JPH10247306A

JPH10247306A - 磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気ディスク装置

Info

Publication number: JPH10247306A
Application number: JP4789797A
Authority: JP
Inventors: Junichi Akiyama; 純一秋山; Takaki Furusawa; 隆紀古澤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-03-03
Filing date: 1997-03-03
Publication date: 1998-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】線記録密度が極めて高い高感度の磁気抵抗効
果型ヘッドとこれを搭載した高線分解能且つ大容量の磁
気ディスク装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果型ヘッドに対して、磁気記
録媒体面に垂直方向に分極した強誘電体膜を磁気抵抗効
果素子に接触または近接させて配置する。また、磁気デ
ィスク装置に、この磁気抵抗効果型ヘッドを搭載する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、線記録分解能が極
めて高い磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気
ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来技術】磁気ディスク装置の記録密度の向上には目
覚しいものがある。現在、高密度、大容量の磁気ディス
クに搭載されているシールド型の磁気抵抗効果型ヘッド
（以下、ＭＲヘッドと略す）を例に以下説明する。

【０００３】ＭＲヘッドの線方向の分解能は一対のシー
ルド板の間のギャップ長ｇによって決まる。従って、こ
の分解能を上げるためにはｇを小さくしなければならな
い。しかし、ｇを小さくしていくと、高感度・高出力の
信号再生を維持するためにはＭＲ素子の媒体面垂直方向
の高さｈを小さくする必要がある。

【０００４】ところで、Ｒ．Ｔ．Ｐｏｔｔｅｒによれば
磁気記録媒体に記録された磁化遷移からの信号磁束がＭ
Ｒ素子に流入する磁気記録媒体面に垂直方向の侵入深さ
β（特性長と呼ばれている）は数（１）のように表する
ことができる。

【０００５】

【数１】

【０００６】ここで、μはＭＲ素子の透磁率、ｔはＭＲ
素子の膜厚、ｇは一対のシールド板の間のギャップ長で
ある。現在、シールド型のＭＲヘッドの素子形状・寸法
の設計には数（１）も重要な式として利用されている。

【０００７】ところで、十分な再生出力を維持するに
は、通常β≦ｈ≦２βなる範囲のｈが設定されている。
磁気ディスク装置の面記録密度が１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ
ｃｈ²程度になると線分解能も３００ｋＦＣＩから４０
０ｋＦＣＩ程度となり、その結果、数（１）からｈはサ
ブミクロンオーダーになると予想されている。しかし、
現行のヘッド製造技術では、ｈの加工精度は０．５μｍ
前後であり、サブミクロンオーダーのｈのＭＲヘッドを
歩留まり良く製造することは極めて困難と言わざるを得
ない。

【０００８】従って、より高線分解能の磁気抵抗効果ヘ
ッドを実現するためには、数（１）に基づいた従来のＭ
Ｒヘッド製造とその設計基準は、今後の高密度化へ対応
することが益々困難になる。そのため、従来のＭＲヘッ
ドとは異なる新規構造・方式の磁気抵抗効果ヘッドの実
用化が要求されつつある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の磁気抵抗効果型
ヘッドによれば、面記録密度が高くなるほど、ＭＲ素子
の媒体面垂直方向の高さｈを小さくする必要があり、ｈ
がサブミクロンオーダーとなり、ヘッド製造が困難とな
るという問題点があった。本発明は、上述したように、
高い再生出力を維持したまま高い再生分解能が得られる
磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明では、磁気記録媒体から情報を再生する
ために、検出電流が流されている磁気抵抗効果素子を備
えた磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記検出電流に対
して、電界を加える手段を備えたことを特徴とする。

【００１１】また、本発明では、磁気記録媒体からの情
報を再生するために検出電流が流されている磁気抵抗効
果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記検
出電流に対して、電界を加える手段を備え、前記電界を
加える手段として、前記磁気記録媒体の表面に対して、
垂直方向に分極した強誘電体膜を近接して配置すること
を特徴とする。

