JPH10241160A - 相変化記録媒体の初期化方法 - Google Patents
相変化記録媒体の初期化方法Info
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- JPH10241160A JPH10241160A JP9038239A JP3823997A JPH10241160A JP H10241160 A JPH10241160 A JP H10241160A JP 9038239 A JP9038239 A JP 9038239A JP 3823997 A JP3823997 A JP 3823997A JP H10241160 A JPH10241160 A JP H10241160A
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- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0055—Erasing
- G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化記録媒体を高速かつ良好に初期化する
方法を提供する。 【解決手段】 情報記録面に所定パワーのレーザ光を照
射して該情報記録面を初期化する相変化記録媒体の初期
化方法において、レーザ光のパワーを情報記録面に結晶
化が起き始める近傍の第１のパワーに設定し、当該レー
ザ光を初期化対象部分に繰り返し照射すること（Ｓ１４
〜Ｓ１６）。
方法を提供する。 【解決手段】 情報記録面に所定パワーのレーザ光を照
射して該情報記録面を初期化する相変化記録媒体の初期
化方法において、レーザ光のパワーを情報記録面に結晶
化が起き始める近傍の第１のパワーに設定し、当該レー
ザ光を初期化対象部分に繰り返し照射すること（Ｓ１４
〜Ｓ１６）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化記録媒体の
初期化方法に係り、特に、情報記録面にレーザ光を照射
し結晶化して初期化を行う相変化記録媒体の初期化方法
に関する。
初期化方法に係り、特に、情報記録面にレーザ光を照射
し結晶化して初期化を行う相変化記録媒体の初期化方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化記録媒体は、記録膜として、結晶
状態とアモルファス（非晶質）状態とが可逆的に存在で
きる材料を使用し、結晶状態とアモルファス状態との反
射率差を信号として検出する光記録媒体である。
状態とアモルファス（非晶質）状態とが可逆的に存在で
きる材料を使用し、結晶状態とアモルファス状態との反
射率差を信号として検出する光記録媒体である。
【０００３】一般的に、相変化記録材料としては、カル
コゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯ
ｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、Ｂ
ｉＳｅＧｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系などが使用される
が、これらの材料を基板に成膜した場合、その直後は全
体がアモルファス状態となっている。
コゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯ
ｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、Ｂ
ｉＳｅＧｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系などが使用される
が、これらの材料を基板に成膜した場合、その直後は全
体がアモルファス状態となっている。
【０００４】一般的に、成膜直後は不安定なアモルファ
ス状態であり、また、反射率も低くサーボが引き込みに
くいので、初期化というプロセスを施し、記録膜全体を
結晶化させなければならない。この初期化プロセスは、
相変化記録膜の特性を決める上で非常に重要なプロセス
であり、初期化の仕方によって、その後の相変化記録膜
の特性が大きく変わってくる。
ス状態であり、また、反射率も低くサーボが引き込みに
くいので、初期化というプロセスを施し、記録膜全体を
結晶化させなければならない。この初期化プロセスは、
相変化記録膜の特性を決める上で非常に重要なプロセス
であり、初期化の仕方によって、その後の相変化記録膜
の特性が大きく変わってくる。
【０００５】従来行われている初期化は、特開平４−３
６６４２４号公報や特開平４−２０９３１７号公報に示
されている溶融初期化という方法である。この初期化方
法は、相変化記録膜が溶け出すまで温度を上昇させ、結
晶化させるものである。この方法の場合、溶融が実際に
起こる記録・消去過程と同様の状態に記録膜が１回なる
ので、初期化後の記録・再生特性が安定している。この
初期化のプロセスは、通常の光ヘッドに近いものを用
