JPH10223752A - 配線構造の形成方法 - Google Patents
配線構造の形成方法Info
- Publication number
- JPH10223752A JPH10223752A JP2111997A JP2111997A JPH10223752A JP H10223752 A JPH10223752 A JP H10223752A JP 2111997 A JP2111997 A JP 2111997A JP 2111997 A JP2111997 A JP 2111997A JP H10223752 A JPH10223752 A JP H10223752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- underlayer
- forming
- connection hole
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高圧リフロー法などプラグと上層配線の材料
とが同一材料となる技術を採用した際、合わせずれのた
めの余裕部分を少なくし、これにより上層配線が接続孔
内のプラグ上からずれてプラグに部分的な細りが生じた
場合にも、電流密度の局所的な上昇を緩和することによ
り、エレクロマイグレーション耐性の劣化を少なくする
ことが可能となる、配線構造の形成方法の提供が望まれ
ている。 【解決手段】 下層配線１１上の絶縁膜１２中に、下層
配線１１に通じる接続孔１３を形成する。この接続孔１
３の内壁面および接続孔１３内に露出する下層配線１１
の上面を覆い、かつ絶縁膜１２上における厚さが２００
ｎｍ以上となるようにして導電性の下地層１４を形成す
る。下地層１４上に配線材料１６を形成するとともに、
この配線材料１６を接続孔１３内に埋め込む。配線材料
１６および下地層１４をパターニングして上層配線１８
を形成し、多層配線構造１９を得る。
とが同一材料となる技術を採用した際、合わせずれのた
めの余裕部分を少なくし、これにより上層配線が接続孔
内のプラグ上からずれてプラグに部分的な細りが生じた
場合にも、電流密度の局所的な上昇を緩和することによ
り、エレクロマイグレーション耐性の劣化を少なくする
ことが可能となる、配線構造の形成方法の提供が望まれ
ている。 【解決手段】 下層配線１１上の絶縁膜１２中に、下層
配線１１に通じる接続孔１３を形成する。この接続孔１
３の内壁面および接続孔１３内に露出する下層配線１１
の上面を覆い、かつ絶縁膜１２上における厚さが２００
ｎｍ以上となるようにして導電性の下地層１４を形成す
る。下地層１４上に配線材料１６を形成するとともに、
この配線材料１６を接続孔１３内に埋め込む。配線材料
１６および下地層１４をパターニングして上層配線１８
を形成し、多層配線構造１９を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、下層配線上にこれ
と接続孔中のプラグを介して導通する上層配線を形成す
るにあたり、特にプラグと上層配線とを同一材料で形成
する際に好適な配線構造の形成方法に関する。
と接続孔中のプラグを介して導通する上層配線を形成す
るにあたり、特にプラグと上層配線とを同一材料で形成
する際に好適な配線構造の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩの高集積化による内部多層配線
の微細化に伴い、微細な接続孔に配線材料を埋め込む技
術が重要になってきており、これを実現する方法とし
て、ＣＶＤブランケットＷ法、ＡｌまたはＣｕ等の高温
スパッタ法、リフロー法、高圧リフロー法等が検討さ
れ、一部が実用化されている。このような技術のうち、
Ａｌ等を用いた高温スパッタ法、リフロー法、高圧リフ
ロー法は、ＣＶＤブランケットＷ法に比べてプロセスが
簡便であり、低コスト化が図れるといった利点を有して
いる。特に、高圧リフロー法は、非常に高い埋め込み性
能が得られる点で有望であるとされている。
の微細化に伴い、微細な接続孔に配線材料を埋め込む技
術が重要になってきており、これを実現する方法とし
て、ＣＶＤブランケットＷ法、ＡｌまたはＣｕ等の高温
スパッタ法、リフロー法、高圧リフロー法等が検討さ
れ、一部が実用化されている。このような技術のうち、
Ａｌ等を用いた高温スパッタ法、リフロー法、高圧リフ
ロー法は、ＣＶＤブランケットＷ法に比べてプロセスが
簡便であり、低コスト化が図れるといった利点を有して
いる。特に、高圧リフロー法は、非常に高い埋め込み性
能が得られる点で有望であるとされている。
【０００３】高圧リフロー法による埋め込み技術を、接
続孔への埋め込みに適用した例について説明する。ま
ず、図４（ａ）に示すように、基体１上の下層配線２を
覆って形成された層間絶縁膜３に、下層配線２の上面に
通じる接続孔４を形成する。次に、この接続孔４の内壁
面および該接続孔４内に露出する前記下層配線２の上面
を覆って、密着層として機能する下地層５を形成する。
この下地層５としては、この例では通常スパッタ法でＴ
ｉ、ＴｉＮをこの順で合計７０ｎｍ程度の厚さに成膜
し、ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜（下層がＴｉ、上層がＴｉ
Ｎ）を形成してこれを下地層５としている。次に、基体
１を４００℃程度に加熱し、その状態でＡｌ等の配線材
料を成膜する。すると、接続孔４の上部が配線材料から
なる配線材料層６によって覆われ、接続孔４内にボイド
７が残された状態となる。
続孔への埋め込みに適用した例について説明する。ま
ず、図４（ａ）に示すように、基体１上の下層配線２を
覆って形成された層間絶縁膜３に、下層配線２の上面に
通じる接続孔４を形成する。次に、この接続孔４の内壁
面および該接続孔４内に露出する前記下層配線２の上面
を覆って、密着層として機能する下地層５を形成する。
この下地層５としては、この例では通常スパッタ法でＴ
ｉ、ＴｉＮをこの順で合計７０ｎｍ程度の厚さに成膜
し、ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜（下層がＴｉ、上層がＴｉ
Ｎ）を形成してこれを下地層５としている。次に、基体
１を４００℃程度に加熱し、その状態でＡｌ等の配線材
料を成膜する。すると、接続孔４の上部が配線材料から
なる配線材料層６によって覆われ、接続孔４内にボイド
