JPH10241144A - 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH10241144A JPH10241144A JP9357205A JP35720597A JPH10241144A JP H10241144 A JPH10241144 A JP H10241144A JP 9357205 A JP9357205 A JP 9357205A JP 35720597 A JP35720597 A JP 35720597A JP H10241144 A JPH10241144 A JP H10241144A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 情報記録媒体用に用いられるガラス基板及び
及びその製造方法、並びに、安定且つ、良好な磁気特性
を維持しつつ高密度記録再生可能な磁気記録媒体及びこ
の磁気記録媒体を安定して製造することができる製造方
法を得る。 【解決手段】 ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍａｘ
≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦１．５ｎｍ（但し、
Ｒｑは二乗平均平方根粗さ（＝ＲＭＳ）である）である
ようにし、又は、ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍａ
ｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１．３ｎｍ、Ｒｍａｘ／Ｒａ≧１
０であるようにする。
及びその製造方法、並びに、安定且つ、良好な磁気特性
を維持しつつ高密度記録再生可能な磁気記録媒体及びこ
の磁気記録媒体を安定して製造することができる製造方
法を得る。 【解決手段】 ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍａｘ
≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦１．５ｎｍ（但し、
Ｒｑは二乗平均平方根粗さ（＝ＲＭＳ）である）である
ようにし、又は、ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍａ
ｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１．３ｎｍ、Ｒｍａｘ／Ｒａ≧１
０であるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度記録再生が
可能な磁気記録媒体及びその製造方法並びにその磁気記
録媒体に使用する情報記録媒体用ガラス基板及びその製
造方法に関し、特に、インライン型連続スパッタリング
によって磁気記録媒体を製造する際、パレット内におけ
る各磁気記録媒体の磁気特性のバラツキないしは各磁気
記録媒体における面内の磁気特性のバラツキを抑えて高
密度記録再生を可能にするものに関する。
可能な磁気記録媒体及びその製造方法並びにその磁気記
録媒体に使用する情報記録媒体用ガラス基板及びその製
造方法に関し、特に、インライン型連続スパッタリング
によって磁気記録媒体を製造する際、パレット内におけ
る各磁気記録媒体の磁気特性のバラツキないしは各磁気
記録媒体における面内の磁気特性のバラツキを抑えて高
密度記録再生を可能にするものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、さらなる高密度記録に対応可能な
磁気ディスクが要請されてきている。磁気ディスクの高
密度記録化を達成するためには、磁気記録媒体表面に対
する磁気ヘッドの浮上高さを小さくすることが重要であ
る。最近ではこの浮上高さを０．２〜０．１μｍ以下と
することが要求されている。そこで、この要求に対し高
密度記録に対応可能な磁気ディスクとして、特開平５ー
３０３７３５や、特開平８ー２９３１７７等の磁気ディ
スクが開発されている。
磁気ディスクが要請されてきている。磁気ディスクの高
密度記録化を達成するためには、磁気記録媒体表面に対
する磁気ヘッドの浮上高さを小さくすることが重要であ
る。最近ではこの浮上高さを０．２〜０．１μｍ以下と
することが要求されている。そこで、この要求に対し高
密度記録に対応可能な磁気ディスクとして、特開平５ー
３０３７３５や、特開平８ー２９３１７７等の磁気ディ
スクが開発されている。
【０００３】特開平５ー３０３７３５の磁気ディスク
は、円環状基板（ガラス基板）の表面粗さをＲａで１ｎ
ｍ以下、且つ、平面度１μｍ以下にすることによって、
磁気ヘッドの磁気ディスクに対する浮上高さを小さく
し、高密度記録を可能にするものである。尚、この公報
では、円環状基板（ガラス基板）の表面粗さを非常に平
滑にする研磨技術や、表面粗さがＲａで０．３ｎｍ以
下、Ｒｍａｘで５ｎｍ以下といった表面がスーパースム
ーズ仕上げされたガラス基板が開示されている。
は、円環状基板（ガラス基板）の表面粗さをＲａで１ｎ
ｍ以下、且つ、平面度１μｍ以下にすることによって、
磁気ヘッドの磁気ディスクに対する浮上高さを小さく
し、高密度記録を可能にするものである。尚、この公報
では、円環状基板（ガラス基板）の表面粗さを非常に平
滑にする研磨技術や、表面粗さがＲａで０．３ｎｍ以
下、Ｒｍａｘで５ｎｍ以下といった表面がスーパースム
ーズ仕上げされたガラス基板が開示されている。
【０００４】特開平８ー２９３１７７は、磁気ディスク
の始動時及び停止時にヘッドが媒体上に休止するＣＳＳ
ドライブでなく、停止時にはヘッドがディスクから離れ
るようにしたダイナミックヘッドローディング型磁気デ
ィスクドライブに搭載する磁気ディスクが開示されてい
る。この磁気ディスクは、一例としてスーパースムーズ
仕上げされた基板上に、スーパースムーズ仕上げ磁性表
面及び、スーパースムーズ仕上げ保護表面を有する磁性
層、保護層を形成することにより、ヘッド−媒体の磁気
的間隔を小さくし、高密度記録を可能にするものであ
る。さらにこの公報では、保護層の膜厚を小さくするこ
とによる磁性層表面とヘッドとの間隔（実効フライング
ハイト）を小さくする技術も開示されている。
の始動時及び停止時にヘッドが媒体上に休止するＣＳＳ
ドライブでなく、停止時にはヘッドがディスクから離れ
るようにしたダイナミックヘッドローディング型磁気デ
ィスクドライブに搭載する磁気ディスクが開示されてい
る。この磁気ディスクは、一例としてスーパースムーズ
仕上げされた基板上に、スーパースムーズ仕上げ磁性表
面及び、スーパースムーズ仕上げ保護表面を有する磁性
層、保護層を形成することにより、ヘッド−媒体の磁気
的間隔を小さくし、高密度記録を可能にするものであ
る。さらにこの公報では、保護層の膜厚を小さくするこ
とによる磁性層表面とヘッドとの間隔（実効フライング
ハイト）を小さくする技術も開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の従来
の磁気記録媒体においては、ＲｍａｘやＲａのそれぞれ
を所定値以下にすることによって、ヘッドー媒体の磁気
的間隔については十分小さくすることが可能になった。
しかしながら、本発明者等の研究によれば、保磁力やＳ
／Ｎといった磁気特性及び記録再生特性については必ず
しも近年の厳しい要請を十分に満足させるものではない
ことがわかった。すなわち、ガラス基板の表面粗さやそ
の上に形成する磁性層等の条件を同一に揃えて製造して
も、必ずしも常に良好な磁気特性を有する磁気ディスク
を得られないことがわかった。本発明者等がこの原因に
ついて鋭意研究した結果、この原因は、ガラス基板の表
面粗さのばらつきに起因し、このばらつきによってその
上に形成される薄膜の結晶成長が乱れて磁気特性や記録
再生特性を悪化させるものであろうとの結論が得られ
た。すなわち、ガラス基板表面の状態（表面粗さ及び表
面粗さのばらつき）がその上に形成される下地層、磁性
層の結晶粒と密接に関係しており、磁気特性良好で且つ
高密度記録再生可能な磁気記録媒体を得るには、このガ
ラス基板の表面粗さのばらつきをおさえ、その上に形成
される薄膜の結晶粒を均一にすることが必要であろうと
の解明結果が得られた。また、一方、上述の従来の磁気
記録媒体においては、ＲｍａｘとＲａとの関係を考慮さ
れていなかったために、たとえ非常に平滑な基板であっ
たとしても、複数枚磁気記録媒体を製造した際、各々の
磁気特性にバラツキがあることがわかった。すなわち、
ガラス基板の表面粗さやその上に形成する磁性層等の条
件を同一に揃えて製造しても、必ずしも常に安定し、且
つ良好な磁気特性を有する磁気ディスクが得られないこ
とがわかった。特に、この磁気特性のバラツキは、イン
ライン型連続スパッタリング法によって磁気ディスクを
製造する場合に、顕著に表れた。
の磁気記録媒体においては、ＲｍａｘやＲａのそれぞれ
を所定値以下にすることによって、ヘッドー媒体の磁気
的間隔については十分小さくすることが可能になった。
しかしながら、本発明者等の研究によれば、保磁力やＳ
／Ｎといった磁気特性及び記録再生特性については必ず
しも近年の厳しい要請を十分に満足させるものではない
ことがわかった。すなわち、ガラス基板の表面粗さやそ
の上に形成する磁性層等の条件を同一に揃えて製造して
も、必ずしも常に良好な磁気特性を有する磁気ディスク
を得られないことがわかった。本発明者等がこの原因に
ついて鋭意研究した結果、この原因は、ガラス基板の表
面粗さのばらつきに起因し、このばらつきによってその
上に形成される薄膜の結晶成長が乱れて磁気特性や記録
再生特性を悪化させるものであろうとの結論が得られ
た。すなわち、ガラス基板表面の状態（表面粗さ及び表
面粗さのばらつき）がその上に形成される下地層、磁性
層の結晶粒と密接に関係しており、磁気特性良好で且つ
高密度記録再生可能な磁気記録媒体を得るには、このガ
ラス基板の表面粗さのばらつきをおさえ、その上に形成
される薄膜の結晶粒を均一にすることが必要であろうと
の解明結果が得られた。また、一方、上述の従来の磁気
記録媒体においては、ＲｍａｘとＲａとの関係を考慮さ
れていなかったために、たとえ非常に平滑な基板であっ
たとしても、複数枚磁気記録媒体を製造した際、各々の
磁気特性にバラツキがあることがわかった。すなわち、
ガラス基板の表面粗さやその上に形成する磁性層等の条
件を同一に揃えて製造しても、必ずしも常に安定し、且
つ良好な磁気特性を有する磁気ディスクが得られないこ
とがわかった。特に、この磁気特性のバラツキは、イン
ライン型連続スパッタリング法によって磁気ディスクを
製造する場合に、顕著に表れた。
【０００６】本発明者らがこの原因について鋭意研究し
た結果、この原因は、各ガラス基板の表面粗さＲｍａｘ
とＲａとの関係（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が定められておら
ず、この関係（Ｒｍａｘ／Ｒａ）の変動に伴い、各磁気
ディスクにおける磁気特性のバラツキが発生するのであ
ろうとの結論に至った。
た結果、この原因は、各ガラス基板の表面粗さＲｍａｘ
とＲａとの関係（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が定められておら
ず、この関係（Ｒｍａｘ／Ｒａ）の変動に伴い、各磁気
ディスクにおける磁気特性のバラツキが発生するのであ
ろうとの結論に至った。
【０００７】本発明は、この解明結果に基づいてなされ
たものであり、磁気ディスクや光ディスクといった情報
記録媒体用に用いられるガラス基板及びその製造方法、
並びに、安定且つ、良好な磁気特性を維持しつつ高密度
記録再生可能な磁気記録媒体及びこの磁気記録媒体を安
定して製造することができる製造方法を得ることを目的
とするものである。
たものであり、磁気ディスクや光ディスクといった情報
記録媒体用に用いられるガラス基板及びその製造方法、
並びに、安定且つ、良好な磁気特性を維持しつつ高密度
記録再生可能な磁気記録媒体及びこの磁気記録媒体を安
定して製造することができる製造方法を得ることを目的
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明は、要するに、ガラス基板の表面粗さ及び
そのばらつきを所定の範囲におさえ、その上に形成され
る下地層、磁性層の結晶粒を均一にすることによって、
磁気特性良好で且つ高密度記録再生可能な磁気記録媒体
を得るようにしたものであり、また、ガラス基板の表面
粗さ（Ｒｍａｘ、Ｒａ）及びそれらＲｍａｘとＲａとの
関係（Ｒｍａｘ／Ｒａ）等を所定の範囲におさえること
によって、安定且つ、良好な磁気特性と、高密度記録再
生可能な磁気記録媒体を得るようにしたものであって、
具体的には以下の構成を有する。
めに、本発明は、要するに、ガラス基板の表面粗さ及び
そのばらつきを所定の範囲におさえ、その上に形成され
る下地層、磁性層の結晶粒を均一にすることによって、
磁気特性良好で且つ高密度記録再生可能な磁気記録媒体
を得るようにしたものであり、また、ガラス基板の表面
粗さ（Ｒｍａｘ、Ｒａ）及びそれらＲｍａｘとＲａとの
関係（Ｒｍａｘ／Ｒａ）等を所定の範囲におさえること
によって、安定且つ、良好な磁気特性と、高密度記録再
生可能な磁気記録媒体を得るようにしたものであって、
具体的には以下の構成を有する。
【０００９】請求項１の発明は、ガラス基板主表面の表
面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦
１．５ｎｍ（但し、Ｒｑは二乗平均平方根粗さ（＝ＲＭ
Ｓ）である）であることを特徴とする情報記録媒体用ガ
ラス基板である。
面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦
１．５ｎｍ（但し、Ｒｑは二乗平均平方根粗さ（＝ＲＭ
Ｓ）である）であることを特徴とする情報記録媒体用ガ
ラス基板である。
【００１０】請求項２の発明は、前記ガラス基板主表面
の表面粗さがＲｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．５ｎｍ、
Ｒｑ≦０．７ｎｍであることを特徴とする請求項１に記
載の情報記録媒体用ガラス基板である。
の表面粗さがＲｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．５ｎｍ、
Ｒｑ≦０．７ｎｍであることを特徴とする請求項１に記
載の情報記録媒体用ガラス基板である。
【００１１】請求項３の発明は、前記ガラス基板主表面
の表面粗さがＲｍａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍ、Ｒ
ｑ≦０．４ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載
の情報記録媒体用ガラス基板である。