い、数μｍオーダーのレーザビーム系を持つ光スポット
を用いて行われていた。
６６４２４号公報や特開平４−２０９３１７号公報に示
されている溶融初期化という方法である。この初期化方
法は、相変化記録膜が溶け出すまで温度を上昇させ、結
晶化させるものである。この方法の場合、溶融が実際に
起こる記録・消去過程と同様の状態に記録膜が１回なる
ので、初期化後の記録・再生特性が安定している。この
初期化のプロセスは、通常の光ヘッドに近いものを用
い、数μｍオーダーのレーザビーム系を持つ光スポット
を用いて行われていた。
【０００６】一方、この初期化プロセスの不都合とし
て、時間のかかる点が挙げられる。オーバライト可能な
光磁気ディスクの初期化であれば、全面に強磁場を印可
するだけなので、それにかかる時間はおよそ５秒程度で
あるが、相変化ディスクの初期化には、上記の方法では
数時間かかってしまう。
て、時間のかかる点が挙げられる。オーバライト可能な
光磁気ディスクの初期化であれば、全面に強磁場を印可
するだけなので、それにかかる時間はおよそ５秒程度で
あるが、相変化ディスクの初期化には、上記の方法では
数時間かかってしまう。
【０００７】そこで、この初期化時間を短縮する試みと
して、特開平８−２２１８１４号公報、特開平８−１５
３３４３号公報などが試みられているが、必ずしも良好
な初期化ができていない。
して、特開平８−２２１８１４号公報、特開平８−１５
３３４３号公報などが試みられているが、必ずしも良好
な初期化ができていない。
【０００８】これに対し最近では、特開平７一１９２２
６６号公報に示されたような半径方向に楕円化したレー
ザビームを用い、高速に初期化するという試みが成され
ている。この高速初期化の場合も溶融初期化を行ってい
る。
６６号公報に示されたような半径方向に楕円化したレー
ザビームを用い、高速に初期化するという試みが成され
ている。この高速初期化の場合も溶融初期化を行ってい
る。
【０００９】図８に溶融初期化方法の流れ図を示す。
【００１０】まず、スピンドルに相変化ディスクをセッ
トし（Ｓ８１）、スピンドルの回転を開始させる（Ｓ８
２）。続いて、フォーカスサーボをオンし（Ｓ８３）、
ディスクの最内周から初期化をスタートする（Ｓ８
４）。初期化中のレーザーパワは、結晶化が始まるレー
ザーパワよりもかなり大きなパワ、即ち、記録膜が溶融
するほどのレーザパワに設定される（Ｓ８５）。初期化
動作は、ディスクの最外周でストップし（Ｓ８６）、初
期化が終了する（Ｓ８７）。
トし（Ｓ８１）、スピンドルの回転を開始させる（Ｓ８
２）。続いて、フォーカスサーボをオンし（Ｓ８３）、
ディスクの最内周から初期化をスタートする（Ｓ８
４）。初期化中のレーザーパワは、結晶化が始まるレー
ザーパワよりもかなり大きなパワ、即ち、記録膜が溶融
するほどのレーザパワに設定される（Ｓ８５）。初期化
動作は、ディスクの最外周でストップし（Ｓ８６）、初
期化が終了する（Ｓ８７）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半径方
向に楕円化したレーザービームで初期化するというの
は、高速化には向いているが、半径方向のレーザーパワ
の分布が均一にならず、それが初期化むらを起こすとい
う不都合があった。つまり、良好な初期化と高速な初期
化が両立する方法が見いだされていなかった。
向に楕円化したレーザービームで初期化するというの
は、高速化には向いているが、半径方向のレーザーパワ
の分布が均一にならず、それが初期化むらを起こすとい
う不都合があった。つまり、良好な初期化と高速な初期
化が両立する方法が見いだされていなかった。
【００１２】従来の初期化方法で初期化された相変化デ
ィスクの反射光強度信号レベル（ＲＦ信号）を図９に示
す。上記方法では、図９に示すようにＲＦ信号のレベル
が一定でなくなる。これは、半径方向に楕円化したレー
ザ光を用いて、高速に初期化した場合の結果であるが、
この変動は初期化のむらに起因している。上述の通り半
径方向に楕円化したレーザ光は半径方向のレーザパワの
分布が均一ではなく、それが初期化むらとなって現れる
のである。
ィスクの反射光強度信号レベル（ＲＦ信号）を図９に示
す。上記方法では、図９に示すようにＲＦ信号のレベル
が一定でなくなる。これは、半径方向に楕円化したレー
ザ光を用いて、高速に初期化した場合の結果であるが、
この変動は初期化のむらに起因している。上述の通り半
径方向に楕円化したレーザ光は半径方向のレーザパワの
分布が均一ではなく、それが初期化むらとなって現れる
のである。
【００１３】この図９は、半径方向に楕円化したレーザ
光を用いた高速初期化の場合の例であるが、溶融初期化
の場合、半径数μｍの小さな光スポットを用いて初期化
してもサーボが不安定であればこのようになる場合があ
る。
光を用いた高速初期化の場合の例であるが、溶融初期化
の場合、半径数μｍの小さな光スポットを用いて初期化
してもサーボが不安定であればこのようになる場合があ
る。
【００１４】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、特に、相変化記録媒体を高速かつ良好に初期
