JPH10188560A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH10188560A JPH10188560A JP8341867A JP34186796A JPH10188560A JP H10188560 A JPH10188560 A JP H10188560A JP 8341867 A JP8341867 A JP 8341867A JP 34186796 A JP34186796 A JP 34186796A JP H10188560 A JPH10188560 A JP H10188560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- inverter
- power supply
- supply voltage
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
- H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
出力回路以外の内部回路用の電源電圧を入力する電源端
子とを備える半導体集積回路に関し、電源起動時に、デ
ータバスを共有する同様の半導体集積回路間に貫通電流
が流れないようにし、消費電力の低減化を図る。 【解決手段】電源電圧VDDが立ち上がった場合には、
VDD立ち上がり検出信号STTを出力制御回路15に
供給し、インバータ16の出力をLレベルとしてpMO
Sトランジスタ41及びnMOSトランジスタ44をO
FFとし、電源電圧VDDQが立ち上がった場合には、
VDDQ立ち上がり検出信号STTQを出力回路38に
供給し、nMOSトランジスタ45、46をOFFとし
てpMOSトランジスタ41及びnMOSトランジスタ
44をOFFとする。
Description
べき電源電圧を入力するための電源端子と、出力回路以
外の内部回路に供給すべき電源電圧を入力するための電
源端子とを備える半導体集積回路に関する。
い、半導体記憶装置においても高速化が要求されてお
り、例えば、シンクロナス・ダイナミック・ランダム・
アクセス・メモリ、いわゆる、シンクロナスDRAMに
おいても、その例外ではない。
は、出力回路用の電源と、出力回路以外の内部回路用の
電源とを分離し、更に、2個又は4個という少ない数の
出力回路を単位として独立の電源電圧を供給するように
し、数十pFという大きな容量に対する充放電を高速に
行うことにより大電流を消費する出力回路の動作の安定
性を確保するという技術が用いられている。
と、出力回路以外の内部回路用の電源電圧VDDとは、
電圧値を異にする場合もあるが、通常、同一の電圧値、
例えば、3.3[V]とされる場合が多い。
るシステムの中には、複数のシンクロナスDRAMを搭
載し、これら複数のシンクロナスDRAMのデータ端子
を共通の外部データバスに接続するとしているものがあ
る。
時、リード・コマンドが入力されたシンクロナスDRA
Mのみが外部データバスを駆動し、他のシンクロナスD
RAMはデータ端子をハイ・インピーダンス状態(開放
状態)とすることで、複数のシンクロナスDRAMが互
いに逆の電圧方向に外部データバスを駆動して複数のシ
ンクロナスDRAM間に大きな貫通電流が流れることを
回避するようにしている。
例の要部を示す回路図である。図5中、1はデータ端
子、2はデータ端子1に出力データDQを出力する出力
回路、3は出力回路用の電源電圧VDDQ(=3.3
[V])を供給するVDDQ電源線である。
ードデータRDに基づいて出力回路2の出力動作を制御
する出力制御回路、5は出力回路以外の内部回路用の電
源電圧VDD(=3.3[V])を供給するVDD電源
線である。
部回路用の電源電圧VDDを監視し、出力回路以外の内
部回路用の電源電圧VDDの立ち上がりを検出した時
は、VDD立ち上がり検出信号STTを出力制御回路4
に供給し、データ端子1がハイ・インピーダンス状態に
なるように出力制御回路4を制御するVDD立ち上がり
検出回路である。
時、出力回路以外の内部回路用の電源電圧VDDの立ち
上がりを検出した時は、データ端子1をハイ・インピー
ダンス状態とすることにより、外部データバスを共有し
ているシンクロナスDRAM間に貫通電流が流れないよ
うにするというものである。
DRAMを使用するシステムによっては、電源起動時、
出力回路用の電源電圧VDDQと、出力回路以外の内部
回路用の電源電圧VDDとが同時に立ち上がるとは限ら
ず、どちらかが先に立ち上がってしまうという場合があ
る。
によれば、出力回路以外の内部回路用の電源電圧VDD
が、出力回路用の電源電圧VDDQよりも先に立ち上が
ってしまうような場合には、出力回路用の電源電圧VD
DQが立ち上がる前にデータ端子1をハイ・インピーダ
ンス状態とし、外部データバスを共有しているシンクロ
ナスDRAM間に貫通電流が流れないようにすることが
できる。
の電源電圧VDDQが出力回路以外の内部回路用の電源
電圧VDDよりも先に立ち上がってしまうような場合に
は、出力回路2は、出力制御回路4に制御されてデータ
端子1をハイ・インピーダンス状態とする前に、出力回
路用の電源電圧VDDQが供給されてしまい、外部デー
タバスを共有しているシンクロナスDRAM間に貫通電
流が流れてしまう場合が発生してしまう。
給すべき電源電圧を入力するための電源端子と、出力回
路以外の内部回路に供給すべき電源電圧を入力するため
の電源端子とを備える半導体集積回路であって、電源起
動時に、外部データバスを共有する同様の半導体集積回
路間に貫通電流が流れないようにし、消費電力の低減化
を図ることができるようにした半導体集積回路に関す
る。
(請求項1記載の半導体集積回路)は、第1の電源電圧
が印加される第1の電源端子と、第2の電源電圧が印加
される第2の電源端子と、第1の電源電圧を監視し、第
1の電源電圧の立ち上がりを検出したときは、パルス状
の第1の電源電圧立ち上がり検出信号を出力する第1の
電源電圧立ち上がり検出回路と、第2の電源電圧を監視
し、第2の電源電圧の立ち上がりを検出したときは、パ
ルス状の第2の電源電圧立ち上がり検出信号を出力する
第2の電源電圧立ち上がり検出回路と、第1の電源電圧
が供給され、第1の電源電圧立ち上がり検出回路が第1
の電源電圧の立ち上がりを検出した時は、第1の電源電
圧立ち上がり検出信号に制御され、データ端子をハイ・
インピーダンス状態とし、データ出力動作時には、デー
タ端子にデータを出力する出力回路と、第2の電源電圧
が供給され、第2の電源電圧立ち上がり検出回路が第2
の電源電圧の立ち上がりを検出した時は、第2の電源電
圧立ち上がり検出信号に制御され、出力回路がデータ端
子をハイ・インピーダンス状態とするように出力回路を
制御し、データ出力動作時には、内部回路から与えられ
るデータに基づいて出力回路の出力動作を制御する出力
制御回路とを備えるというものである。
1の電源電圧が立ち上がった場合には、出力回路は、第
1の電源電圧立ち上がり検出信号に制御され、データ端
子をハイ・インピーダンス状態とし、第2の電源電圧が
立ち上がった場合には、出力制御回路は、第2の電源電
圧立ち上がり検出信号に制御され、出力回路がデータ端
子をハイ・インピーダンス状態とするように出力回路を
制御する。
又は第2の電源電圧のいずれかが先に立ち上がってしま
うような場合であっても、データ端子をハイ・インピー
ダンス状態とすることができる。
導体集積回路)は、第1の発明において、出力回路は、
第1の電源電圧が供給され、入力端に出力制御回路から
第1の出力制御信号が供給される第1のインバータと、
ソースを第1の電源電圧を供給する第1の電源線に接続
され、ドレインをデータ端子に接続され、ゲートを第1
のインバータの出力端に接続されたpチャネル絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタと、第1の電源電圧が供給さ
れ、入力端に出力制御回路から第2の出力制御信号が供
給される第2のインバータと、第1の電源電圧が供給さ
れ、入力端を第2のインバータの出力端に接続された第
3のインバータと、ドレインをデータ端子に接続され、
ソースを接地線に接続され、ゲートを第3のインバータ
の出力端に接続されたnチャネル絶縁ゲート型電界効果
トランジスタと、一端を第1のインバータの入力端に接
続され、他端を接地線に接続され、第1の電源電圧立ち
上がり検出信号により導通とされる第1のスイッチ素子
と、一端を第2のインバータの入力端に接続され、他端
を接地線に接続され、第1の電源電圧立ち上がり検出信
号により導通とされる第2のスイッチ素子とを備えて構
成されるというものである。
様に、電源起動時、第1の電源電圧又は第2の電源電圧
のいずれかが先に立ち上がってしまうような場合であっ
ても、データ端子をハイ・インピーダンス状態にするこ
とができ、しかも、出力回路は簡単な回路構成で足り
る。
導体集積回路)は、第1の発明において、出力回路は、
一端を接地線に接続され、第1の出力制御回路から出力
される第1の出力制御信号により導通、非導通が制御さ
れる第1のスイッチ素子と、第1の電源電圧が供給さ
れ、入力端を第1のスイッチ素子の他端に接続された第
1のインバータと、第1の電源電圧が供給され、入力端
を第1のインバータの出力端に接続され、出力端を第1
のインバータの入力端に接続された第2のインバータ
と、第1の電源電圧が供給され、入力端を第1のインバ
ータの出力端に接続された第3のインバータと、一端を
第3のインバータの入力端に接続され、他端を接地線に
接続され、出力制御回路から出力される第2の出力制御
信号により導通、非導通が制御される第2のスイッチ素
子と、ソースを第1の電源電圧を供給する第1の電源線
に接続され、ドレインをデータ端子に接続され、ゲート
を第3のインバータの出力端に接続されたpチャネル絶
縁ゲート型電界効果トランジスタと、一端を接地線に接
続され、第1の出力制御回路から出力される第3の出力
制御信号により導通、非導通が制御される第3のスイッ
チ素子と、第1の電源電圧が供給され、入力端を第3の
スイッチ素子の他端に接続された第4のインバータと、
第1の電源電圧が供給され、入力端を第4のインバータ
の出力端に接続され、出力端を第4のインバータの入力
端に接続された第5のインバータと、第1の電源電圧が
供給され、入力端を第5のインバータの出力端に接続さ
れた第6のインバータと、一端を第6のインバータの入
力端に接続され、他端を接地線に接続され、出力制御回
路から出力される第4の出力制御信号により導通、非導
通が制御される第4のスイッチ素子と、ドレインをデー
タ端子に接続され、ソースを接地線に接続され、ゲート
を第6のインバータの出力端に接続されたnチャネル絶
縁ゲート型電界効果トランジスタと、一端を第3のイン
バータの入力端に接続され、他端を接地線に接続され、
第1の電源電圧立ち上がり検出信号により導通とされる
第5のスイッチ素子と、一端を第6のインバータの入力
端に接続され、他端を接地線に接続され、第1の電源電
圧立ち上がり検出信号により導通とされる第6のスイッ
チ素子とを備えて構成されるというものである。
様に、電源起動時、第1の電源電圧又は第2の電源電圧
のいずれかが先に立ち上がってしまうような場合であっ
ても、データ端子をハイ・インピーダンス状態にするこ
とができるが、第1、第2のインバータでラッチ回路が
構成され、第4、第5のインバータでラッチ回路が構成
されるので、電源起動時、第2の発明の場合よりも長い
期間、データ端子をハイ・インピーダンス状態にするこ
とができる。
発明の実施の第1形態及び第2形態について、本発明を
シンクロナスDRAMに適用した場合を例にして説明す
る。
る。図1中、10は外部クロックCLKが入力される外
部クロック端子、11は外部クロック端子10に印加さ
れる外部クロックCLKを反転増幅するクロック・バッ
ファである。
電源電圧VDD(=3.3[V])を供給するVDD電
源線であり、このVDD電源線12は、外部から供給さ
れる出力回路以外の内部回路用の電源電圧VDDが印加
される電源端子(図示せず)に接続されている。
を監視し、図2に示すように、内部回路用の電源電圧V
DDの立ち上がりを検出したときは、パルス状のVDD
立ち上がり検出信号STTを出力するVDD立ち上がり
検出回路である。
出力イネーブル信号/OEを出力する出力イネーブル信
号発生回路であり、この出力イネーブル信号/OEは、
VDD立ち上がり検出回路13からVDD立ち上がり検
出信号STTが出力された場合には出力イネーブル信号
/OEを高論理レベル(以下、Hレベルという)とし、
その後、リードコマンドが取り込まれて、CASレイテ
ンシで決定されるデータ出力サイクルになると、出力イ
ネーブル信号/OEを低論理レベル(以下、Lレベルと
いう)とするものである。
出力されるクロック/CLKと、VDD立ち上がり検出
回路13から出力されるVDD立ち上がり検出信号ST
Tと、出力イネーブル信号発生回路14から出力される
出力イネーブル信号/OEと、メモリコア部(図示せ
ず)から読み出されたリードデータRDとが入力される
出力制御回路である。
立ち上がり検出信号STTを反転するインバータ、17
はクロック・バッファ11から出力されるクロック/C
LKとインバータ16の出力とをNAND処理するNA
ND回路である。
インバータ、19はインバータ18の出力と出力イネー
ブル信号/OEとをNOR処理するNOR回路、20は
NOR回路19の出力を反転するインバータである。
ーブル信号/OEとをNOR処理するNOR回路、22
はNOR回路21の出力を反転するインバータである。
転するインバータ、24はNAND回路17の出力によ
って導通(以下、ONという)、非導通(以下、OFF
という)が制御されるnMOSトランジスタ25と、イ
ンバータ23の出力によってON、OFFが制御される
pMOSトランジスタ26からなる伝送ゲート回路であ
る。
ってON、OFFが制御されるnMOSトランジスタ2
8と、インバータ23の出力によってON、OFFが制
御されるpMOSトランジスタ29からなる伝送ゲート
回路である。
チする、インバータ31、32からなるラッチ回路、3
3はインバータ22の出力をラッチする、インバータ3
4、35からなるラッチ回路である。
2、23、31、32、34、35、NAND回路17
及びNOR回路19、21は、電源電圧として、出力回
路以外の内部回路用の電源電圧VDDが供給されるもの
である。
Q(=3.3[V])を供給するVDDQ電源線であ
り、このVDDQ電源線36は、出力回路用の電源電圧
VDDQが印加される電源端子(図示せず)に接続され
ている。
Qを監視し、図3に示すように、出力回路用の電源電圧
VDDQの立ち上がりを検出したときは、パルス状のV
DDQ立ち上がり検出信号STTQを出力するVDD立
ち上がり検出回路である。
及びVDDQ立ち上がり検出信号STTQが入力される
出力回路、39は出力回路38から出力データDQが出
力されるデータ端子である。
30の出力を反転するインバータ、41はソースをVD
DQ電源線36に接続され、ドレインをデータ端子39
に接続され、ゲートをインバータ40の出力端に接続さ
れ、インバータ40の出力によりON、OFFが制御さ
れるpMOSトランジスタである。
するインバータ、43はインバータ42の出力を反転す
るインバータ、44はドレインをデータ端子39に接続
され、ソースを接地線に接続され、ゲートをインバータ
43の出力端に接続され、インバータ43の出力により
ON、OFFが制御されるnMOSトランジスタであ
る。
入力端に接続され、ソースを接地線に接続され、VDD
Q立ち上がり検出信号STTQによりONとされるスイ
ッチ素子をなすnMOSトランジスタである。
入力端に接続され、ソースを接地線に接続され、VDD
Q立ち上がり検出信号STTQによりONとされるスイ
ッチ素子をなすnMOSトランジスタである。
源電圧として、出力回路用の電源電圧VDDQが供給さ
れるものである。
形態においては、電源起動時、出力回路以外の内部回路
用の電源電圧VDDが立ち上がった場合には、VDD立
ち上がり検出回路13からVDD立ち上がり検出信号S
TTが出力される。
ル、NAND回路17の出力=Hレベル、インバータ2
3の出力=Lレベルとなり、伝送ゲート回路24=O
N、伝送ゲート回路27=ONとなる。
/OE=Hレベルとなり、NOR回路19の出力=Lレ
ベル、インバータ20の出力=Hレベル、インバータ3
1の出力=Lレベル、インバータ40の出力=Hレベ
ル、pMOSトランジスタ41=OFFとなる。
インバータ22の出力=Hレベル、インバータ34の出
力=Lレベル、インバータ42の出力=Hレベル、イン
バータ43の出力=Lレベル、nMOSトランジスタ4
4=OFFとなる。
内部回路用の電源電圧VDDが立ち上がった場合には、
出力制御回路15は、VDD立ち上がり検出信号STT
に制御されて、pMOSトランジスタ41=OFF、n
MOSトランジスタ44=OFFとなるように出力回路
38を制御する。
電源電圧VDDが出力回路用の電源電圧VDDQよりも
先に立ち上がってしまうような場合であっても、データ
端子39をハイ・インピーダンス状態とすることができ
る。
立ち上がった場合には、VDDQ立ち上がり検出回路3
7からVDDQ立ち上がり検出信号STTQが出力され
る。
N、インバータ40の入力=Lレベル、インバータ40
の出力=Hレベル、pMOSトランジスタ41=OFF
となる。
インバータ42の入力=Lレベル、インバータ42の出
力=Hレベル、インバータ43の出力=Lレベル、nM
OSトランジスタ44=OFFとなる。
源電圧VDDQが立ち上がった場合には、出力回路38
は、VDDQ立ち上がり検出信号STTQに制御され、
pMOSトランジスタ41=OFF、nMOSトランジ
スタ44=OFFとする。
Qが出力回路以外の内部回路用の電源電圧VDDよりも
先に立ち上がってしまうような場合であっても、データ
端子39をハイ・インピーダンス状態とすることができ
る。
電圧VDDが立ち上がった後は、VDD立ち上がり検出
信号STTは立ち下がり、インバータ16の出力=Hレ
ベルとなり、NAND回路17はクロック・バッファ1
1の出力/CLKに対してインバータとして機能するこ
とになる。
ち上がった後は、VDDQ立ち上がり検出信号STTQ
は立ち下がり、nMOSトランジスタ45=OFF、n
MOSトランジスタ46=OFFとなる。
には、出力イネーブル信号/OE=Hレベルとされるの
で、この場合には、NOR回路19の出力=Lレベル、
インバータ20の出力=Hレベルとなると共に、NOR
回路21の出力=Lレベル、インバータ22の出力=H
レベルとなる。
なると、クロック・バッファ11の出力/CLK=Lレ
ベル、NAND回路17の出力=Hレベル、インバータ
23の出力=Lレベル、伝送ゲート回路24=ON、伝
送ゲート回路27=ONとなる。
レベルは、ラッチ回路30にラッチされ、インバータ3
1の出力=Lレベル、インバータ40の出力=Hレベ
ル、pMOSトランジスタ41=OFFとなる。
ルは、ラッチ回路33にラッチされ、インバータ34の
出力=Lレベル、インバータ42の出力=Hレベル、イ
ンバータ43の出力=Lレベル、nMOSトランジスタ
44=OFFとなる。
場合には、出力制御回路15は、pMOSトランジスタ
41=OFF、nMOSトランジスタ44=OFFとな
るように出力回路38を制御するので、データ端子39
は、ハイ・インピーダンス状態となる。
いては、出力イネーブル信号/OE=Lレベルとされる
ので、この場合には、NOR回路19は、インバータ1
8の出力に対してインバータとして機能すると共に、N
OR回路21は、リードデータRDに対してインバータ
として機能することになる。
合には、インバータ18の出力=Lレベル、NOR回路
19の出力=Hレベル、インバータ20の出力=Lレベ
ルとなると共に、NOR回路21の出力=Lレベル、イ
ンバータ22の出力=Hレベルとなる。
なると、クロック・バッファ11の出力/CLK=Lレ
ベル、NAND回路17の出力=Hレベル、インバータ
23の出力=Lレベル、伝送ゲート回路24=ON、伝
送ゲート回路27=ONとなる。
レベルは、ラッチ回路30にラッチされ、インバータ3
1の出力=Hレベル、インバータ40の出力=Lレベ
ル、pMOSトランジスタ41=ONとなる。
ルは、ラッチ回路33にラッチされ、インバータ34の
出力=Lレベル、インバータ42の出力=Hレベル、イ
ンバータ43の出力=Lレベル、nMOSトランジスタ
44=OFFとなる。
て、リードデータRD=Hレベルの場合には、出力制御
回路15は、pMOSトランジスタ41=ON、nMO
Sトランジスタ44=OFFとなるように出力回路38
を制御するので、データ端子39に出力される出力デー
タDQはHレベルとなる。
ルの場合には、インバータ18の出力=Hレベル、NO
R回路19の出力=Lレベル、インバータ20の出力=
Hレベルとなると共に、NOR回路21の出力=Hレベ
ル、インバータ22の出力=Lレベルとなる。
なると、クロック・バッファ11の出力/CLK=Lレ
ベル、NAND回路17の出力=Hレベル、インバータ
23の出力=Lレベル、伝送ゲート回路24=ON、伝
送ゲート回路27=ONとなる。
レベルは、ラッチ回路30にラッチされ、インバータ3
1の出力=Lレベル、インバータ40の出力=Hレベ
ル、pMOSトランジスタ41=OFFとなる。
ルは、ラッチ回路33にラッチされ、インバータ34の
出力=Hレベル、インバータ42の出力=Lレベル、イ
ンバータ43の出力=Hレベル、nMOSトランジスタ
44=ONとなる。
て、リードデータRD=Lレベルの場合には、出力制御
回路15は、pMOSトランジスタ41=OFF、nM
OSトランジスタ44=ONとなるように出力回路38
を制御するので、データ端子39に出力される出力デー
タDQはLレベルとなる。
よれば、電源起動時、出力回路用の電源電圧VDDQ及
び出力回路以外の内部回路用の電源電圧VDDのいずれ
かが先に立ち上がってしまうような場合であっても、デ
ータ端子39をハイ・インピーダンス状態とすることが
できるので、同一の外部データバスに接続されている他
のシンクロナスDRAMとの間に貫通電流が流れること
を回避し、消費電力の低減化を図ることができる。
り、本発明の実施の第2形態は、本発明の実施の第1形
態が備える出力制御回路15及び出力回路38の代わり
に、これら出力制御回路15及び出力回路38と回路構
成の異なる出力制御回路48及び出力回路49を設け、
その他については、本発明の実施の第1形態と同様に構
成したものである。
はVDD立ち上がり検出信号STTを反転するインバー
タ、51はクロック・バッファ11から出力されるクロ
ック/CLKとインバータ50の出力とをNAND処理
するNAND回路である。
インバータ、53はインバータ52の出力と出力イネー
ブル信号/OEとをNOR処理するNOR回路、54は
NOR回路53の出力を反転するインバータである。
ーブル信号/OEとをNOR処理するNOR回路、56
はNOR回路55の出力を反転するインバータである。
OR回路53の出力とをNAND処理するNAND回
路、58はNAND回路57の出力を反転するインバー
タである。
ンバータ54の出力とをNAND処理するNAND回
路、60はNAND回路59の出力を反転するインバー
タである。
ンバータ56の出力とをNAND処理するNAND回
路、62はNAND回路61の出力を反転するインバー
タである。
OR回路55の出力とをNAND処理するNAND回
路、64はNAND回路63の出力を反転するインバー
タである。
6、58、60、62、64、NAND回路51、5
7、59、61、63及びNOR回路53、55は、電
源電圧として、出力回路以外の内部回路用の電源電圧V
DDが供給されるものである。
スを接地線に接続され、ゲートをインバータ58の出力
端に接続され、インバータ58の出力によりON、OF
Fが制御されるスイッチ素子をなすnMOSトランジス
タである。
ゲートをインバータ60の出力端に接続され、インバー
タ60の出力によりON、OFFが制御されるスイッチ
素子をなすnMOSトランジスタである。
VDDQ立ち上がり検出信号STTQによりONとされ
るスイッチ素子をなすnMOSトランジスタである。
るラッチ回路であり、このラッチ回路69は、インバー
タ71の出力端とインバータ70の入力端との接続点を
nMOSトランジスタ66のドレインに接続され、イン
バータ70の出力端とインバータ71の入力端との接続
点をnMOSトランジスタ67、68のドレインに接続
されている。
するインバータ、73はソースをVDDQ電源線36に
接続され、ドレインをデータ端子39に接続され、ゲー
トをインバータ72の出力端に接続され、インバータ7
2の出力によりON、OFFが制御されるpMOSトラ
ンジスタである。
ゲートをインバータ62の出力端に接続され、インバー
タ62の出力によりON、OFFが制御されるスイッチ
素子をなすnMOSトランジスタである。
VDDQ立ち上がり検出信号STTQによりONとされ
るスイッチ素子をなすnMOSトランジスタである。
ゲートをインバータ64の出力端に接続され、インバー
タ64の出力によりON、OFFが制御されるスイッチ
素子をなすnMOSトランジスタである。
るラッチ回路であり、このラッチ回路77は、インバー
タ79の出力端とインバータ78の入力端との接続点を
nMOSトランジスタ74、75のドレインに接続さ
れ、インバータ78の出力端とインバータ79の入力端
との接続点をnMOSトランジスタ76のドレインに接
続されている。
するインバータ、81はドレインをデータ端子39に接
続され、ソースを接地線に接続され、ゲートをインバー
タ80の出力端に接続され、インバータ80の出力によ
りON、OFFが制御されるnMOSトランジスタであ
る。
8、79、80は、電源電圧として、出力回路用の電源
電圧VDDQが供給されるものである。
形態においては、電源起動時、電源電圧VDDが立ち上
がった場合には、VDD立ち上がり検出回路13からV
DD立ち上がり検出信号STTが出力される。
ル、NAND回路51の出力=Hレベルとなり、NAN
D回路57は、NOR回路53の出力に対してインバー
タとして機能し、NAND回路59は、インバータ54
の出力に対してインバータとして機能し、NAND回路
61は、インバータ56の出力に対してインバータとし
て機能し、NAND回路63は、NOR回路55の出力
に対してインバータとして機能することになる。
/OE=Hレベルとなり、NOR回路53の出力=Lレ
ベル、NAND回路57の出力=Hレベル、インバータ
58の出力=Lレベル、nMOSトランジスタ66=O
FFとなると共に、インバータ54の出力=Hレベル、
NAND回路59の出力=Lレベル、インバータ60の
出力=Hレベル、nMOSトランジスタ67=ONとな
る。
ル、インバータ72の出力=Hレベル、pMOSトラン
ジスタ73=OFFとなる。
インバータ56の出力=Hレベル、NAND回路61の
出力=Lレベル、インバータ62の出力=Hレベル、n
MOSトランジスタ74=ONとなると共に、NAND
回路63の出力=Hレベル、インバータ64の出力=L
レベル、nMOSトランジスタ76=OFFとなる。
ル、インバータ78の出力=Hレベル、インバータ80
の出力=Lレベル、nMOSトランジスタ81=OFF
となる。
内部回路用の電源電圧VDDが立ち上がった場合には、
出力制御回路48は、VDD立ち上がり検出信号STT
及び出力イネーブル信号/OEに制御され、pMOSト
ランジスタ73=OFF、nMOSトランジスタ81=
OFFとなるように出力回路49を制御する。
電源電圧VDDが出力回路用の電源電圧VDDQよりも
先に立ち上がってしまうような場合であっても、データ
端子39をハイ・インピーダンス状態とすることができ
る。
の電源電圧VDDQが立ち上がった場合には、VDDQ
立ち上がり検出回路37からVDDQ立ち上がり検出信
号STTQが出力される。
Nとなり、インバータ72の入力=Lレベル、インバー
タ72の出力=Hレベル、pMOSトランジスタ73=
OFFとなる。
なり、インバータ78の入力=Lレベル、インバータ7
8の出力=Hレベル、インバータ80の出力=Lレベ
ル、nMOSトランジスタ81=OFFとなる。
源電圧VDDQが立ち上がった場合には、出力回路48
は、VDDQ立ち上がり検出信号STTQに制御され、
pMOSトランジスタ73=OFF、nMOSトランジ
スタ81=OFFとする。
Qが出力回路以外の内部回路用の電源電圧VDDよりも
先に立ち上がってしまうような場合であっても、データ
端子39をハイ・インピーダンス状態とすることができ
る。
電圧VDDが立ち上がった後は、VDD立ち上がり検出
信号STTは立ち下がり、インバータ50の出力=Hレ
ベルとなり、NAND回路51は、クロック・バッファ
11の出力/CLKに対してインバータとして機能す
る。
ち上がった後は、VDDQ立ち上がり検出信号STTQ
は立ち下がり、nMOSトランジスタ68、75=OF
Fとなる。
には、出力イネーブル信号/OE=Hレベルとされるの
で、この場合には、NOR回路53の出力=Lレベル、
インバータ54の出力=Hレベルとなると共に、NOR
回路55の出力=Lレベル、インバータ56の出力=H
レベルとなる。
なると、クロック・バッファ11の出力/CLK=Lレ
ベル、NAND回路51の出力=Hレベルとなる。
ベル、インバータ58の出力=Lレベル、nMOSトラ
ンジスタ66=OFFとなると共に、NAND回路59
の出力=Lレベル、インバータ60の出力=Hレベル、
nMOSトランジスタ67=ONとなる。
ル、インバータ72の出力=Hレベル、pMOSトラン
ジスタ73=OFFとなる。
ル、インバータ62の出力=Hレベル、nMOSトラン
ジスタ74=ONとなると共に、NAND回路63の出
力=Hレベル、インバータ64の出力=Lレベル、nM
OSトランジスタ76=OFFとなる。
ル、インバータ78の出力=Hレベル、インバータ80
の出力=Lレベル、nMOSトランジスタ81=OFF
となる。
い場合には、出力制御回路48は、pMOSトランジス
タ73=OFF、nMOSトランジスタ81=OFFと
なるように出力回路49を制御するので、データ端子3
9は、ハイ・インピーダンス状態となる。
いては、出力イネーブル信号/OE=Lレベルとされる
ので、この場合には、NOR回路53は、インバータ5
2の出力に対してインバータとして機能し、NOR回路
55は、リードデータRDに対してインバータとして機
能することになる。
合には、インバータ52の出力=Lレベル、NOR回路
53の出力=Hレベル、インバータ54の出力=Lレベ
ルとなると共に、NOR回路55の出力=Lレベル、イ
ンバータ56の出力=Hレベルとなる。
なると、クロック・バッファ11の出力/CLK=Lレ
ベル、NAND回路51の出力=Hレベルとなる。
ベル、インバータ58の出力=Hレベル、nMOSトラ
ンジスタ66=ONとなると共に、NAND回路59の
出力=Hレベル、インバータ60の出力=Lレベル、n
MOSトランジスタ67=OFFとなる。
ベル、インバータ70の出力=Hレベル、インバータ7
2の出力=Lレベル、pMOSトランジスタ73=ON
となる。
ル、インバータ62の出力=Hレベル、nMOSトラン
ジスタ74=ONとなると共に、NAND回路63の出
力=Hレベル、インバータ64の出力=Lレベル、nM
OSトランジスタ76=OFFとなる。
ル、インバータ78の出力=Hレベル、インバータ80
の出力=Lレベル、nMOSトランジスタ81=OFF
となる。
て、リードデータRD=Hレベルの場合には、出力制御
回路48は、pMOSトランジスタ73=ON、nMO
Sトランジスタ81=OFFとなるように出力回路49
を制御するので、データ端子39に出力される出力デー
タDQはHレベルとなる。
ルの場合には、インバータ52の出力=Hレベル、NO
R回路53の出力=Lレベル、インバータ54の出力=
Hレベルとなると共に、NOR回路55の出力=Hレベ
ル、インバータ56の出力=Lレベルとなる。
なると、クロック・バッファ11の出力/CLK=Lレ
ベル、NAND回路51の出力=Hレベルとなる。
ベル、インバータ58の出力=Lレベル、nMOSトラ
ンジスタ66=OFFとなると共に、NAND回路59
の出力=Lレベル、インバータ60の出力=Hレベル、
nMOSトランジスタ67=ONとなる。
ベル、インバータ72の出力=Hレベル、pMOSトラ
ンジスタ73=OFFとなる。
ル、インバータ62の出力=Lレベル、nMOSトラン
ジスタ74=OFFとなると共に、NAND回路63の
出力=Lレベル、インバータ64の出力=Hレベル、n
MOSトランジスタ76=ONとなる。
ベル、インバータ80の出力=Hレベル、nMOSトラ
ンジスタ81=ONとなる。
て、リードデータRD=Lレベルの場合には、出力制御
回路48は、pMOSトランジスタ73=OFF、nM
OSトランジスタ81=ONとなるように出力回路49
を制御するので、データ端子39に出力される出力デー
タDQはLレベルとなる。
よれば、電源起動時、出力回路用の電源電圧VDDQ及
び出力回路以外の内部回路用の電源電圧VDDのいずれ
かが先に立ち上がってしまうような場合であっても、デ
ータ端子39をハイ・インピーダンス状態とすることが
できるので、同一の外部データバスに接続されている他
のシンクロナスDRAMとの間に貫通電流が流れること
を回避し、消費電力の低減化を図ることができる。
ラッチ回路69、77を設けているので、出力回路用の
電源電圧VDDQの立ち上がりと、出力回路以外の内部
回路用の電源電圧VDDの立ち上がりとの間の時間差が
大きい場合においても、同一の外部データバスに接続さ
れている他のシンクロナスDRAMとの間に貫通電流が
流れることを回避することができる。
用の電源電圧VDDを降圧する電圧降圧回路を内蔵し、
出力回路及び出力制御回路以外の内部回路を電源電圧V
DDよりも低電圧で動作させるように構成される半導体
集積回路や、電源電圧VDDが電源電圧VDDQよりも
低電圧とされている半導体集積回路においても適用する
ことができる。
半導体集積回路)によれば、電源起動時、第1の電源電
圧又は第2の電源電圧のいずれかが先に立ち上がってし
まうような場合であっても、データ端子をハイ・インピ
ーダンス状態にすることができるので、同一の外部デー
タバスに接続されている他の半導体集積回路との間に貫
通電流が流れることを回避し、消費電力の低減化を図る
ことができる。
導体集積回路)によれば、電源起動時、第1の電源電圧
又は第2の電源電圧のいずれかが先に立ち上がってしま
うような場合であっても、データ端子をハイ・インピー
ダンス状態にすることができるので、同一の外部データ
バスに接続されている他の半導体集積回路との間に貫通
電流が流れることを回避し、消費電力の低減化を図るこ
とができ、しかも、出力回路は簡単な回路構成で足り
る。
導体集積回路)によれば、電源起動時、第1の電源電圧
又は第2の電源電圧のいずれかが先に立ち上がってしま
うような場合であっても、データ端子をハイ・インピー
ダンス状態にすることができるので、同一の外部データ
バスに接続されている他の半導体集積回路との間に貫通
電流が流れることを回避し、消費電力の低減化を図るこ
とができるが、第1の発明の場合よりも長い期間、デー
タ端子をハイ・インピーダンス状態とすることができる
ので、特に、第1の電源電圧の立ち上がりと第2の電源
電圧の立ち上がりとの間の時間差が大きい場合が存在す
る環境で使用する場合に効果的である。
ある。
がり検出回路の動作を示す波形図である。
上がり検出回路の動作を示す波形図である。
ある。
す回路図である。
る問題点を説明するための波形図である。
Claims (3)
- 【請求項1】第1の電源電圧が印加される第1の電源端
子と、 第2の電源電圧が印加される第2の電源端子と、 前記第1の電源電圧を監視し、前記第1の電源電圧の立
ち上がりを検出したときは、パルス状の第1の電源電圧
立ち上がり検出信号を出力する第1の電源電圧立ち上が
り検出回路と、 前記第2の電源電圧を監視し、前記第2の電源電圧の立
ち上がりを検出したときは、パルス状の第2の電源電圧
立ち上がり検出信号を出力する第2の電源電圧立ち上が
り検出回路と、 前記第1の電源電圧が供給され、前記第1の電源電圧立
ち上がり検出回路が前記第1の電源電圧の立ち上がりを
検出した時は、前記第1の電源電圧立ち上がり検出信号
に制御され、データ端子をハイ・インピーダンス状態と
し、データ出力動作時には、前記データ端子にデータを
出力する出力回路と、 前記第2の電源電圧が供給され、前記第2の電源電圧立
ち上がり検出回路が前記第2の電源電圧の立ち上がりを
検出した時は、前記第2の電源電圧立ち上がり検出信号
に制御され、前記出力回路が前記データ端子をハイ・イ
ンピーダンス状態とするように前記出力回路を制御し、
データ出力動作時には、内部回路から与えられるデータ
に基づいて前記出力回路の出力動作を制御する出力制御
回路とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】前記出力回路は、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端に前記出力制御
回路から第1の出力制御信号が供給される第1のインバ
ータと、 ソースを前記第1の電源電圧を供給する第1の電源線に
接続され、ドレインを前記データ端子に接続され、ゲー
トを前記第1のインバータの出力端に接続されたpチャ
ネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端に前記出力制御
回路から第2の出力制御信号が供給される第2のインバ
ータと、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端を前記第2のイ
ンバータの出力端に接続された第3のインバータと、 ドレインを前記データ端子に接続され、ソースを接地線
に接続され、ゲートを前記第3のインバータの出力端に
接続されたnチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジス
タと、 一端を前記第1のインバータの入力端に接続され、他端
を前記接地線に接続され、前記第1の電源電圧立ち上が
り検出信号により導通とされる第1のスイッチ素子と、 一端を前記第2のインバータの入力端に接続され、他端
を前記接地線に接続され、前記第1の電源電圧立ち上が
り検出信号により導通とされる第2のスイッチ素子とを
備えていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積
回路。 - 【請求項3】前記出力回路は、 一端を接地線に接続され、前記第1の出力制御回路から
出力される第1の出力制御信号により導通、非導通が制
御される第1のスイッチ素子と、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端を前記第1のス
イッチ素子の他端に接続された第1のインバータと、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端を前記第1のイ
ンバータの出力端に接続され、出力端を前記第1のイン
バータの入力端に接続された第2のインバータと、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端を前記第1のイ
ンバータの出力端に接続された第3のインバータと、 一端を前記第3のインバータの入力端に接続され、他端
を前記接地線に接続され、前記出力制御回路から出力さ
れる第2の出力制御信号により導通、非導通が制御され
る第2のスイッチ素子と、 ソースを前記第1の電源電圧を供給する第1の電源線に
接続され、ドレインを前記データ端子に接続され、ゲー
トを前記第3のインバータの出力端に接続されたpチャ
ネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、 一端を接地線に接続され、前記第1の出力制御回路から
出力される第3の出力制御信号により導通、非導通が制
御される第3のスイッチ素子と、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端を前記第3のス
イッチ素子の他端に接続された第4のインバータと、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端を前記第4のイ
ンバータの出力端に接続され、出力端を前記第4のイン
バータの入力端に接続された第5のインバータと、 前記第1の電源電圧が供給され、入力端を前記第5のイ
ンバータの出力端に接続された第6のインバータと、 一端を前記第6のインバータの入力端に接続され、他端
を前記接地線に接続され、前記出力制御回路から出力さ
れる第4の出力制御信号により導通、非導通が制御され
る第4のスイッチ素子と、 ドレインを前記データ端子に接続され、ソースを接地線
に接続され、ゲートを前記第6のインバータの出力端に
接続されたnチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジス
タと、 一端を前記第3のインバータの入力端に接続され、他端
を前記接地線に接続され、前記第1の電源電圧立ち上が
り検出信号により導通とされる第5のスイッチ素子と、 一端を前記第6のインバータの入力端に接続され、他端
を前記接地線に接続され、前記第1の電源電圧立ち上が
り検出信号により導通とされる第6のスイッチ素子とを
備えていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積
回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34186796A JP3287248B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 半導体集積回路 |
US08/863,356 US5874853A (en) | 1996-12-20 | 1997-05-27 | Semiconductor integrated circuit system |
KR1019970024997A KR100269568B1 (ko) | 1996-12-20 | 1997-06-17 | 반도체 집적 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34186796A JP3287248B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10188560A true JPH10188560A (ja) | 1998-07-21 |
JP3287248B2 JP3287248B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=18349368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34186796A Expired - Fee Related JP3287248B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 半導体集積回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5874853A (ja) |
JP (1) | JP3287248B2 (ja) |
KR (1) | KR100269568B1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6621283B1 (en) | 1999-01-13 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of testing the semiconductor device, and semiconductor integrated circuit |
JP2003533903A (ja) * | 1999-07-16 | 2003-11-11 | トムソン ライセンシング ソシエテ アノニム | パワーアップ状態用のトライステート回路 |
KR100429871B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-05-04 | 삼성전자주식회사 | 다수개의 출력 신호들을 갖는 반도체 장치 |
US7821862B2 (en) | 2001-08-30 | 2010-10-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor memory circuit |
JP2014515539A (ja) * | 2011-05-26 | 2014-06-30 | マイクロン テクノロジー, インク. | 有効化回路を含むデバイスおよびシステム |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4040222B2 (ja) | 1999-03-23 | 2008-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像の連結処理方法および放射線画像処理装置 |
US6600831B1 (en) | 1999-03-23 | 2003-07-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Connection processing method for radiation images |
US6686770B1 (en) * | 1999-07-16 | 2004-02-03 | Thomson Licensing S.A. | Tristate circuit for power up conditions |
EP1442522A2 (de) * | 2001-11-09 | 2004-08-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur steuerung eines ausgangs eines integrierten schaltkreises während des einschaltens und integrierter schaltkreis zur durchführung des verfahrens |
TWI220174B (en) * | 2003-07-08 | 2004-08-11 | Winbond Electronics Corp | Power source detector and detecting method thereof |
US9800230B1 (en) * | 2016-06-29 | 2017-10-24 | Qualcomm Incorporated | Latch-based power-on checker |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5333162A (en) * | 1993-02-23 | 1994-07-26 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High resolution time interval counter |
US5710741A (en) * | 1994-03-11 | 1998-01-20 | Micron Technology, Inc. | Power up intialization circuit responding to an input signal |
JP3755911B2 (ja) * | 1994-11-15 | 2006-03-15 | 富士通株式会社 | 半導体回路 |
US5579356A (en) * | 1995-07-28 | 1996-11-26 | Micron Quantum Devices, Inc. | Timer circuit with programmable decode circuitry |
US5715198A (en) * | 1997-02-03 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Output latching circuit for static memory devices |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34186796A patent/JP3287248B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-27 US US08/863,356 patent/US5874853A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-17 KR KR1019970024997A patent/KR100269568B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6621283B1 (en) | 1999-01-13 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of testing the semiconductor device, and semiconductor integrated circuit |
US6774655B2 (en) | 1999-01-13 | 2004-08-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of testing the semiconductor device, and semiconductor integrated circuit |
JP2003533903A (ja) * | 1999-07-16 | 2003-11-11 | トムソン ライセンシング ソシエテ アノニム | パワーアップ状態用のトライステート回路 |
JP4891504B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2012-03-07 | トムソン ライセンシング | パワーアップ状態用のトライステート回路 |
KR100429871B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-05-04 | 삼성전자주식회사 | 다수개의 출력 신호들을 갖는 반도체 장치 |
US7821862B2 (en) | 2001-08-30 | 2010-10-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor memory circuit |
US7995417B2 (en) | 2001-08-30 | 2011-08-09 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor memory circuit |
US8223577B2 (en) | 2001-08-30 | 2012-07-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor memory circuit |
JP2014515539A (ja) * | 2011-05-26 | 2014-06-30 | マイクロン テクノロジー, インク. | 有効化回路を含むデバイスおよびシステム |
US9401188B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-07-26 | Micron Technology, Inc. | Devices and systems including enabling circuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980063336A (ko) | 1998-10-07 |
US5874853A (en) | 1999-02-23 |
JP3287248B2 (ja) | 2002-06-04 |
KR100269568B1 (ko) | 2000-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH097374A (ja) | 半導体メモリ装置のデータ出力バッファ | |
JP2786572B2 (ja) | ビット線の電圧スイングが制限された半導体メモリ用センス回路 | |
JP3792788B2 (ja) | 半導体メモリ装置の定電圧発生回路 | |
US6791894B2 (en) | DRAM power-source controller that reduces current consumption during standby | |
US6778460B1 (en) | Semiconductor memory device and method for generation of core voltage | |
US6445226B2 (en) | Output circuit converting an internal power supply potential into an external supply potential in a semiconductor apparatus | |
JP2862744B2 (ja) | 半導体メモリ装置のデータ出力バッファ | |
JP3287248B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2000100158A (ja) | 集積回路及び同期型半導体メモリ装置 | |
KR100616496B1 (ko) | 동작모드에 따라 파워라인 연결 방식을 달리한 반도체메모리소자의 파워공급 제어장치 | |
JPH10106261A (ja) | 電圧検出回路 | |
US7706206B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR100230372B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환기 | |
US5940330A (en) | Synchronous memory device having a plurality of clock input buffers | |
KR0165386B1 (ko) | 반도체장치의 내부 승압회로 | |
US5805519A (en) | Semiconductor memory device | |
JP3680462B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH08190799A (ja) | センスアンプ回路 | |
JP3217099B2 (ja) | スタートアップ回路 | |
JP3769310B2 (ja) | 入力回路 | |
KR0183874B1 (ko) | 반도체 메모리장치의 내부 전원전압 발생회로 | |
JP2004199763A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR100774459B1 (ko) | 레벨 쉬프터 | |
KR100295065B1 (ko) | 반도체메모리장치의출력장치 | |
KR100245555B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그것의 내부 전원 전압 공급 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020212 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080315 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120315 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130315 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140315 Year of fee payment: 12 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |