JPH0863785A

JPH0863785A - 光記録媒体およびそれに用いる情報処理装置

Info

Publication number: JPH0863785A
Application number: JP6201762A
Authority: JP
Inventors: Motoyasu Terao; 元康寺尾; Tetsuya Nishida; 哲也西田; Yasushi Miyauchi; 靖宮内; Akemi Hirotsune; 朱美廣常
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1994-08-26
Filing date: 1994-08-26
Publication date: 1996-03-08
Also published as: US5846625A

Abstract

(57)【要約】【目的】記録マーク部分とそれ以外の部分の反射率差
による、書き換え時の消え残りを防止し、書き換え可能
回数を多くする。【構成】図２に示したように、相変化等による記録層
８とは別に、光照射時に融解等によって光学定数が変化
する層（反射率調整層）６を設け、強い光照射時には記
録トラック上の反射率の高い部分の反射率が４０％以下
であり、弱い光照射時には、同じ部分の反射率が６０％
以上であるものとする。このような光ディスクを用いた
光ディスク装置で、レーザーパワーを、書換え時に反射
率調整層の光学定数が大きく変化するパワーより高く、
高融点成分は融解しないパワーに設定する。【効果】記録感度が高く、ＣＤプレーヤー等で読み出
し可能な、オーバーライト（重ね書き）による書き換え
可能な光ディスク、および、それを用いた光ディスク装
置が得られる。オーバーライト特性が良好で、書き換え
可能回数も多い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、情報記録用薄膜およ
びその製造方法ならびに情報記録媒体に係り、さらに詳
しく言えば、例えば映像や音声などのアナログ信号をＦ
Ｍ変調して得た情報や、電子計算機のデータやファクシ
ミリ信号やディジタル・オーディオ信号などのディジタ
ル情報をレーザ光、電子線等のエネルギービームによっ
てリアルタイムで記録・再生することができる光記録媒
体およびそれに用いる情報処理装置、情報の読み出し方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザ光照射により結晶−非晶質
間で変化する相変化記録膜を用いた書き換え可能な光デ
ィスクで、記録部分の記録点、あるいは記録点と記録点
の間の一方で反射率が高く、コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ），あるいはＣＤ−ＲＯＭ，あるいは光ビデオディス
クプレーヤーで読み出し専用光ディスクと同様に読み出
しが可能なものが知られている。このような光ディスク
の積層構造は、例えば光入射側から反射率を高めるため
のＡｕの層−誘電体層−ＧｅとＳｂとＴｅを少なくとも
含む記録層−誘電体層−Ａｕの光反射層という構成にな
っている。コンパクトディスクの場合、規格書（レッド
ブックと通常呼ばれている）では情報ピットが無い部分
の反射率が７０％以上と定められており、再生信号変調
度は６０％以上となっているので、ピット上に光スポッ
トがさしかかると反射率は２８％以下となることにな
る。しかし普通のコンパクトディスク装置では反射率が
６０〜７０％でも読み出し可能であり、変調度も６０％
より少し小さくても読み出し可能である。また、一回だ
け記録可能な追記型コンパクトディスク（ＣＤレコ−ダ
ブルと呼ばれる）の規格書（オレンジブック）による
と、追記可能なコンパクトディスクの反射率はトラッキ
ング用の溝上で６５％以上とされている。

【０００３】一方、上記のＡｕの層−誘電体層−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ記録層−誘電体層−光反射層という積層構造
と同様な積層構造で最初のＡｕの層を低融点金属とした
光ディスクが公開特許公報平５−７３９６１号に述べら
れている。上記公報には、この光ディスクの場合、読み
出し時のレーザ光照射部分のうち低融点金属層が融解す
る部分では反射率が上昇し、それ以外の部分では反射率
が低いように各層の膜厚を選ぶことにより、低融点金属
層が融解する部分だけでＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層の記録
マークが光学的に見え、記録マークを高分解能で読み出
すことができると書かれている。すなわち、これは超解
像読み出し用光ディスクである。

【０００４】一方、ＧｅＳｂＴｅ系やＩｎＳｂＴｅ系等
の相変化記録膜では、１０⁵を越える多数回の高パワー
レーザ光照射を行なうと、記録膜の流動により書き換え
特性が低下するため、記録膜の流動を防止する方法が研
究されている。

【０００５】例えば、特開平４−２２８１２７号公報に
は、記録膜のマイクロセル化により流動を防止する方法
が開示され、文献 T．Ohta et al. "Optical Data Str
age"'89 Proc. SPIE, 1078，27（1989）には、記録膜を
薄くして熱容量を下げ、且つ、隣接する層との付着力の
影響が大きくなるのを利用して記録膜の流動を防止する
方法が開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】コンパクトディスクプ
レーヤーで読出し可能なディスクの場合、反射率の高い
部分（結晶状態の部分）の光吸収率は最大でも（１００
−反射率）％であるから、通常の書き換え可能光ディス
クの反射率約２０％、吸収率約８０％に比べて極めて小
さい。１．３〜１．４ｍ／ｓの低線速度でも、記録レー
ザパワーはディスク上で３０ｍＷ程度が要求される。光
ヘッドの光学系効率は４０％程度であるから、出力７０
ｍＷ以上の半導体レーザが必要となり、長寿命・低価格
で使用することはできない。また、反射率の条件を満た
すＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅを主成分とする記録膜の場合、組成
比の変動余裕が小さいという問題点が有った。

【０００７】一方、このような光記録媒体のもう一つの
問題点は、高反射率部分と低反射率部分（通常はこの部
分が記録マーク）の光吸収率に極めて大きな差が有るた
め、新たな情報をオーバーライト（重ね書きによる書き
換え）する時、前に記録マークだったところとそうでな
い所で光吸収による発熱のしかたが大きく異なり、新た
に形成する記録マークが歪んでしまうことである。

【０００８】また、従来の記録膜はいずれも、書き換え
可能な相転移型の記録膜として用いる場合、書き換え
可能回数が十分でない、書き換え可能回数を多くする
と結晶化速度が遅くなる、書き換え可能回数を多くす
ると再生信号強度が十分でなくなる、などの問題を有し
ている。

【０００９】また、従来、光スポット径より小さな記録
マークを形成しようとすると、僅かなレーザパワー変動
やオートフォーカスの誤差で記録マークの大きさが変動
するという問題点が有った。

【００１０】なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相
変化ばかりでなく融解（液相への変化）と再結晶化、結
晶状態−結晶状態間の相変化等、広義の相変化を含むも
のとして「相変化」という用語を使用する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の、基板上に直接または保護層を介して形
成された、光ビームの照射を受けて記録層に生じる変化
によって情報を記録、再生する光記録媒体においては、（１）記録層とは別に光照射によって光学定数が変化
する層（反射率調整層）を有し、弱い（パワーの低い）
光照射時の方が強い光照射時より反射率が相対的に高い
ものとする。

【００１２】（２）記録層とは別に光照射によって光
学定数が変化する層（反射率調整層）を有し、弱い光照
射時には記録トラック上の反射率の高い部分の反射率が
６０％以上であり、強い光照射時には、同じ部分の反射
率が４０％以下であることを特徴とする上記（１）に記
載のものとすると、より好ましい。上記の反射率の条件
は、波長７８０ｎｍ，あるいは８３０ｎｍ，あるいはこ
れらの間の波長で満たすのが好ましい。但し、他の波長
で上記の条件を満たすものも本発明に含まれる。

【００１３】上記の反射率は、下記のような方法で測定
したものである。光記録媒体を回転させながら媒体使用
時の波長として指定された波長の光源を持つ、開口数が
０．４以上の絞り込みレンズを持つ光ヘッドで集光して
照射し、記録媒体からの反射光強度を光ヘッドの再生信
号検出用検出器の出力強度として検出する。反射率は記
録トラック上の反射率の高い部分、すなわち記録ピット
間のできるだけ長いスペ−ス部分の出力強度で知ること
ができる。そこで、これを、アルミニウムの反射層だけ
を着けたディスクの同様な場所の出力強度を反射率８５
％のばあいの出力強度と定義し、出力の比例計算を行っ
て被測定媒体の反射率とする。読み出しパワ−を変えた
場合はパワ−にほぼ比例して出力も増すので、その分を
補正して反射率を求める必要が有る。

【００１４】（３）記録層とは別に光照射によって光
学定数が変化する層（反射率調整層）を有し、弱い光照
射時には記録トラック上の反射率の高い部分の反射率が
６０％以上であり、強い光照射時には、同じ部分の反射
率が４０％以下であって、コンパクトディスクプレイヤ
ーまたはＣＤ−ＲＯＭドライブまたは光ビデオディスク
ドライブで情報を読みだす時には反射率が６０％以上で
あることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の
ものとする。

【００１５】（４）上記（１）または（２）に記載の
光記録媒体において、上記反射率調整層が上記記録層よ
り２５０℃以上低い融点を有するものとする。

【００１６】（５）上記（１）または（２）に記載の
光記録媒体において、上記反射率調整層の融点が４５０
℃以下であるものとする。

【００１７】（６）上記（１）または（２）に記載の
光記録媒体において、上記反射率調整層の８０％以上が
融点４５０℃以下の単体金属あるいは融点４００℃以下
の２種以上の金属より成るものとする。

【００１８】（７）上記（１）または（２）に記載の
光記録媒体において、上記反射率調整層が共晶合金組
成、あるいはそれに近い組成であるものとする。

【００１９】（８）上記（７）に記載の光記録媒体に
おいて、上記反射率調整層が遷移金属を含む共晶合金組
成、あるいはそれに近い組成であるものとする。上記反
射率調整層が遷移金属と主族金属（遷移金属以外の金属
・半金属と定義）との共晶合金組成、あるいはそれに近
い組成であるものとすれば、さらに好ましい。遷移金属
同志の共晶合金組成、あるいはそれに近い組成でもよ
い。上記反射率調整層がＡｕ，Ａｇ，およびＡｌのうち
の少なくとも一者を含む共晶合金組成、あるいはそれに
近い組成であるものとすれば、さらに好ましい。特に、
Ａｕを含むものは、高い反射率を得やすい点では好まし
い。接着性は低い。

【００２０】（９）上記（８）に記載の光記録媒体に
おいて、上記反射率調整層がＡｕ−Ｓｎ，Ａｕ−Ｓｂ，
Ａｕ−Ｇｅ，Ａｕ−Ｓｉ，Ａｕ−Ｉｎ，Ａｕ−Ｇａ，Ａ
ｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｉｎ合金のうちの少なく
とも一者、あるいはこれらの者以上の混合組成、あるい
はそれに近い組成であるものとする。

【００２１】（１０）上記（１）または（２）に記載
の光記録媒体において、上記反射率調整層が記録層に関
して、反射層と逆の側にあるものとする。

【００２２】（１１）上記（１）または（２）に記載
の光記録媒体において、上記反射率調整層が記録層と反
射層との間に有るものとする。

【００２３】（１２）上記（１）または（２）に記載
の光記録媒体において、上記光記録媒体が、基板側か
ら、基板上に直接、あるいは他の層を介して、反射率調
整層、保護層、記録層、中間層、反射層の順に積層され
ているものとする。

【００２４】（１３）上記（１）または（２）に記載
の光記録媒体において、上記反射率調整層の複素屈折率
の実数部および虚数部の少なくとも一方が、光の照射に
よって照射前のそれに対して２０％以上変化するもとの
する。

【００２５】（１４）上記（１）〜（６）のいずれか
に記載の光記録媒体上記反射率調整層および記録層の少
なくとも一方が当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
い高融点成分からなる析出物を含んでいるものとする。

【００２６】従来の高反射率書換え可能光ディスクで
は、光入射側のＡｕの層の融点が高いため、記録膜に情
報をオーバーライトするのに適したレーザーパワーで
も、この層が融解することは無い。従って、高感度は得
られない。仮に、このＡｕ層を低融点金属層で置き換え
たとしても、それらの多くは融解時の粘度が低いため、
多数回の書き換えを繰り返すと膜の流動、偏析が少しず
つ生じ、書換え可能回数が少ない、などの欠点があっ
た。しかし、本発明では、高融点成分からなる析出物を
含んでいることにより、多数回の書き換えが可能であ
る。

【００２７】（１５）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、前記高融点成分の原子数の和は、反射率調
整層の構成元素の全原子数の和に対する割合で３〜５０
％の範囲であるものとする。５〜４０％の範囲であるこ
とがより好ましい。

【００２８】（１６）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、前記高融点成分の融点と当該薄膜の残成分
の融点との差が１５０゜Ｃ以上であるものとする。

【００２９】（１７）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、上記反射率調整層に含まれる前記高融点成
分の融点が６００℃以上であるものとする。

【００３０】（１８）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、上記記録層に含まれる前記高融点成分の融
点が８００℃以上であるものとする。

【００３１】（１９）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の内
部に粒状または柱状に分布しているものとする。

【００３２】（２０）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、前記高融点成分の析出物の大きさは小さい
方がよい。析出物の大きさは、最大外形寸法が、５ｎｍ
以上、５０ｎｍ以下とする、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以
下であるのがより好ましい。最大外形寸法が５ｎｍ未満
であれば、流動防止効果が生じ難く、５０ｎｍを越える
と、ノイズがきわめて大きい。最大外形寸法が１０ｎｍ
未満であれば、流動防止効果が小さく、３０ｎｍを越え
るとノイズが大きいからである。

【００３３】（２１）上記（１９）または（２０）に
記載の光記録媒体において、前記高融点成分の柱状の析
出物が薄膜の両側の界面に接して分布している場合、例
えば、両側の界面から柱状に成長している場合は、その
析出物の膜厚方向の長さ（高さ）は５ｎｍ以上で薄膜の
膜厚の（１／２）以下である者とする。１０ｎｍ以上
で薄膜の膜厚の（１／２）以下であるのがより好まし
い。５ｎｍ未満であれば、流動防止効果が生じにくいか
らであり、１０ｎｍ未満であれば、流動防止効果がやや
小さいからである。

【００３４】（２２）上記（１９）または（２０）に
記載の光記録媒体において、前記高融点成分の柱状の析
出物が薄膜の片側の界面に接して分布している場合、例
えば、片側の界面から柱状に成長している場合、及び薄
膜の両側の界面に接することなく薄膜の内部だけに分布
している場合は、その析出物の膜厚方向の長さ（高さ）
は、１０ｎｍ以上で薄膜の膜厚以下である者とする。２
０ｎｍ以上で薄膜の膜厚以下であるのがより好ましい。
１０ｎｍ未満であれば、流動防止効果が生じにくいから
であり、２０ｎｍ未満であれば、流動防止効果がやや小
さいからである。

【００３５】（２３）上記（１９）〜（２２）に記載
の反射率調整層を有する光記録媒体において、隣接する
２つの粒状または柱状の析出物の中心を結ぶ直線が、当
該薄膜の膜面方向でそれら析出物の間の部分すなわち薄
膜の残成分の領域を通る長さは、１５ｎｍ以上、７０ｎ
ｍ以下とする。２０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下がより好ま
しい。１５ｎｍ未満であれば、搬送波対雑音比（Ｃ／
Ｎ）が低くなるからであり、７０ｎｍを越えると、書換
え可能回数が少なくなるからである。２０ｎｍ未満であ
れば、Ｃ／Ｎがやや低くなり、６０ｎｍを越えると、書
換え可能回数がやや少なくなり、用途が制限される。

【００３６】（２４）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、上記反射率調整層および記録層の少なくと
も一方に含まれる上記高融点成分からなる析出物は多孔
質であり、当該残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布
しているものとする。

【００３７】（２５）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、上記高融点成分が多孔質状析出物として析
出している場合、高融点成分の多孔質状析出物の孔の当
該薄膜の膜面方向での最大孔寸法が８０ｎｍ以下であ
り、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面
方向での最大壁厚さが２０ｎｍ以下であるものとする。
多孔質の孔は隣接する孔と部分的につながっていてもよ
い。

【００３８】（２６）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、反射率調整層の平均組成を、元素単体また
は化合物または混合物組成の低融点成分Ｌと元素単体ま
たは化合物組成の高融点成分ＨによりＬ_jＨ_k（１）の式で表した時、０．２≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦０．４であ
る組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量は前記
式で決まる値±１０原子％の範囲内にあるものとする。
±５原子％の範囲内にあるとより好ましい。

【００３９】（２７）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、反射率調整層の低融点成分と高融点成分が
いずれも金属または半金属元素を５０原子％以上含むも
のとする。

【００４０】（２８）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、上記反射率調整層に添加する高融点成分が
遷移金属とＳｎ、およびＰｂよりなる群より選ばれた少
なくとも一者との化合物であるものとする。

【００４１】（２９）上記（１４）、（１７）のいず
れかに記載の光記録媒体において、上記反射率調整層の
残成分の融点が４５０℃以下であるものとする。

【００４２】（３０）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、上記反射率調整層の残成分がＡｕとＡｇよ
りなる群より選ばれた少なくとも一者と、Ｓｎ、Ｇｅ、
Ｓｉ、Ｉｎ、およびＧａよりなる群より選ばれた少なく
とも一者との合金であるものとするのが好ましい。この
他、Ａｌ−Ａｕ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕよりなる群よ
り選ばれた少なくとも一つの合金も、使用可能である。

【００４３】（３１）上記（１）、（２）、および
（１４）のいずれかに記載の光記録媒体において、上記
記録層が、ＧｅとＴｅを主成分とする、または、Ｉｎお
よびＳｂよりなる群より選ばれた少なくとも一者とＳｅ
を主成分とするものとする。

【００４４】（３２）上記（１４）に記載の光記録媒
体において、記録層の平均組成を、元素単体または化合
物または混合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化
合物組成の高融点成分ＨによりＬ_jＨ_k（２）の式で表した時、０．２≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦０．４であ
る組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量は前記
式で決まる値±１０原子％の範囲内にあるものとする。
±５原子％の範囲内にあるとより好ましい。