化する方法を提供することを、その目的とする。
を改善し、特に、相変化記録媒体を高速かつ良好に初期
化する方法を提供することを、その目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明では、情報記録面に所定パワー
のレーザ光を照射して該情報記録面を初期化する相変化
記録媒体の初期化方法において、レーザ光のパワーを情
報記録面に結晶化が起き始める近傍の第１のパワーに設
定し、当該レーザ光を初期化対象部分に繰り返し照射す
る、という初期化方法を採っている。
め、請求項１記載の発明では、情報記録面に所定パワー
のレーザ光を照射して該情報記録面を初期化する相変化
記録媒体の初期化方法において、レーザ光のパワーを情
報記録面に結晶化が起き始める近傍の第１のパワーに設
定し、当該レーザ光を初期化対象部分に繰り返し照射す
る、という初期化方法を採っている。
【００１６】請求項２記載の発明では、情報記録面に所
定パワーのレーザ光を照射して該情報記録面を初期化す
る相変化記録媒体の初期化方法において、レーザ光のパ
ワーを情報記録面に結晶化が起き始める近傍の第１のパ
ワーに設定し当該レーザ光を初期化対象部分に繰り返し
照射する第１の工程と、レーザ光のパワーを第１のパワ
ーよりも強い第２のパワーに設定し当該レーザ光を初期
化対象部分に１回乃至複数回照射する第２の工程とを備
えた、という方法を採っている。
定パワーのレーザ光を照射して該情報記録面を初期化す
る相変化記録媒体の初期化方法において、レーザ光のパ
ワーを情報記録面に結晶化が起き始める近傍の第１のパ
ワーに設定し当該レーザ光を初期化対象部分に繰り返し
照射する第１の工程と、レーザ光のパワーを第１のパワ
ーよりも強い第２のパワーに設定し当該レーザ光を初期
化対象部分に１回乃至複数回照射する第２の工程とを備
えた、という方法を採っている。
【００１７】請求項３記載の発明では、第１のパワー
を、情報記録面に結晶化が起き始めるパワーの１倍乃至
１．３倍に設定する、という方法を採っている。
を、情報記録面に結晶化が起き始めるパワーの１倍乃至
１．３倍に設定する、という方法を採っている。
【００１８】請求項４記載の発明では、第２のパワー
を、初期化対象部分が溶融しない範囲に設定する、とい
う方法を採っている。
を、初期化対象部分が溶融しない範囲に設定する、とい
う方法を採っている。
【００１９】請求項５記載の発明では、第２工程で初期
化対象部分にレーザ光を複数回照射する場合は、照射を
行う毎にレーザ光のパワーを徐々に強くする、という方
法を採っている。
化対象部分にレーザ光を複数回照射する場合は、照射を
行う毎にレーザ光のパワーを徐々に強くする、という方
法を採っている。
【００２０】図１は、請求項１記載の初期化方法に対応
する流れ図である。即ち、結晶化（初期化）が起こり始
める極く近傍のレーザパワで数回初期化を行う場合であ
る。この場合、相変化記録膜は溶け始める温度まで上昇
しておらず、固体のまま結晶化が進んでいる。この初期
化方法を実施した場合の反射光強度信号（ＲＦ信号）を
図４に示す。従来の初期化に比べてＲＦ信号が均一にな
っている。
する流れ図である。即ち、結晶化（初期化）が起こり始
める極く近傍のレーザパワで数回初期化を行う場合であ
る。この場合、相変化記録膜は溶け始める温度まで上昇
しておらず、固体のまま結晶化が進んでいる。この初期
化方法を実施した場合の反射光強度信号（ＲＦ信号）を
図４に示す。従来の初期化に比べてＲＦ信号が均一にな
っている。
【００２１】ここで、初期化が起こり始めるごく近傍の
レーザパワとしては、結晶化が起き始めるレーザーパワ
の１．０から１．３倍のレーザパワが適当である。これ
以上のパワを用いて初期化を行うと、相変化記録膜が溶
融しなかったとしても、初期化むらが生じ、従来の初期
化と同様の不均一なＲＦ信号となってしまう。
レーザパワとしては、結晶化が起き始めるレーザーパワ
の１．０から１．３倍のレーザパワが適当である。これ
以上のパワを用いて初期化を行うと、相変化記録膜が溶
融しなかったとしても、初期化むらが生じ、従来の初期
化と同様の不均一なＲＦ信号となってしまう。
【００２２】この初期化方法で均一なＲＦ信号をひとた
び得てしまえば、その後、初期化が起こり始めるごく近
傍のレーザパワ以上のパワで初期化を行っても、記録膜
が溶融しなければ、初期化むらが起こることはない。
び得てしまえば、その後、初期化が起こり始めるごく近
傍のレーザパワ以上のパワで初期化を行っても、記録膜
が溶融しなければ、初期化むらが起こることはない。
【００２３】図５は、請求項１又は３記載の初期化方法
を実施した相変化記録媒体の一部に１０回以上オーバー
ライト記録を行ったときのＲＦ信号の変化を示す。何も
記録していない部分の初期化レベル（初期化後のＲＦ信
号レベル）と記録信号の上端部のレベルが異なっている
ことがわかる。これは、実際のオーバーライト記録で形
成される結晶組織と初期化後の結晶組織とが多少違うこ
