JPH10242448A - 半導体光電子集積素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体光電子集積素子及びその製造方法Info
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- JPH10242448A JPH10242448A JP4177297A JP4177297A JPH10242448A JP H10242448 A JPH10242448 A JP H10242448A JP 4177297 A JP4177297 A JP 4177297A JP 4177297 A JP4177297 A JP 4177297A JP H10242448 A JPH10242448 A JP H10242448A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】段差を有する基板を用いることなく、同一の半
導体基板上に集積化されている多層結晶構造中、光素子
と電子素子の夫々の一部を構成する段差のない連続した
同一組成の層を活性層とし、製作工程を容易にした半導
体光電子集積素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体光電子集積素子には、光素子１０と
電子素子１１とが同一の半絶縁性基板２１上に集積化さ
れる。このような半導体光電子集積素子に、同時の連続
的な結晶成長で形成された多層結晶構造中の少なくとも
一部の積層から前記光素子１０と前記電子素子１１との
素子構造が形成され、且つ前記光素子１０と前記電子素
子１１の夫々の一部を構成する連続した同一組成の層を
活性層２３としている。
導体基板上に集積化されている多層結晶構造中、光素子
と電子素子の夫々の一部を構成する段差のない連続した
同一組成の層を活性層とし、製作工程を容易にした半導
体光電子集積素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体光電子集積素子には、光素子１０と
電子素子１１とが同一の半絶縁性基板２１上に集積化さ
れる。このような半導体光電子集積素子に、同時の連続
的な結晶成長で形成された多層結晶構造中の少なくとも
一部の積層から前記光素子１０と前記電子素子１１との
素子構造が形成され、且つ前記光素子１０と前記電子素
子１１の夫々の一部を構成する連続した同一組成の層を
活性層２３としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光素子と電子素
子とが同一の半導体基板上に集積化されている半導体光
電子集積素子及びその製造方法に関する。
子とが同一の半導体基板上に集積化されている半導体光
電子集積素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光素子と、この光素子に関連する機能、
例えば光素子の駆動や光素子で受けた信号の増幅等の機
能を有する電子素子（電子回路）とを同一半導体基板上
にモノリシックに集積する半導体光電子集積素子が知ら
れている。
例えば光素子の駆動や光素子で受けた信号の増幅等の機
能を有する電子素子（電子回路）とを同一半導体基板上
にモノリシックに集積する半導体光電子集積素子が知ら
れている。
【０００３】従来、この半導体光電子集積素子は、図
４、図５及び図６に示すような工程を経て製造されるの
が一般的である。
４、図５及び図６に示すような工程を経て製造されるの
が一般的である。
【０００４】図４は、半絶縁性基板１上にエピタキシャ
ル成長によりダブルヘテロ構造を含む多層結晶構造９が
形成され、光素子領域７とされることを示している。多
層結晶構造９は、前記半絶縁性基板１上に順にｐ形クラ
ッド層２、活性層３、及びｎ形クラッド層４が積層され
る。前記ｎ形クラッド層４上には電極６が設けられ、光
素子１０が形成される。
ル成長によりダブルヘテロ構造を含む多層結晶構造９が
形成され、光素子領域７とされることを示している。多
層結晶構造９は、前記半絶縁性基板１上に順にｐ形クラ
ッド層２、活性層３、及びｎ形クラッド層４が積層され
る。前記ｎ形クラッド層４上には電極６が設けられ、光
素子１０が形成される。
【０００５】前記半絶縁性基板１上の前記多層結晶構造
９の前記光素子となる部分を除いた部分は、エッチバッ
クされ、露出した前記半絶縁性基板１上に電子素子１１
が形成され電子素子領域８とされ、半導体光電子集積素
子ができる。
９の前記光素子となる部分を除いた部分は、エッチバッ
クされ、露出した前記半絶縁性基板１上に電子素子１１
が形成され電子素子領域８とされ、半導体光電子集積素
子ができる。
【０００６】他の例として図５は、半絶縁性基板１上に
電子素子形成用の多層結晶構造１２と光素子形成用の多
層結晶構造９が順にエピタキシャル成長され、光素子領
域７とされる。多層結晶構造９は、図４と同様に、ｐ形
クラッド層２、活性層３、及びｎ形クラッド層４が順に
積層される。前記ｎ形クラッド層４上には電極６が設け
られ、光素子１０が形成される。
電子素子形成用の多層結晶構造１２と光素子形成用の多
