JPH10251245A - 光学活性ピラン誘導体 - Google Patents
光学活性ピラン誘導体Info
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- JPH10251245A JPH10251245A JP5479297A JP5479297A JPH10251245A JP H10251245 A JPH10251245 A JP H10251245A JP 5479297 A JP5479297 A JP 5479297A JP 5479297 A JP5479297 A JP 5479297A JP H10251245 A JPH10251245 A JP H10251245A
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- optically active
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- carbon atoms
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 様々な化学薬品，工業薬品，強誘電性液晶な
どの原料として有用な光学活性ピラン誘導体を提供する
ことである。 【解決手段】 一般式（Ｉ）又は（Ｉ') 【化１】 〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を
示し、Ｒ1 及びＲ4 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜
１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，炭素数６〜１０
のアリール基等を示し、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に
水素等を示し、ｎは０又は１を示し、＊は不斉炭素を示
す。〕で表される光学活性ピラン誘導体。
どの原料として有用な光学活性ピラン誘導体を提供する
ことである。 【解決手段】 一般式（Ｉ）又は（Ｉ') 【化１】 〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を
示し、Ｒ1 及びＲ4 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜
１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，炭素数６〜１０
のアリール基等を示し、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に
水素等を示し、ｎは０又は１を示し、＊は不斉炭素を示
す。〕で表される光学活性ピラン誘導体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学活性ピラン誘
導体に関し、詳しくは、様々な化学薬品，工業薬品，強
誘電性液晶などの原料として有用な光学活性ジヒドロピ
ラン誘導体又は光学活性テトラヒドロピラン誘導体に関
する。
導体に関し、詳しくは、様々な化学薬品，工業薬品，強
誘電性液晶などの原料として有用な光学活性ジヒドロピ
ラン誘導体又は光学活性テトラヒドロピラン誘導体に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
液晶の利用が増大するとともに新しい構造を有する液晶
の開発が求められている。これまでに、これら液晶とし
て利用できる様々な光学活性な含フッ素化合物が開発さ
れてきている（特開昭６４−８３０７４号公報，特開平
１−１６３１４３号公報，同１−２３３２４３号公報，
同１−２３３２４４号公報，同２−４９７４３号公報，
同２−１６７２５２号公報，同２−２３２２０８号公
報，同２−２３２２０９号公報等）。このような状況下
で本発明者は、さらに新たなタイプの液晶として有望で
あり、新規な光学活性化合物を開発することを目的とし
て鋭意研究を重ねた。
液晶の利用が増大するとともに新しい構造を有する液晶
の開発が求められている。これまでに、これら液晶とし
て利用できる様々な光学活性な含フッ素化合物が開発さ
れてきている（特開昭６４−８３０７４号公報，特開平
１−１６３１４３号公報，同１−２３３２４３号公報，
同１−２３３２４４号公報，同２−４９７４３号公報，
同２−１６７２５２号公報，同２−２３２２０８号公
報，同２−２３２２０９号公報等）。このような状況下
で本発明者は、さらに新たなタイプの液晶として有望で
あり、新規な光学活性化合物を開発することを目的とし
て鋭意研究を重ねた。
【０００３】
【課題を解決するための手段】その結果、ジヒドロピラ
ン環上の不斉炭素原子にそれ自体大きな電子吸引性を有
するフルオロアルキル基を有する新規化合物、および、
テトラヒドロピラン環上の不斉炭素原子にそれ自体大き
な電子吸引性を有するフルオロアルキル基を有する新規
化合物、が上記目的に適うものであることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）
ン環上の不斉炭素原子にそれ自体大きな電子吸引性を有
するフルオロアルキル基を有する新規化合物、および、
テトラヒドロピラン環上の不斉炭素原子にそれ自体大き
な電子吸引性を有するフルオロアルキル基を有する新規
化合物、が上記目的に適うものであることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）
【０００４】
【化２】
【０００５】〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロ
アルキル基を示し、Ｒ1 及びＲ4 はそれぞれ独立に水
素，炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，
炭素数２〜１５のアルケニル基，炭素数６〜１０のアリ
ール基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示し、Ｒ2
及びＲ3 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜１５の直鎖
若しくは分岐鎖アルキル基，炭素数２〜１５のアルケニ
ル基，シアノ基又はハロゲンを示し、ｎは０又は１を示
し、＊は不斉炭素を示す。〕で表される光学活性ジヒド
ロピラン誘導体、又は下記一般式（Ｉ')
アルキル基を示し、Ｒ1 及びＲ4 はそれぞれ独立に水
素，炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，
炭素数２〜１５のアルケニル基，炭素数６〜１０のアリ
ール基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示し、Ｒ2
及びＲ3 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜１５の直鎖
若しくは分岐鎖アルキル基，炭素数２〜１５のアルケニ
ル基，シアノ基又はハロゲンを示し、ｎは０又は１を示
し、＊は不斉炭素を示す。〕で表される光学活性ジヒド
ロピラン誘導体、又は下記一般式（Ｉ')
【０００６】
【化３】
【０００７】〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，
ｎ及び＊は上記と同じである。〕で表される光学活性テ
トラヒドロピラン誘導体を提供するものである。以下、
本発明についてさらに詳細に説明する。
ｎ及び＊は上記と同じである。〕で表される光学活性テ
トラヒドロピラン誘導体を提供するものである。以下、
本発明についてさらに詳細に説明する。
【０００８】
【発明の実施の形態】先ず、光学活性ジヒドロピラン誘
導体について説明すると、本発明の光学活性ジヒドロピ
ラン誘導体は、下記一般式（Ｉ）
導体について説明すると、本発明の光学活性ジヒドロピ
ラン誘導体は、下記一般式（Ｉ）
【０００９】
【化４】 で表される。上記一般式（Ｉ）において、Ｒｆは炭素数
１又は２のフルオロアルキル基を示し、具体的にはトリ
フルオロメチル基，ジフルオロメチル基，クロロジフル
オロメチル基，ペンタフルオロエチル基などであり、好
ましくはトリフルオロメチル基である。
１又は２のフルオロアルキル基を示し、具体的にはトリ
フルオロメチル基，ジフルオロメチル基，クロロジフル
オロメチル基，ペンタフルオロエチル基などであり、好
ましくはトリフルオロメチル基である。
【００１０】Ｒ1 及びＲ4 はそれぞれ独立に水素原子，
炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，炭素
数２〜１５のアルケニル基，炭素数６〜１０のアリール
基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示す。ここで、
炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基として
は、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソ
プロピル基，ｎ−ブチル基，sec −ブチル基，tert−ブ
チル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチル基，１−メチル
ブチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル基，１−メチ
ルヘプチル基，ｎ−オクチル基，１−エチルヘプチル
基，１−メチルオクチル基，ｎ−ノニル基，１−エチル
オクチル基，１−メチルノニル基，ｎ−デシル基，ｎ−
ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，ｎ
−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基などが挙げられ
る。
炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，炭素
数２〜１５のアルケニル基，炭素数６〜１０のアリール
