JP2016046509A - プリント配線板および半導体パッケージ - Google Patents

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俊樹 古谷
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俊輔 酒井
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Yasushi Inagaki
靖 稲垣
航 中村
Wataru Nakamura
航 中村
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Abstract

【課題】一方の面にファインピッチでパターンが形成できるプリント配線板の反りの抑制および両面の接続部における絶縁性向上。
【解決手段】第1面F1および第2面F2を有する配線導体層21と、配線導体層21の第2面F2上に形成される導体ポスト25と、第1表面SF1および第2表面SF2を有し、第1表面SF1に第1面F1が露出するように配線導体層21を埋め込むと共に、導体ポスト25の側面を被覆する樹脂絶縁層30とを備えている。そして、プリント配線板10の外周側に導体ポスト25と同じ材料により周回するように形成されるフレーム26をさらに有し、フレーム26は、樹脂絶縁層30の第1表面SF1から第2表面SF2まで、ほぼ同じ幅で貫通して形成されている。
【選択図】図1

Description

本発明はプリント配線板および半導体パッケージに関する。さらに詳しくは、一方の面だけに半導体素子などとの接続部が形成される場合のように、上下で層構造がアンバランスになり基板に反りが発生しやすい場合でも、その反りを防止することができる構造のプリント配線板、および、そのようなプリント配線板を有する半導体パッケージに関する。
従来から、半導体装置のパッケージなどに用いられるプリント配線板では、所望の電気回路を一方の面だけで形成できる場合は、片面だけに半導体素子との接続部を含む配線パターンが形成され、他方の面には、マザーボードなどへの接続用の接続部だけが設けられる。たとえば、特許文献1には、絶縁性基板の一方の面上に金属箔がパターニングされた導体回路(導体層)が形成され、この導体回路に向けて絶縁性基板に他方の面側から貫通孔が設けられ、貫通孔内に導電性ペーストが充填されることにより導体ポストが形成され、他方の面から突出する導体ポストの先端部が他の絶縁性基板などとの接続部とされる片面回路基板が開示されている。
特開平10−13028号公報
近年の半導体素子の高機能化に伴い、半導体素子の電極の配置が狭ピッチ化すると共に、その数も益々増加する傾向にある。このため、プリント配線板にも導体パターンの配線ピッチのファイン化が求められている。特に、一方の面だけに配線パターンを形成するようにしてプリント配線板のコスト削減を図る場合には、所望の回路が1つの面だけで形成できるように、配線パターンのファインピッチ化がより強く求められる。また、このような半導体素子が接続されるプリント配線板では、マザーボードなどとの接続部も狭ピッチ化が求められる。
特許文献1の回路基板では、導体層が絶縁性基板の表面上に形成されているため、配線パターンをファインピッチ化すると、絶縁性基板との接触面積が少なくなって密着性が低下するおそれがある。また、一方の面だけに配線パターンが形成され、他方の面には配線パターンが形成されないと上下のアンバランスによりプリント配線板に反りが発生しやすいという問題が生じるおそれがある。さらに、半導体素子の接続部間で接合材が流れて接触し、ショート状態となるおそれもある。また、特許文献1の回路基板は、導体ポストの先端部が絶縁性基板の表面から突出しているので、マザーボードなどに実装されるときに、ハンダなどの接合材の層が導体ポストの先端面に形成されると、接合材が側面にも濡れ広がることが考えられる。このため、マザーボードへの接続部においても、接続部の狭ピッチ化に伴って接続部間で接合材が接触し、ショート状態となるおそれがある。
本発明の目的は、ファインピッチで配線パターンが樹脂絶縁層の一方の面だけに形成される場合でも、プリント配線板の反りが抑制され、かつ、導体層と絶縁層との良好な密着性が保たれ、一方の面における半導体素子などとの接続部においても、他方の面におけるマザーボードなどとの接続部においても隣接する接続部間のショートが抑制され得るプリント配線板、および、そのようなプリント配線板を有する半導体パッケージを提供することである。
本発明のプリント配線板は、第1面および該第1面と反対側の第2面を有する配線導体層と、前記配線導体層の前記第2面上に形成される導体ポストと、第1表面および該第1表面と反対側の第2表面を有し、前記配線導体層を前記第1面が前記第1表面側に露出するように埋め込むと共に、前記導体ポストの側面を被覆する樹脂絶縁層と、を備えている。そして、前記プリント配線板の外周部側に、前記導体ポストと同じ材料により周回するように形成され、かつ、少なくとも側面が前記樹脂絶縁層に被覆されるように形成されるフレームをさらに有している。また、前記フレームは、前記配線導体層の第2面から前記樹脂絶縁層の第2表面側まで、ほぼ同じ幅で貫通して形成されていることが好ましい。
本発明の集合のプリント配線板は、第1面および該第1面と反対側の第2面を有する配線導体層と、前記配線導体層の前記第2面上に形成される導体ポストと、第1表面および該第1表面と反対側の第2表面を有し、前記配線導体層を前記第1面が前記第1表面側に露出するように埋め込むと共に、前記導体ポストの側面を被覆する樹脂絶縁層と、を備えるプリント配線板が、前記樹脂絶縁層が連続して複数個形成されている。そして、前記集合のプリント配線板の製品エリアの周囲のダミーエリアにおいて、前記導体ポストと同じ材料により前記集合のプリント配線板の外周を周回するように形成され、かつ、少なくとも側面が前記樹脂絶縁層に被覆されるように形成されるフレームをさらに有している。また、前記フレームは、前記樹脂絶縁層の前記第1表面側から第2表面側まで、ほぼ同じ幅で貫通して形成されていることが好ましい。
また、本発明の半導体パッケージは、一方の面に第1半導体素子が実装されているプリント配線板と、該プリント配線板の前記一方の面上に搭載される基板と、を有している。そして、前記プリント配線板は、第1面および該第1面と反対側の第2面を有する配線導体層と、前記配線導体層の前記第2面上に形成される導体ポストと、第1表面および該第1表面と反対側の第2表面を有し、前記配線導体層を前記第1面が前記第1表面側に露出するように埋め込むと共に、前記導体ポストの側面を被覆する樹脂絶縁層と、を備え、前記樹脂絶縁層の外周部で前記導体ポストよりも外周部側で、前記導体ポストと同じ材料により周回するように形成され、かつ、少なくとも側面が前記樹脂絶縁層に被覆されるように形成されるフレームをさらに有している。また、前記基板は前記プリント配線板側の面にバンプを備えており、前記バンプが前記配線導体層に接続されている。前記フレームは、前記配線導体層の第2面から前記樹脂絶縁層の第2表面側まで、ほぼ同じ幅で貫通して形成されていることが好ましい。
本発明によれば、配線導体層が樹脂絶縁層の第1表面側に埋め込まれているので、配線導体層と樹脂絶縁層との接触面が多くなる。このため、配線導体層にファインピッチで配線パターンが形成される場合でも、樹脂絶縁層との密着性が維持され得る。また、プリント配線板の周囲を周回するように配線導体層の材料によりフレームが形成されているため、たとえば厚さ200μm以下の極薄プリント配線板であったり、樹脂絶縁層の両面で熱膨張係数にアンバランスがあったりしても、プリント配線板の反りが抑制され得る。さらに、配線導体層の第1面および導体ポストの端面が樹脂絶縁層の第1表面および第2表面よりも、それぞれ凹んでいれば、プリント配線板の両側の面それぞれにおいて、接続部間のショートが防止され得る。
