JP2014093353A - 半導体装置、および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置１においてリードフレーム１０からコンデンサ３０、３１が剥離することを抑制する。
【解決手段】ボンディングワイヤによってＩＣチップ２０とターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃとの間を接続する工程（ステップＳ１４０）の前に、ターミナル１２ａ、１２ｂの長手方向一方側を電気絶縁性接着剤６０によりアイランド１１に接着する工程（ステップＳ１３０）を備える。このため、ターミナル１２ａ、１２ｂをアイランド１１によって拘束することができる。ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃが大きく反っている場合において、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃのいずれかに外力が加わっても、ターミナル１２ａ、１２ｂが変位する方向を一律にすることができる。よって、ターミナル１２ａ、１２ｂとコンデンサ３０との間の接合部に加わる応力を低減することが可能になる。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置、および半導体装置の製造方法に関するものである。

従来、半導体装置において、半導体素子、コンデンサ、およびリードフレームを備え、半導体素子がリードフレームのアイランド上に搭載されて、リードフレームの第１、第２の配線部の間にコンデンサが配置され、半導体素子と第１、第２の配線部との間がボンディングワイヤにより接続されたものがある（特許文献１参照）。

このものにおいては、半導体素子、コンデンサ、ボンディングワイヤ、およびリードフレームがモールド樹脂により封止するためのモールド部が設けられている。そして、第１、第２の配線部には、それぞれ突起状に形成されている歪み吸収部が設けられている。このため、半導体装置の製造工程のうちワイヤボンディングの工程又はモールド部の成形工程において、配線部に外力が加わった際に歪み吸収部を容易に撓み変形させて、配線部に生じる歪みを吸収することができる。このため、配線部に生じる歪みに起因して配線部とコンデンサとの間の接合部にて剥離方向に外力が加わることを防止することができる。このことにより、第１、第２の配線部に外力が加わっても、第１、第２の配線部からコンデンサが剥離することを抑制することになる。

また、特許文献２には、リードフレームとコンデンサの電極との間が導電性接着剤により接着されている電気素子の実装構造について記載されている。

このものにおいては、リードフレームのうち導電性接着剤の塗布領域に溝が設けられている。したがって、リードフレームに導電性接着剤を塗布する際に、導電性接着剤が溝に入り込み、溝の側面にも導電性接着剤が密着するため、導電性接着剤とリードフレームとの間の接着面積を増加させることができる。このことにより、リードフレームからコンデンサが剥離することを抑制することになる。

特開２００９−１２９９５２号公報 特開２００３−８６４５３号公報

上記特許文献１、２では、リードフレームからコンデンサが剥離することを抑制するように構成されているものの、第１、第２のリードフレームに大きな反りが生じている場合や、第１、第２のリードフレームに非対称な形状の反りが生じている場合には、リードフレームに対して外力が加わった際にリードフレームとコンデンサとの間の接合部に外力が加わり、リードフレームからコンデンサが剥離する恐れがある。

本発明は上記点に鑑みて、リードフレームからコンデンサが剥離することをより一層強く抑制することができる半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、リードフレーム（１０）のアイランド（１１）にＩＣチップ（２０）を搭載するＩＣチップ搭載工程（Ｓ１１０）と、
リードフレームの複数のターミナル（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）のうち第１のターミナルに電子素子（３０、３１）の第１の電極（３００ａ、３０１ａ）を接合し、複数のターミナルのうち第１のターミナル以外の第２のターミナルに電子素子の第２の電極（３００ｂ、３０１ｂ）を接合する電子素子接合工程（Ｓ１２０）と、
ＩＣチップと複数のターミナルとの間を複数のワイヤ（４０〜４２）により接続するワイヤボンディング工程（Ｓ１４０）と、
ＩＣチップ、アイランド、電子素子、および複数のワイヤをモールド樹脂によりモールドするモールド工程（Ｓ１５０）と、を備える半導体装置の製造方法であって、
ワイヤボンディング工程の前に、第１、第２のターミナルの間を接着するターミナル接着工程を備えることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、ワイヤボンディング工程の前に、第１、第２のターミナルの間を接着する。したがって、ワイヤボンディング工程やモールド工程において、第１、第２のターミナルに外力が加わっても、第１、第２のターミナルが変位する方向を一律にすることができる。よって、第１、第２のターミナルと電子素子との間の接合部に加わる応力を低減することが可能である。これにより、リードフレームから電子素子が剥離することをより一層強く抑制することができる。