基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示す。ここで、
炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基として
は、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソ
プロピル基，ｎ−ブチル基，sec −ブチル基，tert−ブ
チル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチル基，１−メチル
ブチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル基，１−メチ
ルヘプチル基，ｎ−オクチル基，１−エチルヘプチル
基，１−メチルオクチル基，ｎ−ノニル基，１−エチル
オクチル基，１−メチルノニル基，ｎ−デシル基，ｎ−
ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，ｎ
−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基などが挙げられ
る。
【００１１】炭素数２〜１５のアルケニル基としては、
例えばビニル基，アリル基，１−プロペニル基，イソプ
ロペニル基，１−ブテニル基，２−ブテニル基，２−メ
チルアリル基，１−ペンテニル基，１−ヘキセニル基，
１−ヘプテニル基，１−オクテニル基，２−オクテニル
基，１−ノネニル基，２−ノネニル基，１−デセニル
基，２−デセニル基，１−ウンデセニル基，２−ウンデ
セニル基，１−ドデセニル基，２−ドデセニル基，１−
トリデセニル基，２−トリデセニル基，１−テトラデセ
ニル基，２−テトラデセニル基，１−ペンタデセニル
基，２−ペンタデセニル基などが挙げられる。炭素数６
〜１０のアリール基としては、例えばフェニル基，トリ
ル基，キシリル基，クメニル基，メシチル基などが挙げ
られる。炭素数７〜１０のアラルキル基としては、例え
ばベンジル基，フェネチル基，フェニルプロピル基，フ
ェニルブチル基などが挙げられる。
例えばビニル基，アリル基，１−プロペニル基，イソプ
ロペニル基，１−ブテニル基，２−ブテニル基，２−メ
チルアリル基，１−ペンテニル基，１−ヘキセニル基，
１−ヘプテニル基，１−オクテニル基，２−オクテニル
基，１−ノネニル基，２−ノネニル基，１−デセニル
基，２−デセニル基，１−ウンデセニル基，２−ウンデ
セニル基，１−ドデセニル基，２−ドデセニル基，１−
トリデセニル基，２−トリデセニル基，１−テトラデセ
ニル基，２−テトラデセニル基，１−ペンタデセニル
基，２−ペンタデセニル基などが挙げられる。炭素数６
〜１０のアリール基としては、例えばフェニル基，トリ
ル基，キシリル基，クメニル基，メシチル基などが挙げ
られる。炭素数７〜１０のアラルキル基としては、例え
ばベンジル基，フェネチル基，フェニルプロピル基，フ
ェニルブチル基などが挙げられる。
【００１２】また、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に水
素，炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，
炭素数２〜１５のアルケニル基，シアノ基（−ＣＮ）又
はハロゲンを示す。ここで、炭素数１〜１５の直鎖若し
くは分岐鎖アルキル基，又は炭素数２〜１５のアルケニ
ル基としては、上記Ｒ1 及びＲ4 で例示された置換基と
同様なものが挙げられる。また、ハロゲンとしては、フ
ッ素，塩素，臭素，ヨウ素などが挙げられる。
素，炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，
炭素数２〜１５のアルケニル基，シアノ基（−ＣＮ）又
はハロゲンを示す。ここで、炭素数１〜１５の直鎖若し
くは分岐鎖アルキル基，又は炭素数２〜１５のアルケニ
ル基としては、上記Ｒ1 及びＲ4 で例示された置換基と
同様なものが挙げられる。また、ハロゲンとしては、フ
ッ素，塩素，臭素，ヨウ素などが挙げられる。
【００１３】本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、様
々な方法で製造することができるが、例えば以下の工程
により製造することができる。下記一般式（II)
々な方法で製造することができるが、例えば以下の工程
により製造することができる。下記一般式（II)
【００１４】
【化５】
【００１５】〔式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4及びｎは前記
と同じである。〕で表されるジエン化合物と、トリフル
オロアセトアルデヒドあるいはペンタフルオロプロピオ
ンアルデヒド等とを反応させることにより、目的の化合
物である光学活性ジヒドロピラン誘導体が得られる。こ
の反応は、光学活性ビナフトール−チタン錯体を触媒と
して用い、ジクロロメタン，クロロホルム，四塩化炭
素，ベンゼン，トルエン，キシレン，テトラヒドロフラ
ン，ジエチルエーテル，ジオキサン又は酢酸エチル等の
溶媒中で、好ましくは−３０℃〜１０℃の温度、より好