の表面粗さがＲｍａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍ、Ｒ
ｑ≦０．４ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載
の情報記録媒体用ガラス基板である。
【００１２】請求項４の発明は、前記ガラス基板主表面
の表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の情
報記録媒体用ガラス基板である。
の表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の情
報記録媒体用ガラス基板である。
【００１３】請求項５の発明は、ガラス基板上に少なく
とも磁性層を含む薄膜を有する磁気記録媒体において、
前記ガラス基板として、請求項１ないし４に記載の情報
記録媒体用ガラス基板を用いることを特徴とした磁気記
録媒体である。
とも磁性層を含む薄膜を有する磁気記録媒体において、
前記ガラス基板として、請求項１ないし４に記載の情報
記録媒体用ガラス基板を用いることを特徴とした磁気記
録媒体である。
【００１４】請求項６の発明は、前記薄膜は、前記ガラ
ス基板の表面粗さを制御することによって、ほぼ均一な
結晶粒から構成されてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が
５〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の
磁気記録媒体である。
ス基板の表面粗さを制御することによって、ほぼ均一な
結晶粒から構成されてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が
５〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の
磁気記録媒体である。
【００１５】請求項７の発明は、ガラス基板上に少なく
とも磁性層を含む薄膜を有する磁気記録媒体において、
前記ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎ
ｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が
３０以下であり、前記薄膜が前記ガラス基板の表面粗さ
を制御することによって、ほぼ均一な結晶粒から構成さ
れてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍであ
ることを特徴とする磁気記録媒体である。
とも磁性層を含む薄膜を有する磁気記録媒体において、
前記ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎ
ｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が
３０以下であり、前記薄膜が前記ガラス基板の表面粗さ
を制御することによって、ほぼ均一な結晶粒から構成さ
れてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍであ
ることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１６】請求項８の発明は、前記ガラス基板主表面
の表面粗さがＲｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．５ｎｍ、
表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であること
を特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体である。
の表面粗さがＲｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．５ｎｍ、
表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であること
を特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体である。
【００１７】請求項９の発明は、前記ガラス基板主表面
の表面粗さがＲｍａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍ、表
面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であることを
特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体である。
の表面粗さがＲｍａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍ、表
面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であることを
特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体である。
【００１８】請求項１０の発明は、前記薄膜の結晶粒
を、１ミクロン平方に存在する結晶粒径分布について測
定したとき、該薄膜の結晶粒径が最も多く分布する点に
おける半値幅が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請
求項５ないし９のいずれかに記載の磁気記録媒体であ
る。
を、１ミクロン平方に存在する結晶粒径分布について測
定したとき、該薄膜の結晶粒径が最も多く分布する点に
おける半値幅が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請
求項５ないし９のいずれかに記載の磁気記録媒体であ
る。
【００１９】請求項１１の発明は、前記薄膜は前記ガラ
ス基板と前記磁性層との間に、下地層が形成されている
ことを特徴とする請求項５ないし１０のいずれかに記載
の磁気記録媒体である。
ス基板と前記磁性層との間に、下地層が形成されている
ことを特徴とする請求項５ないし１０のいずれかに記載
の磁気記録媒体である。
【００２０】請求項１２の発明は、前記ガラス基板と前
記磁性層との間に、低融点金属からなる凹凸形成層が形
成されていることを特徴とする請求項５ないし１１のい
ずれかに記載の磁気記録媒体である。
記磁性層との間に、低融点金属からなる凹凸形成層が形
成されていることを特徴とする請求項５ないし１１のい
ずれかに記載の磁気記録媒体である。
【００２１】請求項１３の発明は、前記凹凸形成層の表
面粗さの比Ｒｑ／Ｒａが１．５以下であることを特徴と
する請求項１２に記載の磁気記録媒体である。
面粗さの比Ｒｑ／Ｒａが１．５以下であることを特徴と
する請求項１２に記載の磁気記録媒体である。
【００２２】請求項１４の発明は、前記凹凸形成層の表
面粗さがＲｍａｘで１０〜５０ｎｍであることを特徴と
する請求項１２又は１３に記載の磁気記録媒体である。
面粗さがＲｍａｘで１０〜５０ｎｍであることを特徴と
する請求項１２又は１３に記載の磁気記録媒体である。
【００２３】請求項１５の発明は、円盤状ガラス基板を
ラッピングする工程と、その工程後、前記ガラス基板の
表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦
１．５ｎｍ（但し、Ｒｑは二乗平均平方根粗さ（＝ＲＭ
Ｓ））となるように予め選定された粒径の研磨砥粒を含
む研磨液を用いて鏡面研磨する工程と、を有することを
特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であ
る。
ラッピングする工程と、その工程後、前記ガラス基板の
表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦
１．５ｎｍ（但し、Ｒｑは二乗平均平方根粗さ（＝ＲＭ
Ｓ））となるように予め選定された粒径の研磨砥粒を含
む研磨液を用いて鏡面研磨する工程と、を有することを
特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であ
る。
【００２４】請求項１６の発明は、円盤状ガラス基板を
ラッピングする工程と、その工程後、粒径１〜３μｍの
研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する第１研磨工程
と、粒径０．５〜２μｍの研磨砥粒を含む研磨液を用い
て研磨する第２研磨工程と、粒径０．５μｍ以下の研磨
砥粒を含む研磨液を用いて研磨する第３研磨工程とを有
することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造
方法である。
ラッピングする工程と、その工程後、粒径１〜３μｍの
研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する第１研磨工程
と、粒径０．５〜２μｍの研磨砥粒を含む研磨液を用い
て研磨する第２研磨工程と、粒径０．５μｍ以下の研磨
砥粒を含む研磨液を用いて研磨する第３研磨工程とを有
することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造
方法である。
【００２５】請求項１７の発明は前記第３工程に使用す
る研磨砥粒は、粒径０．２μｍ以下のコロイダルシリカ
砥粒であることを特徴とする請求項１６に記載の情報記
録媒体用ガラス基板の製造方法である。
る研磨砥粒は、粒径０．２μｍ以下のコロイダルシリカ
砥粒であることを特徴とする請求項１６に記載の情報記
録媒体用ガラス基板の製造方法である。
【００２６】請求項１８の発明は、前記請求項１５ない
し１７のいずれかの情報記録媒体用ガラス基板の製造方
法によって製造されたガラス基板上に少なくとも磁性層
を含む薄膜を、該薄膜を構成する結晶粒がほぼ均一な結
晶粒から構成されてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が５
〜３０ｎｍになるように成膜する薄膜形成工程を有する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
し１７のいずれかの情報記録媒体用ガラス基板の製造方
法によって製造されたガラス基板上に少なくとも磁性層
を含む薄膜を、該薄膜を構成する結晶粒がほぼ均一な結
晶粒から構成されてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が５
〜３０ｎｍになるように成膜する薄膜形成工程を有する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【００２７】請求項１９の発明は、ガラス基板の少なく
とも磁性層を含む薄膜が形成される側の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦１．５ｎｍとな
るようにするガラス基板表面処理工程と、前記ガラス基
板主表面上に、前記薄膜を構成する結晶粒がほぼ均一な
結晶粒から構成されてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が
５〜３０ｎｍになるように成膜する薄膜形成工程とを有
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
とも磁性層を含む薄膜が形成される側の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦１．５ｎｍとな
るようにするガラス基板表面処理工程と、前記ガラス基
板主表面上に、前記薄膜を構成する結晶粒がほぼ均一な
結晶粒から構成されてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が
５〜３０ｎｍになるように成膜する薄膜形成工程とを有
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【００２８】請求項２０の発明は、ガラス基板の少なく
とも磁性層を含む薄膜が形成される側の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、表面粗さの比（Ｒｍａ
ｘ／Ｒａ）を３０以下となるようにするガラス基板表面
処理工程と、前記ガラス基板主表面上に前記薄膜を構成
する結晶粒がほぼ均一な結晶粒から構成されてなり、該
結晶粒の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍになるように成膜
する薄膜形成工程とを有することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法である。
とも磁性層を含む薄膜が形成される側の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、表面粗さの比（Ｒｍａ
ｘ／Ｒａ）を３０以下となるようにするガラス基板表面
処理工程と、前記ガラス基板主表面上に前記薄膜を構成
する結晶粒がほぼ均一な結晶粒から構成されてなり、該
結晶粒の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍになるように成膜
する薄膜形成工程とを有することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法である。
【００２９】請求項２１の発明は、ガラス基板主表面の
表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１．３ｎｍ、Ｒ
ｍａｘ／Ｒａ≧１０であることを特徴とする情報記録媒
体用ガラス基板である。
表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１．３ｎｍ、Ｒ
ｍａｘ／Ｒａ≧１０であることを特徴とする情報記録媒
体用ガラス基板である。
【００３０】請求項２２の発明は、前記ガラス基板主表
面の表面粗さがＲｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．８ｎ
ｍ、Ｒｍａｘ／Ｒａ≧１０．５であることを特徴とする
請求項２１に記載の情報記録媒体用ガラス基板である。
面の表面粗さがＲｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．８ｎ
ｍ、Ｒｍａｘ／Ｒａ≧１０．５であることを特徴とする
請求項２１に記載の情報記録媒体用ガラス基板である。
【００３１】請求項２３の発明は、ガラス基板上に少な
くとも磁性層を含む薄膜を有する磁気記録媒体におい
て、前記ガラス基板として、請求項２１又は２２に記載
の情報記録媒体用ガラス基板を用いることを特徴とした
磁気記録媒体である。
くとも磁性層を含む薄膜を有する磁気記録媒体におい
