JPH10242337A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number
JPH10242337A
JPH10242337A JP9038195A JP3819597A JPH10242337A JP H10242337 A JPH10242337 A JP H10242337A JP 9038195 A JP9038195 A JP 9038195A JP 3819597 A JP3819597 A JP 3819597A JP H10242337 A JPH10242337 A JP H10242337A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
lead member
semiconductor element
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9038195A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3737233B2 (ja
Inventor
Nobuhito Oouchi
伸仁 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP03819597A priority Critical patent/JP3737233B2/ja
Priority to US08/925,092 priority patent/US6181003B1/en
Priority to TW086113362A priority patent/TW351840B/zh
Priority to KR1019970060051A priority patent/KR100336147B1/ko
Priority to CN97123188A priority patent/CN1121720C/zh
Publication of JPH10242337A publication Critical patent/JPH10242337A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3737233B2 publication Critical patent/JP3737233B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止型半導体装置の占有面積を大きくす
ることなくクラックの発生を低減させる。 【解決手段】 半導体素子１０１を樹脂封止によってパ
ッケージングしてなる樹脂封止型半導体装置において、
半導体素子１０１の表面に一方の腕部１０３ａの外側面
が当接するように接着されたＪ型リード部材１０３と、
リード部材１０３の他方の腕部１０３ｂの外側面が露出
するように形成されたモールド樹脂部１０５とを少なく
とも備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子を樹
脂封止によってパッケージングしてなる樹脂封止型半導
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣカードやメモリカード等の急
速な発達などに伴って、かかるカード等に搭載される半
導体装置の薄型化や小面積化に対する要求が高まってい
る。
【０００３】このため、半導体装置のパッケージング構
造やリード部材等についても、薄型化や小面積化に対す
る要求を満たすための提案が数多くなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図６は、従来の樹脂封
止型半導体装置の構造を概念的に示す断面図である。
【０００５】同図に示したように、半導体素子６０１の
表面（素子形成面）６０１ａには、絶縁性の接着テープ
６０２によって、リード６０３が接着されている。そし
て、半導体素子６０１とリード６０３との間には、金線
６０４によるワイヤボンディングが施されている。さら
に、これら半導体素子６０１、リード６０３および金線
６０４は、モールド樹脂６０５によって封止されてい
る。ここで、このモールド樹脂６０５による封止は、リ
ード６０３のうち、先端の平板部６０３ａのみが露出す
るように行なわれている。そして、この平板部６０３ａ
とプリント基板（図示せず）のフットプリント６１０と
を半田６１１で固定することにより、半導体装置とプリ
ント基板との電気的接続が行なわれる。
【０００６】このような樹脂封止型半導体装置では、リ
ード６０３を半導体素子６０１の表面６０１ａ側に配置
することにより、半導体装置の占有面積の低減を図って
いる。また、半導体素子６０１の裏面６０１ｂを露出さ
せることによって、半導体装置の薄型化を図っている。
【０００７】しかしながら、図６に示した樹脂封止型半
導体装置には、プリント基板のフットプリント６１０と
リード６０３の平板部６０３ａとの固定に使用される半
田６１１にクラック６１１ａが発生し易いという欠点が
あった。このような、半田６１１におけるクラック６１
１ａの発生は、半導体装置の機能の低下を引き起こすも
のである。
【０００８】このクラック６１１ａの発生は、半導体装
置とプリント基板との熱膨張係数の差が大きいことや、
リード６０３とフットプリント６１０との接合強度が小
さいことが、原因となっている。
【０００９】すなわち、図６に示したような樹脂封止型
半導体装置では、占有面積を小さくするためにリード６
０３を短くしているので、半導体装置とプリント基板と
の熱膨張係数の差に起因したストレスが生じたときに、
このストレスをリード６０３で吸収することができな
い。また、このようにリード６０３を短くした場合、リ
ード６０３とフットプリント６１０との接合部の面積が
小さくなってしまうので、この接合部の強度も弱くなっ
てしまう。
【００１０】このような理由から、占有面積を大きくす
ることなくクラックの発生を低減させることができる樹
脂封止型半導体装置の登場が嘱望されていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（１）第１の発明は、半導体素子を樹脂封止によってパ
