JP3238979B2 - 面発光レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
面発光レーザ装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理システムに
おいて用いられる面発光レーザ装置及びその製造方法に
関する。
おいて用いられる面発光レーザ装置及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近未来の高度情報化社会に、光情報処理
システムの出現が予想されている。光情報処理システム
は、光の高速性と空間中の並列伝搬性とを最大限に利用
したシステムであり、このシステムを実現するための装
置として面発光レーザ装置が挙げられている。
システムの出現が予想されている。光情報処理システム
は、光の高速性と空間中の並列伝搬性とを最大限に利用
したシステムであり、このシステムを実現するための装
置として面発光レーザ装置が挙げられている。
【０００３】以下に、従来の面発光レーザ素子の構造を
説明する。図２０は、従来の埋め込み型の面発光レーザ
素子の構造を示す模式的断面図である。この面発光レー
ザ装置は、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により
ｎ型ＧａＡｓの基板91上にｎ型の半導体多層膜92, ｎ型
のクラッド層93、ｐ型の活性層94，ｐ型のクラッド層95
及びｐ型のキャップ層96がこの順に積層されてダブルヘ
テロ構造が構成されており、これらを埋め込む様態にて
クラッド層93上にｐ型の電流ブロック層97ａが、その上
にｎ型の電流ブロック層97ｂが積層され、キャップ層96
及び電流ブロック層97ｂ上にｐ型の電流拡がり層98a が
積層されている。電流拡がり層98a 上にコンタクト層98
b が積層され、コンタクト層98b 上の中央部分には多層
膜99が形成されている。そして、多層膜99を囲む様態に
てコンタクト層98b 上にｐ型オーミック電極961 が形成
され、基板１の下面にはｎ型オーミック電極962 が形成
されている。
説明する。図２０は、従来の埋め込み型の面発光レーザ
素子の構造を示す模式的断面図である。この面発光レー
ザ装置は、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により
ｎ型ＧａＡｓの基板91上にｎ型の半導体多層膜92, ｎ型
のクラッド層93、ｐ型の活性層94，ｐ型のクラッド層95
及びｐ型のキャップ層96がこの順に積層されてダブルヘ
テロ構造が構成されており、これらを埋め込む様態にて
クラッド層93上にｐ型の電流ブロック層97ａが、その上
にｎ型の電流ブロック層97ｂが積層され、キャップ層96
及び電流ブロック層97ｂ上にｐ型の電流拡がり層98a が
積層されている。電流拡がり層98a 上にコンタクト層98
b が積層され、コンタクト層98b 上の中央部分には多層
膜99が形成されている。そして、多層膜99を囲む様態に
てコンタクト層98b 上にｐ型オーミック電極961 が形成
され、基板１の下面にはｎ型オーミック電極962 が形成
されている。
【０００４】また本願出願人は、1991, 応用物理学会予
稿集, 11p-ZM-1に、セルフアライン型の面発光レーザ装
置を掲載している。これは、ｎ型ＧａＡｓの基板上にｎ
型の半導体多層膜、ｐ型ＧａＡｓの活性層が積層されて
おり、活性層上に積層したｎ型ブロック層の中央部分を
除去し、ｐ型平坦層を LPE再成長させた内部電流狭窄構
造のものである。
稿集, 11p-ZM-1に、セルフアライン型の面発光レーザ装
置を掲載している。これは、ｎ型ＧａＡｓの基板上にｎ
型の半導体多層膜、ｐ型ＧａＡｓの活性層が積層されて
おり、活性層上に積層したｎ型ブロック層の中央部分を
除去し、ｐ型平坦層を LPE再成長させた内部電流狭窄構
造のものである。
【０００５】また、本願出願人は特開昭63─157489号公
報にて、選択的メルトバック法を用いてセルフアライン
型の面発光レーザ装置を製造する方法を提案している。
この面発光レーザ装置は、ｐ型ＧａＡｓの基板上に中央
部分にメサ部を設けたメサ部形成層が積層され、メサ部
を囲む様態にて電流ブロック層が積層されて、前記メサ
部がメルトバックにより除去される。ここに第１クラッ
ド層を成長させ、第１クラッド層上に活性層、その上に
第２クラッド層が積層されており、活性層の下層側に電
流ブロック層を設けた内部電流狭窄構造となっている。
報にて、選択的メルトバック法を用いてセルフアライン
型の面発光レーザ装置を製造する方法を提案している。
この面発光レーザ装置は、ｐ型ＧａＡｓの基板上に中央
部分にメサ部を設けたメサ部形成層が積層され、メサ部
を囲む様態にて電流ブロック層が積層されて、前記メサ
部がメルトバックにより除去される。ここに第１クラッ
ド層を成長させ、第１クラッド層上に活性層、その上に
第２クラッド層が積層されており、活性層の下層側に電
流ブロック層を設けた内部電流狭窄構造となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような面発光レー
ザ素子は、基板表面とエピタキシャル成長層面との間で
共振器を形成し、活性層に電流が狭窄されて、面方向に
光を出射する構造となっている。この面発光レーザ素子
を２次元的に配設し、各素子の活性領域を電気的に分離
することにより、２次元レーザアレイの面発光レーザ装
置が形成される。図２１はこの面発光レーザ装置の模式
的斜視図であり、電源駆動により各素子Ｌ 1 , Ｌ1 …が
独立的に発光する。
ザ素子は、基板表面とエピタキシャル成長層面との間で
共振器を形成し、活性層に電流が狭窄されて、面方向に
光を出射する構造となっている。この面発光レーザ素子
を２次元的に配設し、各素子の活性領域を電気的に分離
することにより、２次元レーザアレイの面発光レーザ装
置が形成される。図２１はこの面発光レーザ装置の模式
的斜視図であり、電源駆動により各素子Ｌ 1 , Ｌ1 …が
独立的に発光する。
【０００７】このような面発光レーザ装置は、レーザ素
子の２次元アレイ化、又はレーザ素子と周辺電子回路と
の集積化が可能であることと共に、レーザ素子からの出
射光が単一波長性に優れている。これらのことから、面
発光レーザ装置の光情報処理システムへの応用が期待さ
れ、このために、面発光レーザ装置には、光の入射によ
り発光し、入射光がその発光を制御する機能が要求され
ている。
子の２次元アレイ化、又はレーザ素子と周辺電子回路と
の集積化が可能であることと共に、レーザ素子からの出
射光が単一波長性に優れている。これらのことから、面
発光レーザ装置の光情報処理システムへの応用が期待さ
れ、このために、面発光レーザ装置には、光の入射によ
り発光し、入射光がその発光を制御する機能が要求され
ている。
【０００８】本発明は、かかる技術的背景の基になされ
たものであり、面発光レーザ素子に受光導電素子を設
け、受光導電素子への光の入射により面発光レーザ素子
から光を出力する面発光レーザ装置を提供することを目
的とし、また、このような面発光レーザ装置を２次元的
に配設して複数の面発光レーザ素子を発光させ、さらに
受光導電素子に波長フィルタを設けることにより、特定
のレーザ素子を発光させる面発光レーザ装置及びその製
造方法を提供することを目的とする。
たものであり、面発光レーザ素子に受光導電素子を設
け、受光導電素子への光の入射により面発光レーザ素子
から光を出力する面発光レーザ装置を提供することを目
的とし、また、このような面発光レーザ装置を２次元的
に配設して複数の面発光レーザ素子を発光させ、さらに
受光導電素子に波長フィルタを設けることにより、特定
のレーザ素子を発光させる面発光レーザ装置及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る面発光レ
ーザ装置は、電極に電圧を印加して、活性層に電流を注
入し発光する面発光レーザ素子で構成される面発光レー
ザ装置において、光の入射により前記活性層に電流を流
す受光導電素子を、前記面発光レーザ素子の電極が前記
受光導電素子の電極となるように備え、光波長選択性を
有する波長フィルタを、前記受光導電素子に設け、前記
波長フィルタを備えた基板を前記受光導電素子に設けた
ことを特徴とする。
ーザ装置は、電極に電圧を印加して、活性層に電流を注
入し発光する面発光レーザ素子で構成される面発光レー
ザ装置において、光の入射により前記活性層に電流を流
す受光導電素子を、前記面発光レーザ素子の電極が前記
受光導電素子の電極となるように備え、光波長選択性を
有する波長フィルタを、前記受光導電素子に設け、前記
波長フィルタを備えた基板を前記受光導電素子に設けた
ことを特徴とする。
【００１０】第２発明に係る面発光レーザ装置は、電極
に電圧を印加して、活性層に電流を注入し発光する面発
光レーザ素子の複数を２次元的に配設した面発光レーザ
装置において、光の入射により前記活性層に電流を流す
複数の受光導電素子を、前記面発光レーザ素子夫々の電
極が前記受光導電素子の電極となるように備え、光波長
選択性を有する波長フィルタを、前記受光導電素子に設
け、前記波長フィルタを備えた基板を前記受光導電素子
に設けたことを特徴とする。
に電圧を印加して、活性層に電流を注入し発光する面発
光レーザ素子の複数を２次元的に配設した面発光レーザ
装置において、光の入射により前記活性層に電流を流す
複数の受光導電素子を、前記面発光レーザ素子夫々の電
極が前記受光導電素子の電極となるように備え、光波長
選択性を有する波長フィルタを、前記受光導電素子に設
け、前記波長フィルタを備えた基板を前記受光導電素子
に設けたことを特徴とする。
