JPH06216294A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH06216294A JPH06216294A JP497993A JP497993A JPH06216294A JP H06216294 A JPH06216294 A JP H06216294A JP 497993 A JP497993 A JP 497993A JP 497993 A JP497993 A JP 497993A JP H06216294 A JPH06216294 A JP H06216294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner leads
- lead frame
- semiconductor
- lead
- joined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、安価でかつ信頼性の高いリードフ
レームを提供することを目的とする。 【構成】 本発明のリードフレームでは、半導体素子搭
載部２を、少なくともインナーリードとの接合領域を酸
化アルミニウム膜２Ｓで覆うことにより絶縁処理してな
るアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金
で構成し、インナーリード先端部を接着剤層を介して接
合するようにしている。
レームを提供することを目的とする。 【構成】 本発明のリードフレームでは、半導体素子搭
載部２を、少なくともインナーリードとの接合領域を酸
化アルミニウム膜２Ｓで覆うことにより絶縁処理してな
るアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金
で構成し、インナーリード先端部を接着剤層を介して接
合するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに係
り、特に半導体集積回路チップを実装するリードフレー
ム構体に関する。
り、特に半導体集積回路チップを実装するリードフレー
ム構体に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の小形化および高集積化に伴
い、リードフレームのインナーリード先端が細くなり、
変形を生じ易くなってきている。このようなインナーリ
ードの変形は、リードの短絡やボンディング不良を生じ
易く、リードフレームの歩留まり低下や、半導体装置の
信頼性低下の原因の１つになっている。
い、リードフレームのインナーリード先端が細くなり、
変形を生じ易くなってきている。このようなインナーリ
ードの変形は、リードの短絡やボンディング不良を生じ
易く、リードフレームの歩留まり低下や、半導体装置の
信頼性低下の原因の１つになっている。
【０００３】ところで、ピン数の増大に伴い、インナー
リードのリード間ピッチが小さくなり、製作技術も難し
くなるのみならず、インナーリード先端の変形が生じ易
くまたインナーリード先端と半導体チップとの距離も長
くなるため、ボンディングワイヤがモールド時に変形し
短絡したりするという問題もある。
リードのリード間ピッチが小さくなり、製作技術も難し
くなるのみならず、インナーリード先端の変形が生じ易
くまたインナーリード先端と半導体チップとの距離も長
くなるため、ボンディングワイヤがモールド時に変形し
短絡したりするという問題もある。
【０００４】また、パワー素子においては温度上昇を伴
うため、放熱性能が素子特性に大きな影響を与えること
になる。
うため、放熱性能が素子特性に大きな影響を与えること
になる。
【０００５】そこで、高密度化に際しても、信頼性の高
い半導体装置を提供することを企図し、チップ搭載部
を、リードフレーム本体とは別に放熱性の良好な材料で
構成し、インナーリードの先端に該チップ搭載部を接合
する方法が提案されている。
い半導体装置を提供することを企図し、チップ搭載部
を、リードフレーム本体とは別に放熱性の良好な材料で
構成し、インナーリードの先端に該チップ搭載部を接合
する方法が提案されている。
【０００６】この方法ではリードフレーム本体とチップ
搭載部が、それぞれ加工性と放熱性を企図して別の材料
で形成でき、またインナーリード先端部がチップ搭載部
で支持されるため変形を防止することができるという効
果を奏効する。
搭載部が、それぞれ加工性と放熱性を企図して別の材料
で形成でき、またインナーリード先端部がチップ搭載部
で支持されるため変形を防止することができるという効
果を奏効する。
【０００７】しかしながらこのようなリードフレームで
は、図４に示すように、銅板からなる放熱板７とリード
フレーム本体部との接合にはポリイミドテープ１４が用
いられており、このポリイミドテープを薄くするには限
界があり、この厚みがインナーリードと放熱板との間で
