JPH1013152A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
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- JPH1013152A JPH1013152A JP8159795A JP15979596A JPH1013152A JP H1013152 A JPH1013152 A JP H1013152A JP 8159795 A JP8159795 A JP 8159795A JP 15979596 A JP15979596 A JP 15979596A JP H1013152 A JPH1013152 A JP H1013152A
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 88
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 153
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が
接続されて成る構成がとられるもとで、１ポート型表面
弾性波共振素子における浮遊容量の影響が効果的に抑制
され、高周波数域の発振出力信号が確実かつ安定に得ら
れるものとなす。 【解決手段】１ポート型表面弾性波共振素子３４と、１
ポート型表面弾性波共振素子３４に対する信号帰還を行
う能動回路部３１と、１ポート型表面弾性波共振素子３
４に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子
３８と、１ポート型表面弾性波共振素子３４及びインダ
クタンス素子３８の一方もしくは両者に接続され、１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とイン
ダクタンス素子３８とが共働して生じる寄生発振を抑制
する抵抗素子３９とを備える。
接続されて成る構成がとられるもとで、１ポート型表面
弾性波共振素子における浮遊容量の影響が効果的に抑制
され、高周波数域の発振出力信号が確実かつ安定に得ら
れるものとなす。 【解決手段】１ポート型表面弾性波共振素子３４と、１
ポート型表面弾性波共振素子３４に対する信号帰還を行
う能動回路部３１と、１ポート型表面弾性波共振素子３
４に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子
３８と、１ポート型表面弾性波共振素子３４及びインダ
クタンス素子３８の一方もしくは両者に接続され、１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とイン
ダクタンス素子３８とが共働して生じる寄生発振を抑制
する抵抗素子３９とを備える。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、能動回路部に１ポ
ート型表面弾性波共振素子が接続された構成がとられ、
能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対す
る信号帰還がなされて、１ポート型表面弾性波共振素子
の共振周波数に応じた発振周波数をもっての発振動作が
行われる発振回路に関する。
ート型表面弾性波共振素子が接続された構成がとられ、
能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対す
る信号帰還がなされて、１ポート型表面弾性波共振素子
の共振周波数に応じた発振周波数をもっての発振動作が
行われる発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波共振素子（ＳＡＷレゾネー
タ）を用いた発振回路が、例えば、数十〜数百ＭＨｚと
されるＭＨｚオーダーの周波数を有した発振出力信号を
得ることができるものとして提案されている。表面弾性
波共振素子には、１ポート型と２ポート型とがあり、夫
々は、図１１及び図１２に示される等価回路によってあ
らわされる。
タ）を用いた発振回路が、例えば、数十〜数百ＭＨｚと
されるＭＨｚオーダーの周波数を有した発振出力信号を
得ることができるものとして提案されている。表面弾性
波共振素子には、１ポート型と２ポート型とがあり、夫
々は、図１１及び図１２に示される等価回路によってあ
らわされる。
【０００３】即ち、１ポート型表面弾性波共振素子は、
図１１に示される等価回路によってあらわされ、抵抗素
子１１とインダクタンス素子１２とキャパシタンス素子
１３との直列接続と、その全体に対して並列に接続され
た、浮遊容量に相当するキャパシタンス素子１４とによ
って成るものとされる。また、２ポート型表面弾性波共
振素子は、図１２に示される等価回路によってあらわさ
れ、抵抗素子１５とインダクタンス素子１６とキャパシ
タンス素子１７との直列接続、及び、各々の一端が接地
されるとともに相互誘導結合したインダクタンス素子１
８及び１９を含み、インダクタンス素子１８が抵抗素子
１５とインダクタンス素子１６とキャパシタンス素子１
７との直列接続に対して直列に接続されて、それにより
得られる抵抗素子１５とインダクタンス素子１６とキャ
パシタンス素子１７とインダクタンス素子１８との直列
接続の全体に対して並列に、浮遊容量に相当するキャパ
シタンス素子２０が接続され、さらに、インダクタンス
素子１９に対して並列に、浮遊容量に相当するキャパシ
タンス素子２１が接続されて成るものとされる。
図１１に示される等価回路によってあらわされ、抵抗素
子１１とインダクタンス素子１２とキャパシタンス素子
１３との直列接続と、その全体に対して並列に接続され
た、浮遊容量に相当するキャパシタンス素子１４とによ
って成るものとされる。また、２ポート型表面弾性波共
振素子は、図１２に示される等価回路によってあらわさ
れ、抵抗素子１５とインダクタンス素子１６とキャパシ
タンス素子１７との直列接続、及び、各々の一端が接地
されるとともに相互誘導結合したインダクタンス素子１
８及び１９を含み、インダクタンス素子１８が抵抗素子
１５とインダクタンス素子１６とキャパシタンス素子１
７との直列接続に対して直列に接続されて、それにより
得られる抵抗素子１５とインダクタンス素子１６とキャ
パシタンス素子１７とインダクタンス素子１８との直列
接続の全体に対して並列に、浮遊容量に相当するキャパ
シタンス素子２０が接続され、さらに、インダクタンス
素子１９に対して並列に、浮遊容量に相当するキャパシ
タンス素子２１が接続されて成るものとされる。
【０００４】このような図１１及び図１２に示される等
価回路からも分かるように、１ポート型表面弾性波共振
素子は、例えば、水晶振動子と同等に扱うことができ、
従って、１ポート型表面弾性波共振素子を用いることに
より、比較的簡単な回路構成をもって発振回路を形成で
きることになる。そして、その際には、例えば、トラン
ジスタ素子が用いられるとともに帰還回路部が設けられ
て構成される能動回路部が用意され、その能動回路部に
１ポート型表面弾性波共振素子の両端が接続されて、能
動回路部による１ポート型表面弾性波共振素子に対して
の信号帰還がなされ、１ポート型表面弾性波共振素子の
共振周波数に応じた発振周波数をもっての発振動作が行
われる。
価回路からも分かるように、１ポート型表面弾性波共振
素子は、例えば、水晶振動子と同等に扱うことができ、
従って、１ポート型表面弾性波共振素子を用いることに
より、比較的簡単な回路構成をもって発振回路を形成で
きることになる。そして、その際には、例えば、トラン
ジスタ素子が用いられるとともに帰還回路部が設けられ
て構成される能動回路部が用意され、その能動回路部に
１ポート型表面弾性波共振素子の両端が接続されて、能
動回路部による１ポート型表面弾性波共振素子に対して
の信号帰還がなされ、１ポート型表面弾性波共振素子の
共振周波数に応じた発振周波数をもっての発振動作が行
われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１ポー
ト型表面弾性波共振素子は、２ポート型表面弾性波共振
素子に比して浮遊容量の影響が大であり、それゆえ、能
動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子の両端が接続
されて成る基本構成をとる発振回路は、高い周波数域で
の発振動作を行うことが困難とされ、例えば、４０〜３
００ＭＨｚ程度とされる比較的低い周波数域での発振動
作を行うものとされることになる。例えば、図１１に示
される等価回路において、抵抗素子１１の抵抗値をＲ，
インダクタンス素子１２のインダクタンス値をＬ，キャ
パシタンス素子１３の容量値をＣ、及び、キャパシタン
ス素子１４の容量値、即ち、浮遊容量値をＣｓとし、ま
た、発振周波数、即ち、１ポート型表面弾性波共振素子
の共振周波数をＦｏとしたとき、浮遊容量値Ｃｓが実質
的に無視できる程小であるとすると、１ポート型表面弾
性波共振素子の共振の鋭さをあらわす値Ｑは、 Ｑ ＝ Ｚ／Ｒ Ｚ ＝ 2・π・Ｆｏ・Ｌ − １／( ２・π・Ｆｏ・
Ｃ） とあらわされる。
ト型表面弾性波共振素子は、２ポート型表面弾性波共振
素子に比して浮遊容量の影響が大であり、それゆえ、能
動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子の両端が接続
されて成る基本構成をとる発振回路は、高い周波数域で
の発振動作を行うことが困難とされ、例えば、４０〜３
００ＭＨｚ程度とされる比較的低い周波数域での発振動
作を行うものとされることになる。例えば、図１１に示
される等価回路において、抵抗素子１１の抵抗値をＲ，
インダクタンス素子１２のインダクタンス値をＬ，キャ
パシタンス素子１３の容量値をＣ、及び、キャパシタン
ス素子１４の容量値、即ち、浮遊容量値をＣｓとし、ま
た、発振周波数、即ち、１ポート型表面弾性波共振素子
の共振周波数をＦｏとしたとき、浮遊容量値Ｃｓが実質
的に無視できる程小であるとすると、１ポート型表面弾
性波共振素子の共振の鋭さをあらわす値Ｑは、 Ｑ ＝ Ｚ／Ｒ Ｚ ＝ 2・π・Ｆｏ・Ｌ − １／( ２・π・Ｆｏ・
Ｃ） とあらわされる。
【０００６】そして、１ポート型表面弾性波共振素子を
含んで構成される発振回路が発振状態をとるのは、Ｚが
正の値をとるときであり、斯かるもとでは、発振周波数
の増大に対してＺが単調増加し、値Ｑも単調増加する。