【００１１】第３発明に係る面発光レーザ装置は、第１
又は第２発明において、前記受光導電素子を備えた基板
に前記面発光レーザ素子を設けてあることを特徴とす
る。
又は第２発明において、前記受光導電素子を備えた基板
に前記面発光レーザ素子を設けてあることを特徴とす
る。
【００１２】第４発明に係る面発光レーザ装置は、第２
発明において、前記複数の受光導電素子の対をなす電極
のうち、少なくとも一側の電極が共通であることを特徴
とする。
発明において、前記複数の受光導電素子の対をなす電極
のうち、少なくとも一側の電極が共通であることを特徴
とする。
【００１３】第５発明に係る面発光レーザ装置は、電極
に電圧を印加して、活性層に電流を注入し発光する面発
光レーザ素子の複数を２次元的に配設した面発光レーザ
装置において、光の入射により前記活性層に電流を流す
複数の受光導電素子を、前記面発光レーザ素子夫々の電
極が前記受光導電素子の電極となるように備え、前記複
数の受光導電素子に、夫々異なる光波長選択性を有する
波長フィルタを備えることを特徴とする。
に電圧を印加して、活性層に電流を注入し発光する面発
光レーザ素子の複数を２次元的に配設した面発光レーザ
装置において、光の入射により前記活性層に電流を流す
複数の受光導電素子を、前記面発光レーザ素子夫々の電
極が前記受光導電素子の電極となるように備え、前記複
数の受光導電素子に、夫々異なる光波長選択性を有する
波長フィルタを備えることを特徴とする。
【００１４】第６発明に係る面発光レーザ装置は、前記
複数の受光導電素子の対をなす電極のうち、少なくとも
一側の電極が共通であることを特徴とする
複数の受光導電素子の対をなす電極のうち、少なくとも
一側の電極が共通であることを特徴とする
【００１５】第７発明に係る面発光レーザ装置の製造方
法は、電極に電圧を印加して、活性層に電流を注入し発
光する面発光レーザ素子を形成する過程と、受光導電素
子を、その電極が前記面発光レーザ素子の電極となるよ
うに形成する過程と、波長フィルタを備える基板を形成
する過程と、前記受光導電素子に波長フィルタを対応さ
せて前記基板を受光導電素子に設ける過程とを有するこ
とを特徴とする。
法は、電極に電圧を印加して、活性層に電流を注入し発
光する面発光レーザ素子を形成する過程と、受光導電素
子を、その電極が前記面発光レーザ素子の電極となるよ
うに形成する過程と、波長フィルタを備える基板を形成
する過程と、前記受光導電素子に波長フィルタを対応さ
せて前記基板を受光導電素子に設ける過程とを有するこ
とを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明の面発光レーザ装置及びその製造方法で
は、受光導電素子が光の入射により電流を面発光レーザ
素子の活性層に流し、これにより面発光レーザ素子から
発光するので、受光導電素子へ入射する光に応じて光を
出力することができる。また、受光導電素子を設けた面
発光レーザ素子の複数を２次元的に配設することによ
り、複数の光を出力させ、さらに受光導電素子に波長選
択性を有する波長フィルタを設け、これを透過して入射
した光の波長情報を、発光パターンの情報に変換するこ
とができる。
は、受光導電素子が光の入射により電流を面発光レーザ
素子の活性層に流し、これにより面発光レーザ素子から
発光するので、受光導電素子へ入射する光に応じて光を
出力することができる。また、受光導電素子を設けた面
発光レーザ素子の複数を２次元的に配設することによ
り、複数の光を出力させ、さらに受光導電素子に波長選
択性を有する波長フィルタを設け、これを透過して入射
した光の波長情報を、発光パターンの情報に変換するこ
とができる。
【００１７】また、Ｓｉ基板のようなサブマウント基板
上に受光導電素子を形成し、この基板上に別工程にて形
成された面発光レーザ素子を形成して、面発光レーザ素
子の電極と受光導電素子の電極とを接続することによ
り、製造が容易になる。さらに、ガラスのような光を透
過する基板上に波長フィルタを別工程で形成し、この基
板を受光導電素子に設けることにより、さらに製造が容
易になる。
上に受光導電素子を形成し、この基板上に別工程にて形
成された面発光レーザ素子を形成して、面発光レーザ素
子の電極と受光導電素子の電極とを接続することによ
り、製造が容易になる。さらに、ガラスのような光を透
過する基板上に波長フィルタを別工程で形成し、この基
板を受光導電素子に設けることにより、さらに製造が容
易になる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は、第１発明の面発光レーザ
装置の構造を示す模式的断面図である。この面発光レー
ザ装置は、ｎ−ＧａＡｓの基板１上にＧａ0.9 Ａｌ0.1
Ａｓ／ＡｌＡｓの25ペアで形成されたｎ型多層膜２が積
層され、その上にｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0. 4 Ａｓのクラッド
層３が積層されている。クラッド層３上にはｐ−ＧａＡ
ｓの活性層４，ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓのクラッド層
５及びｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓのキャップ層６がこの
順に形成され、これらを埋め込む様態にてクラッド層３
上にｐ−ＧａＡｓの電流ブロック層７ａが、その上には
ｎ−ＧａＡｓの電流ブロック層７ｂが積層されている。
そして、前記キャップ層６及び電流ブロック層７ｂの表
面には、ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓの平坦化層８ａが、
その上にはｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓの平坦化層８ｂが
積層されている。
き具体的に説明する。図１は、第１発明の面発光レーザ
装置の構造を示す模式的断面図である。この面発光レー
ザ装置は、ｎ−ＧａＡｓの基板１上にＧａ0.9 Ａｌ0.1
Ａｓ／ＡｌＡｓの25ペアで形成されたｎ型多層膜２が積
層され、その上にｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0. 4 Ａｓのクラッド
層３が積層されている。クラッド層３上にはｐ−ＧａＡ
ｓの活性層４，ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓのクラッド層
５及びｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓのキャップ層６がこの
順に形成され、これらを埋め込む様態にてクラッド層３
上にｐ−ＧａＡｓの電流ブロック層７ａが、その上には
ｎ−ＧａＡｓの電流ブロック層７ｂが積層されている。
そして、前記キャップ層６及び電流ブロック層７ｂの表
面には、ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓの平坦化層８ａが、
その上にはｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓの平坦化層８ｂが
積層されている。
【００１９】そして、前記活性層４上層の前記平坦化層
８ｂ上には、ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の４ペアで形成された
多層膜13が形成され、これと適長離隔した前記平坦化層
８ｂ上の位置には、ｐ−ＧａＡｓのコレクタ９，ｎ−Ｇ
ａＡｓのベース10及びｐ−ＧａＡｓのエミッタ11がこの
順に積層されており、エミッタ11上の中央部分にはＳｉ
Ｏ2 ／ＴｉＯ2 の27層で構成された波長フィルタ14が形
成され、波長フィルタ14を囲む様態にてエミッタ11上に
ｐ−ＧａＡｓのコンタクト層12が積層されている。この
コレクタ９, ベース10，エミッタ11及びコンタクト層12
により、前記受光導電素子である光トランジスタＴが構
成されている。そして、光トランジスタＴ側面で前記多
層膜13の反対側と、平坦化層８ｂ上で光トランジスタＴ
を挟んで前記多層膜13の反対側との位置にＳｉＯ2 層15
が形成されている。そして、ＳｉＯ2 層15及びコンタク
ト層12上にｐ型電極161 が形成され、基板１の下側には
ｎ型電極162 が形成されている。
８ｂ上には、ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の４ペアで形成された
多層膜13が形成され、これと適長離隔した前記平坦化層
８ｂ上の位置には、ｐ−ＧａＡｓのコレクタ９，ｎ−Ｇ
ａＡｓのベース10及びｐ−ＧａＡｓのエミッタ11がこの
順に積層されており、エミッタ11上の中央部分にはＳｉ
Ｏ2 ／ＴｉＯ2 の27層で構成された波長フィルタ14が形
成され、波長フィルタ14を囲む様態にてエミッタ11上に
ｐ−ＧａＡｓのコンタクト層12が積層されている。この
コレクタ９, ベース10，エミッタ11及びコンタクト層12
により、前記受光導電素子である光トランジスタＴが構
成されている。そして、光トランジスタＴ側面で前記多
層膜13の反対側と、平坦化層８ｂ上で光トランジスタＴ
を挟んで前記多層膜13の反対側との位置にＳｉＯ2 層15
が形成されている。そして、ＳｉＯ2 層15及びコンタク
ト層12上にｐ型電極161 が形成され、基板１の下側には
ｎ型電極162 が形成されている。
【００２０】この面発光レーザの各層の成分組成，膜厚
及びキャリア濃度の具体的な数値例を以下に示す。 ｎ型多層膜２…Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ，0.0627μｍ，1.
