JPH10145190A - 発振器及びこの発振器を用いた無線電話装置 - Google Patents

発振器及びこの発振器を用いた無線電話装置

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JPH10145190A
JPH10145190A JP9274052A JP27405297A JPH10145190A JP H10145190 A JPH10145190 A JP H10145190A JP 9274052 A JP9274052 A JP 9274052A JP 27405297 A JP27405297 A JP 27405297A JP H10145190 A JPH10145190 A JP H10145190A
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transistor
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oscillator
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Pascal Philippe
パスカル、フィリップ
Mihai Murgulescu
ミアイ、ムルグルスク
Fabrice Jovenin
ファブリス、ジョブナン
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Philips Electronics NV
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    • H03B2202/05—Reduction of undesired oscillations through filtering or through special resonator characteristics

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バイポーラトランジスタにより実現された能
動部を有し、電源電圧の変動に対する受動部の感度がか
なり低くされた発振器を得ることにより従来の発振器の
欠点を解消することである。 【解決の手段】 本発明は、同調電圧Ｖｔｕｎの関数と
して可変周波数の出力信号を発生するための発振器ＯＳ
Ｃ及びこれを用いた無線電話装置に関するもので、前記
発振器は、同調電圧Ｖｔｕｎによりバイアスされる、直
列に配置され、２つのインダクタンスＬｅｘｔを介して
電源ＶＣＣに接続される２個の可変コンデンサＣｓを備
える受動部と、第１のトランジスタＴ１と第２のトラン
ジスタＴ２を備え、それらのトランジスタＴ１とＴ２の
コレクタが受動部の出力端子Ｓ１とＳ２にそれぞれ接続
され、一方のトランジスタのベースが結合コンデンサＣ
ｆｂを介して他方のトランジスタのコレクタに接続され
る、能動部と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、直列接続されて容
量分岐を構成する２個の可変コンデンサを備え、その容
量分岐の端部で構成されて、相互間に出力信号を生じ、
かつ等しい公称値を持つ２個のインダクタンス要素を介
して第１の電源に接続される２つの出力端子と、容量分
岐の可変コンデンサの間の接続点で構成されて、同調電
圧を受けるための入力端子とを有する受動部と、 受動部の出力端子に接続される出力端子と、電流源を介
して第２の電源に接続される基準端子と、バイアス端子
とをそれぞれ有する第１のトランジスタおよび第２のト
ランジスタを備える能動部であって、第１のトランジス
タのバイアス端子と第２のトランジスタのバイアス端子
は等しい公称値を持つ結合コンデンサを介して第２のト
ランジスタの出力端子と第１のトランジスタの出力端子
にそれぞれ接続されるように構成された能動部と、を備
える同調電圧の関数として可変周波数の出力信号を発生
する発振器に関するものである。
【０００２】また、無線電気信号を送受信するためにこ
の発振器を用いた無線電話装置にも関するものである。
【０００３】
【従来の技術】そのような発振器は、IEEE Transaction
s on Electron Devices,vol.ED-28,No.2所載のMr Rory
L.van Tuylによる「ＲＦ信号のヘテロダイン発生のため
のモノリシックＧａＡｓ ＩＣ（A Monolithic GaAs IC
for Heterodyne Generation of RF Signals）」と題す
る論文から知られている。この発振器のトランジスタは
ガリウムひ素で実現される。これによりトランジスタは
高速であるという利点を持つ。しかし、それらのトラン
ジスタはかなりの低周波ノイズを生ずる。これは、所与
の周波数範囲から無線電気信号を選択するために、発振
器の出力信号の周波数を使用する無線電話の応用では大
きな欠点である。発振器により発生された信号のスペク