【００１２】そして、前記強誘電体膜を、前記磁気抵抗
効果素子の膜厚方向の少なくとも片面に接触して配置す
ることを特徴とする。そして、前記強誘電体膜を、前記
磁気抵抗効果素子の膜厚方向の少なくとも片面に非磁性
膜を介して接触して配置することを特徴とする。

【００１３】また、本発明では、磁気ギャップを形成す
る一対のシールド板の間に、磁気記録媒体からの情報を
再生するために検出電流が流されている磁気抵抗効果素
子が配置されたシールド型磁気抵抗効果型ヘッドであっ
て、前記検出電流に対して、電界を加える手段を備え、
前記電界を加える手段として、前記磁気記録媒体の表面
に対して、垂直方向に分極した強誘電体膜を近接して配
置することを特徴とする。

【００１４】そして、前記強誘電体膜を、前記磁気抵抗
効果素子の膜厚方向の少なくとも片面に接触して配置す
ることを特徴とする。そして、前記強誘電体膜を、前記
磁気抵抗効果素子の膜厚方向の少なくとも片面に非磁性
膜を介して接触して配置することを特徴とする。

【００１５】また、本発明では、磁気記録媒体からの情
報を再生するために検出電流が流されている磁気抵抗効
果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記検
出電流に流されている磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵
抗効果型ヘッドであって、前記検出電流に対して、電界
を加える手段を備え、前記電界を加える手段として、前
記磁気記録媒体の表面に対して、電気的に絶縁される位
置に電極を配置することを特徴とする。

【００１６】そして、磁気ギャップを形成する一対のシ
ールド板の間に、磁気記録媒体からの情報を再生するた
めに検出電流が流されている磁気抵抗効果素子が配置さ
れたシールド型磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記検
出電流に対して、電界を加える手段を備え、前記電界を
加える手段として、前記磁気記録媒体の表面に対して、
電気的に絶縁される位置に電極を配置することを特徴と
する。

【００１７】さらに、上記した磁気抵抗効果型ヘッドを
搭載したことを特徴とする。したがって、本発明によれ
ば、磁気記録媒体から情報を再生するために、検出電流
（センス電流）が流されている磁気抵抗効果素子（ＭＲ
膜）を備えた磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記検出
電流が流されている磁気抵抗効果素子（ＭＲ膜）を備え
た磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記検出電流に対し
て、電界を加える手段を備えることにより、センス電流
の流線分布を磁気記録媒体対向面近傍に適切に集中させ
ることができ、線分解能を上げても磁気記録媒体からの
再生出力の維持が容易にできる。また、上記磁気抵抗効
果型ヘッドを搭載することにより、より高密度の磁気デ
ィスク装置を実現することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】

〈本発明の原理説明〉まず、本発明の作用を図面を参照
して以下に説明する。図１１は、従来の磁気抵抗効果型
ヘッドの素子部近傍を示す。また、図１２は、本発明の
原理を説明するための磁気抵抗効果素子近傍を示す。図
１１を見て分かるように、従来の磁気抵抗効果ヘッドに
おいては、磁気抵抗効果素子に対して直接的に電界Ｅを
加える必然性もなく且つその手段を具備するものもなか
った。従って、図１２に示すように、磁気抵抗素子１に
流すセンス電流の分布は、素子膜内にほぼ均一に流れ
る。

【００１９】なお、図１１及び図１２において、ＭＲ素
子の膜厚ｔ、磁気記録媒体面垂直方向の高さｈを有する
磁気抵抗効果素子１、及び磁気抵抗効果素子１に横バイ
アスを加えるためのＳＡＬバイアス膜２は、磁気ディス
ク回転方向に配置された一対のシールド板２０の間隔
（ギャップ長）ｇの間に配置される。磁気抵抗効果素子
１には、電極４０，４１より検出電流（センス電流）が
供給される。また、３０は磁気抵抗効果型ヘッドの磁気
記録媒体対向面、ＴＷは磁気抵抗効果素子１のトラック
幅を示す。