とに起因する。この差は、信号のレベル変動を意味し、
装置上なくなることが望ましい。
を実施した相変化記録媒体の一部に１０回以上オーバー
ライト記録を行ったときのＲＦ信号の変化を示す。何も
記録していない部分の初期化レベル（初期化後のＲＦ信
号レベル）と記録信号の上端部のレベルが異なっている
ことがわかる。これは、実際のオーバーライト記録で形
成される結晶組織と初期化後の結晶組織とが多少違うこ
とに起因する。この差は、信号のレベル変動を意味し、
装置上なくなることが望ましい。
【００２４】このような場合には、最初に、初期化が起
こり始めるごく近傍のレーザパワて初期化を行い、図４
に示されたような均一なＲＦ信号が得られた後、記録膜
が溶融しない範囲でレーザパワを大きくし、更に初期化
を行い、ＲＦ信号のレベルを徐々に上げ、記録信号の上
端部のレベルと同じにすればよい。これにより、装置上
問題のない記録・再生特性を有する相変化記録媒体が得
られる（請求項２，４，５）。この場合の初期化方法の
流れ図は図３のようになる。
こり始めるごく近傍のレーザパワて初期化を行い、図４
に示されたような均一なＲＦ信号が得られた後、記録膜
が溶融しない範囲でレーザパワを大きくし、更に初期化
を行い、ＲＦ信号のレベルを徐々に上げ、記録信号の上
端部のレベルと同じにすればよい。これにより、装置上
問題のない記録・再生特性を有する相変化記録媒体が得
られる（請求項２，４，５）。この場合の初期化方法の
流れ図は図３のようになる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に用いた相変
化記録媒体の基本的な構成を図６に示す。基板４上に、
干渉膜２、記録膜１及び保護膜３がこの順に積層されて
いる。干渉膜２及び保護膜３は誘電体膜であって、それ
らの間に記録膜１が挟み込まれている。ここで、図６で
は、基板４の上に二つの誘電体膜２，３と記録膜１しか
示されていないが、記録膜１の上の誘電体膜３（保護
膜）の上に反射膜等が形成されていても良い。
化記録媒体の基本的な構成を図６に示す。基板４上に、
干渉膜２、記録膜１及び保護膜３がこの順に積層されて
いる。干渉膜２及び保護膜３は誘電体膜であって、それ
らの間に記録膜１が挟み込まれている。ここで、図６で
は、基板４の上に二つの誘電体膜２，３と記録膜１しか
示されていないが、記録膜１の上の誘電体膜３（保護
膜）の上に反射膜等が形成されていても良い。
【００２６】記録膜１には、カルコゲナイド系材料であ
るＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、Ｉｎ
Ｔｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、Ｔｅ
ＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ系の相変化材料が採用される。また、反射膜
としてはＡｌ、ＡｌＴｉ等が望ましい。一方、基板４の
材質としては、ポリカーボネイト、アクリル等の合成樹
脂、ガラス等を用いることができ、これらには樹脂等が
被覆されていても良い。なお、基板の形状としてはディ
スク状のものの他、カード状のものも用いられる。
るＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、Ｉｎ
Ｔｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、Ｔｅ
ＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ系の相変化材料が採用される。また、反射膜
としてはＡｌ、ＡｌＴｉ等が望ましい。一方、基板４の
材質としては、ポリカーボネイト、アクリル等の合成樹
脂、ガラス等を用いることができ、これらには樹脂等が
被覆されていても良い。なお、基板の形状としてはディ
スク状のものの他、カード状のものも用いられる。
【００２７】次に、今回使用した初期化装置の概略構成
図を図７に示す。
図を図７に示す。
【００２８】相変化ディスク１１は、スピンドル１２に
固定され、スピンドル１２の回転に伴って回転する。光
ヘッド１３は、光ヘッド移動機構１４の動作に伴ってデ
ィスク半径方向に移動する。光ヘッド１３には、レーザ
光のパワーを調整可能なレーザダイオード１３ａを備
え、このレーザダイオード１３ａからの照射光が対物レ
ンズ１３ｂを介して相変化ディスク１３ｂの記録膜に収
光されるようになっている。対物レンズ１３ｂには、図
示しないフォーカスサーボが併設されている。これら各
要素は、図示しない制御部によって動作制御される。
固定され、スピンドル１２の回転に伴って回転する。光
ヘッド１３は、光ヘッド移動機構１４の動作に伴ってデ
ィスク半径方向に移動する。光ヘッド１３には、レーザ
光のパワーを調整可能なレーザダイオード１３ａを備
え、このレーザダイオード１３ａからの照射光が対物レ
ンズ１３ｂを介して相変化ディスク１３ｂの記録膜に収
光されるようになっている。対物レンズ１３ｂには、図