具体的には、請求項２に記載の発明では、ターミナル接着工程（Ｓ１３０）では、第１、第２のターミナルの長手方向一方側をそれぞれアイランドに接着することにより、第１、第２のターミナルの間を接着することを特徴とする。

請求項２に記載の発明によれば、ワイヤボンディング工程の前に、第１、第２のターミナルの長手方向一方側をそれぞれアイランドに接着する。したがって、ワイヤボンディング工程やモールド工程において、第１、第２のターミナルに外力が加わっても、第１、第２のターミナルが反ることを極力抑えることができる。よって、第１、第２のターミナルと電子素子との間の接合部に加わる応力をより一層低減することが可能である。これにより、リードフレームから電子素子が剥離することをさらに強く抑制することができる。

請求項５に記載の発明では、半導体装置において、第１、第２のターミナルの間が接着されていることを特徴とする。これにより、請求項１に記載の発明と同様の効果が得られる。

請求項９に記載の発明では、半導体装置において、第１、第２のターミナルの少なくとも一方のターミナルにおいて、電子素子に対して長手方向一方側或いは長手方向他方側には、他の部分に比べて肉部が薄くなっている薄肉部（１２０ａ、１２０ｂ）が設けられていることを特徴とする。

請求項９に記載の発明によれば、前記一方のターミナルに対して長手方向他端側に外力が加わった際には、電子素子に対する長手方向他方側の薄肉部が撓んで前記一方のターミナルの長手方向他端側が反り易くなる。また、前記一方のターミナルに対して長手方向一端側に外力が加わった際には、長手方向一端側の薄肉部が撓んで前記一方のターミナルの長手方向一端側が反り易くなる。以上により、第１、第２のターミナルと電子素子との間の接合部に加わる応力を低減することが可能である。これにより、リードフレームから電子素子が剥離することをより一層強く抑制することができる。

請求項１３に記載の発明では、半導体装置において、第１、第２のターミナルの少なくとも一方のターミナルにおいて、電子素子が接合される接合領域には、窪み（１２３）が設けられていることを特徴とする。

請求項１３に記載の発明によれば、窪み内に接合部材（例えば、導電性接着剤やはんだ）が入り込む。このため、前記一方のターミナルのうち接合部材が接着される面積を広げることができる。以上により、前記一方のターミナルと電子素子との間の接合力を増大することができる。したがって、前記一方のターミナルに外力が加わった際にリードフレームから電子素子が剥離することをより一層強く抑制することができる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態における半導体装置の正面図である。 図１中のＡ−Ａ断面図である。 第１実施形態における半導体装置の製造工程を示す図である。 第１実施形態の比較例における半導体装置の正面図である。 図４中のＢ−Ｂ断面図である。 本発明の第２実施形態において半導体装置のＩＣチップ、およびリードフレームのターミナルを示す斜視図である。 第２実施形態における変形例を示す図である。 本発明の第３実施形態における半導体装置の断面図である。 本発明の第４実施形態における半導体装置の正面図である。 本発明の第５実施形態における半導体装置の正面図である。 本発明の第６実施形態における半導体装置のＩＣチップ、およびリードフレームのターミナルを示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１、図２に本発明が適用される半導体装置１の第１実施形態を示す。図１、図２は、被覆部５０の内部を透過した状態を示している。

半導体装置１は、図１および図２に示すように、リードフレーム１０、ＩＣチップ２０、コンデンサ３０、３１、ボンディングワイヤ４０〜４２、および被覆部５０から構成されている。

リードフレーム１０は、導電性金属材料からなるもので、アイランド１１、およびターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとから構成されている。アイランド１１は、その表面１１ａおよび裏面１１ｂが長方形状に形成される薄板部材である。ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは、それぞれ、細長く延びるように形成されている。

ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは、アイランド１１の一端側（図１中左端側）に配置されている。ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、図１中上下方向に並べられている。ターミナル１２ａは、その長手方向一端側がアイランド１１の表面１１ａの一端側に電気絶縁性接着剤６０により接着されている。同様に、ターミナル１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは、それぞれの長手方向一端側がアイランド１１の表面１１ａの一端側（図１中左端側）に電気絶縁性接着剤６０により接着されている。