【００２０】これに対して、本発明によれば、図１３か
ら分かるように、分極されたチタン酸バリウムＢａＴｉ
Ｏ₃ やリン酸二水素カリウムＫＨ₂ ＰＯ₄ などの強誘電
体膜（絶縁体膜）を磁気抵抗効果素子１に接触配置また
は近接配置させることにより、強誘電体膜の分極Ｐから
の電界Ｅが、磁気抵抗効果素子１の磁気記録媒体面３０
と略平行にある磁気ディスク３５の表面に対して垂直方
向に印加されると、磁気抵抗効果素子１に流れているセ
ンス電流ｊに対して、ｊの源となる電荷ｑが電界Ｅによ
りｑＥなるローレンツ力を受けることになる。このた
め、センス電流ｊの流す方向に応じて、磁気記録媒体面
３０と略平行にある磁気ディスク３５の表面に対して垂
直方向の分極Ｐの極性を決めれば、センス電流ｊの流線
分布を磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体面対向面３０の
近傍に偏らせることができる。従って、従来の磁気抵抗
効果型ヘッドと同じ材質、形状及び寸法の磁気抵抗効果
素子を用いても、上記センス電流の偏りによって、磁気
抵抗効果素子の電気抵抗を従来と比べて増大することが
できる。このため、本発明によれば、磁気抵抗効果素子
に一様な磁界を加えた場合において、磁気抵抗効果素子
のヘッド奥部に入るに従って急激に減衰するような磁気
記録媒体からの信号磁界を受けた場合においても、大き
な電圧変化、すなわち大きな再生出力を得ることができ
る。

【００２１】ところで、例えば従来技術によるシールド
型磁気抵抗効果型ヘッドの再生時の線分解能を今後一層
向上させるためには、一対のシールド板の間隔すなわち
シールド間ギャップ長ｇを小さくしていく必要がある。
ｇを小さくすると、上述したように、磁気記録媒体から
の信号磁束が素子内に流入する深さの目安となるβはｇ
の平方根に比例して減少する。従って、素子の磁気記録
媒体の面に垂直方向の高さｈを一定とすると、ｇを小さ
くすればするほど、磁気抵抗効果素子に感応できる領域
が磁気記録媒体対向面の近傍に限られてしまうため、再
生出力がどんどん小さくなってしまう。この現象は、従
来の異方性磁気抵抗効果素子に限らず巨大磁気抵抗効果
素子についても同様である。ところで、ヘッドの製造の
点からは、ｈの大きさはヘッドの切削・研磨等の加工精
度により決められる。この加工精度は現行の技術では±
０．５μｍと言われている。このことはサブクロン・オ
ーダーのｈのヘッドの実現は、製造歩留り上、極めて困
難と言わざるを得ない。

【００２２】これに対して、本発明によれば、上述のよ
うに、ｇを小さくしていっても、ｇの大きさに応じて強
誘電体膜の形状、膜厚そして分極Ｐの大きさあるいは強
誘電体を配置する位置関係を適宜選択することによっ
て、センス電流の流線分布を磁気記録媒体対向面近傍に
適切に集中させることができるので、線分解能を上げて
も再生出力の維持が容易である。このことは、ｈが大き
くても磁気抵抗効果素子の抵抗値が特別下がらないこと
を意味し、言い換えれば、磁気抵抗効果素子に上記のよ
うに電界を印加することは、等価的にｈを小さくしたこ
とに相当する。従って、本発明を用いると、ｈを大きく
したまま高い線記録密度まで高感度の記録信号の再生が
可能になると共に、高いヘッド製造歩留りも確保でき
る。