クッションとなり、ボンディングに際してキャピラリー
の超音波が減衰してしまい、確実なワイヤボンディング
を行うことができず、ワイヤボンディング性が低下する
という問題があった。またポリイミドテープの厚みと接
着剤層の厚みが、パッケージの薄型化を阻む大きな問題
となっていた。さらにまた、ここで用いられるポリイミ
ドテープは吸湿性を有し、半導体装置の信頼性低下に原
因となる。また、高価であり、このこともコストの低減
を阻む問題となっていた。
は、図４に示すように、銅板からなる放熱板７とリード
フレーム本体部との接合にはポリイミドテープ１４が用
いられており、このポリイミドテープを薄くするには限
界があり、この厚みがインナーリードと放熱板との間で
クッションとなり、ボンディングに際してキャピラリー
の超音波が減衰してしまい、確実なワイヤボンディング
を行うことができず、ワイヤボンディング性が低下する
という問題があった。またポリイミドテープの厚みと接
着剤層の厚みが、パッケージの薄型化を阻む大きな問題
となっていた。さらにまた、ここで用いられるポリイミ
ドテープは吸湿性を有し、半導体装置の信頼性低下に原
因となる。また、高価であり、このこともコストの低減
を阻む問題となっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のリー
ドフレームでは、放熱板とリードフレーム本体部との接
続がポリイミドテープによってなされているため、薄く
するには限界があり、この厚みによるクッション性が、
インナーリード先端へのワイヤボンディング性を低下さ
せる原因となるという問題があった。またポリイミドテ
ープの使用は、信頼性の低下および製品価格の高騰を招
いていた。
ドフレームでは、放熱板とリードフレーム本体部との接
続がポリイミドテープによってなされているため、薄く
するには限界があり、この厚みによるクッション性が、
インナーリード先端へのワイヤボンディング性を低下さ
せる原因となるという問題があった。またポリイミドテ
ープの使用は、信頼性の低下および製品価格の高騰を招
いていた。
【０００９】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、安価にかつ信頼性の高いリードフレームを提供する
ことを目的とする。
で、安価にかつ信頼性の高いリードフレームを提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで本発明のリードフ
レームでは、半導体素子搭載部を、少なくともインナー
リードとの接合領域を絶縁処理してなるアルミニウムま
たはアルミニウムを主成分とする合金で構成し、インナ
ーリード先端部を接着剤層を介して接合するようにして
いる。
レームでは、半導体素子搭載部を、少なくともインナー
リードとの接合領域を絶縁処理してなるアルミニウムま
たはアルミニウムを主成分とする合金で構成し、インナ
ーリード先端部を接着剤層を介して接合するようにして
いる。
【００１１】
【作用】上記構造によれば、信頼性低下および価格高騰
の原因となっていたポリイミドテープを使用することな
く放熱性の良好なリードフレームを形成するが可能とな
る。
の原因となっていたポリイミドテープを使用することな
く放熱性の良好なリードフレームを形成するが可能とな
る。
【００１２】また、アルミニウムは安定な酸化膜が形成
されやすく、インナーリード先端との絶縁が確実とな
る。したがって接続媒体である接着層を極限まで薄くし
ても、絶縁を確保することができる。
されやすく、インナーリード先端との絶縁が確実とな
る。したがって接続媒体である接着層を極限まで薄くし
ても、絶縁を確保することができる。
【００１３】さらにまたアルミニウムは軽量であり、モ
ールド工程においても撓みを生じることなく確実な実装
が可能となる。
ールド工程においても撓みを生じることなく確実な実装
が可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ、詳細に説明する。
しつつ、詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明実施例のリードフレームを
示す平面図、図２は同リードフレームの断面図、図３は
本発明実施例のリードフレームを用いた半導体装置を示
す図である。
示す平面図、図２は同リードフレームの断面図、図３は
本発明実施例のリードフレームを用いた半導体装置を示
す図である。
【００１６】このリードフレームは、表面に酸化アルミ
ニウム層２Ｓを形成してなるアルミニウム層で半導体素
子搭載部２を形成したことを特徴とするもので、この酸
化アルミニウム層２Ｓ上に先端が接合され放射状に延び
る複数のインナーリード１と、各インナーリードに延設
して一体的に形成されたアウターリード３とを有する。
なおインナーリード先端１と半導体素子搭載部２との間