ＩＣチップ２０は、薄板状に形成されている半導体集積回路である。ＩＣチップ２０は、アイランド１１の表面１１ａの中央部に搭載されている。ＩＣチップ２０は、アイランド１１に対して電気絶縁性接着剤６０により接着されている。コンデンサ３０、３１は、それぞれ、積層コンデンサであって、直方体に形成されている。コンデンサ３０は、互いに隣接するターミナル１２ａ、１２ｂの表面側（図２中上側）に配置されている。コンデンサ３０は、電極３００ａ、３００ｂを備えている。コンデンサ３０の電極３００ａは、ターミナル１２ａに対して導電性接着剤７０により接合され、コンデンサ３０の電極３００ｂは、ターミナル１２ｂに対して導電性接着剤７０により接合されている。

コンデンサ３１は、互いに隣接するターミナル１２ｂ、１２ｃの表面側（図２中上側）に配置されている。コンデンサ３１は、電極３０１ａ、３０１ｂを備えている。コンデンサ３１の電極３０１ａは、ターミナル１２ｂに対して導電性接着剤７０により接合されている。コンデンサ３１の電極３０１ｂは、ターミナル１２ｃに対して導電性接着剤７０により接合されている。本実施形態の導電性接着剤７０としては、銀ペーストなどが用いられている。

ボンディングワイヤ４０は、ＩＣチップ２０およびターミナル１２ａの間に接続されている。ボンディングワイヤ４１は、ＩＣチップ２０およびターミナル１２ｂの間に接続されている。ボンディングワイヤ４２は、ＩＣチップ２０およびターミナル１２ｃの間に接続されている。

被覆部５０は、リードフレーム１０、ＩＣチップ２０、コンデンサ３０、３１、ボンディングワイヤ４０、４１、４２のうちターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの一端側を除いた部分をモールド樹脂によって覆うように形成されている。このことにより、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの一端側が被覆部５０から露出することになる。

次に、本実施形態の半導体装置１の製造方法について図３を参照して説明する。図３は、半導体装置１の製造工程を示すフローチャートである。

まず、第１の工程において、リードフレーム１０、ＩＣチップ２０、コンデンサ３０、３１、およびボンディングワイヤ４０、４１、４２を別々に準備する（ステップＳ１００）。

次の第２の工程において、リードフレーム１０のアイランド１１にＩＣチップ２０を実装する。具体的には、リードフレーム１０のアイランド１１の表面１１ａに対してＩＣチップ２０を電気絶縁性接着剤６０によって接着する（ステップＳ１１０）。

次の第３の工程において、コンデンサ３０の電極３００ａを、ターミナル１２ａに対して導電性接着剤７０により接着し、コンデンサ３０の電極３００ｂを、ターミナル１２ｂに対して導電性接着剤７０により接着する。これに加えて、コンデンサ３１の電極３０１ａを、ターミナル１２ｂに対して導電性接着剤７０により接着し、コンデンサ３１の電極３０１ｂを、ターミナル１２ｃに対して導電性接着剤７０により接着する（ステップＳ１２０）。

次の第４の工程において、ターミナル１２ａの長手方向一端側をアイランド１１の表面１１ａの一端側に電気絶縁性接着剤６０により接着する。同様に、ターミナル１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれの長手方向一端側をアイランド１１の表面１１ａの端側に電気絶縁性接着剤６０により接着する（ステップＳ１３０）。

次の第５の工程において、ボンディングワイヤ４０によって、ＩＣチップ２０およびターミナル１２ａの間を接続し、ボンディングワイヤ４１によって、ＩＣチップ２０およびターミナル１２ｂの間を接続し、ボンディングワイヤ４２によって、ＩＣチップ２０およびターミナル１２ｃの間を接続する（ワイヤボンディング工程：ステップＳ１４０）。

次の第６の工程において、モールド樹脂により被覆部５０を形成する。具体的には、上型および下型の間に、リードフレーム１０、ＩＣチップ２０、コンデンサ３０、３１、ボンディングワイヤ４０、４１、４２を配置し、上型および下型の間にモールド樹脂を充填する。その後、上型および下型の間のモールド樹脂を固化させる（ステップＳ１５０）。つまり、上型および下型の間において半導体装置１が形成されることになる。その後、上型および下型を半導体装置１から分離する。これにより、半導体装置１が完成する。

