層の形成と、該下地層の上に湿式メッキ法
によりＮｉ層を形成する作成例である。
への金属層の形成をＮｉの蒸着と、Ｎｉイオンの照射で
金属膜の下地層の形成と、該下地層の上に湿式メッキ法
によりＮｉ層を形成する作成例である。
【００４０】先ず、真空排気系２により圧力１０-4Ｐａ
に排気された真空処理室１内で、イオンビーム源７から
引き出されたＮｉイオンビーム９を基板３上にエネルギ
ー５０ｋｅＶ、電流密度１０．０μＡ／ｃｍ2で前照射
した。そしてイオン照射量が５×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ
2に達した時点で、イオン照射をそのまま継続しなが
ら、それと同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内
のＮｉ金属５を溶融蒸発させ、Ｎｉ蒸気８として基板３
に蒸着させた。Ｎｉの蒸着速度は１Å／秒とし、Ｎｉの
膜厚が５００Åに達した時点でＡｌイオンの照射を停止
し、その後はＮｉ蒸着速度１０Å／秒に増加させてＮｉ
蒸着のみで膜厚１００００ÅのＮｉの金属膜の下地層を
形成した。次に、Ｎｉの下地層が形成されたＡｌＮセラ
ミックス材を陰極とし、硫酸ニッケル、塩化ニッケル溶
液を用いる湿式メッキ法に従って、Ｎｉ製対極（陽極）
との間に直流電流０．０５Ａ／ｃｍ2を通電して、Ｎｉ
の下地層の上に最終的に５μｍ（５００００Å）のＮｉ
の金属層を形成した。
に排気された真空処理室１内で、イオンビーム源７から
引き出されたＮｉイオンビーム９を基板３上にエネルギ
ー５０ｋｅＶ、電流密度１０．０μＡ／ｃｍ2で前照射
した。そしてイオン照射量が５×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ
2に達した時点で、イオン照射をそのまま継続しなが
ら、それと同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内
のＮｉ金属５を溶融蒸発させ、Ｎｉ蒸気８として基板３
に蒸着させた。Ｎｉの蒸着速度は１Å／秒とし、Ｎｉの
膜厚が５００Åに達した時点でＡｌイオンの照射を停止
し、その後はＮｉ蒸着速度１０Å／秒に増加させてＮｉ
蒸着のみで膜厚１００００ÅのＮｉの金属膜の下地層を
形成した。次に、Ｎｉの下地層が形成されたＡｌＮセラ
ミックス材を陰極とし、硫酸ニッケル、塩化ニッケル溶
液を用いる湿式メッキ法に従って、Ｎｉ製対極（陽極）
との間に直流電流０．０５Ａ／ｃｍ2を通電して、Ｎｉ
の下地層の上に最終的に５μｍ（５００００Å）のＮｉ
の金属層を形成した。
【００４１】そしてＡｌＮセラミックス材の表面に金属
イオンミキシング法で形成されたＮｉ下地層、および湿
式メッキ法で形成されたＮｉの金属層のＡｌＮセラミッ
クス材に対する付着強度を前記実施例１と同一条件で測
定した。測定結果を図３に特性値（Ｃ）として示した。
図３から明らかなように７試料中１試料（図３に白丸印
で示す）を除きＮｉ膜の剥離は見られず、試料は基板の
破壊によって測定を終了している。このことは、膜の付
着強度は図３（Ｃ）中に黒丸で示した値以上と言うこと
になる。しかし、実施例２の結果（図３（Ａ））と比較
すると、基板の破壊する強度自体が３０ＭＰａから５５
ＭＰａと若干低い傾向を示していた。これはＮｉメッキ
膜の応力が影響したものと考えられる。
イオンミキシング法で形成されたＮｉ下地層、および湿
式メッキ法で形成されたＮｉの金属層のＡｌＮセラミッ
クス材に対する付着強度を前記実施例１と同一条件で測
定した。測定結果を図３に特性値（Ｃ）として示した。
図３から明らかなように７試料中１試料（図３に白丸印
で示す）を除きＮｉ膜の剥離は見られず、試料は基板の
破壊によって測定を終了している。このことは、膜の付
着強度は図３（Ｃ）中に黒丸で示した値以上と言うこと
になる。しかし、実施例２の結果（図３（Ａ））と比較
すると、基板の破壊する強度自体が３０ＭＰａから５５
ＭＰａと若干低い傾向を示していた。これはＮｉメッキ
膜の応力が影響したものと考えられる。