0 ×1018cm-3／ＡｌＡｓ，0.0745μｍ，1.0 ×1018cm-3 クラッド層３…ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 0.5μｍ，
1.0 ×1018cm-3 活性層４…ｐ−ＧａＡｓ， 1.0μｍ，4.0 ×1017cm-3 クラッド層５…ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 0.5μｍ，
1.0 ×1018cm-3 キャップ層６…ｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ， 0.3μｍ，
1.0 ×1018cm-3 電流ブロック層７ａ…ｐ−ＧａＡｓ， 0.8μｍ，1.0 ×
1018cm-3 電流ブロック層７ｂ…ｎ−ＧａＡｓ， 0.8μｍ，2.0 ×
1018cm-3 平坦化層８ａ…ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 3.0μｍ，
1.0 ×1018cm-3 平坦化層８ｂ…ｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ， 0.5μｍ，
3.0 ×1018cm-3 コレクタ９…ｐ−ＧａＡｓ， 0.2μｍ，5.0 ×1016cm-3 ベース10…及ｎ−ＧａＡｓ， 0.2μｍ，1.0 ×1018cm-3 エミッタ11…ｐ−ＧａＡｓ， 0.3μｍ，1.0 ×1017cm-3 コンタクト層12…ｐ−ＧａＡｓ， 0.2μｍ，1.0 ×1018
cm-3
及びキャリア濃度の具体的な数値例を以下に示す。 ｎ型多層膜２…Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ，0.0627μｍ，1.
0 ×1018cm-3／ＡｌＡｓ，0.0745μｍ，1.0 ×1018cm-3 クラッド層３…ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 0.5μｍ，
1.0 ×1018cm-3 活性層４…ｐ−ＧａＡｓ， 1.0μｍ，4.0 ×1017cm-3 クラッド層５…ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 0.5μｍ，
1.0 ×1018cm-3 キャップ層６…ｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ， 0.3μｍ，
1.0 ×1018cm-3 電流ブロック層７ａ…ｐ−ＧａＡｓ， 0.8μｍ，1.0 ×
1018cm-3 電流ブロック層７ｂ…ｎ−ＧａＡｓ， 0.8μｍ，2.0 ×
1018cm-3 平坦化層８ａ…ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ， 3.0μｍ，
1.0 ×1018cm-3 平坦化層８ｂ…ｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ， 0.5μｍ，
3.0 ×1018cm-3 コレクタ９…ｐ−ＧａＡｓ， 0.2μｍ，5.0 ×1016cm-3 ベース10…及ｎ−ＧａＡｓ， 0.2μｍ，1.0 ×1018cm-3 エミッタ11…ｐ−ＧａＡｓ， 0.3μｍ，1.0 ×1017cm-3 コンタクト層12…ｐ−ＧａＡｓ， 0.2μｍ，1.0 ×1018
cm-3
【００２１】このような面発光レーザ装置を形成する過
程を以下に説明する。図２〜図５は、第１発明の面発光
レーザ装置の作成段階における構造を示す模式的断面図
である。まず、ｎ−ＧａＡｓの基板１上に、ＭＯＣＶＤ
法（有機金属気相法）により、0.0627μｍのＧａ0.9 Ａ
ｌ0.1 Ａｓ／0.0745μｍのＡｌＡｓの25ペアで形成され
たｎ型多層膜２、ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓからなる
0.5μｍのクラッド層３、ｐ−ＧａＡｓからなる 1.0μ
ｍの活性層４、ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓからなる 0.5
μｍのクラッド層５、ｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓからな
る 0.3μｍのキャップ層６及びＧａＡｌＡｓ層ｍ1 をこ
の順に積層する。そして、図２に示すように、硫酸系エ
ッチャントを用いて活性層４のクラッド層３に達しない
深さまでウェットエッチングを行い、素子の中央より端
部側にメサ部を形成する。
程を以下に説明する。図２〜図５は、第１発明の面発光
レーザ装置の作成段階における構造を示す模式的断面図
である。まず、ｎ−ＧａＡｓの基板１上に、ＭＯＣＶＤ
法（有機金属気相法）により、0.0627μｍのＧａ0.9 Ａ
ｌ0.1 Ａｓ／0.0745μｍのＡｌＡｓの25ペアで形成され
たｎ型多層膜２、ｎ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓからなる
0.5μｍのクラッド層３、ｐ−ＧａＡｓからなる 1.0μ
ｍの活性層４、ｐ−Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓからなる 0.5
μｍのクラッド層５、ｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓからな
る 0.3μｍのキャップ層６及びＧａＡｌＡｓ層ｍ1 をこ
の順に積層する。そして、図２に示すように、硫酸系エ
ッチャントを用いて活性層４のクラッド層３に達しない
深さまでウェットエッチングを行い、素子の中央より端
部側にメサ部を形成する。
【００２２】次いで、図３に示すように、メルトバック
によりメサ部の周囲に残存する活性層４を除去してクラ
ッド層３を露出させ、このクラッド層３上にＬＰＥ法
（液相エピタキシャル成長法）により、ＧａＡｌＡｓ層
ｍ1 をマスクとしてメサ部を埋め込む様態にてｐ−Ｇａ
Ａｓからなる 0.8μｍの電流ブロック層７ａ、その上に
ｎ−ＧａＡｓからなる 0.8μｍの電流ブロック層７ｂを
成長させる。
によりメサ部の周囲に残存する活性層４を除去してクラ
ッド層３を露出させ、このクラッド層３上にＬＰＥ法
（液相エピタキシャル成長法）により、ＧａＡｌＡｓ層
ｍ1 をマスクとしてメサ部を埋め込む様態にてｐ−Ｇａ
Ａｓからなる 0.8μｍの電流ブロック層７ａ、その上に
ｎ−ＧａＡｓからなる 0.8μｍの電流ブロック層７ｂを
成長させる。
【００２３】そして、ＧａＡｌＡｓ層ｍ1 を除去し、前
記キャップ層６及び電流ブロック層７ｂの表面に、ｐ−
Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓからなる 3.0μｍの平坦化層８
ａ、ｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓからなる 0.5μｍの平坦
化層８ｂ、ｐ−ＧａＡｓからなる 0.2μｍのコレクタ層
９，ｎ−ＧａＡｓからなる 0.2μｍのベース層10，ｐ−
ＧａＡｓからなる 0.3μｍのエミッタ層11及びｐ−Ｇａ
Ａｓからなる 0.2μｍのコンタクト層12をこの順に積層
する。図４に示すように、まず、硫酸系エッチャントを
用いて平坦化層８ｂ表面までのウェットエッチングを行
い、活性層４に対応する位置から適長離隔した位置に光
トランジスタＴを形成する。次に、エミッタ層11表面ま
でのウェットエッチングを行い、コンタクト層12の略中
央部分を除去する。
記キャップ層６及び電流ブロック層７ｂの表面に、ｐ−
Ｇａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓからなる 3.0μｍの平坦化層８
ａ、ｐ−Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓからなる 0.5μｍの平坦
化層８ｂ、ｐ−ＧａＡｓからなる 0.2μｍのコレクタ層
９，ｎ−ＧａＡｓからなる 0.2μｍのベース層10，ｐ−
ＧａＡｓからなる 0.3μｍのエミッタ層11及びｐ−Ｇａ
Ａｓからなる 0.2μｍのコンタクト層12をこの順に積層
する。図４に示すように、まず、硫酸系エッチャントを
用いて平坦化層８ｂ表面までのウェットエッチングを行
い、活性層４に対応する位置から適長離隔した位置に光
トランジスタＴを形成する。次に、エミッタ層11表面ま
でのウェットエッチングを行い、コンタクト層12の略中
央部分を除去する。
【００２４】そして、図５に示すように、活性層４に対
応する前記平坦化層８ｂ上の位置に、 0.152μｍのＳｉ
Ｏ2 ／ 0.096μｍのＴｉＯ2 の４ペアからなる多層膜13
を形成し、光トランジスタＴの露出したエミッタ層11上
に、波長フィルタ14を形成する。波長フィルタ14は、13
70ÅのＳｉＯ2 （Ｌ）及び 830ÅのＴｉＯ2 （Ｈ）の27
層が、例えば、ＨＬＨ・２Ｌ（ＨＬ）4 Ｈ・４Ｌ・Ｈ
（ＬＨ）4 ・２Ｌ・ＨＬＨの順で積層されて構成され
る。図６は、このような構成の波長フィルタ14の光の波
長に対する透過特性を示すグラフである。横軸は光の波
長を、縦軸は透過率を表している。波長フィルタ14は、
図６に示すように、波長780nm の光を選択的に透過させ
る。
応する前記平坦化層８ｂ上の位置に、 0.152μｍのＳｉ
Ｏ2 ／ 0.096μｍのＴｉＯ2 の４ペアからなる多層膜13
を形成し、光トランジスタＴの露出したエミッタ層11上
に、波長フィルタ14を形成する。波長フィルタ14は、13
70ÅのＳｉＯ2 （Ｌ）及び 830ÅのＴｉＯ2 （Ｈ）の27
層が、例えば、ＨＬＨ・２Ｌ（ＨＬ）4 Ｈ・４Ｌ・Ｈ
（ＬＨ）4 ・２Ｌ・ＨＬＨの順で積層されて構成され
る。図６は、このような構成の波長フィルタ14の光の波