トル純度は高くなければならないが、ガリウムひ素トラ
ンジスタではそれを達成できない。
【０００４】高いスペクトル純度は、初めの部分での記
述に従って差動対として接続されたバイポーラトランジ
スタを用いて達成できる。たとえば、ＧＳＭ型携帯電話
機に使用する時は、そのような発振器は、電話機に組み
込まれている電池の端子に存在する電圧を基にして得ら
れた安定化電源電圧を受ける。この安定化電圧は本質的
に低周波変動を生ずる。その低周波変動は発振器の受動
部に到達して、この発振器により発生される信号のスペ
クトル純度を変更する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、バイ
ポーラトランジスタにより実現された能動部を有し、電
源電圧の変動に対する受動部の感度がかなり低くされた
発振器を得ることにより、前記欠点を解消することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に従って、初めに
述べた種類の発振器は、第１のトランジスタおよび第２
のトランジスタがバイポーラトランジスタであり、それ
らのトランジスタのベースと、コレクタと、エミッタと
はそれぞれバイアス端子と、出力端子と、基準端子とを
構成し、受動部は２つの高域フィルタを備え、各フィル
タは出力端子の１つと可変容量の１つとの間に接続され
る、ことを特徴とするものである。
【０００７】高域フィルタの効果は発振器の能動部を電
源電圧の低周波変動から分離することである。
【０００８】本発明の有利な実施例では、上記発振器
は、各高域フィルタは出力端子の１つと可変容量の１つ
との間に接続されたフィルタコンデンサと、可変コンデ
ンサとフィルタコンデンサとの間に設けられている回路
点と第２の電源端子との間に配置された抵抗とにより構
成されることを特徴とするものである。
【０００９】高域フィルタのこの簡単な構造により、能
動部を低周波信号に対して良好に保護でき、しかもそれ
の実現のために小さい表面を要するだけである。
【００１０】差動対の電流源は低周波ノイズ源を構成す
ることもある。したがって、本発明の特定の実施例は、
第１のトランジスタの基準端子と第２のトランジスタの
基準端子とを第２の電源端子に接続する電流源が抵抗で
あることを特徴とする、上記発振器を提供するものであ
る。
【００１１】この実施例は、簡単で表面が節約されると
いう利点以外に、抵抗をベースとする電流源も、トラン
ジスタ化電流源のバイアス回路が発生する低周波ノイズ
より少ない低周波ノイズを発生する、という利点も有す
る。
【００１２】携帯用の応用の大部分では、回路を含んで
いる装置を小型軽量にするために電子回路を小型にする
ことが望ましい。本発明の有利な実施例は、発振器を接
続ハウジングに納められる単一の集積回路に小型化でき
る。そのような発振器は、能動部と受動部とが同じ集積
回路内で実現され、その集積回路は、第１の電源端子を
構成する第１のピンと、第２の電源端子を構成する第２
のピンと、集積回路の入力端子に接続されたピンと、集
積回路の出力端子に接続されたピンとを持つハウジング
内に納められ、インダクタンス要素は受動部の出力端子
をハウジングの第１のピンに接続する導電線により構成
されることを特徴とするものである。
【００１３】この場合は、ハウジングのピンと集積回路
の端子の間を電気的に接続する線の固有インダクタンス
を用いる。そうすると、発振器を納めるハウジングに外
部インダクタンス要素が付加されることを避けることが
可能になり、その結果として、この発振器を使用する装
置の内部に発振器を挿入することが一層簡単になる。し
たがって、そのような装置の開発と製作が簡単になり、
そのためにその装置の総コストが低減される。
【００１４】上で述べたように、そのような発振器は携
帯用装置での使用に特に良く適している。したがって、
本発明は、アンテナと、所与の周波数範囲内で選択され
た周波数の信号を受信できるようにするフィルタ装置と
を備え、選択すべき周波数から中間周波数への周波数変
換が、選択された無線電気信号と、局部発振器の出力端
子に発生された信号とを受ける混合器により実現され、
出力端子に同調電圧を供給する制御モジュールにより測
定される周波数の前記信号により、局部発振器の出力信
号の周波数が、選択すべき周波数と中間周波数との間の
差に等しいように、局部発振器の出力信号の周波数を制
御できるようにする、所与の周波数範囲内の無線電気信
号を送受信するための無線電話装置にも関するものであ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
しく説明する。図１は同調電圧Ｖｔｕｎの関数として可
変周波数の出力信号を生ずるための発振器ＯＳＣの回路
図である。発振器ＯＳＣは受動部を含む。受動部は相互
間に出力信号ＬＯを得る２つの出力端子Ｓ１及びＳ２
と、同調電圧Ｖｔｕｎを受けるための入力端子とを有す
る。能動部は直列接続された２個の可変コンデンサＣｓ