以上説明した本実施形態によれば、ボンディングワイヤ４０、４１、４２によってＩＣチップ２０とターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃとの間を接続する第６の工程（ステップＳ１４０）の前に、ターミナル１２ａ〜１２ｄの長手方向一方側を電気絶縁性接着剤６０によりアイランド１１に接着する工程（ステップＳ１３０）を備えることを特徴とする。このため、ターミナル１２ａ、１２ｂの間をアイランド１１を介して接着することができる。ターミナル１２ｂ、１２ｃをアイランド１１を介して接着することができる。これにより、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃの長手方向一方側をアイランド１１によって拘束することができる。

ここで、上記第５の工程においてターミナル１２ａ、１２ｂ（１２ｂ、１２ｃ）を支えるためにターミナル１２ａ、１２ｂ（１２ｂ、１２ｃ）に外力が加わる場合や、上記第６の工程において上型や下型からターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃのいずれかに外力が加わる場合がある。このため、例えば、図４および図５に示すように、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃとアイランド１１とが離れている場合において、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃのいずれかが大きく反っている場合には、ターミナル１２ａ、１２ｂ（１２ｂ、１２ｃ）とコンデンサ３０（３１）との間の接合部に応力が加わり、リードフレーム１０からコンデンサ３０（３１）が剥離する場合がある。

これに対して、本実施形態では、上述の如く、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃの長手方向一方側をアイランド１１によって拘束することができる。このため、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃのいずれかが大きく反っている場合において、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃのいずれかに外力が加わっても、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃが反ることを極力抑えるとともに、ターミナル１２ａ、１２ｂが変位する方向を一律にし、かつターミナル１２ｂ、１２ｃが変位する方向を一律にすることができる。つまり、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃのいずれかに外力が加わっても、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃが同一方向に変位させることができる。よって、ターミナル１２ａ、１２ｂとコンデンサ３０との間の接合部に加わる応力を低減することが可能である。さらに、ターミナル１２ｂ、１２ｃとコンデンサ３１との間の接合部に加わる応力を低減することが可能である。これにより、リードフレーム１０からコンデンサ３０、３１が剥離することをより一層強く抑制することができる。

本実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂの長手方向一方側が電気絶縁性接着剤６０によりアイランド１１に接着されている。このため、本実施形態は、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃとアイランド１１とが離れている場合（図４、図５参照）に比べて、ボンディングワイヤ４０、４１、４２を短くすることができ、ワイヤ流れ率（つまり、ボンディングワイヤの使用量）の低下も可能となる。

（第２実施形態）
本第２実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄをアイランド１１から離した半導体装置１（図３、図４参照）において、リードフレーム１０からコンデンサ３０が剥離することを抑制する例について説明する。

図６に本実施形態のターミナル１２ａ、１２ｂ、およびＩＣチップ２０の配置関係を示す。図６では、ターミナル１２ａ、１２ｂ以外のターミナル１２ｃ、１２ｄ、およびアイランド１１などが省略されている。

本実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐように配置される電気絶縁性のテープ８０（例えば、ポリイミドからなるテープ）がターミナル１２ａ、１２ｂの間に接着されている。

次に、本実施形態の半導体装置１の製造方法について説明する。

まず、上記第１実施形態と同様に、第１の工程（ステップＳ１００）、第２の工程（ステップＳ１１０）、および第３の工程（ステップＳ１２０）の工程をそれぞれ終了後、ターミナル１２ａ、１２ｂの間にターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐように電気絶縁性のテープ８０を接着する工程を実施する。

その後、上記第１実施形態と同様に、第５の工程（ステップＳ１４０）および第６の工程（ステップＳ１５０）を実施する。

以上説明した本実施形態によれば、ターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐようにターミナル１２ａ、１２ｂの間にテープ８０が接着されているので、上記第５、第６の工程（ステップＳ１４０、Ｓ１５０）において、ターミナル１２ａ、１２ｂのいずれかに外力が加わっても、ターミナル１２ａ、１２ｂが同一方向に変位させることができる。よって、ターミナル１２ａ、１２ｂとコンデンサ３０との間の接合部に加わる応力を低減することが可能である。これにより、リードフレーム１０からコンデンサ３０が剥離することをより一層強く抑制することができる。