長に対する透過特性を示すグラフである。横軸は光の波
長を、縦軸は透過率を表している。波長フィルタ14は、
図６に示すように、波長780nm の光を選択的に透過させ
る。
【００２５】次に、図１に示すように、ＳｉＯ2 膜15を
平坦化層８ｂ上で光トランジスタＴを挟んで多層膜13と
反対側の位置と、光トランジスタＴ側面で多層膜13と反
対側との位置に形成し、ＳｉＯ2 膜15上及びコンタクト
層12上にｐ型電極161 を形成する。そして、基板１の下
側にｎ型電極162 を形成する。
平坦化層８ｂ上で光トランジスタＴを挟んで多層膜13と
反対側の位置と、光トランジスタＴ側面で多層膜13と反
対側との位置に形成し、ＳｉＯ2 膜15上及びコンタクト
層12上にｐ型電極161 を形成する。そして、基板１の下
側にｎ型電極162 を形成する。
【００２６】以上の如き面発光レーザ装置は、電極1
61 ，162 間に所定の電圧が印加され、外部からの光が
前記波長フィルタ14に入射して、光トランジスタＴから
活性層４へ電流が流れた場合に、前記多層膜13から発光
する。このとき、波長780nm の光が光トランジスタＴを
照射し、この光が、波長780nm で透過率が高い波長フィ
ルタ14を透過して入射した場合のみ光トランジスタＴが
作動し、多層膜13から発光するようになっている。
61 ，162 間に所定の電圧が印加され、外部からの光が
前記波長フィルタ14に入射して、光トランジスタＴから
活性層４へ電流が流れた場合に、前記多層膜13から発光
する。このとき、波長780nm の光が光トランジスタＴを
照射し、この光が、波長780nm で透過率が高い波長フィ
ルタ14を透過して入射した場合のみ光トランジスタＴが
作動し、多層膜13から発光するようになっている。
【００２７】次に、本発明の第２実施例をこれを示す図
面に基づいて具体的に説明する。図７は、第２実施例の
面発光レーザ装置の構造を示す模式的平面図である。図
中Ｌａは上述した面発光レーザ装置であり、780nm 波長
選択の波長フィルタ14aを備えた光トランジスタＴａ及
び多層膜13a を含み、多層膜13a から光を出射させる構
造のレーザ素子で構成されている。面発光レーザ装置Ｌ
ｂ，Ｌｃ及びＬｄは、夫々815nm,850nm 及び885nm 波長
選択の波長フィルタ14b,14c 及び14d を設け、夫々の電
極17ａ，17ｂ，17ｃ，17ｄを有する光トランジスタＴ
ｂ，Ｔｃ及びＴｄ、並びに多層膜13b,13c 及び13d を備
えており、基板１の下面には面発光レーザ装置Ｌａ，Ｌ
ｂ，Ｌｃ，Ｌｄに共用の電極を備えている。このような
２次元的に２×２で配設された面発光レーザ装置の光ト
ランジスタＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ及びＴｄに、例えば780nm
波長の光Ｄ1 を照射した場合は、光トランジスタＴａの
波長フィルタ14a だけを光Ｄ1 が透過し、多層膜13a か
らの発光だけが得られる。また、780nm の光Ｄ1 及び88
5nm 波長の光Ｄ2 を照射した場合は、光トランジスタＴ
ａ及びＴｄの波長フィルタ14a 及び14d を光が透過し、
多層膜13a 及び13d からの発光が得られる。このよう
に、異なる波長選択性を有する波長フィルタを備えるこ
とにより、入射した光の波長情報を発光パターンの情報
に変換することができる。
面に基づいて具体的に説明する。図７は、第２実施例の
面発光レーザ装置の構造を示す模式的平面図である。図
中Ｌａは上述した面発光レーザ装置であり、780nm 波長
選択の波長フィルタ14aを備えた光トランジスタＴａ及
び多層膜13a を含み、多層膜13a から光を出射させる構
造のレーザ素子で構成されている。面発光レーザ装置Ｌ
ｂ，Ｌｃ及びＬｄは、夫々815nm,850nm 及び885nm 波長
選択の波長フィルタ14b,14c 及び14d を設け、夫々の電
極17ａ，17ｂ，17ｃ，17ｄを有する光トランジスタＴ
ｂ，Ｔｃ及びＴｄ、並びに多層膜13b,13c 及び13d を備
えており、基板１の下面には面発光レーザ装置Ｌａ，Ｌ
ｂ，Ｌｃ，Ｌｄに共用の電極を備えている。このような
２次元的に２×２で配設された面発光レーザ装置の光ト
ランジスタＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ及びＴｄに、例えば780nm
波長の光Ｄ1 を照射した場合は、光トランジスタＴａの
波長フィルタ14a だけを光Ｄ1 が透過し、多層膜13a か
らの発光だけが得られる。また、780nm の光Ｄ1 及び88
5nm 波長の光Ｄ2 を照射した場合は、光トランジスタＴ
ａ及びＴｄの波長フィルタ14a 及び14d を光が透過し、
多層膜13a 及び13d からの発光が得られる。このよう
に、異なる波長選択性を有する波長フィルタを備えるこ
とにより、入射した光の波長情報を発光パターンの情報
に変換することができる。
【００２８】次に、第３実施例をこれを示す図面に基づ
いて具体的に説明する。図８は、第３実施例の面発光レ
ーザ装置の構造を示す模式的平面図である。光トランジ
スタＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ及びＴｄの電極17が共通電極であ
る以外は図７と同様であり、その説明を省略する。この
ような構造の面発光レーザ装置に、例えば780nm 波長の
光Ｄ1 を照射した場合は、光トランジスタＴａの波長フ
ィルタ14a だけを光Ｄ1 が透過し、多層膜13a からの発
光だけが得られる。また、885nm波長の光Ｄ2 を照射し
た場合は、光トランジスタＴｄの波長フィルタ14d だけ
を光Ｄ2 が透過し、多層膜13d からの発光が得られる。
さらに、780nm の光Ｄ1 及び885nm 波長の光Ｄ2 を同時
に照射した場合は、多層膜13a 及び13d からの発光が得
られる。このような面発光レーザ装置では、１電極端子
への印加電圧による入力電気信号を光信号に変換し、ま
た、その光信号の伝播方向を光Ｄ1 , Ｄ2 等の制御光の
波長により、空間的に制御することができる。
いて具体的に説明する。図８は、第３実施例の面発光レ
ーザ装置の構造を示す模式的平面図である。光トランジ
スタＴａ，Ｔｂ，Ｔｃ及びＴｄの電極17が共通電極であ
る以外は図７と同様であり、その説明を省略する。この
ような構造の面発光レーザ装置に、例えば780nm 波長の
光Ｄ1 を照射した場合は、光トランジスタＴａの波長フ
ィルタ14a だけを光Ｄ1 が透過し、多層膜13a からの発
光だけが得られる。また、885nm波長の光Ｄ2 を照射し
た場合は、光トランジスタＴｄの波長フィルタ14d だけ
を光Ｄ2 が透過し、多層膜13d からの発光が得られる。
さらに、780nm の光Ｄ1 及び885nm 波長の光Ｄ2 を同時
に照射した場合は、多層膜13a 及び13d からの発光が得
られる。このような面発光レーザ装置では、１電極端子
への印加電圧による入力電気信号を光信号に変換し、ま
た、その光信号の伝播方向を光Ｄ1 , Ｄ2 等の制御光の
波長により、空間的に制御することができる。
【００２９】次に、第４実施例をこれを示す図面に基づ
き具体的に説明する。図９は、第１発明の面発光レーザ
装置の構造を示す模式的断面図である。この面発光レー
ザ装置は、コレクタ層９2 ，ベース層102 ，エミッタ層
112 及びコンタクト層122 で構成された光トランジスタ
Ｔ2 が、多層膜13が設けられた側と反対側のｎ型電極16
2 の表面に備えられている。これ以外は、上述の面発光
レーザ装置と同様であり、対応する部分に同符号を付
し、説明を省略する。このような構造の面発光レーザ装
置では、ｎ型電極162 側に形成された波長フィルタ142
へ光が入射し、波長フィルタ142 を透過することによ
り、多層膜13から入射方向と同方向への光を出射する。
き具体的に説明する。図９は、第１発明の面発光レーザ
装置の構造を示す模式的断面図である。この面発光レー
ザ装置は、コレクタ層９2 ，ベース層102 ，エミッタ層
112 及びコンタクト層122 で構成された光トランジスタ
Ｔ2 が、多層膜13が設けられた側と反対側のｎ型電極16
2 の表面に備えられている。これ以外は、上述の面発光
レーザ装置と同様であり、対応する部分に同符号を付
し、説明を省略する。このような構造の面発光レーザ装
置では、ｎ型電極162 側に形成された波長フィルタ142
へ光が入射し、波長フィルタ142 を透過することによ
り、多層膜13から入射方向と同方向への光を出射する。
【００３０】このような面発光レーザ装置を用いて２次
元レーザアレイの面発光レーザ装置を形成した場合は、
光を出射すべき方向と同方向の入射光の波長情報を伝達
することができる、即ち情報を伝達すべき伝達路を入射
光が遮ることなく、その反対側から光を入射させること
ができる。また、光を発光する多層膜13と光トランジス
タＴ2 との面方向距離は、多層膜13と同側に光トランジ
スタＴ1 を備えた場合よりも短くできるので、面発光レ
ーザ装置を小型化することができる。
元レーザアレイの面発光レーザ装置を形成した場合は、
光を出射すべき方向と同方向の入射光の波長情報を伝達
することができる、即ち情報を伝達すべき伝達路を入射
光が遮ることなく、その反対側から光を入射させること
ができる。また、光を発光する多層膜13と光トランジス
タＴ2 との面方向距離は、多層膜13と同側に光トランジ
スタＴ1 を備えた場合よりも短くできるので、面発光レ
ーザ装置を小型化することができる。
【００３１】次に、第５実施例をこれを示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１０は、第１発明の面発光レー
ザ装置の構造を示す模式的断面図である。この面発光レ
ーザ装置は、光を出射する多層膜13と同側のｐ型電極16
1 上に、コレクタ層９1 ，ベース層101 ，エミッタ層11
1 及びコンタクト層121 で構成された光トランジスタＴ
1 が備えられ、反対側のｎ型電極162 表面に、コレクタ
層９2，ベース層102 ，エミッタ層112 及びコンタクト
層122 で構成された光トランジスタＴ2 が備えられてい
る。これ以外は、第１実施例の面発光レーザ装置と同様
であり、対応する部分に同符号を付し、説明を省略す
る。このような構造の面発光レーザ装置では、ｐ型電極
161 側に形成された波長フィルタ141 と、ｎ型電極162
側に形成された波長フィルタ142 とから光が入射し、波
長フィルタ141 , 14 2 を透過することにより、多層膜13
から発光する。
き具体的に説明する。図１０は、第１発明の面発光レー
ザ装置の構造を示す模式的断面図である。この面発光レ
ーザ装置は、光を出射する多層膜13と同側のｐ型電極16
1 上に、コレクタ層９1 ，ベース層101 ，エミッタ層11
1 及びコンタクト層121 で構成された光トランジスタＴ
1 が備えられ、反対側のｎ型電極162 表面に、コレクタ
層９2，ベース層102 ，エミッタ層112 及びコンタクト
層122 で構成された光トランジスタＴ2 が備えられてい
る。これ以外は、第１実施例の面発光レーザ装置と同様
であり、対応する部分に同符号を付し、説明を省略す
る。このような構造の面発光レーザ装置では、ｐ型電極
161 側に形成された波長フィルタ141 と、ｎ型電極162
側に形成された波長フィルタ142 とから光が入射し、波
長フィルタ141 , 14 2 を透過することにより、多層膜13
から発光する。
【００３２】このような面発光レーザ装置を用いて２次
元レーザアレイの面発光レーザ装置を形成した場合は、
さらに多くのパターンの波長情報を発光パターンの情報
に変換することができる。
元レーザアレイの面発光レーザ装置を形成した場合は、
さらに多くのパターンの波長情報を発光パターンの情報
に変換することができる。
【００３３】次に、第６実施例をこれを示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１１(a) は、第６実施例の面発
光レーザ装置を示す模式的正面図であり、(b)は、その
模式的平面図である。図中21は２×２の面発光レーザ装
置であり、光トランジスタに波長フィルタを設けていな
いこと以外は、上述した図７に示す本発明の２次元面発
光レーザ装置と同構造のものである。面発光レーザ装置
21上には、表面にフィルタＦ1 ，Ｆ1 を形成したガラス
基板22及びフィルタＦ2 ，Ｆ2 を形成したガラス基板23
が、面発光レーザ装置21に備えられた光トランジスタの
受光面に対向させて積層されている。
き具体的に説明する。図１１(a) は、第６実施例の面発
光レーザ装置を示す模式的正面図であり、(b)は、その
模式的平面図である。図中21は２×２の面発光レーザ装
置であり、光トランジスタに波長フィルタを設けていな
いこと以外は、上述した図７に示す本発明の２次元面発
光レーザ装置と同構造のものである。面発光レーザ装置
21上には、表面にフィルタＦ1 ，Ｆ1 を形成したガラス
基板22及びフィルタＦ2 ，Ｆ2 を形成したガラス基板23
が、面発光レーザ装置21に備えられた光トランジスタの
受光面に対向させて積層されている。
【００３４】図１２(a) ，(b) は、表面にフィルタ
Ｆ1 ，Ｆ1 を形成したガラス基板22の形成過程を示した
模式的正面図であり、図１２(c) はその模式的平面図で
ある。図１２(a) に示すように、光を透過するガラス基
板22上にλ1 の光を透過させる波長フィルタを堆積す
る。フォトリソグラフィにより、図１２(b) ，(c) に示
すように、面発光レーザ装置21の光トランジスタの位置
に対応させて波長フィルタＦ 1 ，Ｆ1 を形成する。この
ように形成されたガラス基板22と、同様にλ2 の光を透
過させる波長フィルタＦ2 ，Ｆ2 が形成されたガラス基
板23とを積層し、波長フィルタ基板24を形成する。そし
て、図１１(a) に示すように、面発光レーザ装置21上に
波長フィルタ基板24を積載し接着する。このガラス基板
22,23 の接着及び２次元面発光レーザ装置21と波長フィ
ルタ24との接着には、例えばUV硬化樹脂が用いられる。
Ｆ1 ，Ｆ1 を形成したガラス基板22の形成過程を示した
模式的正面図であり、図１２(c) はその模式的平面図で
ある。図１２(a) に示すように、光を透過するガラス基
板22上にλ1 の光を透過させる波長フィルタを堆積す
る。フォトリソグラフィにより、図１２(b) ，(c) に示
すように、面発光レーザ装置21の光トランジスタの位置
に対応させて波長フィルタＦ 1 ，Ｆ1 を形成する。この
ように形成されたガラス基板22と、同様にλ2 の光を透
過させる波長フィルタＦ2 ，Ｆ2 が形成されたガラス基
板23とを積層し、波長フィルタ基板24を形成する。そし
て、図１１(a) に示すように、面発光レーザ装置21上に
波長フィルタ基板24を積載し接着する。このガラス基板
22,23 の接着及び２次元面発光レーザ装置21と波長フィ
ルタ24との接着には、例えばUV硬化樹脂が用いられる。
【００３５】このように製造される２次元面発光レーザ
装置では、光トランジスタのような受光導電素子に波長
選択性を与える波長フィルタが別の基板上に形成される
ので、波長フィルタが面発光レーザ装置とは別の工程で
形成でき、作製が容易である。このような２次元面発光
レーザ装置に波長が制御された光を照射して、特定の面
発光レーザ素子からの発光を得ることができる。
装置では、光トランジスタのような受光導電素子に波長
選択性を与える波長フィルタが別の基板上に形成される
ので、波長フィルタが面発光レーザ装置とは別の工程で
形成でき、作製が容易である。このような２次元面発光
レーザ装置に波長が制御された光を照射して、特定の面
発光レーザ素子からの発光を得ることができる。
【００３６】次に、第７実施例をこれを示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１３は、第７実施例の面発光レ
ーザ装置の構造を示す模式的斜視図である。図１４(a)
は図１３のIV−IV線から見た断面図であり、(b) は図１
３のα部分の模式的平面図である。図１３に示すよう
に、Ｍは従来の２×２の面発光レーザ装置であり、サブ
マウント基板となる半絶縁性のＳｉ基板31中央に形成さ
れたAuパッドＰ1 に下層の電極162 （図１４（ａ））を
接触させて実装形成される。面発光レーザ装置Ｍは、Ｍ
1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 夫々が、最上層に形成された電極
161から電流ブロック層７ａに到達する深さまでの分離
溝Ａにより電気的に独立している。
き具体的に説明する。図１３は、第７実施例の面発光レ
ーザ装置の構造を示す模式的斜視図である。図１４(a)
は図１３のIV−IV線から見た断面図であり、(b) は図１
３のα部分の模式的平面図である。図１３に示すよう
に、Ｍは従来の２×２の面発光レーザ装置であり、サブ
マウント基板となる半絶縁性のＳｉ基板31中央に形成さ
れたAuパッドＰ1 に下層の電極162 （図１４（ａ））を
接触させて実装形成される。面発光レーザ装置Ｍは、Ｍ
1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 夫々が、最上層に形成された電極
161から電流ブロック層７ａに到達する深さまでの分離
溝Ａにより電気的に独立している。
【００３７】そして、Ｓｉ基板31上に光トランジスタｔ
1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，ｔ4 が、面発光レーザ装置Ｍ1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 夫々に対応させて形成されている。光
トランジスタｔ1 は、図１４(b) に示すように、基板３
１内にｎ+ 型のコレクタ３２が形成され、順次ｎ型のコ
レクタ３３、ｐ型のベース３４、ｎ型のエミッタ３５が
形成されている。そして、ｎ+ 型のコレクタ３２にコレ
クタ電極３８が形成され、ｎ型のエミッタ３５にエミッ
タ電極３７がＳｉＯ2 膜３６を介して形成されている。
そして、この光トランジスタｔ1 上に誘電体多層膜から
なる波長フィルタ３９が積層され、特定波長の光だけが
透過するようになっている。この波長フィルタ３９は、
図１４(b) では省略されている。このように形成された
光トランジスタｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，ｔ4 の夫々のエミッ
タ電極３７と、面発光レーザ装置Ｍ1，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ
4 の夫々の電極１６1 とが、AuワイヤＹ1 ，Ｙ2 ，
Ｙ3 ，Ｙ4により接続されている。
1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，ｔ4 が、面発光レーザ装置Ｍ1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 夫々に対応させて形成されている。光
トランジスタｔ1 は、図１４(b) に示すように、基板３
１内にｎ+ 型のコレクタ３２が形成され、順次ｎ型のコ
レクタ３３、ｐ型のベース３４、ｎ型のエミッタ３５が
形成されている。そして、ｎ+ 型のコレクタ３２にコレ
クタ電極３８が形成され、ｎ型のエミッタ３５にエミッ
タ電極３７がＳｉＯ2 膜３６を介して形成されている。
そして、この光トランジスタｔ1 上に誘電体多層膜から
なる波長フィルタ３９が積層され、特定波長の光だけが
透過するようになっている。この波長フィルタ３９は、
図１４(b) では省略されている。このように形成された
光トランジスタｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，ｔ4 の夫々のエミッ
タ電極３７と、面発光レーザ装置Ｍ1，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ
4 の夫々の電極１６1 とが、AuワイヤＹ1 ，Ｙ2 ，
Ｙ3 ，Ｙ4により接続されている。
【００３８】以上の如き構造の２次元面発光レーザ装置
では、受光導電素子である光トランジスタが形成された
Ｓｉ基板上に面発光レーザ素子が形成されるので、受光
導電素子を２次元面発光レーザ素子とは別の工程で形成
でき、作製が容易になる。また、Ｓｉ基板上に受光導電
素子を形成するときに、受光導電素子，駆動回路等の電
子回路の集積が容易になる。このような２次元面発光レ
ーザ装置に波長が制御された光を照射して、特定の面発
光レーザ素子からの発光を得ることができる。
では、受光導電素子である光トランジスタが形成された
Ｓｉ基板上に面発光レーザ素子が形成されるので、受光
導電素子を２次元面発光レーザ素子とは別の工程で形成
でき、作製が容易になる。また、Ｓｉ基板上に受光導電
素子を形成するときに、受光導電素子，駆動回路等の電
子回路の集積が容易になる。このような２次元面発光レ
ーザ装置に波長が制御された光を照射して、特定の面発
光レーザ素子からの発光を得ることができる。
【００３９】上述の２次元面発光レーザ装置はジャンク
ションアップ型であるが、第７実施例の別のタイプ即ち
ジャンクションダウン型の２次元面発光レーザ装置につ
いて以下に説明する。
ションアップ型であるが、第７実施例の別のタイプ即ち
ジャンクションダウン型の２次元面発光レーザ装置につ
いて以下に説明する。
【００４０】図１５は、ジャンクションダウン型の２×
２の２次元面発光レーザ装置の構造を示す模式的斜視図
である。図１６(a) は図１５のＶ−Ｖ線から見た模式的
断面図であり、(b) は図１５のβ部分の模式的平面図で
ある。図１５に示すように、Ｗは従来の２×２の面発光
レーザ装置であり、サブマウント基板となる半絶縁性の
Ｓｉ基板31中央に実装形成される。面発光レーザ装置Ｗ
は、Ｗ1 ，Ｗ2 ，Ｗ3，Ｗ4 夫々が、最下層の電極54か
ら電流ブロック層48に到達する深さまでの分離溝Ｂによ
り電気的に独立している。
２の２次元面発光レーザ装置の構造を示す模式的斜視図
である。図１６(a) は図１５のＶ−Ｖ線から見た模式的
断面図であり、(b) は図１５のβ部分の模式的平面図で
ある。図１５に示すように、Ｗは従来の２×２の面発光
レーザ装置であり、サブマウント基板となる半絶縁性の
Ｓｉ基板31中央に実装形成される。面発光レーザ装置Ｗ
は、Ｗ1 ，Ｗ2 ，Ｗ3，Ｗ4 夫々が、最下層の電極54か
ら電流ブロック層48に到達する深さまでの分離溝Ｂによ
り電気的に独立している。
【００４１】この２次元面発光レーザ素子の１素子であ
るＷ1 は、図１６(a) に示すように、基板41側から発光
する埋め込みＤＢＲ構造である。まず、この面発光レー
ザ装置Ｗを形成する過程を説明する。図１７は、面発光
レーザ装置Ｗ1 を形成する過程を示した模式的断面図で
あり、図１７(a) に示されるように、ｎ−ＧａＡｓの基
板41上に、ＭＯＣＶＤ成長法によりｎ−ＧａＡｓからな
るバッファ層42、ｎ−Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓからなるク
ラッド層43、ｐ−ＧａＡｓからなる活性層44、ｐ−Ｇａ
0.65Ａｌ0.35Ａｓからなるクラッド層45、ｐ−Ｇａ0.94
Ａｌ0.06Ａｓからなるキャップ層46及びｐ−Ｇａ0.55Ａ
ｌ0.45Ａｓ層からなるマスク層47をこの順に積層する。
そして、硫酸系エッチャントを用いて活性層44のクラッ
ド層43に達しない深さまでウェットエッチングを行い、
素子の中央より端部側にメサ部を形成する。
るＷ1 は、図１６(a) に示すように、基板41側から発光
する埋め込みＤＢＲ構造である。まず、この面発光レー
ザ装置Ｗを形成する過程を説明する。図１７は、面発光
レーザ装置Ｗ1 を形成する過程を示した模式的断面図で
あり、図１７(a) に示されるように、ｎ−ＧａＡｓの基
板41上に、ＭＯＣＶＤ成長法によりｎ−ＧａＡｓからな
るバッファ層42、ｎ−Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓからなるク
ラッド層43、ｐ−ＧａＡｓからなる活性層44、ｐ−Ｇａ
0.65Ａｌ0.35Ａｓからなるクラッド層45、ｐ−Ｇａ0.94
Ａｌ0.06Ａｓからなるキャップ層46及びｐ−Ｇａ0.55Ａ
ｌ0.45Ａｓ層からなるマスク層47をこの順に積層する。
そして、硫酸系エッチャントを用いて活性層44のクラッ
ド層43に達しない深さまでウェットエッチングを行い、
素子の中央より端部側にメサ部を形成する。
【００４２】次いで、図１７(b) に示すように、メルト
バックによりメサ部の周囲に残存する活性層44を除去し
てクラッド層43を露出させ、このクラッド層43上にＬＰ
Ｅ法（液相エピタキシャル成長法）により、メサ部を埋
め込む様態にてｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓからなるの電
流ブロック層48、その上にｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 Ａｓか
らなる電流ブロック層49を成長させる。
バックによりメサ部の周囲に残存する活性層44を除去し
てクラッド層43を露出させ、このクラッド層43上にＬＰ
Ｅ法（液相エピタキシャル成長法）により、メサ部を埋
め込む様態にてｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓからなるの電
流ブロック層48、その上にｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 Ａｓか
らなる電流ブロック層49を成長させる。
【００４３】そして、マスク層47を除去した後、再びＭ
ＯＣＶＤ成長法により、図１７(c)に示すように、キャ
ップ層46及び電流ブロック層49上にｐ−Ｇａ0.94Ａｌ
0.06Ａｓからなるバッファ層50を形成し、その上にＧａ
0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ／Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓの25ペアから
なるｐ型半導体多層膜51を積層し、その上にｐ−ＧａＡ
ｓのコンタクト層52を形成する。
ＯＣＶＤ成長法により、図１７(c)に示すように、キャ
ップ層46及び電流ブロック層49上にｐ−Ｇａ0.94Ａｌ
0.06Ａｓからなるバッファ層50を形成し、その上にＧａ
0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ／Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓの25ペアから
なるｐ型半導体多層膜51を積層し、その上にｐ−ＧａＡ
ｓのコンタクト層52を形成する。
【００４４】次に、図１７(d) に示すように、基板41及
びバッファ層42の中央部分を開口し、ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ
2 の４ペアからなる誘電体多層膜53を形成し、さらに、
ウェットエッチングにより電流ブロック層48に到達する
深さまでの分離溝Ｂをエッチング形成した後、基板41の
下側にｎ型電極55を、コンタクト層52の上にｐ型電極54
を形成する。このように、面発光レーザＷ1 ，Ｗ2 ，Ｗ
3 ，Ｗ4 が２次元で２×２に形成され、電極52は面発光
レーザＷ1 ，Ｗ2 …各別に、電極55は面発光レーザ素子
Ｗ1 ，Ｗ2 …に共通に形成される。図１８及び図１９
は、反射鏡となるｐ型半導体多層膜51及び誘電体多層膜
53の夫々の反射特性を示したグラフであり、横軸は光の
波長を、縦軸は反射率を表している。このように、誘電
体多層膜53の反射率をｐ型半導体多層膜51よりも低くす
ることにより、２×２の２次元面発光レーザ素子Ｗの基
板41側からの発光が可能となる。
びバッファ層42の中央部分を開口し、ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ
2 の４ペアからなる誘電体多層膜53を形成し、さらに、
ウェットエッチングにより電流ブロック層48に到達する
深さまでの分離溝Ｂをエッチング形成した後、基板41の
下側にｎ型電極55を、コンタクト層52の上にｐ型電極54
を形成する。このように、面発光レーザＷ1 ，Ｗ2 ，Ｗ
3 ，Ｗ4 が２次元で２×２に形成され、電極52は面発光
レーザＷ1 ，Ｗ2 …各別に、電極55は面発光レーザ素子
Ｗ1 ，Ｗ2 …に共通に形成される。図１８及び図１９
は、反射鏡となるｐ型半導体多層膜51及び誘電体多層膜
53の夫々の反射特性を示したグラフであり、横軸は光の
波長を、縦軸は反射率を表している。このように、誘電
体多層膜53の反射率をｐ型半導体多層膜51よりも低くす
ることにより、２×２の２次元面発光レーザ素子Ｗの基
板41側からの発光が可能となる。
【００４５】この面発光レーザの各層の成分組成，膜厚
及びキャリア濃度の具体的な数値例を以下に示す。 ｎ型バッファ層42…ｎ−ＧａＡｓ， 1.0μｍ クラッド層43…ｎ−Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓ， 3.0μｍ 活性層44…ｐ−ＧａＡｓ， 2.0μｍ クラッド層45…ｐ−Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓ， 0.5μｍ キャップ層46…ｐ−Ｇａ0.94Ａｌ0.06Ａｓ， 0.5μｍ マスク層47…ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓ， 0.25μｍ 電流ブロック層48…ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓ，1.3 〜
1,5 μｍ 電流ブロック層49…ｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 Ａｓ， 〜0.
5 μｍ ｐ型バッファ層50…ｎ−Ｇａ0.94Ａｌ0.06Ａｓ， 0.5μ
ｍ ｐ型半導体多層膜51…Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ，70ｎｍ／
Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ，64ｎｍ，25ペア コンタクト層52…ｐ−ＧａＡｓ， 0.3μｍ 誘電体多層膜53…ＳｉＯ2 ，163 ｎｍ／ＴｉＯ2 ，98ｎ
ｍ，４ペア
及びキャリア濃度の具体的な数値例を以下に示す。 ｎ型バッファ層42…ｎ−ＧａＡｓ， 1.0μｍ クラッド層43…ｎ−Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓ， 3.0μｍ 活性層44…ｐ−ＧａＡｓ， 2.0μｍ クラッド層45…ｐ−Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓ， 0.5μｍ キャップ層46…ｐ−Ｇａ0.94Ａｌ0.06Ａｓ， 0.5μｍ マスク層47…ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓ， 0.25μｍ 電流ブロック層48…ｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓ，1.3 〜
1,5 μｍ 電流ブロック層49…ｎ−Ｇａ0.7 Ａｌ0.3 Ａｓ， 〜0.
5 μｍ ｐ型バッファ層50…ｎ−Ｇａ0.94Ａｌ0.06Ａｓ， 0.5μ
ｍ ｐ型半導体多層膜51…Ｇａ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ，70ｎｍ／
Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 Ａｓ，64ｎｍ，25ペア コンタクト層52…ｐ−ＧａＡｓ， 0.3μｍ 誘電体多層膜53…ＳｉＯ2 ，163 ｎｍ／ＴｉＯ2 ，98ｎ
ｍ，４ペア
【００４６】以上のように形成された２×２の面発光レ
ーザ素子は、図１５に示すように、電極55側を上側とな
るようにＳｉ基板31上中央に実装形成される。Ｓｉ基板
31上には、上述のジャンクションアップタイプの面発光
レーザ装置（図１３）と同様の、波長フィルタを備える
光トランジスタｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，ｔ4 が形成されてお
り、面発光レーザ素子Ｗの電極54はエミッタ電極37，37
…と接続される。また、Ｓｉ基板31上に形成されたAuパ
ッドＰ2 と面発光レーザ素子Ｗの最上層の電極55とがAu
ワイヤＹ5 により接続されている。
ーザ素子は、図１５に示すように、電極55側を上側とな
るようにＳｉ基板31上中央に実装形成される。Ｓｉ基板
31上には、上述のジャンクションアップタイプの面発光
レーザ装置（図１３）と同様の、波長フィルタを備える
光トランジスタｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，ｔ4 が形成されてお
り、面発光レーザ素子Ｗの電極54はエミッタ電極37，37
…と接続される。また、Ｓｉ基板31上に形成されたAuパ
ッドＰ2 と面発光レーザ素子Ｗの最上層の電極55とがAu
ワイヤＹ5 により接続されている。
【００４７】このような構造の２次元面発光レーザ装置
は、製造工程とは別の工程で受光導電素子を形成できる
ので、作製が容易になり、波長が制御された光を照射し
た場合に、特定の面発光レーザ素子からの発光を得るこ
とができる。
は、製造工程とは別の工程で受光導電素子を形成できる
ので、作製が容易になり、波長が制御された光を照射し
た場合に、特定の面発光レーザ素子からの発光を得るこ
とができる。
【００４８】なお、第７実施例の光トランジスタｔ1 ，
ｔ2 …に設けられている波長フィルタ39，39…（図１
３，図１５）は、上述の第６実施例に示したように、別
の工程で波長フィルタを基板上に形成した波長フィルタ
基板24（図１１）を、光トランジスタｔ1 ，ｔ2 …上に
設けても良い。このとき、波長フィルタ基板24の中央部
分に孔部を形成し、面発光レーザ素子Ｍ又は面発光レー
ザ素子Ｗが波長フィルタ基板24に接触しないように、孔
部内に位置させる。
ｔ2 …に設けられている波長フィルタ39，39…（図１
３，図１５）は、上述の第６実施例に示したように、別
の工程で波長フィルタを基板上に形成した波長フィルタ
基板24（図１１）を、光トランジスタｔ1 ，ｔ2 …上に
設けても良い。このとき、波長フィルタ基板24の中央部
分に孔部を形成し、面発光レーザ素子Ｍ又は面発光レー
ザ素子Ｗが波長フィルタ基板24に接触しないように、孔
部内に位置させる。
【００４９】なお、本実施例では波長フィルタ14にＳｉ
Ｏ2 ／ＴｉＯ2 の多層膜を用いた場合を説明したが、こ
れに限るものではなく、他の誘電体材料多層膜又はＧａ
ＡｌＡｓ／ＡｌＡｓのような半導体多層膜，有機色素等
を用いても良い。
Ｏ2 ／ＴｉＯ2 の多層膜を用いた場合を説明したが、こ
れに限るものではなく、他の誘電体材料多層膜又はＧａ
ＡｌＡｓ／ＡｌＡｓのような半導体多層膜，有機色素等
を用いても良い。
【００５０】また、本実施例では受光導電素子として、
光トランジスタを用いた場合を説明しているが、これに
限るものではなく、例えば光ダイオードのような入光に
より電流を流すものであれば良い。
光トランジスタを用いた場合を説明しているが、これに
限るものではなく、例えば光ダイオードのような入光に
より電流を流すものであれば良い。
【００５１】さらに、本実施例では、面発光レーザ素子
の同一電極側に１つの受光導電素子を形成しているが、
これに限るものではなく、同一電極側に複数の受光導電
素子をその電極が直列に接続される様態で形成しても良
い。このような面発光レーザ装置を用いて２次元レーザ
アレイの面発光レーザ装置を形成した場合は、さらに多
くのパターンの波長情報を発光パターンの情報に変換す
ることができる。
の同一電極側に１つの受光導電素子を形成しているが、
これに限るものではなく、同一電極側に複数の受光導電
素子をその電極が直列に接続される様態で形成しても良
い。このような面発光レーザ装置を用いて２次元レーザ
アレイの面発光レーザ装置を形成した場合は、さらに多
くのパターンの波長情報を発光パターンの情報に変換す
ることができる。
【００５２】さらにまた、本実施例では面発光レーザ素
子の構造として、活性層埋め込み型構造のものを用いて
説明しているが、これに限るものではなく、セルフアラ
イン型のものを用いても良く、また、電流ブロック層が
活性層の下層側に形成された構造のものでも良い。
子の構造として、活性層埋め込み型構造のものを用いて
説明しているが、これに限るものではなく、セルフアラ
イン型のものを用いても良く、また、電流ブロック層が
活性層の下層側に形成された構造のものでも良い。
【００５３】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、面発
光レーザ素子に設けられた受光導電素子へ光を照射し、
この光の入射に応じて面発光レーザ素子が発光する。こ
のような面発光レーザ装置を２次元的に配設し、受光導
電素子へ光を照射して、発光パターンを形成することに
より、光情報処理システムへの応用が可能となる。ま
た、受光導電素子に波長フィルタを設けることにより、
特定のレーザ素子を発光させることができ、入射した光
の波長情報を発光パターンの情報に変換することができ
る、さらに受光導電素子を形成した基板上に電極を同じ
くして面発光レーザ素子を搭載することにより、またさ
らに、波長フィルタを形成した波長フィルタ基板を受光
導電素子上に備えることにより、面発光レーザ装置の製
造が容易になる等、本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
光レーザ素子に設けられた受光導電素子へ光を照射し、
この光の入射に応じて面発光レーザ素子が発光する。こ
のような面発光レーザ装置を２次元的に配設し、受光導
電素子へ光を照射して、発光パターンを形成することに
より、光情報処理システムへの応用が可能となる。ま
た、受光導電素子に波長フィルタを設けることにより、
特定のレーザ素子を発光させることができ、入射した光
の波長情報を発光パターンの情報に変換することができ
る、さらに受光導電素子を形成した基板上に電極を同じ
くして面発光レーザ素子を搭載することにより、またさ
らに、波長フィルタを形成した波長フィルタ基板を受光
導電素子上に備えることにより、面発光レーザ装置の製
造が容易になる等、本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
【図１】本発明の第１実施例の面発光レーザ装置の構造
を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図である。
【図２】第１実施例の面発光レーザ装置の作成段階にお
ける構造を示す模式的断面図である。
ける構造を示す模式的断面図である。
【図３】第１実施例の面発光レーザ装置の作成段階にお
ける構造を示す模式的断面図である。
ける構造を示す模式的断面図である。
【図４】第１実施例の面発光レーザ装置の作成段階にお
ける構造を示す模式的断面図である。
ける構造を示す模式的断面図である。
【図５】第１実施例の面発光レーザ装置の作成段階にお
ける構造を示す模式的断面図である。
ける構造を示す模式的断面図である。
【図６】波長フィルタの光の波長に対する透過特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】第２実施例の面発光レーザ装置の構造を示す模
式的平面図である。
式的平面図である。
【図８】第３実施例の面発光レーザ装置の構造を示す模
式的平面図である。
式的平面図である。
【図９】第４実施例の面発光レーザ装置の構造を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図１０】第５実施例の面発光レーザ装置の構造を示す
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図１１】(a) は第６実施例の面発光レーザ装置を示す
模式的正面図であり、(b) はその平面図である。
模式的正面図であり、(b) はその平面図である。
【図１２】(a) ，(b) は第６実施例に係るフィルタ基板
を作成する過程を示す模式的正面図であり、(c) はその
模式的平面図である。
を作成する過程を示す模式的正面図であり、(c) はその
模式的平面図である。
【図１３】第７実施例の面発光レーザ装置を示す模式的
斜視図である。
斜視図である。
【図１４】(a) は図１３のVI−VI線から見た断面図であ
り、(b) はαの模式的平面図である。
り、(b) はαの模式的平面図である。
【図１５】第７実施例の別のタイプの面発光レーザ装置
を示す模式的斜視図である。
を示す模式的斜視図である。
【図１６】(a) は図１５のＶ−Ｖ線から見た断面図であ
り、(b) はβの模式的平面図である。
り、(b) はβの模式的平面図である。
【図１７】第７実施例に係る２次元面発光レーザ素子を
形成する過程を示した模式的断面図である。
形成する過程を示した模式的断面図である。
【図１８】ｐ型半導体多層膜の反射特性を示したグラフ
である。
である。
【図１９】誘電体多層膜の反射特性を示したグラフであ
る。
る。
【図２０】従来の面発光レーザ装置の構造を示す模式的
断面図である。
断面図である。
【図２１】２次元レーザアレイの構造を示す模式的斜視
図である。
図である。
１，41 基板 ３，43 クラッド層 ４，44 活性層 ５，45 クラッド層 ６，46 キャップ層 ７，48 ブロック層 12，52 コンタクト層 13，51 多層膜 14 波長フィルタ 161 , 162 ，54，55 電極 24 波長フィルタ基板 Ｔ，ｔ 光トランジスタ Ｌ，Ｍ，Ｗ 面発光レーザ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−121723（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−243552（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−44086（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−215836（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−249368（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (7)
- 【請求項１】 電極に電圧を印加して、活性層に電流を
注入し発光する面発光レーザ素子で構成される面発光レ
ーザ装置において、 光の入射により前記活性層に電流を流す受光導電素子
を、前記面発光レーザ素子の電極が前記受光導電素子の
電極となるように備え、光波長選択性を有する波長フィ
ルタを、前記受光導電素子に設け、前記波長フィルタを
備えた基板を前記受光導電素子に設けたことを特徴とす
る面発光レーザ装置。 - 【請求項２】 電極に電圧を印加して、活性層に電流を
注入し発光する面発光レーザ素子の複数を２次元的に配
設した面発光レーザ装置において、 光の入射により前記活性層に電流を流す複数の受光導電
素子を、前記面発光レーザ素子夫々の電極が前記受光導
電素子の電極となるように備え、光波長選択性を有する
波長フィルタを、前記受光導電素子に設け、前記波長フ
ィルタを備えた基板を前記受光導電素子に設けたことを
特徴とする面発光レーザ装置。 - 【請求項３】 前記受光導電素子を備えた基板に前記面
発光レーザ素子を設けてあることを特徴とする請求項１
又は２記載の面発光レーザ装置。 - 【請求項４】 前記複数の受光導電素子の対をなす電極
のうち、少なくとも一側の電極が共通であることを特徴
とする請求項２記載の面発光レーザ装置。 - 【請求項５】 電極に電圧を印加して、活性層に電流を
注入し発光する面発光レーザ素子の複数を２次元的に配
設した面発光レーザ装置において、 光の入射により前記活性層に電流を流す複数の受光導電
素子を、前記面発光レーザ素子夫々の電極が前記受光導
電素子の電極となるように備え、前記複数の受光導電素
子に、夫々異なる光波長選択性を有する波長フィルタを
備えることを特徴とする面発光レーザ装置。 - 【請求項６】 前記複数の受光導電素子の対をなす電極
のうち、少なくとも一側の電極が共通であることを特徴
とする請求項５記載の面発光レーザ装置。 - 【請求項７】 電極に電圧を印加して、活性層に電流を
注入し発光する面発光レーザ素子を形成する過程と、受
光導電素子を、その電極が前記面発光レーザ素子の電極
となるように形成する過程と、波長フィルタを備える基
板を形成する過程と、前記受光導電素子に波長フィルタ
を対応させて前記基板を受光導電素子に設ける過程とを
有することを特徴とする面発光レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08217593A JP3238979B2 (ja) | 1992-12-25 | 1993-04-08 | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-346903 | 1992-12-25 | ||
| JP34690392 | 1992-12-25 | ||
| JP08217593A JP3238979B2 (ja) | 1992-12-25 | 1993-04-08 | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244502A JPH06244502A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3238979B2 true JP3238979B2 (ja) | 2001-12-17 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08217593A Expired - Fee Related JP3238979B2 (ja) | 1992-12-25 | 1993-04-08 | 面発光レーザ装置及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3238979B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP4584066B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2010-11-17 | 韓國電子通信研究院 | 光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子 |
| US8853745B2 (en) | 2009-01-20 | 2014-10-07 | Raytheon Company | Silicon based opto-electric circuits |
| US20130223846A1 (en) | 2009-02-17 | 2013-08-29 | Trilumina Corporation | High speed free-space optical communications |
| US7994550B2 (en) | 2009-05-22 | 2011-08-09 | Raytheon Company | Semiconductor structures having both elemental and compound semiconductor devices on a common substrate |
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| WO2014175901A1 (en) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | Joseph John R | Microlenses for multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation |
-
1993
- 1993-04-08 JP JP08217593A patent/JP3238979B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06244502A (ja) | 1994-09-02 |
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