ましくは−１０〜５℃の温度で行う。例えば、 （１）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝Ｈ（水素），ｎ＝１
の場合：
と同じである。〕で表されるジエン化合物と、トリフル
オロアセトアルデヒドあるいはペンタフルオロプロピオ
ンアルデヒド等とを反応させることにより、目的の化合
物である光学活性ジヒドロピラン誘導体が得られる。こ
の反応は、光学活性ビナフトール−チタン錯体を触媒と
して用い、ジクロロメタン，クロロホルム，四塩化炭
素，ベンゼン，トルエン，キシレン，テトラヒドロフラ
ン，ジエチルエーテル，ジオキサン又は酢酸エチル等の
溶媒中で、好ましくは−３０℃〜１０℃の温度、より好
ましくは−１０〜５℃の温度で行う。例えば、 （１）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝Ｈ（水素），ｎ＝１
の場合：
【００１６】
【化６】
【００１７】〔式中、Ｒ1 及びＲ4 は前記と同じであ
る。〕で表されるジエン化合物と、トリフルオロアセト
アルデヒドとを反応させることにより、目的の化合物で
ある光学活性ジヒドロピラン誘導体が得られる。この反
応は、光学活性ピナフトール−チタン錯体を触媒として
用い、ジクロロメタン，トルエンなどの溶媒中で、−３
０℃〜１０℃の温度にて行うことができる。 （２）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝Ｈ（水素），ｎ＝０
の場合：
る。〕で表されるジエン化合物と、トリフルオロアセト
アルデヒドとを反応させることにより、目的の化合物で
ある光学活性ジヒドロピラン誘導体が得られる。この反
応は、光学活性ピナフトール−チタン錯体を触媒として
用い、ジクロロメタン，トルエンなどの溶媒中で、−３
０℃〜１０℃の温度にて行うことができる。 （２）Ｒｆ＝ＣＦ3 ，Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝Ｈ（水素），ｎ＝０
の場合：
【００１８】
【化７】
【００１９】〔式中、Ｒ1 及びＲ4 は前記と同じであ
る。〕で表されるジエン化合物と、トリフルオロアセト
アルデヒドとを反応させることにより、目的の化合物で
ある光学活性ジヒドロピラン誘導体が得られる。この反
応は、光学活性ピナフトール−チタン錯体を触媒として
用い、ジクロロメタン，トルエンなどの溶媒中で、−３
０℃〜１０℃の温度にて行うことができる。以上のよう
にして得られる本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物
の代表的な具体例としては、例えば
る。〕で表されるジエン化合物と、トリフルオロアセト
アルデヒドとを反応させることにより、目的の化合物で
ある光学活性ジヒドロピラン誘導体が得られる。この反
応は、光学活性ピナフトール−チタン錯体を触媒として
用い、ジクロロメタン，トルエンなどの溶媒中で、−３
０℃〜１０℃の温度にて行うことができる。以上のよう
にして得られる本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物
の代表的な具体例としては、例えば
【００２０】
【化８】
【００２１】
【化９】
【００２２】
【化１０】
【００２３】
【化１１】
【００２４】
【化１２】 などが挙げられる。また、 （３）Ｒ2 又はＲ3 のいずれか一方あるいは両方が水素
以外の置換基（炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖ア
ルキル基，シアノ基又はハロゲン等）であり、且つ、ｎ
＝１の場合の例としては、
以外の置換基（炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖ア
ルキル基，シアノ基又はハロゲン等）であり、且つ、ｎ
＝１の場合の例としては、
【００２５】
【化１３】 〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じであ
る。〕などが挙げられ、 （４）Ｒ2 又はＲ3 のいずれか一方あるいは両方が水素
以外の置換基であり、且つ、ｎ＝０の場合の例として
は、
る。〕などが挙げられ、 （４）Ｒ2 又はＲ3 のいずれか一方あるいは両方が水素
以外の置換基であり、且つ、ｎ＝０の場合の例として
は、
【００２６】
【化１４】 〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じであ
る。〕などが挙げられる。
る。〕などが挙げられる。
【００２７】次に、光学活性テトラヒドロピラン誘導体
について説明すると、本発明の光学活性テトラヒドロピ
ラン誘導体は、下記一般式（Ｉ')
について説明すると、本発明の光学活性テトラヒドロピ
ラン誘導体は、下記一般式（Ｉ')
【化１５】
【００２８】で表される。上記一般式（Ｉ')において、
式中のＲｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4，ｎ及び＊は、前
記一般式（Ｉ）の場合と同じである。このような本発明