【００４５】例えば、記録層の基準組成が（ＧｅＳｂ₂
Ｔｅ₄）₈₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂₀である場合、式（２）の
ＬはＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄、ＨはＣｒ₄Ｔｅ₅であって、ｋ／
（ｊ＋ｋ）は０．２である。ここで各元素の原子％は、
それぞれ、ＬのＧｅは１１％、Ｓｂは２３％、Ｔｅは４
６％、ＨのＣｒは９％、Ｔｅは１１％である。そこで、
式（２）で決まる値±１０原子％の範囲はＬのＧｅは１
〜２１％、Ｓｂは１３〜３３％、Ｔｅは３６〜５６％、
ＨのＣｒは０〜１９％、Ｔｅは１〜２１％である。
（３３）上記（１４）に記載の光記録媒体において、
前記記録層に含まれる高融点成分がＣｒおよびＡｇより
なる群より選ばれた少なくとも一者とＴｅとの化合物で
あるものとする。

【００４６】（３４）上記（１４）および（１６）の
いずれかに記載の光記録媒体において、上記記録層の残
成分（相変化成分）の融点が７５０℃以下であるものと
する。

【００４７】反射率調整層の平均組成は、次の一般式
（３）で表されるものとするのがよい。

【００４８】Ａ_eＢ_fＣ_g（３）ここで、前記ＡはＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ
から選ばれた少なくとも１つの元素、前記ＢはＡｓ，
Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｅ，Ａｇ，Ａｌ，
Ａｕ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｓ，Ｃ
ｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌｉ，Ｍｇ，
Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒ
ｂ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒより成る群より選ばれた少なくと
も１つの元素を表し、前記Ｃは前記Ａ及び前記Ｂで表さ
れる以外の少なくとも１つの元素を表し、例えば、Ｔ
ｌ，Ｂｒ，Ｃｌ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｐ等とすることができ
る。また、前記ｅ，ｆ及びｇの単位はいずれも原子パー
セントで、それぞれ３０≦ｅ≦９５、５≦ｆ≦５０、０
≦ｇ≦２０の範囲にあることが好ましい。さらに、４０
≦ｅ≦８７、１３≦ｆ≦４０、０≦ｇ≦１０の範囲にあ
ることがより好ましい。

【００４９】前記Ｃで表される元素は、例えば、前記Ａ
及びＢで表される元素がそれぞれＳｎ及びＡｕであれ
ば、Ｓｎ及びＡｕ以外の元素であればよい。また、前記
Ａ、Ａ’（前記Ａが上記Ｓｎ，ＺｎのようにＡ，Ａ’２
元素の場合）、Ｂ、Ｃの組合せにおいて、Ａ−Ｂ、Ｂ−
Ｃ、Ａ’−Ｂの組合せからできる高融点成分が共晶点を
もたないか、共晶点をもっていてもＡ、Ａ−Ａ’の融点
より１５０℃以上融点が高いことが好ましい。

【００５０】高融点成分を含む反射率調整層の平均組成
として好ましいものは、Ａｕ−Ｓｎ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｇｅ
−Ｔｉ，Ａｕ−Ｓｉ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｓｂ−Ｔｉ，Ａｕ−
Ｉｎ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｇａ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｓｎ−Ｔｉ，Ａ
ｇ−Ｇｅ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｇａ−Ｔ
ｉ，Ａｕ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ａｕ−Ｓｉ−Ｐｔ，Ａｕ−Ｉｎ
−Ｐｔ，Ａｕ−Ｇａ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ａｇ−
Ｉｎ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｇａ−Ｐｄ，Ｐｂ−Ｓｅ，Ｐｂ−Ｃ
ｅ，Ｐｂ−Ｌａ，Ｐｂ−Ｐｔ，Ｐｂ−Ｓｉ，Ｓｎ−Ｓ
ｂ，Ｓｎ−Ｓｅ，Ｓｎ−Ｃｏ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｎ
ｉ，Ｓｎ−Ｐｔ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｃ
ｅ，Ｂｉ−Ｃｕ，Ｂｉ−Ｃｄ，Ｂｉ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｎ
ｉ，Ｚｎ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｌａ，Ｚｎ−Ｃｅ，Ｇａ−Ｃ
ｒ，Ｇａ−Ｃｕ，Ｇａ−Ｎｉ，Ｇａ−Ｌａ，Ｇａ−Ｐ
ｔ，Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｔ
ｅ，Ｉｎ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｎｉ，Ｉｎ−Ａ
ｇ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｅ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｅ，Ｐｂ−Ｓｎ
−Ｌａ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｉ，Ｐｂ−
Ｓｎ−Ｓｂ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｕ，Ｐ
ｂ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓ
ｅ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｏ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ
−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｓｎ−
Ｂｉ−Ｃｅ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｄ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ，Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ｓｅ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃ
ｕ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｓｎ
−Ｎｉ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｌａ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃｅ，Ｓｎ−
Ｇａ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｃｏ，Ｓ
ｂ−Ｇａ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｐ
ｔ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｌａ，Ｓｎ−Ｇａ
−Ｃｅ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｂｉ−
Ｇａ−Ｃｕ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｃｄ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｐｔ，Ｂ
ｉ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｌ
ａ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｉｎ−Ｇａ
−Ｃｕ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｌａ，Ｉｎ−
Ｇａ−Ｐｔ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ａ
ｓ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｇａ−Ａｇ，Ｉｎ−Ｂｉ
−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｃｕ，Ｉｎ−
Ｂｉ−Ｃｄ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｓｂ，Ｉ
ｎ−Ｂｉ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｎ
ｉ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ａｇ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｃｅ，等のうちの
少なくとも一者である。これらのうちでは、Ａｕ−Ｓｎ
−Ｔｉ，Ａｕ−Ｇｅ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｓｉ−Ｔｉ，Ａｕ−
Ｓｂ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｉｎ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｇａ−Ｔｉ，Ａ
ｇ−Ｓｎ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｇｅ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｔ
ｉ，Ａｇ−Ｇａ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ａｕ−Ｓｉ
−Ｐｔ，Ａｕ−Ｉｎ−Ｐｔ，Ａｕ−Ｇａ−Ｐｔ，Ａｇ−
Ｓｎ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｇａ−Ｐｄのう
ちの少なくとも一者が特に好ましい。

【００５１】記録層は、また、平均組成が次の一般式
（４）で表されるものを使用することができる。

【００５２】Ｓｅ_pＭ_qＮ_rＯ_s（４）ここで、前記ＭはＩｎ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ａｕ，Ｂ，
Ｃｓ，Ｓｎ，Ｔｌ，Ｓ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｚｎから選ばれた
少なくとも１つの元素、前記ＮはＡｓ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓ
ｉ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃ
ｒ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，
Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｂ，Ｒ
ｅ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｕ及び、Ｓｅ及び前記Ｍで表さ
れる元素以外の少なくとも１つの元素を表す。前記Ｏは
Ｓｅ及び前記Ｍ及び前記Ｎで表される以外の少なくとも
１つの元素を表し、例えばＢｒ，Ｃｌ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｐ
とすることができる。また、前記ｐ，ｑ，ｒ及びｓの単
位はいずれも原子パーセントで、それぞれ４０≦ｐ≦９
５、０≦ｑ≦５５、５≦ｒ≦５０、０≦ｓ≦２０の範囲
にあることが好ましく、５０≦ｐ≦８０、０≦ｑ≦４
０、１０≦ｒ≦４０、０≦ｓ≦１０の範囲にあることが
より好ましい。

【００５３】上記式（４）の組成は反射率調整層を用い
ない記録媒体の相変化記録膜あるいは反射率調整層をＡ
ｕ等の高融点金属層で置き換えた場合の相変化記録膜と
しても使用できる。この記録膜を使用した場合、結晶化
と非晶質化で反射率差の大きな媒体を作製できる。

【００５４】上記反射率調整層の低融点（相変化）成分
と高融点成分は、いずれも金属または半金属元素を５０
原子％以上含むことが好ましく、６５原子％以上含むこ
とがより好ましい。

【００５５】高融点成分と相変化成分の組み合わせで
は、それぞれの成分中に同じ元素が３０原子％以上、８
０原子％以下の範囲で存在することが好ましい。

【００５６】記録膜の相変化成分の平均組成は、下記Ｄ
群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組
成あるいは、融点５００℃以上７５０℃以下の化合物、
あるいは混合物であることが好ましい。

【００５７】＜Ｄ群＞Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，
Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓ
ｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ₃，Ｔｌ₃Ｔｅ₂，ＴｌＴｅ，
ＩｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−
Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓ
ｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉ
ｎ，Ｉｎ₃ＳｅＴｅ₂，ＡｇＩｎＴｅ₂，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ
₇，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅，ＧｅＴｅ，Ｇ
ｅＢｉ₄Ｔｅ₇，ＧｅＢｉ₂Ｔｅ₄，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔｅ₆，
Ｓｎ₂Ｓｂ₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓｂ₂Ｓｅ₅，ＳｎＳｂ₂Ｔｅ
₄，Ｐｂ₂Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡｓＳｅ₂，Ｃｕ₃ＡｓＳ
ｅ₃，ＣｕＳｂＳ₂，ＣｕＳｂＳｅ₂，ＩｎＳｅ，Ｓｂ
₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｔｅ₃，Ｂｉ₂Ｔｅ₃，ＳｎＳｂ，Ｆｅ
Ｔｅ，Ｆｅ₂Ｔｅ₃，ＦｅＴｅ₂，ＺｎＳｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ
₂，ＶＴｅ₂，Ｖ₅Ｔｅ₈，ＡｇＩｎ₂，ＢｉＳｅ，Ｉ
ｎＳｂ，Ｉｎ₂Ｔｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅，Ｂａ₄Ｔｌ，Ｃｄ₁₁
Ｎｄ，Ｂａ₁₃Ｔｌ，Ｃｄ₆Ｎｄ，Ｂａ₂Ｔｌ。

【００５８】これらのうちでは、ＧｅＴｅを主成分とす
るものが特に好ましい。次いでＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅を主成
分とするものが好ましい。

【００５９】上記反射率調整層の相変化成分の平均組成
は、下記Ｅ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこ
れに近い組成あるいは、融点４５０℃以下の合金、混合
物、または化合物であることが好ましい。

【００６０】＜Ｅ群＞Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀，Ａｕ₇₅Ｇｅ₂₅，Ａ
ｕ−Ｓｂ，Ａｕ₈₀Ｓｉ₂₀，Ａｕ₆₅Ｇａ₃₅，Ａｕ−Ｉｎ，
Ａｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｇａ，Ａｌ₇₀Ｇｅ₃₀，
Ａｇ−Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｔｌ₂Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ
₃，Ｔｌ₃Ｔｅ₂，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，Ｔ
ｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−
Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚ
ｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｂａ₄Ｔｌ。

【００６１】これらのうちでは、Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀，Ａｕ₇₅
Ｇｅ₂₅，Ａｕ−Ｓｂ，Ａｕ₈₀Ｓｉ₂₀，Ａｕ₆₅Ｇａ₃₅，Ａ
ｕ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｇａのうち
少なくとも一者、もしくはこれに近い組成のものが特に
好ましい。

【００６２】上記反射率調整層の相変化成分の平均組成
は、下記Ｆ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこ
れに近い組成あるいは、融点２５０℃以下の合金、混合
物、または化合物であればさらに好ましい。

【００６３】＜Ｆ群＞Ｓｎ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｉ
ｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔ
ｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，
Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ。

【００６４】記録膜の相変化成分として上記Ｄ群のうち
の少なくとも一者を用いる場合、および反射率調整層に
高融点成分を含有させる場合の高融点成分の平均組成
は、下記のＧ群のうち少なくとも一者、もしくはこれに
近い組成あるいは、融点８００℃以上の化合物とするこ
とができる。ここで、これに近い組成とは、列挙した組
成からのずれが±１０原子％の範囲内にあるものを指す
（以下、同じ）。例えば、ＢａＰｄ₂の場合、それぞれ
の元素の原子％は、Ｂａは３３％、Ｐｄは６７％であ
る。そこで、組成ＢａＰｄ₂からのずれが±１０原子％
の範囲は、Ｂａは２３〜４３％、Ｐｄは５７〜７７％で
ある。

【００６５】＜Ｇ群＞ＢａＰｄ₂，ＢａＰｄ₅，ＮｄＰ
ｄ，ＮｄＰｄ₃，ＮｄＰｄ₅，Ｎｄ₇Ｐｔ₃，Ｎｄ₃Ｐｔ
₂，ＮｄＰｔ，Ｎｄ₃Ｐｔ₄，ＮｄＰｔ₂，ＮｄＰ
ｔ₅，Ｂｉ₂Ｎｄ，ＢｉＮｄ，Ｂｉ₃Ｎｄ₄，Ｂｉ₃Ｎｄ
₅，ＢｉＮｄ₂，Ｃｄ₂Ｎｄ，ＣｄＮｄ，Ｍｎ₂Ｎｄ，Ｍ
ｎ₂₃Ｎｄ₆，Ｍｎ₁₂Ｎｄ，Ｎｄ₅Ｓｂ₃，Ｎｄ₄Ｓｂ₃，
ＮｄＳｂ，ＮｄＳｂ₂，Ｆｅ₂Ｎｄ，Ｆｅ₁₇Ｎｄ₂，Ｃ
ｓ₃Ｇｅ₂，ＣｓＧｅ，ＣｓＧｅ₄，Ｎｄ₅Ｓｉ₃，Ｎｄ
₅Ｓｉ₄，ＮｄＳｉ，Ｎｄ₃Ｓｉ₄，Ｎｄ₂Ｓｉ₃，Ｎｄ₅
Ｓｉ₉，Ｃｓ₂Ｔｅ，ＮｄＴｅ₃，Ｎｄ₂Ｔｅ₅，ＮｄＴ
ｅ₂，Ｎｄ₄Ｔｅ₇，Ｎｄ₂Ｔｅ₃，Ｎｄ₃Ｔｅ₄，Ｎｄ
Ｔｅ，Ｃｅ₃Ｉｒ，Ｃｅ₂Ｉｒ，Ｃｅ₅₅Ｉｒ₄₅，ＣｅＩｒ
₂，ＣｅＩｒ₃，Ｃｅ₂Ｉｒ₇，ＣｅＩｒ₅，ＣａＰｄ，
ＣａＰｄ₂，ＣａＧｅ，Ｃａ₂Ｇｅ，ＧｅＮａ₃，Ｇｅ
Ｎａ，ＣａＳｉ₂，Ｃａ₂Ｓｉ，ＣａＳｉ，Ｓｅ₂Ｓｒ，
Ｓｅ₃Ｓｒ₂，ＳｅＳｒ，ＧｅＳｒ₂，ＧｅＳｒ，Ｇｅ₂
Ｓｒ，ＳｎＳｒ，Ｓｎ₃Ｓｒ₅，ＳｎＳｒ₂，Ｃｅ₂Ｔ
ｌ，Ｃｅ₅Ｔｌ₃，ＣｅＴｌ₃，Ｃｅ₃Ｔｌ₅，ＣｅＴ
ｌ，ＢａＴｌ，Ｐｄ₁₃Ｔｌ₉，Ｐｄ₂Ｔｌ，Ｐｄ₃Ｔｌ，
Ｍｇ₂Ｓｉ，Ｍｇ₂Ｇｅ，ＢａＰｄ₂，ＢａＰｄ₅，Ｃｅ
₄Ｓｅ₇，Ｃｅ₃Ｓｅ₄，Ｃｅ₂Ｓｅ₃，ＣｅＳｅ，Ｃｅ₅
Ｇｅ₃，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇｅ₄，ＣｅＧｅ，Ｃｅ₃Ｇ
ｅ₅，Ｃｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓｉ₂，Ｃｅ₅Ｓｉ₄，Ｃｅ
Ｓｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，ＣｅＴｅ₃，Ｃｅ₂Ｔ
ｅ₅，ＣｅＴｅ₂，Ｃｅ₄Ｔｅ₇，Ｃｅ₃Ｔｅ₄，ＣｅＴ
ｅ，Ｌａ₃Ｓｅ₇，ＬａＳｅ₂，Ｌａ₄Ｓｅ₇，Ｌａ₂Ｓ
ｅ₃，Ｌａ₃Ｓｅ₄，ＬａＳｅ，ＧｅＬａ₃，Ｇｅ₃Ｌａ
₅，Ｇｅ₃Ｌａ₄，Ｇｅ₄Ｌａ₅，ＧｅＬａ，Ｇｅ₅Ｌａ
₃，ＢａＳｅ₂，Ｂａ₂Ｓｅ₃，ＢａＳｅ，ＰｄＳｅ，Ｍ
ｏ₃Ｓｅ₄，ＭｏＳｅ₂，Ｂａ₂Ｇｅ，ＢａＧｅ₂，Ｂａ
Ｇｅ，Ｂａ₂Ｔｅ₃，ＢａＴｅ，Ｇｅ₂Ｐｄ₅，ＧｅＰ
ｄ₂，Ｇｅ₉Ｐｄ₂₅，ＧｅＰｄ，Ｇｅ₃Ｐｔ，Ｇｅ₃Ｐ
ｔ₂，ＧｅＰｔ，Ｇｅ₂Ｐｔ₃，ＧｅＰｔ₂，ＧｅＰｔ
₃，Ｐｕ₃Ｓｎ，Ｐｕ₅Ｓｎ₃，Ｐｕ₅Ｓｎ₄，Ｐｕ₈Ｓｎ
₇，Ｐｕ₇Ｓｎ₈，ＰｕＳｎ₂，ＰｕＳｎ₃，Ｐｔ₅Ｔｅ
₄，Ｐｔ₄Ｔｅ₅，ＰｔＴｅ₂，ＧｅＮｉ，Ｇｅ₃Ｎ
ｉ₅，Ｇｅ₂Ｎｉ₅，ＧｅＮｉ₃，ＮｉＴｅ_0.85，Ｎｉ
Ｔｅ_0.775，Ｎｉ₃±_xＴｅ_x，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＣｒＧ
ｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₈，Ｃｒ₅Ｇｅ₃，Ｃｒ₃Ｇｅ，ＣｒＳｉ
₂，Ｃｒ₅Ｓｉ₃，Ｃｒ₃Ｓｉ，Ｃｒ₅Ｔｅ₈，Ｃｒ₄Ｔｅ
₅，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，Ｃｒ_1-xＴｅ，Ｇｅ₃Ｍｎ₅，ＧｅＭ
ｎ₂，Ｍｎ₆Ｓｉ，Ｍｎ₉Ｓｉ₂，Ｍｎ₃Ｓｉ，Ｍｎ₅Ｓｉ
₂，Ｍｎ₅Ｓｉ₃，ＭｎＳｉ，Ｍｎ₁₁Ｓｉ₁₉，Ｍｎ₂Ｓ
ｎ，Ｍｎ_3.25Ｓｎ，ＭｎＴｅ，Ｔｅ₂Ｗ，ＦｅＧｅ₂，
Ｆｅ₅Ｇｅ₃，Ｆｅ₃Ｇｅ，Ｆｅ₂Ｓｉ，Ｆｅ₅Ｓｉ₃，Ｆ
ｅＳｉ，ＦｅＳｉ₂，Ｇｅ₂Ｍｏ，Ｇｅ₄₁Ｍｏ₂₃，Ｇｅ
₁₆Ｍｏ₉，Ｇｅ₂₃Ｍｏ₁₃，Ｇｅ₃Ｍｏ₅，ＧｅＭｏ₃,Mo₃
Ｓｉ，Ｍｏ₅Ｓｉ₃，ＭｏＳｉ₂，ＭｏＳｎ，ＭｏＳｎ
₂，Ｍｏ₃Ｔｅ₄，ＭｏＴｅ₂，Ｓｉ₂Ｔｉ，ＳｉＴｉ，
Ｓｉ₄Ｔｉ₅，Ｓｉ₃Ｔｉ₅，ＳｉＴｉ₃，Ｓｎ₅Ｔｉ₆，
Ｓｎ₃Ｔｉ₅，ＳｎＴｉ₂，ＳｎＴｉ₃，ＣｏＧｅ₂，
Ｃｏ₅Ｇｅ₇，ＣｏＧｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₃，Ｃｏ₄Ｇｅ，Ｃ
ｏ₃Ｔｅ₄，Ｇｅ₇Ｒｅ₃，Ｒｅ₅Ｓｉ₃，ＲｅＳｉ，Ｒ
ｅＳｉ₂，Ｒｅ₂Ｔｅ。