【００２３】〈第１の実施例〉図１（ａ）に本発明によ
る第１の実施例の断面図を示す。磁気記録媒体対抗面３
０において磁気ギャップｇを形成する一対のシールド板
２０の間に、磁気抵抗効果素子１を挟み込むように、磁
気記録媒体対向面３０と略平行にある磁気ディスク３５
の表面に対して垂直方向に分極した強誘電体膜１０，１
１として、結晶質のチタン酸バリウムＢａＴｉＯ₃ が配
置された磁気抵抗効果型ヘッド１００であり、前記強誘
電体膜１０，１１内の分極ベクトルＰから生じる電界Ｅ
が磁気抵抗効果素子１に加わる。この電界Ｅが磁気抵抗
効果素子１に加わると、磁気抵抗効果素子１紙面垂直方
向に流されるセンス電流はローレンツ力（＝ｑＥ：ｑは
電子の電荷）を受けることになるために、磁気記録媒体
対向面３０の近傍に偏ることになり、磁気抵抗効果素子
１のヘッド奥部領域にはセンス電流が流れにくくなる。
再生分解能を上げるためには、磁気ギャップ長ｇ（本実
施例では、磁気抵抗効果素子１，強誘電体膜１０，１１
の全膜厚に相当）を小さくする必要があるが、記録信号
（磁気記録媒体への記録信号）の線分解能があがると、
その再生磁束は、磁気抵抗効果素子１の磁気記録媒体対
向面３０の近傍にのみ集中することになる。従って、従
来技術においては、高線分解能の記録信号を高出力をも
って再生するためには、磁気抵抗効果素子１の磁気記録
媒体面３０と略平行にある磁気ディスク３５の表面に対
して垂直方向の高さｈを小さくする必要があった。しか
し、本実施例によれば、上記ローレンツ力によってセン
ス電流を磁気記録媒体対向面３０近傍に偏られることが
できるために、上記ｈを特別小さくしなくても高線分解
能の記録信号を高出力に再生することが可能となる。

【００２４】また、図１（ｂ）は、図１（ａ）に横バイ
アス磁化印加手段として、ＳＡＬバイアス膜２を用いた
場合の断面図を示す。なお、図中３は、ＳＡＬバイアス
膜２と磁気抵抗効果素子１の間に設けた非磁性膜であ
る。

【００２５】この場合には、磁気抵抗効果素子１だけで
はなく、ＳＡＬバイアス膜２や非磁性膜３（導体を用い
た場合）に流れる電流に対しても、強誘電体１０，１１
の材料や分極率等を適宜変えることによってローケンツ
力が加わり、この電流を磁気媒体対向面３０近傍に効果
的に偏らせることができ、その結果、磁気抵抗効果素子
１の磁気媒体対向面３０近傍に効果的に横バイアス磁界
を印加することが可能となる。なお、強誘電体膜１０，
１１としては、リン酸二水素カリウムＫＨ₂ ＰＯ₄ など
の結晶膜を利用してもよい。

【００２６】〈第２の実施例〉図２に本発明による第２
の実施例の断面図を示す。この実施例は、上記実施例１
の変形例であり、磁気抵抗効果素子１と強誘電体膜１０
および１１との間にＡ１₂₀₃ やＳｉＯ₂ などの電気的に
絶縁性の非磁性膜１５を配置した例である。

【００２７】本実施例においては、必要に応じて１５の
膜厚を変えることによって前記センス電流に働くローレ
ンツ力を適宜調節することができるという利点を有す
る。なお、図２には示していないが、必要に応じて、強
誘電体膜１０，１１の少なくとも片方とシールド板２０
との間に電気的に絶縁性の膜を配置してもよい。この絶
縁性の膜を配置することにより、シールド板２０の上に
直接、強誘電体膜１０を積層するよりもさらに強誘電体
膜１０の膜質が向上し、良好な分極特性を得ることが可
能となる。