による一般式（Ｉ')の化合物については、様々な方法で
製造することができるが、例えば以下の工程により製造
することができる。上記一般式（Ｉ) で表される光学活
性ジヒドロピラン誘導体について、ピラン環の２重結合
を、常法により水素化（Ｈ2添加）することにより、一
般式（Ｉ')の光学活性テトラヒドロピラン誘導体を製造
することができる。水素化では、上記一般式（Ｉ) の化
合物に、パラジウム，白金，ニッケルなどの触媒の存在
下、水素ガス（Ｈ2）を反応させて行うことができる。
以上のようにして得られる本発明の一般式（Ｉ')で表さ
れる化合物の代表的な具体例としては、例えば
式中のＲｆ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4，ｎ及び＊は、前
記一般式（Ｉ）の場合と同じである。このような本発明
による一般式（Ｉ')の化合物については、様々な方法で
製造することができるが、例えば以下の工程により製造
することができる。上記一般式（Ｉ) で表される光学活
性ジヒドロピラン誘導体について、ピラン環の２重結合
を、常法により水素化（Ｈ2添加）することにより、一
般式（Ｉ')の光学活性テトラヒドロピラン誘導体を製造
することができる。水素化では、上記一般式（Ｉ) の化
合物に、パラジウム，白金，ニッケルなどの触媒の存在
下、水素ガス（Ｈ2）を反応させて行うことができる。
以上のようにして得られる本発明の一般式（Ｉ')で表さ
れる化合物の代表的な具体例としては、例えば
【００２９】
【化１６】
【００３０】
【化１７】
【００３１】
【化１８】
【００３２】
【化１９】
【００３３】
【化２０】 などが挙げられる。また、Ｒ2 又はＲ3 のいずれか一方
あるいは両方が水素以外の置換基（炭素数１〜１５の直
鎖若しくは分岐鎖アルキル基，シアノ基又はハロゲン）
であり、且つ、ｎ＝１の場合の例としては、
あるいは両方が水素以外の置換基（炭素数１〜１５の直
鎖若しくは分岐鎖アルキル基，シアノ基又はハロゲン）
であり、且つ、ｎ＝１の場合の例としては、
【００３４】
【化２１】 〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じであ
る。〕などが挙げられ、Ｒ2 又はＲ3 のいずれか一方あ
るいは両方が水素以外の置換基であり、且つ、ｎ＝０の
場合の例としては、
る。〕などが挙げられ、Ｒ2 又はＲ3 のいずれか一方あ
るいは両方が水素以外の置換基であり、且つ、ｎ＝０の
場合の例としては、
【００３５】
【化２２】 〔式中、Ｒｆ，Ｒ1 ，Ｒ4 及び＊は前記と同じであ
る。〕などが挙げられる。
る。〕などが挙げられる。
【００３６】
【実施例】次に実施例に基づいて本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定される
ものではない。
に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定される
ものではない。
【００３７】参考例１ （Ｒ）−ビナフトール−チタン錯体の調製
【化２３】
【００３８】アルゴン雰囲気下、（Ｒ）−（＋）−１，
１' −ビ−２−ナフトール 0.８６ｇ（3.０ミリモル）
をジクロロメタン９０ミリリットルに溶解し、モレキュ
ラーシーブ４Ａ １5.０ｇを加えた。室温で２０分間攪
拌した後、ジイソプロポキシチタンジクロライド 0.７
１ｇ（3.０ミリモル）を加え、室温で３時間攪拌した。
モレキュラーシーブ４Ａを遠心分離で除去し、溶媒を減
圧留去した。さらにペンタン５０ミリリットルを加え２
０分間攪拌した後、溶液を除去し減圧乾燥して、上記
（Ｒ）−ビナフトール−チタン錯体を９５％の収率で得
た。
１' −ビ−２−ナフトール 0.８６ｇ（3.０ミリモル）
をジクロロメタン９０ミリリットルに溶解し、モレキュ
ラーシーブ４Ａ １5.０ｇを加えた。室温で２０分間攪
拌した後、ジイソプロポキシチタンジクロライド 0.７
１ｇ（3.０ミリモル）を加え、室温で３時間攪拌した。
モレキュラーシーブ４Ａを遠心分離で除去し、溶媒を減
圧留去した。さらにペンタン５０ミリリットルを加え２
０分間攪拌した後、溶液を除去し減圧乾燥して、上記
（Ｒ）−ビナフトール−チタン錯体を９５％の収率で得
た。
【００３９】実施例１ （６Ｒ）−６−トリフルオロメチル−５，６−ジヒドロ
−２−フェノキシ−２Ｈ−ピランの合成
−２−フェノキシ−２Ｈ−ピランの合成
【化２４】
【００４０】ジクロロメタン５ミリリットルに、参考例
１で調製した（Ｒ）−ビナフトール−チタン錯体 0.０
４ｇを溶解し、１−フェノキシブタ−１，３−ジエン
（Ｅ体：Ｚ体＝１：１） 0.１５ｇ（1.０ミリモル）と
過剰のトリフルオロアセトアルデヒドを０℃ですばやく
加えた。０℃で３０分間攪拌した後、トリエチルアミン
１ミリリットルを溶解したヘキサン１０ミリリットルを
加え反応を停止した。反応物をセライトろ過した後、ろ
液を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
で精製して目的とする（６Ｒ）−６−トリフルオロメチ