て、前記ガラス基板として、請求項２１又は２２に記載
の情報記録媒体用ガラス基板を用いることを特徴とした
磁気記録媒体である。
【００３２】請求項２４の発明は、請求項２１又は請求
項２２記載の情報記録媒体用ガラス基板を用意する工程
と、前記ガラス基板上に少なくとも磁性層を含む薄膜を
形成する工程と、を有することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法である。
項２２記載の情報記録媒体用ガラス基板を用意する工程
と、前記ガラス基板上に少なくとも磁性層を含む薄膜を
形成する工程と、を有することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法である。
【００３３】請求項２５の発明は、前記薄膜はインライ
ン型連続スパッタリング法により形成するものであるこ
とを特徴とする請求項２４に記載の磁気記録媒体の製造
方法である。
ン型連続スパッタリング法により形成するものであるこ
とを特徴とする請求項２４に記載の磁気記録媒体の製造
方法である。
【００３４】
【実施の形態】実施例１ 図１は本発明の実施例１にかかる磁気記録媒体の構成を
示す部分断面図である。以下、図１を参照にしながら本
発明にかかる磁気記録媒体及びその製造方法を説明す
る。
示す部分断面図である。以下、図１を参照にしながら本
発明にかかる磁気記録媒体及びその製造方法を説明す
る。
【００３５】図１において、この磁気記録媒体は、ガラ
ス基板１の上に、順次、第１下地層２、第２下地層３、
テクスチャー層４、Ｃｒ層５ａ及びＣｒＭｏ層５ｂから
なる第３下地層５、磁性層６、保護層７、並びに、潤滑
層８がそれぞれ形成された磁気ディスクである。以下、
この磁気ディスクの製造方法をその工程順に説明しなが
らその詳細な構成もあわせて説明する。
ス基板１の上に、順次、第１下地層２、第２下地層３、
テクスチャー層４、Ｃｒ層５ａ及びＣｒＭｏ層５ｂから
なる第３下地層５、磁性層６、保護層７、並びに、潤滑
層８がそれぞれ形成された磁気ディスクである。以下、
この磁気ディスクの製造方法をその工程順に説明しなが
らその詳細な構成もあわせて説明する。
【００３６】（１）荒ずり工程 まず、ダウンドロー法で形成したシートガラスから、研
削砥石で直径９６ｍｍφ、厚さ３ｍｍの円盤状に切り出
したアルミノシリケイトガラスからなるガラス基板を、
比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径９６
ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに成形した。
削砥石で直径９６ｍｍφ、厚さ３ｍｍの円盤状に切り出
したアルミノシリケイトガラスからなるガラス基板を、
比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径９６
ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに成形した。
【００３７】この場合、ダウンドロー法の代りに、フロ
ート法で形成したシートガラスから、上述と同様に円盤
状に切り出して加工したものや、溶融ガラスを、上型、
下型、胴型を用いてダイレクト・プレスして、円盤状の
ガラス体を得てもよい。
ート法で形成したシートガラスから、上述と同様に円盤
状に切り出して加工したものや、溶融ガラスを、上型、
下型、胴型を用いてダイレクト・プレスして、円盤状の
ガラス体を得てもよい。
【００３８】なお、アルミノシリケイトガラスとして
は、モル％表示で、ＳｉＯ２を５７〜７４％、ＺｎＯ２
を０〜２．８％、Ａｌ２Ｏ３を３〜１５％、ＬｉＯ２を
７〜１６％、Ｎａ２Ｏを４〜１４％、を主成分として含
有する化学強化用ガラス（例えば、モル％表示で、Ｓｉ
Ｏ２：６７．０％、ＺｎＯ２：１．０％、Ａｌ２Ｏ３：
９．０％、ＬｉＯ２：１２．０％、Ｎａ２Ｏ：１０．０
％を主成分として含有する化学強化用ガラス）を使用し
た。
は、モル％表示で、ＳｉＯ２を５７〜７４％、ＺｎＯ２
を０〜２．８％、Ａｌ２Ｏ３を３〜１５％、ＬｉＯ２を
７〜１６％、Ｎａ２Ｏを４〜１４％、を主成分として含
有する化学強化用ガラス（例えば、モル％表示で、Ｓｉ
Ｏ２：６７．０％、ＺｎＯ２：１．０％、Ａｌ２Ｏ３：
９．０％、ＬｉＯ２：１２．０％、Ｎａ２Ｏ：１０．０
％を主成分として含有する化学強化用ガラス）を使用し
た。
【００３９】次いで、上記砥石よりも粒度の細かいダイ
ヤモンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加
工した。このときの荷重は１００ｋｇ程度とした。これ
により、ガラス基板両面の表面粗さをＲｍａｘで１０μ
m 程度に仕上げた。
ヤモンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加
工した。このときの荷重は１００ｋｇ程度とした。これ
により、ガラス基板両面の表面粗さをＲｍａｘで１０μ
m 程度に仕上げた。
【００４０】次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の
中央部分に孔を開けるとともに、外周端面も研削して直
径を９５ｍｍφとした後、外周端面及び内周面に所定の
面取り加工を施した。このときのガラス基板の端面（側
面及び面取部９の表面粗さはＲｍａｘで４μｍ程度であ
った。
中央部分に孔を開けるとともに、外周端面も研削して直
径を９５ｍｍφとした後、外周端面及び内周面に所定の
面取り加工を施した。このときのガラス基板の端面（側
面及び面取部９の表面粗さはＲｍａｘで４μｍ程度であ
った。
【００４１】（２）端面鏡面加工工程 次いで、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させなが
らガラス基板の端面部分（角張った部位、側面及び面取
部）の表面粗さを、Ｒｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μ
ｍ程度に研磨した。この端面鏡面加工工程は、ガラス基
板の搬送時や、洗浄工程時等に発生するガラス基板端面
からの発塵によりガラス基板主表面に付着することによ
る膜下欠陥を防止するために有効である。
らガラス基板の端面部分（角張った部位、側面及び面取
部）の表面粗さを、Ｒｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μ
ｍ程度に研磨した。この端面鏡面加工工程は、ガラス基
板の搬送時や、洗浄工程時等に発生するガラス基板端面
からの発塵によりガラス基板主表面に付着することによ
る膜下欠陥を防止するために有効である。
【００４２】上記端面鏡面加工を終えたガラス基板の表
面を水洗浄した。尚、この端面鏡面加工工程は、後述す
る第１、第２、第３研磨工程のどの工程の前で行っても
よく、また、この端面鏡面加工工程を設けなくてもよ
い。
面を水洗浄した。尚、この端面鏡面加工工程は、後述す
る第１、第２、第３研磨工程のどの工程の前で行っても
よく、また、この端面鏡面加工工程を設けなくてもよ
い。
【００４３】（３）砂掛け（ラッピング）工程 次に、ガラス基板に砂掛け加工を施した。この砂掛け工
程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。
砂掛け工程は、ラッピング装置を用いて行い、砥粒粒度
を＃４００、＃１０００と替えて２回行った。
程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。
砂掛け工程は、ラッピング装置を用いて行い、砥粒粒度
を＃４００、＃１０００と替えて２回行った。
【００４４】詳しくは、はじめに、粒度＃４００のアル
ミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、
内転ギアと外転ギアを回転させることによって、キャリ
ア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、
表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。
ミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、
内転ギアと外転ギアを回転させることによって、キャリ
ア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、
表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。
【００４５】次いで、アルミナ砥粒の粒度を＃１０００
に替えてラッピングを行い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２μ
m 程度とした。
に替えてラッピングを行い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２μ
m 程度とした。
【００４６】上記砂掛け加工を終えたガラス基板を、中
性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００４７】（４）第１研磨工程 次に、第１研磨工程を施した。この第１研磨工程は上述
した砂掛け工程で残留したキズや歪みの除去を目的とす
るもので、研磨装置を用いて行った。
した砂掛け工程で残留したキズや歪みの除去を目的とす
るもので、研磨装置を用いて行った。
【００４８】くわしくは、ポリシャ（研磨粉）として硬
質ポリシャ（セリウムパッドＭＨＣ１５：スピードファ
ム社製）を用い、以下の研磨条件で第１研磨工程を実施
した。
質ポリシャ（セリウムパッドＭＨＣ１５：スピードファ
ム社製）を用い、以下の研磨条件で第１研磨工程を実施
した。
【００４９】 研磨液：酸化セリウム（粒径約１μｍ）＋水 荷重：１５０〜３００ｇ／ｃｍ２（Ｌ＝２３８ｋｇ） 研磨時間：１５〜３０分 除去量：２５〜４５μｍ 下定盤回転数：４０ｒｐｍ 上定盤回転数：３５ｒｐｍ 内ギア回転数：１４ｒｐｍ 外ギア回転数：２９ｒｐｍ 上記第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純
水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ
（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
尚、この洗浄工程は、次の第２研磨工程における研磨液
が一緒の場合、省略することが可能である。
水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ
（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
尚、この洗浄工程は、次の第２研磨工程における研磨液
が一緒の場合、省略することが可能である。
【００５０】（５）第２研磨工程 次に、第１研磨工程で使用した研磨装置を用い、ポリシ
ャを硬質ポリシャから軟質ポリシャ（ポリラックス：ス
ピードファム社製：粒径約０．８μｐｍ）に替えて、第
２研磨工程を実施した。研磨条件は、荷重を２５〜１５
０ｇ／ｃｍ２、研磨時間を５〜２０分、除去量を２．５
〜１０μｍとしたこと以外は、第１研磨工程と同様とし
た。
ャを硬質ポリシャから軟質ポリシャ（ポリラックス：ス
ピードファム社製：粒径約０．８μｐｍ）に替えて、第
２研磨工程を実施した。研磨条件は、荷重を２５〜１５
０ｇ／ｃｍ２、研磨時間を５〜２０分、除去量を２．５
〜１０μｍとしたこと以外は、第１研磨工程と同様とし
た。
【００５１】上記第２研磨工程を終えたガラス基板を、
中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピ
ルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次
浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には超音波を印加
した。
中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピ
ルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次
浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には超音波を印加
した。
【００５２】（６）第３研磨工程 次に、第２研磨工程で使用した研磨装置を用い、超軟質
ポリシャ（研磨粉：０．５μｍ以下）に替えて、第３研
磨工程を実施した。研磨条件は、研磨液をコロイダルシ
リカ（粒径０．２μｍ以下）＋水に替え、荷重を２５〜
１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間を５〜２０分、除去量を１
〜５μｍとしたこと以外は、第２研磨工程と同様とし
た。
ポリシャ（研磨粉：０．５μｍ以下）に替えて、第３研
磨工程を実施した。研磨条件は、研磨液をコロイダルシ
リカ（粒径０．２μｍ以下）＋水に替え、荷重を２５〜
１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間を５〜２０分、除去量を１
〜５μｍとしたこと以外は、第２研磨工程と同様とし
た。
【００５３】上記超精密研磨工程を終えたガラス基板
を、中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に
順次浸漬して、洗浄した。この場合、各洗浄槽には超音
波を印加した。
を、中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプ
ロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に
順次浸漬して、洗浄した。この場合、各洗浄槽には超音
波を印加した。
【００５４】なお、第３研磨工程に使用する研磨剤（砥
粒）は、粒径の小さなものが望ましく、好ましくは０．
１５μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下のもの
が良い。
粒）は、粒径の小さなものが望ましく、好ましくは０．
１５μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下のもの
が良い。
【００５５】また、上記説明で掲げた硬質ポリシャ及び
軟質ポリシャとしては、上述のものに限られず、硬質ポ
リシャとしては、例えば、硬質ベロア、ウレタン発泡、
ピッチ含浸スウェード等が挙げられ、軟質ポリシャとし
ては、，例えば、スウェード、ベロアを素材とするもの
等が挙げられる。さらに、研磨剤（砥粒）としては、酸
化セリウム、アルミナ、べんがら、酸化クロム、酸化ジ
ルコニウム、酸化チタン、コロイダルシリカ等が挙げら