層結晶構造９が順にエピタキシャル成長され、光素子領
域７とされる。多層結晶構造９は、図４と同様に、ｐ形
クラッド層２、活性層３、及びｎ形クラッド層４が順に
積層される。前記ｎ形クラッド層４上には電極６が設け
られ、光素子１０が形成される。
【０００７】前記多層結晶構造１２上の前記光素子１０
となる部分を除いた部分は、エッチバックされ、この多
層結晶構造１２において電子素子１１が形成され電子素
子領域８とされ、半導体光電子集積素子ができる。
となる部分を除いた部分は、エッチバックされ、この多
層結晶構造１２において電子素子１１が形成され電子素
子領域８とされ、半導体光電子集積素子ができる。
【０００８】上述した図４及び図５は、いずれも光素子
１０の活性層３と電子素子１１の活性層５とが、半絶縁
性基板１上の高さ位置が異なり、段差が生じてしまう。
１０の活性層３と電子素子１１の活性層５とが、半絶縁
性基板１上の高さ位置が異なり、段差が生じてしまう。
【０００９】この段差は、フォトリソグラフィー等の作
製プロセス上、難点とされていた。
製プロセス上、難点とされていた。
【００１０】この難点を解消するため、図６に示すよう
に、多層結晶成長前の半絶縁性基板１自体に段差を設け
ておき、低い位置には光素子１０を形成し、高い位置に
は電子素子１１を形成する。このようにして、前記光素
子１０の活性層３と前記電子素子１１の活性層５の高さ
の段差を少なくしようとする方法がある。
に、多層結晶成長前の半絶縁性基板１自体に段差を設け
ておき、低い位置には光素子１０を形成し、高い位置に
は電子素子１１を形成する。このようにして、前記光素
子１０の活性層３と前記電子素子１１の活性層５の高さ
の段差を少なくしようとする方法がある。
【００１１】しかしながら、この図６に示す構成は、多
層結晶成長前の基板に段差を製作しなければならず、工
程数が増え製作プロセスが煩雑になるという欠点を有し
ていた。
層結晶成長前の基板に段差を製作しなければならず、工
程数が増え製作プロセスが煩雑になるという欠点を有し
ていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記事情
に鑑み、段差を有する基板を用いることなく、同一の半
導体基板上に集積化されている多層結晶構造中、光素子
と電子素子の夫々の一部を構成する段差のない連続した
同一組成の層を活性層とし、製作工程を容易にした半導
体光電子集積素子及びその製造方法を提供することを目
的とする。
に鑑み、段差を有する基板を用いることなく、同一の半
導体基板上に集積化されている多層結晶構造中、光素子
と電子素子の夫々の一部を構成する段差のない連続した
同一組成の層を活性層とし、製作工程を容易にした半導
体光電子集積素子及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１３】
【課題を解決しようとする手段】上記目的を達成するた
め、この発明の半導体光電子集積素子は、光素子と電子
素子とが同一の半導体基板上に集積化されている半導体
光電子集積素子において、１回の連続的な結晶成長で形
成された多層結晶構造中の少なくとも一部の積層から前
記光素子と前記電子素子との素子構造が形成され、且つ
前記光素子と前記電子素子の夫々の一部を構成する連続
した同一組成の層を活性層としている。
め、この発明の半導体光電子集積素子は、光素子と電子
素子とが同一の半導体基板上に集積化されている半導体
光電子集積素子において、１回の連続的な結晶成長で形
成された多層結晶構造中の少なくとも一部の積層から前
記光素子と前記電子素子との素子構造が形成され、且つ
前記光素子と前記電子素子の夫々の一部を構成する連続
した同一組成の層を活性層としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下図１（ａ）乃至（ｄ）を参照
して、この発明の一実施の形態である半導体光電子集積
素子の構造及びその製造方法について説明する。
して、この発明の一実施の形態である半導体光電子集積
素子の構造及びその製造方法について説明する。
【００１５】図１（ａ）は、半絶縁性基板２１上にエピ
タキシャル成長によりダブルヘテロ構造を含む多層結晶
構造が形成されることを示す断面図である。
タキシャル成長によりダブルヘテロ構造を含む多層結晶
構造が形成されることを示す断面図である。
【００１６】多層結晶構造は、前記半絶縁性基板２１上
に順にｐ形クラッド層２２、活性層２３、及びｎ形クラ
ッド層２４が積層され、ダブルヘテロ構造を形成する。
この場合、ｐ形クラッド層２２及びｎ形クラッド層２４
は、必ずしも１層である必要はない。
に順にｐ形クラッド層２２、活性層２３、及びｎ形クラ
ッド層２４が積層され、ダブルヘテロ構造を形成する。
この場合、ｐ形クラッド層２２及びｎ形クラッド層２４
は、必ずしも１層である必要はない。
【００１７】次に、図１（ｂ）に示すように、前記ｎ形
クラッド層２４をフォトリソグラフィーによってパター
ニングした後、エッチングし、光素子の導波路となるメ
サ２５を形成する。この時のエッチングは、前記ｎ形ク
ラッド層２４の途中であって、前記活性層２３に達する
前で止める。