【００４２】実施例５ 本実施例はＡｌＮセラミックス材から成る基板３の表面
への金属層の形成をＣｕとＮｉの蒸着と、Ａｌイオンの
照射で金属膜の下地層を形成し、該下地層の上に湿式メ
ッキ法によりＣｕ層を形成する作成例である。
への金属層の形成をＣｕとＮｉの蒸着と、Ａｌイオンの
照射で金属膜の下地層を形成し、該下地層の上に湿式メ
ッキ法によりＣｕ層を形成する作成例である。
【００４３】先ず、真空排気系２により圧力１０-4Ｐａ
に排気された真空処理室１内で、イオンビーム源７から
引き出されたＡｌイオンビーム９を基板３上にエネルギ
ー４０ｋｅＶ、電流密度５．０μＡ／ｃｍ2で前照射し
た。そしてイオン照射量が２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2
に達した時点で、イオン照射をそのまま継続しながら、
それと同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内のＣ
ｕ−１０wt％Ｎｉ合金から成る金属５を溶融蒸発させ、
Ｃｕ−Ｎｉ蒸気８として基板３に蒸着させた。Ｃｕ−Ｎ
ｉの蒸着速度は５Å／秒とし、Ｃｕ−Ｎｉの膜厚が５０
０Åに達した時点でＡｌイオンの照射を停止し、その後
はＣｕ−Ｎｉ蒸着のみで膜厚５０００ÅのＣｕ−Ｎｉ合
金から成る金属膜の下地層を形成した。次に、Ｃｕ−Ｎ
ｉ合金の下地層が形成されたＡｌＮセラミックス材を陰
極とし、硫酸銅、硫酸溶液を用いる湿式メッキ法に従っ
て、純銅製対極（陽極）との間に直流電流０．０５Ａ／
ｃｍ2を通電して、Ｃｕ−Ｎｉ合金の下地層の上に最終
的に１０μｍ（１０００００Å）のＣｕの金属層を形成
した。
に排気された真空処理室１内で、イオンビーム源７から
引き出されたＡｌイオンビーム９を基板３上にエネルギ
ー４０ｋｅＶ、電流密度５．０μＡ／ｃｍ2で前照射し
た。そしてイオン照射量が２×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2
に達した時点で、イオン照射をそのまま継続しながら、
それと同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内のＣ
ｕ−１０wt％Ｎｉ合金から成る金属５を溶融蒸発させ、
Ｃｕ−Ｎｉ蒸気８として基板３に蒸着させた。Ｃｕ−Ｎ
ｉの蒸着速度は５Å／秒とし、Ｃｕ−Ｎｉの膜厚が５０
０Åに達した時点でＡｌイオンの照射を停止し、その後
はＣｕ−Ｎｉ蒸着のみで膜厚５０００ÅのＣｕ−Ｎｉ合
金から成る金属膜の下地層を形成した。次に、Ｃｕ−Ｎ
ｉ合金の下地層が形成されたＡｌＮセラミックス材を陰
極とし、硫酸銅、硫酸溶液を用いる湿式メッキ法に従っ
て、純銅製対極（陽極）との間に直流電流０．０５Ａ／
ｃｍ2を通電して、Ｃｕ−Ｎｉ合金の下地層の上に最終
的に１０μｍ（１０００００Å）のＣｕの金属層を形成
した。
【００４４】そしてＡｌＮセラミックス材の表面に金属
イオンミキシング法で形成されたＣｕ−Ｎｉ下地層、お
よび湿式メッキ法で形成されたＣｕの金属膜のＡｌＮセ
ラミックス材に対する付着強度を前記実施例１と同一条
件で測定した。測定結果を図３に特性値（Ｄ）として示
した。図３から明らかなように殆どの試料において付着
強度は５０ＭＰａ以上であった。
イオンミキシング法で形成されたＣｕ−Ｎｉ下地層、お
よび湿式メッキ法で形成されたＣｕの金属膜のＡｌＮセ
ラミックス材に対する付着強度を前記実施例１と同一条
件で測定した。測定結果を図３に特性値（Ｄ）として示
した。図３から明らかなように殆どの試料において付着
強度は５０ＭＰａ以上であった。
【００４５】実施例６ 本実施例はＡｌＮセラミックス材から成る基板３の表面
への金属膜の形成をＣｕの蒸着と、Ｃｕイオンの照射で
金属膜の下地膜を形成し、該下地層の上に湿式メッキ法
によりＣｕおよびＮｉの２層のメッキ層を形成する作成
例である。
への金属膜の形成をＣｕの蒸着と、Ｃｕイオンの照射で
金属膜の下地膜を形成し、該下地層の上に湿式メッキ法
によりＣｕおよびＮｉの２層のメッキ層を形成する作成