を有して容量分岐を形成する。その容量分岐の端部が出
力端子Ｓ１とＳ２を構成する。ここでは、それらのコン
デンサは逆バイアスしたショットキーダイオードの形で
実現される。可変コンデンサＣｓの相互接続点が抵抗Ｒ
を介して入力端子に接続され、出力端子Ｓ１、Ｓ２が、
等しい公称値を持つ２つのインダクタンス要素Ｌｅｘｔ
を介して第１の電源端子ＶＣＣに接続される。発振器Ｏ
ＳＣは能動部も含む。この能動部は第１のバイポーラト
ランジスタＴ１と第２のバイポーラトランジスタＴ２を
有する。各トランジスタはベースと、エミッタと、コレ
クタとを有する。トランジスタＴ１及びＴ２のコレクタ
は受動部の出力端子Ｓ１及びＳ２にそれぞれ接続され
る。トランジスタＴ１及びＴ２のエミッタは、この場合
には抵抗ＲＥＥにより構成されている電流源を介して、
第２の電源端子ＧＮＤに接続される。トランジスタＴ１
及びＴ２のベースは、それぞれ等しい公称値を持つ結合
コンデンサＣｆｂを介してトランジスタＴ２及びＴ１の
コレクタに接続される。トランジスタＴ１及びＴ２のベ
ースはそれぞれベース抵抗Ｒｂを介してバイアス電圧Ｖ
ｂａｓｅを受ける。この電圧Ｖｂａｓｅは第１の電源端
子ＶＣＣの電圧から、たとえば、分圧ブリッジにより取
り出すことができる。受動部は２つの高域フィルタを有
する。各高域フィルタは出力端子Ｓ１またはＳ２の１つ
と可変コンデンサＣｓの１つとの間に挿入される。各高
域フィルタは、出力端子Ｓ１またはＳ２の１つと可変コ
ンデンサＣｓの１つとの間に配置されているフィルタコ
ンデンサＣｍと、第２の電源端子ＧＮＤと、前記可変コ
ンデンサＣｓとフィルタコンデンサＣｍとの間の回路点
の間に配置されている抵抗Ｒｍとにより構成される。
【００１６】そのような構成により、この発振器を集積
回路のハウジングの内部に完全に集積化できる。上で述
べた全体の構造は、受動部の出力端子Ｓ１とＳ２を第１
の電源端子ＶＣＣに接続するインダクタンス要素Ｌｅｘ
ｔを除き、同じ集積回路内に集積化できる。
【００１７】図２は発振器の能動部と受動部が、ハウジ
ングＢＯに納められているのと同じ集積回路ＣＨＰで実
現されるような、本発明の有利な実施例を線図的に示
す。ハウジングＢＯの第１のピンと第２のピンが第１の
電源端子と第２の電源端子をそれぞれ構成する。インダ
クタンス要素Ｌｅｘｔは受動部の出力端子Ｓ１とＳ２を
ハウジングＢＯの第１のピンＶＣＣに接続する導電線に
より構成される。端子Ｓ１とＳ２に存在する信号の間の
位相を最大限に完全に逆位相とするために、発振器の能
動部と受動部とを構成する種々の素子を、図１に示す電
気回路の対称性に最大限従うようにして構成すると有利
である。
【００１８】発振器ＯＳＣの１つのハウジング内で完全
に集積化することにより、ハウジングに外部インダクタ
ンス要素を付加することを避けることが可能にされる。
これにより、この発振器を用いる装置の構造が簡単にな
り、かつそれを小型にでき、更にそれのコストを低減で
きる。
【００１９】したがって、そのような発振器は携帯用装
置に使用するのにとくに適する。図３は本発明の応用例
を示す。図３は、所与の周波数範囲内の電気信号を送受
信するために適当なＧＳＭ型セルラー電話などの無線電
話装置の一部の構成を示す。この装置はアンテナとフィ
ルタ装置ＡＦとを有する。このフィルタ装置により、前
記所与の周波数範囲から選択された周波数ＲＦを持つ信
号を受信できる。選択すべきＲＦ周波数から中間周波数
近くへの周波数変換がこの装置において、選択された無
線電気信号と、前記したように局部発振器ＯＳＣの出力
端子に発生された信号ＬＯとを受ける混合器ＭＸにより
実現される。信号ＬＯの周波数は制御モジュールＣＭに
より測定される。その制御モジュールＣＭは同調電圧Ｖ
ｔｕｎを出力端子に供給して、選択すべき周波数ＲＦと
中間周波数ＩＦとの差に等しいようにして局部発振器Ｏ
ＳＣの周波数を同調できるようにする。
【００２０】本発明の発振器ＯＳＣの完全な集積化と、
それが供給する出力信号の高いスペクトル純度とによ
り、発振器の出力端子における最高ノイズレベルを決定
するＧＳＭ基準に適合させることができ、しかも極めて
小型にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発振器の部分電気回路図。
【図２】本発明の有利な実施例の概略構成図。
【図３】本発明の発振器を使用する無線電話装置の部分
回路図。
【符号の説明】
ＡＦ フィルタ装置 ＢＯ ハウジング Ｃｆｂ 結合コンデンサ Ｃｍ フィルタコンデンサ Ｃｓ 可変コンデンサ ＣＨＰ 集積回路 ＣＭ 制御モジュール Ｌｅｘｔ インダクタンス要素 ＭＸ 混合器 ＯＳＣ 発振器 Ｒ、ＲＥＥ 抵抗 Ｓ１、Ｓ２ 出力端子 Ｔ１、Ｔ２ バイポーラトランジスタ ＶＣＣ 第１の電源端子 ＧＮＤ 第２の電源端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ファブリス、ジョブナン フランス国カーン、リュ、ド、ラ、デファ ンス、ピボーヌ、10

