JPH10170944A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
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- JPH10170944A JPH10170944A JP8332596A JP33259696A JPH10170944A JP H10170944 A JPH10170944 A JP H10170944A JP 8332596 A JP8332596 A JP 8332596A JP 33259696 A JP33259696 A JP 33259696A JP H10170944 A JPH10170944 A JP H10170944A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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Landscapes
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子とガラス基板とを接続する際に、
高強度接続を可能とし、かつ半導体素子に供給する配線
の傷付きを防止することを目的とする。 【解決手段】 表示領域１１と非表示領域１２を有する
ガラス基板７上の非表示領域１２に、ガラス基板７の表
示領域１１から引き出されて半導体素子１の接続される
非表示領域１２上のＡｌ電極３ａと、半導体素子１を実
装した際に半導体素子１の突起電極２につながるＡｌ電
極３ｂに接続される配線１０ａ，１０ｂが形成され、配
線１０ａ，１０ｂを覆う有機膜６を形成した液晶表示装
置である。Ａｌ電極３ａ，３ｂの上に、導電粒子４を分
散させた接着材５を接着し、Ａｌ電極３ａ，３ｂと突起
電極２との位置合わせを行った後に、導電粒子４を介し
てＡｌ電極３ａ，３ｂと突起電極２とを電気的に接続し
て半導体素子１を実装する。
高強度接続を可能とし、かつ半導体素子に供給する配線
の傷付きを防止することを目的とする。 【解決手段】 表示領域１１と非表示領域１２を有する
ガラス基板７上の非表示領域１２に、ガラス基板７の表
示領域１１から引き出されて半導体素子１の接続される
非表示領域１２上のＡｌ電極３ａと、半導体素子１を実
装した際に半導体素子１の突起電極２につながるＡｌ電
極３ｂに接続される配線１０ａ，１０ｂが形成され、配
線１０ａ，１０ｂを覆う有機膜６を形成した液晶表示装
置である。Ａｌ電極３ａ，３ｂの上に、導電粒子４を分
散させた接着材５を接着し、Ａｌ電極３ａ，３ｂと突起
電極２との位置合わせを行った後に、導電粒子４を介し
てＡｌ電極３ａ，３ｂと突起電極２とを電気的に接続し
て半導体素子１を実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネルの基板
上に半導体素子を直接に実装した液晶表示装置に関する
ものである。
上に半導体素子を直接に実装した液晶表示装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶を応用した表示装置は、低電力、軽
量など従来のディスプレイにない特徴を持ち、周辺技術
の進歩により商品力が高まり、様々な製品に使用されて
いる。これら液晶表示装置のパネル基板に信号を供給す
るための半導体素子との実装方法として、ＴＡＢ（Tape
Automated Bonding）工法、ＣＯＧ（Chip On Glass ）
工法が知られている。
量など従来のディスプレイにない特徴を持ち、周辺技術
の進歩により商品力が高まり、様々な製品に使用されて
いる。これら液晶表示装置のパネル基板に信号を供給す
るための半導体素子との実装方法として、ＴＡＢ（Tape
Automated Bonding）工法、ＣＯＧ（Chip On Glass ）
工法が知られている。
【０００３】ＴＡＢ工法では、半導体素子は液晶表示パ
ネル基板にフィルムキャリアを介して接続されるため、
ＩＬＢ（Inner Lead Bonding）、ＯＬＢ（Outer Lead B
onding）という２ケ所の接続が必要であり、製品外形も
大きくなる。またフィルムキャリアを用いるためコスト
高となる。
ネル基板にフィルムキャリアを介して接続されるため、
ＩＬＢ（Inner Lead Bonding）、ＯＬＢ（Outer Lead B
onding）という２ケ所の接続が必要であり、製品外形も