ル−５，６−ジヒドロ−２−フェノキシ−２Ｈ−ピラン
を６２％の収率で得た（シス体：トランス体＝７５：２
５）。得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
１で調製した（Ｒ）−ビナフトール−チタン錯体 0.０
４ｇを溶解し、１−フェノキシブタ−１，３−ジエン
（Ｅ体：Ｚ体＝１：１） 0.１５ｇ（1.０ミリモル）と
過剰のトリフルオロアセトアルデヒドを０℃ですばやく
加えた。０℃で３０分間攪拌した後、トリエチルアミン
１ミリリットルを溶解したヘキサン１０ミリリットルを
加え反応を停止した。反応物をセライトろ過した後、ろ
液を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
で精製して目的とする（６Ｒ）−６−トリフルオロメチ
ル−５，６−ジヒドロ−２−フェノキシ−２Ｈ−ピラン
を６２％の収率で得た（シス体：トランス体＝７５：２
５）。得られた化合物の物理的性質を以下に示す。
【００４１】 シス体 分子式；Ｃ12Ｈ11Ｆ3Ｏ2 1 Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 2.２０ （ｍ，１Ｈ） 2.４３ （ｍ，１Ｈ） 4.２１ （ｍ，１Ｈ） 5.７５ （ｓ，１Ｈ） 5.８２ （ｄ，Ｊ＝１0.２Ｈｚ，１Ｈ） 6.０５ （ｍ，１Ｈ） 6.９４〜7.０７（ｍ，３Ｈ） 7.１８〜7.２５（ｍ，２Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） ２3.１，７0.３（ｑ，Ｊ＝３2.８Ｈｚ），９5.６，１１
7.０，１２2.７，１２6.４，１２7.３，１２9.５，１４
3.６． ＩＲ（ｃｍ-1）（シス体，トランス体の混合物） ２９２０，１５９１，１４９５，１２８２，１２２８，
１１７４，１１４５，１１０６，１０６７，７５６，６
９２ トランス体 分子式；Ｃ12Ｈ11Ｆ3Ｏ2 1 Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 2.２４ （ｄｔ，Ｊ＝１7.７，4.２Ｈｚ，１Ｈ） 2.４３ （ｍ，１Ｈ） 4.４６ （ｄｄｑ，Ｊ＝4.２，１2.０，6.３Ｈ
ｚ，１Ｈ） 5.７２ （ｓ，１Ｈ） 5.９６ （ｄ，Ｊ＝１0.２Ｈｚ，１Ｈ） 6.１６ （ｍ，１Ｈ） 7.０３〜7.１５（ｍ，３Ｈ） 7.２８〜7.３６（ｍ，２Ｈ）
7.０，１２2.７，１２6.４，１２7.３，１２9.５，１４
3.６． ＩＲ（ｃｍ-1）（シス体，トランス体の混合物） ２９２０，１５９１，１４９５，１２８２，１２２８，
１１７４，１１４５，１１０６，１０６７，７５６，６
９２ トランス体 分子式；Ｃ12Ｈ11Ｆ3Ｏ2 1 Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 2.２４ （ｄｔ，Ｊ＝１7.７，4.２Ｈｚ，１Ｈ） 2.４３ （ｍ，１Ｈ） 4.４６ （ｄｄｑ，Ｊ＝4.２，１2.０，6.３Ｈ
ｚ，１Ｈ） 5.７２ （ｓ，１Ｈ） 5.９６ （ｄ，Ｊ＝１0.２Ｈｚ，１Ｈ） 6.１６ （ｍ，１Ｈ） 7.０３〜7.１５（ｍ，３Ｈ） 7.２８〜7.３６（ｍ，２Ｈ）
【００４２】実施例２ （６Ｒ）−２−アセトキシ−６−トリフルオロメチル−
５，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピランの合成
５，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピランの合成
【化２５】
【００４３】ジクロロメタン５ミリリットルに参考例で
調製した（Ｒ）−ビナフトール−チタン錯体 0.０４ｇ
を溶解し、（Ｅ）−アセトキシブタ−１，３−ジエン
0.０６ｇ（0.５ミリモル）と過剰のトリフルオロアセト
アルデヒドを０℃ですばやく加えた。０℃で３０分間攪
拌した後、トリエチルアミン１ミリリットルを溶解した
ヘキサン１０ミリリットルを加え反応を停止した。反応
物をセライトろ過した後、ろ液を減圧留去し、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製して目的とする（６
Ｒ）−アセトキシ−６−トリフルオロメチル−５，６−
ジヒドロ−２Ｈ−ピランを５％の収率で得た。得られた
化合物の物理的性質を以下に示す。
調製した（Ｒ）−ビナフトール−チタン錯体 0.０４ｇ
を溶解し、（Ｅ）−アセトキシブタ−１，３−ジエン
0.０６ｇ（0.５ミリモル）と過剰のトリフルオロアセト
アルデヒドを０℃ですばやく加えた。０℃で３０分間攪
拌した後、トリエチルアミン１ミリリットルを溶解した
ヘキサン１０ミリリットルを加え反応を停止した。反応
物をセライトろ過した後、ろ液を減圧留去し、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製して目的とする（６
Ｒ）−アセトキシ−６−トリフルオロメチル−５，６−
ジヒドロ−２Ｈ−ピランを５％の収率で得た。得られた
化合物の物理的性質を以下に示す。
