JPS5928569A - 乾式メツキ法 - Google Patents
乾式メツキ法Info
- Publication number
- JPS5928569A JPS5928569A JP13874382A JP13874382A JPS5928569A JP S5928569 A JPS5928569 A JP S5928569A JP 13874382 A JP13874382 A JP 13874382A JP 13874382 A JP13874382 A JP 13874382A JP S5928569 A JPS5928569 A JP S5928569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- ion
- thin layer
- plating method
- dry plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は乾式メッキ法に係シ、金属、セラミックまた
は有機物の表面に気相下でアルミニウムを薄層コーティ
ングするイオンブレーティング法の改良に関するもので
あって、金属、セラミック、有機物の表面に気相下でア
ルミニウムをイオングレーティング法、真空蒸着法の連
続的２段コーティングを行うことを特徴とする乾式メッ
キ方法である。
は有機物の表面に気相下でアルミニウムを薄層コーティ
ングするイオンブレーティング法の改良に関するもので
あって、金属、セラミック、有機物の表面に気相下でア
ルミニウムをイオングレーティング法、真空蒸着法の連
続的２段コーティングを行うことを特徴とする乾式メッ
キ方法である。
金属とアルミニウムの接着は接合界面の活性化が十分で
ないと不可能であシ、蒸着法にて金属上にアルミニウム
をコーティングしても基板との密着性が不足する。この
、ようにアルミニウムの如き良好な密着性を得ることが
困難な物質のコーティング方法としてイオンブレーティ
ング法は極めて有効な方法であるが、このイオンブレー
ティング法のみで厚付けした場合、イオン化粒子の析出
により、結晶粒子が微細化し、硬い膜となってしまい、
この硬さが大きな欠点となって超音波ワイヤーポンディ
ングにおいては、工Ｃチップ上の電極形成や、ＩＣリー
ドフレームのポンディング部のコ−ティングとして使用
する場合などには、この硬さが大きな欠点となって超音
波ワイヤーボンディングにおいては、高パワーが必要と
なり、種々の問題点が発生していた。
ないと不可能であシ、蒸着法にて金属上にアルミニウム
をコーティングしても基板との密着性が不足する。この
、ようにアルミニウムの如き良好な密着性を得ることが
困難な物質のコーティング方法としてイオンブレーティ
ング法は極めて有効な方法であるが、このイオンブレー
ティング法のみで厚付けした場合、イオン化粒子の析出
により、結晶粒子が微細化し、硬い膜となってしまい、
この硬さが大きな欠点となって超音波ワイヤーポンディ
ングにおいては、工Ｃチップ上の電極形成や、ＩＣリー
ドフレームのポンディング部のコ−ティングとして使用
する場合などには、この硬さが大きな欠点となって超音
波ワイヤーボンディングにおいては、高パワーが必要と
なり、種々の問題点が発生していた。
この発明はかかる欠点や問題点を解消し、容易に超音波
ワイヤーボンディングが出来、かつ基板との密着ゞ性が
良好なＡＩ！金属薄膜を乾式メッキにて得る方法を提供
せんとするものである。
ワイヤーボンディングが出来、かつ基板との密着ゞ性が
良好なＡＩ！金属薄膜を乾式メッキにて得る方法を提供
せんとするものである。
即ちこの発明は金属、セラミック、有機物などの表面に
アルミニウム薄膜層を得るに際し、まず気相下でイオン
ブレーティング法にて０．１〜１．０ｐｍの薄層を形成
せしめたのち、イオン化をやめ、引続き真空蒸着法にて
コーティングするものである。
アルミニウム薄膜層を得るに際し、まず気相下でイオン
ブレーティング法にて０．１〜１．０ｐｍの薄層を形成
せしめたのち、イオン化をやめ、引続き真空蒸着法にて
コーティングするものである。
この発明の方法を具体的に説明すると、厚さ０．２５−
の４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）テープ上に高純度ア
ルミニウムを用い、電子ビーム加熱によりアルミニウム
の蒸着を行った。
の４２アロイ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）テープ上に高純度ア
ルミニウムを用い、電子ビーム加熱によりアルミニウム
の蒸着を行った。
この時蒸着当初はＡｒ圧４Ｘ１０ Ｔｏｒｒ にて高
周波（１８，５６ＭＨｚ）１００Ｗを印加ｔ、−ｃ蒸発
物質の一部をイオン化して０．５μｍの成膜を行った。
周波（１８，５６ＭＨｚ）１００Ｗを印加ｔ、−ｃ蒸発
物質の一部をイオン化して０．５μｍの成膜を行った。
その後高周波のパワーを切り、Ａｒを止め２Ｘ１０−’
’ｒｏｒｒの真空度にて通常の真空蒸着で引続き２，５
μｍの成膜を行った。
’ｒｏｒｒの真空度にて通常の真空蒸着で引続き２，５
μｍの成膜を行った。
得られた４２アロイテープ上のＡｌのコーテイング膜は
、３．０μｍの厚み全部をイオンブレーティングで得だ
ものに比べて軟質の膜となり、その膜へのＡＪの超音波
ワイヤーボンディングが図面に示すように低パワーで可
能となり、イオンデレーティング品に比べて明らかにポ
ンディング特性の向上が認められた。
、３．０μｍの厚み全部をイオンブレーティングで得だ
ものに比べて軟質の膜となり、その膜へのＡＪの超音波
ワイヤーボンディングが図面に示すように低パワーで可
能となり、イオンデレーティング品に比べて明らかにポ
ンディング特性の向上が認められた。
また、このコーティングは基板の加熱を行なわずに実施
したが、５００℃×５分の加熱テストや９０度折曲げテ
ストなどの密着性評価でも極めて良好なＡＩ！と基板と
の密着性を有し、イオンブレーティングの特徴を発揮し
たコーティングが可能であることが認められた。
したが、５００℃×５分の加熱テストや９０度折曲げテ
ストなどの密着性評価でも極めて良好なＡＩ！と基板と
の密着性を有し、イオンブレーティングの特徴を発揮し
たコーティングが可能であることが認められた。
この発明において、第１ステツプのアルミニウムイオン
プレーティングの膜厚を０．１〜１．０ Ｐｍと規定し
たのは、それ以下では密着性の面でイオンブレーティン
グを用いる効果がなく、また１、０Ｐｍ以上では硬い膜
の生成が進み、軟質コーティング層への影響を及ぼすか
らである。
プレーティングの膜厚を０．１〜１．０ Ｐｍと規定し
たのは、それ以下では密着性の面でイオンブレーティン
グを用いる効果がなく、また１、０Ｐｍ以上では硬い膜
の生成が進み、軟質コーティング層への影響を及ぼすか
らである。
また蒸発粒子のイオン化方法としては、従来広く用いら
れている電子ビーム照射法、高周波励起法、直流電界法
のどの方法によっても可能で、併用することも可能であ
る。
れている電子ビーム照射法、高周波励起法、直流電界法
のどの方法によっても可能で、併用することも可能であ
る。
上記のようにこの発明は当初はイオンブレーティングの
特色を生かしたコーティングで、そのイオンボンバード
による基板のクリーニング効果、イオン化粒子という活
性な蒸着粒子の存在により密着性良好なコーティングが
可能であシ、その後は通常の真空蒸着を行うだめ、軟質
のコーティングが可能となるのである。
特色を生かしたコーティングで、そのイオンボンバード
による基板のクリーニング効果、イオン化粒子という活
性な蒸着粒子の存在により密着性良好なコーティングが
可能であシ、その後は通常の真空蒸着を行うだめ、軟質