示しないフォーカスサーボが併設されている。これら各
要素は、図示しない制御部によって動作制御される。
【００２９】
【実施例】次に、詳細な実施例を挙げて本発明の内容を
説明する。
説明する。
【００３０】今回の実施例では、基板４として、直径１
２０ｍｍ、トラックピッチ０．５６μｍ、基板厚０．６
ｍｍのポリカーボネイト基板を用い、その基板４に、干
渉膜２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１６０ｎｍ、記録膜
１としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5膜を１０ｎｍ、保護膜３と
してＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を３２ｎｍ、順次成膜した。こ
れに加え、今回は保護膜３の上にＡｉＴｉ膜を８０ｎｍ
さらに成膜している。
２０ｍｍ、トラックピッチ０．５６μｍ、基板厚０．６
ｍｍのポリカーボネイト基板を用い、その基板４に、干
渉膜２としてＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を１６０ｎｍ、記録膜
１としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5膜を１０ｎｍ、保護膜３と
してＺｎＳ−ＳｉＯ2 膜を３２ｎｍ、順次成膜した。こ
れに加え、今回は保護膜３の上にＡｉＴｉ膜を８０ｎｍ
さらに成膜している。
【００３１】一方、初期化装置の光スポット径は、ディ
スクの接線方向（タンジェンシャル方向）が２μｍ程
度、半径方向（ラジアル方向）が１００μｍ程度のもの
を用いた。この場合、相変化記録媒体の初期化（結晶
化）が始まるレーザーパワは３５０ｍＷであった。ま
た、ディスクの回転数は各半径で線速７．５ｍ／ｓにな
るように設定した。更に、ディスクが１周するたびに光
ヘッドは５μｍ移動するようにした。これらの条件の下
で、相変化記録媒体に本発明の初期化方法を実施した。
スクの接線方向（タンジェンシャル方向）が２μｍ程
度、半径方向（ラジアル方向）が１００μｍ程度のもの
を用いた。この場合、相変化記録媒体の初期化（結晶
化）が始まるレーザーパワは３５０ｍＷであった。ま
た、ディスクの回転数は各半径で線速７．５ｍ／ｓにな
るように設定した。更に、ディスクが１周するたびに光
ヘッドは５μｍ移動するようにした。これらの条件の下
で、相変化記録媒体に本発明の初期化方法を実施した。
【００３２】〔実施例１〕図１に基づいて説明する。ま
ず、レーザーパワ３７０ｍＷで初期化を１０回行った
（Ｓ１４〜Ｓ１６）。この場合の１０回とは、ディスク
上のある箇所を光スポットが１０回通り過ぎたという意
味である。これによると、図４に示すような良好なＲＦ
信号が得られた。
ず、レーザーパワ３７０ｍＷで初期化を１０回行った
（Ｓ１４〜Ｓ１６）。この場合の１０回とは、ディスク
上のある箇所を光スポットが１０回通り過ぎたという意
味である。これによると、図４に示すような良好なＲＦ
信号が得られた。
【００３３】〔実施例２〕図２に基づいて説明する。レ
ーザパワ３７０ｍＷで初期化を３回行い（Ｓ２４〜Ｓ２
６）、その後に５００ｍＷで初期化を１回行った（Ｓ２
７〜Ｓ２９）。この場合も、図４に示すような良好なＲ
Ｆ信号が得られた。ただし、上記のレーザーパワ３７０
ｍＷで初期化を１０回行った場合よりも、多少ＲＦ信号
レベルが大きくなった。
ーザパワ３７０ｍＷで初期化を３回行い（Ｓ２４〜Ｓ２
６）、その後に５００ｍＷで初期化を１回行った（Ｓ２
７〜Ｓ２９）。この場合も、図４に示すような良好なＲ
Ｆ信号が得られた。ただし、上記のレーザーパワ３７０
ｍＷで初期化を１０回行った場合よりも、多少ＲＦ信号
レベルが大きくなった。
【００３４】〔実施例３〕図３に基づいて説明する。レ
ーザパワ３７０ｍＷで初期化を３回行い（Ｓ３４〜Ｓ３
６）、その後、４００ｍＷ、４５０ｍＷ、５００ｍＷ、
５５０ｍＷと段階的にレーザーパワを上げて初期化を行
った（Ｓ３７〜Ｓ４０）。この場合も、図４に示すよう
な良好なＲＦ信号が得られた。
ーザパワ３７０ｍＷで初期化を３回行い（Ｓ３４〜Ｓ３
６）、その後、４００ｍＷ、４５０ｍＷ、５００ｍＷ、
５５０ｍＷと段階的にレーザーパワを上げて初期化を行
った（Ｓ３７〜Ｓ４０）。この場合も、図４に示すよう
な良好なＲＦ信号が得られた。
【００３５】そして、この初期化によって得られた部分
に記録を行った。１０回以上オーバライトした部分の上
端部のレベルと初期化レベルがほぼ等しくなっていた。
これは装置上非常に使用しやすい相変化記録媒体が得ら
れたことと等価である。
に記録を行った。１０回以上オーバライトした部分の上
端部のレベルと初期化レベルがほぼ等しくなっていた。
これは装置上非常に使用しやすい相変化記録媒体が得ら
れたことと等価である。
【００３６】ここで、上記各実施例に示した初期化を１
２０ｍｍのディスク全面に施すと、それに要した時間は
およそ２０分程度であった。半径数μｍ程度の光スポッ
トで初期化した場合（比較的均一なＲＦ信号が得られる