上記第２実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂの間をテープ８０により接着した例について説明したが、これに代えて、図７に示すように、ターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐように配置される接着剤８０Ａをターミナル１２ａ、１２ｂの間に接着してもよい。図７は、ターミナル１２ａ、１２ｂを長手方向から視た図である。接着剤８０Ａとしては、例えば、電気絶縁性接着剤を用いることができる。

上記第２実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐように配置されている電気絶縁性のテープ８０をターミナル１２ａ、１２ｂの間に接着した例について説明したが、これに代えて、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの間を跨ぐように配置されている電気絶縁性のテープ８０をターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに接着してもよい。

（第３実施形態）
上記第２実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂとコンデンサ３０との間の接合部に加わる応力を低減するために、ターミナル１２ａ、１２ｂの間をテープ８０により接着した例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂのそれぞれに薄肉部１２０ａ、１２０ｂを設ける例について説明する。

図８に本発明の本実施形態における半導体装置１の断面図を示す。

本実施形態のターミナル１２ａには、薄肉部１２０ａ、１２０ｂが設けられている。薄肉部１２０ａ、１２０ｂは、ターミナル１２ａのうち薄肉部１２０ａ、１２０ｂ以外の部分に比べて、厚み方向寸法が小さくなっている。つまり、薄肉部１２０ａ、１２０ｂは、ターミナル１２ａのうち薄肉部１２０ａ、１２０ｂ以外の他の部分に比べてターミナル１２ａを構成する肉部が薄くなっている。薄肉部１２０ａは、コンデンサ３０に対して長手方向他端側に設けられている。薄肉部１２０ｂは、コンデンサ３０に対して長手方向一端側に設けられている。

ターミナル１２ｂには、図８に示されていないが、ターミナル１２ａと同様に、薄肉部１２０ａ、１２０ｂが設けられている。

以上説明した本実施形態によれば、ターミナル１２ａ（１２ｂ）には、それぞれ、他の部分に比べて肉部が薄くなっている薄肉部１２０ａ、１２０ｂが設けられている。つまり、ターミナル１２ａ（１２ｂ）には、その肉部が部分的に薄くなっている薄肉部１２０ａ、１２０ｂが設けられている。このため、ターミナル１２ａに対して長手方向他端側（図８中左側）に外力が加わった際に薄肉部１２０ａが撓んでターミナル１２ａの長手方向他端側（図８中左側）が反り易くなる。一方、ターミナル１２ｂに対して長手方向一端側（図８中右側）に外力が加わった際に薄肉部１２０ｂが撓んでターミナル１２ｂの長手方向一端側（図８中右側）が反り易くなる。これにより、ターミナル１２ａ、１２ｂとコンデンサ３０との間の接合部に加わる応力を低減することが可能である。これにより、リードフレーム１０からコンデンサ３０が剥離することをより一層強く抑制することができる。

（第４実施形態）
上記第３実施形態では、ターミナル１２ａ（１２ｂ）の厚み方向の寸法を薄肉部１２０ａ、１２０ｂ以外の他の部分に比べて小さくした薄肉部１２０ａ、１２０ｂを形成した例について説明した例について説明したが、本実施形態では、図９に示すように、ターミナル１２ａ（１２ｂ）の幅方向の寸法を薄肉部１２０ａ、１２０ｂ以外の他の部分に比べて小さくした薄肉部１２０ａ、１２０ｂを形成してもよい。ターミナル１２ａ（１２ｂ）の幅方向とは、厚み方向に直交する方向である。

以上説明した本実施形態によれば、ターミナル１２ａ（１２ｂ）の幅方向の寸法を薄肉部１２０ａ、１２０ｂ以外の他の部分に比べて小さくした薄肉部１２０ａ、１２０ｂを形成する。つまり、ターミナル１２ａ（１２ｂ）において、その幅方向の寸法を他の部分に比べて小さくすることにより、他の部分に比べて肉部が薄くなっている薄肉部１２０ａ、１２０ｂが形成されていることになる。このため、上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。

本実施形態では、図９に示すように、ターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐように配置されている補強用のテープ８０Ａがターミナル１２ａ、１２ｂに接着されている。テープ８０Ａは、ターミナル１２ａ、１２ｂのそれぞれの機械的強度を増すために設けられている。

上記第４実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐように配置される補強用のテープ８０Ａをターミナル１２ａ、１２ｂの間を接着した例について説明したが、これに限らず、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄを跨ぐように配置される補強用のテープ８０Ａをターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに対して接着してもよい。