ッケージングしてなる樹脂封止型半導体装置に関するも
のである。
【００１２】そして、半導体素子の表面に第１の腕部の
外側面が当接するように接着されたＪ型またはＵ型のリ
ード部材と、このリード部材の第２の腕部の外側面が露
出するように形成された、半導体素子を封止するための
樹脂部とを少なくとも備えたことを特徴とする。
【００１３】このような構成によれば、樹脂封止型半導
体装置の占有面積を増大させることなくリード部材の長
さを大きくすることができるので、半田から半導体素子
との熱膨張率の差によるストレスを吸収しやすくするこ
とができるとともに、回路基板との接合面積を大きくす
ることができ、したがって、半田のクラックの発生を低
減させることができる。
【００１４】（２）第２の発明は、半導体素子を樹脂封
止によってパッケージングしてなる樹脂封止型半導体装
置であって、半導体素子の裏面に配置された絶縁膜の表
面に第１の腕部の外側面が当接するように接着されたＪ
型またはＵ型のリード部材と、このリード部材の第２の
腕部の外側面が露出するように形成された、半導体素子
を封止するための樹脂部とを少なくとも備えた樹脂封止
型半導体装置の製造方法に関するものである。
【００１５】そして、半導体素子の裏面に直線状のリー
ド部材を接着させる第１の工程と、半導体素子と直線状
のリード部材とに間にワイヤボンディングを施す第２の
工程と、半導体素子を封止するための樹脂部を形成する
第３の工程と、直線状のリード部材を押し曲げることに
よってＪ型またはＵ型に成形する第４の工程とを備えた
ことを特徴とする。
【００１６】このような発明によれば、第１の発明に係
る樹脂封止型半導体装置を、簡単な工程によって製造す
ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を用いて説明する。なお、図中、各構成成分
の大きさ、形状および配置関係は、この発明が理解でき
る程度に概略的に示してあるにすぎず、また、以下に説
明する数値的条件は単なる例示にすぎないことを理解さ
れたい。
【００１８】第１の実施の形態 以下、この発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法について、図１および図２
を用いて説明する。
【００１９】図１は、この実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置の要部構成を概略的に示す断面図である。
【００２０】同図に示したように、半導体素子１０１の
表面（素子形成面）には、絶縁性の接着テープ１０２に
よって、長い方の腕部１０３ａの外側面が当接するよう
に、Ｊ型のリード１０３が接着されている。そして、半
導体素子１０１とリード１０３との間には、金線等のワ
イヤ１０４によるワイヤボンディングが施されている。
さらに、これら半導体素子１０１、リード１０３および
金線１０４は、モールド樹脂部１０５によって、リード
１０３の短い方の腕部１０３ｂの外側面が露出するよう
に、封止されている。
【００２１】ここで、リード１０３は、湾曲部１０３ｃ
の端部がモールド樹脂部１０５の外縁部１０５ａの近傍
に位置するように、配設されている。
【００２２】このような樹脂封止型半導体装置は、リー
ド１０３の短い方の腕部１０３ｂとプリント基板（図示
せず）のフットプリント１１０とを半田１１１で固定す
ることにより、このプリント基板と電気的に接続され
る。
【００２３】このように、この実施の形態に係る樹脂封
止型半導体装置では、リード１０３をＪ型に形成し、且
つ、このリード１０３を、湾曲部１０３ｃの端部が樹脂
部１０５の外縁部の近傍に配設した。このため、このリ
ード１０３の全長を長くしても、半導体装置の占有面積
が大きくなることはない。
【００２４】また、このようにリード１０３の全長を長
くしたことにより、例えば、樹脂封止型半導体装置を搭
載した回路基板全体の温度が上昇して、この樹脂封止型
半導体装置とプリント基板との熱膨張係数の差に起因し
たストレスが半田１１１に生じたような場合でも、この
ストレスをリード１０３で吸収し易くなる。このため、
この実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置によれば、
かかるストレスに起因して半田１１１に生じるクラック
を低減させることができる。
【００２５】さらに、この実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置では、リード１０３のうち短い方の腕部１０
３ｂを長くしても、半導体装置の占有面積が大きくなる
ことはない。したがって、この短い方の腕部１０３ｂと
プリント基板のフットプリント１１０との接合面積を従
来の場合よりも広くすることができ、このため、半田１
１１による両者１０３ｂ，１１０の固定を従来の場合よ
りも強固なものにすることが可能となる。そして、この
ことによっても、樹脂封止型半導体装置とプリント基板
との熱膨張係数の差に起因したストレスによって半田１
１１に生じるクラックを低減させることができる。
【００２６】次に、図１に示した樹脂封止型半導体装置
の製造工程について説明する。図２は、かかる製造工程
を説明するための断面工程図である。
【００２７】まず、図２（Ａ）に示したように、半導
体素子１０１の表面に、接着テープ１０２を用いて、直
線状のリード２０１を接着する。
【００２８】次に、図２（Ｂ）に示したように、半導
体素子１０１のボンディングパッド（図示せず）とリー
ド２０１との間に、例えば金線等のワイヤ１０４を用い
て、ワイヤボンディングを施す。
【００２９】続いて、この半導体素子１０１をモール
ド金型（図示せず）に嵌入し、さらに、このモールド金
型にモールド樹脂を流し込むことにより、樹脂封止を行
なう。
【００３０】そして、このモールド金型を取りはずし
てモールド樹脂部１０５のベーキングを行なうことによ
り、図２（Ｃ）に示したような、モールド樹脂部１０５
を得る。
【００３１】その後、図２（Ｄ）に示したように、リ
ード２０１を折曲げてＪ型に加工し、樹脂封止型半導体
装置を完成する。
【００３２】このような製造工程によれば、この実施の
形態に係る樹脂封止型半導体装置を、簡単な工程によっ