例である。
【００４６】先ず、真空排気系２により圧力１０-4Ｐａ
に排気された真空処理室１内で、イオンビーム源７から
引き出されたＣｕイオンビーム９を基板３上にエネルギ
ー４０ｋｅＶ、電流密度１０．０μＡ／ｃｍ2で前照射
した。そしてイオン照射量が５×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ
2に達した時点で、イオン照射をそのまま継続しなが
ら、それと同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内
のＣｕ金属５を溶融蒸発させ、Ｃｕ蒸気８として基板３
に蒸着させた。Ｃｕの蒸着速度は５Å／秒とし、Ｃｕ−
Ｎｉの膜厚が５００Åに達した時点でＡｌイオンの照射
を停止し、その後はＣｕ−Ｎｉ蒸着のみで膜厚５０００
ÅのＣｕの下地層を形成した。次に、Ｃｕの下地層が形
成されたＡｌＮセラミックス材を陰極とし、硫酸銅、硫
酸溶液を用いる湿式メッキ法に従って、Ｃｕ製対極（陽
極）との間に直流電流０．０５Ａ／ｃｍ2を通電して、
Ｃｕの下地層の上に最終的に５μｍ（５００００Å）の
Ｃｕの金属層を形成した。その後、硫酸ニッケル、塩化
ニッケル溶液を用いる湿式メッキ法に従って、Ｎｉ製対
極（陽極）との間に直流電流０．０５Ａ／ｃｍ2を通電
して、Ｃｕ層の上に最終的に１μｍ（１００００Å）の
Ｎｉ膜を形成した。
に排気された真空処理室１内で、イオンビーム源７から
引き出されたＣｕイオンビーム９を基板３上にエネルギ
ー４０ｋｅＶ、電流密度１０．０μＡ／ｃｍ2で前照射
した。そしてイオン照射量が５×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ
2に達した時点で、イオン照射をそのまま継続しなが
ら、それと同時に電子ビーム加熱により金属蒸発源６内
のＣｕ金属５を溶融蒸発させ、Ｃｕ蒸気８として基板３
に蒸着させた。Ｃｕの蒸着速度は５Å／秒とし、Ｃｕ−
Ｎｉの膜厚が５００Åに達した時点でＡｌイオンの照射
を停止し、その後はＣｕ−Ｎｉ蒸着のみで膜厚５０００
ÅのＣｕの下地層を形成した。次に、Ｃｕの下地層が形
成されたＡｌＮセラミックス材を陰極とし、硫酸銅、硫
酸溶液を用いる湿式メッキ法に従って、Ｃｕ製対極（陽
極）との間に直流電流０．０５Ａ／ｃｍ2を通電して、
Ｃｕの下地層の上に最終的に５μｍ（５００００Å）の
Ｃｕの金属層を形成した。その後、硫酸ニッケル、塩化
ニッケル溶液を用いる湿式メッキ法に従って、Ｎｉ製対
極（陽極）との間に直流電流０．０５Ａ／ｃｍ2を通電
して、Ｃｕ層の上に最終的に１μｍ（１００００Å）の
Ｎｉ膜を形成した。
【００４７】そしてＡｌＮセラミックス材の表面に金属
イオンミキシング法で形成されたＣｕの下地層、および
湿式メッキ法で形成されたＣｕおよびＮｉの２層の金属
層のＡｌＮセラミックス材に対する付着強度を前記実施
例１と同一条件で測定した。測定結果を図３に特性値
（Ｅ）として示した。図３から明らかなように半数以上
の試料において５０ＭＰａ以上、ほとんどの試料におい
て３０ＭＰａ以上の安定した強度が得られた。尚、７試
料中１試料は接着剤が剥がれて測定を終了しており、真
の付着強度を示すものではない。
イオンミキシング法で形成されたＣｕの下地層、および
湿式メッキ法で形成されたＣｕおよびＮｉの２層の金属
層のＡｌＮセラミックス材に対する付着強度を前記実施
例１と同一条件で測定した。測定結果を図３に特性値
（Ｅ）として示した。図３から明らかなように半数以上
の試料において５０ＭＰａ以上、ほとんどの試料におい
て３０ＭＰａ以上の安定した強度が得られた。尚、７試
料中１試料は接着剤が剥がれて測定を終了しており、真
の付着強度を示すものではない。
【００４８】前記各実施例で示した、金属蒸着、金属イ
オン照射の併用における金属層の形成条件（蒸着金属の
単独、合金の種類、照射金属イオンの単独、混合イオン
の種類、照射量等）は１例であり、本発明の形成条件は
これに限定されるものではない。基板上へのイオン前照