（第５実施形態）
上記第３、第４の実施形態では、ターミナル１２ａ（１２ｂ）の厚み方向、或いは幅方向寸法を小さくして薄肉部１２０ａ、１２０ｂを形成した例について説明した例について説明したが、本実施形態では、図１０に示すように、ターミナル１２ａ（１２ｂ）に穴部１２５ａ、１２５ｂを形成して薄肉部１２０ａ、１２０ｂを形成してもよい。

図１０に本実施形態の半導体装置１の正面図を示す。本実施形態のターミナル１２ａのうちコンデンサ３０に対して長手方向他端側（図１０中左側）には、穴部１２５ａが設けられている。これにより、ターミナル１２ａのうち穴部１２５ａの周囲に薄肉部１２０ａが形成されることになる。一方、ターミナル１２ａのうちコンデンサ３０に対して長手方向一端側（図１０中右側）には、穴部１２５ｂが設けられている。これにより、ターミナル１２ａのうち穴部１２５ｂの周囲に薄肉部１２０ｂが形成されることになる。

ターミナル１２ｂにも、ターミナル１２ａと同様に穴部１２５ａ、１２５ｂが形成されて薄肉部１２０ａ、１２０ｂが形成されることになる。

以上説明した本実施形態によれば、ターミナル１２ａ（１２ｂ）に穴部１２５ａ、１２５ｂを形成して薄肉部１２０ａ、１２０ｂを形成した。このため、上記第３、第４の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

（第６実施形態）
上記第１の実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂとコンデンサ３０との間の接合部に加わる応力を低減するために、ターミナル１２ａ、１２ｂをアイランド１１に接着した例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂとコンデンサ３０との間の接合力を増大する例について説明する。

図１１（ａ）は、本実施形態のターミナル１２ａ、１２ｂ、およびコンデンサ３０をターミナル１２ａ、１２ｂの長手方向一端側から視た図である。図１１（ｂ）は、ターミナル１２ａ単体を示す斜視図である。

ターミナル１２ａのうちコンデンサ３０が接合する接合領域には、窪み（ディンプル）１２３が設けられている。窪み１２３内に導電性接着剤７０（接合部材）が入り込む。このため、ターミナル１２ａのうち導電性接着剤７０が接着される面積を広げることができる。

同様に、ターミナル１２ｂのうちコンデンサ３０が接合する接合領域には、窪み１２３が設けられている。窪み１２３内に導電性接着剤７０が入り込む。このため、ターミナル１２ｂのうち導電性接着剤７０が接着される面積を広げることができる。

以上により、導電性接着剤７０のアンカー効果が発現し易くなり、ターミナル１２ａ、１２ｂとコンデンサ３０との間において導電性接着剤７０による接合力を増大することができる。したがって、ターミナル１２ａ（１２ｂ）に外力が加わった際にリードフレーム１０からコンデンサ３０が剥離することをより一層強く抑制することができる。

（他の実施形態）
上記第１〜第６の実施形態では、コンデンサ３０（３１）をターミナル１２ａ、１２ｂ（１２ｂ、１２ｃ）の接合領域に対して導電性接着剤７０により接合した例について説明したが、これに代えて、コンデンサ３０（３１）をターミナル１２ａ、１２ｂ（１２ｂ、１２ｃ）の接合領域に対して半田により接合してもよい。

上記第１、２の実施形態では、半導体装置１の製造工程として、第３の工程（ステップＳ１２０）の後に、第４の工程（ステップＳ１３０）を実施する例について説明したが、これに代えて、第４の工程（ステップＳ１３０）の後に第３の工程（ステップＳ１２０）を実施してもよい。

上記第２実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄをアイランド１１から離した半導体装置１において、ターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐようにターミナル１２ａ、１２ｂの間にテープ８０を接着した例について説明したが、これに代えて、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄをアイランド１１に接着した半導体装置１において、ターミナル１２ａ、１２ｂの間を跨ぐようにターミナル１２ａ、１２ｂの間にテープ８０を接着してもよい。或いは、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄを跨ぐように配置されるテープ８０をターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに対して接着してもよい。

上記第３、第４、第５の実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄをアイランド１１から離した半導体装置１において、ターミナル１２ａ、１２ｂのそれぞれに薄肉部１２０ａ、１２０ｂを設ける例について説明したが、これに代えて、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄをアイランド１１に接着した半導体装置１において、ターミナル１２ａ、１２ｂのそれぞれに薄肉部１２０ａ、１２０ｂを設けてもよい。