大きくなる。またフィルムキャリアを用いるためコスト
高となる。
【０００４】一方、ＣＯＧ工法では、熱硬化性樹脂から
なる接着材中に導電粒子を分散させた接着材を用いて半
導体素子を接続する方法が一般的にとられており、ＴＡ
Ｂ工法と比較して接続箇所が削減でき、かつ製品外形が
小さくできるため、画面寸法で２〜８インチ程度の液晶
パネルでは主流となってきている。このＣＯＧ工法によ
り液晶パネルのガラス基板に半導体素子を実装する過程
を図４に示す。
なる接着材中に導電粒子を分散させた接着材を用いて半
導体素子を接続する方法が一般的にとられており、ＴＡ
Ｂ工法と比較して接続箇所が削減でき、かつ製品外形が
小さくできるため、画面寸法で２〜８インチ程度の液晶
パネルでは主流となってきている。このＣＯＧ工法によ
り液晶パネルのガラス基板に半導体素子を実装する過程
を図４に示す。
【０００５】液晶パネルのガラス基板７ａの上の非表示
領域１２には、表示領域１１から引き出されて半導体素
子１へ接続されるアルミ電極（以下、Ａｌ電極と略す）
３ａと、半導体素子１を実装した際に半導体素子１へ信
号を供給するＡｌ電極３ｂに接続される配線１０が形成
されている。
領域１２には、表示領域１１から引き出されて半導体素
子１へ接続されるアルミ電極（以下、Ａｌ電極と略す）
３ａと、半導体素子１を実装した際に半導体素子１へ信
号を供給するＡｌ電極３ｂに接続される配線１０が形成
されている。
【０００６】配線１０の上には窒化珪素膜などの無機膜
９が形成されている。半導体素子１の突起電極２とガラ
ス基板７ａのＡｌ電極３ａ，３ｂとを互いに対向させ、
導電粒子４を有する接着材５を介して接続させる。
９が形成されている。半導体素子１の突起電極２とガラ
ス基板７ａのＡｌ電極３ａ，３ｂとを互いに対向させ、
導電粒子４を有する接着材５を介して接続させる。
【０００７】ガラス基板７ａの上の表示領域１１には、
ＴＦＴトランジスタアレイ群（図示せず）が形成されて
おり、ガラス基板７ａとガラス基板７ｂの間に液晶１３
が封入されている。
ＴＦＴトランジスタアレイ群（図示せず）が形成されて
おり、ガラス基板７ａとガラス基板７ｂの間に液晶１３
が封入されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板７の上に形成されている配線１０および電極３ａ，
３ｂの材料は、抵抗値を下げるためにＡｌを用いている
が、配線１０の上にある無機膜９は厚さが約３０００Å
と薄いため、配線１０に傷が付きやすく、パネル製造工
程において取り扱いに非常に注意が必要であり、配線１
０の傷付きにより、隣接した配線との短絡や半導体素子
１の誤動作等の問題が発生し、生産性が悪いという課題
がある。
基板７の上に形成されている配線１０および電極３ａ，
３ｂの材料は、抵抗値を下げるためにＡｌを用いている
が、配線１０の上にある無機膜９は厚さが約３０００Å
と薄いため、配線１０に傷が付きやすく、パネル製造工
程において取り扱いに非常に注意が必要であり、配線１
０の傷付きにより、隣接した配線との短絡や半導体素子
１の誤動作等の問題が発生し、生産性が悪いという課題
がある。
【０００９】また、ガラス基板７の上の無機膜９と有機
材である接着材５との界面の接着力が弱いため、上記方
法にて製造した液晶表示装置を高温高湿の環境に放置す
ると、接着力が低下して半導体素子１と無機膜９との界
面で剥離が生じる。
材である接着材５との界面の接着力が弱いため、上記方
法にて製造した液晶表示装置を高温高湿の環境に放置す
ると、接着力が低下して半導体素子１と無機膜９との界
面で剥離が生じる。
【００１０】剥離が生じると導電粒子４のつぶれが小さ
くなり、その結果、ガラス基板７と半導体素子１の上の
突起電極２との接触面積が小さくなるため、接続抵抗が
高くなり、接続が不安定になる場合がある。
くなり、その結果、ガラス基板７と半導体素子１の上の
突起電極２との接触面積が小さくなるため、接続抵抗が
高くなり、接続が不安定になる場合がある。
【００１１】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、半導体素子の突起電極につながる配
線に傷が付きにくく、かつ半導体素子と表示パネル基板
を接続する際に高強度接続が可能で、信頼性の高い液晶
表示装置とその製造方法を提供することを目的とする。
になされたもので、半導体素子の突起電極につながる配