のコーティングが可能となるのである。
また超音波ワイヤーボンディングが容易に行え、イオン
ブレーティングの孕に比べて析出スピードが大きくとれ
、特性向上のみならず、生産性の向上にも大きく寄与す
るのである。
ブレーティングの孕に比べて析出スピードが大きくとれ
、特性向上のみならず、生産性の向上にも大きく寄与す
るのである。
この発明の方法は、工Ｃ用リードフレームのワイヤーボ
ンディング部分の材料としてＡ／をコーティングする方
法などに利用することができる。
ンディング部分の材料としてＡ／をコーティングする方
法などに利用することができる。
図面はこの発明の方法によるＡ／膜厚とイオンブレーテ
ィング法によるＡＪ膜厚の超音波パワーとの関係を示す
図表である。 特Ｗ「出願人 住友電気工業株式会社代 理 人
弁理士 和 ｒ：ｉｌ ｌｊ（Ａｆ ｆＵ＠厘
（λｍ）→
ィング法によるＡＪ膜厚の超音波パワーとの関係を示す
図表である。 特Ｗ「出願人 住友電気工業株式会社代 理 人
弁理士 和 ｒ：ｉｌ ｌｊ（Ａｆ ｆＵ＠厘
（λｍ）→
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）金属、セラミックまたは有機物の表面に気相下で
アルミニウムを薄層コーティングするに当シ、まず該セ
ラミックをイオンブレーティング法にてコーティングし
たのちイオン化を中断し、次いで連続的に真空蒸着法に
てコーティングすることを特徴とする乾式メッキ法。 （２） イオンブレーティング法によるコーティング
薄層が０．１〜１．０ ｐｍ厚で−あることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の乾式メッキ法。 （８） イオンブレーティング法におけるイオン化が
電子ビーム照射法、直流電界法または高周波励起法で行
れることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の乾式
メッキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13874382A JPS5928569A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 乾式メツキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13874382A JPS5928569A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 乾式メツキ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928569A true JPS5928569A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15229132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13874382A Pending JPS5928569A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 乾式メツキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928569A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60159166A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Hitachi Cable Ltd | Ａｌ蒸着膜の製造法 |
| JPS6113653A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体リ−ドフレ−ムの金属部分被覆法 |
| JPS61238957A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光学薄膜作成方法 |
| JPS6299458A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 二層めつき鋼板の製造方法 |
| EP0234901A2 (en) * | 1986-02-24 | 1987-09-02 | Conoco Phillips Company | Improved method for applying protective coatings |
| US5166117A (en) * | 1990-09-14 | 1992-11-24 | Terumo Kabushiki Kaisha | Polymerization initiator composition controlling polymerization at interface and curable composition containing same |
| EP1849885A1 (de) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Metallisierung mittels dünner, mit Plasmaunterstützung abgeschiedener Impfschicht |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP13874382A patent/JPS5928569A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60159166A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Hitachi Cable Ltd | Ａｌ蒸着膜の製造法 |
| JPS6113653A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体リ−ドフレ−ムの金属部分被覆法 |
| JPS61238957A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光学薄膜作成方法 |
| JPH048507B2 (ja) * | 1985-04-17 | 1992-02-17 | ||
| JPS6299458A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 二層めつき鋼板の製造方法 |
| EP0234901A2 (en) * | 1986-02-24 | 1987-09-02 | Conoco Phillips Company | Improved method for applying protective coatings |
| US5166117A (en) * | 1990-09-14 | 1992-11-24 | Terumo Kabushiki Kaisha | Polymerization initiator composition controlling polymerization at interface and curable composition containing same |
| EP1849885A1 (de) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Metallisierung mittels dünner, mit Plasmaunterstützung abgeschiedener Impfschicht |
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