【００２８】〈第３の実施例〉図３に本発明による第３
の実施例の断面図を示す。この実施例も、第１の実施例
の変形例であり、磁気抵抗効果素子１の片側とシールド
板２０の片方との間に強誘電体膜１０を設けた例であ
る。強誘電体の分極ベクトルＰの強度が強い場合（例え
ば、強誘電体膜として、ＢａＴｉＯ₃ を用いた場合）に
は、本実施例のような構成でも磁気抵抗効果素子１に十
分な電界を印加でき、その結果、十分なローレンツ力を
センス電流に加えることができる。

【００２９】なお、図３では、磁気抵抗効果素子１の紙
面左側に強誘電体膜１０を設けた場合を示したが、磁気
抵抗効果素子１の紙面右側に配置しても良い。〈第４の実施例〉図４に本発明による第４の実施例の断
面図を示す。この実施例は、第２の実施例の変形例であ
り、磁気抵抗効果素子１の片側だけに電気的に絶縁性の
非磁性膜１５を介して強誘電体膜１０を配置した例であ
る。

【００３０】なお、図４では、磁気抵抗効果素子１の紙
面左側に強誘電体膜１０及び非磁性膜１５を設けた場合
た示したが、磁気抵抗効果素子１の紙面右側に配置して
も良い。

【００３１】〈第５の実施例〉図５に本発明による第５
の実施例の断面図を示す。この実施例は、シールド板の
ない単磁極型の磁気抵抗効果型ヘッド２００であり、強
誘電体膜１０と１１が磁気抵抗効果素子１の膜厚方向の
両面に接触配置されており、強誘電体膜１０，１１の磁
気記録媒体面３０と略平行にある磁気ディスク３５の表
面に対して垂直方向の分極ベクトルＰから発生する電界
Ｅが磁気抵抗効果素子１に印加され、磁気抵抗効果素子
１に流されるセンス電流（紙面垂直方向）に対して磁気
記録媒体対抗面３０近傍に分布するようにローレンツ力
を受ける。但し、本実施例では、第１の実施例に示すよ
うなシールド型の磁気抵抗効果型ヘッド１００とは異な
り、シールド板が無い単磁極型の磁気抵抗効果型ヘッド
２００であるが、上記作用により前記センス電流は磁気
抵抗効果素子１の媒体対向面近傍に集中的に流れるため
に極めて短波長の記録信号までも高出力に再生すること
ができる。

【００３２】〈第６の実施例〉図６に本発明による第６
の実施例の断面図を示す。この実施例は、第５の実施例
の変形例であり、強誘電体膜１０は磁気抵抗効果素子１
の片側にのみ配置されたものである。

【００３３】さらに、強誘電体膜１０と磁気抵抗効果素
子１との間に、非磁性膜を設けてもよい。なお、図６で
は、磁気抵抗効果素子１の紙面左側に強誘電体膜１０及
び非磁性膜１５を設けた場合を示したが、磁気抵抗効果
素子１の紙面右側に配置しても良い。

【００３４】〈第７の実施例〉図７に本発明による第７
の実施例の断面図を示す。この実施例は、一対のシール
ド板２０の間に磁気抵抗効果素子１に配置されたシール
ド型磁気抵抗効果型ヘッド１００であり、磁気抵抗効果
素子１のヘッド奥部側の前記一対のシールド板２０の間
に、強誘電体膜１０を配置したものである。この場合、
一対のシールド板２０は、強誘電体膜１０は磁気記録媒
体の面に垂直方向に分極しており、この分極ベクトルＰ
は磁気抵抗効果素子１に電界Ｅを加える。

【００３５】なお、図７のように、強誘電体膜１０の直
下に磁気抵抗効果素子１を配置することにより、図１乃
至図６までのように、磁気抵抗効果素子１の磁気ディス
ク回転方向に接触若しくは近接させて強誘電体を配置し
た場合とは逆方向に分極ベクトルＰが形成される。