線に傷が付きにくく、かつ半導体素子と表示パネル基板
を接続する際に高強度接続が可能で、信頼性の高い液晶
表示装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、ガラス基板の上に形成された配線の上に絶縁膜とし
て有機膜を設けたことを特徴とする。
は、ガラス基板の上に形成された配線の上に絶縁膜とし
て有機膜を設けたことを特徴とする。
【００１３】この本発明によると、実装しようとする半
導体素子と絶縁膜として有機膜とが接着材で強固に接着
され、前記有機膜は従来の無機膜と比較して厚く形成す
ることが可能であり、パネル製造工程での前記配線の傷
付きを防止でき、生産性の向上が図れる。
導体素子と絶縁膜として有機膜とが接着材で強固に接着
され、前記有機膜は従来の無機膜と比較して厚く形成す
ることが可能であり、パネル製造工程での前記配線の傷
付きを防止でき、生産性の向上が図れる。
【００１４】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よると、上記の液晶表示装置を実現できる。
よると、上記の液晶表示装置を実現できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の液晶表示装置は、表示領
域と非表示領域を有するガラス基板上に、電極と前記電
極に接続される配線を設け、前記配線上に絶縁膜を設
け、導電粒子を分散させた接着材によって半導体素子を
ガラス基板上の非表示領域の前記電極に実装した液晶表
示装置であって、前記絶縁膜を有機膜としたことを特徴
とする。
域と非表示領域を有するガラス基板上に、電極と前記電
極に接続される配線を設け、前記配線上に絶縁膜を設
け、導電粒子を分散させた接着材によって半導体素子を
ガラス基板上の非表示領域の前記電極に実装した液晶表
示装置であって、前記絶縁膜を有機膜としたことを特徴
とする。
【００１６】有機膜は、ポリイミドまたはアクリル系樹
脂またはフッ素系樹脂である。この構成によると、有機
膜と有機物である接着材との有機膜どうしの高い密着性
により、電極と半導体素子の突起電極とが高強度で接続
される。また配線の傷付きを防止できる。
脂またはフッ素系樹脂である。この構成によると、有機
膜と有機物である接着材との有機膜どうしの高い密着性
により、電極と半導体素子の突起電極とが高強度で接続
される。また配線の傷付きを防止できる。
【００１７】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、半導体素子を基板上の非表示領域に実装するに際
し、電極と前記電極に接続される配線を設けた基板の上
に有機膜を形成し、 有機膜をパターニングして電極の
部分の有機膜を除去し、導電粒子を分散させた接着材を
前記電極に付着させ、さらに実装しようとする半導体素
子を位置合わせして前記電極の上に載置し、その後に加
圧しながら加熱し硬化させて前記有機膜と半導体素子と
を接着するとともに前記半導体素子と前記電極とを前記
導電粒子を介して電気接続することを特徴とし、上記の
液晶表示装置を実現できる。
は、半導体素子を基板上の非表示領域に実装するに際
し、電極と前記電極に接続される配線を設けた基板の上
に有機膜を形成し、 有機膜をパターニングして電極の
部分の有機膜を除去し、導電粒子を分散させた接着材を
前記電極に付着させ、さらに実装しようとする半導体素
子を位置合わせして前記電極の上に載置し、その後に加
圧しながら加熱し硬化させて前記有機膜と半導体素子と
を接着するとともに前記半導体素子と前記電極とを前記
導電粒子を介して電気接続することを特徴とし、上記の
液晶表示装置を実現できる。
【００１８】以下、本発明における実施の形態を図１〜
図３に基づいて説明する。なお、従来例を示す図４と同
様の作用をなすものには同一の符号を付けて説明する。
図３に基づいて説明する。なお、従来例を示す図４と同
様の作用をなすものには同一の符号を付けて説明する。
【００１９】図１に示すように、ガラス基板７ａのうち
の液晶パネルになったときに表示領域となる領域１１に
は、ＴＦＴトランジスタアレイ群（図示せず）が形成さ
れており、非表示領域１２には、実装すべき半導体素子
１の突起電極２に当接するＡｌ電極３ａ，３ｂと、表示
領域１１の前記ＴＦＴトランジスタアレイ群から引き出
されてＡｌ電極３ａに接続されるＡｌ配線１０ａと、Ａ
ｌ電極３ｂに接続されるＡｌ配線１０ｂが形成されてい