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】直列接続されて容量分岐を構成する２個の
    可変コンデンサを備え、その容量分岐の端部で構成され
    て、相互間に出力信号を生じ、かつ等しい公称値を持つ
    ２個のインダクタンス要素を介して第１の電源に接続さ
    れる２つの出力端子と、容量分岐の可変コンデンサの間
    の接続点で構成されて、同調電圧を受けるための入力端
    子とを有する受動部と、 受動部の出力端子に接続される出力端子と、電流源を介
    して第２の電源に接続される基準端子と、バイアス端子
    とをそれぞれ有する第１のトランジスタおよび第２のト
    ランジスタを備える能動部であって、第１のトランジス
    タのバイアス端子と第２のトランジスタのバイアス端子
    とは等しい公称値を持つ結合コンデンサを介して第２の
    トランジスタの出力端子と第１のトランジスタの出力端
    子とにそれぞれ接続されるように構成された能動部と、
    を備える同調電圧の関数として可変周波数の出力信号を
    発生する発振器において、 第１のトランジスタおよび第２のトランジスタはバイポ
    ーラトランジスタであり、それらのトランジスタのベー
    スと、コレクタと、エミッタとはそれぞれバイアス端子
    と、出力端子と、基準端子とを構成し、受動部は２つの
    高域フィルタを備え、各フィルタは出力端子の１つと可
    変容量の１つとの間に接続されることを特徴とする発振
    器。
  2. 【請求項２】各高域フィルタは出力端子の１つと可変容
    量の１つとの間に接続されたフィルタコンデンサと、可
    変コンデンサとフィルタコンデンサとの間に設けられて
    いる回路点と第２の電源端子との間に配置された抵抗と
    により構成されることを特徴とする請求項１に記載の発
    振器。
  3. 【請求項３】第１のトランジスタの基準端子と第２のト
    ランジスタの基準端子とを第２の電源端子に接続する電
    流源は抵抗であることを特徴とする請求項１または２に
    記載の発振器。
  4. 【請求項４】能動部と受動部とは同じ集積回路内で実現
    され、その集積回路は、第１の電源端子を構成する第１
    のピンと、第２の電源端子を構成する第２のピンと、集
    積回路の入力端子に接続されたピンと、集積回路の出力
    端子に接続されたピンとを持つハウジング内に納めら
    れ、インダクタンス要素は受動部の出力端子をハウジン
    グの第１のピンに接続する導電線により構成されること
    を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の
    発振器。
  5. 【請求項５】アンテナと、所与の周波数範囲内で選択さ
    れた周波数の信号を受信できるようにするフィルタ装置
    とを備え、選択すべき周波数から中間周波数への周波数
    変換が、選択された無線電気信号と、局部発振器の出力
    端子に発生された信号とを受ける混合器により実現さ
    れ、出力端子に同調電圧を供給する制御モジュールによ
    り測定される周波数の前記信号により、局部発振器の出
    力信号の周波数が、選択すべき周波数と中間周波数との
    間の差に等しいように、局部発振器の出力信号の周波数
    を制御できるようにする、所与の周波数範囲内の無線電
    気信号を送受信するための無線電話装置であって、局部
    発振器は請求項１ないし４のいずれか１つに記載の発振
    器であることを特徴とする無線電話装置。
JP9274052A 1996-10-10 1997-10-07 発振器及びこの発振器を用いた無線電話装置 Pending JPH10145190A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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FR9612380 1996-10-10
FR9612380 1996-10-10

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002093916A (ja) * 2000-06-20 2002-03-29 Koninkl Philips Electronics Nv 大きなｑ因子を有する誘導素子を含む非常にコンパクトな集積回路
WO2003030350A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Oscillateur, circuit d'emission et appareil de radio
JP2006518570A (ja) * 2003-02-20 2006-08-10 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 発振器回路
JP2007522769A (ja) * 2004-02-10 2007-08-09 ビットウェーブ・セミコンダクター プログラム可能なトランシーバ

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999066635A1 (en) * 1998-06-16 1999-12-23 Microwave Solutions Limited Oscillator circuit
US6348841B1 (en) 1998-09-01 2002-02-19 Qualcomm Incorporated Wideband voltage controlled oscillator with good noise immunity
US6529720B1 (en) 1998-12-29 2003-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit of inductive elements
DE69941178D1 (de) * 1998-12-29 2009-09-10 Nxp Bv Integrierter Schaltkreis mit einem Kapazitätsnetzwerk mit niedriger Dispersion
CA2384091C (en) * 1999-09-01 2007-07-03 Qualcomm Incorporated Wideband voltage controlled oscillator with good noise immunity
US6281758B1 (en) * 1999-09-30 2001-08-28 Conexant Systems, Inc. Differential LC-VCO, charge pump, and loop filter architecture for improved noise-immunity in integrated phase-locked loops
US6469586B1 (en) 2000-08-25 2002-10-22 Sige Semiconductor Inc. Low voltage voltage-controlled oscillator topology
KR100384243B1 (ko) * 2000-08-30 2003-05-16 권원현 위상잡음 개선을 위한 집적회로형 초소형 전압제어발진소자
US6545554B1 (en) * 2000-09-29 2003-04-08 Skyworks Solutions, Inc. Differential oscillator
JP2003304118A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Mitsubishi Electric Corp Ｌｃ発振回路
EP1496609A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-12 Dialog Semiconductor GmbH Enhanced architectures of voltage-controlled oscillators with single inductors (VCO-1L)
US20070017886A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Jui-Chien Kao Suspension display rack
JP5176966B2 (ja) * 2007-01-23 2013-04-03 日本電気株式会社 電圧制御発振器、位相ロックループ回路、およびクロック・データ再生回路
US7791422B2 (en) 2007-10-17 2010-09-07 Autoliv Asp, Inc. Voltage controlled oscillator with cascaded emitter follower buffer stages
US8744385B2 (en) * 2009-09-01 2014-06-03 Provigent Ltd Efficient reduction of local oscillator leakage
US20110090020A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Reeser Glen O Voltage Controlled SAW Oscillator with Phase Shifter
JP2011139228A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Renesas Electronics Corp 発振器複合回路と半導体装置並びに電流再利用方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS502252U (ja) * 1973-05-08 1975-01-10
JPS5630026Y2 (ja) * 1973-08-31 1981-07-17
JPS51114952U (ja) * 1975-03-13 1976-09-17
JPS52166445U (ja) * 1976-06-10 1977-12-16
US4593256A (en) * 1984-06-28 1986-06-03 Motorola, Inc. Oscillator with switched reactance resonator for wide bandwidth and serial bias connections for low power
JPH0221709A (ja) * 1988-07-11 1990-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 周波数変調器
US5231361A (en) * 1990-02-05 1993-07-27 Trw Inc. Voltage controlled push-push oscillator with parallel resonant tank circuits
US5138285A (en) * 1991-07-19 1992-08-11 Anadigics, Inc. Method for reducing phase noise in oscillators
US5140286A (en) * 1991-08-02 1992-08-18 Motorola, Inc. Oscillator with bias and buffer circuits formed in a die mounted with distributed elements on ceramic substrate
JPH05275924A (ja) * 1992-03-26 1993-10-22 Alps Electric Co Ltd 高周波発振回路
JPH06350336A (ja) * 1993-06-03 1994-12-22 Fujitsu Ltd 発振器
JPH07176952A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Sony Corp 発振器
JPH08107309A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Toshiba Corp 電圧制御発振信回路
JP3054558B2 (ja) * 1994-10-24 2000-06-19 三洋電機株式会社 発振回路
US5629652A (en) * 1996-05-09 1997-05-13 Analog Devices Band-switchable, low-noise voltage controlled oscillator (VCO) for use with low-q resonator elements

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002093916A (ja) * 2000-06-20 2002-03-29 Koninkl Philips Electronics Nv 大きなｑ因子を有する誘導素子を含む非常にコンパクトな集積回路
WO2003030350A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Oscillateur, circuit d'emission et appareil de radio
JP2006518570A (ja) * 2003-02-20 2006-08-10 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 発振器回路
JP2007522769A (ja) * 2004-02-10 2007-08-09 ビットウェーブ・セミコンダクター プログラム可能なトランシーバ

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US5937340A (en) 1999-08-10
KR19980032652A (ko) 1998-07-25

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