れる。
軟質ポリシャとしては、上述のものに限られず、硬質ポ
リシャとしては、例えば、硬質ベロア、ウレタン発泡、
ピッチ含浸スウェード等が挙げられ、軟質ポリシャとし
ては、，例えば、スウェード、ベロアを素材とするもの
等が挙げられる。さらに、研磨剤（砥粒）としては、酸
化セリウム、アルミナ、べんがら、酸化クロム、酸化ジ
ルコニウム、酸化チタン、コロイダルシリカ等が挙げら
れる。
【００５６】ここで、上述の第１〜３研磨工程に使用す
る研磨液の研磨剤（砥粒）の粒径は、上記使用したもの
に限らず、第１研磨工程では粒径１〜３μｍ、第２研磨
工程では粒径０．５〜２μｍ、第３研磨工程では０．５
μｍ以下の範囲内で適宜調整して行われる。上記範囲の
研磨剤（砥粒）を使用することによって、平滑で且つ粗
さにばらつきのない基板を効率よく平面処理することが
できる。
る研磨液の研磨剤（砥粒）の粒径は、上記使用したもの
に限らず、第１研磨工程では粒径１〜３μｍ、第２研磨
工程では粒径０．５〜２μｍ、第３研磨工程では０．５
μｍ以下の範囲内で適宜調整して行われる。上記範囲の
研磨剤（砥粒）を使用することによって、平滑で且つ粗
さにばらつきのない基板を効率よく平面処理することが
できる。
【００５７】（７）化学強化工程 次に、上記研削、研磨工程を終えたガラス基板に化学強
化を施した。
化を施した。
【００５８】化学強化は、硝酸セリウム（６０％）と硝
酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意
し、この化学強化溶液を４００℃に加熱し、３００℃に
予熱された洗浄済みのガラス基板を約３時間浸漬して行
った。この浸漬の際に、ガラス基板の表面全体が化学強
化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保
持されるようにホルダーに収納した状態で行った。
酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意
し、この化学強化溶液を４００℃に加熱し、３００℃に
予熱された洗浄済みのガラス基板を約３時間浸漬して行
った。この浸漬の際に、ガラス基板の表面全体が化学強
化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保
持されるようにホルダーに収納した状態で行った。
【００５９】このように、化学強化溶液に浸漬処理する
ことによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナト
リウムイオンは、化学強化溶液中のナトリウムイオン、
カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化さ
れる。
ことによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナト
リウムイオンは、化学強化溶液中のナトリウムイオン、
カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化さ
れる。
【００６０】ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層
の厚さは、約１００〜２００μｍであった。
の厚さは、約１００〜２００μｍであった。
【００６１】上記化学強化を終えたガラス基板を、２０
℃の水槽に浸漬して急冷し約１０分間維持した。
℃の水槽に浸漬して急冷し約１０分間維持した。
【００６２】上記急冷を終えたガラス基板を、約４０℃
に加熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行
い、基板主表面を超精密研磨したガラス基板を得た。
に加熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行
い、基板主表面を超精密研磨したガラス基板を得た。
【００６３】以上のような条件で研磨工程を数段階に別
けて行い、かつ、各段階で用いる研磨砥粒の粒径を通常
の場合よりも細かい径のものを用いることにより、スー
パースムーズの表面を有するガラス基板を得ることがで
き、また、生産効率も格段に向上させることができる。
けて行い、かつ、各段階で用いる研磨砥粒の粒径を通常
の場合よりも細かい径のものを用いることにより、スー
パースムーズの表面を有するガラス基板を得ることがで
き、また、生産効率も格段に向上させることができる。
【００６４】このときのガラス基板主表面の表面粗さを
測定したところ、Ｒｍａｘで２．６ｎｍ、Ｒａで０．２
３ｎｍ、表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）は１１．３で
あった。尚、表面粗さは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測
定を行った。
測定したところ、Ｒｍａｘで２．６ｎｍ、Ｒａで０．２
３ｎｍ、表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）は１１．３で
あった。尚、表面粗さは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測
定を行った。
【００６５】なお、以上の例では第３研磨工程は化学強
化工程の前に行う場合を説明したが、化学強化によるガ
ラス基板の析出塩発生に伴う膜下欠陥を防止する意味
で、第３研磨工程を化学強化工程の後に行ってもよい。
化工程の前に行う場合を説明したが、化学強化によるガ
ラス基板の析出塩発生に伴う膜下欠陥を防止する意味
で、第３研磨工程を化学強化工程の後に行ってもよい。
【００６６】（８）磁気ディスク製造工程 次に、上記ガラス基板に対し、ガラス基板の加熱処理、
第１下地層の成膜、第２下地層の成膜、凹凸形成層の成
膜、第３下地層の成膜、磁性層の成膜及び保護層の成膜
の各工程を、インライン型スパッタリング装置を用いて
連続的に行う。
第１下地層の成膜、第２下地層の成膜、凹凸形成層の成
膜、第３下地層の成膜、磁性層の成膜及び保護層の成膜
の各工程を、インライン型スパッタリング装置を用いて
連続的に行う。
【００６７】このインライン型スパッタリング装置は、
図示しないが、搬送方向に向かって、基板加 熱ヒータ
ーが設けられた第１のチャンバー、Ａｌターゲット、Ｃ
ｒターゲット、及びＡｌターゲットが設置された第２の
チャンバー、加熱ヒータが設置された第３のチャンバ
ー、Ｃｒターゲット、ＣｒＭｏターゲット（Ｃｒ：９４
ａｔ％、Ｍｏ：６ａｔ％）及びＣｏＣｒＰｔＴａターゲ
ット（Ｃｏ：７８ａｔ％、Ｃｒ：１３ａｔ％、Ｐｔ：６
ａｔ％、Ｔａ：３ａｔ％）が順次設置された第４のチャ
ンバー、並びにカーボンターゲットが設置された第５の
チャンバーがそれぞれ設けられたものである。
図示しないが、搬送方向に向かって、基板加 熱ヒータ
ーが設けられた第１のチャンバー、Ａｌターゲット、Ｃ
ｒターゲット、及びＡｌターゲットが設置された第２の
チャンバー、加熱ヒータが設置された第３のチャンバ
ー、Ｃｒターゲット、ＣｒＭｏターゲット（Ｃｒ：９４
ａｔ％、Ｍｏ：６ａｔ％）及びＣｏＣｒＰｔＴａターゲ
ット（Ｃｏ：７８ａｔ％、Ｃｒ：１３ａｔ％、Ｐｔ：６
ａｔ％、Ｔａ：３ａｔ％）が順次設置された第４のチャ
ンバー、並びにカーボンターゲットが設置された第５の
チャンバーがそれぞれ設けられたものである。
【００６８】そして、チタン等からなるパレットに、上
記のガラス基板を５０枚装着し、ロードロック室を介し
て第１のチャンバー内に導入すると、これらのガラス基
板は所定の搬送装置によって上記各チャンバー内を次々
と所定の一定速度で搬送され、その間に以下の条件等で
成膜や処理がなされる。
記のガラス基板を５０枚装着し、ロードロック室を介し
て第１のチャンバー内に導入すると、これらのガラス基
板は所定の搬送装置によって上記各チャンバー内を次々
と所定の一定速度で搬送され、その間に以下の条件等で
成膜や処理がなされる。
【００６９】即ち、第１のチャンバー内では、基板を３
５０℃で２分間加熱する処理がなされる。第２のチャン
バー内では、第１下地層２たる平均膜厚５ｎｍのＡｌ
膜、第２下地層３たる膜厚２０ｎｍのＣｒ膜、凹凸形成
層４たる平均膜厚５ｎｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２４ｎ
ｍのＡｌからなる連続したテクスチャー膜が成膜され
る。第３のチャンバー内では３５０℃で１分間の加熱処
理がなされる。第４のチャンバー内では第３下地層５た
る平均膜厚５０ｎｍのＣｒ膜５ａ及び、平均膜厚３０ｎ
ｍのＣｒＭｏ膜５ｂ、磁性層６たる平均膜厚２４ｎｍの
ＣｏＣｒＰｔＴａ膜が順次成膜される。第５のチャンバ
ー内では保護層７を構成する平均膜厚１５ｎｍのカーボ
ン膜が順次成膜される。
５０℃で２分間加熱する処理がなされる。第２のチャン
バー内では、第１下地層２たる平均膜厚５ｎｍのＡｌ
膜、第２下地層３たる膜厚２０ｎｍのＣｒ膜、凹凸形成
層４たる平均膜厚５ｎｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２４ｎ
ｍのＡｌからなる連続したテクスチャー膜が成膜され
る。第３のチャンバー内では３５０℃で１分間の加熱処
理がなされる。第４のチャンバー内では第３下地層５た
る平均膜厚５０ｎｍのＣｒ膜５ａ及び、平均膜厚３０ｎ
ｍのＣｒＭｏ膜５ｂ、磁性層６たる平均膜厚２４ｎｍの
ＣｏＣｒＰｔＴａ膜が順次成膜される。第５のチャンバ
ー内では保護層７を構成する平均膜厚１５ｎｍのカーボ
ン膜が順次成膜される。
【００７０】尚、上記の第２、第４、第５チャンバー内
のスパッタリング条件は、スパッタ圧力が第２のチャン
バー内では５ｍＴｏｒｒ、第４のチャンバー内では３ｍ
Ｔｏｒｒ、第５のチャンバー内では５ｍＴｏｒｒであ
り、第２、第４チャンバーのスパッタ雰囲気はアルゴン
の不活性ガスとし、第５チャンバーのスパッタ雰囲気
は、アルゴンの不活性ガス又は、アルゴンに１〜２５％
の水素及び／又は窒素が混合された混合ガスか、アルゴ
ンに１〜２５％の炭化水素ガス（メタン等）が混合され
た混合ガスが使用される。また、各スパッタ電力は、第
３のチャンバーでは２００Ｗ、第５のチャンバーでは２
００Ｗ、第６のチャンバーでは１００Ｗとした。
のスパッタリング条件は、スパッタ圧力が第２のチャン
バー内では５ｍＴｏｒｒ、第４のチャンバー内では３ｍ
Ｔｏｒｒ、第５のチャンバー内では５ｍＴｏｒｒであ
り、第２、第４チャンバーのスパッタ雰囲気はアルゴン
の不活性ガスとし、第５チャンバーのスパッタ雰囲気
は、アルゴンの不活性ガス又は、アルゴンに１〜２５％
の水素及び／又は窒素が混合された混合ガスか、アルゴ
ンに１〜２５％の炭化水素ガス（メタン等）が混合され
た混合ガスが使用される。また、各スパッタ電力は、第
３のチャンバーでは２００Ｗ、第５のチャンバーでは２
００Ｗ、第６のチャンバーでは１００Ｗとした。
【００７１】次いで、保護層の形成までの工程を終えた
基板を、上記インライン型スパッタリング装置から取り
出し、その保護層の表面に、浸漬法によってパーフルオ
ロポリエーテルを塗布し、平均膜厚１ｎｍの潤滑層を形
成して実施例１にかかる磁気記録媒体を得た。
基板を、上記インライン型スパッタリング装置から取り
出し、その保護層の表面に、浸漬法によってパーフルオ
ロポリエーテルを塗布し、平均膜厚１ｎｍの潤滑層を形
成して実施例１にかかる磁気記録媒体を得た。
【００７２】また、これら得られた各磁気記録媒体の半
径２２ｍｍのところにおける０°、９０°、１８０°、
２７０°（パレット装着によって形成されるスパッタマ
ークの中心を０°とする。）の磁気特性及び記録再生特
性を測定したところ、各地点、各磁気記録媒体の保磁力
は１９００〜２０００ Ｏｅの範囲に分布し、Ｓ／Ｎ比
は２４．２〜２５．８ｄＢの範囲に分布していた。製造
工程の安定性を示す工程能力指数Ｃｐ（＝｛（上限規
格）−（下限規格）｝／６σ；両側規格の場合、｛（平
均値）−（下限規格）｝／３σ；下限規格の場合）を評
価すると、保磁力（Ｈｃ）は、１９５０±１００ Ｏｅ
の両側規格に対して２．４、Ｓ／Ｎは１９ｄＢ以上の下
限規格に対して５．３となり、各磁気記録媒体における
面内分布、パレット内における磁気記録媒体の磁気特性
のバラツキが抑えられ、且つ、磁気特性が良好な磁気記
録媒体が得られるばかりでなく、製造工程の安定性が向
上した。また、荷重３ｇの７０％ヘッドスライダーを用
いた１０万回のＣＳＳ耐久試験においても、磁気記録媒
体と磁気ヘッドとの間で吸着現象は起こらず、またヘッ
ドクラッシュも発生することなく、高ＣＳＳ耐久性を有
する磁気記録媒体が得られた。
径２２ｍｍのところにおける０°、９０°、１８０°、
２７０°（パレット装着によって形成されるスパッタマ
ークの中心を０°とする。）の磁気特性及び記録再生特
性を測定したところ、各地点、各磁気記録媒体の保磁力
は１９００〜２０００ Ｏｅの範囲に分布し、Ｓ／Ｎ比
は２４．２〜２５．８ｄＢの範囲に分布していた。製造
工程の安定性を示す工程能力指数Ｃｐ（＝｛（上限規
格）−（下限規格）｝／６σ；両側規格の場合、｛（平
均値）−（下限規格）｝／３σ；下限規格の場合）を評
価すると、保磁力（Ｈｃ）は、１９５０±１００ Ｏｅ
の両側規格に対して２．４、Ｓ／Ｎは１９ｄＢ以上の下
限規格に対して５．３となり、各磁気記録媒体における
面内分布、パレット内における磁気記録媒体の磁気特性
のバラツキが抑えられ、且つ、磁気特性が良好な磁気記
録媒体が得られるばかりでなく、製造工程の安定性が向
上した。また、荷重３ｇの７０％ヘッドスライダーを用
いた１０万回のＣＳＳ耐久試験においても、磁気記録媒
体と磁気ヘッドとの間で吸着現象は起こらず、またヘッ
ドクラッシュも発生することなく、高ＣＳＳ耐久性を有
する磁気記録媒体が得られた。
【００７３】尚、保磁力（Ｈｃ）の測定は、製造した磁
気記録媒体から８ｍｍφの試料を切り出して膜面方向に
磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印加磁
場１０ｋＯｅで測定した。
気記録媒体から８ｍｍφの試料を切り出して膜面方向に
磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印加磁
場１０ｋＯｅで測定した。
【００７４】また、記録再生特性（Ｓ／Ｎ比）の測定は
次のようにして行った。即ち、得られた磁気ディスクを
用いて、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍのＭＲ（磁
気抵抗効果型）ヘッドを用い、ＭＲヘッドと磁気ディス
クの相対速度を９．６ｍ／ｓで線記録密度１２０ｋｆｃ
ｌ（１インチあたり１２０，０００ビットの線記録密
度）における記録再生出力を測定した。また、キャリア
周波数２３ＭＨｚで、測定帯域を２６ＭＨｚとしてスペ
クトルアナライザーにより、信号記録再生時の媒体ノイ