【００３６】そして、本実施例のように、磁気抵抗効果
素子１の上方に強誘電体膜１０を配置することにより、
強誘電体膜１０を磁気記録媒体表面から離して配置でき
るため、磁気抵抗効果素子１と強誘電体膜１０とを別工
程で作成することができ、ヘッドの製造時間の短縮を図
ることができる。

【００３７】〈第８の実施例〉図８に本発明による第８
の実施例の断面図を示す。この実施例は、第７の実施例
から一対のシールド板２０を削除した構成を有するもの
である。

【００３８】〈第９の実施例〉図９に本発明による第９
の実施例の磁気ディスク回転方向から見た図を示す。こ
の実施例は、磁気抵抗素子１のヘッド奥部に磁気抵抗効
果素子１に電界Ｅを加えるための電位Ｖなる電極５０を
配置した構成を有する磁気抵抗効果型ヘッド２００であ
る。

【００３９】具体的には、磁気抵抗効果素子１の両端に
磁気抵抗効果素子１にセンス電流ｊを流すための電極４
０，４１が配置されている。このため、磁気抵抗効果素
子１の電極４０，４１で囲まれた領域が、磁気記録媒体
からの磁束を検出する領域（能動領域）となる。この磁
気抵抗効果素子１の能動領域の直上に電極５０が配置さ
れている。この電極５０には、電位Ｖの定電圧源１５０
が接続されている。

【００４０】なお、図９には図示していないが、必要に
応じては一対の高透磁率のシールド板で磁気抵抗効果素
子１をはさみ込むようなシールド型磁気抵抗効果型ヘッ
ドの構成を組んでもよい。

【００４１】また、センス電流ｊに十分なローレンツ力
が加わるのであれば、電極５０は、磁気抵抗効果素子１
にセンス電流ｊを流すための電極４０，４１の内、高電
位側の電極と電気的に導通させてもよい。これにより、
電源を共通にすることが可能となり、磁気ヘッドの製造
が容易になる。

【００４２】〈第１０の実施例〉図１０に本発明の磁気
抵抗効果型ヘッドを搭載した磁気ディスク装置６０を示
す。この実施例は、第１乃至第９の実施例に示すような
磁気抵抗効果型ヘッドを搭載した磁気ヘッド７０を含む
磁気ディスク装置６０の実施例であり、磁気ヘッド７０
は、コイルとリング型の磁気コアから成る記録用素子
と、信号再生用の磁気抵抗効果型ヘッド（ともに図示せ
ず）が積層されている。磁気ヘッド７０の構成要素であ
る記録用素子により、磁気記録媒体として、例えば、磁
気ディスク３５の上に信号磁化が形成され、この形成さ
れた信号磁化を磁気抵抗効果型ヘッドで再生するもので
ある。なお、磁気ヘッド７０は回転アーム９０の先端部
に設置されている。そして、回転アーム９０を回転する
ことにより磁気ヘッド７０を磁気ディスク３５の所定位
置に位置決めすることにより、磁気ディスク３５への情
報の記録，再生を行う。

【００４３】なお、図９に示した磁気抵抗効果型ヘッド
を磁気ディスク装置６０に搭載する場合で、電極５０
と、電極４０，４１とがある場合、定電圧源１５０及び
グランドは、３本の端子により、磁気ディスク装置６０
の例えば電源及びグランドを利用する。また、電極５０
と、電極４０若しくは４１の高電位側の電極と電気的に
導通させている場合には、定電圧源１５０及びグランド
は、２本の端子により、磁気ディスク装置６０の例えば
電源及びグランドを利用する。

【００４４】なお、上述した全ての実施例は、磁気抵抗
効果素子を用いるものであり、磁気抵抗効果素子とし
て、ＭＲ膜はもちろん巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ）を
用いてもよい。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、線分解能を上げても磁
気記録媒体からの再生出力の維持が容易にできる。ま
た、上記磁気抵抗効果型ヘッドを搭載することにより、
より高密度の磁気ディスク装置を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による第１の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの断面図。

