JPH10200305A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH10200305A JPH10200305A JP1474597A JP1474597A JPH10200305A JP H10200305 A JPH10200305 A JP H10200305A JP 1474597 A JP1474597 A JP 1474597A JP 1474597 A JP1474597 A JP 1474597A JP H10200305 A JPH10200305 A JP H10200305A
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- Japan
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- conductor
- dielectric
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器間の容量付加を容易にするとともに、
不要な浮遊容量の発生を防止する。 【解決手段】 三枚の誘電体基板のうち凹溝を具えた第
一の誘電体基板11と平板の第二の誘電体基板12で共振器
ブロックを構成し、第二の誘電体基板12に平板の第三の
誘電体基板13を重ねてその接合面に導体パターンを形成
する。内導体14と対向する位置に容量を形成する導体膜
16を形成し、この導体膜16を他の内導体と対向する導体
膜あるいは入出力端子となる導体膜と接続する。接続用
の導体パターン18は第二の誘電体基板12の接着面に形成
されたガラス層17の上に形成される。
不要な浮遊容量の発生を防止する。 【解決手段】 三枚の誘電体基板のうち凹溝を具えた第
一の誘電体基板11と平板の第二の誘電体基板12で共振器
ブロックを構成し、第二の誘電体基板12に平板の第三の
誘電体基板13を重ねてその接合面に導体パターンを形成
する。内導体14と対向する位置に容量を形成する導体膜
16を形成し、この導体膜16を他の内導体と対向する導体
膜あるいは入出力端子となる導体膜と接続する。接続用
の導体パターン18は第二の誘電体基板12の接着面に形成
されたガラス層17の上に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体フィルタの
構造に係るもので、特に、減衰極を形成するために容量
を付加するフィルタとして用いるのに適した誘電体フィ
ルタに関するものである。
構造に係るもので、特に、減衰極を形成するために容量
を付加するフィルタとして用いるのに適した誘電体フィ
ルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信機器等の数百MHz 帯域で利用
可能なフィルタとして、誘電体共振器(フィルタ) や積
層ＬＣフィルタが用いられるようになっている。同軸Ｔ
ＥＭ共振タイプの誘電体フィルタは高いＱが得られるた
めに、フィルタ、デュプレクサとして数多く使われてい
る。
可能なフィルタとして、誘電体共振器(フィルタ) や積
層ＬＣフィルタが用いられるようになっている。同軸Ｔ
ＥＭ共振タイプの誘電体フィルタは高いＱが得られるた
めに、フィルタ、デュプレクサとして数多く使われてい
る。
【０００３】誘電体フィルタには、誘電体共振器単体を
複数個接続するものと、誘電体ブロック内に複数の貫通
孔を形成して複数の共振器を一体に形成するものとがあ
る。また、溝を形成した誘電体基板を貼り合わせる構造
なども採用されている。
複数個接続するものと、誘電体ブロック内に複数の貫通
孔を形成して複数の共振器を一体に形成するものとがあ
る。また、溝を形成した誘電体基板を貼り合わせる構造
なども採用されている。
【０００４】誘電体フィルタにおいて、通過帯域特性を
調整するために、共振器間の誘導結合と容量結合を調整
したり、共振器間に容量やインダクタンスを接続したり
する技術が用いられる。共振器間に容量等を付加するた
めには、外付けの部品が必要となったり、電極が形成さ
れてコンデンサを構成する誘電体基板を用いたりする必
要がある。
調整するために、共振器間の誘導結合と容量結合を調整
したり、共振器間に容量やインダクタンスを接続したり
する技術が用いられる。共振器間に容量等を付加するた
めには、外付けの部品が必要となったり、電極が形成さ
れてコンデンサを構成する誘電体基板を用いたりする必
要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】共振器間の容量等を得
るために誘電体基板を貼り合わせて、その誘電体基板の
接着面に導体膜を形成して、この導体膜によってコンデ
ンサやインダクタを形成する試みもなされている。しか
し、誘電体フィルタに用いられる誘電体材料は誘電率が
35〜90のものが使用されており、導体膜と他の導体膜と