含んで構成される発振回路が発振状態をとるのは、Ｚが
正の値をとるときであり、斯かるもとでは、発振周波数
の増大に対してＺが単調増加し、値Ｑも単調増加する。
【０００７】それに対して、浮遊容量値Ｃｓが比較的大
で実質的に無視できないとすると、それに伴って１ポー
ト型表面弾性波共振素子を含んで構成される発振回路の
発振周波数が、浮遊容量値Ｃｓが実質的に無視できる程
小である場合における共振周波数Ｆｏより低くされ、１
ポート型表面弾性波共振素子の共振の鋭さをあらわす値
Ｑも、浮遊容量値Ｃｓが実質的に無視できる程小である
場合より小とされることになる。即ち、１ポート型表面
弾性波共振素子にあっては、浮遊容量によって共振の鋭
さをあらわす値Ｑの実効値が低下してしまうことになる
のであり、従って、１ポート型表面弾性波共振素子を含
んで構成される発振回路が、１ポート型表面弾性波共振
素子における浮遊容量の影響を受けて、比較的高い周波
数域での発振動作を行うことが困難とされる。それゆ
え、１ポート型表面弾性波共振素子を含んで構成される
従来の発振回路は、比較的高い周波数を有した発振出力
信号を得ることができないという不都合を伴っているの
である。
で実質的に無視できないとすると、それに伴って１ポー
ト型表面弾性波共振素子を含んで構成される発振回路の
発振周波数が、浮遊容量値Ｃｓが実質的に無視できる程
小である場合における共振周波数Ｆｏより低くされ、１
ポート型表面弾性波共振素子の共振の鋭さをあらわす値
Ｑも、浮遊容量値Ｃｓが実質的に無視できる程小である
場合より小とされることになる。即ち、１ポート型表面
弾性波共振素子にあっては、浮遊容量によって共振の鋭
さをあらわす値Ｑの実効値が低下してしまうことになる
のであり、従って、１ポート型表面弾性波共振素子を含
んで構成される発振回路が、１ポート型表面弾性波共振
素子における浮遊容量の影響を受けて、比較的高い周波
数域での発振動作を行うことが困難とされる。それゆ
え、１ポート型表面弾性波共振素子を含んで構成される
従来の発振回路は、比較的高い周波数を有した発振出力
信号を得ることができないという不都合を伴っているの
である。
【０００８】斯かる点に鑑み、本発明は、１ポート型表
面弾性波共振素子が用いられ、能動回路部に１ポート型
表面弾性波共振素子が接続されて成る比較的簡単な構成
がとられるもとにあって、１ポート型表面弾性波共振素
子における浮遊容量の影響が効果的に抑制され、例え
ば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波数を
有した発振出力信号が確実かつ安定に得られることにな
り、しかも、集積回路化に適し、かつ、安価に得られる
発振回路を提供する。
面弾性波共振素子が用いられ、能動回路部に１ポート型
表面弾性波共振素子が接続されて成る比較的簡単な構成
がとられるもとにあって、１ポート型表面弾性波共振素
子における浮遊容量の影響が効果的に抑制され、例え
ば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波数を
有した発振出力信号が確実かつ安定に得られることにな
り、しかも、集積回路化に適し、かつ、安価に得られる
発振回路を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発振回路
は、１ポート型表面弾性波共振素子と、その１ポート型
表面弾性波共振素子が接続されて１ポート型表面弾性波
共振素子に対する信号帰還を行う能動回路部と、１ポー
ト型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接続され
たインダクタンス素子部と、１ポート型表面弾性波共振
素子及びインダクタンス素子部の一方もしくは両者に接
続され、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容
量とインダクタンス素子部とが共働して生じる寄生発振
を抑制するダンピング部とを備えて構成される。
は、１ポート型表面弾性波共振素子と、その１ポート型
表面弾性波共振素子が接続されて１ポート型表面弾性波
共振素子に対する信号帰還を行う能動回路部と、１ポー
ト型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接続され
たインダクタンス素子部と、１ポート型表面弾性波共振
素子及びインダクタンス素子部の一方もしくは両者に接
続され、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容
量とインダクタンス素子部とが共働して生じる寄生発振
を抑制するダンピング部とを備えて構成される。
【００１０】そして、能動回路部は、例えば、１ポート
型表面弾性波共振素子が誘導性インピーダンスを呈する
状態のもとで発振動作を行うべく回路定数の設定がなさ
れるものとされ、また、ダンピング部は、例えば、イン
ダクタンス素子部に対して直列接続された抵抗素子部、
あるいは、１ポート型表面弾性波共振素子に対して直列
接続された抵抗素子部により形成される。
型表面弾性波共振素子が誘導性インピーダンスを呈する
状態のもとで発振動作を行うべく回路定数の設定がなさ
れるものとされ、また、ダンピング部は、例えば、イン
ダクタンス素子部に対して直列接続された抵抗素子部、
あるいは、１ポート型表面弾性波共振素子に対して直列
接続された抵抗素子部により形成される。
【００１１】このように構成される本発明に係る発振回
路にあっては、能動回路部により１ポート型表面弾性波
共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した
信号の帰還が行われる動作状態にあるときには、能動回
路部側から１ポート型表面弾性波共振素子側を見た回路
構成は、ダンピング部等が実質的に無視される状況にあ
って、１ポート型表面弾性波共振素子にインダクタンス
素子部が並列に接続されているだけの状態とされる。従
って、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量
がインダクタンス素子部によって実質的に打ち消され、
１ポート型表面弾性波共振素子における共振の鋭さをあ
らわす値Ｑの実効値の浮遊容量の影響による低下が効果
的に防止される。それゆえ、１ポート型表面弾性波共振
素子の共振周波数が比較的高く設定され得ることにな
り、その結果、回路の発振周波数を比較的高くすること
ができて、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較
的高い周波数を有した発振出力信号が得られることにな
る。
路にあっては、能動回路部により１ポート型表面弾性波
共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した
信号の帰還が行われる動作状態にあるときには、能動回
路部側から１ポート型表面弾性波共振素子側を見た回路
構成は、ダンピング部等が実質的に無視される状況にあ
って、１ポート型表面弾性波共振素子にインダクタンス
素子部が並列に接続されているだけの状態とされる。従
って、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量
がインダクタンス素子部によって実質的に打ち消され、
１ポート型表面弾性波共振素子における共振の鋭さをあ
らわす値Ｑの実効値の浮遊容量の影響による低下が効果
的に防止される。それゆえ、１ポート型表面弾性波共振
素子の共振周波数が比較的高く設定され得ることにな
り、その結果、回路の発振周波数を比較的高くすること
ができて、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較
的高い周波数を有した発振出力信号が得られることにな
る。
【００１２】また、能動回路部により１ポート型表面弾
性波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有
した信号の帰還が行われる動作状態にないときには、能
動回路部側から１ポート型表面弾性波共振素子側を見た
回路構成が、例えば、インダクタンス素子部に対して直
列接続された抵抗素子部あるいは１ポート型表面弾性波
共振素子に対して直列接続された抵抗素子部により形成
されるダンピング部等が実質的に無視できないものとさ
れる状況にあり、それゆえ、１ポート型表面弾性波共振
素子における浮遊容量とインダクタンス素子部のインダ
クタンス値とによって定まることになる不所望な共振周
波数をもって生じる虞のある寄生発振が、ダンピング部
によって効果的に抑制される。
性波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有
した信号の帰還が行われる動作状態にないときには、能
動回路部側から１ポート型表面弾性波共振素子側を見た
回路構成が、例えば、インダクタンス素子部に対して直
列接続された抵抗素子部あるいは１ポート型表面弾性波
共振素子に対して直列接続された抵抗素子部により形成
されるダンピング部等が実質的に無視できないものとさ
れる状況にあり、それゆえ、１ポート型表面弾性波共振
素子における浮遊容量とインダクタンス素子部のインダ
クタンス値とによって定まることになる不所望な共振周
波数をもって生じる虞のある寄生発振が、ダンピング部
によって効果的に抑制される。
【００１３】即ち、本発明に係る発振回路においては、
１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接
続されたインダクタンス素子部によって、能動回路部に
より１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共振周
波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状
態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子におけ
る浮遊容量が実質的に打ち消され、また、１ポート型表
面弾性波共振素子及びインダクタンス素子部の一方もし
くは両者に接続されたダンピング部によって、能動回路
部により１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共
振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動