ズを測定し、Ｓ／Ｎ比を算出した。本測定に用いたＭＲ
ヘッドは、書込み／読取り側にそれぞれトラック幅３．
１／２．４μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．３５／０．
２８μｍである。尚、以後に示す実施例及び比較例にお
ける表面粗さ、結晶粒径、保磁力、Ｓ／Ｎ比の測定は上
述の方法で行った。
次のようにして行った。即ち、得られた磁気ディスクを
用いて、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍのＭＲ（磁
気抵抗効果型）ヘッドを用い、ＭＲヘッドと磁気ディス
クの相対速度を９．６ｍ／ｓで線記録密度１２０ｋｆｃ
ｌ（１インチあたり１２０，０００ビットの線記録密
度）における記録再生出力を測定した。また、キャリア
周波数２３ＭＨｚで、測定帯域を２６ＭＨｚとしてスペ
クトルアナライザーにより、信号記録再生時の媒体ノイ
ズを測定し、Ｓ／Ｎ比を算出した。本測定に用いたＭＲ
ヘッドは、書込み／読取り側にそれぞれトラック幅３．
１／２．４μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．３５／０．
２８μｍである。尚、以後に示す実施例及び比較例にお
ける表面粗さ、結晶粒径、保磁力、Ｓ／Ｎ比の測定は上
述の方法で行った。
【００７５】実施例２〜４、比較例１〜４ 次に、研磨条件を変化させて、ガラス基板の表面粗さを
変化させた他は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製し、これらを実施例２〜４及び比較例１〜４とし
て、それぞれの場合について、ガラス基板主表面の表面
粗さＲａ（ｎｍ）、Ｒｍａｘ（ｎｍ）、Ｒｍａｘ／Ｒ
ａ、保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）、Ｓ／Ｎ比（ｄＢ）、Ｃｐ、Ｃ
ＳＳ耐久試験の結果を表にまとめて図２に示した。
変化させた他は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を
作製し、これらを実施例２〜４及び比較例１〜４とし
て、それぞれの場合について、ガラス基板主表面の表面
粗さＲａ（ｎｍ）、Ｒｍａｘ（ｎｍ）、Ｒｍａｘ／Ｒ
ａ、保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）、Ｓ／Ｎ比（ｄＢ）、Ｃｐ、Ｃ
ＳＳ耐久試験の結果を表にまとめて図２に示した。
【００７６】上述の結果の通り、実施例では保磁力Ｈｃ
が１８５０〜２０５０（Ｏｅ）以内、Ｓ／Ｎ比が１９
（ｄＢ）以上となり、Ｃｐも１．３を超え磁気特性のバ
ラツキが抑えられたとともに、安定して磁気記録媒体を
製造できるようになった。一方、比較例では、Ｒｍａｘ
／Ｒａが１０未満による磁気ヘッドと磁気記録媒体との
間で吸着が発生し、ＣＳＳ耐久性が良好でないばかりで
なく、Ｒｍａｘ及び／又はＲａが大きいことにともなう
保磁力（Ｏｅ）、Ｓ／Ｎ比（ｄＢ）の各磁気記録媒体に
おける磁気特性のバラツキが大きくなり、安定した磁気
記録媒体が製造できないことがわかる。
が１８５０〜２０５０（Ｏｅ）以内、Ｓ／Ｎ比が１９
（ｄＢ）以上となり、Ｃｐも１．３を超え磁気特性のバ
ラツキが抑えられたとともに、安定して磁気記録媒体を
製造できるようになった。一方、比較例では、Ｒｍａｘ
／Ｒａが１０未満による磁気ヘッドと磁気記録媒体との
間で吸着が発生し、ＣＳＳ耐久性が良好でないばかりで
なく、Ｒｍａｘ及び／又はＲａが大きいことにともなう
保磁力（Ｏｅ）、Ｓ／Ｎ比（ｄＢ）の各磁気記録媒体に
おける磁気特性のバラツキが大きくなり、安定した磁気
記録媒体が製造できないことがわかる。
【００７７】実施例５〜１１、比較例５〜９ 次に、研磨条件を変化させて、ガラス基板の表面粗さを
変化させ、また、第１下地層２の平均膜厚を１ｎｍ、凹
凸形成層の表面粗さ（Ｒｍａｘ）を２４ｎｍにした他
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し、これ
らを実施例５〜１１及び比較例５〜９として、それぞれ
の場合について、ガラス基板主表面の表面粗さＲａ（ｎ
ｍ）、Ｒｍａｘ（ｎｍ）、Ｒｑ（ｎｍ）、Ｒｍａｘ／Ｒ
ａ、磁性層の平均結晶粒径（ｎｍ）、Ｓ／Ｎ比（ｄ
Ｂ）、ヘッドクラッシュの有無等を表にまとめて図３に
示した。
変化させ、また、第１下地層２の平均膜厚を１ｎｍ、凹
凸形成層の表面粗さ（Ｒｍａｘ）を２４ｎｍにした他
は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製し、これ
らを実施例５〜１１及び比較例５〜９として、それぞれ
の場合について、ガラス基板主表面の表面粗さＲａ（ｎ
ｍ）、Ｒｍａｘ（ｎｍ）、Ｒｑ（ｎｍ）、Ｒｍａｘ／Ｒ
ａ、磁性層の平均結晶粒径（ｎｍ）、Ｓ／Ｎ比（ｄ
Ｂ）、ヘッドクラッシュの有無等を表にまとめて図３に
示した。
【００７８】実施例５の磁気記録媒体の磁性層の平均結
晶粒径を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて表面観察
による計測したところ、下地層の結晶粒そのまま反映さ
れており、その粒径は１１ｎｍであり、また、磁性結晶
粒の結晶粒径の分布を調べたところ、最も多く分布する
粒径の点からの半値幅は２０ｎｍ以下という結晶粒径の
そろった磁性層を得ることができた（尚、この磁性結晶
粒の結晶粒径の分布については、 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｚａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ．ＶＯＬ．
３２，ＮＯ．５「Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ／Ｍａ
ｇｎｅｔｉｃＰｒｏｐｅｒｔｙ Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈ
ｉｐｓ ｉｎ ＣｏＣｒＰｔ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｈ
ｉｎ Ｆｉｌｍｓ／Ｍａｒｙ Ｄｏｅｒｎｅｒ」」の論
文等に掲載されているＴＥＭによる磁性結晶粒径分布と
同様の測定により、Ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ Ｇｒａｉｎｓ
をフ゜ロットし、そのＮｕｍｂｅｒ ｏｆ Ｇｒａｉｎ
ｓの最高値からの半値幅で結晶粒径の分布の度合いを評
価した。）。また、この得られた磁気記録媒体の磁気特
性と記録再生特性を測定したところ、保磁力が２３００
Ｏｅ、Ｓ／Ｎ比が２４．７ｄＢという良好な磁気記録
媒体が得られた。また、荷重３ｇの７０％ヘット゛スラ
イタ゛ーを用いた１０万回のＣＳＳ耐久試験において
も、磁気記録媒体と磁気ヘット゛との間で吸着現象は起
こらず、またヘット゛クラッシュも発生することなく、
高ＣＳＳ耐久性を有する磁気記録媒体が得られた。
晶粒径を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて表面観察
による計測したところ、下地層の結晶粒そのまま反映さ
れており、その粒径は１１ｎｍであり、また、磁性結晶
粒の結晶粒径の分布を調べたところ、最も多く分布する
粒径の点からの半値幅は２０ｎｍ以下という結晶粒径の
そろった磁性層を得ることができた（尚、この磁性結晶
粒の結晶粒径の分布については、 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｚａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ．ＶＯＬ．
３２，ＮＯ．５「Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ／Ｍａ
ｇｎｅｔｉｃＰｒｏｐｅｒｔｙ Ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈ
ｉｐｓ ｉｎ ＣｏＣｒＰｔ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｈ
ｉｎ Ｆｉｌｍｓ／Ｍａｒｙ Ｄｏｅｒｎｅｒ」」の論
文等に掲載されているＴＥＭによる磁性結晶粒径分布と
同様の測定により、Ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ Ｇｒａｉｎｓ
をフ゜ロットし、そのＮｕｍｂｅｒ ｏｆ Ｇｒａｉｎ
ｓの最高値からの半値幅で結晶粒径の分布の度合いを評
価した。）。また、この得られた磁気記録媒体の磁気特
性と記録再生特性を測定したところ、保磁力が２３００
Ｏｅ、Ｓ／Ｎ比が２４．７ｄＢという良好な磁気記録
媒体が得られた。また、荷重３ｇの７０％ヘット゛スラ
イタ゛ーを用いた１０万回のＣＳＳ耐久試験において
も、磁気記録媒体と磁気ヘット゛との間で吸着現象は起
こらず、またヘット゛クラッシュも発生することなく、
高ＣＳＳ耐久性を有する磁気記録媒体が得られた。
【００７９】尚、保磁力（Ｈｃ）の測定は、製造した磁
気記録媒体から８ｍｍφの試料を切り出して膜面方向に
磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印加磁
場１０ｋＯｅで測定した。
気記録媒体から８ｍｍφの試料を切り出して膜面方向に
磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印加磁
場１０ｋＯｅで測定した。
【００８０】また、記録再生特性（Ｓ／Ｎ比）の測定は
次のようにして行った。即ち、得られた磁気ディスクを
用いて、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍのＭＲ（磁
気抵抗効果型）ヘッドを用い、ＭＲヘッドと磁気ディス
クの相対速度を９．６ｍ／ｓで線記録密度１２０ｋｆｃ
ｉ（１インチあたり１２００００ビットの線記録密度）
における記録再生出力を測定した。また、キャリア周波
数２３ＭＨｚで、測定帯域を２６ＭＨｚとしてスペクト
ルアナライザーにより、信号記録再生時の媒体ノイズを
測定し、Ｓ／Ｎ比を算出した。本測定に用いたＭＲヘッ
ドは、書込み／読取り側にそれぞれトラック幅３．１／
２．４μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．３５／０．２８
μｍである。尚、以後に示す実施例及び比較例における
表面粗さ、結晶粒径、保磁力、Ｓ／Ｎ比の測定は上述の
方法で行った。尚、実施例６〜１１及び比較例５〜９に
おける磁気記録媒体の保磁力を測定したが、２０００
（Ｏｅ）以上という高い保磁力を有していた。
次のようにして行った。即ち、得られた磁気ディスクを
用いて、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍのＭＲ（磁
気抵抗効果型）ヘッドを用い、ＭＲヘッドと磁気ディス
クの相対速度を９．６ｍ／ｓで線記録密度１２０ｋｆｃ
ｉ（１インチあたり１２００００ビットの線記録密度）
における記録再生出力を測定した。また、キャリア周波
数２３ＭＨｚで、測定帯域を２６ＭＨｚとしてスペクト
ルアナライザーにより、信号記録再生時の媒体ノイズを
測定し、Ｓ／Ｎ比を算出した。本測定に用いたＭＲヘッ
ドは、書込み／読取り側にそれぞれトラック幅３．１／
２．４μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．３５／０．２８
μｍである。尚、以後に示す実施例及び比較例における
表面粗さ、結晶粒径、保磁力、Ｓ／Ｎ比の測定は上述の
方法で行った。尚、実施例６〜１１及び比較例５〜９に
おける磁気記録媒体の保磁力を測定したが、２０００
（Ｏｅ）以上という高い保磁力を有していた。
【００８１】比較例５、７では、ガラス基板の表面粗さ
Ｒａが１．０ｎｍより大きくなったこと及び／又はＲｑ
が１．５ｎｍより大きくなったことに起因してその上に
形成される下地層の結晶粒径が不規則かつ異常成長して
大きくなったことによって、磁性層の結晶粒径が大き
く、ばらつきが発生し、Ｓ／Ｎ比が低下したものと思わ
れる。
Ｒａが１．０ｎｍより大きくなったこと及び／又はＲｑ
が１．５ｎｍより大きくなったことに起因してその上に
形成される下地層の結晶粒径が不規則かつ異常成長して
大きくなったことによって、磁性層の結晶粒径が大き
く、ばらつきが発生し、Ｓ／Ｎ比が低下したものと思わ
れる。
【００８２】比較例６では、ガラス基板の表面粗さＲｍ
ａｘが１５．０ｎｍより大きくなったことにより、それ
が磁気ディスク表面に影響されるため、磁気ヘッドの低
浮上走行が実現できず、記録再生特性が悪化するばかり
か、異常な結晶粒成長によるＳ／Ｎ比の悪化とヘッドク
ラッシュが発生してしまうので好ましくない。
ａｘが１５．０ｎｍより大きくなったことにより、それ
が磁気ディスク表面に影響されるため、磁気ヘッドの低
浮上走行が実現できず、記録再生特性が悪化するばかり
か、異常な結晶粒成長によるＳ／Ｎ比の悪化とヘッドク
ラッシュが発生してしまうので好ましくない。
【００８３】比較例８では、ガラス基板の表面粗さＲｍ
ａｘが大きいことによる磁気ヘッドの低浮上走行が実現
しないこと、また、ＲａとＲｍａｘとの差が大きいこと
に起因してその上に形成される磁性層の結晶粒径が局所
的に異常成長したことによるＳ／Ｎ比の悪化や、異常突
起にともなうヘッドクラシュが発生してしまい好ましく
ない。
ａｘが大きいことによる磁気ヘッドの低浮上走行が実現
しないこと、また、ＲａとＲｍａｘとの差が大きいこと
に起因してその上に形成される磁性層の結晶粒径が局所
的に異常成長したことによるＳ／Ｎ比の悪化や、異常突
起にともなうヘッドクラシュが発生してしまい好ましく
ない。
【００８４】比較例９では、上述の比較例５〜８の場合
と同様に、磁性層の結晶粒径が大きくなったことや結晶
粒径のばらつきによるＳ／Ｎ比の悪化と、磁気ヘッドの
低浮上走行が実現できず、またヘッドクラシュが発生し
てしまうので好ましくない。
と同様に、磁性層の結晶粒径が大きくなったことや結晶
粒径のばらつきによるＳ／Ｎ比の悪化と、磁気ヘッドの
低浮上走行が実現できず、またヘッドクラシュが発生し
てしまうので好ましくない。
【００８５】尚、実施例６〜１０についても実施例５と
同様に、磁性層結晶粒の結晶粒径の分布を測定したとこ
ろ、実施例５と同様の結果となり、結晶粒径のそろった
磁性層が形成されていた。また、比較例５〜９の磁性層
結晶粒の結晶粒径の分布を測定したことろ、結晶粒径が
ばらばらであった。
同様に、磁性層結晶粒の結晶粒径の分布を測定したとこ
ろ、実施例５と同様の結果となり、結晶粒径のそろった
磁性層が形成されていた。また、比較例５〜９の磁性層
結晶粒の結晶粒径の分布を測定したことろ、結晶粒径が
ばらばらであった。