射の有無、金属イオンの前照射量、イオンエネルギー、
イオン電流密度等は金属蒸着速度、またはイオン照射に
よる基板温度の上昇、処理時間、コスト等との関係にお
いて最適条件を定めて、この条件下で適切に行えばよ
い。また、ＡｌＮセラミックス材の表面への金属蒸着と
金属イオンの照射の併用は、前記実施例で示すように同
時に、或いは間欠的に交互に行ってもよい。
オン照射の併用における金属層の形成条件（蒸着金属の
単独、合金の種類、照射金属イオンの単独、混合イオン
の種類、照射量等）は１例であり、本発明の形成条件は
これに限定されるものではない。基板上へのイオン前照
射の有無、金属イオンの前照射量、イオンエネルギー、
イオン電流密度等は金属蒸着速度、またはイオン照射に
よる基板温度の上昇、処理時間、コスト等との関係にお
いて最適条件を定めて、この条件下で適切に行えばよ
い。また、ＡｌＮセラミックス材の表面への金属蒸着と
金属イオンの照射の併用は、前記実施例で示すように同
時に、或いは間欠的に交互に行ってもよい。
【００４９】また、金属層の形成の全過程においてイオ
ン照射を併用する必要性は必ずしもない。前記各実施例
に示すように、照射される金属イオンが金属蒸着膜に注
入される深さである最大５００Åまで、イオン照射を同
時に併用して金属層の形成を行い、その後は、イオン照
射を停止して金属蒸着のみで金属層を形成することは金
属層の密着性に対して何ら問題がない。
ン照射を併用する必要性は必ずしもない。前記各実施例
に示すように、照射される金属イオンが金属蒸着膜に注
入される深さである最大５００Åまで、イオン照射を同
時に併用して金属層の形成を行い、その後は、イオン照
射を停止して金属蒸着のみで金属層を形成することは金
属層の密着性に対して何ら問題がない。
【００５０】この場合、前記実施例では金属層の形成の
全てを図１に示す同一真空処理室内で形成したが、図１
に示す装置に代えて図４に示すような多室構成の真空処
理室を用いてもよい。図４に示す多室構成の真空処理室
の構成について図１に示す真空処理室との相違点につい
て説明する。
全てを図１に示す同一真空処理室内で形成したが、図１
に示す装置に代えて図４に示すような多室構成の真空処
理室を用いてもよい。図４に示す多室構成の真空処理室
の構成について図１に示す真空処理室との相違点につい
て説明する。
【００５１】真空処理室１に隣接して第２真空処理室２
１を隔離バルブ２２を介して接続した。該第２真空処理
室２１内を外部の真空ポンプ等の真空排気系２３に接続
すると共に、第２真空処理室２１内の上方に、真空処理
室１および第２真空処理室２１間の所定の真空度を維持
しながら、基板３を真空処理室１内との間に基板３を保
持した基板ホルダー４を往復し得る搬送機構２４を設置
した。また、第２真空処理室２１の下方に前記搬送機構
２４によって基板ホルダー４に保持され、第２真空処理
室２１内に搬送されてきた基板３に対向させて例えばＣ
ｕの金属２５を加熱蒸発させるための金属蒸発源２６を
配置した。尚、図中、２７は第２真空処理室２１内の圧
力を測定する圧力計、２８は金属蒸着速度をモニターす
るための蒸着速度モニターを示す。その他の符号は前記
図１装置と同一のため説明を省略する。
１を隔離バルブ２２を介して接続した。該第２真空処理
室２１内を外部の真空ポンプ等の真空排気系２３に接続
すると共に、第２真空処理室２１内の上方に、真空処理
室１および第２真空処理室２１間の所定の真空度を維持
しながら、基板３を真空処理室１内との間に基板３を保
持した基板ホルダー４を往復し得る搬送機構２４を設置
した。また、第２真空処理室２１の下方に前記搬送機構
２４によって基板ホルダー４に保持され、第２真空処理
室２１内に搬送されてきた基板３に対向させて例えばＣ
ｕの金属２５を加熱蒸発させるための金属蒸発源２６を
配置した。尚、図中、２７は第２真空処理室２１内の圧
力を測定する圧力計、２８は金属蒸着速度をモニターす
るための蒸着速度モニターを示す。その他の符号は前記
図１装置と同一のため説明を省略する。
【００５２】図３に示す形成装置を用いる場合は、先
ず、真空処理室１内で基板上への金属蒸着と金属イオン
の照射を同時に行って金属層を形成し、更に該金属層の
上に該金属層と同一または異なる金属の蒸着を連続的に
行う。この装置を用いて基板上に金属層を形成すれば、
多量生産のＡｌＮセラミックス材の表面への金属層の形
成に適する。
ず、真空処理室１内で基板上への金属蒸着と金属イオン
の照射を同時に行って金属層を形成し、更に該金属層の
上に該金属層と同一または異なる金属の蒸着を連続的に
行う。この装置を用いて基板上に金属層を形成すれば、
多量生産のＡｌＮセラミックス材の表面への金属層の形
成に適する。
【００５３】前記各実施例で示した、金属イオンミキシ
ング法で基板上に形成された金属層（下地層）上に湿式
メッキ法で形成する金属層のメッキ液、メッキ条件は１
例であり、本発明の湿式メッキ法はこれに限定されるも
のではなく、下地層の金属の種類、下地層の厚さ、メッ
キする金属の種類、メッキ層の厚さに応じてメッキ液、
メッキ条件を適宜設定し、この条件下で適切に行えばよ
い。
ング法で基板上に形成された金属層（下地層）上に湿式
メッキ法で形成する金属層のメッキ液、メッキ条件は１
例であり、本発明の湿式メッキ法はこれに限定されるも
のではなく、下地層の金属の種類、下地層の厚さ、メッ
キする金属の種類、メッキ層の厚さに応じてメッキ液、
メッキ条件を適宜設定し、この条件下で適切に行えばよ
い。
【００５４】本発明のＡｌＮセラミックス材の表面への
メタライズ方法は、金属イオンミキシング法を用いるた
めに次のようなメリットがある。本発明における金属イ
オンミキシング時の照射金属イオンは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ
ｉ中から選択された１種類或いは２種類以上のイオンで
ある。これら照射される金属元素は、Ｃｕ蒸着の金属
層、またはＮｉ金属蒸着層、またはＣｕとＮｉの合金の
蒸着層とＡｌＮセラミックス材の界面部分に残留して
も、金属層形成の後の配線パターン作成時のエッチング
工程において、１工程のみで金属層とミキシング層を同
時にエッチング除去することが出来る。これに対し、従
来のＴｉ等の活性金属を用いる方法の場合は、ＡｌＮセ
ラミックス材と金属層の密着性の向上には寄与するが、
エッチング工程でＣｕ等の金属層とＴｉ等の活性金属層
を同時にエッチング除去することは出来ないという問題
がある。本発明の金属イオンミキシングに用いる金属は
Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉのうちから選択された金属イオンを用
いるようにしているので、エッチング処理工程の短縮に
寄与する。
メタライズ方法は、金属イオンミキシング法を用いるた
めに次のようなメリットがある。本発明における金属イ
オンミキシング時の照射金属イオンは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎ
ｉ中から選択された１種類或いは２種類以上のイオンで
ある。これら照射される金属元素は、Ｃｕ蒸着の金属
層、またはＮｉ金属蒸着層、またはＣｕとＮｉの合金の
蒸着層とＡｌＮセラミックス材の界面部分に残留して
も、金属層形成の後の配線パターン作成時のエッチング
工程において、１工程のみで金属層とミキシング層を同
時にエッチング除去することが出来る。これに対し、従
来のＴｉ等の活性金属を用いる方法の場合は、ＡｌＮセ
ラミックス材と金属層の密着性の向上には寄与するが、
エッチング工程でＣｕ等の金属層とＴｉ等の活性金属層
を同時にエッチング除去することは出来ないという問題
がある。本発明の金属イオンミキシングに用いる金属は
Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉのうちから選択された金属イオンを用
いるようにしているので、エッチング処理工程の短縮に
寄与する。
【００５５】また、本発明のＡｌＮセラミックス材の表