る。
の液晶パネルになったときに表示領域となる領域１１に
は、ＴＦＴトランジスタアレイ群（図示せず）が形成さ
れており、非表示領域１２には、実装すべき半導体素子
１の突起電極２に当接するＡｌ電極３ａ，３ｂと、表示
領域１１の前記ＴＦＴトランジスタアレイ群から引き出
されてＡｌ電極３ａに接続されるＡｌ配線１０ａと、Ａ
ｌ電極３ｂに接続されるＡｌ配線１０ｂが形成されてい
る。
【００２０】先ず、ガラス基板７ａの上面に有機膜６を
形成する。具体的には、ポリイミドをガラス基板７ａの
上に塗布した後、スピンナーを用いて有機膜６を形成し
た。この時の回転数は３００ｒｐｍで２秒の実施後、１
５００ｒｐｍで５秒行った。
形成する。具体的には、ポリイミドをガラス基板７ａの
上に塗布した後、スピンナーを用いて有機膜６を形成し
た。この時の回転数は３００ｒｐｍで２秒の実施後、１
５００ｒｐｍで５秒行った。
【００２１】次に、フォトリソグラフィ工法を用いて有
機膜６をパターニングして、表示領域１１とＡｌ電極３
ａ，３ｂの上のみポリイミドを除去する。具体的には、
パターニングはプリベークを約８０℃で５分、露光、現
像後、ポストベークを約２５０℃で３０分実施した。こ
こで形成されたポリイミド樹脂の膜厚は、２〜５μｍ程
度であった。
機膜６をパターニングして、表示領域１１とＡｌ電極３
ａ，３ｂの上のみポリイミドを除去する。具体的には、
パターニングはプリベークを約８０℃で５分、露光、現
像後、ポストベークを約２５０℃で３０分実施した。こ
こで形成されたポリイミド樹脂の膜厚は、２〜５μｍ程
度であった。
【００２２】半導体素子１は液晶表示駆動を行なう機能
を有し、図３に示すように、Ａｌ電極パッド８の表面に
突起電極２が形成されている。これはＴＡＢ工法に使用
する電極仕様と同一であっても問題なく、１５〜２０μ
ｍ程度の高さである。Ａｌ電極３ａ，３ｂの厚みは通常
２０００〜３０００Å程度である。
を有し、図３に示すように、Ａｌ電極パッド８の表面に
突起電極２が形成されている。これはＴＡＢ工法に使用
する電極仕様と同一であっても問題なく、１５〜２０μ
ｍ程度の高さである。Ａｌ電極３ａ，３ｂの厚みは通常
２０００〜３０００Å程度である。
【００２３】次に、Ａｌ電極３ａ，３ｂの上に、導電粒
子４を分散させたシート状の接着材５を載置し、Ａｌ電
極３ａ，３ｂの表面に接着材５を付着させる。この時は
仮止め状態とし、圧着温度は１００〜１５０℃とした。
子４を分散させたシート状の接着材５を載置し、Ａｌ電
極３ａ，３ｂの表面に接着材５を付着させる。この時は
仮止め状態とし、圧着温度は１００〜１５０℃とした。
【００２４】導電粒子４の径は、突起電極２の大きさ、
高さのばらつきを考慮し、４〜６μｍを用いた。また、
接続抵抗を考慮して、導電粒子４の表面はＡｕメッキを
した。また、接着材５の厚みは導電粒子をカバーできる
ように２０μｍから２５μｍとした。
高さのばらつきを考慮し、４〜６μｍを用いた。また、
接続抵抗を考慮して、導電粒子４の表面はＡｕメッキを
した。また、接着材５の厚みは導電粒子をカバーできる
ように２０μｍから２５μｍとした。
【００２５】次に、接着材５を介在させて突起電極２と
Ａｌ電極３ａ，３ｂを対面させて、半導体素子１とガラ
ス基板７ａを位置合わせし重ねた。次に、半導体素子１
とガラス基板７ａを加圧しながら加熱して硬化させるこ
とにより、接着材５に分散させた導電粒子４により突起
電極２とＡｌ電極３ａ，３ｂを電気的に接続した。
Ａｌ電極３ａ，３ｂを対面させて、半導体素子１とガラ
ス基板７ａを位置合わせし重ねた。次に、半導体素子１
とガラス基板７ａを加圧しながら加熱して硬化させるこ
とにより、接着材５に分散させた導電粒子４により突起
電極２とＡｌ電極３ａ，３ｂを電気的に接続した。
【００２６】このときの熱加圧条件は温度１７０〜２１
０℃，突起電極あたりの圧力荷重１５００〜２０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 ，時間２０秒とした。熱加圧することで、図
３に示すように、弾性を有する導電粒子４が圧縮され、
突起電極２とＡｌ電極３ａ，３ｂが電気的に安定して接
続される。
０℃，突起電極あたりの圧力荷重１５００〜２０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 ，時間２０秒とした。熱加圧することで、図
３に示すように、弾性を有する導電粒子４が圧縮され、
突起電極２とＡｌ電極３ａ，３ｂが電気的に安定して接
続される。
【００２７】その後に、ガラス基板７ｂを張り合わせて
セル室をガラス基板７ａとの間に形成するとともにセル
室への液晶の充填が実施されて液晶表示装置が完成す
る。このように構成されたガラス基板７によると、配線
１０ａ，１０ｂの上の有機膜６は厚く形成することが可
能であり、パネル製造工程での配線１０ａ，１０ｂの傷
付きを防止でき、生産性の向上が図れる。
セル室をガラス基板７ａとの間に形成するとともにセル
室への液晶の充填が実施されて液晶表示装置が完成す
る。このように構成されたガラス基板７によると、配線
１０ａ，１０ｂの上の有機膜６は厚く形成することが可
能であり、パネル製造工程での配線１０ａ，１０ｂの傷
付きを防止でき、生産性の向上が図れる。
【００２８】さらにガラス基板７の上に形成されている
有機膜６と有機物である接着材５との密着性が良好であ
るため、ガラス基板上のＡｌ電極と半導体素子の突起電
極との接続が安定し、高歩留りで高い信頼性が確保でき
るという二次効果も得られる。
有機膜６と有機物である接着材５との密着性が良好であ
るため、ガラス基板上のＡｌ電極と半導体素子の突起電
極との接続が安定し、高歩留りで高い信頼性が確保でき
るという二次効果も得られる。
【００２９】また、本実施形態においては、有機膜とし
てポリイミドを用いる場合で説明したが、アクリル系樹
脂またはフッ素系樹脂を用いた場合においても、同様の
効果が得られる。
てポリイミドを用いる場合で説明したが、アクリル系樹
脂またはフッ素系樹脂を用いた場合においても、同様の
効果が得られる。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明の液晶表示装置によ
ると、基板上に有機膜を形成することにより膜厚を厚く
することが可能であり、半導体素子の突起電極につなが
る配線の傷付きを防止することができる。また、基板上
に形成した有機膜と有機物である接着材との有機膜どう
しの高い密着性により、高強度接続が可能となる。
ると、基板上に有機膜を形成することにより膜厚を厚く
することが可能であり、半導体素子の突起電極につなが
る配線の傷付きを防止することができる。また、基板上
に形成した有機膜と有機物である接着材との有機膜どう
しの高い密着性により、高強度接続が可能となる。
【００３１】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よると、半導体素子を基板上の非表示領域に実装するに
際し、電極と前記電極に接続される配線を設けた基板の
上に有機膜を形成し、有機膜をパターニングして電極の
部分の有機膜を除去し、導電粒子を分散させた接着材を
前記電極に付着させ、さらに実装しようとする半導体素
子を位置合わせして前記電極の上に載置し、その後に加
圧しながら加熱し硬化させて前記有機膜と半導体素子と
を接着するとともに前記半導体素子と前記電極とを前記
導電粒子を介して電気接続するので、上記の表示装置を
実現できる。
よると、半導体素子を基板上の非表示領域に実装するに
際し、電極と前記電極に接続される配線を設けた基板の
上に有機膜を形成し、有機膜をパターニングして電極の
部分の有機膜を除去し、導電粒子を分散させた接着材を
前記電極に付着させ、さらに実装しようとする半導体素
子を位置合わせして前記電極の上に載置し、その後に加
圧しながら加熱し硬化させて前記有機膜と半導体素子と
を接着するとともに前記半導体素子と前記電極とを前記
導電粒子を介して電気接続するので、上記の表示装置を
実現できる。
【図１】実施の形態の液晶表示装置の組み立てに使用す
る部品の要部斜視図
る部品の要部斜視図
【図２】同実施の形態の液晶表示装置の非表示領域に半
導体素子を実装する工程の拡大断面図
導体素子を実装する工程の拡大断面図
【図３】同実施の形態の液晶表示装置の非表示領域の要
部の断面図
部の断面図
【図４】従来の液晶表示装置の非表示領域に半導体素子
を実装する工程の拡大断面図
を実装する工程の拡大断面図
１ 半導体素子 ２ 突起電極 ３ａ，３ｂ Ａｌ電極 ４ 導電粒子 ５ 接着材 ６ 有機膜 ７ ガラス基板 １０ａ，１０ｂ 配線 １１ 表示領域 １２ 非表示領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 表示領域と非表示領域を有するガラス基
板上に、電極と前記電極に接続される配線を設け、前記
配線上に絶縁膜を設け、導電粒子を分散させた接着材に
よって半導体素子をガラス基板上の非表示領域の前記電
極に実装した液晶表示装置であって、前記絶縁膜を有機
膜とした液晶表示装置。 - 【請求項２】 有機膜が、ポリイミドまたはアクリル系
樹脂またはフッ素系樹脂である請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項３】半導体素子を基板上の非表示領域に実装す
るに際し、 電極と前記電極に接続される配線を設けた基板の上に有
機膜を形成し、 有機膜をパターニングして電極の部分の有機膜を除去
し、 導電粒子を分散させた接着材を前記電極に付着させ、さ
らに実装しようとする半導体素子を位置合わせして前記
電極の上に載置し、 その後に加圧しながら加熱し硬化させて前記有機膜と半
導体素子とを接着するとともに前記半導体素子と前記電
極とを前記導電粒子を介して電気接続する液晶表示装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8332596A JPH10170944A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8332596A JPH10170944A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10170944A true JPH10170944A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18256716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8332596A Pending JPH10170944A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10170944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7888182B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-02-15 | Tdk Corporation | Electronic component, production method of electronic component, mounted structure of electronic component, and evaluation method of electronic component |
| CN103064223A (zh) * | 2013-01-07 | 2013-04-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和一种显示面板 |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP8332596A patent/JPH10170944A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7888182B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-02-15 | Tdk Corporation | Electronic component, production method of electronic component, mounted structure of electronic component, and evaluation method of electronic component |
| CN103064223A (zh) * | 2013-01-07 | 2013-04-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和一种显示面板 |
| CN103064223B (zh) * | 2013-01-07 | 2015-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和一种显示面板 |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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