初期化方法）、数時間かかることを考えると、非常に高
速に初期化が実現されたことがわかる。
２０ｍｍのディスク全面に施すと、それに要した時間は
およそ２０分程度であった。半径数μｍ程度の光スポッ
トで初期化した場合（比較的均一なＲＦ信号が得られる
初期化方法）、数時間かかることを考えると、非常に高
速に初期化が実現されたことがわかる。
【００３７】〔比較例〕今回作成した相変化記録媒体に
レーザパワ４６０ｍＷで初期化を１回行った。この場
合、図９に示すように不均一なＲＦ信号が得られた。こ
のようなＲＦ信号では実際の使用に耐えられない。今回
作成した相変化記録媒体においては、このレーザパワで
も溶融していないことが、計算等からわかっている。つ
まり、溶融しなくても最初から高めのレーザパワを用い
ると良好な初期化ができないことがわかる。
レーザパワ４６０ｍＷで初期化を１回行った。この場
合、図９に示すように不均一なＲＦ信号が得られた。こ
のようなＲＦ信号では実際の使用に耐えられない。今回
作成した相変化記録媒体においては、このレーザパワで
も溶融していないことが、計算等からわかっている。つ
まり、溶融しなくても最初から高めのレーザパワを用い
ると良好な初期化ができないことがわかる。
【００３８】また、今回作成した相変化記録媒体にレー
ザパワ６００ｍＷで初期化を１回行った。この場合も、
図９に示すように不均一なＲＦ信号が得られた。この場
合、相変化記録膜は一度溶融状態になるが（溶融初期
化）、そのような場合でも良好な初期化ができないこと
がわかる。
ザパワ６００ｍＷで初期化を１回行った。この場合も、
図９に示すように不均一なＲＦ信号が得られた。この場
合、相変化記録膜は一度溶融状態になるが（溶融初期
化）、そのような場合でも良好な初期化ができないこと
がわかる。
【００３９】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成され機能す
るので、これによると、情報記録面に結晶化が起き始め
る近傍のレーザパワーにより記録面を繰り返し照射する
という方法を採ることにより、高速かつ良好な初期化が
可能となり、相変化記録媒体の高密度化、量産化に大き
な可能性を与えることができる、という従来にない優れ
た相変化記録媒体の初期化方法を提供することができ
る。
るので、これによると、情報記録面に結晶化が起き始め
る近傍のレーザパワーにより記録面を繰り返し照射する
という方法を採ることにより、高速かつ良好な初期化が
可能となり、相変化記録媒体の高密度化、量産化に大き
な可能性を与えることができる、という従来にない優れ
た相変化記録媒体の初期化方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の実施例１に対応する流れ図である。
【図２】本発明の実施例２に対応する流れ図である。
【図３】本発明の実施例３に対応する流れ図である。
【図４】各実施例で得られるＲＦ信号を示す説明図であ
る。
る。
【図５】実施例１，２で得られるＲＦ信号と記録信号と
のレベル差を示す説明図である。
のレベル差を示す説明図である。
【図６】相変化記録媒体の構成を示す一部断面図であ
る。
る。
【図７】初期化装置の概略構成図である。
【図８】従来の初期化方法を示す流れ図である。
【図９】従来及び比較例のＲＦ信号を示す説明図であ
る。
る。
１ 記録膜 ２ 干渉膜 ３ 保護膜 ４ 基板 １１ 相変化ディスク（相変化記録媒体） １２ スピンドル １３ 光ヘッド １３ａ レーザダイオード １３ｂ 対物レンズ １４ 光ヘッド移動機構
Claims (5)
- 【請求項１】 情報記録面に所定パワーのレーザ光を照
射して該情報記録面を初期化する相変化記録媒体の初期
化方法において、 前記レーザ光のパワーを前記情報記録面に結晶化が起き
始める近傍の第１のパワーに設定し、当該レーザ光を初
期化対象部分に繰り返し照射することを特徴とした相変
化記録媒体の初期化方法。 - 【請求項２】 情報記録面に所定パワーのレーザ光を照
射して該情報記録面を初期化する相変化記録媒体の初期
化方法において、 前記レーザ光のパワーを前記情報記録面に結晶化が起き
始める近傍の第１のパワーに設定し当該レーザ光を初期
化対象部分に繰り返し照射する第１の工程と、前記レー
ザ光のパワーを前記第１のパワーよりも強い第２のパワ
ーに設定し当該レーザ光を前記初期化対象部分に１回乃
至複数回照射する第２の工程とを備えたことを特徴とす
る相変化記録媒体の初期化方法。 - 【請求項３】 前記第１のパワーを、前記情報記録面に
結晶化が起き始めるパワーの１倍乃至１．３倍に設定す
ることを特徴とした請求項１又は２記載の相変化記録媒
体の初期化方法。 - 【請求項４】 前記第２のパワーを、前記初期化対象部
分が溶融しない範囲に設定することを特徴とした請求項
２記載の相変化記録媒体の初期化方法。 - 【請求項５】 前記第２工程で初期化対象部分にレーザ
光を複数回照射する場合は、照射を行う毎に前記レーザ
光のパワーを徐々に強くすることを特徴とした請求項２