は絶縁性接着剤４を介して接合されている。
ニウム層２Ｓを形成してなるアルミニウム層で半導体素
子搭載部２を形成したことを特徴とするもので、この酸
化アルミニウム層２Ｓ上に先端が接合され放射状に延び
る複数のインナーリード１と、各インナーリードに延設
して一体的に形成されたアウターリード３とを有する。
なおインナーリード先端１と半導体素子搭載部２との間
は絶縁性接着剤４を介して接合されている。
【００１７】そしてこのリードフレームを用いて形成さ
れる半導体装置は、図３に示すように、図１に示したリ
ードフレームの半導体素子搭載部２の表面に半導体チッ
プ５を固着すると共に、ボンディングワイヤ６によって
半導体チップ５とインナーリード１とを接合してなり、
外側は封止樹脂９によって封止されている。
れる半導体装置は、図３に示すように、図１に示したリ
ードフレームの半導体素子搭載部２の表面に半導体チッ
プ５を固着すると共に、ボンディングワイヤ６によって
半導体チップ５とインナーリード１とを接合してなり、
外側は封止樹脂９によって封止されている。
【００１８】次に、この半導体装置の製造方法について
説明する。
説明する。
【００１９】まず、スタンピング法により、銅合金から
なる帯状材料を加工することにより、インナーリード
１、アウターリード３、タイバー８を有するリードフレ
ーム本体部を形成する。
なる帯状材料を加工することにより、インナーリード
１、アウターリード３、タイバー８を有するリードフレ
ーム本体部を形成する。
【００２０】そしてアルミニウム板をスタンピングする
ことにより半導体素子搭載部２表面を酸化処理し酸化ア
ルミニウム層２Ｓを形成する。
ことにより半導体素子搭載部２表面を酸化処理し酸化ア
ルミニウム層２Ｓを形成する。
【００２１】そして、この酸化アルミニウム層２Ｓ上に
リードフレーム本体部のインナーリード１先端部を固着
し、図１に示したようなリードフレームが得られる。
リードフレーム本体部のインナーリード１先端部を固着
し、図１に示したようなリードフレームが得られる。
【００２２】そしてさらに半導体チップ５をこの半導体
素子搭載部２上に固着し、ワイヤボンディング法によ
り、リードフレーム本体部のインナーリード１および半
導体チップ５のボンディングパッドにワイヤ６を介して
接続する。
素子搭載部２上に固着し、ワイヤボンディング法によ
り、リードフレーム本体部のインナーリード１および半
導体チップ５のボンディングパッドにワイヤ６を介して
接続する。
【００２３】そしてこの後、モ−ルド工程、枠体の切除
工程、アウターリードを所望の形状に折りまげる成型工
程を経て、図３に示したような半導体装置が完成する。
工程、アウターリードを所望の形状に折りまげる成型工
程を経て、図３に示したような半導体装置が完成する。
【００２４】このリードフレームは、リードフレーム本
体と放熱板を兼ねた半導体素子搭載部との間の接続媒体
である接着剤層を極限まで薄くしても、酸化アルミニウ
ム膜２Ｓが確実な絶縁を維持するため、リードフレーム
本体と放熱板である半導体素子搭載部との間隔を常に維
持し、絶縁を確保することができる。
体と放熱板を兼ねた半導体素子搭載部との間の接続媒体
である接着剤層を極限まで薄くしても、酸化アルミニウ
ム膜２Ｓが確実な絶縁を維持するため、リードフレーム
本体と放熱板である半導体素子搭載部との間隔を常に維
持し、絶縁を確保することができる。
【００２５】また、接着剤層が極めて薄く形成されてい
るため、インナーリード先端の位置精度をより高く維持
することができ、ボンディング性が向上する。
るため、インナーリード先端の位置精度をより高く維持
することができ、ボンディング性が向上する。
【００２６】さらに半導体素子搭載部は軽量であるた
め、モールド工程などにおいて撓みを生じたりすること
なく確実な薄形実装が可能となる。
め、モールド工程などにおいて撓みを生じたりすること
なく確実な薄形実装が可能となる。
【００２７】また、打ち抜きによって形成されるリード
フレーム本体部のインナーリードは通常のリードフレー
ムよりも短く形成されるため変形はより少なくてすみ、
またリ―ドフレ―ムへのチップの実装に際してチップの
ボンディングパッドとインナ―リ―ドの先端とのワイヤ
ボンディング工程における熱履歴によってもモ−ルド工
程における熱履歴によっても、インナーリード先端部は
正しい位置に固定されているため、接続不良を生じたり
することなく信頼性の高い半導体装置を得ることが可能
となる。
フレーム本体部のインナーリードは通常のリードフレー
ムよりも短く形成されるため変形はより少なくてすみ、
またリ―ドフレ―ムへのチップの実装に際してチップの
ボンディングパッドとインナ―リ―ドの先端とのワイヤ
ボンディング工程における熱履歴によってもモ−ルド工
程における熱履歴によっても、インナーリード先端部は
正しい位置に固定されているため、接続不良を生じたり