クラッド層２４をフォトリソグラフィーによってパター
ニングした後、エッチングし、光素子の導波路となるメ
サ２５を形成する。この時のエッチングは、前記ｎ形ク
ラッド層２４の途中であって、前記活性層２３に達する
前で止める。
【００１８】次いで、図１（ｃ）に示すように、前記光
素子領域７と前記電子素子領域８との電気的なアイソレ
ーションをとるため前記ダブルヘテロ構造をエッチング
する。
素子領域７と前記電子素子領域８との電気的なアイソレ
ーションをとるため前記ダブルヘテロ構造をエッチング
する。
【００１９】最後に、図１（ｄ）に示すように、前記光
素子領域７のメサ２５に電極２６を設け集積化構成の導
波路型光素子１０を形成し、更に、前記電子素子領域８
に電極２７を設けプレナー型電子素子１１を形成する。
素子領域７のメサ２５に電極２６を設け集積化構成の導
波路型光素子１０を形成し、更に、前記電子素子領域８
に電極２７を設けプレナー型電子素子１１を形成する。
【００２０】このようにして、本発明の半導体光電子集
積素子の構造は完成する。
積素子の構造は完成する。
【００２１】上記説明から明らかなように、多層結晶成
長前の前記半絶縁性基板１自体に段差を設ける必要はな
く、又前記光素子１０における活性層２３と前記電子素
子１１における活性層２３とは、その製造工程から前記
半絶縁性基板１上の同一の高さに位置することとなり段
差は生じないので製作プロセスが容易となる。
長前の前記半絶縁性基板１自体に段差を設ける必要はな
く、又前記光素子１０における活性層２３と前記電子素
子１１における活性層２３とは、その製造工程から前記
半絶縁性基板１上の同一の高さに位置することとなり段
差は生じないので製作プロセスが容易となる。
【００２２】次に、図２（ａ）乃至（ｄ）を参照して、
本発明の半導体光電子集積素子の構造及びその製造方法
の具体的実施例について説明する。
本発明の半導体光電子集積素子の構造及びその製造方法
の具体的実施例について説明する。
【００２３】本実施例は、発光素子であるスーパールミ
ネセントダイオード（ＳＬＤ）に、そのモニター用フォ
トダイオード（ＰＤ）を集積し、更にそのモニター用フ
ォトダイオード（ＰＤ）の受光信号を増幅する電子素子
（電子回路）をモノリシックに集積した半導体光電子集
積素子に対するものである。
ネセントダイオード（ＳＬＤ）に、そのモニター用フォ
トダイオード（ＰＤ）を集積し、更にそのモニター用フ
ォトダイオード（ＰＤ）の受光信号を増幅する電子素子
（電子回路）をモノリシックに集積した半導体光電子集
積素子に対するものである。
【００２４】図２（ａ）は、半絶縁性ＧａＡｓ基板３１
上にエピタキシャル成長によりダブルヘテロ構造を含む
多層結晶構造が形成されることを示す断面図である。
上にエピタキシャル成長によりダブルヘテロ構造を含む
多層結晶構造が形成されることを示す断面図である。
【００２５】多層結晶構造は、前記半絶縁性ＧａＡｓ基
板３１上に順に厚さ０．５μｍのｐ−ＧａＡｓバッファ
兼ｐ側コンタクト層３２、厚さ１．５μｍのｐ−Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３３、厚さ０．１μｍのｐ
−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層３４、２層のｕｎ−
Ｉｎ0.21Ｇａ0.79Ａｓ層と３層のｕｎ−ＧａＡｓ層から
成る二重量子井戸構造の活性層３５、厚さ０．１μｍの
ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層３６、厚さ１．５
μｍのｎ−Ａｓ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３７、厚さ
０．２μｍのｎ−ＧａＡｓコンタクト層３９がエピタキ
シャル成長されて構成される。
板３１上に順に厚さ０．５μｍのｐ−ＧａＡｓバッファ
兼ｐ側コンタクト層３２、厚さ１．５μｍのｐ−Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３３、厚さ０．１μｍのｐ
−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層３４、２層のｕｎ−
Ｉｎ0.21Ｇａ0.79Ａｓ層と３層のｕｎ−ＧａＡｓ層から
成る二重量子井戸構造の活性層３５、厚さ０．１μｍの
ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層３６、厚さ１．５
μｍのｎ−Ａｓ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３７、厚さ
０．２μｍのｎ−ＧａＡｓコンタクト層３９がエピタキ
シャル成長されて構成される。
【００２６】前記活性層の量子井戸構造は、少なくとも
１層の圧縮型の歪量子井戸構造を含む。
１層の圧縮型の歪量子井戸構造を含む。
【００２７】前記ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイド層
３４は、前記活性層３５よりもバンドギャップが大き
く、且つ前記ｐ−ＧａＡｓバッファ兼ｐ側コンタクト層