記載の相変化記録媒体の初期化方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038239A JPH10241160A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 相変化記録媒体の初期化方法 |
| US09/024,296 US6256286B1 (en) | 1997-02-21 | 1998-02-17 | Method for initiating a phase change recording medium |
| KR1019980005500A KR19980071588A (ko) | 1997-02-21 | 1998-02-21 | 위상 변화 기록 매체를 초기화하기 위한 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9038239A JPH10241160A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 相変化記録媒体の初期化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241160A true JPH10241160A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12519762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9038239A Pending JPH10241160A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 相変化記録媒体の初期化方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6256286B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10241160A (ja) |
| KR (1) | KR19980071588A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1376563A2 (en) * | 1999-05-19 | 2004-01-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical data recording medium and recording method |
| JP2007115386A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光記録媒体 |
| WO2007083659A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Pioneer Corporation | 情報記録装置および情報記録媒体製造方法 |
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| JP3302919B2 (ja) | 1997-11-27 | 2002-07-15 | 株式会社リコー | 光記録媒体の初期化方法及び初期化装置 |
| DE19756458A1 (de) * | 1997-12-18 | 1999-06-24 | Thomson Brandt Gmbh | Magneto-optisches Aufzeichnungs- oder Wiedergabegerät |
| JP2000195112A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Ricoh Co Ltd | 相変化型情報記録媒体の初期化方法 |
| US6587429B1 (en) * | 1999-11-16 | 2003-07-01 | Polaroid Corporation | System and method for initializing phase change recording media |
| US6452891B1 (en) * | 2000-01-26 | 2002-09-17 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for initializing a data storage device |
| CN1291404C (zh) * | 2001-07-23 | 2006-12-20 | 索尼公司 | 光学记录介质的预热整体擦除装置、预热整体擦除方法和光学记录介质 |
| JP3867589B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2007-01-10 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の初期化方法 |