て製造することができる。
【００３３】以上説明したように、この実施の形態によ
れば、占有面積を大きくすることなくクラックの発生を
低減させることができる樹脂封止型半導体装置を提供す
ることができ、且つ、かかる樹脂封止型半導体装置を簡
単な製造工程で安価に得ることができる。
【００３４】第２の実施の形態 以下、この発明の第２の実施の形態に係る樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法について、図３および図４
を用いて説明する。
【００３５】図３は、この実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置の要部構成を概略的に示す断面図である。
【００３６】同図に示したように、この実施の形態にか
かる樹脂封止型半導体装置においては、Ｕ型のリード３
０３が使用されている。このリード３０３は、上述の第
１の実施の形態の場合と同様、絶縁性の接着テープ３０
２によって、一方の腕部３０３ａの外側面が当接するよ
うに半導体素子３０１の表面に接着されている。そし
て、半導体素子３０１とリード３０３との間には金線等
のワイヤ３０４によるワイヤボンディングが施され、さ
らに、これら半導体素子３０１、リード３０３および金
線３０４はリード３０３の他方の腕部３０３ｂの外側面
が露出するようにモールド樹脂部３０５によって封止さ
れている。
【００３７】ここで、リード３０３は、湾曲部３０３ｃ
の端部が樹脂部３０５の外縁部３０５ａよりも内側に位
置するように、配設されている。
【００３８】このような樹脂封止型半導体装置は、リー
ド３０３の腕部３０３ｂとプリント基板（図示せず）の
フットプリント３１０とを半田３１１で固定することに
より、このプリント基板と電気的に接続される。
【００３９】このように、この実施の形態に係る樹脂封
止型半導体装置では、リード３０３をＵ型に形成し、且
つ、このリード３０３を、湾曲部３０３ｃの端部が樹脂
部３０５の外縁部よりも内側になるように配設した。こ
のため、上述の第１の実施の形態の場合と同様、このリ
ード３０３の全長を長くしても半導体装置の占有面積が
大きくなることはない。
【００４０】また、リード３０３の湾曲部３０３ｃと樹
脂部３０５の端部３０５ａとの間隔の自由度が大きいの
で、樹脂封止型半導体装置のサイズが異なってもプリン
ト基板のフットプリント３１０の位置を変更する必要が
ない。例えば、樹脂封止型半導体装置がメモリ装置であ
る場合、現在の主流である３００ミルのものから次世代
の４００ミルのものに変化しても、そのまま対応するこ
とができる。
【００４１】また、樹脂封止型半導体装置とプリント基
板との熱膨張係数の差に起因したストレスを吸収し易い
ことおよび腕部３０３ｂとフットプリント３１０との接
合面積を広くして両者３０３ｂ，３１０間の固定を強固
にすることができることにより半田３１１でのクラック
の発生を低減できる点は、第１の実施の形態の場合と同
様である。
【００４２】次に、図３に示した樹脂封止型半導体装置
の製造工程について説明する。図４は、かかる製造工程
を説明するための断面工程図である。
【００４３】まず、図４（Ａ）に示したように、上述
の第１の実施の形態の場合と同様にして、接着テープ３
０２を用いて半導体素子３０１の表面に直線状のリード
４０１を接着し、続いて、例えば金線等のワイヤ３０４
を用いて半導体素子３０１のボンディングパッド（図示
せず）とリード４０１との間にワイヤボンディングを施
す。
【００４４】次に、この半導体素子３０１をモールド
金型に嵌入し、さらに、このモールド金型にモールド樹
脂を流し込むことによって樹脂封止を行なう。そして、
モールド金型を取り外すことにより、図４（Ｂ）に示し
たようなモールド樹脂部３０５を得る。
【００４５】その後、図４（Ｃ）に示したように、リ
ード４０１を折曲げてモールド樹脂部２０５から剥し、
Ｕ型に加工する。これによって、Ｕ型のリード３０３を
得ることができる。
【００４６】最後に、モールド樹脂部３０５のベーキ
ングを行ない、樹脂封止型半導体装置を完成する。
【００４７】ここで、この実施の形態にかかる製造方法
は、リード３０３の加工を行なった後でモールド樹脂部
３０５のベーキングを行なう点で、上述の第１の実施の
形態と異なる。これは、この実施の形態ではリード３０
３の湾曲部３０３ｃと樹脂部３０５の端部３０５ａとの
間隔が大きいために、リード３０３の加工に際して直線
状のリード４０１をモールド樹脂部３０５の面３０５ｂ
から剥す必要があるからである。すなわち、この実施の
形態では、リード３０３の加工の前にモールド樹脂部３
０５のベーキングを行なうと、このモールド樹脂部の硬
化により、直線状のリード４０１を剥すことが困難にな
るため、ベーキングの前にリード３０３の加工を行なっ
ている。
【００４８】このように、この実施の形態に係る製造方
法によれば、図３に示した樹脂封止型半導体装置を、簡
単な工程によって製造することができる。
【００４９】以上説明したように、この実施の形態によ
っても、占有面積を大きくすることなくクラックの発生
を低減させることができる樹脂封止型半導体装置を簡単
な製造工程で安価に得ることができる。
【００５０】第３の実施の形態 以下、この発明の第３の実施の形態に係る樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法について、図５を用いて説
明する。
【００５１】図５は、この実施の形態に係る樹脂封止型
半導体装置の要部構成を概略的に示す断面図である。
【００５２】同図に示したように、この実施の形態に係
る樹脂封止型半導体装置も、上述の第１の実施の形態の
場合と同様、絶縁性の接着テープ５０２によって、半導
体素子５０１の表面にＪ型のリード５０３の長い方の腕
部５０３ａの外側面が接着されている。そして、半導体
素子５０１とリード５０３との間には、金線等のワイヤ
５０４によるワイヤボンディングが施されている。さら
に、これら半導体素子５０１、リード５０３および金線
５０４は、モールド樹脂部５０５によって封止されてい
る。
【００５３】ここで、この実施の形態では、リード５０