作状態にないもとでの不所望な寄生発振が効果的に抑制
されるのであり、その結果、例えば、４５０ＭＨｚ程度
以上とされる比較的高い周波数を有した発振出力信号が
確実かつ安定に得られることになる。
１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接
続されたインダクタンス素子部によって、能動回路部に
より１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共振周
波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状
態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子におけ
る浮遊容量が実質的に打ち消され、また、１ポート型表
面弾性波共振素子及びインダクタンス素子部の一方もし
くは両者に接続されたダンピング部によって、能動回路
部により１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共
振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動
作状態にないもとでの不所望な寄生発振が効果的に抑制
されるのであり、その結果、例えば、４５０ＭＨｚ程度
以上とされる比較的高い周波数を有した発振出力信号が
確実かつ安定に得られることになる。
【００１４】さらに、本発明に係る発振回路は、基本構
成が能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が接続
されて成る比較的簡単なものとされ、集積回路化される
に好適であり、かつ、安価に得られる。
成が能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が接続
されて成る比較的簡単なものとされ、集積回路化される
に好適であり、かつ、安価に得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る発振回路の
第１の例を示す。この図１に示される第１の例にあって
は、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３
に、図１１に示される如くの等価回路によってあらわさ
れる１ポート型表面弾性波共振素子３４の両端が接続さ
れて成る基本構成がとられており、それに加え、１ポー
ト型表面弾性波共振素子３４の共振周波数と略等しい共
振周波数を有した直列共振回路部３５を形成するインダ
クタンス素子３６及びキャパシタンス素子３７とインダ
クタンス素子３８との直列接続が、１ポート型表面弾性
波共振素子３４に対して並列に接続され、さらに、ダン
ピング部を形成する抵抗素子３９が、直列共振回路部３
５に対して並列となるとともにインダクタンス素子３８
に対しては直列となる接続関係をもって接続されてい
る。
第１の例を示す。この図１に示される第１の例にあって
は、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３
に、図１１に示される如くの等価回路によってあらわさ
れる１ポート型表面弾性波共振素子３４の両端が接続さ
れて成る基本構成がとられており、それに加え、１ポー
ト型表面弾性波共振素子３４の共振周波数と略等しい共
振周波数を有した直列共振回路部３５を形成するインダ
クタンス素子３６及びキャパシタンス素子３７とインダ
クタンス素子３８との直列接続が、１ポート型表面弾性
波共振素子３４に対して並列に接続され、さらに、ダン
ピング部を形成する抵抗素子３９が、直列共振回路部３
５に対して並列となるとともにインダクタンス素子３８
に対しては直列となる接続関係をもって接続されてい
る。
【００１６】能動回路部３１は、電源電圧＋Ｂが供給さ
れる能動素子としてのＮＰＮ型のトランジスタ４０を備
えて構成されている。トランジスタ４０のコレクタはキ
ャパシタンス素子４１を介して接地され、また、トラン
ジスタ４０のエミッタはキャパシタンス素子４２と抵抗
素子４３との並列接続を介して接地されている。そし
て、トランジスタ４０のエミッタに得られるエミッタ出
力信号がキャパシタンス素子４４を通じてトランジスタ
４０のベースに帰還される。抵抗素子４５及び４６は、
トランジスタ４０のベースに対するバイアス回路部を形
成している。
れる能動素子としてのＮＰＮ型のトランジスタ４０を備
えて構成されている。トランジスタ４０のコレクタはキ
ャパシタンス素子４１を介して接地され、また、トラン
ジスタ４０のエミッタはキャパシタンス素子４２と抵抗
素子４３との並列接続を介して接地されている。そし
て、トランジスタ４０のエミッタに得られるエミッタ出
力信号がキャパシタンス素子４４を通じてトランジスタ
４０のベースに帰還される。抵抗素子４５及び４６は、
トランジスタ４０のベースに対するバイアス回路部を形
成している。
【００１７】斯かるもとで、１ポート型表面弾性波共振
素子３４の一端が接続される接続端子３２が、キャパシ
タンス素子４７を介してトランジスタ４０のベースに連
結されているとともに、１ポート型表面弾性波共振素子
３４の他端が接続される接続端子３３が接地されてい
る。それにより、１ポート型表面弾性波共振素子３４
は、実質的にトランジスタ４０のベースと接地電位点間
に接続されていることになり、トランジスタ４０のエミ
ッタからキャパシタンス素子４４を通じてトランジスタ
４０のベースに帰還されるエミッタ出力信号が、キャパ
シタンス素子４７を通じて１ポート型表面弾性波共振素
子３４に供給される。従って、能動回路部３１は、１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４に対する信号帰還を行う
ことになる。また、能動回路部３１においては、１ポー
ト型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピーダンスを
呈する状態のもとで発振動作を行うべく回路定数の設定
がなされる。
素子３４の一端が接続される接続端子３２が、キャパシ
タンス素子４７を介してトランジスタ４０のベースに連
結されているとともに、１ポート型表面弾性波共振素子
３４の他端が接続される接続端子３３が接地されてい
る。それにより、１ポート型表面弾性波共振素子３４
は、実質的にトランジスタ４０のベースと接地電位点間
に接続されていることになり、トランジスタ４０のエミ
ッタからキャパシタンス素子４４を通じてトランジスタ
４０のベースに帰還されるエミッタ出力信号が、キャパ
シタンス素子４７を通じて１ポート型表面弾性波共振素
子３４に供給される。従って、能動回路部３１は、１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４に対する信号帰還を行う
ことになる。また、能動回路部３１においては、１ポー
ト型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピーダンスを
呈する状態のもとで発振動作を行うべく回路定数の設定
がなされる。
【００１８】このような構成を有し、能動回路部３１に
おける回路定数が１ポート型表面弾性波共振素子３４が
誘導性インピーダンスを呈する状態のもとで発振動作が
行われるべく設定された第１の例にあっては、能動回路
部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対し
てその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行
われる発振動作状態にあるときには、１ポート型表面弾
性波共振素子３４の共振周波数と略等しい共振周波数を
有した直列共振回路部３５が呈するインピーダンスは略
零（０）となり、それゆえ、能動回路部３１側から１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成は、直
列共振回路部３５及び抵抗素子３９が実質的に無視され
る状況にあって、１ポート型表面弾性波共振素子３４に
インダクタンス素子３８が並列に接続されているだけの
状態と等価となる。従って、１ポート型表面弾性波共振
素子３４における浮遊容量がインダクタンス素子３８に
よって実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性波共振
素子３４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値の
浮遊容量の影響による低下が効果的に防止されることに
なる。
おける回路定数が１ポート型表面弾性波共振素子３４が
誘導性インピーダンスを呈する状態のもとで発振動作が
行われるべく設定された第１の例にあっては、能動回路
部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対し
てその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行
われる発振動作状態にあるときには、１ポート型表面弾
性波共振素子３４の共振周波数と略等しい共振周波数を
有した直列共振回路部３５が呈するインピーダンスは略
零（０）となり、それゆえ、能動回路部３１側から１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成は、直
列共振回路部３５及び抵抗素子３９が実質的に無視され
る状況にあって、１ポート型表面弾性波共振素子３４に
インダクタンス素子３８が並列に接続されているだけの
状態と等価となる。従って、１ポート型表面弾性波共振
素子３４における浮遊容量がインダクタンス素子３８に
よって実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性波共振
素子３４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値の
浮遊容量の影響による低下が効果的に防止されることに
なる。
【００１９】その結果、１ポート型表面弾性波共振素子
３４の共振周波数が比較的高く設定され得ることになっ
て、回路の発振周波数を比較的高くすることができて、
例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波
数を有した発振出力信号が得られることになる。
３４の共振周波数が比較的高く設定され得ることになっ
て、回路の発振周波数を比較的高くすることができて、
例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波
数を有した発振出力信号が得られることになる。
【００２０】また、回路が、能動回路部３１により１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数
付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態に
ないときには、能動回路部３１側から１ポート型表面弾
性波共振素子３４側を見た回路構成が、直列共振回路部
３５及び抵抗素子３９が実質的に無視できないものとさ
れる状況にあって、抵抗素子３９がインダクタンス素子
３８に対して直列に接続されていることになる。それゆ
え、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容
量とインダクタンス素子３８のインダクタンス値とによ
って定まることになる不所望な共振周波数をもって生じ
る虞のある寄生発振動作が、抵抗素子３９によるダンピ
ング作用を受けて効果的に抑制される。即ち、このと
き、抵抗素子３９は、１ポート型表面弾性波共振素子３
４における浮遊容量とインダクタンス素子３８とが共働
して生じる寄生発振を効果的に抑制するダンピング部を
形成しているのである。
ート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数
付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態に
ないときには、能動回路部３１側から１ポート型表面弾
性波共振素子３４側を見た回路構成が、直列共振回路部
３５及び抵抗素子３９が実質的に無視できないものとさ
れる状況にあって、抵抗素子３９がインダクタンス素子
３８に対して直列に接続されていることになる。それゆ
え、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容
量とインダクタンス素子３８のインダクタンス値とによ
って定まることになる不所望な共振周波数をもって生じ
る虞のある寄生発振動作が、抵抗素子３９によるダンピ
ング作用を受けて効果的に抑制される。即ち、このと
き、抵抗素子３９は、１ポート型表面弾性波共振素子３
４における浮遊容量とインダクタンス素子３８とが共働
して生じる寄生発振を効果的に抑制するダンピング部を
形成しているのである。
【００２１】このようにして、図１に示される第１の例
にあっては、１ポート型表面弾性波共振素子３４に対し
て実質的に並列接続されたインダクタンス素子３８によ
って、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振
素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した
信号の帰還が行われる発振動作状態にあるもとでの１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量が実質
的に打ち消され、また、直列共振回路部３５に対して並
列となるとともにインダクタンス素子３８に対しては直
列となる接続関係をもって接続された抵抗素子３９によ
って、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振
素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した
信号の帰還が行われる動作状態にないもとでの不所望な
寄生発振動作が効果的に抑制されるのであり、その結
果、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い
周波数を有した発振出力信号が確実かつ安定に得られる
ことになる。
にあっては、１ポート型表面弾性波共振素子３４に対し
て実質的に並列接続されたインダクタンス素子３８によ
って、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振
素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した
信号の帰還が行われる発振動作状態にあるもとでの１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量が実質
的に打ち消され、また、直列共振回路部３５に対して並
列となるとともにインダクタンス素子３８に対しては直
列となる接続関係をもって接続された抵抗素子３９によ
って、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振
素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した
信号の帰還が行われる動作状態にないもとでの不所望な
寄生発振動作が効果的に抑制されるのであり、その結
果、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い
周波数を有した発振出力信号が確実かつ安定に得られる
ことになる。
【００２２】図２は、本発明に係る発振回路の第２の例
を示す。この図２に示される第２の例は、図１に示され
る第１の例から直列共振回路部３５を形成するインダク
タンス素子３６及びキャパシタンス素子３７が取り除か
れたものに相当する。図２においては、図１に示される
各部に対応する部分が図１と共通の符号が付されて示さ
れており、それらについての重複説明は省略される。
を示す。この図２に示される第２の例は、図１に示され
る第１の例から直列共振回路部３５を形成するインダク
タンス素子３６及びキャパシタンス素子３７が取り除か
れたものに相当する。図２においては、図１に示される
各部に対応する部分が図１と共通の符号が付されて示さ
れており、それらについての重複説明は省略される。
【００２３】斯かる第２の例にあっては、能動回路部３
１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してそ
の共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われ
る発振動作状態にあるとき、及び、能動回路部３１によ
り１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振
周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作
状態にないときのいずれにおいても、能動回路部３１側
から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構
成が、１ポート型表面弾性波共振素子３４にインダクタ
ンス素子３８と抵抗素子３９との直列接続が並列に接続
されている状態とされる。
１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してそ
の共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われ
る発振動作状態にあるとき、及び、能動回路部３１によ
り１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振
周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作
状態にないときのいずれにおいても、能動回路部３１側
から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構
成が、１ポート型表面弾性波共振素子３４にインダクタ
ンス素子３８と抵抗素子３９との直列接続が並列に接続
されている状態とされる。
【００２４】このような状況のもとにあっても、抵抗素
子３９の抵抗値が、能動回路部３１により１ポート型表
面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周
波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないと
き、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容
量とインダクタンス素子３８とが共働して生じる寄生発
振を効果的に抑制するダンピング部を形成できることに
なる範囲内において、できるだけ小に選定されることに
より、発振動作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性
波共振素子３４における浮遊容量がインダクタンス素子
３８によって実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性
波共振素子３４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実
効値の浮遊容量の影響による低下が防止されることにな
る作用効果が得られる。
子３９の抵抗値が、能動回路部３１により１ポート型表
面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周
波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないと
き、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容
量とインダクタンス素子３８とが共働して生じる寄生発
振を効果的に抑制するダンピング部を形成できることに
なる範囲内において、できるだけ小に選定されることに
より、発振動作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性
波共振素子３４における浮遊容量がインダクタンス素子
３８によって実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性
波共振素子３４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実
効値の浮遊容量の影響による低下が防止されることにな
る作用効果が得られる。
【００２５】図３は、本発明に係る発振回路の第３の例
を示す。この図３に示される第３の例は、図１に示され