７が残された状態となる。
【０００４】次いで、高真空雰囲気中にて基板を４００
〜４５０℃程度に加熱して配線材料層６を軟化させ、か
つ、これと同時にＡｒ等の不活性ガスを高圧で導入し、
図４（ｂ）に示すように配線材料層６を構成する配線材
料を流動（リフロー）させつつ該高圧の不活性ガスによ
ってこれを接続孔４内に押し込む。さらに、これを続け
ることにより、図４（ｃ）に示すようにボイド７が無く
なる状態に、配線材料６を接続孔４内に埋め込む。この
ような高圧リフロー法による埋め込み技術により、アス
ペクト比が４〜５程度の接続孔を埋め込むことができ
る。
〜４５０℃程度に加熱して配線材料層６を軟化させ、か
つ、これと同時にＡｒ等の不活性ガスを高圧で導入し、
図４（ｂ）に示すように配線材料層６を構成する配線材
料を流動（リフロー）させつつ該高圧の不活性ガスによ
ってこれを接続孔４内に押し込む。さらに、これを続け
ることにより、図４（ｃ）に示すようにボイド７が無く
なる状態に、配線材料６を接続孔４内に埋め込む。この
ような高圧リフロー法による埋め込み技術により、アス
ペクト比が４〜５程度の接続孔を埋め込むことができ
る。
【０００５】一方、多層配線構造を形成する場合、従来
では配線パターニング時におけるフォトレジスト工程に
おいて、配線パターンと接続孔に埋め込まれる配線材料
（以下、プラグと称する）との重ね合わせ部分に合わせ
ずれが生じることを考慮し、予め前記重ね合わせ部分の
線幅のみを太くし、合わせずれに対する余裕を確保する
ようにしている。
では配線パターニング時におけるフォトレジスト工程に
おいて、配線パターンと接続孔に埋め込まれる配線材料
（以下、プラグと称する）との重ね合わせ部分に合わせ
ずれが生じることを考慮し、予め前記重ね合わせ部分の
線幅のみを太くし、合わせずれに対する余裕を確保する
ようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、高集積化に
伴って配線についてもその集積度を上げることが要請さ
れていることから、これに応えるべく、前記の合わせず
れのための余裕部分を極力小さくし、あるいは全く無く
すことが望まれている。すなわち、合わせずれのための
余裕部分を極力小さくし、あるいは全く無くした、いわ
ゆるボーダーレスコンタクト構造と称される構造の多層
配線構造の提供が望まれているのである。
伴って配線についてもその集積度を上げることが要請さ
れていることから、これに応えるべく、前記の合わせず
れのための余裕部分を極力小さくし、あるいは全く無く
すことが望まれている。すなわち、合わせずれのための
余裕部分を極力小さくし、あるいは全く無くした、いわ
ゆるボーダーレスコンタクト構造と称される構造の多層
配線構造の提供が望まれているのである。
【０００７】このようなボーダーレスコンタクト構造と
しては、例えば図５（ａ）に示すように、プラグ８とし
てＣＶＤ法によって埋め込まれてなるＷ（タングステ
ン）を用い、上層配線９にＡｌを用いるなど、プラグ８
と上層配線９の材料とを異種物質で形成する場合があ
る。このように異種物質で形成した場合では、図５
（ａ）に示したごとく上層配線９とプラグ８の合わせず
れが生じても、上層配線９形成のためのエッチング時に
プラグ８の上面が外側に露出するものの、ＷがＡｌのエ
ッチングストッパとなるため、Ｗからなるプラグ８まで
がエッチングされることはない。
しては、例えば図５（ａ）に示すように、プラグ８とし
てＣＶＤ法によって埋め込まれてなるＷ（タングステ
ン）を用い、上層配線９にＡｌを用いるなど、プラグ８
と上層配線９の材料とを異種物質で形成する場合があ
る。このように異種物質で形成した場合では、図５
（ａ）に示したごとく上層配線９とプラグ８の合わせず
れが生じても、上層配線９形成のためのエッチング時に
プラグ８の上面が外側に露出するものの、ＷがＡｌのエ
ッチングストッパとなるため、Ｗからなるプラグ８まで
がエッチングされることはない。
【０００８】しかしながら、高圧リフロー法を採用した
場合などのように、プラグ８と上層配線９の材料とを例
えばＡｌにするなど同一物質で形成する場合には、前記
の合わせずれが生じた場合、上層配線９形成のためのオ
ーバーエッチングによって図５（ｂ）に示すようにプラ
グ８部分までもエッチングされてしまい、プラグ８が部
分的に細くなってしまう。このようにプラグ８が部分的
に細くなってしまうと、この細くなった部分では電流密
度が局所的に上昇し、エレクトロマイグレーション耐性
が低下するなどなどの不都合が生じてしまう。なお、図
５（ａ）、（ｂ）においては、図４（ａ）〜（ｃ）に示
した構成要素と同一の構成要素に同一の符号を付してそ
の説明を省略している。
場合などのように、プラグ８と上層配線９の材料とを例
えばＡｌにするなど同一物質で形成する場合には、前記
の合わせずれが生じた場合、上層配線９形成のためのオ
ーバーエッチングによって図５（ｂ）に示すようにプラ
グ８部分までもエッチングされてしまい、プラグ８が部
分的に細くなってしまう。このようにプラグ８が部分的
に細くなってしまうと、この細くなった部分では電流密
度が局所的に上昇し、エレクトロマイグレーション耐性
が低下するなどなどの不都合が生じてしまう。なお、図
５（ａ）、（ｂ）においては、図４（ａ）〜（ｃ）に示
した構成要素と同一の構成要素に同一の符号を付してそ
の説明を省略している。
【０００９】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、高圧リフロー法などプラ
グと上層配線の材料とが同一材料となる技術を採用した
際、合わせずれのための余裕部分を少なくし、あるいは
無くし、これにより上層配線が接続孔内のプラグ上から
ずれてプラグに部分的な細りが生じた場合にも、電流密
度の局所的な上昇を緩和することにより、エレクロマイ
グレーション耐性の劣化を少なくすることが可能とな
る、配線構造の形成方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、高圧リフロー法などプラ
グと上層配線の材料とが同一材料となる技術を採用した
際、合わせずれのための余裕部分を少なくし、あるいは
無くし、これにより上層配線が接続孔内のプラグ上から
ずれてプラグに部分的な細りが生じた場合にも、電流密
度の局所的な上昇を緩和することにより、エレクロマイ
グレーション耐性の劣化を少なくすることが可能とな
る、配線構造の形成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載の配線構造の形成方法では、下層配線を覆って形成
された絶縁膜中に、前記下層配線に通じる接続孔を形成
する工程と、前記接続孔の内壁面および該接続孔内に露
出する前記下層配線の上面を覆い、かつ前記絶縁膜上に
おける厚さが２００ｎｍ以上となるようにして導電性の
下地層を形成する工程と、前記下地層上に配線材料を形
成するとともに、該配線材料を前記接続孔内に埋め込む
工程と、前記配線材料および下地層をパターニングして
上層配線を形成する工程とを備えてなることを前記課題
の解決手段とした。
記載の配線構造の形成方法では、下層配線を覆って形成
された絶縁膜中に、前記下層配線に通じる接続孔を形成
する工程と、前記接続孔の内壁面および該接続孔内に露
出する前記下層配線の上面を覆い、かつ前記絶縁膜上に
おける厚さが２００ｎｍ以上となるようにして導電性の
下地層を形成する工程と、前記下地層上に配線材料を形
成するとともに、該配線材料を前記接続孔内に埋め込む
工程と、前記配線材料および下地層をパターニングして
上層配線を形成する工程とを備えてなることを前記課題
の解決手段とした。
【００１１】この配線構造の形成方法によれば、導電性
の下地層を、絶縁膜上における厚さが２００ｎｍ以上と
なるようにして形成するので、合わせずれのための余裕
部分を極力小さくし、あるいは全く無くしたボーダーレ
スコンタクト構造を、高圧リフロー法等のようにプラグ
と上層配線の材料とが同一物質となる技術を採用して形
成した場合に、合わせずれによりプラグに部分的な細り
が生じても、絶縁膜上の下地層が従来に比べ十分に厚く
形成されているため、ここで電流の経路が十分に確保さ
れる。ここで、下地層を、絶縁膜上における厚さが２０
０ｎｍ以上となるようにするのは、２００ｎｍ未満で
は、合わせずれによってプラグに部分的な細りが生じた
場合に、電流の経路が十分に確保されなくなるおそれが
あるからである。
の下地層を、絶縁膜上における厚さが２００ｎｍ以上と
なるようにして形成するので、合わせずれのための余裕
部分を極力小さくし、あるいは全く無くしたボーダーレ
スコンタクト構造を、高圧リフロー法等のようにプラグ
と上層配線の材料とが同一物質となる技術を採用して形
成した場合に、合わせずれによりプラグに部分的な細り
が生じても、絶縁膜上の下地層が従来に比べ十分に厚く
形成されているため、ここで電流の経路が十分に確保さ
れる。ここで、下地層を、絶縁膜上における厚さが２０
０ｎｍ以上となるようにするのは、２００ｎｍ未満で
は、合わせずれによってプラグに部分的な細りが生じた
場合に、電流の経路が十分に確保されなくなるおそれが
あるからである。
【００１２】本発明における請求項４記載の配線構造の
形成方法では、下層配線を覆って形成された絶縁膜上
に、該絶縁膜を覆って導電性の第１の下地層を形成する
工程と、該第１の下地層および前記絶縁膜中に、前記下
層配線に通じる接続孔を形成する工程と、前記接続孔の
内壁面および該接続孔内に露出する前記下層配線の上面
を覆った状態で前記第１の下地層上に導電性の第２の下
地層を形成し、かつ前記絶縁膜上における第１の下地層
と第２の下地層との合計の厚さが２００ｎｍ以上となる
ようにする工程と、前記第２の下地層上に配線材料を形
成するとともに、該配線材料を前記接続孔内に埋め込む
工程と、前記配線材料および第２の下地層、第１の下地
層をパターニングして上層配線を形成する工程とを備え
てなることを前記課題の解決手段とした。
形成方法では、下層配線を覆って形成された絶縁膜上
に、該絶縁膜を覆って導電性の第１の下地層を形成する
工程と、該第１の下地層および前記絶縁膜中に、前記下
層配線に通じる接続孔を形成する工程と、前記接続孔の
内壁面および該接続孔内に露出する前記下層配線の上面
を覆った状態で前記第１の下地層上に導電性の第２の下
地層を形成し、かつ前記絶縁膜上における第１の下地層
と第２の下地層との合計の厚さが２００ｎｍ以上となる
ようにする工程と、前記第２の下地層上に配線材料を形
成するとともに、該配線材料を前記接続孔内に埋め込む
工程と、前記配線材料および第２の下地層、第１の下地
層をパターニングして上層配線を形成する工程とを備え
てなることを前記課題の解決手段とした。
【００１３】この配線構造の形成方法によれば、導電性
の第１の下地層と第２の下地層とを、絶縁膜上において
その合計の厚さが２００ｎｍ以上となるようにして形成
するので、請求項１記載の配線構造の形成方法と同様
に、合わせずれによりプラグに部分的な細りが生じて
も、絶縁膜上の下地層が従来に比べ十分に厚く形成され
ているため、ここで電流の経路が十分に確保される。ま
た、接続孔内には第２の下地層のみしか堆積されないの
で、厚い下地層が接続孔の入口付近でオーバーハングす
ることが防がれる。
の第１の下地層と第２の下地層とを、絶縁膜上において
その合計の厚さが２００ｎｍ以上となるようにして形成
するので、請求項１記載の配線構造の形成方法と同様
に、合わせずれによりプラグに部分的な細りが生じて
も、絶縁膜上の下地層が従来に比べ十分に厚く形成され
ているため、ここで電流の経路が十分に確保される。ま
た、接続孔内には第２の下地層のみしか堆積されないの
で、厚い下地層が接続孔の入口付近でオーバーハングす
ることが防がれる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ａ）、（ｂ）は、本発明に
おける配線構造の形成方法の第１実施形態例を示す図で
あり、これらの図において符号１０は基体である。な
お、基体１０は、シリコンウエハ等の半導体基板に各種
のＬＳＩプロセスが施されてなるものである。
図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ａ）、（ｂ）は、本発明に
おける配線構造の形成方法の第１実施形態例を示す図で
あり、これらの図において符号１０は基体である。な
お、基体１０は、シリコンウエハ等の半導体基板に各種
のＬＳＩプロセスが施されてなるものである。
【００１５】この例では、まず、図１（ａ）に示すよう
に基体１０上にＡｌ等からなる下層配線１１を形成し、
さらにこれを覆って層間絶縁膜１２を形成した。ここ
で、層間絶縁膜１２の形成については、例えば原料ガス
としてＯ3 −ＴＥＯＳを用いた常圧ＣＶＤ法による、平
坦化プロセスが採用される。続いて、公知のフォトレジ
スト技術、リソグラフィー技術、エッチング技術を用い
て層間絶縁膜１２に、前記下層配線１１に通じる接続孔
１３を形成した。この例では、形成した接続孔１３の開
口径を０．４μｍ、深さを１．０μｍとした。なお、接
続孔１３形成のためのエッチング条件を以下に示す。 接続孔エッチング条件 ガス ；Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝１０／１０／２
００ｓｃｃｍ 圧力 ；６Ｐａ ＲＦパワー ；１６００Ｗ 基体温度 ；２０℃
に基体１０上にＡｌ等からなる下層配線１１を形成し、
さらにこれを覆って層間絶縁膜１２を形成した。ここ
で、層間絶縁膜１２の形成については、例えば原料ガス
としてＯ3 −ＴＥＯＳを用いた常圧ＣＶＤ法による、平
坦化プロセスが採用される。続いて、公知のフォトレジ
スト技術、リソグラフィー技術、エッチング技術を用い
て層間絶縁膜１２に、前記下層配線１１に通じる接続孔
１３を形成した。この例では、形成した接続孔１３の開
口径を０．４μｍ、深さを１．０μｍとした。なお、接
続孔１３形成のためのエッチング条件を以下に示す。 接続孔エッチング条件 ガス ；Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ａｒ＝１０／１０／２
００ｓｃｃｍ 圧力 ；６Ｐａ ＲＦパワー ；１６００Ｗ 基体温度 ；２０℃
【００１６】次いで、基体１０をガスチャンバー内のヒ
ータステージに載せ、さらにガスチャンバー内にＡｒを
導入してＡｒ雰囲気とするとともにチャンバー内圧力を
１３３Ｐａに調整し、その状態で基体１０に４５０℃で
２分間前加熱処理を施した。続いて、従来公知のＡｒス
パッタエッチングにより、接続孔１３の底部にて下層配
線１１上面に形成された自然酸化膜（図示略）を除去し
た。
ータステージに載せ、さらにガスチャンバー内にＡｒを
導入してＡｒ雰囲気とするとともにチャンバー内圧力を
１３３Ｐａに調整し、その状態で基体１０に４５０℃で
２分間前加熱処理を施した。続いて、従来公知のＡｒス
パッタエッチングにより、接続孔１３の底部にて下層配
線１１上面に形成された自然酸化膜（図示略）を除去し
た。
【００１７】次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ法に
て、Ｔｉ、ＴｉＮを以下の条件でこの順に成膜積層し、
図１（ｂ）に示すように接続孔１３の内面および該接続
孔１３内に露出する下層配線１１の上面を覆った状態
で、密着層として機能する下地層１４を形成した。 Ｔｉ成膜条件 ＤＣパワー ；６ｋＷ プロセスガス；Ａｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ；０．４Ｐａ 成膜温度 ；４００℃ 膜厚 ；２０ｎｍ ＴｉＮ成膜条件 ＤＣパワー ；１２ｋＷ プロセスガス；Ａｒ／Ｎ2 ２０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ；０．４Ｐａ 成膜温度 ；４００℃ 膜厚 ；１８０ｎｍ
て、Ｔｉ、ＴｉＮを以下の条件でこの順に成膜積層し、
図１（ｂ）に示すように接続孔１３の内面および該接続
孔１３内に露出する下層配線１１の上面を覆った状態
で、密着層として機能する下地層１４を形成した。 Ｔｉ成膜条件 ＤＣパワー ；６ｋＷ プロセスガス；Ａｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ；０．４Ｐａ 成膜温度 ；４００℃ 膜厚 ；２０ｎｍ ＴｉＮ成膜条件 ＤＣパワー ；１２ｋＷ プロセスガス；Ａｒ／Ｎ2 ２０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ；０．４Ｐａ 成膜温度 ；４００℃ 膜厚 ；１８０ｎｍ
【００１８】このようにして下地層１４を形成したとこ
ろ、得られた下地層１４の厚さは、層間絶縁膜１２上に
おいて２００ｎｍとなり、従来の７０ｎｍに比べ十分に
厚いものとなった。次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ
法にて、Ａｌ−Ｃｕ合金を以下の条件で成膜し、前記下
地層１４の上に配線材料層１５を形成した。 Ａｌ−Ｃｕ合金成膜条件 ＤＣパワー ；１５ｋＷ プロセスガス；Ａｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ；０．４Ｐａ 成膜温度 ；４００℃ 膜厚 ；５００ｎｍ このようにして配線材料層１５を形成すると、接続孔１
３内には、下地層１４と配線材料層１５との間にボイド
（図示略）が形成される。
ろ、得られた下地層１４の厚さは、層間絶縁膜１２上に
おいて２００ｎｍとなり、従来の７０ｎｍに比べ十分に
厚いものとなった。次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ
法にて、Ａｌ−Ｃｕ合金を以下の条件で成膜し、前記下
地層１４の上に配線材料層１５を形成した。 Ａｌ−Ｃｕ合金成膜条件 ＤＣパワー ；１５ｋＷ プロセスガス；Ａｒ １００ｓｃｃｍ 圧力 ；０．４Ｐａ 成膜温度 ；４００℃ 膜厚 ；５００ｎｍ このようにして配線材料層１５を形成すると、接続孔１
３内には、下地層１４と配線材料層１５との間にボイド
（図示略）が形成される。
【００１９】次いで、高圧リフロー法により、以下の条
件で配線材料層１５をリフロー処理し、該配線材料層１
５を構成する配線材料を接続孔１３内に埋め込んで接続
孔１３内に前記配線材料からなるプラグ１６を形成し
た。 高圧リフロー条件 プロセスガス；Ａｒ 圧力 ；７０ＭＰａ リフロー時間；１分間 基体温度 ；４５０℃
件で配線材料層１５をリフロー処理し、該配線材料層１
５を構成する配線材料を接続孔１３内に埋め込んで接続
孔１３内に前記配線材料からなるプラグ１６を形成し
た。 高圧リフロー条件 プロセスガス；Ａｒ 圧力 ；７０ＭＰａ リフロー時間；１分間 基体温度 ；４５０℃
【００２０】次いで、公知のフォトレジスト技術によ
り、図１（ｃ）に示すように配線材料層１５をパターニ
ングするためのレジストパターン１７を形成する。ここ
で、レジストパターン１７の形成にあたっては、得られ
る上層配線と前記プラグ１６との間の合わせずれのため
の余裕部分をほとんど無くした、いわゆるボーダーレス
コンタクト構造を形成するようにしている。したがっ
て、この例では、得られたレジストパターン１７と接続
孔１３の開口部とが、図１（ｃ）に示したごとく少しず
れた状態に形成されている。
り、図１（ｃ）に示すように配線材料層１５をパターニ
ングするためのレジストパターン１７を形成する。ここ
で、レジストパターン１７の形成にあたっては、得られ
る上層配線と前記プラグ１６との間の合わせずれのため
の余裕部分をほとんど無くした、いわゆるボーダーレス
コンタクト構造を形成するようにしている。したがっ
て、この例では、得られたレジストパターン１７と接続
孔１３の開口部とが、図１（ｃ）に示したごとく少しず
れた状態に形成されている。
【００２１】次いで、レジストパターン１７をマスクと
して以下の条件でＲＩＥ（反応性イオンエッチング）処
理を行い、配線材料層１５をエッチング除去する。 配線材料層（Ａｌ−Ｃｕ）のエッチング条件 ガス ；ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓｃｃｍ 圧力 ；２Ｐａ ＲＦパワー；５０Ｗ μ波 ；３００ｍＡ このようにして配線材料層１５をオーバーエッチングし
たところ、図２（ａ）に示すように接続孔１３内におけ
るプラグ１６においてもその一部がエッチング除去さ
れ、部分的な細り１６ａが形成された。
して以下の条件でＲＩＥ（反応性イオンエッチング）処
理を行い、配線材料層１５をエッチング除去する。 配線材料層（Ａｌ−Ｃｕ）のエッチング条件 ガス ；ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓｃｃｍ 圧力 ；２Ｐａ ＲＦパワー；５０Ｗ μ波 ；３００ｍＡ このようにして配線材料層１５をオーバーエッチングし
たところ、図２（ａ）に示すように接続孔１３内におけ
るプラグ１６においてもその一部がエッチング除去さ
れ、部分的な細り１６ａが形成された。
【００２２】次いで、下地層１４を構成するＴｉＮおよ
びＴｉを以下の条件で選択的にエッチングした。 下地層（ＴｉＮ、Ｔｉ）のエッチング条件 ガス ；Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ｏ2 ／Ａｒ＝１０／１０
０／２０／２００ｓｃｃｍ 圧力 ；６Ｐａ ＲＦパワー；１６００Ｗ 基体温度 ；２０℃ その後、レジストパターン１７を除去し、図２（ｂ）に
示すように下地層１４およびプラグ１６を介して下層配
線１１に接続する上層配線１８を得ることにより、ボー
ダーレスコンタクト構造の多層配線構造１９を得た。
びＴｉを以下の条件で選択的にエッチングした。 下地層（ＴｉＮ、Ｔｉ）のエッチング条件 ガス ；Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＯ／Ｏ2 ／Ａｒ＝１０／１０
０／２０／２００ｓｃｃｍ 圧力 ；６Ｐａ ＲＦパワー；１６００Ｗ 基体温度 ；２０℃ その後、レジストパターン１７を除去し、図２（ｂ）に
示すように下地層１４およびプラグ１６を介して下層配
線１１に接続する上層配線１８を得ることにより、ボー
ダーレスコンタクト構造の多層配線構造１９を得た。
【００２３】このような配線構造の形成方法にあって
は、下地層１４を、層間絶縁膜１２上における厚さが２
００ｎｍとなるようにして形成したので、高圧リフロー
法によってプラグ１６と上層配線１８の材料とが同一物
質となっており、かつ、ボーダーレスコンタクト構造で
あることに起因して、プラグ１６に部分的な細り１６ａ
が形成されているにもかかわらず、得られた多層配線構
造１９は、層間絶縁膜１２上の下地層１４が従来に比べ
十分に厚く形成されているため、ここで電流の経路を十
分に確保することができ、したがって細くなったプラグ
部分の局所的な電流密度の上昇を緩和することができ、
これによりエレクロマイグレーション耐性の劣化を少な
くすることができる。
は、下地層１４を、層間絶縁膜１２上における厚さが２
００ｎｍとなるようにして形成したので、高圧リフロー
法によってプラグ１６と上層配線１８の材料とが同一物
質となっており、かつ、ボーダーレスコンタクト構造で
あることに起因して、プラグ１６に部分的な細り１６ａ
が形成されているにもかかわらず、得られた多層配線構
造１９は、層間絶縁膜１２上の下地層１４が従来に比べ
十分に厚く形成されているため、ここで電流の経路を十
分に確保することができ、したがって細くなったプラグ
部分の局所的な電流密度の上昇を緩和することができ、
これによりエレクロマイグレーション耐性の劣化を少な
くすることができる。
【００２４】図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明における配
線構造の形成方法の第２実施形態例を示す図である。こ
の例では、図３（ａ）に示すように、先の例と同様にし
て基体１０上に下層配線１１、層間絶縁膜１２を順次形
成し、さらにこの層間絶縁膜１２上に、スパッタ法によ
ってＴｉＮを厚さ１３０ｎｍに成膜し、導電性の第１の
下地層２１を形成した。なお、ＴｉＮの成膜条件につい
ては、実施形態例１と同じとした。次に、公知のフォト
レジスト技術、リソグラフィー技術、エッチング技術を
用いて第１の下地層２１、層間絶縁膜１２を開口し、図
３（ｂ）に示すように前記下層配線１１に通じる接続孔
２２を形成した。
線構造の形成方法の第２実施形態例を示す図である。こ
の例では、図３（ａ）に示すように、先の例と同様にし
て基体１０上に下層配線１１、層間絶縁膜１２を順次形
成し、さらにこの層間絶縁膜１２上に、スパッタ法によ
ってＴｉＮを厚さ１３０ｎｍに成膜し、導電性の第１の
下地層２１を形成した。なお、ＴｉＮの成膜条件につい
ては、実施形態例１と同じとした。次に、公知のフォト
レジスト技術、リソグラフィー技術、エッチング技術を
用いて第１の下地層２１、層間絶縁膜１２を開口し、図
３（ｂ）に示すように前記下層配線１１に通じる接続孔
２２を形成した。
【００２５】次いで、実施形態例１と同様にしてＴｉ、
ＴｉＮをこの順に成膜積層し、図３（ｃ）に示すように
接続孔２２の内壁面および該接続孔２２内に露出する前
記下層配線１１の上面を覆った状態で、前記第１の下地
層２１上に導電性の第２の下地層２３を形成した。ここ
で、第２の下地層２３を構成するＴｉ、ＴｉＮについて
は、その膜厚をＴｉが２０ｎｍ、ＴｉＮが５０ｎｍとし
た。したがって、層間絶縁膜１２上においては、第１の
下地層２１と第２の下地層２３の合計の厚さが２００ｎ
ｍとなった。
ＴｉＮをこの順に成膜積層し、図３（ｃ）に示すように
接続孔２２の内壁面および該接続孔２２内に露出する前
記下層配線１１の上面を覆った状態で、前記第１の下地
層２１上に導電性の第２の下地層２３を形成した。ここ
で、第２の下地層２３を構成するＴｉ、ＴｉＮについて
は、その膜厚をＴｉが２０ｎｍ、ＴｉＮが５０ｎｍとし
た。したがって、層間絶縁膜１２上においては、第１の
下地層２１と第２の下地層２３の合計の厚さが２００ｎ
ｍとなった。
【００２６】次いで、実施形態例１と同様にしてＡｌ−
Ｃｕを成膜し、配線材料層１５を形成した。続いて、実
施形態例１と同様にして高圧リフロー法で配線材料層１
５をリフロー処理し、該配線材料層１５を構成する配線
材料を接続孔２２内に埋め込んで接続孔２２内に前記配
線材料からなるプラグ１６を形成した。その後、実施形
態例１と同様にして配線材料層１５、第２の下地層２
３、第１の下地層２１を順次エッチングし、図３（ｄ）
に示すように上層配線１８を形成してボーダーレスコン
タクト構造の多層配線構造２４を得た。
Ｃｕを成膜し、配線材料層１５を形成した。続いて、実
施形態例１と同様にして高圧リフロー法で配線材料層１
５をリフロー処理し、該配線材料層１５を構成する配線
材料を接続孔２２内に埋め込んで接続孔２２内に前記配
線材料からなるプラグ１６を形成した。その後、実施形
態例１と同様にして配線材料層１５、第２の下地層２
３、第１の下地層２１を順次エッチングし、図３（ｄ）
に示すように上層配線１８を形成してボーダーレスコン
タクト構造の多層配線構造２４を得た。
【００２７】このような配線構造の形成方法にあって
も、第１の下地層２１と第２の下地層２３とを、層間絶
縁膜１２上における厚さが２００ｎｍとなるようにして
形成したので、実施形態例１の場合と同様に得られた多
層配線構造２４は、層間絶縁膜１２上の前記下地層２
１、２３が従来に比べ十分に厚く形成されているため、
ここで電流の経路を十分に確保することができ、したが
って細くなったプラグ部分の局所的な電流密度の上昇を
緩和することができ、これによりエレクロマイグレーシ
ョン耐性の劣化を少なくすることができる。また、接続
孔２２内には第２の下地層２３のみしか堆積しないの
で、接続孔２２の入口付近で厚い下地層がオーバーハン
グするといった不都合を防止することができ、これによ
り配線材料層１５を構成する配線材料の埋め込みを良好
に行うことができる。
も、第１の下地層２１と第２の下地層２３とを、層間絶
縁膜１２上における厚さが２００ｎｍとなるようにして
形成したので、実施形態例１の場合と同様に得られた多
層配線構造２４は、層間絶縁膜１２上の前記下地層２
１、２３が従来に比べ十分に厚く形成されているため、
ここで電流の経路を十分に確保することができ、したが
って細くなったプラグ部分の局所的な電流密度の上昇を
緩和することができ、これによりエレクロマイグレーシ
ョン耐性の劣化を少なくすることができる。また、接続
孔２２内には第２の下地層２３のみしか堆積しないの
で、接続孔２２の入口付近で厚い下地層がオーバーハン
グするといった不都合を防止することができ、これによ
り配線材料層１５を構成する配線材料の埋め込みを良好
に行うことができる。
【００２８】なお、前記実施形態例１では、下地層１４
をＴｉ膜とＴｉＮ膜とからなるＴｉＮ／Ｔｉ構造の積層
膜としたが、これ以外に、Ｔｉ単層膜、ＴｉＮ単層膜、
またはＴｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ構造などの積層膜としてもよ
い。さらに、ＴｉＮ膜に代えて、ＴｉＷ、Ｗ、またはこ
れらの積層膜としてもよい。ただし、いずれの場合にお
いても、下地層１４としての合計の膜厚を２００ｎｍ以
上とするのはもちろんである。また、前記実施形態例２
における第１の下地層２１、第２の下地層２３のいずれ
についても、実施形態例１の下地層１４と同様に、前記
した各種の材料によって形成してもよい。
をＴｉ膜とＴｉＮ膜とからなるＴｉＮ／Ｔｉ構造の積層
膜としたが、これ以外に、Ｔｉ単層膜、ＴｉＮ単層膜、
またはＴｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ構造などの積層膜としてもよ
い。さらに、ＴｉＮ膜に代えて、ＴｉＷ、Ｗ、またはこ
れらの積層膜としてもよい。ただし、いずれの場合にお
いても、下地層１４としての合計の膜厚を２００ｎｍ以
上とするのはもちろんである。また、前記実施形態例２
における第１の下地層２１、第２の下地層２３のいずれ
についても、実施形態例１の下地層１４と同様に、前記
した各種の材料によって形成してもよい。
【００２９】また、配線材料層１５を構成する配線材料
としてＡｌ−Ｃｕ合金を用いたが、Ａｌ合金としてはこ
れ以外にＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｇｅ等
を用いることもできる。また、Ａｌ合金以外にも、Ａ
ｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、さらにはこれらの合金材料を
用いることもできる。また、配線材料層１５を構成する
配線材料の接続孔１３（２２）内への埋め込みについて
は、高圧リフロー法に代えて、通常のリフロー法や高温
スパッタ法を用いることもでき、さらにはＣＶＤ法を用
いることもできる。
としてＡｌ−Ｃｕ合金を用いたが、Ａｌ合金としてはこ
れ以外にＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｇｅ等
を用いることもできる。また、Ａｌ合金以外にも、Ａ
ｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、さらにはこれらの合金材料を
用いることもできる。また、配線材料層１５を構成する
配線材料の接続孔１３（２２）内への埋め込みについて
は、高圧リフロー法に代えて、通常のリフロー法や高温
スパッタ法を用いることもでき、さらにはＣＶＤ法を用
いることもできる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項１記載の配線構造の形成方法は、導電性の下地層を、
絶縁膜上における厚さが２００ｎｍ以上となるようにし
て形成する方法である。したがって、合わせずれのため
の余裕部分を極力小さくし、あるいは全く無くしたボー
ダーレスコンタクト構造を、高圧リフロー法等のように
プラグと上層配線の材料とが同一物質となる技術を採用
して形成した場合に、合わせずれによりプラグに部分的
な細りが生じても、絶縁膜上の下地層を従来に比べ十分
に厚く形成しているため、ここで電流の経路を十分に確
保することができる。よって、細くなったプラグ部分の
局所的な電流密度の上昇を緩和することができ、これに
よりエレクロマイグレーション耐性の劣化を少なくする
ことができる。
項１記載の配線構造の形成方法は、導電性の下地層を、
絶縁膜上における厚さが２００ｎｍ以上となるようにし
て形成する方法である。したがって、合わせずれのため
の余裕部分を極力小さくし、あるいは全く無くしたボー
ダーレスコンタクト構造を、高圧リフロー法等のように
プラグと上層配線の材料とが同一物質となる技術を採用
して形成した場合に、合わせずれによりプラグに部分的
な細りが生じても、絶縁膜上の下地層を従来に比べ十分
に厚く形成しているため、ここで電流の経路を十分に確
保することができる。よって、細くなったプラグ部分の
局所的な電流密度の上昇を緩和することができ、これに
よりエレクロマイグレーション耐性の劣化を少なくする
ことができる。
【００３１】請求項４記載の配線構造の形成方法は、導
電性の第１の下地層と第２の下地層とを、絶縁膜上にお
いてその合計の厚さが２００ｎｍ以上となるようにして
形成する方法である。したがって、請求項１記載の配線
構造の形成方法と同様に、合わせずれによりプラグに部
分的な細りが生じても、絶縁膜上の下地層を従来に比べ
十分に厚く形成しているため、ここで電流の経路を十分
に確保することができ、よってエレクロマイグレーショ
ン耐性の劣化を少なくすることができる。また、接続孔
内には第２の下地層のみしか堆積しないので、接続孔の
入口付近で厚い下地層がオーバーハングするといった不
都合を防止することができ、これにより配線材料層を構
成する配線材料の埋め込みを良好に行うことができる。
電性の第１の下地層と第２の下地層とを、絶縁膜上にお
いてその合計の厚さが２００ｎｍ以上となるようにして
形成する方法である。したがって、請求項１記載の配線
構造の形成方法と同様に、合わせずれによりプラグに部
分的な細りが生じても、絶縁膜上の下地層を従来に比べ
十分に厚く形成しているため、ここで電流の経路を十分
に確保することができ、よってエレクロマイグレーショ
ン耐性の劣化を少なくすることができる。また、接続孔
内には第２の下地層のみしか堆積しないので、接続孔の
入口付近で厚い下地層がオーバーハングするといった不
都合を防止することができ、これにより配線材料層を構
成する配線材料の埋め込みを良好に行うことができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明における配線構造の
形成方法の第１実施形態例を工程順に説明するための要
部側断面図である。
形成方法の第１実施形態例を工程順に説明するための要
部側断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、本発明における配線構造の
形成方法の第１実施形態例を説明するための図であり、
図１（ｃ）に続く工程を工程順に説明するための要部側
断面図である。
形成方法の第１実施形態例を説明するための図であり、
図１（ｃ）に続く工程を工程順に説明するための要部側
断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明における配線構造の
形成方法の第２実施形態例を工程順に説明するための要
部側断面図である。
形成方法の第２実施形態例を工程順に説明するための要
部側断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、従来の配線材料の埋め込み
技術を工程順に説明するための要部側断面図である。
技術を工程順に説明するための要部側断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は従来の配線構造の形成方法の
課題を説明するための要部側断面図である。
課題を説明するための要部側断面図である。
１０ 基体 １１ 下層配線 １２ 層間絶縁膜
（絶縁膜） １３、２２ 接続孔 １４ 下地層 １５ 配線材
料層 １６ プラグ １８ 上層配線 １９、２４ 多層配線構造 ２１
第１の下地層 ２２ 第２の下地層
（絶縁膜） １３、２２ 接続孔 １４ 下地層 １５ 配線材
料層 １６ プラグ １８ 上層配線 １９、２４ 多層配線構造 ２１
第１の下地層 ２２ 第２の下地層
Claims (6)
- 【請求項１】 下層配線を覆って形成された絶縁膜中
に、前記下層配線に通じる接続孔を形成する工程と、 前記接続孔の内壁面および該接続孔内に露出する前記下
層配線の上面を覆い、かつ前記絶縁膜上における厚さが
２００ｎｍ以上となるようにして導電性の下地層を形成
する工程と、 前記下地層上に配線材料を形成するとともに、該配線材
料を前記接続孔内に埋め込む工程と、 前記配線材料および下地層をパターニングして上層配線
を形成する工程と、を備えてなることを特徴とする配線
構造の形成方法。 - 【請求項２】 前記配線材料が、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃ
ｕ、Ｃｕ合金、ＡｇあるいはＡｇ合金であり、 前記下地層が、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＷあるいはＴｉＷからな
る単層膜、もしくはこれらの積層膜であることを特徴と
する請求項１記載の配線構造の形成方法。 - 【請求項３】 前記の配線材料を接続孔内に埋め込む工
程が、高圧リフロー法、リフロー法、高温スパッタ法ま
たはＣＶＤ法によってなされることを特徴とする請求項
１記載の配線構造の形成方法。 - 【請求項４】 下層配線を覆って形成された絶縁膜上
に、該絶縁膜を覆って導電性の第１の下地層を形成する
工程と、 該第１の下地層および前記絶縁膜中に、前記下層配線に
通じる接続孔を形成する工程と、 前記接続孔の内壁面および該接続孔内に露出する前記下