することなく信頼性の高い半導体装置を得ることが可能
となる。
【００２８】さらにまた、このようにして形成された半
導体装置は実装工程中のみならず、完成後においても、
放熱性が極めて良好である上、インナーリード先端部は
放熱板上の正しい位置に固定されているため、極めて信
頼性の高いものとなる。
導体装置は実装工程中のみならず、完成後においても、
放熱性が極めて良好である上、インナーリード先端部は
放熱板上の正しい位置に固定されているため、極めて信
頼性の高いものとなる。
【００２９】なお、前記実施例では半導体素子搭載部表
面全体に酸化処理を行い酸化アルミニウム膜を形成した
が、周縁部のみに酸化アルミニウム膜を形成しても良
い。
面全体に酸化処理を行い酸化アルミニウム膜を形成した
が、周縁部のみに酸化アルミニウム膜を形成しても良
い。
【００３０】また、前記実施例では半導体素子搭載部は
アルミニウムで形成したが、表面に酸化アルミニウム膜
を容易に形成することができるものであれば、アルミニ
ウムを含む合金でもよい。
アルミニウムで形成したが、表面に酸化アルミニウム膜
を容易に形成することができるものであれば、アルミニ
ウムを含む合金でもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、低
コストで信頼性の高い半導体装置を提供することが可能
となる。
コストで信頼性の高い半導体装置を提供することが可能
となる。
【図１】本発明実施例のリードフレームのリードフレー
ムを示す図
ムを示す図
【図２】同リードフレームの製造工程図
【図３】本発明のリードフレームを用いて形成した半導
体装置を示す図
体装置を示す図
【図４】従来例のリードフレームを示す図
１ インナ―リ―ド ２ 半導体素子搭載部分 ２Ｓ 酸化アルミニウム膜 ３ アウタ−リ−ド ４ 絶縁性接着剤 ５ 半導体チップ ６ ボンディングワイヤ ７ 放熱板 ８ タイバー ９ 封止樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のインナーリードおよびこれから延
在するアウターリードを備えたリードフレーム本体部と
前記リードフレーム本体部のインナーリード先端部と接
合される領域に少なくとも酸化アルミニウム被膜を形成
してなるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とす
る合金からなり、接着剤層を介して前記インナーリード
先端部に接合せしめられた半導体素子搭載部と、 を具備したことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497993A JPH06216294A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497993A JPH06216294A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216294A true JPH06216294A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11598724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP497993A Pending JPH06216294A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216294A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1332443C (zh) * | 2002-11-18 | 2007-08-15 | 夏普株式会社 | 半导体器件及其引线座、制作该器件的方法和电子设备 |
| JP2014093353A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Denso Corp | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP497993A patent/JPH06216294A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1332443C (zh) * | 2002-11-18 | 2007-08-15 | 夏普株式会社 | 半导体器件及其引线座、制作该器件的方法和电子设备 |
| JP2014093353A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Denso Corp | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
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