３２及び前記ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３３
よりもバンドギャップが小さい。
３４は、前記活性層３５よりもバンドギャップが大き
く、且つ前記ｐ−ＧａＡｓバッファ兼ｐ側コンタクト層
３２及び前記ｐ−Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３３
よりもバンドギャップが小さい。
【００２８】又、前記ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイ
ド層３６は、前記活性層３５よりもバンドギャップが大
きく、且つ前記ｎ−Ａｓ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３
７及び前記ｎ−ＧａＡｓコンタクト層３９よりもバンド
ギャップが小さい。
ド層３６は、前記活性層３５よりもバンドギャップが大
きく、且つ前記ｎ−Ａｓ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３
７及び前記ｎ−ＧａＡｓコンタクト層３９よりもバンド
ギャップが小さい。
【００２９】更に、前記前記ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ
光ガイド層３４は、アンドープ層であるか又は、ｐ形に
ドーピングされ、前記ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイ
ド層３６は、アンドープ層であるか又は、ｎ形にドーピ
ングされている。
光ガイド層３４は、アンドープ層であるか又は、ｐ形に
ドーピングされ、前記ｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ光ガイ
ド層３６は、アンドープ層であるか又は、ｎ形にドーピ
ングされている。
【００３０】更に、前記厚さ１．５μｍのｎ−Ａｓ0.4
Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３７中であって、前記半絶縁性
ＧａＡｓ基板３１側から０．３μｍの位置にｎ−ＧａＡ
ｓエッチングモニタ層３８を形成した。このｎ−ＧａＡ
ｓエッチングモニタ層３８は、電子素子の電極コンタク
ト層ともなる。
Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３７中であって、前記半絶縁性
ＧａＡｓ基板３１側から０．３μｍの位置にｎ−ＧａＡ
ｓエッチングモニタ層３８を形成した。このｎ−ＧａＡ
ｓエッチングモニタ層３８は、電子素子の電極コンタク
ト層ともなる。
【００３１】前記ｎ−ＧａＡｓエッチングモニタ層３８
は、前記ｎ−Ａｓ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３７より
もバンドギャップの小さい、高濃度にドーピングされた
半導体層である。
は、前記ｎ−Ａｓ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層３７より
もバンドギャップの小さい、高濃度にドーピングされた
半導体層である。
【００３２】次に、図２（ｂ）に示すように、光素子で
あるスーパールミネセントダイオード（ＳＬＤ）とフォ
トダイオード（ＰＤ）となる部分をリッジ型の導波路構
造とするため、フォトリソグラフィーによってパターニ
ングした後、ウエットエッチングによってメサ４０を形
成する。
あるスーパールミネセントダイオード（ＳＬＤ）とフォ
トダイオード（ＰＤ）となる部分をリッジ型の導波路構
造とするため、フォトリソグラフィーによってパターニ
ングした後、ウエットエッチングによってメサ４０を形
成する。
【００３３】この時のウエットエッチングは、前記ｎ−
ＧａＡｓエッチングモニタ層３８に達したら止める。
ＧａＡｓエッチングモニタ層３８に達したら止める。
【００３４】次に、図２（ｃ）に示すように前記光素子
領域７と前記電子素子領域８との電気的なアイソレーシ
ョンをとるためウエットエッチングによって溝４１を形
成した。最後に、図２（ｄ）に示すように、通常のデバ
イスプロセスによって、光素子領域７のメサ４０に電極
４２を形成し集積化構成された光素子１０とし、更に、
前記電子素子領域８に電極４３を設け集積化構成の電子
素子１１を形成し、本発明の半導体光電子集積素子を完
成した。
領域７と前記電子素子領域８との電気的なアイソレーシ
ョンをとるためウエットエッチングによって溝４１を形
成した。最後に、図２（ｄ）に示すように、通常のデバ
イスプロセスによって、光素子領域７のメサ４０に電極
４２を形成し集積化構成された光素子１０とし、更に、
前記電子素子領域８に電極４３を設け集積化構成の電子
素子１１を形成し、本発明の半導体光電子集積素子を完
成した。
【００３５】図３は、光素子としてのスーパールミネセ
ントダイオード（ＳＬＤ）５１及びフォトダイオード
（ＰＤ）５２と、この光素子の駆動や光素子で受けた信
号の増幅機能を有する電子素子（電子回路）５３の平面
的な配置を示す図である。
ントダイオード（ＳＬＤ）５１及びフォトダイオード
（ＰＤ）５２と、この光素子の駆動や光素子で受けた信
号の増幅機能を有する電子素子（電子回路）５３の平面
的な配置を示す図である。
【００３６】尚、前記光素子の発光素子としては、スー
パールミネセントダイオード（ＳＬＤ）、発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）のいずれ
か１つであればよく、又、前記受光素子は、フォトダイ
オード（ＰＤ）又はフォトトランジスタ（ＰＴ）であれ
ばよい。
パールミネセントダイオード（ＳＬＤ）、発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）のいずれ
か１つであればよく、又、前記受光素子は、フォトダイ
オード（ＰＤ）又はフォトトランジスタ（ＰＴ）であれ
ばよい。
【００３７】前記発光素子及び前記受光素子の材料系
は、ＧａＡｓ基板に格子整合するＡｌＧａＡｓ系であれ
ばよく、又、ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＧａＡｓＰ
系であってもよい。
は、ＧａＡｓ基板に格子整合するＡｌＧａＡｓ系であれ
ばよく、又、ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＧａＡｓＰ
系であってもよい。
【図１】本発明の半導体光電子集積素子の一実施の形態
を示す製造工程図。
を示す製造工程図。
【図２】本発明の半導体光電子集積素子の具体的な実施
例を示す製造工程図。
例を示す製造工程図。
【図３】本発明の半導体光電子集積素子の平面的な配置
図。
図。
【図４】従来の半導体光電子集積素子の構成の一実施の
形態を示す断面図。
形態を示す断面図。
【図５】従来の半導体光電子集積素子の構成の他の実施
の形態を示す断面図。
の形態を示す断面図。
【図６】従来の半導体光電子集積素子の構成の更に他の
実施の形態を示す断面図。
実施の形態を示す断面図。
１ 半導体基板 ３ 活性層 ９ 多層結晶構造 １０ 光素子 １１ 電子素子
Claims (14)
- 【請求項１】光素子と電子素子とが同一の半導体基板上
に集積化されている半導体光電子集積素子において、１
回の連続的な結晶成長で形成された多層結晶構造中の少
なくとも一部の積層から前記光素子と前記電子素子との
素子構造が形成され、且つ前記光素子と前記電子素子の
夫々の一部を構成する連続した同一組成の層を活性層と
していることを特徴とする半導体光電子集積素子。 - 【請求項２】前記半導体基板は、半絶縁性であり、且つ
前記多層結晶構造は、前記半導体基板上に順に少なくと
も１層のｐ形層、活性層、及び少なくとも１層のｎ形層
を積層したダブルヘテロ構造を成すことを特徴とする請
求項１に記載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項３】前記光素子は、導波路型光素子であり、且
つ前記電子素子はプレナー型電子素子であることを特徴
とする請求項１に記載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項４】前記光素子は、発光素子と前記発光素子か
らの光を受光する受光素子とから成る集積化構成である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体光電子集積素
子。 - 【請求項５】前記発光素子は、スーパールミネセントダ
イオード（ＳＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）又はレ
ーザーダイオード（ＬＤ）のいずれか１つであり、前記
受光素子は、フォトダイオード（ＰＤ）又はフォトトラ
ンジスタ（ＰＴ）であることを特徴とする請求項４に記
載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項６】前記発光素子及び前記受光素子の材料系
は、ＧａＡｓ基板に格子整合するＡｌＧａＡｓ系である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体光電子集積素
子。 - 【請求項７】前記発光素子及び前記受光素子の材料系
は、ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＧａＡｓＰ系である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体光電子集積素
子。 - 【請求項８】前記ダブルヘテロ構造を成す多層結晶構造
中、前記半導体基板上に積層されたｐ形層と活性層との
間、及びｎ形層と活性層との間の少なくとも一方には、
前記活性層よりはバンドギャップが大きく、且つ前記ｐ
形層又は、前記ｎ形層よりはバンドギャップが小さい半
導体層が更に形成されていることを特徴とする請求項２
に記載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項９】前記半導体層は、アンドープ層であるか又
は、前記ｐ形層と前記活性層との間にある場合はｐ形に
ドーピングされ、前記ｎ形層と前記活性層との間にある
場合はｎ形にドーピングされていることを特徴とする請
求項８に記載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項１０】前記多層結晶構造中のｎ形層の中に、前
記ｎ形層よりバンドギャップの小さい、高濃度にドーピ
ングされた半導体層が更に形成されていることを特徴と
する請求項２に記載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項１１】前記半導体層は、エッチングストップ層
及びエッチングモニタ層であり、且つ半導体光電子集積
素子の電子素子の電極コンタクト層であることを特徴と
する請求項１０に記載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項１２】前記活性層は、量子井戸構造を含むこと
を特徴とする請求項２に記載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項１３】前記量子井戸構造は、少なくとも１層の
圧縮型の歪量子井戸構造を含むことを特徴とする請求項
１２に記載の半導体光電子集積素子。 - 【請求項１４】半絶縁性の半導体基板上に、順に少なく
とも１層のｐ形層、活性層、及び少なくとも１層のｎ形
層を積層したダブルヘテロ構造を形成する工程と、前記
ｎ形層をパターニングした後、エッチングして光素子の
導波路となるメサを形成する光素子領域形成工程と、前
記光素子と分離した電子素子領域を形成するため前記ダ
ブルヘテロ構造をエッチングし前記光素子領域と前記電
子素子領域との電気的なアイソレーションをとる工程
と、前記光素子領域に電極を設け、集積化構成の光素子
を形成する工程と、前記電子素子領域に電極を設け、集
積化構成の電子素子を形成する工程と、よりなる半導体
光電子集積素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177297A JPH10242448A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半導体光電子集積素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4177297A JPH10242448A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半導体光電子集積素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242448A true JPH10242448A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12617685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4177297A Pending JPH10242448A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半導体光電子集積素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242448A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009337A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| WO2012150647A1 (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-08 | パナソニック株式会社 | スーパールミネッセントダイオード |
| CN104600089A (zh) * | 2013-10-31 | 2015-05-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 光电模组及其制造方法 |
| JP2017059700A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| WO2019026692A1 (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP4177297A patent/JPH10242448A/ja active Pending
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| JP5958916B2 (ja) * | 2011-05-02 | 2016-08-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | スーパールミネッセントダイオード |
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| JP2019029513A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
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