【図２】本発明による第２の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの断面図。

【図３】本発明による第３の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの断面図。

【図４】本発明による第４の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの断面図。

【図５】本発明による第５の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの断面図。

【図６】本発明による第６の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの断面図。

【図７】本発明による第７の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの断面図。

【図８】本発明による第８の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの断面図。

【図９】本発明による第８の実施例の磁気抵抗効果型
ヘッドの記録媒体回転方向から見た図を示す。

【図１０】本発明による磁気抵抗効果型ヘッドを搭載
した磁気ディスク装置の斜視図。

【図１１】従来の実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの断
面図。

【図１２】本発明による第８の実施例の磁気抵抗効果
型ヘッドの断面図。

【図１３】本発明による第８の実施例の磁気抵抗効果
型ヘッドの断面図。

【符号の説明】

１…磁気抵抗効果素子２…ＳＡＬバイアス膜３…非磁性膜１０，１１…強誘電体膜１５…非磁性膜２０…シールド板３０…磁気記録媒体対向面３５…磁気ディスク４０，４１…電極５０…電極６０…磁気ディスク装置７０…磁気ヘッド９０…回転アーム１００，２００…磁気抵抗効果型ヘッド１５０…定電圧源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体から情報を再生するために、
検出電流が流されている磁気抵抗効果素子を備えた磁気
抵抗効果型ヘッドであって、前記検出電流に対して、電界を加える手段を備えたこと
を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２】磁気記録媒体からの情報を再生するために
検出電流が流されている磁気抵抗効果素子を備えた磁気
抵抗効果型ヘッドであって、前記検出電流に対して、電界を加える手段を備え、前記電界を加える手段として、前記磁気記録媒体の表面
に対して、垂直方向に分極した強誘電体膜を近接して配
置することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項３】前記強誘電体膜を、前記磁気抵抗効果素子
の膜厚方向の少なくとも片面に接触して配置することを
特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項４】前記強誘電体膜を、前記磁気抵抗効果素子
の膜厚方向の少なくとも片面に非磁性膜を介して接触し
て配置することを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効
果型ヘッド。
【請求項５】磁気ギャップを形成する一対のシールド板
の間に、磁気記録媒体からの情報を再生するために検出
電流が流されている磁気抵抗効果素子が配置されたシー
ルド型磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記検出電流に対して、電界を加える手段を備え、前記電界を加える手段として、前記磁気記録媒体の表面
に対して、垂直方向に分極した強誘電体膜を近接して配
置することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項６】前記強誘電体膜を、前記磁気抵抗効果素子
の膜厚方向の少なくとも片面に接触して配置することを
特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項７】前記強誘電体膜を、前記磁気抵抗効果素子
の膜厚方向の少なくとも片面に非磁性膜を介して接触し
て配置することを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効
果型ヘッド。
【請求項８】磁気記録媒体からの情報を再生するために
検出電流が流されている磁気抵抗効果素子を備えた磁気
抵抗効果型ヘッドにあって、前記検出電流に対して、電界を加える手段を備え、前記電界を加える手段として、前記磁気記録媒体の表面
に対して、電気的に絶縁される位置に電極を配置するこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項９】磁気ギャップを形成する一対のシールド板
の間に、磁気記録媒体からの情報を再生するために検出
電流が流されている磁気抵抗効果素子が配置されたシー
ルド型ヘッドであって、前記検出電流に対して、電界を加える手段を備え、前記電界を加える手段として、前記磁気記録媒体の表面
に対して、電気的に絶縁される位置に電極を配置するこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１０】請求項１乃至８のいずれか１項に記載し
た磁気抵抗効果型ヘッドを搭載したことを特徴とする磁
気ディスク装置。