上記第６の実施形態では、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄをアイランド１１から離した半導体装置１において、ターミナル１２ａ、１２ｂに窪み１２３を設けた例について説明したが、これに代えて、ターミナル１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄをアイランド１１に接着した半導体装置１において、ターミナル１２ａ、１２ｂに窪み１２３を設けてもよい。つまり、上記第６の実施形態にける窪み１２３を上記第１の実施形態の半導体装置１に適用してもよい。

上記第１〜第６の実施形態では、ターミナル１２ａ〜１２ｄのうち互いに隣接するターミナル１２ａ、１２ｂに対してコンデンサ３０（３１）を実装する例について説明したが、これに代えて、ターミナル１２ａ〜１２ｄのうち隣接していない２つのターミナルに対してコンデンサ３０（３１）を実装してもよい。

ここで、上記隣接していない２つのターミナルとは、２つのターミナルの間に２つのターミナル以外の他のターミナルが配置されているものである。

ここで、上記隣接していない２つのターミナルとは、例えば、ターミナル１２ａ、１２ｃである。この場合、ターミナル１２ａ、１２ｃの間に配置されるターミナル１２ｂが他のターミナルとなる。

上記第１〜第５の実施形態では、複数のターミナルをアイランド１１の一端側（図１中左端側）に配置した例について説明したが、これに代えて、複数のターミナルをアイランド１１の図１中の左右両端側に配置してもよい。或いは、アイランド１１の図１中の上下両端側および左右両端側に複数のターミナルを配置してもよい。

上記第３、第４、第５の実施形態では、薄肉部（１２０ａ、１２０ｂ）をコンデンサ３０に対して長手方向一端側および長手方向両端側に設けた例について説明したが、これに限らず、コンデンサ３０に対して長手方向一端側および長手方向両端側のうちいずれか一方に薄肉部を設けてもよい。

上記第１〜第６の実施形態では、電子素子としてコンデンサ３０（３１）を用いた例について説明したが、これに代えて、コンデンサ以外の各種のデバイス（例えば、抵抗素子）を電子素子として用いてもよい。

本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。

例えば、上記第３、第４の実施形態を組み合わせて、幅方向寸法および厚み方向寸法をそれぞれ小さくして薄肉部１２０ａ、１２０ｂを形成してもよい。

１ 半導体装置
１０ リードフレーム
１１ アイランド
１２ａ ターミナル
１２ｂ ターミナル
１２ｃ ターミナル
１２ｄ ターミナル
２０ ＩＣチップ
３０ コンデンサ
３１ コンデンサ
４０ ボンディングワイヤ
４１ ボンディングワイヤ
４２ ボンディングワイヤ
５０ 被覆部
３００ａ 電極（第１の電極）
３００ｂ 電極（第２の電極）
３０１ａ 電極（第１の電極）
３０１ｂ 電極（第２の電極）
Ｓ１１０ 第２工程（ＩＣチップ搭載工程）
Ｓ１２０ 第３工程（電子素子接合工程）
Ｓ１３０ 第４工程（ターミナル接着工程）
Ｓ１４０ 第５工程（ワイヤボンディング工程）
Ｓ１５０ 第６工程（モールド工程）

Claims (13)