【００８６】以上の結果から、磁気特性及び、記録再生
特性が良好で且つ、ヘッドクラッシュが発生しない信頼
性の極めて高い磁気記録媒体を得るためには、ガラス基
板の表面粗さをＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒ
ｑ≦１．５ｎｍにすることが必要である。好ましくはガ
ラス基板の表面粗さを、Ｒｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦
０．５ｎｍ、Ｒｑ≦０．７ｎｍ、さらに好ましくは、Ｒ
ｍａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍ、Ｒｑ≦０．４ｎｍ
にすることが望ましい。
特性が良好で且つ、ヘッドクラッシュが発生しない信頼
性の極めて高い磁気記録媒体を得るためには、ガラス基
板の表面粗さをＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒ
ｑ≦１．５ｎｍにすることが必要である。好ましくはガ
ラス基板の表面粗さを、Ｒｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦
０．５ｎｍ、Ｒｑ≦０．７ｎｍ、さらに好ましくは、Ｒ
ｍａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍ、Ｒｑ≦０．４ｎｍ
にすることが望ましい。
【００８７】また、同様に信頼性の極めて高い磁気記録
媒体を得るためには、ガラス基板の表面粗さをＲｍａｘ
≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｍａｘ／Ｒａ≦３０に
し、磁性層の平均結晶粒径を５〜３０ｎｍにしなければ
ならないことがわかる。好ましいガラス基板の表面粗さ
はＲｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．５ｎｍ、さらに好ま
しくは、Ｒｍａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍにするこ
とが望ましい。
媒体を得るためには、ガラス基板の表面粗さをＲｍａｘ
≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｍａｘ／Ｒａ≦３０に
し、磁性層の平均結晶粒径を５〜３０ｎｍにしなければ
ならないことがわかる。好ましいガラス基板の表面粗さ
はＲｍａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．５ｎｍ、さらに好ま
しくは、Ｒｍａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍにするこ
とが望ましい。
【００８８】実施例１２〜１５及び比較例９〜１３ 次に、ガラス基板表面粗さの凹凸形成層４に対する影響
を調べるために凹凸形成層４の膜厚を変えた磁気記録媒
体を作製し、これらを実施例１２〜１５及び比較例９〜
１３とした。すなわち、上述の実施例５のガラス基板を
使用し、凹凸形成層の平均膜厚を５ｎｍ（実施例５）、
６．５ｎｍ（実施例１２）、６ｎｍ（実施例１３）、
４．５ｎｍ（実施例１４）、４ｎｍ（実施例１５）と変
化させた他は実施例５と同様に磁気記録媒体を作製し
た。
を調べるために凹凸形成層４の膜厚を変えた磁気記録媒
体を作製し、これらを実施例１２〜１５及び比較例９〜
１３とした。すなわち、上述の実施例５のガラス基板を
使用し、凹凸形成層の平均膜厚を５ｎｍ（実施例５）、
６．５ｎｍ（実施例１２）、６ｎｍ（実施例１３）、
４．５ｎｍ（実施例１４）、４ｎｍ（実施例１５）と変
化させた他は実施例５と同様に磁気記録媒体を作製し
た。
【００８９】次に、本発明の範囲から外れている例とし
て比較例５のガラス基板を使用し、凹凸形成層４の平均
膜厚を５ｎｍ（比較例９）、６．５ｎｍ（比較例１
０）、６ｎｍ（比較例１１）、４．５ｎｍ（比較例１
２）、４ｎｍ（比較例１３）と変化させた他は実施例１
と同様に磁気記録媒体を作製した。
て比較例５のガラス基板を使用し、凹凸形成層４の平均
膜厚を５ｎｍ（比較例９）、６．５ｎｍ（比較例１
０）、６ｎｍ（比較例１１）、４．５ｎｍ（比較例１
２）、４ｎｍ（比較例１３）と変化させた他は実施例１
と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００９０】これら得られた磁気記録媒体の凹凸形成層
４の平均膜厚（ｎｍ）、凹凸形成層４の表面粗さ（Ｒｍ
ａｘ）及び凹凸形成層４の表面の（Ｒｑ／Ｒａ）の値を
表にしてそれぞれ図４及び図５に示し、また、それぞれ
について凹凸形成層４の平均膜厚（ｎｍ）とその表面粗
さ（Ｒｍａｘ）との関係をグラフにして図６及び図７に
示す。
４の平均膜厚（ｎｍ）、凹凸形成層４の表面粗さ（Ｒｍ
ａｘ）及び凹凸形成層４の表面の（Ｒｑ／Ｒａ）の値を
表にしてそれぞれ図４及び図５に示し、また、それぞれ
について凹凸形成層４の平均膜厚（ｎｍ）とその表面粗
さ（Ｒｍａｘ）との関係をグラフにして図６及び図７に
示す。
【００９１】これらの結果から判るように、実施例のガ
ラス基板では、凹凸形成層の膜厚と表面粗さがほぼ直線
関係にあるので、高いＣＳＳ耐久性を得るための表面粗
さの制御が容易にでき、かつ信頼性の高い磁気記録媒体
が得られるのに対し、表面粗さが大きいガラス基板（比
較例）では、凹凸形成層の膜厚と表面粗さの関係がばら
ばらであるので、凹凸形成層の表面粗さを制御すること
は極めて困難であるばかりでなく、信頼性に乏しい。ま
た、凹凸形成層の表面粗さの比（Ｒｑ／Ｒａ）について
各実施例、比較例をみると、基板の表面粗さのばらつき
による凹凸形成層の異常突起、表面粗さのばらつきが発
生し、実施例のものについては基板表面あらさが良好で
あるため、凹凸形成層については、Ｒｑ／Ｒａ≦１．５
となりそのときヘッドクラッシュは発生していないが、
比較例のものについては、基板表面粗さのばらつきや、
異常突起により、Ｒｑ／Ｒａ＞１．５となり、そのとき
ヘッドクラッシュが発生していることがわかる。
ラス基板では、凹凸形成層の膜厚と表面粗さがほぼ直線
関係にあるので、高いＣＳＳ耐久性を得るための表面粗
さの制御が容易にでき、かつ信頼性の高い磁気記録媒体
が得られるのに対し、表面粗さが大きいガラス基板（比
較例）では、凹凸形成層の膜厚と表面粗さの関係がばら
ばらであるので、凹凸形成層の表面粗さを制御すること
は極めて困難であるばかりでなく、信頼性に乏しい。ま
た、凹凸形成層の表面粗さの比（Ｒｑ／Ｒａ）について
各実施例、比較例をみると、基板の表面粗さのばらつき
による凹凸形成層の異常突起、表面粗さのばらつきが発
生し、実施例のものについては基板表面あらさが良好で
あるため、凹凸形成層については、Ｒｑ／Ｒａ≦１．５
となりそのときヘッドクラッシュは発生していないが、
比較例のものについては、基板表面粗さのばらつきや、
異常突起により、Ｒｑ／Ｒａ＞１．５となり、そのとき
ヘッドクラッシュが発生していることがわかる。
【００９２】尚、ここでは示さないが、上述の実施例６
〜１１、比較例６〜８に示すガラス基板についても、上
記と同様にカ゛ラス基板の表面粗さの影響による、凹凸
形成層の膜厚と表面粗さ、ばらつき及びヘッドクラッシ
ュの関係を調べたが、実施例６〜１１については上述の
図４の表及び図６のグラフに示される傾向と同様の傾向
が見られ、また、比較例６〜８については上述の図５の
表及び図７のグラフに示される傾向と同様の傾向が見ら
れた。従って、本発明のカ゛ラス基板を用いることによ
り、凹凸形成層の表面粗さを容易に精度良く制御でき、
かつ表面粗さのばらつきも抑えられるので、信頼性の高
い磁気記録媒体が得られることがわかる。
〜１１、比較例６〜８に示すガラス基板についても、上
記と同様にカ゛ラス基板の表面粗さの影響による、凹凸
形成層の膜厚と表面粗さ、ばらつき及びヘッドクラッシ
ュの関係を調べたが、実施例６〜１１については上述の
図４の表及び図６のグラフに示される傾向と同様の傾向
が見られ、また、比較例６〜８については上述の図５の
表及び図７のグラフに示される傾向と同様の傾向が見ら
れた。従って、本発明のカ゛ラス基板を用いることによ
り、凹凸形成層の表面粗さを容易に精度良く制御でき、
かつ表面粗さのばらつきも抑えられるので、信頼性の高
い磁気記録媒体が得られることがわかる。
【００９３】実施例１６〜２０、比較例１４、１５及び
比較例１６ 次に、凹凸形成層の膜厚とスパッタ条件を適宜調整し
て、凹凸形成層の表面粗さ（Ｒｍａｘ）を９ｎｍ（比較
例１４）、１０ｎｍ（実施例１６）、２０ｎｍ（実施例
１７）、３０ｎｍ（実施例１８）、４０ｎｍ（実施例１
９）、５０ｎｍ（実施例２０）、５５ｎｍ（比較例１
５）と変化させた他は、実施例５のガラス基板を用い、
実施例５と同様にして磁気記録媒体を作製した。また、
上述の比較例２のガラス基板に表面粗さ（Ｒｍａｘ）が
１０ｎｍの凹凸形成層を形成させた他は、実施例５と同
様にして磁気記録媒体を作製した。その時の凹凸形成層
の表面粗さとＣＳＳ耐久性及びヘッドクラッシュの特性
を表にして図８に示す。
比較例１６ 次に、凹凸形成層の膜厚とスパッタ条件を適宜調整し
て、凹凸形成層の表面粗さ（Ｒｍａｘ）を９ｎｍ（比較
例１４）、１０ｎｍ（実施例１６）、２０ｎｍ（実施例
１７）、３０ｎｍ（実施例１８）、４０ｎｍ（実施例１
９）、５０ｎｍ（実施例２０）、５５ｎｍ（比較例１
５）と変化させた他は、実施例５のガラス基板を用い、
実施例５と同様にして磁気記録媒体を作製した。また、
上述の比較例２のガラス基板に表面粗さ（Ｒｍａｘ）が
１０ｎｍの凹凸形成層を形成させた他は、実施例５と同
様にして磁気記録媒体を作製した。その時の凹凸形成層
の表面粗さとＣＳＳ耐久性及びヘッドクラッシュの特性
を表にして図８に示す。
【００９４】上述の結果から判るように、凹凸形成層の
表面粗さが１０ｎｍより小さい場合、磁気ヘッドと磁気
記録媒体が吸着してしまい、高いＣＳＳ耐久性が得られ
なかった。また、比較例１６のように表面粗さＲｍａｘ
が大きいガラス基板を使用した場合、ガラス基板表面に
ある異常突起により凹凸形成層の表面粗さの突起もそれ
に起因して増長する。従って、図７の表に示すように、
異常突起によるヘッドクラッシュが発生して、磁気ヘッ
ドばかりでなく、磁気ディスクにも致命的な損傷を受け
るので好ましくない。また、比較例１５においては、表
面粗さＲｍａｘが大きいことによる磁気ヘッドの低浮上
走行が実現できないので、高密度記録再生には不適切で
ある。
表面粗さが１０ｎｍより小さい場合、磁気ヘッドと磁気
記録媒体が吸着してしまい、高いＣＳＳ耐久性が得られ
なかった。また、比較例１６のように表面粗さＲｍａｘ
が大きいガラス基板を使用した場合、ガラス基板表面に
ある異常突起により凹凸形成層の表面粗さの突起もそれ
に起因して増長する。従って、図７の表に示すように、
異常突起によるヘッドクラッシュが発生して、磁気ヘッ
ドばかりでなく、磁気ディスクにも致命的な損傷を受け
るので好ましくない。また、比較例１５においては、表
面粗さＲｍａｘが大きいことによる磁気ヘッドの低浮上
走行が実現できないので、高密度記録再生には不適切で
ある。
【０９５】実施例２１、比較例１７ 上述の実施例では、凹凸形成層を形成させて磁気ディス
ク表面に凹凸を形成させた磁気ディスクを挙げたが、凹
凸形成層を設けず、上述の実施例に用いたガラス基板の
極めて高い平滑性、平坦性をそのまま磁気ディスク表面
に反映させて、例えば、接触型磁気ディスクドライブ用
の磁気ディスクとしても使用可能である。以下にその接
触型磁気ディスクの例をガラス基板として実施例５のガ
ラス基板を用いた場合を実施例２１とし、ガラス基板と
して比較例５のガラス基板を用いた場合を比較例１７と
して掲げる。
ク表面に凹凸を形成させた磁気ディスクを挙げたが、凹
凸形成層を設けず、上述の実施例に用いたガラス基板の
極めて高い平滑性、平坦性をそのまま磁気ディスク表面
に反映させて、例えば、接触型磁気ディスクドライブ用
の磁気ディスクとしても使用可能である。以下にその接
触型磁気ディスクの例をガラス基板として実施例５のガ
ラス基板を用いた場合を実施例２１とし、ガラス基板と
して比較例５のガラス基板を用いた場合を比較例１７と
して掲げる。
【００９６】図９は実施例２１及び比較例９の膜構成を
示す図である。図９に示すように、これらの磁気記録媒
体は、ガラス基板１の上に、順次、第１下地層２（Ａ
ｌ；平均膜厚５ｎｍ）、第２下地層３（Ｃｒ；平均膜厚
５０ｎｍ）、第３下地層５０（ＣｒＭｏ；Ｃｒ：９４ａ
ｔ％、Ｍｏ：６ａｔ％、平均膜厚３０ｎｍ）、磁性層６
（ＣｏＣｒＰｔＴａ；Ｃｏ：７８ａｔ％、Ｃｒ：１３ａ
ｔ％、Ｐｔ：６ａｔ％、Ｔａ：３ａｔ％、平均膜厚２４
ｎｍ）、保護層７（カーボン；平均膜厚１５ｎｍ）及び
潤滑層８（パーフルオロポリエーテル液体潤滑層；平均
膜厚１ｎｍ）が形成されたものである。
示す図である。図９に示すように、これらの磁気記録媒
体は、ガラス基板１の上に、順次、第１下地層２（Ａ
ｌ；平均膜厚５ｎｍ）、第２下地層３（Ｃｒ；平均膜厚
５０ｎｍ）、第３下地層５０（ＣｒＭｏ；Ｃｒ：９４ａ
ｔ％、Ｍｏ：６ａｔ％、平均膜厚３０ｎｍ）、磁性層６
（ＣｏＣｒＰｔＴａ；Ｃｏ：７８ａｔ％、Ｃｒ：１３ａ
ｔ％、Ｐｔ：６ａｔ％、Ｔａ：３ａｔ％、平均膜厚２４
ｎｍ）、保護層７（カーボン；平均膜厚１５ｎｍ）及び
潤滑層８（パーフルオロポリエーテル液体潤滑層；平均
膜厚１ｎｍ）が形成されたものである。
【００９７】この実施例及び比較例も上述の実施例及び
比較例とほぼ同様の結果が得られた。すなわち、実施例
５のガラス基板を用いた実施例２１の磁気ディスクの場
合、ガラス基板上に形成された下地層、磁性層を構成す
る結晶粒が良好となり、保磁力が２４００ Ｏｅ、Ｓ／
Ｎ比が２４．５ｄＢという磁気特性、記録再生特性良好
な接触型磁気ディスクが得られる。一方、基板表面状態
の悪い比較例９のガラス基板を用いた比較例１６の磁気
ディスクの場合、ガラス基板上に形成された下地層、磁
性層を構成する結晶粒の粒径にばらつきが発生し、また
粒径も大きくなるのでＳ／Ｎ比が２１．０ｄＢと悪化し
て、記録再生特性の悪い結果となった。
比較例とほぼ同様の結果が得られた。すなわち、実施例
５のガラス基板を用いた実施例２１の磁気ディスクの場
合、ガラス基板上に形成された下地層、磁性層を構成す
る結晶粒が良好となり、保磁力が２４００ Ｏｅ、Ｓ／
Ｎ比が２４．５ｄＢという磁気特性、記録再生特性良好
な接触型磁気ディスクが得られる。一方、基板表面状態
の悪い比較例９のガラス基板を用いた比較例１６の磁気
ディスクの場合、ガラス基板上に形成された下地層、磁
性層を構成する結晶粒の粒径にばらつきが発生し、また
粒径も大きくなるのでＳ／Ｎ比が２１．０ｄＢと悪化し
て、記録再生特性の悪い結果となった。
【００９８】上述の実施例では、インライン型連続スパ
ッタリング装置を使用して磁気ディスクを製造した例を
示したが、静置対向型のスパッタリング装置を使用する