層配線の上面を覆った状態で前記第１の下地層上に導電
性の第２の下地層を形成し、かつ前記絶縁膜上における
第１の下地層と第２の下地層との合計の厚さが２００ｎ
ｍ以上となるようにする工程と、 前記第２の下地層上に配線材料を形成するとともに、該
配線材料を前記接続孔内に埋め込む工程と、 前記配線材料および第２の下地層、第１の下地層をパタ
ーニングして上層配線を形成する工程と、を備えてなる
ことを特徴とする配線構造の形成方法。 - 【請求項５】 前記配線材料が、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃ
ｕ、Ｃｕ合金、ＡｇあるいはＡｇ合金であり、 前記下地層が、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＷあるいはＴｉＷからな
る単層膜、もしくはこれらの積層膜であることを特徴と
する請求項４記載の配線構造の形成方法。 - 【請求項６】 前記の配線材料を接続孔内に埋め込む工
程が、高圧リフロー法、リフロー法、高温スパッタ法ま
たはＣＶＤ法によってなされることを特徴とする請求項
５記載の配線構造の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111997A JPH10223752A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 配線構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111997A JPH10223752A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 配線構造の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223752A true JPH10223752A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12046002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2111997A Pending JPH10223752A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 配線構造の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223752A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9177813B2 (en) | 2009-05-18 | 2015-11-03 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP2111997A patent/JPH10223752A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9177813B2 (en) | 2009-05-18 | 2015-11-03 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4937652A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP3540302B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2710221B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3348706B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20070111508A1 (en) | Process for producing semiconductor integrated circuit device | |
| US20010038886A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR20000048295A (ko) | 반도체 장치의 배선 구조 및 그 제조 방법 | |
| JP3012187B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10223752A (ja) | 配線構造の形成方法 | |
| JPH10294314A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4207113B2 (ja) | 配線構造の形成方法 | |
| JPH10233449A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10209276A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH10199972A (ja) | 配線構造の形成方法および配線構造 | |
| JPH05283533A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH053254A (ja) | 積層配線形成方法 | |
| JP3407516B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06267888A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05251566A (ja) | 多層配線構造 | |
| JP2809193B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08181213A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10173051A (ja) | 配線形成方法 | |
| JP2000208520A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH06342790A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08204001A (ja) | 半導体装置の製造方法 |