る第１の例から直列共振回路部３５を形成するインダク
タンス素子３６及びキャパシタンス素子３７が取り除か
れ、さらに、第１の例において用いられている抵抗素子
３９に代えて、１ポート型表面弾性波共振素子３４に直
列に接続された抵抗素子５０が用いられたものに相当す
る。図３においても、図１に示される各部に対応する部
分が図１と共通の符号が付されて示されており、それら
についての重複説明は省略される。
を示す。この図３に示される第３の例は、図１に示され
る第１の例から直列共振回路部３５を形成するインダク
タンス素子３６及びキャパシタンス素子３７が取り除か
れ、さらに、第１の例において用いられている抵抗素子
３９に代えて、１ポート型表面弾性波共振素子３４に直
列に接続された抵抗素子５０が用いられたものに相当す
る。図３においても、図１に示される各部に対応する部
分が図１と共通の符号が付されて示されており、それら
についての重複説明は省略される。
【００２６】斯かる第３の例にあっては、能動回路部３
１に設けられた接続端子３２及び３３に、１ポート型表
面弾性波共振素子３４と抵抗素子５０との直列接続の両
端が接続され、さらに、１ポート型表面弾性波共振素子
３４と抵抗素子５０との直列接続に対してインダクタン
ス素子３８が並列に接続されていることになる。そし
て、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素
子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信
号の帰還が行われる発振動作状態にあるとき、及び、能
動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４
に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰
還が行われる動作状態にないときのいずれにおいても、
能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３
４側を見た回路構成が、１ポート型表面弾性波共振素子
３４に抵抗素子５０が直列に接続されるとともに、１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４と抵抗素子５０との直列
接続に対してインダクタンス素子３８が並列に接続され
ている状態とされる。
１に設けられた接続端子３２及び３３に、１ポート型表
面弾性波共振素子３４と抵抗素子５０との直列接続の両
端が接続され、さらに、１ポート型表面弾性波共振素子
３４と抵抗素子５０との直列接続に対してインダクタン
ス素子３８が並列に接続されていることになる。そし
て、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素
子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信
号の帰還が行われる発振動作状態にあるとき、及び、能
動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４
に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰
還が行われる動作状態にないときのいずれにおいても、
能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３
４側を見た回路構成が、１ポート型表面弾性波共振素子
３４に抵抗素子５０が直列に接続されるとともに、１ポ
ート型表面弾性波共振素子３４と抵抗素子５０との直列
接続に対してインダクタンス素子３８が並列に接続され
ている状態とされる。
【００２７】このような状況のもとにあっては、能動回
路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対
してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が
行われる動作状態にないとき、１ポート型表面弾性波共
振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８
のインダクタンス値とによって定まることになる不所望
な共振周波数をもって生じる虞のある寄生発振動作が、
抵抗素子５０によるダンピング作用を受けて効果的に抑
制される。即ち、このとき、抵抗素子５０は、１ポート
型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とインダク
タンス素子３８とが共働して生じる寄生発振を効果的に
抑制するダンピング部を形成しているのである。
路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対
してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が
行われる動作状態にないとき、１ポート型表面弾性波共
振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８
のインダクタンス値とによって定まることになる不所望
な共振周波数をもって生じる虞のある寄生発振動作が、
抵抗素子５０によるダンピング作用を受けて効果的に抑
制される。即ち、このとき、抵抗素子５０は、１ポート
型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とインダク
タンス素子３８とが共働して生じる寄生発振を効果的に
抑制するダンピング部を形成しているのである。
【００２８】そして、抵抗素子５０の抵抗値が、能動回
路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対
してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が
行われる動作状態にないとき、１ポート型表面弾性波共
振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８
とが共働して生じる寄生発振を効果的に抑制するダンピ
ング部を形成できることになる範囲内において、できる
だけ小に選定されることにより、能動回路部３１により
１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周
波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動
作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子３
４における浮遊容量がインダクタンス素子３８によって
実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性波共振素子３
４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値の浮遊容
量の影響による低下が防止されることになる作用効果が
得られる。
路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対
してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が
行われる動作状態にないとき、１ポート型表面弾性波共
振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８
とが共働して生じる寄生発振を効果的に抑制するダンピ
ング部を形成できることになる範囲内において、できる
だけ小に選定されることにより、能動回路部３１により
１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周
波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動
作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子３
４における浮遊容量がインダクタンス素子３８によって
実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性波共振素子３
４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値の浮遊容
量の影響による低下が防止されることになる作用効果が
得られる。
【００２９】図４は、本発明に係る発振回路の第４の例
を示す。この図４に示される第４の例は、図１に示され
る第１の例において用いられているインダクタンス素子
３８に代えて、一対のインダクタンス素子３８Ａ及び３
８Ｂが用いられたものに相当する。図４においても、図
１に示される各部に対応する部分が図１と共通の符号が
付されて示されており、それらについての重複説明は省
略される。
を示す。この図４に示される第４の例は、図１に示され
る第１の例において用いられているインダクタンス素子
３８に代えて、一対のインダクタンス素子３８Ａ及び３
８Ｂが用いられたものに相当する。図４においても、図
１に示される各部に対応する部分が図１と共通の符号が
付されて示されており、それらについての重複説明は省
略される。
【００３０】斯かる第４の例にあっては、一対のインダ
クタンス素子３８Ａ及び３８Ｂが直列共振回路部３５と
抵抗素子３９との並列接続を挟んで直列接続されて成る
直列接続形成部が、１ポート型表面弾性波共振素子３４
に対して並列接続されており、それにより、能動回路部
３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された回
路部分全体が平衡型回路を構成するものとなっている。
従って、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共
振素子３４側を見た回路構成が、接地電位点に対して浮
遊容量を平衡させものとなっており、それゆえ、発振出
力信号の漏れが効果的に低減される。
クタンス素子３８Ａ及び３８Ｂが直列共振回路部３５と
抵抗素子３９との並列接続を挟んで直列接続されて成る
直列接続形成部が、１ポート型表面弾性波共振素子３４
に対して並列接続されており、それにより、能動回路部
３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された回