【００６６】反射率調整層の相変化成分として上記Ｅ群
のうちの少なくとも一者を用いる時、高融点成分の平均
組成は、また、前記Ｇ群及び下記のＨ群に挙げた化合
物，のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成あ
るいは、融点６００℃以上の合金、混合物、化合物とす
ることができる。

【００６７】＜Ｈ群＞Ｃｓ₃Ｇｅ，Ｂａ₂Ｔｌ，ＧｅＰｄ
₃，Ｆｅ₆Ｇｅ₅，ＦｅＴｅ₂，Ｃｏ₅Ｇｅ₂，Ｎｄ₃Ｐ
ｄ，Ｃｓ₃Ｔｅ₂，Ｃｅ₄Ｉｒ，ＮａＰｄ，Ｃａ₉Ｐｄ，
Ｃａ₃Ｐｄ₂，Ｃａ₂Ｇｅ，Ｓｅ₃Ｓｒ，Ｃｅ₃Ｔｌ，Ｃｅ
Ｓｅ₂，Ｃｅ₃Ｇｅ，ＢａＳｅ₃，ＧｅＳｅ₂，ＧｅＳ
ｅ，ＢａＴｅ₂，ＧｅＰｄ₅，Ｇｅ₈Ｍｎ₁₁，ＭｎＴｅ
₂，Ｇｅ₃Ｗ₂，ＦｅＧｅ，Ｆｅ₄Ｇｅ₃，Ｆｅ₃Ｓｎ，
Ｆｅ₃Ｓｎ₂，ＦｅＳｎ，ＣｏＴｅ₂。

【００６８】反射率調整層の相変化成分として上記Ｆ群
のうちの少なくとも一者を用いる時、高融点成分の平均
組成は、また、前記Ｈ群及び下記Ｉ群に挙げた化合物，
のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成、ある
いは、融点４００℃以上の合金、混合物、化合物とする
ことができる。

【００６９】＜Ｉ群＞Ｂａ₄Ｔｌ，ＣｓＴｅ，Ｂａ₄Ｔ
ｌ，Ｂａ₁₃Ｔｌ，Ｃｄ₁₁Ｎｄ，Ｃｄ₆Ｎｄ，Ｃｓ₅Ｔ
ｅ₄，Ｃａ₃Ｐｄ，Ｃａ₅Ｐｄ₂，Ｓｎ₃Ｓｒ，Ｂａ₁₃Ｔ
ｌ，ＰｄＴｌ₂，ＦｅＳｅ₂，ＦｅＳｅ，Ｃｒ₂Ｔｅ₃，
ＣｒＴｅ₃，ＦｅＳｎ₂。

【００７０】反射率調整層の組成または膜厚は、内周と
外周において同じであってもよいが、異なることが好ま
しく、反射率調整層のトラック周辺部も結晶化するのが
好ましい。

【００７１】反射率調整層の膜厚は８ｎｍ以上５０ｎｍ
以下で良好な特性が得られた。８ｎｍ以下では反射率６
０％の達成ができず、５０ｎｍ以上では再生信号変調度
が小さくなった。反射率調整層の膜厚は１０ｎｍ以上２
０ｎｍ以下の時、特に良好な特性が得られた。

【００７２】本発明で「主成分とする」とは、当該物質
を総原子数に対する構成原子の原子数の和の割合で６０
％以上含む、より好ましくは、８０％以上含むことを示
す。例えば、Ｇｅ₄₀Ｔｅ₄₅Ｓｅ₁₅の組成では、Ｇｅ₄₀Ｔ
ｅ₄₀＋Ｔｅ₅Ｓｅ₁₅と同じであるから、ＧｅＴｅが主成
分と考えることができる。

【００７３】以上述べた本発明の記録媒体は、前述の公
開特許公報平５−７３９６１号に述べられている記録媒
体と積層構造が似ている。低融点金属層が本発明と同様
に反射率を調整する機能を持っているためである。しか
し、公開特許公報平５−７３９６１号に記載のディスク
では、高温部分で反射率が上昇するので、記録パワ−を
低減することができない。

【００７４】本発明の情報処理装置、あるいは情報読み
出し方法、あるいはそれらに用いる光記録媒体では（３５）記録媒体にレーザ光を照射して反射光を検出
する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス読み取
り手段、記録データ変調手段、レーザパワー制御情報解
析手段、ピーク（記録）パワー決定手段、パワー比決定
手段、及び、記録、消去用電流増幅手段、読み出しパワ
ー決定手段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバ
ーを少なくとも有し、上記パワー比決定手段がオーバー
ライトによる情報の書き換え時に、記録パワーレベルと
消去パワーレベルとのパワーの比を２より小さい値対１
に設定する機能を有する情報処理装置とする。

【００７５】（３６）上記（１）または（２）の記録
媒体において、オーバーライトによる情報の書き換え時
に、記録パワーレベルと消去パワーレベルとのパワーの
比を２より小さい値対１に設定する情報が該光記録媒体
上（例えばコントロールゾーン）に書かれているものと
する。

【００７６】（３７）記録媒体にレーザ光を照射して
反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、ア
ドレス読み取り手段、記録データ変調手段、レーザパワ
ー制御情報解析手段、ピークパワー決定手段、及び、記
録用電流増幅手段、読み出しパワー決定手段、読み出し
用電流増幅手段、レーザドライバーを少なくとも有し、
上記ピークパワー決定手段が情報の書き換え時に、書き
換えを行なう時間の少なくとも一部において、レーザパ
ワーを光記録媒体の反射率が低い値になるように設定す
る機能を有する情報処理装置とする。

【００７７】（３８）記録媒体にレーザ光を照射して
反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、ア
ドレス読み取り手段、記録データ変調手段、レーザパワ
ー制御情報解析手段、ピークパワー決定手段、パワー比
決定手段、記録、消去用電流増幅手段、読み出しパワー
決定手段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバー
を少なくとも有し、上記ピークパワー決定手段およびパ
ワー比決定手段が、情報の書き換え時に、書き換えを行
なう時間の少なくとも一部において、レーザパワーを光
記録媒体の反射率が低い値になるように設定する機能を
有する情報処理装置とする。

【００７８】（３９）上記（１）または（２）の記録
媒体において、高いパワーのレーザ光を照射すると反射
率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げると、反射
率が高い値に戻る性質を持ったものであって、情報の書
き換え時に、書き換えを行なう時間の少なくとも一部に
おいて、光記録媒体の反射率調整層の光学定数が大きく
変化するレーザパワーに設定する情報が該光記録媒体上
（例えばコントロールゾーン）に書かれているものとす
る。

【００７９】（４０）所定のレーザパワーで反射率が
急激に変化する性質を持った光記録媒体、前記記録媒体
にレーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッド、読み
出し信号処理手段、アドレス読み取り手段、記録データ
変調手段、レーザパワー制御情報解析手段、ピークパワ
ー決定手段、記録用電流増幅手段、読み出しパワー決定
手段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバーを少
なくとも有し、ピークパワー決定手段が、記録時のレー
ザ光の出力を光記録媒体の反射率調整層のいかなる領域
でも膜全体は融解しない出力に設定する機能を有するこ
とを特徴とする情報処理装置とする。

【００８０】（４１）上記（１）または（２）の記録
媒体において、レーザ光の出力を光記録媒体の反射率調
整層の最高温度となる領域でも膜全体は融解しない出力
に設定する情報が該光記録媒体上（例えばコントロール
ゾーン）に書かれていることを特徴とする光記録媒体と
する。

【００８１】（４２）光記録媒体にレーザ光を照射し
て反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、
アドレス読み取り手段、読み出しパワー決定手段、読み
出し用電流増幅手段を少なくとも有し、（記録密度の特
に高い光記録媒体から情報を読み出す場合、）読み出し
パワー決定手段が、読み出しレーザパワーを、上記光記
録媒体上を光ビームスポットが１回通過する間に光記録
媒体に記録された情報が変化するレーザパワーと、上記
光記録媒体の反射率が低い値に変化する最も低いレーザ
パワーとの中間に設定する機能を有することを特徴とす
る情報処理装置とする。

【００８２】（４３）高いパワーのレーザ光を照射す
ると反射率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げる
と反射率が高い値に戻る性質を持った光記録媒体であっ
て、読み出しレーザパワーを、該光記録媒体上を光ビー
ムスポットが１回通過する間に該光記録媒体に記録され
た情報が変化するレーザパワーと、該光記録媒体の反射
率が低い値に変化する最も低いレーザパワーとの中間に
設定する情報が該光記録媒体上（例えばコントロールゾ
ーン）に書かれているものとする。

【００８３】（４４）光記録媒体にレーザ光を照射し
て反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、
アドレス読み取り手段、読み出しパワー決定手段、読み
出し用電流増幅手段を少なくとも有し、読み出しパワー
決定手段が、読み出しレーザパワーを、上記光記録媒体
の反射率が低い値に変化する最も低いレーザパワーより
低い値に設定する機能を有することを特徴とする情報処
理装置とする。

【００８４】（４５）高いパワーのレーザ光を照射す
ると反射率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げる
と反射率が高い値に戻る性質を持った光記録媒体であっ
て、読み出しレーザパワーを、該光記録媒体の反射率が
低い値に変化する最も低いレーザパワーより低い値に設
定する情報が該光記録媒体上（例えばコントロールゾー
ン）に書かれているものとする。

【００８５】（４６）弱い光照射時には反射率が高
く、強い光照射時には同じ部分の反射率が低い光記録媒
体に記録された情報を、コンパクトディスク、ＣＤ−Ｒ
ＯＭディスク、あるいは光ビデオディスクから情報を読
み出す装置で読み出すことを特徴とする情報の読み出し
方法とする。

【００８６】（４７）弱い光照射時には記録トラック
上の反射率の高い部分の反射率が６０％以上であり、強
い光照射時には、同じ部分の反射率が４０％以下である
光記録媒体に記録された情報を、コンパクトディスク、
あるいはＣＤ−ＲＯＭディスク、あるいは光ビデオディ
スクから情報を読み出す装置で読み出すことを特徴とす
る情報の読み出し方法とする。

【００８７】（４８）高いパワーのレーザ光を照射す
ると反射率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げる
と反射率が高い値に戻る性質を持った記録媒体と、上記
記録媒体にレーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッ
ド、読み出し信号処理手段、アドレス読み取り手段、記
録データ変調手段、レーザパワー制御情報解析手段、ピ
ークパワー決定手段、及び、記録用電流増幅手段、読み
出しパワー決定手段、読み出し用電流増幅手段、レーザ
ドライバー、試し書きゾーン読み取り手段、および試し
書きコントローラを少なくとも有し、試し書きコントロ
ーラが、少なくとも記録媒体交換時に試し書きを行う機
能を有し、試し書きゾーン読み取り手段が試し書き結果
を読み取って、ピークパワー決定手段にその情報を送る
機能を有することを特徴とする情報処理装置とする。

【００８８】（４９）高いパワーのレーザ光を照射す
ると反射率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げる
と、反射率が高い値に戻る性質を持ち、かつ、一部分に
試し書きゾーンを有することを特徴とする光記録媒体と
する。

【００８９】（５０）高いパワーのレーザ光を照射す
ると反射率調整層が融解して反射率が大きく低下し、レ
ーザ光のパワーを下げると、反射率が高い値に戻る性質
を持った記録媒体と、上記記録媒体にレーザ光を照射し
て反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、
アドレス読み取り手段、記録データ変調手段、パルス幅
補正手段、レーザパワー制御情報解析手段、ピークパワ
ー決定手段、及び、記録用電流増幅手段、読み出しパワ
ー決定手段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバ
ーを少なくとも有し、上記パルス幅補正手段が、反射率
調整層の融解領域の変化によって記録マーク長さが本来
の長さより長くなるのを、パルス幅を狭くして防止する
機能を有することを特徴とする情報処理装置とする。

【００９０】本発明では、記録、および読み出しのレー
ザ光波長は、通常は７８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下とす
る。しかし、必要が有ればこれ以外の波長を用いても良
い。７８０ｎｍが光スポットが小さくなる点で特に好ま
しい。

【００９１】

【作用】本発明の情報記録媒体では、記録（オーバーラ
イト）時に高いパワーのレーザ光を照射すると、光スポ
ット内の高温部の複素屈折率の実数部（屈折率ｎ）及び
虚数部（消衰係数ｋ）の少なくとも一方が、照射前のそ
れに対して変化するため、光スポット内の高温領域の反
射率が低下する。その結果低いレーザパワーで記録する
ことができる。特に好ましい屈折率変化が起こる場合、
高反射率だった領域（例えば結晶領域）の光吸収率の方
が低反射率だった領域（例えば非晶質領域）の光吸収率
より大きくなる。これにより、オーバーライトによる書
き換え時に、前に非晶質の記録マークだった場所の温度
がその他の場所の温度より高くなることによる新たに形
成される記録マークの形状歪みが防止できる。次いで好
ましい屈折率変化では、両方の領域の光吸収率が等しく
なる。この場合は、結晶領域の方が熱伝導率が高いなど
の理由で、非晶質だった領域の温度の方が少し高くな
る。

【００９２】本発明の反射率調整層と記録層は、少なく
とも一方が高融点成分を含まなくても、書き換え可能回
数は少なくなるが上記の作用の実現は可能であり、用途
によって実用可能である。

【００９３】また、相変化成分より相対的に融点が高い
高融点成分が析出していれば、レーザ照射によって膜が
融解した際の流動及び偏析が効果的に防止される。この
ため、良好な特性を保ちながら従来より多数回の書き換
えを行うことが可能となる。図１に示したように、、反
射率調整層が融解して反射率が低下し、かつ、光スポッ
ト内にある２ｂで示された光吸収領域は光スポットの一
部であるから、記録層の昇温領域は小さくなり、微小な
記録マークを再現性良く形成して高密度記録するのが容
易になる。

【００９４】反射率調整層の平均組成を前記一般式
（１）で表されるものとするとき、式中のＡで表される
元素は低温で融解するため、反射率変化が低温で可能と
なる。これに前記Ｂで表される元素が共存すると、前記
ＡとＢの化合物またはＢの元素またはＢの元素同士の化
合物が高融点成分となり、反射率調整層が融解した際の
流動及び偏析を防止する効果をもつ。（１）式中のＣと
して例えばＴｌを共存させると、Ｃ／Ｎを大きくさせる
ことができる。

【００９５】本発明の反射率調整層は光スポット内の一
部だけて光吸収を増加させるので、微小な記録点を形成
して高密度記録を容易にする作用、効果を持つ。この作
用、効果は、いずれかの層の膜厚を変更して弱い光照射
時の反射率が６０％未満の、通常の書き換え可能相変化
ディスクとした場合にも有効である。特に、光反射層を
光吸収率の小さいＳｉにした場合など、記録感度が低下
しやすい場合に有効である。

【００９６】記録膜材料は、有機物や光磁気材料であっ
ても良い。

【００９７】本発明では、レーザパワーの上昇、下降に
反射率調整層の融解領域の拡大、縮小が相乗的に働くの
で、記録膜の温度上昇・下降が急俊になり、記録信号に
忠実な再生信号を得るのに好ましい。