３の短い方の腕部５０３ｂの先端部５０３ｄよりも内側
で長い方の腕部５０３ａを覆うように、モールド樹脂部
５０５が形成されている。そして、この短い方の腕部５
０３ｂの高さ（半導体素子５０１の表面を基準とした高
さ）は、モールド樹脂部５０５の表面５０５ｂの高さと
同一か、若干高いだけである。
【００５４】また、リード５０３は、湾曲部５０３ｃの
端部が樹脂部５０５の外縁部５０５ａの近傍に位置する
ように、配設されている。
【００５５】このような樹脂封止型半導体装置は、リー
ド５０３の短い方の腕部５０３ｂとプリント基板（図示
せず）のフットプリント５１０とを半田５１１で固定す
ることにより、このプリント基板と電気的に接続され
る。
【００５６】このように、この実施の形態に係る樹脂封
止型半導体装置では、モールド樹脂部５０５を、リード
５０３の短い方の腕部５０３ｂの先端部５０３ｄよりも
内側で長い方の腕部５０３ａを覆うように形成したの
で、リード５０３を薄くすることが可能である。したが
って、樹脂封止型半導体装置の薄型化を図る上で非常に
有効である。
【００５７】また、リード５０３をＪ型に形成して占有
面積を抑えた点、および、リード５０３の全長を長くす
ること並びに短い方の腕部５０３ｂを長くすることによ
って半田５１１でのクラックの発生を低減できる点は、
第１の実施の形態や第２の実施の形態の場合と同様であ
る。
【００５８】なお、図５に示した樹脂封止型半導体装置
の製造工程については、上述の第１の実施の形態の場合
（図２参照）と同様であるので説明を省略する。この実
施の形態においても、第１の実施の形態と同様の製造工
程を採用することにより、簡単な工程で安価に製造する
ことができるという利点がある。
【００５９】以上説明したように、この実施の形態によ
っても、占有面積を大きくすることなくクラックの発生
を低減させることができる樹脂封止型半導体装置を簡単
な製造工程で安価に提供することができる。
【００６０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
係る樹脂封止型半導体装置によれば、占有面積を大きく
することなくクラックの発生を低減させることができ
る。また、この発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造
方法によれば、この発明の樹脂封止型半導体装置を簡単
な工程で安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置
の要部構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示した樹脂封止型半導体装置の製造工程
を説明するための断面工程図である。
【図３】第２の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置
の要部構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図３に示した樹脂封止型半導体装置の製造工程
を説明するための断面工程図である。
【図５】第３の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置
の要部構成を概略的に示す断面図である。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の構造を概念的に
示す断面図である。
【符号の説明】
１０１ 半導体素子 １０２ 接着テープ １０３ リード １０３ａ，１０３ｂ リードの腕部 １０３ｃ リードの湾曲部 １０４ ワイヤ １０５ モールド樹脂部 １０５ａ モールド樹脂部の外縁部 １１０ フットプリント １１１ 半田

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子を樹脂封止によってパッケー
    ジングしてなる樹脂封止型半導体装置において、 前記半導体素子の表面に第１の腕部の外側面が当接する
    ように接着されたＪ型またはＵ型のリード部材と、 このリード部材の第２の腕部の外側面が露出するように
    形成された、前記半導体素子を封止するための樹脂部
    と、 を少なくとも備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置。
  2. 【請求項２】 前記リード部材が有する湾曲部の端部
    が、前記樹脂部の外縁部の近傍に配置されたことを特徴
    とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記リード部材が有する湾曲部の端部
    が、前記樹脂部の外縁部よりも内側に配置されたことを
    特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記リード部材が有する前記第２の腕部
    の先端部よりも内側で前記第１の腕部を覆うように、前
    記樹脂部が形成されたことを特徴とする請求項１〜３の
    いずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記半導体素子と前記リード部材とが接
    着テープによって接着されたことを特徴とする請求項１
    〜４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 半導体素子を樹脂封止によってパッケー
    ジングしてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記半
    導体素子の表面に第１の腕部の外側面が当接するように
    配設されたＪ型またはＵ型のリード部材と、このリード
    部材の第２の腕部の外側面が露出するように形成され
    た、前記半導体素子を封止するための樹脂部とを少なく
    とも備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子の裏面に直線状のリード部材を接着させ
    る第１の工程と、 前記半導体素子と前記直線状のリード部材とに間にワイ
    ヤボンディングを施す第２の工程と、 前記半導体素子を封止するための前記樹脂部を形成する
    第３の工程と、 前記直線状のリード部材を押し曲げることによってＪ型
    またはＵ型に成形する第４の工程と、 を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
    方法。
  7. 【請求項７】 前記半導体素子と前記リード部材とが接
    着テープによって接着されたことを特徴とする請求項６
    に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第３の工程が前記樹脂部を形成した
    後でベーキングを行なう工程であり、且つ、前記第４の
    工程が前記直線状のリード部材を前記樹脂部の外縁部近
    傍で押し曲げる工程であることを特徴とする請求項６ま
    たは７に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第４の工程が前記直線状のリード部
    材を前記樹脂部から剥すとともに前記樹脂部の外縁部近
    傍よりも内側で押し曲げる工程であり、且つ、この第４
    の工程後に前記樹脂部のベーキングを行なう第５の工程
    をさらに備えたことを特徴とする請求項６または７に記
    載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP03819597A 1997-02-21 1997-02-21 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3737233B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03819597A JP3737233B2 (ja) 1997-02-21 1997-02-21 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US08/925,092 US6181003B1 (en) 1997-02-21 1997-09-08 Semiconductor device packaged in plastic package
TW086113362A TW351840B (en) 1997-02-21 1997-09-15 Method for fabricating plastic packaged semiconductor device
KR1019970060051A KR100336147B1 (ko) 1997-02-21 1997-11-14 플라스틱 패키지로 패키지된 반도체 장치 및 그의 제조방법
CN97123188A CN1121720C (zh) 1997-02-21 1997-11-21 塑封半导体器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03819597A JP3737233B2 (ja) 1997-02-21 1997-02-21 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10242337A true JPH10242337A (ja) 1998-09-11
JP3737233B2 JP3737233B2 (ja) 2006-01-18

Family

ID=12518587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03819597A Expired - Fee Related JP3737233B2 (ja) 1997-02-21 1997-02-21 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6181003B1 (ja)
JP (1) JP3737233B2 (ja)
KR (1) KR100336147B1 (ja)
CN (1) CN1121720C (ja)
TW (1) TW351840B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3180800B2 (ja) * 1999-04-08 2001-06-25 カシオ計算機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6798078B2 (en) * 2000-12-14 2004-09-28 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Power control device with semiconductor chips mounted on a substrate
US11444227B2 (en) 2019-10-01 2022-09-13 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Light emitting diode package with substrate configuration having enhanced structural integrity
CN110696275B (zh) * 2019-10-31 2022-06-21 奇点新源国际技术开发(北京)有限公司 一种线缆节点的塑封方法
US11444225B2 (en) 2020-09-08 2022-09-13 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Light emitting diode package having a protective coating
US11329206B2 (en) 2020-09-28 2022-05-10 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Lead frame and housing sub-assembly for use in a light emitting diode package and method for manufacturing the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200364A (en) * 1990-01-26 1993-04-06 Texas Instruments Incorporated Packaged integrated circuit with encapsulated electronic devices
US5053852A (en) * 1990-07-05 1991-10-01 At&T Bell Laboratories Molded hybrid IC package and lead frame therefore
US5291038A (en) * 1990-12-19 1994-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Reflective type photointerrupter
US5548087A (en) * 1993-05-07 1996-08-20 At&T Corp. Molded plastic packaging of electronic devices
US5600179A (en) * 1994-09-27 1997-02-04 Nec Corporation Package for packaging a semiconductor device suitable for being connected to a connection object by soldering
JP2917868B2 (ja) * 1995-07-31 1999-07-12 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3737233B2 (ja) 2006-01-18
CN1121720C (zh) 2003-09-17
US6181003B1 (en) 2001-01-30
CN1191390A (zh) 1998-08-26
KR100336147B1 (ko) 2002-06-20
KR19980070092A (ko) 1998-10-26
TW351840B (en) 1999-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5966157A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US10504857B2 (en) Semiconductor package structure for improving die warpage and manufacturing method thereof
JP2001274316A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH1012773A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2001250833A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10242337A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US5361970A (en) Method of producing a semiconductor integrated circuit device having terminal members provided between semiconductor element and leads
JP2000114426A (ja) 片面樹脂封止型半導体装置
JPH07161910A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3013810B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2682200B2 (ja) 半導体装置
JP2634249B2 (ja) 半導体集積回路モジュール
JP2824175B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH08213545A (ja) 半導体装置
JPH08288428A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3779042B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP3028153B2 (ja) リードフレームの製造方法
KR0155441B1 (ko) 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지
JPH10303227A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JPH0595078A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2002299357A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0493052A (ja) 半導体集積回路装置
JPH11219969A (ja) 半導体装置
JPH0451554A (ja) リードフレーム
JPH06216294A (ja) リードフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20030805

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050913

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051026

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081104

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131104

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees