JPH10200412A - 分布されたデシメーションサンプル速度変換 - Google Patents

分布されたデシメーションサンプル速度変換

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JPH10200412A
JPH10200412A JP9266995A JP26699597A JPH10200412A JP H10200412 A JPH10200412 A JP H10200412A JP 9266995 A JP9266995 A JP 9266995A JP 26699597 A JP26699597 A JP 26699597A JP H10200412 A JPH10200412 A JP H10200412A
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JP
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sample rate
signal
sink
decimation
source
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JP9266995A
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M Rosachar Fritz
フリッツ・エム・ロサチャー
Shamlow Darisch
ダリュシュ・シャムロウ
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Rockwell International Corp
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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    • H03H17/0621—Non-recursive filters with input-sampling frequency and output-delivery frequency which differ, e.g. extrapolation; Anti-aliasing
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 非整数の係数によってソースサンプル速度の
ソース信号をシンクサンプル速度のシンク信号にデシメ
ートするためのシステムを提供する。 【解決手段】 このシステムは、まず、ソースサンプル
速度とシンクサンプル速度との比率に基づいてデシメー
ション係数を決定する。次にこのシステムは、デシメー
ション係数によってソース信号を、シンクサンプル速度
よりも大きい中間（ＩＭ）サンプル速度の中間（ＩＭ）
信号にデシメートする。次に、このＩＭ信号はサンプル
速度変換器に与えられ、わずか１から２の間のデシメー
ション係数を用いて、シンクサンプル速度のシンク信号
にダウンコンバートされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、あるサンプル速
度のデータサンプルを他のサンプル速度のデータサンプ
ルに変換するための電子回路に関する。より特定的に
は、この発明は、高品質オーディオ信号処理および変換
のためのサンプル速度変換器に関する。
【０００２】
【発明の背景】デジタル処理および通信技術の発展に伴
い、アナログ源によって生成された信号を、さらにデジ
タル領域で処理したり、デジタル形式で記憶したり、ま
たはデジタル媒体を通じて伝送したりするために、デジ
タル化することが極めて一般的になってきている。しか
し、デジタル領域においては、要求される品質および利
用可能な帯域幅に依存して、異なったサンプル速度が使
用される。したがって、異なった装置および媒体の間に
簡単なデジタルインターフェイスを設けることが重要に
なってきた。
【０００３】サンプル速度変換（ＳＲＣ）という概念
は、マルチメディアアプリケーションのためのデジタル
信号を扱う者には周知である。ＳＲＣを応用する従来の
方法では、まず、アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）を
用いて一定のサンプル速度のいくつかのアナログ信号を
デジタル化する。次に、このデジタル信号をＳＲＣに与
え、変換された信号が意図される目的および用途に適し
たサンプル速度を有するようにする。例としては、ＳＲ
Ｃは以下のような用途を有するであろう。
【０００４】たとえば帯域幅が４ｋＨｚの電話線などの
通信チャネルを通じて高品質（ＨＱ）オーディオ信号を
伝送するためには、ソース信号のサンプル速度を伝送の
ために８ｋＨｚにダウンコンバートすることが必要であ
る。ＨＱ信号は典型的には、４４．１ｋＨｚまたは４８
ｋＨｚのサンプル速度でサンプリングされているからで
ある。
【０００５】また、ＣＤ−ＲＯＭのサンプル速度は４
４．１ｋＨｚであり、一方、音声のサンプル速度は典型
的には８ｋＨｚであるので、音声注釈を伴うＣＤ−ＲＯ
Ｍからの信号をデジタル方式で混合するためには、それ
らのサンプル速度を混合用に同じサンプル速度に変換せ
ねばならない。アナログ領域で混合するように両信号を
アナログに変換することも可能ではあるが、ＤＡＣおよ
びＡＤＣが必要になるためアナログ領域での混合は極め
て高価であり、言うまでもなくまた、付随して歪の問題
が生じる。
【０００６】さらには、後処理のためにＰＣにデジタル
化された音声信号をデジタル方式で記憶するためには、
サンプル速度が異なっているため、やはりＳＲＣが必要
である。
【０００７】図１は、ＨＱオーディオ信号のための従来
のＳＲＣを示す。このようなシステムは、音楽または音
声などのアナログソース信号１００を受信するためのミ
クサまたはマイクロホン１１０を含むであろう。受信さ
れた信号は次に、シグマデルタアナログ／デジタル変換
器（ＡＤＣ）１２０によってオーバーサンプルされたデ
ジタル形式に変換される。このデジタル信号は次にデシ
メーションフィルタ１３０に与えられ、そのサンプル速
度はたとえば４４．１ｋＨｚに変換される。そして、Ｓ
ＲＣ１４０に与えられ、そのサンプル速度は４ｋＨｚか
ら４４．１ｋＨｚの間の範囲にダウンコンバートされ
る。結果として生じる信号１４５を、次に、電話リンク
を通じて伝送したり１５０、永久メモリまたは記憶ディ
スクに記憶したり１５５、または他のソース信号と混合
したり１６０することができる。
【０００８】しかし、従来のシステムにおいては、４
４．１ｋＨｚを４ｋＨｚまたは８ｋＨｚに変換できるよ
うにするためには、ダウンコンバージョン係数がそれぞ
れ１１および５よりも大きくなるため、メモリおよび計
算サイクルの両要件に関しかなり費用が高くなる。メモ
リおよび計算の両面でＳＲＣに必要とされる資源は、Ｓ
ＲＣのダウンサンプル率に比例するので、従来の方法よ
りも遙に効率的な実現例が望ましい。
【０００９】
【発明の概要】したがって、この発明の目的は、高品質
オーディオ信号に対しデシメーションサンプル速度変換
を効率的に行なうことである。
【００１０】この発明のまた別の目的は、計算サイクル
要件およびＲＡＭ要件を減じ、デシメーションサンプル
速度変換を行なうことである。
【００１１】非整数比によってソースサンプル速度のソ
ース信号をシンクサンプル速度のシンク信号にデシメー
トするためのシステムが開示される。このシステムはま
ず、ソースサンプル速度とシンクサンプル速度との比に
基づいてデシメーション係数を決定する。次に、このシ
ステムは、デシメーション係数によって、ソース信号
を、シンクサンプル速度よりも大きなＩＭサンプル速度
の中間（ＩＭ）信号にデシメートする。このＩＭ信号は
次に、サンプル速度変換器に与えられ、わずか１から２
の間の係数を用いて、シンクサンプル速度のシンク信号
にダウンコンバートされる。
【００１２】
【詳細な説明】分布されたデシメーションサンプル速度
変換のための方法およびシステムが開示される。この実
施例は、デジタルオーディオ機器とともに使用するため
の集積回路として実装するため開発された。異なったア
プリケーションおよびシステムに対しこのサンプル速度
変換器を最適化するため修正を行ない得ることが当業者
には理解されよう。積分器、微分器、ＦＩＲハーフバン
ドフィルタの精度も、所定のアプリケーションに対し最
適化できる要因に含まれる。
【００１３】図２を参照すると、この発明による分布さ
れたデシメーションサンプル速度変換の簡略ブロック図
が示されている。以下に個々の機能ブロックを説明す
る。アナログ／デジタル変換器２００（ＡＤＣ）は、ア
ナログ入力信号をオーバーサンプルされたビットストリ
ームに変換するための３次シグマデルタ変換器である。
現在、信号は１２８×４４．１ｋＨｚ（＝５．６４４８
ＭＨｚ）でオーバーサンプルされる。
【００１４】ＡＤＣ２００の次に、ソース信号はデシメ
ーションフィルタ２３０に与えられる。デシメーション
フィルタブロック２３０は以下の構成要素を有する。す
なわち、４次積分器２１０、４次微分器２２０、有限イ
ンパルス応答（ＦＩＲ）下垂補正ユニット２２５、２７
次ＦＩＲハーフバンドフィルタ２４０、および５１次Ｆ
ＩＲハーフバンドフィルタ２５０である。
【００１５】積分器２１０および微分器２２０は、とも
に４次ＳＩＮＣフィルタを構成し、オーバーサンプルさ
れたソース信号のサンプル速度を１２８×４４．１ｋＨ
ｚから０．５×４４．１ｋＨｚ、１×４４．１ｋＨｚ、
２×４４．１ｋＨｚ、および４×４４．１ｋＨｚに、そ
れぞれ、デシメーション係数２５６、１２８、６４、お
よび３２によってデシメートする。デシメーション係数
の選択は、シンクサンプル速度情報を記憶するプログラ
マブルレジスタ２６１から伝送される情報に基づく。以
下に説明するように、デシメーション係数は、デシメー
ションフィルタ２３０の後、結果としてサンプル速度が
シンクサンプル速度の１倍から２倍の間の範囲にくるよ
う選択される。
【００１６】積分器２１０および微分器２２０の後に、
信号はＦＩＲ下垂補正ユニット２２５に与えられる。下
垂補正とは、積分器２１０および微分器２２０によって
生じた高周波数の減衰を補正するものである。
【００１７】下垂補正ユニット２２５の次に、信号は、
２つのＦＩＲハーフバンドフィルタ２４０、２５０に与
えられる。これらは、それぞれ係数２によって信号をデ
シメートする。現在、第１のハーフバンドフィルタ２４
０は２７次であり、第２のハーフバンドフィルタ２５０
は５１次である。
【００１８】第２のハーフバンドフィルタ２５０の後の
中間（ＩＭ）信号のサンプル速度は、積分器２１０が使
用するデシメータ係数に依存して、５．５１２５ｋＨ
ｚ、１１．０２５ＫＨｚ、２２．０５ｋＨｚ、および４
４．１０ｋＨｚのいずれであってもよい。これらのサン
プル速度が依然として、ソースサンプル速度１２８×４
４．１ｋＨｚの２のべき乗の分数である、すなわち、そ
れぞれ１２８×４４．１ｋＨｚに２-10 、２-9、２-8お
よび２-7をかけたものであることに注意されたい。
【００１９】デジタル方式での混合またはマルチメディ
アアプリケーションでの伝送のためにＩＭ信号を準備す
るためには、サンプル速度変換器（ＳＲＣ）２６０を用
いて、サンプル速度を４ｋＨｚから４４．１ｋＨｚの間
の範囲に変換できねばならない。
【００２０】プログラマブルレジスタ２６１はシンクサ
ンプル速度を記憶する。このレジスタは、４次ＳＩＮＣ
フィルタ、下垂補正ユニット２５５、ＦＩＲハーフバン
ドフィルタ２４０、２５０、およびＳＲＣ２６０に、制
御情報を送り、各ユニットによるデシメーションの範囲
を指示する。
【００２１】上述の分布されたデシメーションによれ
ば、ＳＲＣ２６０は、１から２の間の係数によってダウ
ンコンバージョンを行なうのみでよく、したがって、資
源が節約される。この後は、アプリケーション、および
シンクサンプルが伝送されるか、記憶されるか、または
混合されるかに依存して、シンクサンプル速度は４から
４４．１ｋＨｚまでのいずれの値でもあり得る。
【００２２】この発明の利益および利点を示すため、表
１に、分布されたデシメーションサンプル速度変換が、
今や１から２の間の範囲に限定され得るＳＲＣ係数に与
える効果が列挙されている。要求される資源が最大のダ
ウンサンプル係数に比例することに注意されたい。たと
えば、行１を見ると、所望されるシンクサンプル速度が
４ｋＨｚならば、ＳＩＮＣフィルタのデシメーション係
数は２５６に設定され、まず、ソースサンプル速度を
０．５×４４．１ｋＨｚ（＝２２．０５ｋＨｚ）にデシ
メートする。
【００２３】ハーフバンドフィルタ２４０、２５０によ
って係数４でデシメーションが行なわれた後は、ＳＲＣ
２６０は、ただ、１．２８１２５という低さのＳＲＣ係
数を用いて、５．１２５ｋＨｚから４ｋＨｚにダウンコ
ンバートするのみでよい。上述の従来の方法論において
は、ＦＩＲハーフバンド（１３０）の後、ＳＲＣは常
に、４４．１０ｋＨｚから４ｋＨｚにダウンコンバート
せねばならず、コンバージョン係数は１１より大きくな
る。ＳＲＣの負担を軽減するようなデシメーションの分
布はされていない。
【００２４】
【表１】
【００２５】したがって、この発明により、このシステ
ムは、ＳＩＮＣフィルタのデシメーション係数を設定す
る前にまず、シンクサンプル速度を考慮する。シンクサ
ンプル速度の範囲に基づいて、このシステムはデシメー
ション率を選択する。
【００２６】ＳＲＣ用にデータサンプルを記憶するラン
ダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）の要件において費用を削
減することができる。この分布されたデシメーションに
よれば、たとえ、若干積分器が大きくなるなどの必要な
増加があったとしてもコストを削減できる。なぜなら
ば、積分器２１０の大きさはＳＩＮＣデシメーション係
数のｌｏｇ2 に比例するが、ＳＲＣ ＲＡＭの大きさは
ＳＲＣデシメーション係数に比例するからである。
【００２７】ここでは、この発明のごく少しの例示的な
実施例を説明してきたが、この発明の新規の教示および
利点から実質的に逸脱することなくこの例示的な実施例
に多くの修正を加え得ることが当業者には容易に理解さ
れるであろう。したがって、このようなすべての修正
は、前掲請求項によって規定されるこの発明の範囲内に
含まれるものと意図される。特許請求の範囲において
は、ミーンズプラスファンクション節は、記載された機
能を実行するここに記載された構造をカバーするものと
意図され、単に構造上の均等物だけでなく均等な構造物
もカバーするものと意図される。したがって、たとえ
ば、釘は木部をともに固定するための円筒状の表面を有
し、一方ねじ釘は螺旋状の表面を有するという点では釘
とねじ釘とは構造上の均等物ではないかもしれないが、
木部を固定するという点では、釘とねじ釘とは均等な構
造物であろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の高品質サンプル速度変換システムの簡略
ブロック図である。
【図２】この発明による分布されたサンプル速度変換シ
ステムの簡略ブロック図である。
【符号の説明】
２１０ ４次積分器 ２２０ ４次微分器 ２２５ ＦＩＲ下垂補正ユニット ２３０ デシメーションフィルタ ２４０ ２７次ＦＩＲハーフバンドフィルタ ２５０ ５１次ＦＩＲハーフバンドフィルタ
フロントページの続き (72)発明者 フリッツ・エム・ロサチャー アメリカ合衆国、92663−5910 カリフォ ルニア州、ニューポート・ビーチ、シック スティーンス・ストリート、1940、アパー トメント・オゥ−340 (72)発明者 ダリュシュ・シャムロウ アメリカ合衆国、92677 カリフォルニア 州、ラグーナ・ニゲル、ベル・メゾン、 30756

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ソースサンプル速度のソース信号を非整
    数比によってシンクサンプル速度のシンク信号にデシメ
    ートする方法であって、 ａ） ソースサンプル速度およびシンクサンプル速度に
    基づいて最大の２のべき乗のデシメーション係数を決定
    するステップと、 ｂ） ソース信号をデシメーション係数でデシメート
    し、少なくともシンクサンプル速度と同じ大きさの中間
    （ＩＭ）サンプル速度の中間信号にするステップと、 ｃ） ＩＭ信号にサンプル速度変換を行ない、シンクサ
    ンプル速度のシンク信号にダウンコンバートするステッ
    プとを含む、方法。
  2. 【請求項２】 ＩＭ信号は、シンクサンプル速度の約１
    倍から約２倍の間のサンプル速度を有する、請求項１に
    記載の方法。
  3. 【請求項３】 ステップｃ）は、１から２の間のダウン
    コンバージョン係数によってサンプル速度変換を行なう
    ことを含む、請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 ソースサンプル速度のソース信号をシン
    クサンプル速度のシンク信号にデシメートする方法であ
    って、 ａ） ソースサンプル速度のシンクサンプル速度に対す
    る比を決定するステップと、 ｂ） 比に基づいて２のべき乗のデシメーション係数を
    決定するステップと、 ｃ） デシメーション係数によってソース信号をＩＭサ
    ンプル速度のＩＭ信号にデシメートするステップとを含
    み、ＩＭサンプル速度はシンクサンプル速度よりも大き
    く、前記方法はさらに、 ｄ） サンプル速度変換器を用いて、ＩＭ信号を非整数
    の係数によりシンクサンプル速度のシンク信号に変換す
    るステップを含む、方法。
  5. 【請求項５】 ＩＭサンプル速度は、シンクサンプル速
    度の約１倍から約２倍の間である、請求項４に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 ソース信号は、入力信号をオーバーサン
    プルした信号である、請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 ソースサンプル速度のソース信号を非整
    数比によってシンクサンプル速度のシンク信号にデシメ
    ートするためのシステムであって、 ソースサンプル速度とシンクサンプル速度との比に基づ
    いて２のべき乗のデシメーション係数を決定するための
    手段と、 デシメーション係数によってソース信号を、シンクサン
    プル速度以上のＩＭサンプル速度の中間信号（ＩＭ）に
    デシメートするための可変デシメーションフィルタ手段
    とを含み、可変デシメーションフィルタ手段はＳＩＮＣ
    フィルタを含み、前記システムはさらに、 ＩＭ信号を非整数の係数によってシンクサンプル速度の
    シンク信号にダウンコンバートするためのサンプル速度
    変換器手段を含む、システム。
  8. 【請求項８】 可変デシメーションフィルタ手段は、プ
    ログラマブルデシメータ係数を用いて、ソース信号を、
    シンクサンプル速度の約１倍から約２倍の間のサンプル
    速度のＩＭ信号にデシメートする、請求項７に記載のシ
    ステム。
  9. 【請求項９】 サンプル速度変換器手段は、１から２の
    間の変換係数を用いて変換を行なう、請求項８に記載の
    システム。
  10. 【請求項１０】 ソース信号は、オーバーサンプル係数
    によってオーバーサンプルされ、可変デシメーションフ
    ィルタ手段は、 オーバーサンプル係数およびシンクサンプル速度に基づ
    いて３２、６４、１２８、および２５６のデシメーショ
    ン係数のいずれかを用いて、ソース信号を積分およびデ
    シメートし、積分出力を発生するための、可変デシメー
    ション積分器手段と、 積分器手段と結合され、積分出力を微分して微分器出力
    を発生するための微分器手段と、 微分器手段と結合され、ＳＩＮＣフィルタからの高周波
    数減衰を補正して補正された出力を発生するためのＦＩ
    Ｒ下垂補正手段と、 ＦＩＲ下垂補正手段と結合され、補正された出力を係数
    ２によってダウンコンバートするための、第１のＦＩＲ
    ハーフバンドフィルタ手段と、 第１のＦＩＲハーフバンドフィルタ手段と結合され、係
    数２によってＩＭサンプル速度のＩＭ信号を生成するた
    めの、第２のＦＩＲハーフバンドフィルタ手段とを含
    む、請求項９に記載のシステム。
JP9266995A 1996-09-30 1997-09-30 分布されたデシメーションサンプル速度変換 Pending JPH10200412A (ja)

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US08/724,168 US5880980A (en) 1996-09-30 1996-09-30 Distributed decimation sample rate conversion
US08/724168 1996-09-30

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008516560A (ja) * 2004-10-13 2008-05-15 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド 通信システム用フィルタ

Families Citing this family (247)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3593805B2 (ja) * 1996-07-26 2004-11-24 ソニー株式会社 特殊効果処理装置
JP3377391B2 (ja) * 1997-02-12 2003-02-17 日本テクトロニクス株式会社 リアルタイム信号アナライザ
US6275836B1 (en) * 1998-06-12 2001-08-14 Oak Technology, Inc. Interpolation filter and method for switching between integer and fractional interpolation rates
US6487573B1 (en) 1999-03-26 2002-11-26 Texas Instruments Incorporated Multi-rate digital filter for audio sample-rate conversion
US6584145B1 (en) * 1999-06-02 2003-06-24 Level One Communications, Inc. Sample rate converter
US7280878B1 (en) 1999-10-27 2007-10-09 Creative Technology Ltd Sample rate converter having distributed filtering
DE10024267A1 (de) * 2000-05-17 2001-11-29 Bosch Gmbh Robert Rundfunkempfänger für den Empfang von digitalen Rundfunksignalen und Verfahren zum Empfang von digitalen Rundfunksignalen
US6433726B1 (en) * 2001-06-22 2002-08-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Fractional decimation filter using oversampled data
US6975921B2 (en) * 2001-11-09 2005-12-13 Asm International Nv Graphical representation of a wafer processing process
US20030158880A1 (en) * 2002-02-13 2003-08-21 Ng Kenneth Y. Booth encoder and partial products circuit
US8589461B1 (en) * 2003-03-24 2013-11-19 Altera Corporation Dynamically re-configurable signal decimation system using a finite impulse response (FIR) filter
US8019035B2 (en) 2003-08-05 2011-09-13 Stmicroelectronics Nv Noise shaped interpolator and decimator apparatus and method
US7310056B2 (en) * 2005-07-07 2007-12-18 Broadcom Corporation Method and system for adjustable sample rate conversion
US7477323B2 (en) * 2005-11-07 2009-01-13 Kolorific, Inc. Method and system for digital image magnification and reduction
US8645441B2 (en) * 2007-08-01 2014-02-04 Pentomics, Inc. Desensitized filters
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
ES2537785T3 (es) * 2009-05-08 2015-06-12 Sciclone Pharmaceuticals, Inc. Péptidos de alfa timosina como potenciadores de vacunas
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9432043B2 (en) 2014-09-25 2016-08-30 Analog Devices Global Sample rate converter, an analog to digital converter including a sample rate converter and a method of converting a data stream from one data rate to another data rate
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9837988B1 (en) * 2015-03-26 2017-12-05 Altera Corporation Dynamically adjustable decimation filter circuitry
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10491997B2 (en) * 2017-04-27 2019-11-26 Cirrus Logic, Inc. Controlling noise transfer function of signal path to reduce charge pump noise
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
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CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
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US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
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US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
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TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4020332A (en) * 1975-09-24 1977-04-26 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Interpolation-decimation circuit for increasing or decreasing digital sampling frequency
DE3378245D1 (en) * 1983-07-14 1988-11-17 Ant Nachrichtentech Method of interfacing two systems with different sampling rates
US5157395A (en) * 1991-03-04 1992-10-20 Crystal Semiconductor Corporation Variable decimation architecture for a delta-sigma analog-to-digital converter
US5245667A (en) * 1991-04-03 1993-09-14 Frox, Inc. Method and structure for synchronizing multiple, independently generated digital audio signals
DE69213700D1 (de) * 1992-01-08 1996-10-17 Ibm Signalprozessor zur Abtastrateumsetzung
JPH05283978A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Sony Corp サンプリングレート変換装置
US5475628A (en) * 1992-09-30 1995-12-12 Analog Devices, Inc. Asynchronous digital sample rate converter
EP0719478B1 (en) * 1993-09-13 1998-07-22 Analog Devices, Inc. Digital to analog conversion using nonuniform sample rates
US5457456A (en) * 1993-12-16 1995-10-10 At&T Ipm Corp. Data converter with programmable decimation or interpolation factor
US5621675A (en) * 1994-11-02 1997-04-15 Advanced Micro Devices, Inc. Digital decimation and compensation filter system
US5627536A (en) * 1994-12-27 1997-05-06 Advanced Micro Devices, Inc. Multiplexed delta-sigma modulator
US5610942A (en) * 1995-03-07 1997-03-11 Chen; Keping Digital signal transcoder and method of transcoding a digital signal
JP3037582B2 (ja) * 1995-04-12 2000-04-24 シャープ株式会社 デジタルデータのバッファリング装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008516560A (ja) * 2004-10-13 2008-05-15 アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド 通信システム用フィルタ
US8417750B2 (en) 2004-10-13 2013-04-09 Mediatek Inc. Filters for communication systems

Also Published As

Publication number Publication date
US5880980A (en) 1999-03-09
US5916301A (en) 1999-06-29

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