【００９８】

【実施例】

〔実施例１〕図２は、本発明の反射率調整層を用いた読
み書き可能ディスクの構造断面図の一例を示したもので
ある。実施例では、まず、直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの、表面に凸凹を持ったポリカーボネイト基板４を射
出成形法により形成した。基板表面はトラックピッチ約
１．６μｍのらせん状記録トラックを持ち、ディスク１
周を１トラックとすると約２万トラックを持つ。各トラ
ックは少なくとも一ヶ所のプリフォーマット部を持つ。
プリフォーマット部には、ピット（穴）によってアドレ
スや同期信号が表現されている。プリフォーマット部以
外の信号記録部には、トラッキング用の溝が形成されて
いる。次に、この基板を複数のターゲットを備え順次積
層膜を形成でき、また、膜厚の均一性、再現性のよいマ
グネトロンスパッタリング装置内に取付け、この上に厚
さ１００ｎｍのＳｉＯ₂層５を形成した。続いて、反射
率調整層である（Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀）₈₀（ＳｎＴｉ₂）
₂₀膜、すなわちＡｕ₅₆Ｓｎ₃₁Ｔｉ₁₃膜６を１５ｎｍ、保
護誘電体層である（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層７，を
膜厚２０ｎｍ、記録膜である。

【００９９】（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂₀（Ｇｅ₄₆Ｔｅ₄₆Ｓｅ₈）
₈₀膜８を膜厚２０ｎｍ形成した。次に中間層である（Ｚ
ｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層９を４０ｎｍ、光反射層であ
るＡｕ層１０を１００ｎｍ，順次積層した。その後、こ
の上に接着層１１を介してポリカーボネイト基板４’を
貼りあわせた。このディスクは片面のみ使用できるが、
４から１０と同じ構造のものを２つ作製し、接着層１１
ではりあわせた両面構造としても良い。光反射層上にも
う一層保護用無機誘電体層を設けてもよいし、紫外線硬
化樹脂保護層を設けてもよい。その後の接着は上記と同
様である。

【０１００】中間層は、記録膜と反射層との間で相互拡
散が起こるのを防止する作用、及び反射層への熱の逃げ
を減少させて記録感度を高める働きがある。

【０１０１】記録膜の少なくとも一方の界面は、他の物
質で密着して保護されているのが好ましく、両側の界面
が保護されていればさらに好ましい。反射率調整層につ
いても同様である。この保護は、基板により行なっても
よいが、基板とは別に形成した保護層により行なった方
が、保護効果を大きくできて好ましい。「保護層」の形
成により、記録時の薄膜の変形に起因するノイズ増加を
防止することができる。図２の（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀層５および６および７はこの保護層の作用を
する。

【０１０２】記録膜の厚さは、結晶化状態と非晶質状態
の反射率の測定結果より決定した。記録膜の膜厚を変化
させた時、膜厚が２０ｎｍのとき、結晶化状態の反射率
が非晶質状態より大きく、結晶化状態と非晶質状態の反
射率差が最大になるため、（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂₀（ＧｅＳ
ｂ₂Ｔｅ₄）₈₀膜３の膜厚は２０ｎｍに設定した。

【０１０３】上記のように作製したディスクは、まず、
次のようにして初期化を行なった。フラッシュ光で予備
結晶化を行なったあと、ディスクを１８００ｒｐｍで回
転させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザの光強度を反射
率調整層が融解しないレベル（約１ｍＷ）に保ち、記録
ヘッド中のレンズで集光して基板１を通して照射し、反
射率を検出することによって、トラッキング用の溝の中
心に光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆
動した。このようにトラッキングを行いながら、さらに
反射率調整層上に焦点が合うように自動焦点合わせを行
い、まず初期結晶化のため、同一トラック上にパワー１
１ｍＷの連続レーザ光を５回照射した。この照射パワー
は９〜１８ｍＷの範囲でよい。続いて６ｍＷの連続レー
ザ光を３回照射した。この照射パワーは４〜９ｍＷの範
囲でよい。上記２種類の照射は１回以上であればよい
が、パワーの高いほうの照射は２回以上がより好まし
い。

【０１０４】高融点成分ＳｎＴｉ₂を含む反射率調整層
では、Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）を良くするためには、
初期結晶化を十分に行うことが重要である。

【０１０５】これらの初期結晶化照射は、半導体レーザ
アレイで行うか、ガスレーザからの光ビームを複数に分
割したものをディスクの半径方法に位置を少しずらして
配置、あるいは高出力ガスレーザや半導体レーザからの
光ビームを長円光スポットとしてディスクの半径方向に
長く配置すると、ディスクの１回転で多くのトラックに
対して同時に行うことも可能である。

【０１０６】また、初期化の最後に、溝間にトラッキン
グを行いながら連続レーザ光を照射する方法で、トラッ
ク周辺部も結晶化を行うと、クロストークを２ｄＢ低減
することができた。初期化後、未記録部分の反射率は読
み出しレーザパワー１ｍＷの低パワーで測定した時、ト
ラッキング用の溝上で約６５％であった。記録した信号
を読み出した時の再生信号変調度は約６０％であった。
トラッキング用の溝の無い部分では反射率は約７０％で
あった。

【０１０７】上記のようにして作製したディスクは図４
に構成図を示した波長７８０ｎｍの半導体レーザを用い
た記録・再生装置内に取付けて記録トラック上の線速度
５．２ｍ／ｓで回転させ、レーザ光をパワー１ｍＷで照
射して、オートフォーカスおよびトラッキングを行っ
た。書換えを行う部分では、レーザパワーを８ｍＷと１
５ｍＷの間で情報信号に従ってパワー変調して、書換え
を行った。このパワーは、反射率調整層の融点により異
なる。書換え部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１ｍ
Ｗに下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた。
なお、書換え中もトラッキング及び自動焦点合わせは継
続される。ディスクの最初の１回転でレーザパワーを１
０ｍＷで一定に保って既に書かれている情報を消去し、
次の１回転で１ｍＷと１５ｍＷの間で情報信号に従って
パワー変調して記録してもよい。

【０１０８】書換え後、反射率調整層は再び結晶化する
ため、結晶化は不要であった。

【０１０９】書き換え後、ディスクの次の１回転でレー
ザパワーを読み出しパワー１ｍＷに下げて、正しく書き
換えができているかどうかを読み出し確認した。訂正で
きない誤りが有る時はもう１度書き直し、それでも誤り
が有る時は交代セレクターに書き直しを行う。セクター
毎に書き換え回数を書き込む領域を設け、所定の回数を
越えたらそのセクターには書き換えを行わないようにし
て誤り発生を防いでもよい。

【０１１０】本実施例の情報記録装置、情報読み出し装
置、あるいは情報読み出し方法、あるいはこれらに用い
る光記録媒体では、例えば、記録媒体にレーザ光を照射
して反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手
段、アドレス読み取り手段、記録データ変調手段、レー
ザパワー制御情報解析手段、ピーク（記録）パワー決定
手段、パワー比決定手段、及び、記録、消去用電流増幅
手段、読み出しパワー決定手段、読み出し用電流増幅手
段、レーザドライバーを有する。

【０１１１】反射率調整層による反射率変化の原理は、
次のとおりである。図３において、７はレーザ光などの
光スポット、９ａ，９ｂは基板の表面に形成された記録
マークである。光スポット径は、光強度がそのピーク強
度の（１／ｅ²）になる位置での光ビームの直径として
定義される。記録マークの最小ピッチは、光スポット７
のスポット径よりも小さく設定されている。記録（オー
バーライトによる書き換え）時にレーザパワーを読み出
し時より高くすると、光スポット内の高温領域では、反
射率調整層が融解して、複素屈折率の実数部ｎまたは虚
数部ｋの少なくとも一方が変化（通常は低下）するた
め、反射率の低下が起こる。そこで、照射レーザ光が有
効に吸収され、記録（オーバーライト）が容易になる。
オーバーライトの、記録（高い方の）パワーレベルのレ
ーザ光照射時は、消去パワーレベルのレーザ光照射時よ
りも反射率調整層の融解領域が広がって光吸収量が相対
的に大きくなる。従って、記録パワーレベルと消去パワ
ーレベルとのパワー比は、反射率調整層の無いディスク
の場合より小さくする必要が有る。従って、上記パワー
比決定手段がオーバーライトによる情報の書き換え時
に、記録パワーレベルと消去パワーレベルとのパワーの
比を２より小さい値対１に設定する。パワー比は１．８
対１から１．４対１の範囲で良好なＣ／Ｎと大きな消去
比が得られたが、１．７対１から１．５対１の範囲が特
に好ましかった。

【０１１２】書換え後、反射率調整層が非晶質化したま
まになるディスクでは、結晶化しておく必要があった。
読み出し後、再び結晶化する膜組成のディスクについて
は、結晶化は不要であった。

【０１１３】オーバーライト中の反射率を測定するため
消去パワーマージンの下限である６ｍＷの連続光を照射
して反射率を測定すると、約４０％であった。これは、
反射率調整層が融解したためである。一般に、固体は融
解すると、急激な光学定数（屈折率、消衰係数）の変化
を生ずる。これは、反射率調整層の融解領域が広がるた
めである。レーザパワーを上げるとさらに反射率は低下
した。

【０１１４】強い光照射時に記録トラック上の反射率の
高い部分の反射率が４０％以下であれば、２０ｍＷ以下
の実用的な記録レーザパワーで記録可能であった。

【０１１５】オーバーライトによる情報の書き換え時
に、記録パワーレベルと消去パワーレベルとのパワーの
比を２より小さい値対１に設定する情報が該光記録媒体
上（例えばコントロールゾーン）に書かれているものが
好ましい。

【０１１６】追記型、あるいはオーバーライトできない
書換え型記録媒体の場合、記録媒体にレーザ光を照射し
て反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、
アドレス読み取り手段、記録データ変調手段、レーザパ
ワー制御情報解析手段、ピークパワー決定手段、及び、
記録用電流増幅手段、読み出しパワー決定手段、読み出
し用電流増幅手段、レーザドライバーを少なくとも有
し、上記ピークパワー決定手段が情報の書き換え時に、
書き換えを行なう時間の少なくとも一部において、レー
ザパワーを光記録媒体の反射率が低い値になるように設
定する機能を有するものが好ましい。

【０１１７】オーバーライト可能な光記録媒体の場合、
記録媒体にレーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッ
ド、読み出し信号処理手段、アドレス読み取り手段、記
録データ変調手段、レーザパワー制御情報解析手段、ピ
ークパワー決定手段、パワー比決定手段、記録、消去用
電流増幅手段、読み出しパワー決定手段、読み出し用電
流増幅手段、レーザドライバーを少なくとも有し、上記
ピークパワー決定手段およびパワー比決定手段が、情報
の書き換え時に、書き換えを行なう時間の少なくとも一
部において、レーザパワーを光記録媒体の反射率が低い
値になるように設定する機能を有するものが好ましい。

【０１１８】本実施例の、高いパワーのレーザ光を照射
すると反射率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げ
ると、反射率が高い値に戻る性質を持った記録媒体であ
って、情報の書き換え時に、書き換えを行なう時間の少
なくとも一部において、光記録媒体の反射率調整層の光
学定数が大きく変化するレーザパワーに設定する情報が
該光記録媒体上（例えばコントロールゾーン）に書かれ
ているものが好ましい。

【０１１９】所定のレーザパワーで反射率が急激に変化
する性質を持った光記録媒体、前記記録媒体にレーザ光
を照射して反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号処
理手段、アドレス読み取り手段、記録データ変調手段、
レーザパワー制御情報解析手段、ピークパワー決定手
段、記録用電流増幅手段、読み出しパワー決定手段、読
み出し用電流増幅手段、レーザドライバーを少なくとも
有し、ピークパワー決定手段が、記録時のレーザ光の出
力を光記録媒体の反射率調整層のいかなる領域でも膜全
体は融解しない出力に設定する機能を有することを特徴
とする情報処理装置が好ましい。

【０１２０】レーザ光の出力を光記録媒体の反射率調整
層の最高温度となる領域でも膜全体は融解しない出力に
設定する情報が該光記録媒体上（例えばコントロールゾ
ーン）に書かれていることを特徴とする光記録媒体が好
ましい。

【０１２１】光記録媒体にレーザ光を照射して反射光を
検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス読
み取り手段、読み出しパワー決定手段、読み出し用電流
増幅手段を少なくとも有し、記録密度の特に高い光記録
媒体から情報を読み出す場合、読み出しパワー決定手段
が、読み出しレーザパワーを、上記光記録媒体上を光ビ
ームスポットが１回通過する間に光記録媒体に記録され
た情報が変化するレーザパワーと、上記光記録媒体の反
射率が低い値に変化する最も低いレーザパワーとの中間
に設定する機能を有することを特徴とする情報処理装置
が好ましい。

【０１２２】本実施例の、高いパワーのレーザ光を照射
すると反射率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げ
ると反射率が高い値に戻る性質を持った光記録媒体であ
って、読み出しレーザパワーを、該光記録媒体上を光ビ
ームスポットが１回通過する間に該光記録媒体に記録さ
れた情報が変化するレーザパワーと、該光記録媒体の反
射率が低い値に変化する最も低いレーザパワーとの中間
に設定する情報が該光記録媒体上（例えばコントロール
ゾーン）に書かれているものが好ましい。

【０１２３】読み出し時には、反射率調整層を全く、ま
たは、ほとんど融解しない低いレーザパワーとすること
により、記録膜の結晶部分に光スポットがある時の反射
率は６０％以上、反射率最大のディスクでは７５％とな
り、この反射率の値をＲとした時、非晶質記録マーク上
に光スポットの中心がある時の反射率＝Ｒ×０．４以下
であった。このような高い反射率と大きなコントラスト
比が得られるのは、光入射側に反射率調整層を設け、こ
の層が昇温による大きな光学定数変化を起こす温度より
低い温度になっているためである。レーザパワーＰと読
み出し用レーザパワーＰｒの関係は次式に示される範囲
内で、良好な書換え特性が得られた。

【０１２４】Ｐｅ／Ｐｒ≧２読み出しは、上記の式を満たす低いパワーＰｒに一定に
保って行う。但し、温度が大きく変化しない短時間であ
れば、他のパワーにパルス状に変化して元に戻っても良
い。

【０１２５】従って、読み出し装置は、光記録媒体にレ
ーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッド、読み出し
信号処理手段、アドレス読み取り手段、読み出しパワー
決定手段、読み出し用電流増幅手段を少なくとも有し、
上記読み出しパワー決定手段が、読み出しレーザパワー
を、上記光記録媒体の反射率が低い値に変化する最も低
いレーザパワーより低い値に設定することが好ましい。

【０１２６】また、本実施例の光記録媒体のような、高
いパワーのレーザ光を照射すると反射率が大きく低下
し、レーザ光のパワーを下げると反射率が高い値に戻る
性質を持った光記録媒体であって、読み出しレーザパワ
ーを、該光記録媒体の反射率が低い値に変化する最も低
いレーザパワーより低い値に設定する情報が該光記録媒
体上（例えばコントロールゾーン）に書かれているもの
が好ましい。

【０１２７】弱い光照射時には反射率が高く、強い光照
射時には同じ部分の反射率が低い光記録媒体に記録され
た情報を、コンパクトディスク、ＣＤ−ＲＯＭディス
ク、あるいは光ビデオディスクから情報を読み出す装置
で読み出す情報の読み出し方法も好ましい。

【０１２８】例えば、本実施例の、弱い光照射時には記
録トラック上の反射率の高い部分の反射率が６０％以上
であり、強い光照射時には、同じ部分の反射率が４０％
以下である光記録媒体に記録された情報を、コンパクト
ディスク、あるいはＣＤ−ＲＯＭディスク、あるいは光
ビデオディスクから情報を読み出す装置で読み出すこと
を特徴とする情報の読み出し方法が好ましい。

【０１２９】本実施例の、高いパワーのレーザ光を照射
すると反射率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げ
ると反射率が高い値に戻る性質を持った記録媒体と、上
記記録媒体にレーザ光を照射して反射光を検出する光ヘ
ッド、読み出し信号処理手段、アドレス読み取り手段、
記録データ変調手段、レーザパワー制御情報解析手段、
ピークパワー決定手段、及び、記録用電流増幅手段、読
み出しパワー決定手段、読み出し用電流増幅手段、レー
ザドライバー、試し書きゾーン読み取り手段、および試
し書きコントローラを少なくとも有し、試し書きコント
ローラが、少なくとも記録媒体交換時に試し書きを行う
機能を有し、試し書きゾーン読み取り手段が試し書き結
果を読み取って、良好な記録が行えるレーザパワーを見
つけ、ピークパワー決定手段、あるいはピークパワー決
定手段と、ピーク（記録）と消去のパワー比決定手段に
その情報を送る機能を有することを特徴とする情報処理
装置が好ましい。

【０１３０】高いパワーのレーザ光を照射すると反射率
が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げると、反射率
が高い値に戻る性質を持ち、かつ、一部分に試し書きゾ
ーンを有することを特徴とする光記録媒体が好ましい。

【０１３１】高いパワーのレーザ光を照射すると反射率
調整層が融解して反射率が大きく低下し、レーザ光のパ
ワーを下げると、反射率が高い値に戻る性質を持った記
録媒体と、上記記録媒体にレーザ光を照射して反射光を
検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス読
み取り手段、記録データ変調手段、パルス幅補正手段、
レーザパワー制御情報解析手段、ピークパワー決定手
段、及び、記録用電流増幅手段、読み出しパワー決定手
段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバーを少な
くとも有し、上記パルス幅補正手段が、反射率調整層の
融解領域の変化によって記録マーク長さが本来の長さよ
り長くなるのを、パルス幅を狭くして防止する機能を有
することを特徴とする情報処理装置が好ましい。

【０１３２】本発明では、記録、および読み出しのレー
ザ光波長は、通常は７８０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下が好
ましい。しかし、必要が有ればこれ以外の波長を用いて
も良い。７８０ｎｍが光スポットが小さくなる点で特に
好ましい。

【０１３３】上記反射率調整層中の相変化成分であるＡ
ｕとＳｎの比を変えて融点を変化させ、記録膜の相変化
成分の融点約６００℃との差を変化させたところ、記録
レーザパワーは次のように変化した。

【０１３４】反射率融点の差記録レーザパワー調整層の融点６００℃ １００℃ ３０ｍＷ５００℃ ２００℃ ２５ｍＷ４５０℃ ２５０℃ ２０ｍＷ４００℃ ３００℃ １８ｍＷ３００℃ ４００℃ １５ｍＷ反射率調整層の融点が２５０℃以上低い時、良好な記録
感度が得られることがわかる。

【０１３５】上記反射率調整層中の高融点成分であるＳ
ｎ−Ｔｉの含有量（全原子数に対するＳｎ原子とＴｉ原
子の数の和の比）を、変化させた時、記録レーザパワー
は次のように変化した。

【０１３６】高融点成分含有量記録レーザパワー２０％２０ｍＷ４０％２５ｍＷ４５％２８ｍＷ上記反射率調整層の６０％以上が融点４５０℃以下の単
体金属あるいは融点４５０℃以下の２種以上の金属より
成れば、良好な感度が得られることがわかる。

【０１３７】上記反射率調整層が共晶合金組成、あるい
はそれに近い組成であれば、例えばＡｕ₇₀Ｓｎ₃₀の融点
は約３００℃であって、上記の表のように１５ｍＷと、
特に低い記録レーザパワー（高い感度）が得られる。

【０１３８】上記反射率調整層の相変化成分として用い
ているＡｕ−Ｓｎ合金の一部または全部をＡｕ−Ｇｅ，
Ａｕ−Ｓｉ，Ａｕ−Ｓｂ，Ａｕ−Ｉｎ，Ａｕ−Ｇａ，Ａ
ｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｇａ合金の
少なくとも一者で置き換えてもよく似た結果が得られ
た。ただし、Ａｕ−ＧｅとＡｕ−Ｓｉでは記録レーザパ
ワーが２〜３ｍＷ高くなった。Ａｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｇｅ
では低パワーによる読み出し時の反射率が約５％低くな
った。Ａｕ−Ｓｂでもレーザパワーが高くなり、Ａｕ−
Ｉｎ，Ａｕ−Ｇａ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｇａでは反射率
が低くなった。

【０１３９】すなわち、一般的に、上記反射率調整層が
遷移金属と主族金属との共晶合金組成、あるいはそれに
近い組成であれば、高感度が得やすい。

【０１４０】この他、Ａｌ−Ａｕ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−
Ｃｕを主成分とする合金も使用できた。

【０１４１】本実施例では、上記反射率調整層が記録層
に関して反射層と逆の側にあるが、上記反射率調整層が
記録層と反射層との間に有っても照射レーザ光のパワー
に応じて光学干渉条件が変化するので、反射率を変化さ
せることが可能である。一例として、本発明の反射率調
整層を上記中間層を厚さ方向に２等分して間に挟む形で
記録層と反射層の間に挟むと、低レーザパワーによる読
み出し時の反射率が約１０％低下したが、記録時の反射
率調整効果は得られた。

【０１４２】上記反射率調整層の組成比を変化させた
時、複素屈折率の実数部および虚数部の少なくとも一方
の光照射による変化が２０％以上の範囲で、変化しない
場合に対して３０％以上記録感度向上が得られる。

【０１４３】保護膜、中間層のうちの少なくとも一者に
用いているＺｎＳ−ＳｉＯ₂の代わりにＳｉ−Ｎ系材
料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，Ｔｉ
Ｏ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃やＴａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＳｉ
Ｎ₂などのＡｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料などの酸化物や窒化
物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓ
ｂ₂Ｓｅ₃等のセレン化物、ＣｅＦ₃などの弗化物、ま
たは非晶質Ｓｉ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，またはこ
こで述べたすべての保護膜用材料に近い組成のものを用
いてもよい。また、これらのうち２種以上の膜を２層以
上積層した積層膜として用いてもよい。また、保護層は
アクリル樹脂、ポリカーボネイト、ポリオレフィン、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレ
ン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ４フッ化エチレ
ン（テフロン）、などのフッ素樹脂などにより形成する
ことができる。ホットメルト接着剤として知られている
エチレン−酢酸ビニル共重合体などや、接着剤などでも
よい。これらの樹脂の少なくとも１つを主成分とする紫
外線硬化樹脂で形成してもよい。有機物の基板で保護層
を兼ねてもよい。あるいは、これらの混合材料層または
多重層でもよい。ただし、有機材料の場合は無機材料の
場合より書き換え可能回数が低下する。中間層を省略し
た場合には、書換え感度が約３０％低下し、書換え可能
回数も減少した。中間層の屈折率は、１．７以上２．３
以下の範囲で、膜厚は、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下の範
囲で４８ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。

【０１４４】反射層に用いたＡｕの代わりにＡｌ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの単
体、またはこれらを主成分とする合金、化合物、混合物
あるいはこれら同志、あるいはこれらとＡｕとの合金の
層、あるいは多重層、これらと酸化物などの他の物質と
の複合層などを用いてもよい。また、コンパクトディス
ク等に使用されているＡｌ等の合金で金色を呈するもの
も使用可能である。ただし、Ａｕ及びＡｕを主成分とす
る合金以外では最高反射率が低下した。熱伝導率が低下
し、記録感度が高くなる点でＡｕを主成分とする（５０
原子％以上、ただし８５原子％以上含むのがより好まし
い。）合金が特に好ましい。

【０１４５】基板として、表面に直接トラッキングガイ
ドなどの凹凸を形成したポリカーボネート基板の代わり
に、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂基板、紫
外線硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスあるい
はアクリルまたはエポキシ樹脂基板などを用いてもよ
い。

【０１４６】本実施例のディスクに画像情報記録後、市
販のＣＤ−ＲＯＭドライブにセットして、読み出しを試
みた結果、正常に読み出せることがわかった。一方、記
録マ−ク以外の部分の反射率が６０％未満のディスクで
は、ＣＤ−ＲＯＭドライブで読み出し困難であった。以
下の実施例では、書き換えを繰返し行ったとき、ＣＤ−
ＲＯＭドライブで読み出しを行える状態を保つ間を書き
換え可能回数とした。

【０１４７】なお、図１に示した反射率調整層を用いた
ディスクは片面構造であるが、張り合わせ用ポリカーボ
ネイト基板１’の代わりに同じ構造のディスクを２枚作
製し、接着層６を介して貼り合わせた両面構造としても
よい。

【０１４８】反射率調整層の膜厚は８ｎｍ以上５０ｎｍ
以下で良好な特性が得られた。８ｎｍ以下では反射率６
０％の達成ができず、５０ｎｍ以上では再生信号変調度
が小さくなった。反射率調整層の膜厚は１０ｎｍ以上２
０ｎｍ以下の時、特に良好な特性が得られた。

【０１４９】〔実施例２〕前記実施例１の（Ａｕ₇₀Ｓｎ
₃₀）₈₀（ＳｎＴｉ₂）₂₀よりなる反射率調整層６におい
て、Ａｕの含有量を一定に保ちながらＳｎとＴｉの含有
量を変化させると、書換え可能回数及び１０回書換え
後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。

【０１５０】組成書換え可能回数 ─────────────────────────── Ｓｎ₅₅Ａｕ₂₀Ｔｉ₂₅＞２０回Ｓｎ₆₇Ａｕ₂₀Ｔｉ₁₃２０回Ｓｎ₇₅Ａｕ₂₀Ｔｉ₅１０回Ｓｎ₈₀Ａｕ₂₀５回組成１０回書換え後の再生信号のＣ／Ｎ ──────────────────────────────────── Ｓｎ₂₅Ａｕ₂₀Ｔｉ₅₅４４ｄＢＳｎ₃₀Ａｕ₂₀Ｔｉ₅₀４６ｄＢＳｎ₄₀Ａｕ₂₀Ｔｉ₄₀４８ｄＢＳｎ₅₅Ａｕ₂₀Ｔｉ₂₅５０ｄＢこれより、前記一般式（１）におけるｅ，ｆの範囲は３
０≦ｅ≦９５、５≦ｆ≦５０が好ましく、４０≦ｅ≦８
７、１３≦ｆ≦４０がより好ましいことがわかる。相変
化成分であるＡｕ−Ｓｕは、低融点の共晶組成、あるい
はその近くが好ましい。

【０１５１】さらに、前記の（Ｓｎ₃Ａｕ）₈₀（ＳｎＴ
ｉ₂）₂₀よりなる反射率調整層６において、Ｓｎ，Ａ
ｕ，Ｔｉの含有量を一定に保ちながらＴｌを添加し、そ
の含有量を次のように変化させた場合、１０回書換え
後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。

【０１５２】Ｔｌ含有量１０回書換え後の再生信号のＣ／Ｎ ────────────────────────────────── ｇ＝０％４６ｄＢｇ＝１０％４８ｄＢｇ＝２０％４６ｄＢｇ＝２５％４３ｄＢこれより、前記一般式（１）におけるｇの範囲は０≦ｇ
≦２０が好ましく、０≦ｇ≦１０がより好ましいことが
わかる。

【０１５３】また、前記Ａ、Ａ’（前記Ａが上記Ｓｎ，
ＡｕのようにＡ，Ａ’２元素の場合）、Ｂ、Ｃの組合せ
において、Ａ−Ｂ、Ｂ−Ｃ、Ａ’−Ｂの組合せからでき
る高融点成分が共晶点を持たないか、共晶点を持ってい
てもＡ、Ａ−Ａ’の融点より１５０℃以上融点が高いの
が好ましかった。

【０１５４】〔実施例３〕前記実施例１のＡｕ−Ｓｎ−
Ｔｉよりなる反射率調整層６を、前記一般式（１）で表
される平均組成の材料、Ａｕ−Ｇｅ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｓｉ
−Ｔｉ，Ａｕ−Ｓｂ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｉｎ−Ｔｉ，Ａｕ−
Ｇａ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｓｎ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｇｅ−Ｔｉ，Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｇａ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｓｎ−Ｐ
ｔ，Ａｕ−Ｓｉ−Ｐｔ，Ａｕ−Ｉｎ−Ｐｔ，Ａｕ−Ｇａ
−Ｐｔ，Ａｇ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｐｄ，Ａｇ−
Ｇａ−Ｐｄなどに変更しても同様の結果が得られた。

【０１５５】〔実施例４〕実施例１のディスクにおい
て、反射率調整層の組成を次のように変化させたとこ
ろ、記録時の反射率変化量△Ｒが変化した。これらの反
射率調整層を備えたディスクに光スポットの直径の約２
５％の長さの記録マークを形成するときの反射率変化量
を調べたところ、以下に示すような結果が得られた。

【０１５６】膜組成記録時の反射率変化量 ──────────────────────────────────── (Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀)₈₀(ＳｎＴｉ₂)₂₀△Ｒ＝５％ (Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀)₆₀(ＳｎＴｉ₂)₄₀△Ｒ＝１０％ (Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀)₄₀(ＳｎＴｉ₂)₆₀△Ｒ＝２０％ (Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀)₂₀(ＳｎＴｉ₂)₈₀△Ｒ＝３０％この結果より、２０％≦△ＲとなるＳｎＴｉ₂の含有量
が４０％以下の範囲が好ましいことが分かる。ＳｎＴｉ
₂を２０％以上含む方が含まない場合に比べ、書換え可
能回数が３倍以上になる。

【０１５７】〔実施例５〕実施例１のディスクにおい
て、反射率調整層の高融点成分であるＳｎＴｉ₂のＳｎ
とＴｉの比を変化させて融点を変えたとき、Ａｕ₇₀Ｓｎ
₃₀の融点約２８０℃との融点の差が１５０℃以上で、書
換え可能回数が１００回以上、５００℃以上では３００
回以上となった。

【０１５８】〔実施例６〕図３に示すように、反射率調
整層中の高融点成分は、相変化成分に比べて結晶化速度
が速い場合、塊状（ａ）または柱状（ｂ）析出物として
析出する。また、高融点成分に比べて相変化成分の方が
結晶化速度が速い場合、多孔質状析出物（ｃ）として析
出する。このように高融点成分が析出することにより、
反射率調整層が書換え時のレーザ照射で溶融する際の流
動、偏析を防ぐことができ、その結果、書換え可能回数
が向上した。

【０１５９】反射率調整層中の高融点成分が塊状（ａ）
または柱状（ｂ）析出物として析出する場合、反射率調
整層の作製条件で高融点成分スパッタ時のガス圧を下げ
るか、もしくは基板温度を上げると、析出物の大きさが
大きくなった。そこで、析出物の大きさと書換え特性の
関係を調べた。

【０１６０】本明細書においては、高融点成分の析出物
の「最大外形寸法ｄ」、「高さｈ及びｈ’」、「中心間
距離ｉ」、「最大孔寸法ｐ’」及び「最大壁厚さｗ」を
それぞれ次のように定義するものとする。

【０１６１】図３の（ａ）および（ｃ）のように、高融
点成分の析出物が独立して分布する場合、反射率調整層
のいずれか一方の界面から反射率調整層の膜厚Ｔの（１
／３）の距離だけ離れた位置で反射率調整層の膜面に平
行な断面（以下、第１基準断面という）を考え、その断
面における各高融点成分の析出物の長さを測定する。そ
して、任意の方向で測定した長さの最大値を「最大外形
寸法ｄ」とする。

【０１６２】「最大外形寸法ｄ」は、具体的には、第１
基準断面における形状が円形または円形に近い場合は、
析出物の直径を意味し、楕円形または楕円形に近い場合
は、析出物の長径を意味し、多角形の場合は、析出物の
最長の対角線の長さを意味する。

【０１６３】「高さｈ」は、反射率調整層の膜面に垂直
な断面（以下、第２基準断面という）を考え、その断面
において、各高融点成分の析出物の反射率調整層の膜面
に垂直な方向の長さを測定する。こうして得られた長さ
を高融点成分の析出物の「高さｈ」とする。

【０１６４】この「高さｈ」は、粒状の高融点成分の析
出物が反射率調整層内に分布する場合と、柱状の高融点
成分の析出物が反射率調整層の両方の界面に接して分布
する場合とに適用される。

【０１６５】「高さｈ’」は、前記「高さｈ」と同じ考
え方であるが、図３（ｃ）に示すように、柱状の高融点
成分の析出物が反射率調整層の片方の界面にのみ接して
分布する場合に適用される点が異なる。

【０１６６】「中心間距離ｉ」は、前記第１基準断面に
おける、隣接する２つの高融点成分の析出物の中心間の
距離の平均値を意味する。

【０１６７】「最大孔寸法ｐ’」は、図４（ｃ）に示す
ように、多孔質の高融点成分が析出する場合に適用され
るもので、前記第１基準断面における高融点成分の析出
物の各孔の大きさの最大値を意味する。

【０１６８】この「最大孔寸法ｐ’」は、具体的には、
第１基準断面における孔形状が円形または円形に近い場
合は、孔の直径を意味し、楕円形または楕円形に近い場
合は、孔の長径を意味し、多角形の場合は、孔の最長の
対角線の長さを意味する。

【０１６９】「最大壁厚さｗ」は、「最大孔寸法ｐ’」
と同様に、多孔質の高融点成分が析出する場合に適用さ
れるもので、前記第１基準断面において、高融点成分の
析出物の隣接する２つの孔の間の壁の厚さの最大値を意
味する。

【０１７０】高融点成分の析出物の「最大外形寸法ｄ」
が異なる場合、書換え可能回数と、１０⁵回書換え後の
再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎ
の変化は、主としてＮレベルの変化によるものである。

【０１７１】最大外径寸法書換え可能回数 ──────────────────────── ｄ＝５０ｎｍ＞２０回ｄ＝３０ｎｍ＞２０回ｄ＝１０ｎｍ２０回ｄ＝５ｎｍ１０回ｄ＝１ｎｍ５回最大外径寸法１０回書換え後の再生信号のＣ／Ｎ ───────────────────────────────── ｄ＝８０ｎｍ４４ｄＢｄ＝５０ｎｍ４６ｄＢｄ＝２０ｎｍ４８ｄＢｄ＝１５ｎｍ４９ｄＢｄ＝５ｎｍ５０ｄＢこの結果より、５ｎｍ≦ｄ≦５０ｎｍの範囲が好ましい
ことが分かる。

【０１７２】柱状の高融点成分が反射率調整層３の両側
の界面より析出した場合は、析出物の「高さｈ」が異な
ると、書換え可能回数は次のように変化した。

【０１７３】高さ書換え可能回数 ──────────────────────── ｈ＝３０ｎｍ＞２０回ｈ＝２０ｎｍ２０回ｈ＝１０ｎｍ１０回ｈ＝０ｎｍ５回この結果より、１０ｎｍ≦ｈの範囲が好ましいことが分
かる。

【０１７４】柱状の高融点成分が反射率調整層３の片側
の界面より析出した場合、析出物の「高さｈ’」が異な
ると、書換え可能回数は次のように変化した。

【０１７５】高さ書換え可能回数 ───────────────────────── ｈ’＝２０ｎｍ＞２０回ｈ’＝１０ｎｍ２０回ｈ’＝５ｎｍ１０回ｈ’＝１ｎｍ５回この結果より、５ｎｍ≦ｈ’の範囲が好ましいことが分
かる。