路部分全体が平衡型回路を構成するものとなっている。
従って、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共
振素子３４側を見た回路構成が、接地電位点に対して浮
遊容量を平衡させものとなっており、それゆえ、発振出
力信号の漏れが効果的に低減される。
【００３１】このようなもとにあって、能動回路部３１
により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその
共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる
発振動作状態にあるとき、一対のインダクタンス素子３
８Ａ及び３８Ｂは、図１に示される第１の例において用
いられているインダクタンス素子３８が果たす役割と同
等の役割を果たすことになり、従って、図４に示される
第４の例にあっても、図１に示される第１の例により得
られる作用効果と同等の作用効果が得られる。
により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその
共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる
発振動作状態にあるとき、一対のインダクタンス素子３
８Ａ及び３８Ｂは、図１に示される第１の例において用
いられているインダクタンス素子３８が果たす役割と同
等の役割を果たすことになり、従って、図４に示される
第４の例にあっても、図１に示される第１の例により得
られる作用効果と同等の作用効果が得られる。
【００３２】図５は、本発明に係る発振回路の第５の例
を示す。この図５に示される第５の例は、図２に示され
る第２の例において用いられている抵抗素子３９に代え
て、一対の抵抗素子３９Ａ及び３９Ｂが用いられたもの
に相当する。図５においても、図１に示される各部に対
応する部分が図１と共通の符号が付されて示されてお
り、それらについての重複説明は省略される。
を示す。この図５に示される第５の例は、図２に示され
る第２の例において用いられている抵抗素子３９に代え
て、一対の抵抗素子３９Ａ及び３９Ｂが用いられたもの
に相当する。図５においても、図１に示される各部に対
応する部分が図１と共通の符号が付されて示されてお
り、それらについての重複説明は省略される。
【００３３】斯かる第５の例にあっては、一対の抵抗素
子３９Ａ及び３９Ｂが、インダクタンス素子３８を挟ん
で直列接続されて成る直列接続形成部が、１ポート型表
面弾性波共振素子３４に対して並列接続されており、そ
れにより、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及
び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成す
るものとなっている。従って、能動回路部３１側から１
ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成が、
接地電位点に対して浮遊容量を平衡させものとなってお
り、それゆえ、発振出力信号の漏れが効果的に低減され
る。
子３９Ａ及び３９Ｂが、インダクタンス素子３８を挟ん
で直列接続されて成る直列接続形成部が、１ポート型表
面弾性波共振素子３４に対して並列接続されており、そ
れにより、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及
び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成す
るものとなっている。従って、能動回路部３１側から１
ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成が、
接地電位点に対して浮遊容量を平衡させものとなってお
り、それゆえ、発振出力信号の漏れが効果的に低減され
る。
【００３４】このようなもとにあって、能動回路部３１
により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその
共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる
動作状態にないとき、一対の抵抗素子３９Ａ及び３９Ｂ
は、図２に示される第２の例において用いられている抵
抗素子３９が果たす役割と同等の役割を果たすダンピン
グ部を形成することになり、従って、図５に示される第
５の例にあっても、図２に示される第２の例により得ら
れる作用効果と同等の作用効果が得られる。
により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその
共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる
動作状態にないとき、一対の抵抗素子３９Ａ及び３９Ｂ
は、図２に示される第２の例において用いられている抵
抗素子３９が果たす役割と同等の役割を果たすダンピン
グ部を形成することになり、従って、図５に示される第
５の例にあっても、図２に示される第２の例により得ら
れる作用効果と同等の作用効果が得られる。
【００３５】図６は、本発明に係る発振回路の第６の例
を示す。この図６に示される第６の例は、図３に示され
る第３の例において用いられている抵抗素子５０に代え
て、一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂが用いられたもの
に相当する。図６においても、図１に示される各部に対
応する部分が図１と共通の符号が付されて示されてお
り、それらについての重複説明は省略される。
を示す。この図６に示される第６の例は、図３に示され
る第３の例において用いられている抵抗素子５０に代え
て、一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂが用いられたもの
に相当する。図６においても、図１に示される各部に対
応する部分が図１と共通の符号が付されて示されてお
り、それらについての重複説明は省略される。
【００３６】斯かる第６の例にあっては、一対の抵抗素
子５０Ａ及び５０Ｂが１ポート型表面弾性波共振素子３
４を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部の両端
が、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３
に接続され、さらに、インダクタンス素子３８が、一対
の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂが１ポート型表面弾性波共
振素子３４を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部
に対して並列に接続されており、それにより、能動回路
部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された
回路部分全体が平衡型回路を構成するものとなってい
る。従って、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性
波共振素子３４側を見た回路構成が、接地電位点に対し
て浮遊容量を平衡させものとなっており、それゆえ、発
振出力信号の漏れが効果的に低減される。
子５０Ａ及び５０Ｂが１ポート型表面弾性波共振素子３
４を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部の両端
が、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３
に接続され、さらに、インダクタンス素子３８が、一対
の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂが１ポート型表面弾性波共
振素子３４を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部
に対して並列に接続されており、それにより、能動回路
部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された
回路部分全体が平衡型回路を構成するものとなってい
る。従って、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性
波共振素子３４側を見た回路構成が、接地電位点に対し
て浮遊容量を平衡させものとなっており、それゆえ、発
振出力信号の漏れが効果的に低減される。
【００３７】このようなもとにあって、能動回路部３１
により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその
共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる
動作状態にないとき、一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂ
は、図３に示される第３の例において用いられている抵
抗素子５０が果たす役割と同等の役割を果たすダンピン
グ部を形成することになり、従って、図６に示される第
６の例にあっても、図３に示される第３の例により得ら
れる作用効果と同等の作用効果が得られる。
により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその
共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる
動作状態にないとき、一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂ
は、図３に示される第３の例において用いられている抵
抗素子５０が果たす役割と同等の役割を果たすダンピン
グ部を形成することになり、従って、図６に示される第
６の例にあっても、図３に示される第３の例により得ら
れる作用効果と同等の作用効果が得られる。
【００３８】上述の如くの第１〜第６の例の夫々に用い
られている１ポート型表面弾性波共振素子３４は、図１
１に示される如くの等価回路によってあらわされるもの
とされている。従って、１ポート型表面弾性波共振素子
３４の両端が能動回路部３１に設けられた接続端子３２
及び３３に接続された状態は、仮に、１ポート型表面弾
性波共振素子３４における浮遊容量が実質的に無視でき
る程小なる値をとるとすると、図７に示される如くに、
能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に共
振部を形成するものとして接続された、抵抗素子５１，
インダクタンス素子５２及びキャパシタンス素子５３か
ら成る直列接続５５によって等価的にあらわされる。
られている１ポート型表面弾性波共振素子３４は、図１
１に示される如くの等価回路によってあらわされるもの
とされている。従って、１ポート型表面弾性波共振素子
３４の両端が能動回路部３１に設けられた接続端子３２
及び３３に接続された状態は、仮に、１ポート型表面弾
性波共振素子３４における浮遊容量が実質的に無視でき
る程小なる値をとるとすると、図７に示される如くに、
能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に共
振部を形成するものとして接続された、抵抗素子５１，
インダクタンス素子５２及びキャパシタンス素子５３か
ら成る直列接続５５によって等価的にあらわされる。
【００３９】そして、能動回路部３１における回路定数
が１ポート型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピー
ダンスを呈する状態のもとで発振動作が行われるべく設
定されたもとで、図７に示される回路は、例えば、図８
に示されるスミスチャート（インピーダンスチャート）
上において、領域ＯＳＡとして示される如くの発振領域
を有することになる。そして、能動回路部３１により共
振部に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号
の帰還が行われる動作状態にあるもとでの共振部のイン
ピーダンスは、図８に示されるスミスチャート上で実線
ＩＭＰによりあらわされる如くの軌跡を描くものとされ
る。
が１ポート型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピー
ダンスを呈する状態のもとで発振動作が行われるべく設
定されたもとで、図７に示される回路は、例えば、図８
に示されるスミスチャート（インピーダンスチャート）
上において、領域ＯＳＡとして示される如くの発振領域
を有することになる。そして、能動回路部３１により共
振部に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号
の帰還が行われる動作状態にあるもとでの共振部のイン
ピーダンスは、図８に示されるスミスチャート上で実線
ＩＭＰによりあらわされる如くの軌跡を描くものとされ
る。
【００４０】従って、図７に示される回路における発振
周波数は、図８に示されるスミスチャート上の実線ＩＭ
Ｐにおける領域ＯＳＡ内の部分に対応する周波数とな
り、そのときの共振部における共振インピーダンスは、
スミスチャートの外側に近いものとなり、共振部に並列
に入ることになる等価抵抗の値は、比較的大であること
になる。
周波数は、図８に示されるスミスチャート上の実線ＩＭ
Ｐにおける領域ＯＳＡ内の部分に対応する周波数とな
り、そのときの共振部における共振インピーダンスは、
スミスチャートの外側に近いものとなり、共振部に並列
に入ることになる等価抵抗の値は、比較的大であること
になる。
【００４１】これに対して、１ポート型表面弾性波共振
素子３４における浮遊容量は実際には無視できないの
で、その浮遊容量を考慮すると、１ポート型表面弾性波
共振素子３４の両端が能動回路部３１に設けられた接続
端子３２及び３３に接続された状態は、図９に示される
如くに、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び
３３に共振部を形成するものとして接続された、抵抗素
子５１，インダクタンス素子５２及びキャパシタンス素
子５３から成る直列接続５５と直列接続５５に対して並
列に接続されたキャパシタンス素子５４とによって等価
的にあらわされる。
素子３４における浮遊容量は実際には無視できないの
で、その浮遊容量を考慮すると、１ポート型表面弾性波
共振素子３４の両端が能動回路部３１に設けられた接続
端子３２及び３３に接続された状態は、図９に示される
如くに、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び
３３に共振部を形成するものとして接続された、抵抗素
子５１，インダクタンス素子５２及びキャパシタンス素
子５３から成る直列接続５５と直列接続５５に対して並
列に接続されたキャパシタンス素子５４とによって等価
的にあらわされる。
【００４２】そして、能動回路部３１における回路定数
が１ポート型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピー
ダンスを呈する状態のもとで発振動作が行われるべく設
定されたもとで、図９に示される回路は、例えば、図１
０に示されるスミスチャート（アドミッタンスチャー
ト）上において、領域ＯＳＡ’として示される如くの発
振領域を有することになる。そして、能動回路部３１に
より共振部に対してその共振周波数付近の周波数を有し
た信号の帰還が行われる動作状態にあるもとでの共振部
のインピーダンスは、図１０に示されるスミスチャート
上で実線ＩＭＰ’によりあらわされる如くの軌跡を描く
ものとされ、斯かる軌跡は、図８に示されるスミスチャ
ート上の実線ＩＭＰによりあらわされるインピーダンス
の軌跡に対して、キャパシタンス素子５４に起因する出
発点の移動を伴うものとなってしまう。
が１ポート型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピー
ダンスを呈する状態のもとで発振動作が行われるべく設
定されたもとで、図９に示される回路は、例えば、図１
０に示されるスミスチャート（アドミッタンスチャー
ト）上において、領域ＯＳＡ’として示される如くの発
振領域を有することになる。そして、能動回路部３１に
より共振部に対してその共振周波数付近の周波数を有し
た信号の帰還が行われる動作状態にあるもとでの共振部
のインピーダンスは、図１０に示されるスミスチャート
上で実線ＩＭＰ’によりあらわされる如くの軌跡を描く
ものとされ、斯かる軌跡は、図８に示されるスミスチャ
ート上の実線ＩＭＰによりあらわされるインピーダンス
の軌跡に対して、キャパシタンス素子５４に起因する出
発点の移動を伴うものとなってしまう。
【００４３】また、図９に示される回路における発振周
波数は、図１０に示されるスミスチャート上の実線ＩＭ
Ｐ’における領域ＯＳＡ’内の部分に対応する周波数と
なるので、そのときの共振部における共振インピーダン
スは、図７に示される直列接続５５における共振インピ
ーダンスに比して、スミスチャートの内側に入り込んだ
ものとなる。このことは、図９に示される回路の発振動
作時における共振部のコンダクタンス分の低減、即ち、
共振部に並列に入ることになる等価抵抗の値の低減が生
じることをあらわしている。
波数は、図１０に示されるスミスチャート上の実線ＩＭ
Ｐ’における領域ＯＳＡ’内の部分に対応する周波数と
なるので、そのときの共振部における共振インピーダン
スは、図７に示される直列接続５５における共振インピ
ーダンスに比して、スミスチャートの内側に入り込んだ
ものとなる。このことは、図９に示される回路の発振動
作時における共振部のコンダクタンス分の低減、即ち、
共振部に並列に入ることになる等価抵抗の値の低減が生
じることをあらわしている。
【００４４】前述の第１〜第６の例の夫々は、上述の如
くの図９に示される等価回路におけるキャパシタンス素
子５４、即ち、１ポート型表面弾性波共振素子３４にお
ける浮遊容量に起因する不都合の発生を防止すべく、能
動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４
に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰
還が行われる発振動作状態にあるもとでの１ポート型表
面弾性波共振素子３４における浮遊容量を実質的に打ち
消すためのインダクタンス素子３８もしくは一対のイン
ダクタンス素子３８Ａ及び３８Ｂを備えており、さら
に、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素
子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信
号の帰還が行われる動作状態にないもとでの不所望な寄
生発振動作を効果的に抑制する抵抗素子３９，一対の抵
抗素子３９Ａ及び３９Ｂもしくは一対の抵抗素子５０Ａ
及び５０Ｂを備えているのである。
くの図９に示される等価回路におけるキャパシタンス素
子５４、即ち、１ポート型表面弾性波共振素子３４にお
ける浮遊容量に起因する不都合の発生を防止すべく、能
動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４
に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰
還が行われる発振動作状態にあるもとでの１ポート型表
面弾性波共振素子３４における浮遊容量を実質的に打ち
消すためのインダクタンス素子３８もしくは一対のイン
ダクタンス素子３８Ａ及び３８Ｂを備えており、さら
に、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素
子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信
号の帰還が行われる動作状態にないもとでの不所望な寄
生発振動作を効果的に抑制する抵抗素子３９，一対の抵
抗素子３９Ａ及び３９Ｂもしくは一対の抵抗素子５０Ａ
及び５０Ｂを備えているのである。
【００４５】さらに、前述の第１〜第６の例の夫々は、
その基本構成が能動回路部３１に１ポート型表面弾性波
共振素子３４が接続されて成る比較的簡単なものとさ
れ、かつ、１ポート型表面弾性波共振素子３４を格納す
るパッケージを浮遊容量が小である高価なパッケージと
すること等が要求されないことになるので、集積回路化
されるに好適であり、かつ、安価に得られることにな
る。そして、集積回路化に関しては、能動回路部３１に
設けられた接続端子３２及び３３に接続された回路部分