面へのメタライズ方法は、金属イオンミキシング法とメ
ッキ法を併用するために次のようなメリットがある。Ａ
ｌＮセラミックス材の表面に形成されたＣｕ、Ｎｉまた
はＣｕ−Ｎｉ合金から成る金属層はＬＳＩ、またはパワ
ートランジスター等の導電層として使用されるため、通
電する電流量によっては該金属層（導電層）の厚付けが
要求されるが、その場合、金属蒸着のみで金属層の厚膜
化を計ることが出来るが、金属の厚膜形成に適した湿式
メッキ法を複合させることにより要求された厚膜の金属
層を極めて簡単に形成することが出来る。この場合、金
属イオンミキシング法により形成された金属層（下地
層）とＡｌＮセラミックス材との間は前記イオンミキシ
ング作用により強固に結合している。また、下地層の上
に形成された金属のメッキ層（金属層）については、密
着性のよい金属膜を得る条件も広く知られているため、
密着性（付着強度）に優れた金属メッキ層を形成するこ
とは容易である。結果としてこの複合プロセスにより、
全体としてＡｌＮセラミックス材の表面に極めて密着し
た金属の厚付け層を形成することが出来る。
面へのメタライズ方法は、金属イオンミキシング法とメ
ッキ法を併用するために次のようなメリットがある。Ａ
ｌＮセラミックス材の表面に形成されたＣｕ、Ｎｉまた
はＣｕ−Ｎｉ合金から成る金属層はＬＳＩ、またはパワ
ートランジスター等の導電層として使用されるため、通
電する電流量によっては該金属層（導電層）の厚付けが
要求されるが、その場合、金属蒸着のみで金属層の厚膜
化を計ることが出来るが、金属の厚膜形成に適した湿式
メッキ法を複合させることにより要求された厚膜の金属
層を極めて簡単に形成することが出来る。この場合、金
属イオンミキシング法により形成された金属層（下地
層）とＡｌＮセラミックス材との間は前記イオンミキシ
ング作用により強固に結合している。また、下地層の上
に形成された金属のメッキ層（金属層）については、密
着性のよい金属膜を得る条件も広く知られているため、
密着性（付着強度）に優れた金属メッキ層を形成するこ
とは容易である。結果としてこの複合プロセスにより、
全体としてＡｌＮセラミックス材の表面に極めて密着し
た金属の厚付け層を形成することが出来る。
【００５６】
【発明の効果】本発明によるときは、ＡｌＮセラミック
ス材の表面への金属層の形成を金属の蒸着と平行するか
たちで金属イオンを照射することにより、ＡｌＮセラミ
ックス材と金属との間の界面部分では蒸着金属、および
ＡｌＮセラミックス材の構成元素が照射された金属イオ
ンの照射衝撃により結合の切断、原子のノックオン注
入、熱的効果等のミキシング作用を受け、ＡｌＮセラミ
ックス材と金属層の元素が互いに連続的に混ざり合い、
ＡｌＮセラミックス材と金属層とを強固に繋ぐ界面ミキ
シング層を形成する。この界面ミキシング層の存在によ
りＡｌＮセラミックス材との密着性に優れた金属層を得
ることが出来る。また、照射する金属イオンはそれ自体
少なくとも１０ｋｅＶ以上の高エネルギーを有するた
め、室温程度のプロセス雰囲気温度下でもイオンミキシ
ング作用が充分に行われる。またイオンミキシング時に
はＣｕ、Ａｌ、Ｎｉの中から選択される１種類或いは２
種類以上の金属イオンを照射するため、これら照射され
る金属元素はＡｌＮセラミックス材の表面に蒸着するＣ
ｕ、ＮｉまたはＣｕ−Ｎｉ合金の金属層とＡｌＮセラミ
ック材の界面部分に残存、存在してもＴｉ等の活性金属
とは異なり、金属層の形成後の配線パターン作成時のエ
ッチング処理の際、１工程のみで金属層を容易にエッチ
ング除去することが出来る等の効果がある。
ス材の表面への金属層の形成を金属の蒸着と平行するか
たちで金属イオンを照射することにより、ＡｌＮセラミ
ックス材と金属との間の界面部分では蒸着金属、および
ＡｌＮセラミックス材の構成元素が照射された金属イオ
ンの照射衝撃により結合の切断、原子のノックオン注
入、熱的効果等のミキシング作用を受け、ＡｌＮセラミ
ックス材と金属層の元素が互いに連続的に混ざり合い、
ＡｌＮセラミックス材と金属層とを強固に繋ぐ界面ミキ