場合でも同様の結果が得られる。また、上述の実施例で
は、凹凸形成層をＡｌ／Ｃｒ下地層の上に設けたが、下
地層を介さずガラス基板表面に直接形成させてもよい。
図１０は下地層を介さずガラス基板表面に直接凹凸形成
層を設けた例を示す図である。図１０に示されるよう
に、この磁気記録媒体は、ガラス基板１の上に、順次、
凹凸形成層４、Ｃｒ層５１ａとＣｒＭｏ層５１ｂとから
な下地層５１、磁性層６、保護層７及び潤滑層８が形成
されたものである。
ッタリング装置を使用して磁気ディスクを製造した例を
示したが、静置対向型のスパッタリング装置を使用する
場合でも同様の結果が得られる。また、上述の実施例で
は、凹凸形成層をＡｌ／Ｃｒ下地層の上に設けたが、下
地層を介さずガラス基板表面に直接形成させてもよい。
図１０は下地層を介さずガラス基板表面に直接凹凸形成
層を設けた例を示す図である。図１０に示されるよう
に、この磁気記録媒体は、ガラス基板１の上に、順次、
凹凸形成層４、Ｃｒ層５１ａとＣｒＭｏ層５１ｂとから
な下地層５１、磁性層６、保護層７及び潤滑層８が形成
されたものである。
【００９９】凹凸形成層を構成する低融点金属材料は、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｚ
ｒ、Ｃｕ、Ｃｅ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｍ
ｇ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｂ等の金属やそれらの合金、又はそれ
らの金属もしくは合金の酸化物、窒化物、炭化物等から
選ばれる材料であることが望ましい。特に好ましい材料
としては、Ａｌ単体や、Ａｌ合金、酸化Ａｌ、窒化Ａｌ
といったＡｌを主成分とするものである。Ａｌ、窒化Ａ
ｌが最も良い。
Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｚ
ｒ、Ｃｕ、Ｃｅ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｍ
ｇ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｂ等の金属やそれらの合金、又はそれ
らの金属もしくは合金の酸化物、窒化物、炭化物等から
選ばれる材料であることが望ましい。特に好ましい材料
としては、Ａｌ単体や、Ａｌ合金、酸化Ａｌ、窒化Ａｌ
といったＡｌを主成分とするものである。Ａｌ、窒化Ａ
ｌが最も良い。
【０１００】凹凸形成層の形状は、連続したテクスチャ
ー膜であっても、離散的に分布した島状突起であっても
よい。
ー膜であっても、離散的に分布した島状突起であっても
よい。
【０１０１】また、凹凸形成層をランディングゾーンに
のみ形成させたものや、リードライトゾーンは平滑性を
もたせ、ランディングゾーンの表面粗さを粗くした所謂
ゾーンテクスチャーとすることも可能である。また、使
用するドライブの種類に応じて、凹凸形成層を省略する
こともできる。
のみ形成させたものや、リードライトゾーンは平滑性を
もたせ、ランディングゾーンの表面粗さを粗くした所謂
ゾーンテクスチャーとすることも可能である。また、使
用するドライブの種類に応じて、凹凸形成層を省略する
こともできる。
【０１０２】本発明で使用するガラス基板としては、表
面強化ガラス基板、結晶化ガラス基板などが挙げられ、
具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノボロ
シリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラ
ス、ソーダライムガラス、オキシナイトライドガラスな
どが挙げられる。またガラスと同様の性質を有するもの
として、セラミック基板、ガラスセラミック基板、シリ
コン基板、カーボン基板などの非金属基板が挙げられ
る。
面強化ガラス基板、結晶化ガラス基板などが挙げられ、
具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノボロ
シリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラ
ス、ソーダライムガラス、オキシナイトライドガラスな
どが挙げられる。またガラスと同様の性質を有するもの
として、セラミック基板、ガラスセラミック基板、シリ
コン基板、カーボン基板などの非金属基板が挙げられ
る。
【０１０３】なお、本発明のガラス基板は、上述した磁
気ディスクだけでなく、光ディスク、光ディスク用基板
としても有用である。
気ディスクだけでなく、光ディスク、光ディスク用基板
としても有用である。
【０１０４】第１下地層２としては、Ａｌの外にも、Ｇ
ｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｔｉ等を主たる成分とするものを用い
ることができる。また、第２下地層３としてはＣｒ単体
に限らず、Ｃｒを主たる成分に含む合金等であってもよ
い。
ｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｔｉ等を主たる成分とするものを用い
ることができる。また、第２下地層３としてはＣｒ単体
に限らず、Ｃｒを主たる成分に含む合金等であってもよ
い。
【０１０５】さらに、第３下地層５としては、Ｃｒ層５
ａの上に形成されるＣｒＭｏ層５ｂの代わりに、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｚｒ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ａ
ｌから選ばれる少なくとも１種以上の元素を主たる成分
とする１層以上の層によって構成してもよい。
ａの上に形成されるＣｒＭｏ層５ｂの代わりに、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｚｒ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ａ
ｌから選ばれる少なくとも１種以上の元素を主たる成分
とする１層以上の層によって構成してもよい。
【０１０６】なお、第１下地層２をＡｌとし、第２下地
層３をＣｒとすることが各層の結晶成長の制御の上で好
ましい。これによれば、その上に形成される低融点金属
薄膜である凹凸形成層４の凹凸もばらつきなく高精度に
制御できると共に、ガラス基板の有する特性との相乗効
果により低いヘッド浮上量を実現することができ、再生
出力を高くすることができる。
層３をＣｒとすることが各層の結晶成長の制御の上で好
ましい。これによれば、その上に形成される低融点金属
薄膜である凹凸形成層４の凹凸もばらつきなく高精度に
制御できると共に、ガラス基板の有する特性との相乗効
果により低いヘッド浮上量を実現することができ、再生
出力を高くすることができる。
【０１０７】磁性層６としては、ＣｏＣｒＰｔＴａの外
に、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＰｔＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣ
ｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａＺｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａＳｉＯなどのＣ
ｏ系合金や、フェライト系、鉄−希土類系などの磁性材
料により構成してもよい。また、磁性層を非磁性膜（例
えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ等）で分割してノイズの
低減を図った多層膜としてもよい。例えば、ＣｏＣｒＰ
ｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＰｔＣｒ／
ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ（「／」の左側が基板に近い層
である）等の層構成にしてもよい。
に、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＰｔＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣ
ｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａＺｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａＳｉＯなどのＣ
ｏ系合金や、フェライト系、鉄−希土類系などの磁性材
料により構成してもよい。また、磁性層を非磁性膜（例
えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ等）で分割してノイズの
低減を図った多層膜としてもよい。例えば、ＣｏＣｒＰ
ｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＰｔＣｒ／
ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ（「／」の左側が基板に近い層
である）等の層構成にしてもよい。
【０１０８】また、実施例では、保護層７をカーボン保
護層の単層で構成した例を示したが、これに限られるこ
となく、このカーボン保護層と磁性層との間に、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＣｒＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｇｅ
等の非磁性材料、あるいはこれらの合金、酸化物、窒化
物、炭化物等を介在させてもよい。また、カーボン保護
層の代わりに、テトラアルコキシランをアルコール系溶
媒で希釈した中にコロイダルシリカ微粒子を分散して塗
布し、さらに焼成して酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を形成さ
せてもよい。この場合には保護層と凹凸形成層の両方の
機能を果たすことができる。
護層の単層で構成した例を示したが、これに限られるこ
となく、このカーボン保護層と磁性層との間に、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＣｒＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｇｅ
等の非磁性材料、あるいはこれらの合金、酸化物、窒化
物、炭化物等を介在させてもよい。また、カーボン保護
層の代わりに、テトラアルコキシランをアルコール系溶
媒で希釈した中にコロイダルシリカ微粒子を分散して塗
布し、さらに焼成して酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を形成さ
せてもよい。この場合には保護層と凹凸形成層の両方の
機能を果たすことができる。
【０１０９】潤滑層８の材料としては、パーフルオロポ
リエーテルの外に、フルオロカーボン系の液体潤滑剤
や、スルホン酸のアルカリ金属塩からなる潤滑剤を用い
ることもできる。その膜厚は０．５〜２ｎｍであること
が望ましい。その理由は０．５ｎｍ未満であると耐摩耗
性の確保が十分でなくなり、また、２ｎｍを越えるとそ
れ以上にしても耐摩耗性が向上することがないばかりで
なく吸着の問題が生ずるからである。尚、保護層自体に
潤滑効果がある場合、潤滑層を省略することも可能であ
る。
リエーテルの外に、フルオロカーボン系の液体潤滑剤
や、スルホン酸のアルカリ金属塩からなる潤滑剤を用い
ることもできる。その膜厚は０．５〜２ｎｍであること
が望ましい。その理由は０．５ｎｍ未満であると耐摩耗
性の確保が十分でなくなり、また、２ｎｍを越えるとそ
れ以上にしても耐摩耗性が向上することがないばかりで
なく吸着の問題が生ずるからである。尚、保護層自体に
潤滑効果がある場合、潤滑層を省略することも可能であ
る。
【０１１０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、ガラス
基板の表面粗さ及びばらつきを所定の範囲におさえ、そ
の上に形成される下地層、磁性層の結晶粒を均一にした
もので、これにより、磁気特性良好で且つ高密度記録再
生可能な磁気記録媒体及びその製造方法を得ているもの
であり、また、ガラス基板の表面粗さ（Ｒｍａｘ、Ｒ
ａ）及びそれらＲｍａｘとＲａとの関係（Ｒｍａｘ／Ｒ
ａ）を所定の範囲におさえることによって、安定且つ、
良好な磁気特性と、高密度記録再生可能な磁気記録媒体
及びその製造方法を得ているものである。
基板の表面粗さ及びばらつきを所定の範囲におさえ、そ
の上に形成される下地層、磁性層の結晶粒を均一にした
もので、これにより、磁気特性良好で且つ高密度記録再
生可能な磁気記録媒体及びその製造方法を得ているもの
であり、また、ガラス基板の表面粗さ（Ｒｍａｘ、Ｒ
ａ）及びそれらＲｍａｘとＲａとの関係（Ｒｍａｘ／Ｒ
ａ）を所定の範囲におさえることによって、安定且つ、
良好な磁気特性と、高密度記録再生可能な磁気記録媒体
及びその製造方法を得ているものである。
【図１】本発明の実施例１に係る磁気記録媒体の構成を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】本発明の実施例１〜４及び比較例１〜４の特性
等を表にして示す図である。
等を表にして示す図である。
【図３】本発明の実施例５〜１１及び比較例５〜９の特
性等を表にして示す図である。
性等を表にして示す図である。
【図４】本発明の実施例５、実施例１２〜１５の凹凸形
成層の特性等を表にして示す図である。
成層の特性等を表にして示す図である。
【図５】本発明の比較例９〜１３の凹凸形成層の特性等
を表にして示す図である。
を表にして示す図である。
【図６】本発明の実施例５、実施例１２〜１５の凹凸形
成層の平均膜厚とＲｍａｘとの関係をグラフにして示す
図である。
成層の平均膜厚とＲｍａｘとの関係をグラフにして示す
図である。
【図７】本発明の比較例９〜１３の凹凸形成層の平均膜
厚とＲｍａｘとの関係をグラフにして示す図である。
厚とＲｍａｘとの関係をグラフにして示す図である。
【図８】本発明の実施例１４〜２０及び比較例１５〜１
６の特性等を表にして示す図である。
６の特性等を表にして示す図である。
【図９】本発明の実施例２１及び比較例１７の膜構成を
示す図である。
示す図である。
【図１０】本発明の実施例の変形例の膜構成を示す図で
ある。
ある。
１…ガラス基板、２…第１下地層、３…第２下地層、４
…凹凸形成層、５…第３下地層、６…磁性層、７…保護
層、８…潤滑層。
…凹凸形成層、５…第３下地層、６…磁性層、７…保護
層、８…潤滑層。
Claims (25)
- 【請求項１】 ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍａｘ
≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦１．５ｎｍ（但し、
Ｒｑは二乗平均平方根粗さ（＝ＲＭＳ）である）である
ことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項２】 前記ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．５ｎｍ、Ｒｑ≦０．７ｎｍ
であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体
用ガラス基板。 - 【請求項３】 前記ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍ、Ｒｑ≦０．４ｎｍで
あることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体用
ガラス基板。 - 【請求項４】 前記ガラス基板主表面の表面粗さの比
（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれかに記載の情報記録媒体用ガ
ラス基板。 - 【請求項５】 ガラス基板上に少なくとも磁性層を含む
薄膜を有する磁気記録媒体において、前記ガラス基板と
して、請求項１ないし４に記載の情報記録媒体用ガラス
基板を用いることを特徴とした磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記薄膜は、前記ガラス基板の表面粗さ
を制御することによって、ほぼ均一な結晶粒から構成さ
れてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍであ
ることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 ガラス基板上に少なくとも磁性層を含む
薄膜を有する磁気記録媒体において、前記ガラス基板主
表面の表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、
表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であり、前
記薄膜が前記ガラス基板の表面粗さを制御することによ
って、ほぼ均一な結晶粒から構成されてなり、該結晶粒
の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍであることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．５ｎｍ、表面粗さの比（Ｒ
ｍａｘ／Ｒａ）が３０以下であることを特徴とする請求
項７に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦５ｎｍ、Ｒａ≦０．３ｎｍ、表面粗さの比（Ｒｍ
ａｘ／Ｒａ）が３０以下であることを特徴とする請求項
７に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記薄膜の結晶粒を、１ミクロン平方
に存在する結晶粒径分布について測定したとき、該薄膜
の結晶粒径が最も多く分布する点における半値幅が２０
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５ないし９のい
ずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 前記薄膜は前記ガラス基板と前記磁性
層との間に、下地層が形成されていることを特徴とする
請求項５ないし１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 前記ガラス基板と前記磁性層との間
に、低融点金属からなる凹凸形成層が形成されているこ
とを特徴とする請求項５ないし１１のいずれかに記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 前記凹凸形成層の表面粗さの比Ｒｑ／
Ｒａが１．５以下であることを特徴とする請求項１２に
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 前記凹凸形成層の表面粗さがＲｍａｘ
で１０〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１２又
は１３に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 円盤状ガラス基板をラッピングする工
程と、その工程後、前記ガラス基板の表面粗さがＲｍａ
ｘ≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦１．５ｎｍ（但
し、Ｒｑは二乗平均平方根粗さ（＝ＲＭＳ））となるよ
うに予め選定された粒径の研磨砥粒を含む研磨液を用い
て鏡面研磨する工程と、を有することを特徴とする情報
記録媒体用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項１６】 円盤状ガラス基板をラッピングする工
程と、その工程後、粒径１〜３μｍの研磨砥粒を含む研
磨液を用いて研磨する第１研磨工程と、粒径０．５〜２
μｍの研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する第２研磨
工程と、粒径０．５μｍ以下の研磨砥粒を含む研磨液を
用いて研磨する第３研磨工程とを有することを特徴とす
る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項１７】 前記第３工程に使用する研磨砥粒は、
粒径０．２μｍ以下のコロイダルシリカ砥粒であること
を特徴とする請求項１６に記載の情報記録媒体用ガラス
基板の製造方法。 - 【請求項１８】 前記請求項１５ないし１７のいずれか
の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって製造さ
れたガラス基板上に少なくとも磁性層を含む薄膜を、該
薄膜を構成する結晶粒がほぼ均一な結晶粒から構成され
てなり、該結晶粒の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍになる
ように成膜する薄膜形成工程を有することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１９】 ガラス基板の少なくとも磁性層を含む
薄膜が形成される側の表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、
Ｒａ≦１ｎｍ、Ｒｑ≦１．５ｎｍとなるようにするガラ
ス基板表面処理工程と、前記ガラス基板主表面上に、前
記薄膜を構成する結晶粒がほぼ均一な結晶粒から構成さ
れてなり、該結晶粒の平均結晶粒径が５〜３０ｎｍにな
るように成膜する薄膜形成工程とを有することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】 ガラス基板の少なくとも磁性層を含む
薄膜が形成される側の表面粗さがＲｍａｘ≦１５ｎｍ、
Ｒａ≦１ｎｍ、表面粗さの比（Ｒｍａｘ／Ｒａ）を３０
以下となるようにするガラス基板表面処理工程と、前記
ガラス基板主表面上に前記薄膜を構成する結晶粒がほぼ
均一な結晶粒から構成されてなり、該結晶粒の平均結晶
粒径が５〜３０ｎｍになるように成膜する薄膜形成工程
とを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２１】ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍａｘ
≦１５ｎｍ、Ｒａ≦１．３ｎｍ、Ｒｍａｘ／Ｒａ≧１０
であることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項２２】前記ガラス基板主表面の表面粗さがＲｍ
ａｘ≦１０ｎｍ、Ｒａ≦０．８ｎｍ、Ｒｍａｘ／Ｒａ≧
１０．５であることを特徴とする請求項２１に記載の情
報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項２３】ガラス基板上に少なくとも磁性層を含む
薄膜を有する磁気記録媒体において、前記ガラス基板と
して、請求項２１又は２２に記載の情報記録媒体用ガラ
ス基板を用いることを特徴とした磁気記録媒体。 - 【請求項２４】請求項２１又は請求項２２記載の情報記
録媒体用ガラス基板を用意する工程と、前記ガラス基板
上に少なくとも磁性層を含む薄膜を形成する工程と、を
有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２５】前記薄膜はインライン型連続スパッタリ
ング法により形成するものであることを特徴とする請求
項２４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35720597A JP3554476B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-12-25 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP36177499A JP3600767B2 (ja) | 1997-12-25 | 1999-12-20 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-351317 | 1996-12-27 | ||
| JP35131796 | 1996-12-27 | ||
| JP35720597A JP3554476B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-12-25 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36177499A Division JP3600767B2 (ja) | 1997-12-25 | 1999-12-20 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241144A true JPH10241144A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3554476B2 JP3554476B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=26579368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35720597A Expired - Lifetime JP3554476B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-12-25 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法並びに該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3554476B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003173518A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Hoya Corp | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US6682833B1 (en) | 1999-03-19 | 2004-01-27 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and production process thereof |
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| US7010939B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-03-14 | Hoya Corporation | Glass substrate for data recording medium and manufacturing method thereof |
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| US8763428B2 (en) | 2006-03-24 | 2014-07-01 | Hoya Corporation | Method for producing glass substrate for magnetic disk and method for manufacturing magnetic disk |
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- 1997-12-25 JP JP35720597A patent/JP3554476B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US9038417B2 (en) | 2006-03-24 | 2015-05-26 | Hoya Corporation | Method for producing glass substrate for magnetic disk and method for manufacturing magnetic disk |
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| JP2009123327A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-06-04 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| JP4484160B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-06-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3554476B2 (ja) | 2004-08-18 |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040507 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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