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| JPS644935A (en) | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Toshiba Corp | Information recording medium |
| JPS6486339A (en) | 1987-09-28 | 1989-03-31 | Toshiba Corp | Information recording medium |
| JPH04219623A (ja) | 1990-07-23 | 1992-08-10 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体初期化方法 |
| JPH04102228A (ja) | 1990-08-22 | 1992-04-03 | Toshiba Corp | 光ディスクの初期化方法 |
| JPH04102227A (ja) | 1990-08-22 | 1992-04-03 | Toshiba Corp | 相変化型光ディスクの初期化方法 |
| JPH04113519A (ja) | 1990-08-31 | 1992-04-15 | Toray Ind Inc | 光記録媒体の初期化方法 |
| JP2892818B2 (ja) | 1990-11-21 | 1999-05-17 | 株式会社日立製作所 | 記録媒体の初期化方法 |
| JPH04209317A (ja) | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Toshiba Corp | 情報記録媒体の初期化方法 |
| JPH04366424A (ja) | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Nec Corp | 光ディスク初期化方法 |
| KR0153033B1 (ko) * | 1993-06-18 | 1998-12-15 | 가나이 쯔또무 | 정보기록용 박막 및 정보기록매체 |
| JPH07161038A (ja) | 1993-12-06 | 1995-06-23 | Hitachi Ltd | 記録媒体の初期化方法 |
| JPH07192266A (ja) | 1993-12-26 | 1995-07-28 | Ricoh Co Ltd | 相変化形光ディスクの初期化装置 |
| JPH0863785A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-08 | Hitachi Ltd | 光記録媒体およびそれに用いる情報処理装置 |
| JPH0883443A (ja) | 1994-09-12 | 1996-03-26 | Mitsubishi Chem Corp | 光学的情報記録用媒体の製造方法 |
| JPH08153343A (ja) | 1994-09-27 | 1996-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体の製造方法ならびに製造装置 |
| JP2990036B2 (ja) | 1995-02-13 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| JPH08329525A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-12-13 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体および情報メモリー装置 |
| JPH0935267A (ja) | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Sony Corp | 光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置 |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP9038239A patent/JPH10241160A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-17 US US09/024,296 patent/US6256286B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-21 KR KR1019980005500A patent/KR19980071588A/ko active Search and Examination
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980071588A (ko) | 1998-10-26 |
| US6256286B1 (en) | 2001-07-03 |
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