の間の浮遊容量が発生して、特性の劣化を生じる大きな
要因となっている。
るために誘電体基板を貼り合わせて、その誘電体基板の
接着面に導体膜を形成して、この導体膜によってコンデ
ンサやインダクタを形成する試みもなされている。しか
し、誘電体フィルタに用いられる誘電体材料は誘電率が
35〜90のものが使用されており、導体膜と他の導体膜と
の間の浮遊容量が発生して、特性の劣化を生じる大きな
要因となっている。
【０００６】本発明は、誘電体基板の接着面に容量やイ
ンダクタンスを得るための導体膜を形成して、部品点数
の少ない誘電体フィルタを得るとともに、その導体膜と
内導体等の他の導体膜との間の浮遊容量を減少させるも
のである。
ンダクタンスを得るための導体膜を形成して、部品点数
の少ない誘電体フィルタを得るとともに、その導体膜と
内導体等の他の導体膜との間の浮遊容量を減少させるも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、導体膜を接続
する導体パターンと誘電体ブロックとの間に、低誘電率
層を形成することによって、上記の課題を解決するもの
である。
する導体パターンと誘電体ブロックとの間に、低誘電率
層を形成することによって、上記の課題を解決するもの
である。
【０００８】すなわち、平行な複数の凹溝を具えた第一
の誘電体基板と、第一の誘電体基板の凹溝が形成された
表面に接着される第二の誘電体基板と、第二の誘電体基
板の第一の誘電体基板と接着される表面の反対側の表面
に接着される第三の誘電体基板を具え、第一の誘電体基
板の凹溝の表面と第二の誘電体基板の凹溝に対向する表
面に内導体を具え、第一の誘電体基板と第二の誘電体基
板の接着されない表面と、凹溝が開口しない端面に外導
体を具え、凹溝の開口する一端面に短絡導体を具えた誘
電体フィルタにおいて、第二の誘電体基板と第三の誘電
体基板の接着面の少なくとも一方の表面の内導体と対向
する導体膜を具え、それらの導体膜が第二の誘電体基板
の接着される表面上に形成されたガラス層上に位置する
導体パターンによって接続されたことに特徴を有するも
のである。
の誘電体基板と、第一の誘電体基板の凹溝が形成された
表面に接着される第二の誘電体基板と、第二の誘電体基
板の第一の誘電体基板と接着される表面の反対側の表面
に接着される第三の誘電体基板を具え、第一の誘電体基
板の凹溝の表面と第二の誘電体基板の凹溝に対向する表
面に内導体を具え、第一の誘電体基板と第二の誘電体基
板の接着されない表面と、凹溝が開口しない端面に外導
体を具え、凹溝の開口する一端面に短絡導体を具えた誘
電体フィルタにおいて、第二の誘電体基板と第三の誘電
体基板の接着面の少なくとも一方の表面の内導体と対向
する導体膜を具え、それらの導体膜が第二の誘電体基板
の接着される表面上に形成されたガラス層上に位置する
導体パターンによって接続されたことに特徴を有するも
のである。
【０００９】また、平行な複数の凹溝を具えた第一の誘
電体基板と、第一の誘電体基板の凹溝が形成された表面
に接着される第二の誘電体基板と、第二の誘電体基板の
第一の誘電体基板と接着される表面の反対側の表面に接
着される第三の誘電体基板を具え、第一の誘電体基板の
凹溝の表面と第二の誘電体基板の凹溝に対向する表面に
内導体を具え、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板の
接着されない表面と、凹溝が開口しない端面に外導体を
具え、凹溝の開口する一端面に短絡導体を具えた誘電体
フィルタにおいて、第二の誘電体基板と第三の誘電体基
板の接着面の少なくとも一方の表面に内導体と対向する
導体膜を具え、その導体膜と端子電極とを接続する導体
パターンがが第二の誘電体基板の接着される表面上に形
成されたガラス層上に位置することに特徴を有するもの
である。
電体基板と、第一の誘電体基板の凹溝が形成された表面
に接着される第二の誘電体基板と、第二の誘電体基板の
第一の誘電体基板と接着される表面の反対側の表面に接
着される第三の誘電体基板を具え、第一の誘電体基板の
凹溝の表面と第二の誘電体基板の凹溝に対向する表面に
内導体を具え、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板の
接着されない表面と、凹溝が開口しない端面に外導体を
具え、凹溝の開口する一端面に短絡導体を具えた誘電体
フィルタにおいて、第二の誘電体基板と第三の誘電体基
板の接着面の少なくとも一方の表面に内導体と対向する
導体膜を具え、その導体膜と端子電極とを接続する導体
パターンがが第二の誘電体基板の接着される表面上に形
成されたガラス層上に位置することに特徴を有するもの
である。
【００１０】
【発明の実施の形態】誘電体基板の接着面の内導体に対
向する位置に、容量を形成する導体膜を形成する。この
導体膜と接続される他の導体膜との間の内導体の形成さ