【０１７６】「中心間距離ｉ」が異なる場合、書換え可
能回数と、１０回書換え後の再生信号のＣ／Ｎは、次
のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレ
ベルの変化によるものである。

【０１７７】中心間距離書換え可能回数 ──────────────────────── ｉ＝１２０ｎｍ１回ｉ＝９０ｎｍ５回ｉ＝７０ｎｍ１０回ｉ＝６０ｎｍ２０回ｉ＝４０ｎｍ＞２０回ｉ＝１５ｎｍ＞２０回中心間距離１０回書換え後の再生信号のＣ／Ｎ ────────────────────────────────── ｉ＝７０ｎｍ５０ｄＢｉ＝４０ｎｍ５０ｄＢｉ＝３０ｎｍ４９ｄＢｉ＝２０ｎｍ４８ｄＢｉ＝１５ｎｍ４６ｄＢｉ＝１０ｎｍ４４ｄＢｉ＝５ｎｍ４０ｄＢこの結果より、１５ｎｍ≦ｉ≦７０ｎｍの範囲が好まし
いことが分かる。

【０１７８】反射率調整層中の高融点成分が多孔質状
（ｃ）として析出する場合、反射率調整層の作製条件で
相変化成分ターゲットのスパッタ時のガス圧を下げるも
しくは基板温度を上げると、孔の大きさが大きくなっ
た。そこで、孔の大きさと書換え特性の関係を調べた。

【０１７９】図４（ｃ）のように、高融点成分が膜面方
向につながって多孔質状として析出した場合、析出物の
「最大孔寸法ｐ’」が異なると、書換え可能回数は次の
ように変化した。

【０１８０】最大孔寸法書換え可能回数 ───────────────────────── ｐ’＝５０ｎｍ２０回ｐ’＝６０ｎｍ２０回ｐ’＝８０ｎｍ１０回ｐ’＝１００ｎｍ５回この結果より、ｐ’≦８０ｎｍの範囲が好ましいことが
分かる。

【０１８１】多孔質の高融点成分の「最大壁厚さｗ」が
異なると、１０回書換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、
次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主としてＣ
レベルの変化によるものである。

【０１８２】最大壁厚さ１０回書換え後の再生信号のＣ／Ｎ ────────────────────────────────── ｗ＝５ｎｍ５０ｄＢｗ＝１５ｎｍ４９ｄＢｗ＝２０ｎｍ４６ｄＢｗ＝３５ｎｍ４０ｄＢこの結果より、ｗ≦２０ｎｍの範囲が好ましいことが分
かる。

【０１８３】上記の各関係は、高融点成分を含む記録膜
についてもほぼ当てはまる。上記記録膜のＧｅ₄₆Ｔｅ₄₆
Ｓｅ₈以外の相変化成分としては、下記Ｄ群のうち少な
くとも一者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点６
５０℃以下の化合物、またはそれに近い組成のもの、あ
るいはこれらの混合組成や混合組成に近い３元以上の化
合物のうちの少なくとも一者で置き換えても同様な結果
が得られる。

【０１８４】＜Ｄ群＞Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，
Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓ
ｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ₃，Ｔｌ₃Ｔｅ₂，ＴｌＴｅ，
ＩｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−
Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓ
ｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉ
ｎ，Ｉｎ₃ＳｅＴｅ₂，ＡｇＩｎＴｅ₂，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ
₇，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅，ＧｅＴｅ，Ｇ
ｅＢｉ₄Ｔｅ₇，ＧｅＢｉ₂Ｔｅ₄，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔｅ₆，
Ｓｎ₂Ｓｂ₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓｂ₂Ｓｅ₅，ＳｎＳｂ₂Ｔｅ
₄，Ｐｂ₂Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡｓＳｅ₂，Ｃｕ₃ＡｓＳ
ｅ₃，ＣｕＳｂＳ₂，ＣｕＳｂＳｅ₂，ＩｎＳｅ，Ｓｂ
₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｔｅ₃，Ｂｉ₂Ｔｅ₃，ＳｎＳｂ，Ｆｅ
Ｔｅ，Ｆｅ₂Ｔｅ₃，ＦｅＴｅ₂，ＺｎＳｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ
₂，ＶＴｅ₂，Ｖ₅Ｔｅ₈，ＡｇＩｎ₂，ＢｉＳｅ，Ｉ
ｎＳｂ，Ｉｎ₂Ｔｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅，Ｂａ₄Ｔｌ，Ｃｄ₁₁
Ｎｄ，Ｂａ₁₃Ｔｌ，Ｃｄ₆Ｎｄ，Ｂａ₂Ｔｌ。

【０１８５】これらのうちでは、ＧｅＴｅを主成分とす
るものが高い反射率が得やすく、特に好ましかった。

【０１８６】上記反射率調整層の相変化成分であるＡｕ
₇₀Ｓｎ₃₀に代えて使用できる物質の平均組成としては、
下記Ｅ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこれに
近い組成あるいは、融点４５０℃以下の合金、混合物、
化合物が好ましかった。

【０１８７】＜Ｅ群＞Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀，Ａｕ₇₅Ｇｅ₂₅，Ａ
ｕ−Ｓｂ，Ａｕ₈₀Ｓｉ₂₀，Ａｕ₆₅Ｇａ₃₅，Ａｕ−Ｉｎ，
Ａｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｇａ，Ａｌ₇₀Ｇｅ₃₀，
Ａｇ−Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉ
ｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｔｌ₂Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ
₃，Ｔｌ₃Ｔｅ₂，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，Ｔ
ｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−
Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚ
ｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｂａ₄Ｔｌ。

【０１８８】これらのうちでは、Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀，Ａｕ₇₅
Ｇｅ₂₅，Ａｕ−Ｓｂ，Ａｕ₈₀Ｓｉ₂₀，Ａｕ₆₅Ｇａ₃₅，Ａ
ｕ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｇａのうち
少なくとも一者、もしくはこれに近い組成のものが特に
好ましかった。

【０１８９】さらに、上記反射率調整層の相変化成分の
平均組成としては、下記Ｆ群の組成のうち少なくとも一
者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点２５０℃以
下の合金、混合物、または化合物であれば、書換え可能
回数の点ではさらに好ましい。しかし、反射率が高い点
では、上記Ｅ群の合金が好ましかった。

【０１９０】＜Ｆ群＞Ｓｎ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｉ
ｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔ
ｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，
Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ。

【０１９１】記録層のＣｒ₄Ｔｅ₅、反射率調整層のＳ
ｎＴｉ₂以外の高融点成分としては、次の化合物、合
金、またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混
合組成や混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少な
くとも一者で置き換えても同様な結果が得られる。

【０１９２】（ａ）反射率調整層および記録層のうちの
少なくとも一方の相変化成分の融点が４５０〜７５０℃
の時下記Ｇ群の化合物、あるいは融点８００℃以上の化
合物。

【０１９３】＜Ｇ群＞ＢａＰｄ₂，ＢａＰｄ₅，ＮｄＰ
ｄ，ＮｄＰｄ₃，ＮｄＰｄ₅，Ｎｄ₇Ｐｔ₃，Ｎｄ₃Ｐｔ
₂，ＮｄＰｔ，Ｎｄ₃Ｐｔ₄，ＮｄＰｔ₂，ＮｄＰ
ｔ₅，Ｂｉ₂Ｎｄ，ＢｉＮｄ，Ｂｉ₃Ｎｄ₄，Ｂｉ₃Ｎｄ
₅，ＢｉＮｄ₂，Ｃｄ₂Ｎｄ，ＣｄＮｄ，Ｍｎ₂Ｎｄ，Ｍ
ｎ₂₃Ｎｄ₆，Ｍｎ₁₂Ｎｄ，Ｎｄ₅Ｓｂ₃，Ｎｄ₄Ｓｂ₃，
ＮｄＳｂ，ＮｄＳｂ₂，Ｆｅ₂Ｎｄ，Ｆｅ₁₇Ｎｄ₂，Ｃ
ｓ₃Ｇｅ₂，ＣｓＧｅ，ＣｓＧｅ₄，Ｎｄ₅Ｓｉ₃，Ｎｄ
₅Ｓｉ₄，ＮｄＳｉ，Ｎｄ₃Ｓｉ₄，Ｎｄ₂Ｓｉ₃，Ｎｄ₅
Ｓｉ₉，Ｃｓ₂Ｔｅ，ＮｄＴｅ₃，Ｎｄ₂Ｔｅ₅，ＮｄＴ
ｅ₂，Ｎｄ₄Ｔｅ₇，Ｎｄ₂Ｔｅ₃，Ｎｄ₃Ｔｅ₄，Ｎｄ
Ｔｅ，Ｃｅ₃Ｉｒ，Ｃｅ₂Ｉｒ，Ｃｅ₅₅Ｉｒ₄₅，ＣｅＩｒ
₂，ＣｅＩｒ₃，Ｃｅ₂Ｉｒ₇，ＣｅＩｒ₅，ＣａＰｄ，
ＣａＰｄ₂，ＣａＧｅ，Ｃａ₂Ｇｅ，ＧｅＮａ₃，Ｇｅ
Ｎａ，ＣａＳｉ₂，Ｃａ₂Ｓｉ，ＣａＳｉ，Ｓｅ₂Ｓｒ，
Ｓｅ₃Ｓｒ₂，ＳｅＳｒ，ＧｅＳｒ₂，ＧｅＳｒ，Ｇｅ₂
Ｓｒ，ＳｎＳｒ，Ｓｎ₃Ｓｒ₅，ＳｎＳｒ₂，Ｃｅ₂Ｔ
ｌ，Ｃｅ₅Ｔｌ₃，ＣｅＴｌ₃，Ｃｅ₃Ｔｌ₅，ＣｅＴ
ｌ，ＢａＴｌ，Ｐｄ₁₃Ｔｌ₉，Ｐｄ₂Ｔｌ，Ｐｄ₃Ｔｌ，
Ｍｇ₂Ｓｉ，Ｍｇ₂Ｇｅ，ＢａＰｄ₂，ＢａＰｄ₅，Ｃｅ
₄Ｓｅ₇，Ｃｅ₃Ｓｅ₄，Ｃｅ₂Ｓｅ₃，ＣｅＳｅ，Ｃｅ₅
Ｇｅ₃，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇｅ₄，ＣｅＧｅ，Ｃｅ₃Ｇ
ｅ₅，Ｃｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓｉ₂，Ｃｅ₅Ｓｉ₄，Ｃｅ
Ｓｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，ＣｅＴｅ₃，Ｃｅ₂Ｔ
ｅ₅，ＣｅＴｅ₂，Ｃｅ₄Ｔｅ₇，Ｃｅ₃Ｔｅ₄，ＣｅＴ
ｅ，Ｌａ₃Ｓｅ₇，ＬａＳｅ₂，Ｌａ₄Ｓｅ₇，Ｌａ₂Ｓ
ｅ₃，Ｌａ₃Ｓｅ₄，ＬａＳｅ，ＧｅＬａ₃，Ｇｅ₃Ｌａ
₅，Ｇｅ₃Ｌａ₄，Ｇｅ₄Ｌａ₅，ＧｅＬａ，Ｇｅ₅Ｌａ
₃，ＢａＳｅ₂，Ｂａ₂Ｓｅ₃，ＢａＳｅ，ＰｄＳｅ，Ｍ
ｏ₃Ｓｅ₄，ＭｏＳｅ₂，Ｂａ₂Ｇｅ，ＢａＧｅ₂，Ｂａ
Ｇｅ，Ｂａ₂Ｔｅ₃，ＢａＴｅ，Ｇｅ₂Ｐｄ₅，ＧｅＰ
ｄ₂，Ｇｅ₉Ｐｄ₂₅，ＧｅＰｄ，Ｇｅ₃Ｐｔ，Ｇｅ₃Ｐ
ｔ₂，ＧｅＰｔ，Ｇｅ₂Ｐｔ₃，ＧｅＰｔ₂，ＧｅＰｔ
₃，Ｐｕ₃Ｓｎ，Ｐｕ₅Ｓｎ₃，Ｐｕ₅Ｓｎ₄，Ｐｕ₈Ｓｎ
₇，Ｐｕ₇Ｓｎ₈，ＰｕＳｎ₂，ＰｕＳｎ₃，Ｐｔ₅Ｔｅ
₄，Ｐｔ₄Ｔｅ₅，ＰｔＴｅ₂，ＧｅＮｉ，Ｇｅ₃Ｎ
ｉ₅，Ｇｅ₂Ｎｉ₅，ＧｅＮｉ₃，ＮｉＴｅ_0.85，Ｎｉ
Ｔｅ_0.775，Ｎｉ₃±_xＴｅ_x，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＣｒＧ
ｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₈，Ｃｒ₅Ｇｅ₃，Ｃｒ₃Ｇｅ，ＣｒＳｉ
₂，Ｃｒ₅Ｓｉ₃，Ｃｒ₃Ｓｉ，Ｃｒ₅Ｔｅ₈，Ｃｒ₄Ｔｅ
₅，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，Ｃｒ_1-xＴｅ，Ｇｅ₃Ｍｎ₅，ＧｅＭ
ｎ₂，Ｍｎ₆Ｓｉ，Ｍｎ₉Ｓｉ₂，Ｍｎ₃Ｓｉ，Ｍｎ₅Ｓｉ
₂，Ｍｎ₅Ｓｉ₃，ＭｎＳｉ，Ｍｎ₁₁Ｓｉ₁₉，Ｍｎ₂Ｓ
ｎ，Ｍｎ_3.25Ｓｎ，ＭｎＴｅ，Ｔｅ₂Ｗ，ＦｅＧｅ₂，
Ｆｅ₅Ｇｅ₃，Ｆｅ₃Ｇｅ，Ｆｅ₂Ｓｉ，Ｆｅ₅Ｓｉ₃，Ｆ
ｅＳｉ，ＦｅＳｉ₂，Ｇｅ₂Ｍｏ，Ｇｅ₄₁Ｍｏ₂₃，Ｇｅ
₁₆Ｍｏ₉，Ｇｅ₂₃Ｍｏ₁₃，Ｇｅ₃Ｍｏ₅，ＧｅＭｏ₃，Ｍ
ｏ₃Ｓｉ，Ｍｏ₅Ｓｉ₃，ＭｏＳｉ₂，ＭｏＳｎ，ＭｏＳ
ｎ₂，Ｍｏ₃Ｔｅ₄，ＭｏＴｅ₂，Ｓｉ₂Ｔｉ，ＳｉＴ
ｉ，Ｓｉ₄Ｔｉ₅，Ｓｉ₃Ｔｉ₅，ＳｉＴｉ₃，Ｓｎ₅Ｔｉ
₆，Ｓｎ₃Ｔｉ₅，ＳｎＴｉ₂，ＳｎＴｉ₃，ＣｏＧｅ
₂，Ｃｏ₅Ｇｅ₇，ＣｏＧｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₃，Ｃｏ₄Ｇ
ｅ，Ｃｏ₃Ｔｅ₄，Ｇｅ₇Ｒｅ₃，Ｒｅ₅Ｓｉ₃，ＲｅＳ
ｉ，ＲｅＳｉ₂，Ｒｅ₂Ｔｅ。

【０１９４】これらのうち、融点９００℃以上のものが
さらに好ましい。

【０１９５】（ｂ）反射率調整層の相変化成分の融点が
２５０〜４５０℃の時、高融点成分を、次の化合物、合
金、または、それに近い組成のものに、あるいはこれら
の混合組成や混合組成に近い３元化合物のうちの少なく
とも一者で置き換えてもほぼ同様な結果が得られる。

【０１９６】前記Ｇ群または下記Ｈ群の化合物、あるい
は融点６００℃以上の化合物。

【０１９７】＜Ｈ群＞Ｃｓ₃Ｇｅ，Ｂａ₂Ｔｌ，ＧｅＰｄ
₃，Ｆｅ₆Ｇｅ₅，ＦｅＴｅ₂，Ｃｏ₅Ｇｅ₂，Ｎｄ₃Ｐ
ｄ，Ｃｓ₃Ｔｅ₂，Ｃｅ₄Ｉｒ，ＮａＰｄ，Ｃａ₉Ｐｄ，
Ｃａ₃Ｐｄ₂，Ｃａ₂Ｇｅ，Ｓｅ₃Ｓｒ，Ｃｅ₃Ｔｌ，Ｃｅ
Ｓｅ₂，Ｃｅ₃Ｇｅ，ＢａＳｅ₃，ＧｅＳｅ₂，ＧｅＳ
ｅ，ＢａＴｅ₂，ＧｅＰｄ₅，Ｇｅ₈Ｍｎ₁₁，ＭｎＴｅ
₂，Ｇｅ₃Ｗ₂，ＦｅＧｅ，Ｆｅ₄Ｇｅ₃，Ｆｅ₃Ｓｎ，
Ｆｅ₃Ｓｎ₂，ＦｅＳｎ，ＣｏＴｅ₂。

【０１９８】（ｃ）反射率調整層の相変化成分の融点が
２５０℃以下の時、高融点成分を、次の化合物、合金、
または、それに近い組成のものに、あるいはこれらの混
合組成や混合組成に近い３元化合物のうちの少なくとも
一者で置き換えてもほぼ同様な結果が得られる。

【０１９９】前記Ｇ群、Ｈ群または下記Ｉ群の化合物、
あるいは融点４００℃以上の化合物。

【０２００】＜Ｉ群＞Ｂａ₄Ｔｌ，ＣｓＴｅ，Ｂａ₄Ｔ
ｌ，Ｂａ₁₃Ｔｌ，Ｃｄ₁₁Ｎｄ，Ｃｄ₆Ｎｄ，Ｃｓ₅Ｔ
ｅ₄，Ｃａ₃Ｐｄ，Ｃａ₅Ｐｄ₂，Ｓｎ₃Ｓｒ，Ｂａ₁₃Ｔ
ｌ，ＰｄＴｌ₂，ＦｅＳｅ₂，ＦｅＳｅ，Ｃｒ₂Ｔｅ₃，
ＣｒＴｅ₃，ＦｅＳｎ₂。

【０２０１】〔実施例７〕反射率調整層において、上記
高融点成分と上記相変化成分の組合せではＡｕ−Ｓｎと
Ｓｎ−Ｔｉのように、それぞれの成分に同じ元素が存在
する組み合わせが読み出し特性が良好であった。ただ
し、同じ元素の量が多すぎると両方の成分の融点の差が
でなくなるため、同じ元素の量は成分中の８０原子％以
下が好ましかった。また、量が少ないと融解していない
時の両成分の屈折率が等しくならない場合が多く、読み
出し時のノイズが増大するので３０原子％以上が好まし
かった。

【０２０２】また、反射率調整層の高融点成分と低融点
成分がいずれも金属または半金属元素を５０原子％以上
含むと、高反射率、高変調度が得られる記録膜の膜厚範
囲が±５ｎｍ以上に広がり、ディスク製造が容易にな
る。

【０２０３】〔実施例８〕反射率調整層中の相変化成分
としてＡｕ−Ｓｎを、高融点成分としてＳｎ−Ｔｉを用
い、高融点成分含有量（原子％）を変化させてＣ／Ｎと
書換え可能回数を調べたところ、次のような結果が得ら
れた。

【０２０４】高融点成分含有量（原子％）書換え可能回数（回） ─────────────────────────────── ２５３１０５２０ ≧１０ ≧２５この結果より、高融点成分含有量は１０〜５０％の範囲
が好ましく、２０〜４０％の範囲がより好ましいことが
わかる。しかし、高融点成分を含有しなくても、従来の
５倍の約５０回の書換えは可能であった。反射率調整層
中に析出する高融点成分は、必ずしもＳｎ−Ｔｉには限
定されず、Ｔｉ等が析出することもある。

【０２０５】高融点成分中で酸化物、硫化物、窒化物、
炭化物の含有量は高融点成分の５０％未満とするのが好
ましく、２０％未満とするのが特に好ましい。これらの
含有量が多いと相変化成分との複素屈折率の差を小さく
できなかったり、相変化成分中に酸素等が拡散して書換
え特性を劣化させたりする問題を生じやすい。

【０２０６】〔実施例９〕反射率調整層材料により、反
射率調整層の融点が異なるため、相変化成分の組成を変
えて最適書換えパワーを調べたところ、次のようになっ
た。高融点成分としてはＳｎ−Ｔｉを用いた。

【０２０７】膜中の相変化成分の組成膜の融点（℃）書換えパワー（ｍＷ） ──────────────────────────────────── Ａｕ₇₀Ｓｎ₃₀２５０３Ｉｎ₂Ｔｅ₅４５０６反射率調整層の融点が低い方が、書換え時のパワーが低
くて済み、好ましい。

【０２０８】〔実施例１０〕実施例１のディスクにおい
て、記録膜の組成を次のように変化させたところ、レー
ザ光の照射の前後における消衰係数ｋの変化量△ｋ’が
変化した。これらの記録膜を備えたディスクに光スポッ
トの直径の約２５％の長さの記録マークを形成し、再生
信号のＣ／Ｎを比較したところ、以下に示すような結果
が得られた。

【０２０９】膜組成再生信号のＣ／Ｎ ──────────────────────────────────── (Cr₄Te₅)₈₀(Ge₄₆Te₄₆Se₈)₂₀３７ｄＢ (Cr₄Te₅)₆₀(Ge₄₆Te₄₆Se₈)₄₀４２ｄＢ (Cr₄Te₅)₄₀(Ge₄₆Te₄₆Se₈)₆₀４６ｄＢ (Cr₄Te₅)₂₀(Ge₄₆Te₄₆Se₈)₈₀４８ｄＢこの結果より、２０％≦△ｋ’の範囲となるＣｒ₄Ｔｅ₅
の含有量が４０％以下が好ましいことが分かる。また、
Ｃｒ₄Ｔｅ₅の含有量を２０％以上とした時３００回以上
の書換え可能回数が得られ、１０％以上とした時１００
回以上の書換え可能回数が得られた。しかし、Ｃｒ₄Ｔ
ｅ₅を含有しなくても、従来の５倍の約５０回の書換え
は可能であった。記録膜中に析出する高融点成分は、必
ずしもCr₄Te₅には限定されず、Cr や Cr₃Ge が析出する
こともある。本実施例の記録膜組成範囲は、反射率調整
層を用いない場合および反射率調整層をＡｕ等の高融点
金属層で置き換えた場合にも良好な特性が得られる組成
範囲である。

【０２１０】〔実施例１１〕高融点成分を記録層に入れ
ると、書換え可能回数が向上した。この時の記録層中の
融点の差（Δｍ．ｐ＝高融点成分の融点−相変化成分の
融点）による書換え可能回数の違いを調べた。ここでは
相変化成分はＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄を用いて高融点成分を変
化させた。

【０２１１】高融点成分 Δｍ．ｐ（℃）１０回書換え後のＳ／Ｎ ────────────────────────────────── Ｐｔ₃Ｓｂ５０１５ｄＢＭｏ₃Ｓｂ₇１５０２０ｄＢＣｏＳｂ₃２００２２ｄＢＣｒ₄Ｔｅ₅≧３００２５ｄＢこの結果より、Δｍ．ｐ≧１５０の範囲が好ましいこと
が分かる。

【０２１２】本実施例の相変化成分と高融点成分の組み
合わせ及び融点の差は反射率調整層を用いない場合およ
び反射率調整層をＡｕ等の高融点金属層で置き換えた場
合にも有効である。

【０２１３】〔実施例１２〕上記記録層において、上記
高融点成分と上記相変化成分の組合せではＣｒ₄Ｔｅ₅
とＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄のように、それぞれの成分に同じ元
素が存在する組みあわせが読出し特性が良好であった。
ただし、同じ元素の量が多すぎると両方の成分の融点の
差がでなくなるため、同じ元素の量は成分中の８０原子
％以下が好ましかった。また、量が少ないと融解してい
ない時の両成分の屈折率が等しくならない場合が多く、
読み出し時のノイズが増大するので３０原子％以上が好
ましかった。

【０２１４】〔実施例１３〕前記実施例１の記録膜２６
を、前記一般式（２）で表される平均組成の材料、例え
ばＳｅ₅₁Ｉｎ₄₀Ｃｒ₉（高融点成分Ｃｒ₃Ｓｅ₄；、相変
化成分；ＩｎＳｅ）などに変更しても同様の結果が得ら
れる。ただし、読み出し可能回数が２×１０⁶回以上、
１０⁵回書換え後の再生信号のＣ／Ｎが４６ｄＢ以上と
なる前記一般式（２）中のｐ，ｑ．ｒ，ｓの範囲は、４
０≦ｐ≦９５、０≦ｑ≦５５、５≦ｒ≦５０、０≦ｏ≦
２０であった。Ｃ／Ｎが４８ｄＢ以上となるより好まし
い範囲は、５０≦ｐ≦８０、０≦ｑ≦４０、１０≦ｒ≦
４０、０≦ｏ≦１０であった。また、この組成は、反射
率調整層を用いない記録媒体や、反射率調整層をＡｕな
どの高融点金属層で置き換えた記録媒体の相変化記録膜
としても使用できる。

【０２１５】前記実施例２〜１２のそれぞれにおいて、
高融点成分の好ましい融点や形状、好ましい保護膜や反
射膜や基板材料、書換え用装置等については、それらの
記述のある他の実施例と同様である。

【０２１６】〔実施例１４〕前記実施例１３のＳｅ−Ｉ
ｎ−Ｃｒよりなる記録膜を、前記一般式（２）で表され
る平均組成の材料、Ｓｅ−Ｉｎ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ａ
ｇ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｉｎ
−Ｃａ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃｏ，Ｓｅ−
Ｉｎ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｍｎ，Ｓ
ｅ−Ｉｎ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｐ
ｄ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｉｎ
−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｖ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｗ，Ｓｅ−Ｉｎ
−Ｙ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｓ
ｂ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｂａ，Ｓｅ
−Ｓｂ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｏ，
Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍ
ｇ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｓｂ
−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｐｔ，Ｓｅ−
Ｓｂ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｖ，Ｓｅ
−Ｓｂ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｙ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｐｂ，Ｓｅ
−Ｂｉ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ａｌ，
Ｓｅ−Ｂｉ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃ
ｄ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｂｉ
−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｍｎ，Ｓｅ−
Ｂｉ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｐｄ，Ｓ
ｅ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｔ
ｉ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｖ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｗ，Ｓｅ−Ｂｉ−
Ｙ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｓｎ
−Ａｇ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｂａ，Ｓｅ−
Ｓｎ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｓ
ｅ−Ｓｎ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍ
ｇ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｓｎ
−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ｓｅ−
Ｓｎ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｖ，Ｓｅ
−Ｓｎ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｙ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｅ
−Ｔｅ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｌ，
Ｓｅ−Ｔｅ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃ
ｄ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｔｅ
−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−
Ｔｅ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐｄ，Ｓ
ｅ−Ｔｅ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｔ
ｉ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｖ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｗ，Ｓｅ−Ｔｅ−
Ｙ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ａｕ
−Ａｇ，Ｓｅ−Ａｕ−Ａｌ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｂａ，Ｓｅ−
Ａｕ−Ｃａ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｏ，Ｓ
ｅ−Ａｕ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍ
ｇ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ａｕ
−Ｎｉ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｐｔ，Ｓｅ−
Ａｕ−Ｔａ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｖ，Ｓｅ
−Ａｕ−Ｗ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｙ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｐｂ，Ｓｅ
−Ｂ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｂ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｂ−Ａｌ，Ｓｅ−
Ｂ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｂ
−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｂ−
Ｍｇ，Ｓｅ−Ｂ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｂ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｂ−Ｎ
ｉ，Ｓｅ−Ｂ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｂ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｂ−Ｔ
ａ，Ｓｅ−Ｂ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｂ−Ｖ，Ｓｅ−Ｂ−Ｗ，Ｓ
ｅ−Ｂ−Ｙ，Ｓｅ−Ｂ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｓｉ，Ｓｅ
−Ｃｓ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｂａ，
Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃ
ｏ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｃｓ
−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｍｏ，Ｓｅ−
Ｃｓ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｐｔ，Ｓ
ｅ−Ｃｓ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｖ，
Ｓｅ−Ｃｓ−Ｗ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｙ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｐｂ，
Ｓｅ−Ｔｌ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ａ
ｌ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｔｌ
−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｒ，Ｓｅ−
Ｔｌ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｍｎ，Ｓ
ｅ−Ｔｌ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｐ
ｄ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｔｌ
−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｖ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｗ，Ｓｅ−Ｔｌ
−Ｙ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｓ−
Ａｇ，Ｓｅ−Ｓ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃ
ａ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃ
ｒ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｓ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｓ−Ｍ
ｎ，Ｓｅ−Ｓ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｓ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓ−Ｐ
ｄ，Ｓｅ−Ｓ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｓ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓ−Ｔ
ｉ，Ｓｅ−Ｓ−Ｖ，Ｓｅ−Ｓ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓ−Ｙ，Ｓｅ
−Ｓ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ａｇ，Ｓ
ｅ−Ｇｅ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃ
ａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｇｅ
−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−
Ｇｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｎｉ，Ｓ
ｅ−Ｇｅ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｔ
ａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｖ，Ｓｅ−Ｇｅ−
Ｗ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｙ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｆｅ−
Ｓｉ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｆ
ｅ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｄ，Ｓｅ
−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｕ，
Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍ
ｏ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｆｅ
−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｔｉ，Ｓｅ−
Ｆｅ−Ｖ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｗ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｙ，Ｓｅ−Ｆ
ｅ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ａｇ，Ｓｅ
−Ｚｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃａ，
Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃ
ｒ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｚｎ
−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｎｉ，Ｓｅ−
Ｚｎ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｔａ，Ｓ
ｅ−Ｚｎ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｖ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｗ，Ｓ
ｅ−Ｚｎ−Ｙ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｐｂ，などに変更しても同
様の結果が得られる。これらのうち、Ｓｅ−Ｉｎ−Ｓｉ
からＳｅ−Ｓｎ−Ｐｂまでの材料が、高反射率で良好な
記録（オーバーライト）特性が得やすく、特に好まし
い。これらの組成は、反射率調整層を用いない記録媒体
や、反射率調整層をＡｕなどの高融点金属層で置き換え
た記録媒体の相変化記録膜としても使用できる。

【０２１７】〔実施例１５〕本実施例の光記録媒体への
情報の書き込み装置では、実施例１の情報記録媒体を用
い、この記録媒体を装置内で回転させる手段、および、
記録パワーレベルと消去パワーレベルとの間で情報信号
に従って変化するレーザパワー変調波形を生ずるレーザ
駆動手段、およびレーザ光を記録媒体上に集光する手
段、およびオーバーライトによる情報の書き換え時に、
少なくとも書き換えを行なう時間の一部において、光記
録媒体の反射率調整層の光学定数が大きく変化するレー
ザパワーに設定する手段を有する。

【０２１８】これにより、低いレーザパワーによる読み
出し時には反射率が高い記録媒体を用いても、オーバー
ライトによる情報の書き換え時に微小な記録点を形成し
て高密度記録し、高感度を得ることができる。

【０２１９】〔実施例１６〕本実施例の光記録媒体への
情報の書き込み装置では、実施例１に示したような、所
定のレーザパワーで反射率が急激に変化する性質を持っ
た情報記録媒体を用い、この記録媒体を装置内で回転さ
せる手段、および、記録パワーレベルと消去パワーレベ
ルとの間で情報信号に従って変化するレーザパワー変調
波形を生ずるレーザ駆動手段、およびレーザ光を記録媒
体上に集光する手段、およびオーバーライトによる情報
の書き換え時に、記録パワーレベルと消去パワーレベル
とのパワーの比を２より小さい値対１に設定する手段を
有する。

【０２２０】これにより、記録パワーレベルの時の方が
消去パワーレベルの時より反射率調整層が融解して低反
射率になる領域が広いにもかかわらず、記録（非晶質
化）と消去（結晶化）に最適な温度にすることができ
る。

【０２２１】〔実施例１７〕本実施例の光記録媒体への
情報の書き込み装置では、実施例１に示したような、所
定のレーザパワーで反射率が急激に変化する性質を持っ
た情報記録媒体を用い、この記録媒体を装置内で回転さ
せる手段、および、記録パワーレベルと消去パワーレベ
ルとの間で情報信号に従って変化するレーザパワー変調
波形を生ずるレーザ駆動手段、およびレーザ光を記録媒
体上に集光する手段、および、レーザ光の出力を、反射
率調整層の最高温度となる領域でも膜全体は融解しない
出力に設定する手段を有することを特徴とする情報の書
き込み装置。

【０２２２】このように反射率調整層中の高融点成分は
融解しないようにすることによって、反射率調整層の流
動を防ぎ、実用的な書き換え可能回数が得られた。

【０２２３】〔実施例１８〕本実施例の光記録媒体から
の情報の読み出し装置においては、記録密度の特に高い
光記録媒体から情報を読み出す場合、光記録媒体に記録
された情報が光記録媒体上を光ビームスポットが１回通
過する間に変化するレーザパワーと、反射率調整層の光
学定数が大きく変化するレーザパワーとの中間に設定す
る手段を有するものとする。

【０２２４】これによって、反射率調整層の光学定数が
昇温により変化した部分からの読み出し光は弱くなるの
で、高密度記録した記録マークを高分解能で読み出し、
大きな再生信号を得ることができる。

【０２２５】〔実施例１９〕本実施例の装置では、良好
な書換え特性を得るために、トラッキング及び自動焦点
合わせ及び読み出し用レーザパワーＰｒと書換え用レー
ザパワーＰｅの関係を次式のように保つ。

【０２２６】Ｐｅ／Ｐｒ≧２〔実施例２０〕本実施例の装置では、反射率調整層の最
高温度となる領域でも膜全体が融解しないで高融点成分
は固相に留まるようにするため、高いレーザパワーによ
る照射時に、戻り光の反射光強度分布の乱れを光強度分
布解析回路で検出解析し、乱れの大きさに応じてレーザ
パワーを調節できる回路をレーザパワー設定回路に組み
込んだ。これにより、反射率調整層の劣化が起こりにく
くなった。

【０２２７】ここで、光強度分布の乱れとは、光強度分
布の乱れの時間的変動、すなわち各検出器出力の比の時
間的変動のことである。光強度分布の乱れは１次元的、
または２次元的に配列した２個以上の検出器が記録媒体
面にほぼ平行に配置されたものを用い、各検出器の出力
を光強度分布解析回路に接続して検出した。

【０２２８】〔実施例２１〕本実施例の装置では、オー
バーライトによる書換え時に記録パワーレベルで照射し
た時と消去パワーレベルで照射した時とでは光スポット
内で反射率調整層の融解部分が占める比率が異なるの
で、反射率調整層を用いないディスクを用いるときは記
録パワーレベルと消去パワーレベルとのパワーの比は２
または２より大きい値対１が適当であるのに対して、本
実施例では１．８より小さく１．５より大きい値対１の
時、良好なオーバーライト特性となった。すなわち大き
な消去比が得られた。１．７対１から１．３対１の範囲
であれば特に良好であった。

【０２２９】〔実施例２２〕実施例１の反射率調整層の
Ａｕ₅₆Ｓｎ₃₁Ｔｉ₁₃膜の代わりにＡｕ₈₀Ｓｉ₂₀膜を用い
て、他は同様にディスクを作製した。このディスクも反
射率と再生信号変調度の条件を満たし、記録レーザパワ
ーは１７ｍＷで、書き換え可能回数は１０回であった。

【０２３０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，光ビデオディスク装置などで読み
取り可能であり、しかも高感度で、高密度記録ができ、
書換えが可能であり、優れた情報記録媒体及び記録・再
生装置を得ることができる。

【０２３１】以下に本発明の効果をもう少し詳細に説明
する。

【０２３２】本発明の情報記録媒体では、記録（オーバ
ーライト）時に高いパワーのレーザ光を照射すると、光
スポット内の高温部の複素屈折率の実数部（屈折率ｎ）
及び虚数部（消衰係数ｋ）の少なくとも一方が、照射前
のそれに対して変化するため、光スポット内の高温領域
の反射率が低下する。その結果低いレーザパワーで記録
することができる。この効果は、いずれかの層の膜厚を
変更して弱い光照射時の反射率が６０％未満の、通常の
書き換え可能相変化ディスクとした場合にも有効であ
る。特に、光反射層を光吸収率の小さいＳｉにした場合
など、記録感度が低下しやすい場合や、例えば光ビデオ
ディスクのように、高線速度で記録することが要求され
る用途に有効である。

【０２３３】特に好ましい屈折率変化が起こる場合、高
反射率だった領域（例えば結晶領域）の光吸収率の方が
低反射率だった領域（例えば非晶質領域）の光吸収率よ
り大きくなる。これにより、オーバーライトによる書き
換え時に、前に非晶質の記録マークだった場所の温度が
その他の場所の温度より高くなることによる新たに形成
される記録マークの形状歪みが防止できる。次いで好ま
しい屈折率変化では、両方の領域の光吸収率が等しくな
る。この場合は、結晶領域の方が熱伝導率が高いなどの
理由で、非晶質だった領域の温度の方が少し高くなる。

【０２３４】また、反射率調整層あるいは記録層に、相
変化成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出して
いれば、レーザ照射によって膜が融解した際の流動及び
偏析が効果的に防止される。このため、良好な特性を保
ちながら従来より多数回の書き換えを行うことが可能と
なる。

【０２３５】反射率調整層が融解して反射率が低下する
領域内で、かつ、光スポット内にあるという両方の条件
を満たす領域である光吸収領域は、光スポットのうちの
一部分であるから、記録層の昇温領域は小さくなり、微
小な記録マークを再現性良く形成して高密度記録するの
が容易になる。この効果は、いずれかの層の膜厚を変更
して弱い光照射時の反射率が６０％未満の、通常の書き
換え可能相変化ディスクとした場合にも有効である。

【０２３６】本発明では、レーザパワーの上昇、下降に
反射率調整層の融解領域の拡大、縮小が相乗的に働くの
で、記録膜の温度上昇・下降が急俊になり、記録信号に
忠実な再生信号を得るのに好ましい効果が有る。この効
果も、いずれかの層の膜厚を変更して弱い光照射時の反
射率が６０％未満の、通常の書き換え可能相変化ディス
クとした場合にも有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】反射率調整層の動作原理図である。

【図２】本発明によるディスクの断面構造の一例を示す
図である。

【図３】反射率調整層中の高融点成分の析出状態を示す
図である。

【図４】本発明の一実施例の装置の構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…光スポット、２ａ…反射率調整層の融解領域、２ｂ
…光吸収領域、３ａ，３ｂ…記録マーク、Ｄ…高温領域
の遅れ幅、４，４’…ポリカーボネイト基板、５…保護
層、６…反射率調整層、７…保護層、８…記録膜、９…
中間層、１０…反射層、１１…有機接着剤層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者宮内靖東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者廣常朱美東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に直接または保護層を介して形成さ
れた、光ビームの照射を受けて生じる記録層変化によっ
て情報を記録、再生する光記録媒体において、記録層と
は別に光照射によって光学定数が変化する反射率調整層
を有し、弱い光照射時の方が強い光照射時より反射率が
相対的に高いことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】弱い光照射時には記録トラック上の反射率
の高い部分の反射率が６０％以上であり、強い光照射時
には、同じ部分の反射率が４０％以下であることを特徴
とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】弱い光照射時には記録トラック上の反射率
の高い部分の反射率が６０％以上であり、強い光照射時
には、同じ部分の反射率が４０％以下であって、コンパ
クトディスクプレイヤーまたはＣＤ−ＲＯＭドライブま
たは光ビデオディスクドライブで情報を読みだす時には
反射率が６０％以上であることを特徴とする請求項１記
載の光記録媒体。
【請求項４】上記反射率調整層が上記記録層より２５０
℃以上低い融点を有することを特徴とする請求項１また
は２記載の光記録媒体。
【請求項５】上記反射率調整層の融点が４５０℃以下で
あることを特徴とする請求項１または２記載の光記録媒
体。
【請求項６】上記反射率調整層の８０％以上が融点４５
０℃以下の単体金属あるいは融点４００℃以下の２種以
上の金属より成ることを特徴とする請求項１または２記
載の光記録媒体。
【請求項７】上記反射率調整層が共晶合金組成、あるい
はそれに近い組成であることを特徴とする請求項１また
は２記載の光記録媒体。
【請求項８】上記反射率調整層がＡｕ，Ａｇ，およびＡ
ｌのうちの少なくとも一者を含む共晶合金組成、あるい
はそれに近い組成であることを特徴とする請求項７記載
の光記録媒体。
【請求項９】上記反射率調整層がＡｕ−Ｓｎ，Ａｕ−Ｓ
ｂ，Ａｕ−Ｇｅ，Ａｕ−Ｓｉ，Ａｕ−Ｉｎ，Ａｕ−Ｇ
ａ，Ａｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｇｅ，Ａｇ−Ｉｎ合金のうちの
少なくとも一者、あるいはこれらの２者以上の混合組
成、あるいはそれに近い組成であることを特徴とする請
求項８記載の光記録媒体。
【請求項１０】上記反射率調整層が記録層に関して、反
射層と逆の側にあることを特徴とする請求項１または２
記載の光記録媒体。
【請求項１１】上記反射率調整層が記録層と反射層との
間に有ることを特徴とする請求項１または２記載の光記
録媒体。
【請求項１２】上記光記録媒体が、基板側から、基板上
に直接、あるいは他の層を介して、反射率調整層、保護
層、記録層、中間層、反射層の順に積層されていること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項１３】上記反射率調整層の複素屈折率の実数部
および虚数部の少なくとも一方が、光の照射によって照
射前のそれに対して２０％以上変化する請求項１または
２記載の光記録媒体。
【請求項１４】上記反射率調整層および記録層の少なく
とも一方が当該層の残成分より相対的に融点が高い高融
点成分からなる析出物を含んでいる請求項１から６のい
ずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１５】前記高融点成分の構成元素の原子数の和
が、当該薄膜の構成元素の全原子数の和に対して５〜４
０％の範囲にある請求項１４記載の光記録媒体。
【請求項１６】前記高融点成分の融点と当該薄膜の残成
分の融点との差が１５０゜Ｃ以上である請求項１４記載
の光記録媒体。
【請求項１７】上記反射率調整層に含まれる上記高融点
成分の融点が６００℃以上であることを特徴とする請求
項１４記載の光記録媒体。
【請求項１８】上記記録層に含まれる上記高融点成分の
融点が８００℃以上である請求項１４記載の光記録媒
体。
【請求項１９】前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の
内部に粒状または柱状に分布している請求項１４記載の
光記録媒体。
【請求項２０】前記高融点成分の析出物の最大外寸法が
５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である請求項１４記載の光記
録媒体。
【請求項２１】前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の
両方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記
析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該薄膜の膜
厚の（１／２）以下である請求項１９または２０記載の
光記録媒体。
【請求項２２】前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の
一方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記
析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の
膜厚以下である請求項１９または２０記載の光記録媒
体。
【請求項２３】隣接する２つの前記高融点成分の析出物
の中心間を結ぶ直線が、当該薄膜の膜面方向でそれら析
出物の間の領域を通る長さが１５ｎｍ以上、７０ｎｍ以
下である請求項１９から２２のいずれかに記載の光記録
媒体。
【請求項２４】上記高融点成分からなる析出物は多孔質
であり、当該残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布し
ている請求項１４記載の光記録媒体。
【請求項２５】前記高融点成分の多孔質状析出物の孔の
当該薄膜の膜面方向での最大孔寸法が８０ｎｍ以下であ
り、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面
方向での最大壁厚さが２０ｎｍ以下である請求項２４記
載の光記録媒体。
【請求項２６】上記反射率調整層の平均組成を、元素単
体または化合物または混合物組成の低融点成分Ｌと元素
単体または化合物組成の高融点成分ＨによりＬ_jＨ_k の式で表した時、０．２≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦０．４であ
る組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量は前記
式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを特徴と
する請求項１４記載の光記録媒体。
【請求項２７】上記反射率調整層の低融点成分と高融点
成分がいずれも金属または半金属元素を５０原子％以上
含むことを特徴とする請求項１４記載の光記録媒体。
【請求項２８】上記反射率調整層に含まれる高融点成分
が遷移金属とＳｎ、およびＰｂよりなる群より選ばれた
少なくとも一者との化合物であることを特徴とする請求
項１４記載の光記録媒体。
【請求項２９】上記反射率調整層の残成分の融点が４５
０℃以下である請求項１４または１７記載の光記録媒
体。
【請求項３０】上記反射率調整層の残成分がＡｕとＡｇ
よりなる群より選ばれた少なくとも一者と、Ｓｎ、Ｇ
ｅ、Ｓｉ、Ｉｎ、およびＧａよりなる群より選ばれた少
なくとも一者との合金であることを特徴とする請求項１
４記載の光記録媒体。
【請求項３１】上記記録層が、ＧｅとＴｅを主成分とす
る、または、ＩｎおよびＳｂよりなる群より選ばれた少
なくとも一者とＳｅを主成分とすることを特徴とする請
求項１、２または１４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項３２】上記記録層の平均組成を、元素単体また
は化合物または混合物組成の低融点成分Ｌと元素単体ま
たは化合物組成の高融点成分ＨによりＬ_jＨ_k の式で表した時、０．２≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦０．４であ
る組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量は前記
式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを特徴と
する請求項１４記載の光記録媒体。
【請求項３３】上記記録層に含まれる高融点成分がＣｒ
およびＡｇよりなる群より選ばれた少なくとも一者とＴ
ｅとの化合物である請求項１４記載の光記録媒体。
【請求項３４】上記記録層の残成分の融点が７５０℃以
下である請求項１４または１６記載の反射率調整層を有
する光記録媒体。
【請求項３５】記録媒体にレーザ光を照射して反射光を
検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス読
み取り手段、記録データ変調手段、レーザパワー制御情
報解析手段、ピークパワー決定手段、パワー比決定手
段、及び、記録、消去用電流増幅手段、読み出しパワー
決定手段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバー
を少なくとも有し、上記パワー比決定手段がオーバーラ
イトによる情報の書き換え時に、記録パワーレベルと消
去パワーレベルとのパワーの比を２より小さい値対１に
設定する機能を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３６】オーバーライトによる情報の書き換え時
に、記録パワーレベルと消去パワーレベルとのパワーの
比を２より小さい値対１に設定する情報が該光記録媒体
上に書かれていることを特徴とする請求項１または２記
載の光記録媒体。
【請求項３７】記録媒体にレーザ光を照射して反射光を
検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス読
み取り手段、記録データ変調手段、レーザパワー制御情
報解析手段、ピークパワー決定手段、及び、記録用電流
増幅手段、読み出しパワー決定手段、読み出し用電流増
幅手段、レーザドライバーを少なくとも有し、上記ピー
クパワー決定手段が情報の書き換え時に、書き換えを行
なう時間の少なくとも一部において、レーザパワーを光
記録媒体の反射率が低い値になるように設定する機能を
有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３８】記録媒体にレーザ光を照射して反射光を
検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス読
み取り手段、記録データ変調手段、レーザパワー制御情
報解析手段、ピークパワー決定手段、パワー比決定手
段、記録、消去用電流増幅手段、読み出しパワー決定手
段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバーを少な
くとも有し、上記ピークパワー決定手段およびパワー比
決定手段が、情報の書き換え時に、書き換えを行なう時
間の少なくとも一部において、レーザパワーを光記録媒
体の反射率が低い値になるように設定する機能を有する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項３９】高いパワーのレーザ光を照射すると反射
率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げると、反射
率が高い値に戻る性質を持った記録媒体であって、情報
の書き換え時に、書き換えを行なう時間の少なくとも一
部において、光記録媒体の反射率調整層の光学定数が大
きく変化するレーザパワーに設定する情報が該光記録媒
体上に書かれていることを特徴とする請求項１または２
記載の光記録媒体。
【請求項４０】所定のレーザパワーで反射率が急激に変
化する性質を持った光記録媒体、前記記録媒体にレーザ
光を照射して反射光を検出する光ヘッド、読み出し信号
処理手段、アドレス読み取り手段、記録データ変調手
段、レーザパワー制御情報解析手段、ピークパワー決定
手段、記録用電流増幅手段、読み出しパワー決定手段、
読み出し用電流増幅手段、レーザドライバーを少なくと
も有し、ピークパワー決定手段が、記録時のレーザ光の
出力を光記録媒体の反射率調整層のいかなる領域でも膜
全体は融解しない出力に設定する機能を有することを特
徴とする情報処理装置。
【請求項４１】レーザ光の出力を記録媒体の反射率調整
層の最高温度となる領域でも膜全体は融解しない出力に
設定する情報が該光記録媒体上に書かれていることを特
徴とする請求項１または２記載の光記録媒体。
【請求項４２】光記録媒体にレーザ光を照射して反射光
を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス
読み取り手段、読み出しパワー決定手段、読み出し用電
流増幅手段を少なくとも有し、記録密度の特に高い光記
録媒体から情報を読み出す場合、読み出しパワー決定手
段が、読み出しレーザパワーを、上記光記録媒体上を光
ビームスポットが１回通過する間に光記録媒体に記録さ
れた情報が変化するレーザパワーと、上記光記録媒体の
反射率が低い値に変化する最も低いレーザパワーとの中
間に設定する機能を有することを特徴とする情報処理装
置。
【請求項４３】高いパワーのレーザ光を照射すると反射
率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げると反射率
が高い値に戻る性質を持った光記録媒体であって、読み
出しレーザパワーを、該光記録媒体上を光ビームスポッ
トが１回通過する間に該光記録媒体に記録された情報が
変化するレーザパワーと、該光記録媒体の反射率が低い
値に変化する最も低いレーザパワーとの中間に設定する
情報が該光記録媒体上に書かれていることを特徴とする
光記録媒体。
【請求項４４】光記録媒体にレーザ光を照射して反射光
を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス
読み取り手段、読み出しパワー決定手段、読み出し用電
流増幅手段を少なくとも有し、読み出しパワー決定手段
が、読み出しレーザパワーを、上記光記録媒体の反射率
が低い値に変化する最も低いレーザパワーより低い値に
設定する機能を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項４５】高いパワーのレーザ光を照射すると反射
率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げると反射率
が高い値に戻る性質を持った光記録媒体であって、読み
出しレーザパワーを、該光記録媒体の反射率が低い値に
変化する最も低いレーザパワーより低い値に設定する情
報が該光記録媒体上に書かれていることを特徴とする光
記録媒体。
【請求項４６】弱い光照射時には反射率が高く、強い光
照射時には同じ部分の反射率が低い光記録媒体に記録さ
れた情報を、コンパクトディスク、ＣＤ−ＲＯＭディス
ク、あるいは光ビデオディスクから情報を読み出す装置
で読み出すことを特徴とする情報の読み出し方法。
【請求項４７】弱い光照射時には記録トラック上の反射
率の高い部分の反射率が６０％以上であり、強い光照射
時には、同じ部分の反射率が４０％以下である光記録媒
体に記録された情報を、コンパクトディスク、あるいは
ＣＤ−ＲＯＭディスク、あるいは光ビデオディスクから
情報を読み出す装置で読み出すことを特徴とする情報の
読み出し方法。
【請求項４８】高いパワーのレーザ光を照射すると反射
率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げると反射率
が高い値に戻る性質を持った記録媒体と、上記記録媒体
にレーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッド、読み
出し信号処理手段、アドレス読み取り手段、記録データ
変調手段、レーザパワー制御情報解析手段、ピークパワ
ー決定手段、及び、記録用電流増幅手段、読み出しパワ
ー決定手段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバ
ー、試し書きゾーン読み取り手段、および試し書きコン
トローラを少なくとも有し、試し書きコントローラが、
少なくとも記録媒体交換時に試し書きを行う機能を有
し、試し書きゾーン読み取り手段が試し書き結果を読み
取って、ピークパワー決定手段にその情報を送る機能を
有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項４９】高いパワーのレーザ光を照射すると反射
率が大きく低下し、レーザ光のパワーを下げると、反射
率が高い値に戻る性質を持ち、かつ、一部分に試し書き
ゾーンを有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項５０】高いパワーのレーザ光を照射すると反射
率調整層が融解して反射率が大きく低下し、レーザ光の
パワーを下げると、反射率が高い値に戻る性質を持った
記録媒体と、上記記録媒体にレーザ光を照射して反射光
を検出する光ヘッド、読み出し信号処理手段、アドレス
読み取り手段、記録データ変調手段、パルス幅補正手
段、レーザパワー制御情報解析手段、ピークパワー決定
手段、及び、記録用電流増幅手段、読み出しパワー決定
手段、読み出し用電流増幅手段、レーザドライバーを少
なくとも有し、上記パルス幅補正手段が、反射率調整層
の融解領域の変化によって記録マーク長さが本来の長さ
より長くなるのを、パルス幅を狭くして防止する機能を
有することを特徴とする情報処理装置。