【００４４】分子式；Ｃ8Ｈ9Ｆ3Ｏ3 1 Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 2.１０ （ｓ，３Ｈ） 2.１０〜2.２６（ｍ，１Ｈ） 2.３４〜2.４６（ｍ，１Ｈ） 4.２９ （ｍ，１Ｈ） 5.８１ （ｍ，１Ｈ） 6.１５ （ｍ，１Ｈ） 6.３７ （ｓ，１Ｈ）13 Ｃ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） ２1.２，２9.８，６7.３（ｑ，Ｊ＝３2.７Ｈｚ） １０0.３，１２3.９，１２7.６，１６9.５． ＩＲ（ｃｍ-1） ２９２６，１７３４，１４６４，１２６３，１１７８，
１１２２，１０３３，８０１
１１２２，１０３３，８０１
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、ピラン環上の不斉炭素
原子に、それ自体大きな電子吸引性を持つフルオロアル
キル基を有する新規化合物が得られる。このような本発
明の光学活性な含フッ素化合物は、酵素阻害剤，生物活
性物質，抗癌剤及び液晶材料（強誘電性液晶材料等）な
どの原料として広範な利用が期待される。
原子に、それ自体大きな電子吸引性を持つフルオロアル
キル基を有する新規化合物が得られる。このような本発
明の光学活性な含フッ素化合物は、酵素阻害剤，生物活
性物質，抗癌剤及び液晶材料（強誘電性液晶材料等）な
どの原料として広範な利用が期待される。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）又は（Ｉ') 【化１】 〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を
示し、Ｒ1 及びＲ4 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜
１５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基，炭素数２〜１５
のアルケニル基，炭素数６〜１０のアリール基又は炭素
数７〜１０のアラルキル基を示し、Ｒ2 及びＲ3 はそれ
ぞれ独立に水素，炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐鎖
アルキル基，炭素数２〜１５のアルケニル基，シアノ基
又はハロゲンを示し、ｎは０又は１を示し、＊は不斉炭
素を示す。〕で表される光学活性ピラン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5479297A JPH10251245A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 光学活性ピラン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5479297A JPH10251245A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 光学活性ピラン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10251245A true JPH10251245A (ja) | 1998-09-22 |
Family
ID=12980618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5479297A Pending JPH10251245A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 光学活性ピラン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10251245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101011896B1 (ko) | 2004-10-28 | 2011-02-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 불소 함유 중합성 화합물, 그의 제조 방법, 이화합물로부터 얻어지는 고분자 화합물, 레지스트 재료 및이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
-
1997
- 1997-03-10 JP JP5479297A patent/JPH10251245A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101011896B1 (ko) | 2004-10-28 | 2011-02-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 불소 함유 중합성 화합물, 그의 제조 방법, 이화합물로부터 얻어지는 고분자 화합물, 레지스트 재료 및이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
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