本発明の一実施形態のプリント配線板の断面説明図。 図1に示されるプリント配線板の底面図。 図2Aに示されるフレームの他の構造例を示す図。 図2Aに示されるフレームの他の構造例を示す図。 図2Aに示されるフレームの他の構造例を示す図。 集合プリント配線板にフレームが形成された例を示す平面説明図。 図3Aの左右両端部の断面説明図。 図3Aの集合プリント配線板のフレーム部を主体とする底面説明図。 図1に示されるプリント配線板の配線導体層および導体ポストの拡大図。 表面保護膜が形成されている図1の配線導体層および導体ポストの断面図。 端面にハンダが塗布されている図1の導体ポストの断面図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の一例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の他の例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の他の例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の他の例の各工程の説明図。 図1に示されるプリント配線板の製造方法の他の例の各工程の説明図。 本発明の一実施形態の半導体パッケージの断面図。 図7Aに示される半導体パッケージにモールド樹脂が充填されている例を示す断面図。 図7Bに示される半導体パッケージに第2半導体素子が実装されている状態を示す断面図。
つぎに、本発明の一実施形態のプリント配線板が図面を参照しながら説明される。本発明の一実施形態のプリント配線板10(以下、プリント配線板は単に配線板とも称される)は、図1に示されるように、第1面F1および第1面F1と反対側の第2面F2を有する配線導体層21と、配線導体層21の第2面F2上に形成される導体ポスト25と、第1表面SF1および第1表面SF1と反対側の第2表面SF2を有し、配線導体層21を第1面F1が第1表面SF1側に露出するように埋め込まれると共に、導体ポスト25の側面を被覆する樹脂絶縁層30とを備えている。本実施形態では、プリント配線板10の外周部側に、導体ポスト25と同じ材料により周回するようにフレーム26が形成され、そのフレーム26は、樹脂絶縁層30の第1表面SF1から第2表面SF2まで、ほぼ同じ幅で貫通して形成されている。
ここに「周回する」とは、周囲を一周することを意味し、図2Aに示されるように、連続して周回していても良いし、図2B〜2Dに示されるように連続していないが、断続的に周回していても良い意味である。
この配線導体層21の第1面F1が樹脂絶縁層30の第1表面SF1よりも凹んでおり、導体ポスト25の配線導体層21と反対側の端面25aが樹脂絶縁層30の第2表面SF2よりも凹んでいることが好ましい。そうすることにより、図示しない電子部品を第1表面SF1側に搭載したり、第2表面SF2側をマザーボードなどに接続したりする場合に、接触事故などを防止し得る。さらに、樹脂絶縁層30の第2表面SF2から導体ポスト25の端面25aまでの距離が、樹脂絶縁層30の第1表面SF1から配線導体層21の第1面F1までの距離よりも大きくされていることが、さらに好ましい。
フレーム26は図1に断面説明図が、図2Aに底面図が示されるように、プリント配線板10の周囲に樹脂絶縁層30を貫通するように形成されている。図1に示されるプリント配線板10は、樹脂絶縁層30の第1表面SF1側にのみ配線導体層21が形成され、第2表面SF2側には、第1表面SF1側の配線導体層21を図示しないマザーボードなどに接続するための導体ポスト25の端部25aが露出されるだけの構造のプリント配線板であり、その導体ポスト25の外側にフレーム26が形成されている。
この導体ポスト25およびフレーム26は、その製造方法が後述されるように、配線導体層21の第2面F2上に積み上げて形成され、その後にその周囲に樹脂絶縁層30が形成されるため、ほぼ同じ太さ(幅)で形成される。すなわち、従来のこの種の導体は、樹脂絶縁層30にレーザー光などの照射により導通用孔が形成され、その導通用孔内に導体が埋め込まれることにより形成される。そのため、導通用孔は奥に行くほどレーザー光が弱くなって細くなり、テーパ状の導通用孔となり、埋め込まれる導体の電気抵抗も増大しやすいが、この実施形態では、感光性のめっきレジストの露光・現像により形成された開口部に導体が埋め込まれるため、下から上までほぼ同じ太さ(幅)で形成される。さらに、この導体ポスト25は、配線導体層上に積み上げることにより形成されるため、たとえば図2Aに示されるように、連続して周回するように形成されることができる。
すなわち、従来の導通用孔を形成して、その導通用孔内に導体が埋め込まれる方法であると、リング状の孔をレーザー光などで形成するのに時間を要するが、本実施形態では、平面上に感光性のめっきレジストをマスクとしてその開口部内に導体層が形成され、その後に樹脂絶縁層30がその周囲を被覆するように形成されるため、樹脂絶縁層30の第1表面SF1から第2表面SF2まで貫通するように、しかも図2Aに示されるようなリング状のフレーム26が容易に形成され得る。
このように、樹脂絶縁層30の第1表面SF1から第2表面SF2まで貫通して、しかもその周囲に連続的にフレーム26が形成されれば、厚いフレーム26により樹脂絶縁層30の周囲が囲まれるため、樹脂絶縁層30が反ろうとしても、その反りが抑制され得る。しかも、このフレーム26は、導体ポスト25と同じ材料で形成されているため、たとえば導体ポスト25が電気めっき法により形成されれば、このフレーム26も同時に形成される。すなわち、電気めっきの際のマスクに導体ポスト25用の開口部の他に、フレーム26用の開口部も形成しておくだけで、導体ポスト25と全く同時に形成され、工数は全く増えることない。
フレーム26の平面(断面)形状は、図2Aの構造に限らず、コーナ部は円弧状でも良いし、また、図2B〜2Dに示されるように種々の構造に形成され得る。すなわち、図2Bに示されるように、前述の導体ポスト25と同様の円柱状のポスト26aが1列または2列で千鳥状などに配置された構造でも良い。また、図2Cに示されるように、断面形状が菱形形状のポスト26bが1列または2列で同様に千鳥状(メッシュ状)に形成されたものでも良い。さらに、図2Dに示されるように、断面形状が短冊状の導体層26cが断続的に1列または2列以上に形成されても良い。断面形状も上述の形状に限定されるものではなく、さらに三角形以上の多角形、楕円形状、その他種々の形状に形成され得るし、1列や2列に限定されるものではない。
さらに、前述の例では、各プリント配線板10の周囲にフレームが形成される例であったが、このようなプリント配線板10が製造される場合、例えば図3Aに示されるように、複数個のプリント配線板10が1つの大判のパネル300に形成され、そのパネル300がD−D線で切断されて、中判で短冊状の集合のプリント配線板(多数個取りプリント配線板)200として製造される。この中判の集合のプリント配線板200の状態で、半導体素子などの電子部品が搭載され、その後個々のプリント配線板10に切断される。従って、この大きなパネル300から集合(多数個取り)のプリント配線板200に切断される際に、クラックが入り、製品エリア1(複数個の個々のンプリント配線板10の集合部)にもそのクラックが延びる可能性がある。そのため、集合のプリント配線板200の周囲であるダミーエリア2に、前述と同様のフレーム260が形成されると、製造段階において、反りによる不都合が生じにくいと共に、D−D線で切断される際に発生するクラックの侵入を防止することができる。なお、図3A〜3Cでは、帯状のパターンで壁状にフレーム260が形成されているが、前述のような平面形状が円形や菱形、スリット状のパターンが柱状に形成されたフレームでもよい。なお、このようなクラックの侵入は、特に樹脂絶縁層として、ガラス繊維などの芯材が入っていない樹脂が用いられる場合に、その侵入を阻止するものがないため、広くクラックが延びるという問題があり、そのクラックの侵入を阻止することが有効である。
なお、この製品エリア1の外周のダミーエリア2に形成されるフレーム260は、個々のプリント配線板10の外周にフレーム26が形成されると否とにかかわらず形成され得る。個々のプリント配線板10の状態でフレーム26を形成するスペースの余裕がない場合でも、このダミーエリア2にフレーム260が形成されることにより、半導体素子などを搭載する際の反りを防止することができると共に、パネル300から集合のプリント配線板200に切断する際のクラックの侵入を防止することができるという格別な効果を奏することが予想される。図3Bもこの例で示されている。
さらに詳細に説明すると、図3Aには、パネル300の状態の平面説明図が示されており、切断線D−Dで切断されることにより、製品エリア1が2個で、その周囲にダミーエリア2を有する短冊状の集合のプリント配線板200になる。この例では、樹脂絶縁層30の(図3B参照)の第1表面SF1側に形成された配線導体層21の第3パターン(ダミーパターン)21cが、ベタの帯状で製品エリア1の周囲を周回するように形成されている。そして、図3Bに示されるように、その第3パターン21cとほぼ同じ幅または若干それより狭い幅で樹脂絶縁層30を貫通して、樹脂絶縁層30の第2表面SF2側に端部が露出するように、フレーム260が形成されている。換言すると、図3Aに示される例では、2個の製品エリア1の周囲を囲むように導体膜で樹脂絶縁層30内に壁が形成されている。その結果、集合のプリント配線板200の反りを防止しやすいと共に、そのフレーム260の外側で切断される際にクラックが発生しても、そのクラックが製品エリア1内に侵入することを阻止することが可能になると考えられる。
その結果、この集合のプリント配線板200の底面図が図3Cに示されるように、フレーム260が第3(ダミー)パターン21cとほぼ同程度幅で露出している。なお、このようなフレーム260の端部は、樹脂絶縁層30の第2表面SF2よりも凹んでいる。このような厚い幅でフレーム260が形成されることにより、曲げ応力に対しても非常に堅固となり、反りを防止することができると共に、パネル300から集合のプリント配線板200に切断する際にも、クラックが製品エリア1に侵入することがなく、非常に製造歩留りを向上させることができる。なお、図3Bでは、簡略化のため、図3Aの左右両端部をメインに描き、中間部が省略されると共に、製品エリア1では、導体ポスト25と第1パターン21aおよび第2パターン21bのみが示されている。また、図3Cでも、ダミーエリア2の部分だけが示され、製品エリア1の構造は省略されている。
配線導体層21は、第1面F1が樹脂絶縁層30の第1表面SF1側に露出するように、樹脂絶縁層30の第1表面SF1側に全体が埋め込まれている。すなわち、配線導体層21と樹脂絶縁層30とは、配線導体層21の第2面F2だけではなく、配線導体層21の側面、具体的には、配線導体層21に形成されている第1パターン21aや第2パターン21bの側面においても接している。このため、第1パターン21aや第2パターン21bがファインピッチで形成され、配線導体層21の第2面F2の面積が小さくなっても、配線導体層21と樹脂絶縁層30との密着性が維持され得る。また、配線導体層21が樹脂絶縁層30内に埋め込まれていることによって、配線板10が薄くされ得る。
配線導体層21には、前述のように、第1パターン21a、第2パターン21bおよび第3パターン21cが形成されている。本実施形態では、第1パターン21aは、樹脂絶縁層30の第2表面SF2側で配線板10と接続される他のプリント配線板(図示せず)などと電気的に接続される配線パターンである。ここで、他のプリント配線板とは、配線板10が用いられる電子機器などのマザーボードであってよく、または、配線板10と共に多層配線板を構成する、絶縁層と導体層との積層体であってもよい。また、第2パターン21bは、たとえば半導体素子(図示せず)などが接続される接続パッドであってよい。さらに、第3パターン21cは、前述のフレーム26を形成するための基部である。また、配線導体層21には、第1、第2および第3のパターン21a、21b、21c以外の配線パターンが形成されていてもよい。たとえば、第2パターン21bに接続される半導体素子の電極のうち外部と電気的に接続されるものは、第2パターン21bと第1パターン21aとを接続するように配線導体層21に形成される配線パターン(図示せず)を介して、第1パターン21aおよび導体ポスト25と電気的に接続される。また、第3パターン21cは、第1パターン21aまたは第2パターン21bの中のグランド機能パターンと接続してもよい。勿論、第1パターン21a、または第2パターン21bとは接続せず、単なるプリント配線板10の反りを抑制する機能だけのフレームでもよい。
図1に示されるように、配線導体層21の第1パターン21aの第2面F2上には導体ポスト25が、第3パターン21cにはフレーム26が、それぞれ形成されている。導体ポスト25は、第1パターン21aの第2面F2上から、フレーム26は、第3パターン21cの第2面F2上から、それぞれ樹脂絶縁層30の第2表面SF2側に向かって延びており、その端面25a、26aが樹脂絶縁層30の第2表面SF2側に露出している。導体ポスト25は、たとえば、前述のように、第2パターン21bに接続される図示しない半導体素子の所定の電極と前述の他のプリント配線板などとを電気的に接続する。従って、図示しない半導体素子の電極数に相当する数の導体ポスト25が、図2Aに示されるように、樹脂絶縁層30の第2表面SF2の外周に沿ってまたは第2表面SF2の全面に設けられてもよい。すなわち、図2Aでは、導体ポスト25が1列に形成されているが、2列ぐらいに形成されることがよくあり、さらに内部全エリアに導体ポスト25が形成される場合がある。
樹脂絶縁層30は、配線導体層21の側面および導体ポスト25が形成されていない部分の第2面F2、ならびに、導体ポスト25およびフレーム26の側面を被覆している。樹脂絶縁層30の第1表面SF1には配線導体層21の第1面F1が露出し、反対側の第2表面SF2には導体ポスト25およびフレームの端面25a、26aが露出している。樹脂絶縁層30の厚さは、特に限定されないが、配線板10への薄型化の要求に対応しつつ、取扱いが容易な一定の剛性を併せもつ点で、100〜200μm程度にされるのが好ましい。
樹脂絶縁層30の材料は、ガラス繊維などの芯材を含まない樹脂組成物であってよく、芯材のない樹脂組成物だけでもよい。樹脂組成物としては、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。また、シリカなどの無機フィラーが30〜80重量%含有されているエポキシ樹脂が用いられてもよい。また、樹脂絶縁層30の材料は、配線板10の製造時にシート状またはフィルム状で供給されるのに適した樹脂組成物であってよく、或いは、樹脂絶縁層30がモールド成形により形成される場合に適したモールド成形用の樹脂材料であってよい。モールド成形用の樹脂材料が選択される場合、樹脂絶縁層30の材料は、熱膨張率が6〜25ppm/℃、かつ、弾性率が5〜30GPaであることが、成形時に金型内で良好な流動性が得られると共に、成形後に配線導体層21との界面や、樹脂絶縁層30の第1表面SF1側に実装される図示しない半導体素子などとの接合部に過大な応力が生じない点で好ましい。しかしながら、熱膨張率や弾性率が前述の範囲外である材料が樹脂絶縁層30に用いられてもよい。
図1に示されるように、配線導体層21の第1面F1は、樹脂絶縁層30の第1表面SF1より第2表面SF2側に位置しており、第1表面SF1よりも凹んでいる。このように配線導体層21が形成されているので、電極が狭ピッチで配置された図示しない半導体素子が、接合材などにより第2パターン21bなどに接続される場合でも、第2パターン21b間の樹脂絶縁層30の部分が壁となり、隣接する第2パターン21b間で接合材などが接触して電気的にショート状態となることが防止され得る。
また、導体ポスト25の端面25aおよびフレーム26の端面26aは、樹脂絶縁層30の第2表面SF2より第1表面SF1側に位置しており、第2表面SF2よりも凹んでいる。このため、導体ポスト25が図示しない他のプリント配線板などに接続される場合に、導体ポスト25の端面25a上にハンダなどの接合材層27(図4C参照)が、導体ポスト25の側面などに濡れ広がることなく形成され得る。また、接合材が溶融しているときは、導体ポスト25間の樹脂絶縁層30の部分が壁となり、隣接する導体ポスト25間で接合材が接触して電気的にショート状態となることが防止され得る。
そして、本実施形態では、樹脂絶縁層30の第2表面SF2から導体ポスト25の端面25aまでの距離が、樹脂絶縁層30の第1表面SF1から配線導体層21の第1面F1までの距離よりも大きくされており、すなわち、導体ポスト25の端面25aの樹脂絶縁層30の第2表面SF2からの凹みの方が、配線導体層21の第1面F1の樹脂絶縁層30の第1表面SF1からの凹みよりも大きくされている。たとえば、図示しない半導体素子との接続がワイヤボンディングなどにより行われるような場合は、配線導体層21の第1面F1上にボンディングに適した材料によるボンディンング層(図示せず)がめっき法などにより形成され得る。このボンディング層の形成時に導体ポスト25の端面25aがマスクされていないと、端面25a上にも配線導体層21の第1面F1と略同じ厚さのめっき膜が形成される。本実施形態では、導体ポスト25の端面25a上の凹みの方が配線導体層21の第1面F1上の凹みよりも大きくされているので、樹脂絶縁層30の第1表面SF1からの凹みが埋まるほど厚いボンディング層が配線導体層21の第1面F1上に、形成される場合でも、端面25aの第2表面SF2からの凹みがめっき膜で埋まることは無く、たとえば、接合材層27(図4C参照)を形成するための空間25b(図4B参照)が端面25a上に確保され得る。従って、端面25aのマスキングなどを要することなく、めっき法などにより前述のボンディング層が形成され得る。なお、半導体素子が、ワイヤボンディングなどにより配線導体層21と接続される場合は、ハンダのような流動性の接合材が用いられないので、配線導体層21の第1面F1の樹脂絶縁層30の第1表面SF1からの凹みが埋められても大きな問題とならない。
配線導体層21および導体ポスト25、フレーム26の形成方法は特に限定されないが、好ましくは、金属膜を安価で容易に形成することができる電気めっき法により形成される。また、電気めっき法以外の方法で、たとえば、インクジェット工法などにより配線導体層21が形成されてもよい。また、たとえば、予め、円柱や四角柱の形状の導電性材料からなる導体ピンが形成され、第1パターン21aに接続されることにより導体ポスト25および/またはフレーム26が形成されてもよい。なお、配線導体層21の第1面F1は、後述される配線板10の製造方法においてベース金属箔81(図5H参照)がエッチングにより除去されるときに、ベース金属箔81が全て溶解したあともエッチングが適切な時間継続されることにより、樹脂絶縁層30の第1表面SF1よりも凹み得る。また、ベース金属箔81のエッチング工程において、導体ポスト25の樹脂絶縁層30の第2表面SF2側に露出する面がマスキングされずにエッチング液に晒されることにより、導体ポスト25およびフレーム26の第2表面SF2側の先端部分がベース金属箔81と共にエッチングされ、端面25a、26aが樹脂絶縁層30の第2表面SF2よりも凹み得ると共に、配線導体層21の第1面F1の第1表面SF1からの凹みよりも端面25a、26aの第2表面SF2からの凹みの方が大きくなり得る。
配線導体層21、導体ポスト25およびフレーム26を構成する材料は特に限定されないが、電気めっきによる形成が容易で、導電性に優れる銅が主に用いられる。しかしながら、配線導体層21、導体ポスト25およびフレーム26は、銅以外の材料で、たとえば、銅合金、または、導電性材料と樹脂組成物とが混合されてペースト状にされた導電性ペーストなどにより構成されてもよい。この導体ポスト25およびフレーム26の材料を同じにすれば、マスクのパターン形成だけで、両者を同時に形成することができるので好ましい。
配線導体層21および導体ポスト25の各部の寸法の好ましい例が、図4Aを参照しながら説明される。樹脂絶縁層30の第1表面SF1から配線導体層21の第1面F1までの距離D1は、0.1〜5μmが例示される。距離D1がこのような長さにされることは、金属箔81(図5H参照)が除去された後に継続するエッチングの時間があまり長くならず、かつ、隣接する第2パターン21b間などで接合材などが接触することが防止され得る点で好ましい。樹脂絶縁層30の第2表面SF2から導体ポスト25の端面25aまでの距離D2は、3〜10μmが例示される。距離D2がこのような長さにされることは、導体ポスト25の先端部分のエッチングのためにあまり長い時間がかからず、かつ、端面25a上にハンダなどの接合材層27(図4C参照)が十分な厚さで形成され得る点で好ましい。配線導体層21の厚さt1は、一定の導電性を確保しつつ、電気めっき法において比較的短い時間で配線導体層21の形成が可能な点で、10〜25μm程度にされるのが好ましい。導体ポスト25の高さH1は、配線導体層21と、樹脂絶縁層30の第2表面SF2側のマザーボードなどとを接続できる高さであれば、特に限定されないが、50〜150μmが例示される。導体ポスト25がこのような高さに形成されると、数多く用いられている100〜200μm程度の厚さの樹脂絶縁層に適用され得る点で好ましい。しかしながら、樹脂絶縁層30の第1表面SF1から配線導体層21の第1面F1までの距離D1、樹脂絶縁層30の第2表面SF2から導体ポスト25の端面25aまでの距離D2、配線導体層21の厚さt1、および導体ポスト25の高さH1は、それぞれ、前述された範囲を上回る、または下回る距離、厚さ、または高さにされてもよい。
図4Bに示されるように、配線導体層21の第1面F1および導体ポスト25の端面25aおよびフレーム26の端面26aには、表面保護膜28が形成されていてもよい。ここで、「表面保護膜」は、酸化などの腐食に対して配線導体層21や導体ポスト25、フレーム26を保護する膜という意味に加えて、たとえばハンダなどの接合材やボンディングワイヤなどとの良好な接合性を得るために第1面F1や端面25a、および26a上に形成される膜という意味も含んでいる。表面保護膜28としては、Ni/Au、Ni/Pd/Au、またはSnなどの、複数層または単層からなるめっき金属膜や、有機保護膜(OSP)などが例示される。また、表面保護膜28は、配線導体層21の第1面F1と導体ポスト25の端面25a、およびフレーム26の端面26aとの両方に形成されてもよく、または、いずれか一方だけに形成されてもよい。また、配線導体層21の第1面F1と導体ポスト25の端面25a、フレーム26の端面26aとで、異なる材料の表面保護膜、たとえば、第1面F1上に、Ni/Au、Ni/Pd/Auなどの金属膜が形成され、端面25a、26a上にOSPが形成されてもよい。なお、図3A〜3Cに示されるように、集合のプリント配線板の周囲に形成されるフレーム260の場合など、最終的に個々のプリント配線板10内に残らない場合のフレーム260には、表面保護膜28は無くてもよく、また、個々のプリント配線板内に残るフレーム26であっても、必要に応じて表面保護膜28が形成されればよい。
また、樹脂絶縁層30の第2表面SF2よりも凹んでいる導体ポスト25の端面25a上の空間25b(図4B参照)に、図4Cに示されるように、接合材層27が形成されていてもよい。接合材層27の材料は、導体ポスト25と、配線板10が実装される図示しないマザーボードなどとを接合できるものであれば特に限定されないが、好ましくはハンダが用いられる。接合材層27は、ハンダが用いられる場合、ペースト状のハンダを塗布したり、めっき法を用いたりして形成され得る。しかしながら、接合材層27の形成方法は、特に限定されず、他のあらゆる方法が用いられ得る。
図4Cに示される例では、接合材層27は、樹脂絶縁層30の第2表面SF2よりも突出するように形成されている。接合材層27は、図4Cに示される例と異なり、樹脂絶縁層30の第2表面SF2から突出しないように形成されてもよく、または、図4Cに示される例よりも多く第2表面SF2から突出するように形成されてもよい。導体ポスト25の端面25aが第2表面SF2よりも突出していると、前述のように、端面25a上にハンダなどからなる接合材層27を形成しようとすると、接合材が溶融状態のときに導体ポスト25の側面に濡れ広がり易く、隣接する導体ポスト25の接合材と接触し易い。さらに、ハンダボール(図示せず)などが端面25a上に配されて接合材層が形成される場合、端面25a上でハンダボールが安定し難い。しかしながら、本実施形態では、導体ポスト25の端面25aが樹脂絶縁層30の第2表面SF2よりも凹んでいるため、接合材が導体ポスト25の側面に濡れ広がることは無く、ハンダボールなどが端面25a上に配される場合でも、ハンダボールの一部が凹み内に収まることにより端面25a上で安定し易い。さらに、樹脂絶縁層30の材料にハンダなどの接合材に対する濡れ性の低いものを用いれば、図4Cに示されるように接合材層27が樹脂絶縁層30の第2表面SF2よりも突出して形成される場合であっても、溶融状態の接合材が第2表面SF2に沿って隣接する導体ポスト25の方に広がることも無い。従って、隣接する導体ポスト25同士が電気的にショート状態となるリスクが低くされながら、導体ポスト25の端面25aに多くの接合材が供給され得る。
導体ポスト25は配線導体層21の第2面F2上に形成される柱状体であり、導体ポスト25の第1面F1に平行な面における断面形状は、円形、楕円形、正方形、矩形、または、菱形など、あらゆる形状にされてよい。導体ポスト25が電気めっき法により形成される場合は、めっき時のレジストフィルムの開口部の形状を所望の形状にすることにより、任意の平面形状の導体ポスト25が形成され得る。
また、図示されていないが、導体ポスト25およびフレーム26の側面には表面粗さを粗くする粗化処理が施されていてもよい。導体ポスト25およびフレーム26の側面が粗化されることにより、所謂アンカー効果が得られ、導体ポスト25およびフレーム26と樹脂絶縁層30との密着性が向上する。粗化処理の方法は特に限定されず、たとえば、ソフトエッチング処理や、黒化(酸化)−還元処理などが例示される。また、配線導体層21の側面および導体ポスト25およびフレーム26が形成されている部分以外の第2面F2にも導体ポスト25およびフレーム26の側面と同様の粗化処理が施されていてもよい。この場合、配線導体層21と樹脂絶縁層30との密着性が向上され得る。
導体ポスト25は、図1および図2Aに示される例では、第2パターン21bが配置されている領域の両側に1列に形成されているが、導体ポスト25が形成される数および形成される位置は図1および図2Aに示されるものに限定されない。たとえば、複数の導体ポスト25が一方向に並べられて2列や3列以上並置されてもよく、また、半ピッチずらせて2列に並べる千鳥状に形成されてもよく、たとえば、樹脂絶縁層30の第2表面SF2の全面に亘って格子状に形成されてもよい。なお、第2面SF2において導体ポスト25が配置される位置に対応する位置の樹脂絶縁層30の第1面SF1には第1パターン21aが形成される。
つぎに、本実施形態の配線板10の製造方法の一例が、図5A〜5Iを参照して説明される。
本実施形態の配線板10の製造方法では、まず、図5Aに示されるように、出発材料として、支持板80、キャリア銅箔80aおよびベース金属箔81が用意され、支持板80の両面にキャリア銅箔80aが積層され、加圧および加熱されて接合される。支持板80には、好ましくは、ガラスクロスなどの芯材にエポキシなどの絶縁性樹脂を含浸させた材料などからなる半硬化状態のプリプレグ材などが用いられるが、これに限定されず、他の材料が用いられてもよい。ベース金属箔81の材料は、表面上に、後述の配線導体層21(図5B参照)が形成され得るものであって、配線導体層21および後述の導体ポスト25(図5D参照)の材料が溶解するエッチング液で同様に溶解し得る材料が用いられ、好ましくは、1〜3μmの厚さの銅箔が用いられる。また、キャリア銅箔80aは、たとえば、15〜30μm、好ましくは18μmの厚さの銅箔が用いられる。しかしながら、キャリア銅箔80aの厚さは、これに限定されず、他の厚さにされてもよい。
キャリア銅箔80aとベース金属箔81との接合方法は、特に限定されないが、たとえば、両者の貼り付け面の略全面において図示されない剥離し易い熱可塑性の接着剤により接着されてもよく、或いは、後述の配線導体層21(図5B参照)の導体パターンが設けられない外周付近の余白部において、接着剤または超音波接続により接合されてもよい。また、キャリア銅箔80aとベース金属箔81とは、キャリア銅箔80aが支持板80に接合される前に接合されてもよいが、これに限定されず、たとえば、支持板80に両面銅張積層板が用いられ、表面の銅箔をキャリア銅箔80aとして、その上に単体のベース金属箔81が前述の方法などを用いて接合されてもよい。
なお、図5A〜5Gには、支持板80の両側の面にベース金属箔81が接合され、それぞれの面において、配線導体層21、導体ポスト25および樹脂絶縁層30が形成される製造方法の例が示されている。このような方法で製造されれば、配線導体層21や導体ポスト25などが2つ同時に形成されるという点で好ましい。しかしながら、支持板80の一方の面だけ配線導体層21などが形成されてもよく、また、両側で互いに異なる回路パターンの配線導体層などが形成されても良い。以下の説明は、両面に同じ回路パターンが形成される例を参照して説明されるため、一方の面だけについて説明され、他面側に関しての説明、および、各図面における他面側の符号は省略される。
つぎに、図5Bに示されるように、ベース金属箔81上に配線導体層21が形成される。配線導体層21の形成方法は特に限定されないが、たとえば、電気めっき法が用いられる。具体的には、まず、ベース金属箔81上にレジスト材(図示せず)が全面に塗布または積層され、パターニングされることにより配線導体層21が形成される部分以外の所定の領域にめっきレジスト膜(図示せず)が形成される。続いて、めっきレジスト膜が形成されていないベース金属箔81上に、ベース金属箔81をシード層として、たとえば、電気めっきによるめっき層が形成される。その後、めっきレジスト膜が除去される。その結果、図5Bに示されるように、第1パターン21a、第2パターン21bおよび第3パターン21cが形成されている配線導体層21が所定の回路パターンでベース金属箔81上に形成される。配線導体層21は、好ましくは後述の導体ポストと同じ材料で形成され、好ましくは銅で形成される。また、配線導体層21は、好ましくは10〜30μmの厚さに形成され得るが、これに限定されない。
つぎに、配線導体層21の第1パターン21aおよび第3パターン21c上に導体ポスト25およびフレーム26が形成される。具体的には、まず、図5Cに示されるように、配線導体層21のベース金属箔81と接している側の面(第1面F1)と反対側の面(第2面F2)であって、導体ポスト25およびフレーム26が形成される部分を除く部分および配線導体層21に覆われずに露出しているベース金属箔81上にめっきレジスト膜85が形成される。めっきレジスト膜85は少なくとも50〜150μm程度の厚さに形成される。続いて、めっきレジスト膜85が形成されていない第1パターン21aおよび第3パターン21c上に、ベース金属箔81をシード層として、たとえば、電気めっきによるめっき層が形成される。その後、めっきレジスト膜85が除去される。その結果、図5Dに示されるように、第1パターン21aの第2面F2上に電気めっき層からなる導体ポスト25が形成され、同様に第3パターン21cの第2面F2上にフレーム26が形成される。導体ポスト25およびフレーム26は、好ましくは配線導体層21と同じ材料で形成され、好ましくは銅で形成される。また、導体ポスト25およびフレーム26は、好ましくは50〜150μmの厚さに形成され得るが、これに限定されない。
導体ポスト25およびフレーム26が形成された後、好ましくは、後述の樹脂絶縁層30との密着性を高めるために、導体ポスト25およびフレーム26の側面25c、26cおよび端面25a、26aならびに、配線導体層21の側面および導体ポスト25が形成されていない部分の第2面F2に粗化処理が行われる。粗化処理の方法は、特に限定されないが、たとえば、ソフトエッチング処理や、黒化(酸化)−還元処理などが例示される。粗化される各面は、好ましくは、算術平均粗さで0.1〜1μmの表面粗さに処理される。また、粗化処理が行われる場合は、めっきレジスト膜85の除去と粗化処理との間に、粗化を安定させるために電気めっき銅の結晶を成長させるアニール処理が行われてもよい。
つぎに、配線導体層21、導体ポスト25およびフレーム26を被覆する樹脂絶縁層30(図5F参照)が形成される。具体的には、まず、図5Eに示されるように、導体ポスト25上に、シート状またはフィルム状の絶縁材33が積層され、支持板80側に向かって加圧されると共に加熱される。加熱により絶縁材33が軟化し、第1パターン21aと第2パターン21bとの間、第2パターン21b同士の間、および導体ポスト25同士の間に流れ込み、半硬化の状態で固化する。その後、さらに加熱されることにより絶縁材33が完全に硬化し、図5Fに示されるように、第1パターン21aの側面および導体ポスト25が形成されていない部分の第2面F2、第2パターン21bの側面および第2面F2、ならびに導体ポスト25およびフレーム26の側面25c、26cおよび端面25a、26a全てを覆う樹脂絶縁層30が形成される。このように、シート状またはフィルム状の絶縁材を積層して樹脂絶縁層30を形成する方法は、一般的な配線板の製造設備により樹脂絶縁層30が形成され得る点で好ましい。樹脂絶縁層30が形成された後、好ましくは、バフ研磨が行われ、樹脂絶縁層30の形成時に生じたバリが除去される。
つぎに、図5Gに示されるように、樹脂絶縁層30のベース金属箔81側と反対側の面(第2表面SF2)が、導体ポスト25およびフレーム26の先端が第2表面SF2に露出するまで、バフ研磨、または、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)などにより研磨される。
つぎに、支持板80およびキャリア銅箔80aと、ベース金属箔81とが分離される。具体的には、まず、たとえば、図5Gに示される配線板の工程途上品10aが加熱され、キャリア銅箔80aとベース金属箔81とを接合している図示しない熱可塑性接着剤が軟化している状態で、支持板80およびキャリア銅箔80aに、ベース金属箔81との界面に沿う方向の力が加えられ、キャリア銅箔80aとベース金属箔81とが引き離される。或いは、前述のように、両者が外周付近の余白部において接着剤または超音波接続により接合されている場合は、接合箇所よりも内周側で、キャリア銅箔80a、ベース金属箔81、および支持板80が樹脂絶縁層30などと共に切断され、接着剤などによる接合箇所が切除されることによりキャリア銅箔80aとベース金属箔81とが分離されてもよい。その結果、配線板の工程途上品10aは、2つの個別の工程途上品となる。この状態が図5Hに示されている。なお、図5Hには、図5Gにおいて支持板80の下面側に示されている配線板の工程途上品10aだけが示されている。
続いて、ベース金属箔81が、たとえばエッチングなどにより除去される。このエッチング液には、ベース金属箔81、配線導体層21および導体ポスト25それぞれの構成材料がいずれも溶解され得るものが用いられる。このため、ベース金属箔81のエッチングの際に、導体ポスト25の樹脂絶縁層30の第2表面SF2に露出する面がエッチング液に晒されることにより、ベース金属箔81と共に導体ポスト25の先端部分がエッチングされる。そして、ベース金属箔81が全て除去された後も、ベース金属箔81の除去により樹脂絶縁層30の第1表面SF1に露出する配線導体層21の第1面F1および導体ポスト25の先端部分がエッチング液に晒されるようにエッチングプロセスが継続されることにより、配線導体層21の第1面F1側がエッチングされ、ベース金属箔81がエッチングされているときと同様に、導体ポスト25の先端部分もエッチングされる。この結果、図5Iに示されるように、配線導体層21の第1面F1が樹脂絶縁層30の第1表面SF1よりも凹み、導体ポスト25の端面25aが配線導体層21の第2表面SF2よりも凹み、かつ、導体ポスト25の端面25aの樹脂絶縁層30の第2表面SF2からの凹みの方が、配線導体層21の第1面F1の樹脂絶縁層30の第1表面SF1からの凹みよりも大きく凹んでいる。
ベース金属箔81の除去後に、好ましくは、表面保護膜28(図4B参照)が、配線導体層21の第1面F1および導体ポスト25の端面25aやフレーム26の端面26aに形成される。表面保護膜28の形成は、Ni/Au、Ni/Pd/Au、またはSnなどの複数または単一の金属膜をめっき法により形成することにより行われてよい。また、液状の保護材料内への浸漬や保護材料の吹付けなどによりOSPが形成されてもよい。表面保護膜は、配線導体層21の第1面F1と導体ポスト25の端面25aとの両方に形成されてよく、いずれか一方だけに形成されてもよい。また、配線導体層21の第1面F1と導体ポスト25の端面25aとで、異なる材料の表面保護膜が形成されてもよい。ただし、前述のように、フレーム26が、最終的に個々のプリント配線板内に残らないような場合には、表面保護膜が設けられなくてもよく、必要に応じて設けられればよい。
また、表面保護膜の形成に加えて、または表面保護膜が形成されずに、導体ポスト25の端面25a上に、導体ポスト25と外部のマザーボードなどとを接合する接合材からなる接合材層27(図4参照)が形成されてもよい。接合材層27の材料には好ましくはハンダが用いられ、ペースト状のハンダの塗布やハンダボールを配置して一旦溶融後硬化させたり、めっき法を用いたりして形成され得る。しかしながら、接合材層の材料や形成方法は、特に限定されず、他の材料および方法が用いられ得る。
以上の工程を経ることにより、図1に示される本実施形態の配線板10が完成する。完成した配線板10には、第2パターン21b上に図示しない半導体素子が接続されてよい。また、導体ポスト25の端面25aが、配線板10が用いられる電子機器などのマザーボードなどに接続されてよく、或いは、図示しない他のプリント配線板に接続されて多層プリント配線板の一部とされてもよい。
図5A〜5Iを参照してなされた前述の説明では、シート状またはフィルム状の絶縁材33が積層され、加熱および加圧されることにより樹脂絶縁層30が形成される本実施形態の配線板10の製造方法の一例が説明された。しかしながら本実施形態の配線板10の樹脂絶縁層30はモールド成形により形成されてもよく、そのような本実施形態の配線板10の製造方法の他の例(以下、樹脂絶縁層30がモールド成形により形成される配線板10の製造方法の例は、単に本製法とも称される)が、図6A〜6Dを参照して以下に説明される。なお、樹脂絶縁層30がモールド成形により形成される場合、成形時に、成形金型の下型に支持板80が支持されて上型が被せられるので、支持板80の両方の面に樹脂絶縁層30を形成するのが困難な場合がある。従って、以下の説明では、支持板80の一方の側だけに配線板10が形成される例について説明され、図6A〜6Dにおいても、図面上、支持板80の上側だけに配線導体層21などが形成される例が示されている。しかしながら、下型と一部が接するだけで支持板80が支持され得るなど、支持板80の両側で、少なくとも一方の側ずつ順番に樹脂絶縁層30が形成され得る場合は、支持板80の両面に配線導体層21などが形成され、樹脂絶縁層30がモールド成形により支持板80の両面に形成されてもよい。なお、本製法では、樹脂絶縁層30の形成以外の工程は、図5A〜5Iを参照して説明された製造方法と同様であるので、図5A〜5C、5Hおよび5Iに相当する図面、ならびに、これらの工程の説明は適宜省略される。
本製法では、図5A〜5Cを参照して説明された工程と同様の工程を経て、図6Aに示されるように、支持板80の一方の側に形成されている配線導体層21の第1パターン21a上に導体ポスト25が、第3パターン21cの上にフレーム26が、それぞれ形成される。導体ポスト25およびフレーム26が形成された後、好ましくは、後述の樹脂絶縁層30との密着性を高めるために、導体ポスト25およびフレーム26の側面25c、26cおよび端面25a、26aならびに、配線導体層21の側面および導体ポスト25、フレーム26が形成されていない部分の第2面F2に粗化処理が行われる。粗化処理の方法は、特に限定されないが、たとえば、ソフトエッチング処理や、黒化(酸化)−還元処理などが例示される。粗化される各面は、好ましくは、算術平均粗さで0.1〜1.1μmの表面粗さに処理される。また、導体ポスト25の形成後、粗化処理の前に、粗化を安定させるために電気めっき銅の結晶を成長させるアニール処理が行われてもよい。
つぎに、樹脂絶縁層30(図6C参照)が形成される。具体的には、まず、図6Bに示されるように、支持板80上に、キャビティ89を有する金型88がセットされる。第1〜第3パターン21a、21bおよび21c、ならびに、導体ポスト25およびフレーム26は、開口が支持板80により閉鎖されるキャビティ89内に収容される。続いて、モールド成形用樹脂34がキャビティ89内に射出され、キャビティ89内がモールド成形用樹脂34で充填され、モールド成形用樹脂34が半硬化状態で固化する。その後、金型88が支持板80から分離され、さらに加熱されることにより、モールド成形用樹脂34が完全に硬化し、図6Cに示されるように、第1パターン21aの側面および導体ポスト25が形成されていない部分の第2面F2、第2パターン21bの側面および第2面F2、第3パターン21cの側面およびフレーム26が形成されていない部分の第2面F2、フレーム26の側面26cおよび端面26a、ならびに導体ポスト25の側面25cおよび端面25a全てを覆う樹脂絶縁層30が形成される。樹脂絶縁層30が形成された後、好ましくは、バフ研磨が行われ、樹脂絶縁層30の形成時に生じたバリが除去される。
つぎに、樹脂絶縁層30のベース金属箔81側と反対側の面(第2表面SF2)が、導体ポスト25の先端が第2表面SF2に露出するまで、バフ研磨またはCMPなどにより研磨される。この研磨後の状態が図6Dに示されている。
その後、図5Hおよび図5Iを参照して説明された工程と同様の工程を経て、図1に示される配線板10が完成する。本製法のようにモールド成形により樹脂絶縁層30を形成する方法は、モールド成形用樹脂で外装されている一般的な電子部品のパッケージ材料と同様の材料が用いられ得るので、配線板10に実装される電子部品との接合箇所などにおいて熱膨張率の違いなどによる応力が生じ難い点で好ましい。
本実施形態の配線板10の製造方法は、図5A〜5Iおよび図6A〜6Dを参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは任意に変更され得る。また、特定の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。
つぎに、本発明の一実施形態の半導体パッケージが図面を参照しながら説明される。図7Aに示されるように、本実施形態の半導体パッケージ100は、一方の表面SF3に第1半導体素子115が実装されているプリント配線板110と、プリント配線板110の一方の表面SF3上に搭載される基板130とを有している。プリント配線板110には、好ましくは、図1に一例が示されるプリント配線板が用いられ、図7Aには、その一例が示されている。従って、図7Aに示されるプリント配線板110の多くの構成要素は、図1に示されるプリント配線板10と同様であり、そのような構成要素は同一の符号が付され、詳細な説明は省略される。しかしながら、プリント配線板110は、図1に示されるプリント配線板10に限定されず、前述のプリント配線板10の説明中に示されている各構成要素についての各種の変更、変形が取り入れられてもよい。
図7Aに示されるように、プリント配線板110は、図1に示されるプリント配線板10と同様に、樹脂絶縁層30の第1表面SF1に第1面F1が露出するように樹脂絶縁層30内に埋め込まれている配線導体層21を有しており、配線導体層21には、第1パターン21aおよび第2パターン21bが形成されている。第1パターン21aの第1面F1と反対側の第2面F2上に導体ポスト25が形成されており、樹脂絶縁層30は、導体ポスト25の側面を被覆している。そして、プリント配線板110の外周部側に、導体ポスト25と同じ材料により周回するようにフレーム26が形成され、フレーム26は、樹脂絶縁層30の第1表面SF1から第2表面SF2まで、ほぼ同じ幅で貫通して形成されている。
図7Aに示される例では、第1パターン21aは、第2パターン21bが形成されている領域の図面上左右の外側それぞれに2つずつ形成されており、各第1パターン21aの第2面F2上に導体ポスト25が形成されている。本実施形態の半導体パッケージ100においても、導体ポスト25は、一方向に並べられた導体ポスト列としてプリント配線板110の外周に沿って1列または複数列配置されてもよく、前述のように樹脂絶縁層30の第2表面SF2全面に亘って配置されていてもよい。
基板130は、プリント配線板110側の面にバンプ124を備えており、バンプ124が、配線導体層21に形成されている第1パターン21aに接続されている。図1に示される例では、プリント配線板110の外周側に形成されている第1パターン21aにバンプ124が接続されている。
また、第1半導体素子115は、バンプ124の高さに応じてプリント配線板110と基板130との間に確保される空間内に配置されている。また、第1半導体素子115は電極116を有しており、電極116が、配線導体層21に形成されている第2パターン21bに接合材122により接続されている。
本実施形態の半導体パッケージ100は、図1に一実施形態が示される前述のプリント配線板10と同様の構成のプリント配線板110を有しているので、前述のように、配線導体層21の第1および第2パターン21a、21bなどがファインピッチで形成されても、樹脂絶縁層30との密着性が維持され易い。また、樹脂絶縁層の両面で熱膨張係数にアンバランスがあっても、プリント配線板110の反りが抑制され得る。さらに、プリント配線板110の両側の面それぞれにおいて接続部間のショートが防止され得る。
基板130の構造や材料は特に限定されず、樹脂材料からなる層間樹脂絶縁層と銅箔などからなる導体層とで構成されるプリント配線板や、アルミナまたは窒化アルミなどの無機材料からなる絶縁性基材の表面に導体膜が形成された配線板や、たとえば、国際公開第11/122246号の図8〜図13に開示された製法で製造されたマザーボード基板であってよく、任意の基板が用いられ得る。また、第1半導体素子115も、特に限定されず、マイコン、メモリ、ASICなど、任意の半導体素子が用いられ得る。
接合材122およびバンプ124の材料も特に限定されず、任意の導電性材料が用いられ、好ましくは、ハンダ、金、銅などの金属が用いられる。また、接合材122を用いずに、第1半導体素子115の電極116と第2パターン21bとが、加熱、加圧、および/または加振されることにより両者の間に金属間接合部が形成されて接続されてもよい。
図7Bには、図7Aに示される半導体パッケージ100のプリント配線板110と基板130との間にモールド樹脂126が充填されている例が示されている。このように、モールド樹脂126が充填されると、第1半導体素子115が機械的なストレスから保護されると共に、周囲の温度変化によるプリント配線板110の挙動が制限され、第1半導体素子115との接合部に生じる応力が軽減されて接続信頼性が向上するという利点がある。なお、モールド樹脂126の材料は特に制限されないが、たとえば、第1半導体素子115、および/または樹脂絶縁層30の熱膨張率と近い熱膨張率を有し、絶縁性の良好な材料が用いられる。好ましくは、モールド樹脂126には、適度にシリカなどのフィラーが含有された熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。モールド樹脂126の充填方法は特に限定されず、たとえば、金型(図示せず)内でトランスファーモールドされて充填されてもよく、液状の樹脂が注入された後に加熱されて硬化されてもよい。
図7Cには、図7Bに示される半導体パッケージ100の基板130上に第2半導体素子135が実装されている例が示されている。第2半導体素子135の一面に設けられている電極(図示せず)は、図7Cに示されるように、ボンディングワイヤ137により基板130に接続されるか、電極が設けられている面が下に向くように第2半導体素子135を反転させて、フリップチップ実装方式により接続されてよい。このように、第2半導体素子135が実装されているパッケージオンパッケージ構造の半導体パッケージとすることで、平面視におけるサイズが小さく、かつ、高機能の半導体装置が提供され得る。
1 製品エリア
2 ダミーエリア
10 プリント配線板
21 配線導体層
21a 第1パターン
21b 第2パターン
25 導体ポスト
25a 導体ポストの端面
26 フレーム
26a フレームの端面
27 接合材層
28 表面保護膜
30 樹脂絶縁層
33 絶縁材
34 モールド成形用樹脂
80 支持板
80a キャリア銅箔
81 ベース金属箔
85 めっきレジスト膜
88 金型
100 半導体パッケージ
110 プリント配線板
115 第1半導体素子
116 電極
124 バンプ
126 モールド樹脂
130 基板
135 第2半導体素子
137 ワイヤ
200 集合のプリント配線板(多数個取りプリント配線板)
300 パネル(大判のプリント配線板)
F1 配線導体層の第1面
F2 配線導体層の第2面
SF1 樹脂絶縁層の第1表面
SF2 樹脂絶縁層の第2表面
D1 樹脂絶縁層の第1表面から配線導体層の第1面までの距離
D2 樹脂絶縁層の第2表面から導体ポストの端面までの距離
t1 配線導体層の厚さ
H1 導体ポストの高さ

Claims (19)

  1. 第1面および該第1面と反対側の第2面を有する配線導体層と、
    前記配線導体層の前記第2面上に形成される導体ポストと、
    第1表面および該第1表面と反対側の第2表面を有し、前記配線導体層を前記第1面が前記第1表面側に露出するように埋め込むと共に、前記導体ポストの側面を被覆する樹脂絶縁層と、を備えるプリント配線板であって、
    前記プリント配線板の外周部側に、前記導体ポストと同じ材料により周回するように形成され、かつ、少なくとも側面が前記樹脂絶縁層に被覆されるように形成されるフレームをさらに有している。
  2. 第1面および該第1面と反対側の第2面を有する配線導体層と、
    前記配線導体層の前記第2面上に形成される導体ポストと、
    第1表面および該第1表面と反対側の第2表面を有し、前記配線導体層を前記第1面が前記第1表面側に露出するように埋め込むと共に、前記導体ポストの側面を被覆する樹脂絶縁層と、を備えるプリント配線板が、前記樹脂絶縁層が連続して複数個形成される集合のプリント配線板であって、
    前記集合のプリント配線板の製品エリアの周囲のダミーエリアにおいて、前記樹脂絶縁層に、前記導体ポストと同じ材料により前記集合のプリント配線板の外周を周回するように形成され、かつ、少なくとも前記側面が前記樹脂絶縁層に被覆されるように形成されるフレームをさらに有している。
  3. 請求項1または2記載のプリント配線板であって、
    前記フレームは、前記配線導体層の第2面から前記樹脂絶縁層の第2表面側まで、ほぼ同じ幅で貫通して形成されている。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記配線導体層の前記第1面が前記樹脂絶縁層の前記第1表面よりも凹んでおり、
    前記導体ポストおよび前記フレームの前記配線導体層と反対側の端面が前記樹脂絶縁層の第2表面よりも凹んでおり、
    前記樹脂絶縁層の前記第2表面から前記導体ポストまたは前記フレームの前記端面までの距離が、前記樹脂絶縁層の前記第1表面から前記配線導体層の前記第1面までの距離よりも大きい。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記フレームは、帯状で連続的に、または断続的に周回するように形成されている。
  6. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記フレームの断面形状は、円形、多角形、菱形、または楕円形の柱状体が一列または二列以上、またはメッシュ状に並置して周回するように形成されている。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層の前記第2表面から前記導体ポストまたは前記フレームの前記端面までの距離が3〜10μmであり、前記樹脂絶縁層の前記第1表面から前記配線導体層の前記第1面までの距離が0.1〜5μmである。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記導体ポストおよび前記フレームは電気めっきにより形成される銅からなる。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記導体ポストおよび前記フレームの高さが50〜150μmであり、前記配線導体層の厚さが10〜25μmである。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層は、熱膨張率が6〜25ppm/℃、かつ、弾性率が5〜30GPaのモールド成形用樹脂材料からなる。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記導体ポストおよび/または前記フレームの側面に表面粗さを粗くする粗化処理が施されている。
  12. 請求項1〜11のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記導体ポストの前記端面および/または前記フレームの前記端面に表面保護膜が形成されている。
  13. 請求項12記載のプリント配線板であって、前記配線導体層の前記第1面に、前記導体ポストの前記端面および/または前記フレームの前記端面に形成されている表面保護膜の材料と異なる材料からなる表面保護膜が形成されている。
  14. 請求項1〜13のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、前記導体ポストの前記端面上にハンダが塗布されている。
  15. 請求項1〜14のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、少なくとも2つの前記導体ポストが一方向に並べて形成される導体ポスト列が、少なくとも2列並置して形成されており、各導体ポストが千鳥状または格子状に配置されている。
  16. 一方の面に第1半導体素子が実装されているプリント配線板と、
    該プリント配線板の前記一方の面上に搭載される基板と、
    を有する半導体パッケージであって、
    前記プリント配線板は、
    第1面および該第1面と反対側の第2面を有する配線導体層と、
    前記配線導体層の前記第2面上に形成される導体ポストと、
    第1表面および該第1表面と反対側の第2表面を有し、前記配線導体層を前記第1面が前記第1表面側に露出するように埋め込むと共に、前記導体ポストの側面を被覆する樹脂絶縁層と、を備え、
    前記樹脂絶縁層の外周部で前記導体ポストよりも外周部側で、前記導体ポストと同じ材料により周回するように形成され、かつ、少なくとも側面が前記樹脂絶縁層に被覆されるように形成されるフレームをさらに有し、
    前記基板は前記プリント配線板側の面にバンプを備えており、
    前記バンプが前記配線導体層に接続されている。
  17. 請求項16記載の半導体パッケージであって、前記フレームは、前記樹脂絶縁層の前記第1表面から第2表面まで、ほぼ同じ幅で貫通して形成されている。
  18. 請求項16または17記載の半導体パッケージであって、前記第1半導体素子が前記プリント配線板と前記基板との間の前記プリント配線板上に配置され、前記プリント配線板と前記基板の間に前記第1半導体素子を覆うモールド樹脂が充填されている。
  19. 請求項16〜18のいずれか1項に記載の半導体パッケージであって、前記基板に第2半導体素子が実装されている。
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