1. リードフレーム（１０）のアイランド（１１）にＩＣチップ（２０）を搭載するＩＣチップ搭載工程（Ｓ１１０）と、
   前記リードフレームの複数のターミナル（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）のうち第１のターミナルに電子素子（３０、３１）の第１の電極（３００ａ、３０１ａ）を接合し、前記複数のターミナルのうち前記第１のターミナル以外の第２のターミナルに前記電子素子の第２の電極（３００ｂ、３０１ｂ）を接合する電子素子接合工程（Ｓ１２０）と、
   前記ＩＣチップと前記複数のターミナルとの間を複数のワイヤ（４０〜４２）により接続するワイヤボンディング工程（Ｓ１４０）と、
   前記ＩＣチップ、前記アイランド、前記電子素子、および前記複数のワイヤをモールド樹脂によりモールドするモールド工程（Ｓ１５０）と、を備える半導体装置の製造方法であって、
   前記ワイヤボンディング工程の前に、前記第１、第２のターミナルの間を接着するターミナル接着工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記ターミナル接着工程（Ｓ１３０）では、前記第１、第２のターミナルの長手方向一方側をそれぞれ前記アイランドに接着することにより、前記第１、第２のターミナルの間を接着することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記ターミナル接着工程では、前記第１、第２のターミナルの長手方向一方側を電気絶縁性接着剤によりそれぞれ前記アイランドに接着することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記ターミナル接着工程では、前記第１、第２のターミナルの間を跨ぐように配置される接着部材（８０、８０Ａ）によって、前記第１、第２のターミナルの間を接着することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
5. ＩＣチップ（２０）が搭載されるアイランド（１１）と複数のターミナル（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）とを備えるリードフレーム（１０）と、
   第１、第２の電極を備え、前記複数のターミナルのうち第１のターミナルに前記第１の電極（３００ａ、３０１ａ）が接合されて、前記複数のターミナルのうち前記第１のターミナル以外の第２のターミナルに前記第２の電極（３００ｂ、３０１ｂ）が接合される電子素子（３０、３１）と、
   前記ＩＣチップと前記複数のターミナルとの間に接続されている複数のワイヤ（４０〜４２）と、を備え、前記ＩＣチップ、前記アイランド、前記電子素子、および前記複数のワイヤをモールド樹脂によりモールドされている半導体装置であって、
   前記第１、第２のターミナルの間が接着されていることを特徴とする半導体装置。
6. 前記第１、第２のターミナルの長手方向一方側がそれぞれ前記アイランドに接着されることにより、前記第１、第２のターミナルの間が接着されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記第１、第２のターミナルの長手方向一方側が電気絶縁性接着剤によりそれぞれ前記アイランドに接着されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
8. 前記第１、第２のターミナルの間を跨ぐように配置される接着部材（８０、８０Ａ）によって、前記第１、第２のターミナルの間が接着されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
9. ＩＣチップ（２０）が搭載されるアイランド（１１）と複数のターミナル（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）とを備えるリードフレーム（１０）と、
   第１、第２の電極を備え、前記複数のターミナルのうち第１のターミナルに前記第１の電極（３００ａ、３０１ａ）が接合されて、前記複数のターミナルのうち前記第１のターミナル以外の第２のターミナルに前記第２の電極（３００ｂ、３０１ｂ）が接合される電子素子（３０、３１）と、
   前記ＩＣチップと前記複数のターミナルとの間に接続されている複数のワイヤ（４０〜４２）と、を備え、前記ＩＣチップ、前記アイランド、前記電子素子、および前記複数のワイヤをモールド樹脂によりモールドされている半導体装置であって、
   前記第１、第２のターミナルの少なくとも一方のターミナルにおいて、前記電子素子に対して長手方向一方側或いは長手方向他方側には、他の部分に比べて肉部が薄くなっている薄肉部（１２０ａ、１２０ｂ）が設けられていることを特徴とする半導体装置。
10. 前記薄肉部は、幅方向の寸法が、前記ターミナルうち前記他の部分に比べて小さくなっていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
11. 前記薄肉部は、厚み方向寸法が、前記ターミナルうち前記他の部分に比べて小さくなっていることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
12. 前記少なくとも一方のターミナルにおいて、穴部（１２５ａ、１２５ｂ）が形成されることにより、前記薄肉部が設けられるようになっていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
13. ＩＣチップ（２０）が搭載されるアイランド（１１）と複数のターミナル（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）とを備えるリードフレーム（１０）と、
    第１、第２の電極を備え、前記複数のターミナルのうち第１のターミナルに前記第１の電極（３００ａ、３０１ａ）が接合部材により接合されて、前記複数のターミナルのうち前記第１のターミナル以外の第２のターミナルに前記第２の電極（３００ｂ、３０１ｂ）が接合部材により接合される電子素子（３０、３１）と、
    前記ＩＣチップと前記複数のターミナルとの間に接続されている複数のワイヤ（４０〜４２）と、を備え、前記ＩＣチップ、前記アイランド、前記電子素子、および前記複数のワイヤをモールド樹脂によりモールドされている半導体装置であって、
    前記第１、第２のターミナルの少なくとも一方のターミナルにおいて、前記電子素子が接合される接合領域には、窪み（１２３）が設けられていることを特徴とする半導体装置。

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