れる側の誘電体基板の接着面にガラス層を形成した後
に、このガラス層の表面に導体膜を接続する導体パター
ンを形成する。
向する位置に、容量を形成する導体膜を形成する。この
導体膜と接続される他の導体膜との間の内導体の形成さ
れる側の誘電体基板の接着面にガラス層を形成した後
に、このガラス層の表面に導体膜を接続する導体パター
ンを形成する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】図１と図２は、本発明の実施例を示す斜視
図で図１は組立前の状態を示し、図２は組立後の状態を
示したものである。誘電率が90程度と比較的高いセラミ
ック材料によって三枚の誘電体基板を一体化する誘電体
ブロック10を形成する。この誘電体ブロックは凹溝を具
えた誘電体基板11と平板の誘電体基板12、13とを貼り合
わせて構成される。この誘電体ブロック10の貫通孔内に
は内導体14を形成し、この貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体15を形成する。図示しないが、貫通孔の開
口する端面の一方にも導体膜が形成されて、短絡導体と
なる。
図で図１は組立前の状態を示し、図２は組立後の状態を
示したものである。誘電率が90程度と比較的高いセラミ
ック材料によって三枚の誘電体基板を一体化する誘電体
ブロック10を形成する。この誘電体ブロックは凹溝を具
えた誘電体基板11と平板の誘電体基板12、13とを貼り合
わせて構成される。この誘電体ブロック10の貫通孔内に
は内導体14を形成し、この貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体15を形成する。図示しないが、貫通孔の開
口する端面の一方にも導体膜が形成されて、短絡導体と
なる。
【００１３】本発明による誘電体フィルタにおいては、
誘電体基板12の誘電体基板13と接着される表面に導体膜
16を内導体14と対向する位置に形成してある。この導体
膜16は内導体14と対向してその間に容量を形成する。こ
の例では両端の共振器の内導体14に対向する導体膜16が
形成されている。
誘電体基板12の誘電体基板13と接着される表面に導体膜
16を内導体14と対向する位置に形成してある。この導体
膜16は内導体14と対向してその間に容量を形成する。こ
の例では両端の共振器の内導体14に対向する導体膜16が
形成されている。
【００１４】これらの導体膜16の間の誘電体基板12の表
面には、ガラス層17が形成される。このガラス層17の表
面に導体膜16同士を接続する導体パターン18が形成され
る。なお、外導体15の形成と同時に端子電極の導体膜16
も形成しておく。
面には、ガラス層17が形成される。このガラス層17の表
面に導体膜16同士を接続する導体パターン18が形成され
る。なお、外導体15の形成と同時に端子電極の導体膜16
も形成しておく。
【００１５】上記の構造を採用することにより、図３に
示したように、入出力端の共振器の間に容量Ｃ5 が付加
されることになる。この容量を付加した場合には、通過
帯域の低域側に減衰極を形成することが可能となる。ガ
ラスの誘電率は10程度であるので、導体パターン18と内
導体との間の浮遊容量を大幅に低減することができる。
示したように、入出力端の共振器の間に容量Ｃ5 が付加
されることになる。この容量を付加した場合には、通過
帯域の低域側に減衰極を形成することが可能となる。ガ
ラスの誘電率は10程度であるので、導体パターン18と内
導体との間の浮遊容量を大幅に低減することができる。
【００１６】図４は、本発明の他の実施例を示す斜視図
である。誘電率が90程度と比較的高いセラミック材料に
よって前記と同様に三枚の誘電体基板を貼り合わせて二
つの貫通孔を有する誘電体ブロックを形成する。組立後
の状態は図示しないが、この誘電体ブロックの貫通孔内
には内導体を形成し、この貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体を形成する。貫通孔の開口する端面の一方
にも導体膜が形成されて、短絡導体となる。
である。誘電率が90程度と比較的高いセラミック材料に
よって前記と同様に三枚の誘電体基板を貼り合わせて二
つの貫通孔を有する誘電体ブロックを形成する。組立後
の状態は図示しないが、この誘電体ブロックの貫通孔内
には内導体を形成し、この貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体を形成する。貫通孔の開口する端面の一方
にも導体膜が形成されて、短絡導体となる。
【００１７】この誘電体フィルタにおいては、第二の誘
電体基板42の第三の誘電体基板43と対向する表面に導体
膜36を内導体と対向する位置に形成してある。この導体
膜46は内導体と対向してその間に容量を形成する。この
例では出力端の共振器の内導体に対向する導体膜46が形
成されている。
電体基板42の第三の誘電体基板43と対向する表面に導体
膜36を内導体と対向する位置に形成してある。この導体
膜46は内導体と対向してその間に容量を形成する。この
例では出力端の共振器の内導体に対向する導体膜46が形
成されている。
【００１８】これらの導体膜46と入力電極が形成される
端面との間の誘電体基板41表面にはガラス層47が形成さ
れる。このガラス層47の表面に導体膜46と入力電極を接
続する導体パターン48が形成される。
端面との間の誘電体基板41表面にはガラス層47が形成さ
れる。このガラス層47の表面に導体膜46と入力電極を接
続する導体パターン48が形成される。
【００１９】図４に示した構造を採用することにより、
図５に示した回路が実現して、入力端と出力側の共振器
との間に容量Ｃ8 が付加される。共振器間を誘導結合と
した場合に、通過帯域の高域側に減衰極が得られ、トラ
ップ等として用いることもできる。
図５に示した回路が実現して、入力端と出力側の共振器
との間に容量Ｃ8 が付加される。共振器間を誘導結合と
した場合に、通過帯域の高域側に減衰極が得られ、トラ
ップ等として用いることもできる。
【００２０】なお、本発明は貫通孔の有する誘電体フィ
ルタと誘電体基板とを貼り合わせるタイプの誘電体フィ
ルタや四素子以上の誘電体フィルタにも応用できる。ま
た、導体パターンによってインダクタンスを実現した
り、複数の接続用の導体パターンを形成することも可能
である。できた。
ルタと誘電体基板とを貼り合わせるタイプの誘電体フィ
ルタや四素子以上の誘電体フィルタにも応用できる。ま
た、導体パターンによってインダクタンスを実現した
り、複数の接続用の導体パターンを形成することも可能
である。できた。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体基板の接着面の
導体膜によって回路素子を形成することができ、部品点
数の少ない小型の誘電体フィルタを実現することができ
る。
導体膜によって回路素子を形成することができ、部品点
数の少ない小型の誘電体フィルタを実現することができ
る。
【００２２】また、低誘電率のガラスを介して導体膜を
形成しているので、不要な浮遊容量を発生を最小限とす
ることができ、特性の良好な誘電体フィルタが得られ
る。
形成しているので、不要な浮遊容量を発生を最小限とす
ることができ、特性の良好な誘電体フィルタが得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例を示す斜視図
【図２】 本発明の実施例を示す斜視図
【図３】 図１の誘電体フィルタの等価回路図
【図４】 本発明の他の実施例を示す斜視図
【図５】 図４の誘電体フィルタの等価回路図
10：誘電体ブロック 11、12、13、41、42、43：誘電体基板 16、46：導体膜 17、47：ガラス層 18、48：導体パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 平行な複数の凹溝を具えた第一の誘電体
基板と、第一の誘電体基板の凹溝が形成された表面に接
着される第二の誘電体基板と、第二の誘電体基板の第一
の誘電体基板と接着される表面の反対側の表面に接着さ
れる第三の誘電体基板を具え、第一の誘電体基板の凹溝
の表面と第二の誘電体基板の凹溝に対向する表面に内導
体を具え、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板の接着
されない表面と、凹溝が開口しない端面に外導体を具
え、凹溝の開口する一端面に短絡導体を具えた誘電体フ
ィルタにおいて、第二の誘電体基板と第三の誘電体基板
の接着面の少なくとも一方の表面に内導体と対向する導
体膜を具え、それらの導体膜は第二の誘電体基板の接着
される表面上に形成されたガラス層上に位置する導体パ
ターンによって接続されたことを特徴とする誘電体フィ
ルタ。 - 【請求項２】 平行な複数の凹溝を具えた第一の誘電体
基板と、第一の誘電体基板の凹溝が形成された表面に接
着される第二の誘電体基板と、第二の誘電体基板の第一
の誘電体基板と接着される表面の反対側の表面に接着さ
れる第三の誘電体基板を具え、第一の誘電体基板の凹溝
の表面と第二の誘電体基板の凹溝に対向する表面に内導
体を具え、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板の接着
されない表面と、凹溝が開口しない端面に外導体を具
え、凹溝の開口する一端面に短絡導体を具えた誘電体フ
ィルタにおいて、第二の誘電体基板と第三の誘電体基板
の接着面の少なくとも一方の表面に内導体と対向して容
量を形成する導体膜を具え、それらの導体膜は第二の誘
電体基板の接着される表面上に形成されたガラス層上に
位置する導体パターンによって接続されたことを特徴と
する誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 平行な複数の凹溝を具えた第一の誘電体
基板と、第一の誘電体基板の凹溝が形成された表面に接
着される第二の誘電体基板と、第二の誘電体基板の第一
の誘電体基板と接着される表面の反対側の表面に接着さ
れる第三の誘電体基板を具え、第一の誘電体基板の凹溝
の表面と第二の誘電体基板の凹溝に対向する表面に内導
体を具え、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板の接着
されない表面と、凹溝が開口しない端面に外導体を具
え、凹溝の開口する一端面に短絡導体を具えた誘電体フ
ィルタにおいて、第二の誘電体基板と第三の誘電体基板
の接着面の少なくとも一方の表面に内導体と対向する導
体膜を具え、その導体膜は第二の誘電体基板の接着され
る表面上に形成されたガラス層上に位置する導体パター
ンによって端子電極と接続されたことを特徴とする誘電
体フィルタ - 【請求項４】 平行な複数の凹溝を具えた第一の誘電体
基板と、第一の誘電体基板の凹溝が形成された表面に接
着される第二の誘電体基板と、第二の誘電体基板の第一
の誘電体基板と接着される表面の反対側の表面に接着さ
れる第三の誘電体基板を具え、第一の誘電体基板の凹溝
の表面と第二の誘電体基板の凹溝に対向する表面に内導
体を具え、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板の接着
されない表面と、凹溝が開口しない端面に外導体を具
え、凹溝の開口する一端面に短絡導体を具えた誘電体フ
ィルタにおいて、第二の誘電体基板と第三の誘電体基板
の接着面の少なくとも一方の表面に内導体と対向して容
量を形成する導体膜を具え、その導体膜は第二の誘電体
基板の接着される表面上に形成されたガラス層上に位置
する導体パターンによって端子電極と接続されたことを
特徴とする誘電体フィルタ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01474597A JP3295333B2 (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01474597A JP3295333B2 (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10200305A true JPH10200305A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3295333B2 JP3295333B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=11869660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01474597A Expired - Fee Related JP3295333B2 (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3295333B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007040153A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Soshin Electric Co., Ltd. | 受動部品 |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP01474597A patent/JP3295333B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007040153A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Soshin Electric Co., Ltd. | 受動部品 |
| JP2007104102A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Soshin Electric Co Ltd | 受動部品 |
| US7800465B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-21 | Soshin Electric Co., Ltd. | Passive component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3295333B2 (ja) | 2002-06-24 |
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