シング層を形成する。この界面ミキシング層の存在によ
りＡｌＮセラミックス材との密着性に優れた金属層を得
ることが出来る。また、照射する金属イオンはそれ自体
少なくとも１０ｋｅＶ以上の高エネルギーを有するた
め、室温程度のプロセス雰囲気温度下でもイオンミキシ
ング作用が充分に行われる。またイオンミキシング時に
はＣｕ、Ａｌ、Ｎｉの中から選択される１種類或いは２
種類以上の金属イオンを照射するため、これら照射され
る金属元素はＡｌＮセラミックス材の表面に蒸着するＣ
ｕ、ＮｉまたはＣｕ−Ｎｉ合金の金属層とＡｌＮセラミ
ック材の界面部分に残存、存在してもＴｉ等の活性金属
とは異なり、金属層の形成後の配線パターン作成時のエ
ッチング処理の際、１工程のみで金属層を容易にエッチ
ング除去することが出来る等の効果がある。
【００５７】また、ＡｌＮセラミックス材の表面に金属
イオンミキシング法で金属層を形成した後、該金属層を
下地層とし、その下地層の上に湿式メッキ法で金属層を
形成するときは、下地層となる金属層がイオンミキシン
グ作用によりＡｌＮセラミックス材の表面に強固に結合
しているため、ＡｌＮセラミックス材の表面に優れた密
着性を有する金属層を所望の厚さに極めて容易に形成す
ることが出来る効果がある。
イオンミキシング法で金属層を形成した後、該金属層を
下地層とし、その下地層の上に湿式メッキ法で金属層を
形成するときは、下地層となる金属層がイオンミキシン
グ作用によりＡｌＮセラミックス材の表面に強固に結合
しているため、ＡｌＮセラミックス材の表面に優れた密
着性を有する金属層を所望の厚さに極めて容易に形成す
ることが出来る効果がある。
【図１】 本発明のメタライズ方法を実施するための装
置の１例の概略説明図、
置の１例の概略説明図、
【図２】 本発明の実施例と比較例におけるＡｌＮセラ
ミックス材に対するＣｕ膜（金属層）の付着強度を示す
特性値図、
ミックス材に対するＣｕ膜（金属層）の付着強度を示す
特性値図、
【図３】 本発明の他の実施例と他の比較例におけるＡ
ｌＮセラミック材に対する金属層の付着強度を示す特性
値図、
ｌＮセラミック材に対する金属層の付着強度を示す特性
値図、
【図４】 本発明のメタライズ方法を実施するための多
処理室構成装置の１例の概略説明図。
処理室構成装置の１例の概略説明図。
１ 真空処理室、 ３ セラミックス基板、６
金属蒸発源、 ７ イオンビーム源、８ 蒸
発金属、 ９ 高速イオンビーム。
金属蒸発源、 ７ イオンビーム源、８ 蒸
発金属、 ９ 高速イオンビーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０５Ｋ 3/14 Ａ 7511−4Ｅ (72)発明者 渡辺 君達 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 金属イオンミキシング法によりＡｌＮセ
ラミックス材の表面に、Ｃｕ、Ｎｉのうち少なくとも１
種類の金属の蒸着と、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉのうち少なくと
も１種類の金属イオンの照射を同時に行って、該表面に
金属層を形成することを特徴とするＡｌＮセラミックス
材の表面へのメタライズ方法。 - 【請求項２】 金属イオンミキシング法によりＡｌＮセ
ラミックス材の表面に、Ｃｕ、Ｎｉのうち少なくとも１
種類の金属の蒸着と、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉのうち少なくと
も１種類の金属イオンの照射を同時に行って、該表面に
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｕ−Ｎｉのいずれかの金属層を形成した
後、該金属層上に湿式メッキ法によりＣｕ、Ｎｉのうち
から少なくとも１種類の金属層を形成することを特徴と
するＡｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7696393A JPH06293581A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | ＡｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7696393A JPH06293581A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | ＡｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293581A true JPH06293581A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13620449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7696393A Pending JPH06293581A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | ＡｌＮセラミックス材の表面へのメタライズ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06293581A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0815989A2 (de) * | 1996-07-06 | 1998-01-07 | Thyssen Guss Ag | Verfahren zur Herstellung von lokal keramikverstärkten, gegossenen Bremsscheiben aus Leichtmetallegierungen |
| CN105801179A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-07-27 | 深圳市环基实业有限公司 | 一种陶瓷基板直接金属化方法 |
| CN111312851A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-06-19 | 华南理工大学 | 一种AlN纳米线日盲区探测器的制备方法 |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP7696393A patent/JPH06293581A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0815989A2 (de) * | 1996-07-06 | 1998-01-07 | Thyssen Guss Ag | Verfahren zur Herstellung von lokal keramikverstärkten, gegossenen Bremsscheiben aus Leichtmetallegierungen |
| EP0815989A3 (de) * | 1996-07-06 | 2000-05-10 | SAB WABCO BSI Verkehrstechnik Products GmbH | Verfahren zur Herstellung von lokal keramikverstärkten, gegossenen Bremsscheiben aus Leichtmetallegierungen |
| CN105801179A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-07-27 | 深圳市环基实业有限公司 | 一种陶瓷基板直接金属化方法 |
| CN111312851A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-06-19 | 华南理工大学 | 一种AlN纳米线日盲区探测器的制备方法 |
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