全体が平衡型回路を構成する第４〜第６の例の各々が、
特に適している。
その基本構成が能動回路部３１に１ポート型表面弾性波
共振素子３４が接続されて成る比較的簡単なものとさ
れ、かつ、１ポート型表面弾性波共振素子３４を格納す
るパッケージを浮遊容量が小である高価なパッケージと
すること等が要求されないことになるので、集積回路化
されるに好適であり、かつ、安価に得られることにな
る。そして、集積回路化に関しては、能動回路部３１に
設けられた接続端子３２及び３３に接続された回路部分
全体が平衡型回路を構成する第４〜第６の例の各々が、
特に適している。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
係る発振回路にあっては、１ポート型表面弾性波共振素
子に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子
部によって、能動回路部により１ポート型表面弾性波共
振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した信
号の帰還が行われる動作状態にあるもとでの１ポート型
表面弾性波共振素子における浮遊容量が実質的に打ち消
され、また、１ポート型表面弾性波共振素子及びインダ
クタンス素子部の一方もしくは両者に接続されたダンピ
ング部によって、能動回路部により１ポート型表面弾性
波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有し
た信号の帰還が行われる動作状態にないもとでの１ポー
ト型表面弾性波共振素子における浮遊容量とインダクタ
ンス素子部との共働による不所望な寄生発振が効果的に
抑制される。従って、本発明に係る発振回路によれば、
例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波
数を有した発振出力信号が確実かつ安定に得られること
になる。
係る発振回路にあっては、１ポート型表面弾性波共振素
子に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子
部によって、能動回路部により１ポート型表面弾性波共
振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した信
号の帰還が行われる動作状態にあるもとでの１ポート型
表面弾性波共振素子における浮遊容量が実質的に打ち消
され、また、１ポート型表面弾性波共振素子及びインダ
クタンス素子部の一方もしくは両者に接続されたダンピ
ング部によって、能動回路部により１ポート型表面弾性
波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有し
た信号の帰還が行われる動作状態にないもとでの１ポー
ト型表面弾性波共振素子における浮遊容量とインダクタ
ンス素子部との共働による不所望な寄生発振が効果的に
抑制される。従って、本発明に係る発振回路によれば、
例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波
数を有した発振出力信号が確実かつ安定に得られること
になる。
【００４７】また、本発明に係る発振回路は、その基本
構成が能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が接
続されて成る比較的簡単なものとされ、かつ、１ポート
型表面弾性波共振素子を格納するパッケージを浮遊容量
が小である高価なパッケージとすること等が要求されな
いことになるので、集積回路化されるに好適であり、か
つ、安価に得られることになる。
構成が能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が接
続されて成る比較的簡単なものとされ、かつ、１ポート
型表面弾性波共振素子を格納するパッケージを浮遊容量
が小である高価なパッケージとすること等が要求されな
いことになるので、集積回路化されるに好適であり、か
つ、安価に得られることになる。
【図１】本発明に係る発振回路の第１の例を示す回路接
続図である。
続図である。
【図２】本発明に係る発振回路の第２の例を一部を省略
して示す回路接続図である。
して示す回路接続図である。
【図３】本発明に係る発振回路の第３の例を一部を省略
して示す回路接続図である。
して示す回路接続図である。
【図４】本発明に係る発振回路の第４の例を一部を省略
して示す回路接続図である。
して示す回路接続図である。
【図５】本発明に係る発振回路の第５の例を一部を省略
して示す回路接続図である。
して示す回路接続図である。
【図６】本発明に係る発振回路の第６の例を一部を省略
して示す回路接続図である。
して示す回路接続図である。
【図７】本発明に係る発振回路の第１〜第６の例の夫々
における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に
供される等価回路図である。
における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に
供される等価回路図である。
【図８】本発明に係る発振回路の第１〜第６の例の夫々
における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に
供されるスミスチャートである。
における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に
供されるスミスチャートである。
【図９】本発明に係る発振回路の第１〜第６の例の夫々
における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に
供される等価回路図である。
における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に
供される等価回路図である。
【図１０】本発明に係る発振回路の第１〜第６の例の夫
々における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明
に供されるスミスチャートである。
々における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明
に供されるスミスチャートである。
【図１１】１ポート型表面弾性波共振素子をあらわす等
価回路図である。
価回路図である。
【図１２】２ポート型表面弾性波共振素子をあらわす等
価回路図である。
価回路図である。
３１ 能動回路部 ３２，３３ 接続端子 ３
４ １ポート型表面弾性波共振素子 ３５ 直列共
振回路部 ３６，３８，３８Ａ，３８Ｂ，５２ イ
ンダクタンス素子 ３７，４１，４２，４４，４
７，５３，５４ キャパシタンス素子 ３９，３９
Ａ，３９Ｂ，４３，４５，４６，５０，５０Ａ，５０
Ｂ，５１ 抵抗素子 ４０ トランジスタ
４ １ポート型表面弾性波共振素子 ３５ 直列共
振回路部 ３６，３８，３８Ａ，３８Ｂ，５２ イ
ンダクタンス素子 ３７，４１，４２，４４，４
７，５３，５４ キャパシタンス素子 ３９，３９
Ａ，３９Ｂ，４３，４５，４６，５０，５０Ａ，５０
Ｂ，５１ 抵抗素子 ４０ トランジスタ
Claims (9)
- 【請求項１】１ポート型表面弾性波共振素子と、 上記１ポート型表面弾性波共振素子が接続されて該１ポ
ート型表面弾性波共振素子に対する信号帰還を行う能動
回路部と、 上記１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並
列接続されたインダクタンス素子部と、 上記１ポート型表面弾性波共振素子及び上記インダクタ
ンス素子部の一方もしくは両者に接続され、上記１ポー
ト型表面弾性波共振素子における浮遊容量と上記インダ
クタンス素子部とが共働して生じる寄生発振を抑制する
ダンピング部と、を備えて構成される発振回路。 - 【請求項２】能動回路部が、１ポート型表面弾性波共振
素子が誘導性インピーダンスを呈する状態のもとで発振
動作を行うべく回路定数の設定がなされるものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の発振回路。 - 【請求項３】１ポート型表面弾性波共振素子の共振周波
数と略等しい共振周波数を有した直列共振回路部が、イ
ンダクタンス素子部に対して直列接続されることを特徴
とする請求項１または２記載の発振回路。 - 【請求項４】ダンピング部が、インダクタンス素子部に
対して直列接続された抵抗素子部により形成されること
を特徴とする請求項１，２または３記載の発振回路。 - 【請求項５】ダンピング部が、インダクタンス素子部に
対して直列接続されるとともに直列共振回路部に対して
並列接続された抵抗素子部により形成されることを特徴
とする請求項３記載の発振回路。 - 【請求項６】ダンピング部が、１ポート型表面弾性波共
振素子に対して直列接続された抵抗素子部により形成さ
れ、インダクタンス素子部が上記１ポート型表面弾性波
共振素子と上記抵抗素子部とによる直列接続形成部に対
して並列接続されることを特徴とする請求項１，２また
は３記載の発振回路。 - 【請求項７】抵抗素子部が第１及び第２の抵抗素子を含
み、１ポート型表面弾性波共振素子に対して、上記第１
及び第２の抵抗素子がインダクタンス素子部を挟んで直
列接続されて成る直列接続形成部が並列接続されること
を特徴とする請求項４記載の発振回路。 - 【請求項８】インダクタンス素子部が第１及び第２のイ
ンダクタンス素子を含み、１ポート型表面弾性波共振素
子に対して、上記第１及び第２のインダクタンス素子が
直列共振回路部を挟んで直列接続されて成る直列接続形
成部が並列接続されることを特徴とする請求項５記載の
発振回路。 - 【請求項９】抵抗素子部が第１及び第２の抵抗素子を含
み、該第１及び第２の抵抗素子が１ポート型表面弾性波
共振素子を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部
が、インダクタンス素子部と並列に設けられることを特
徴とする請求項６記載の発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15979596A JP3689981B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 発振回路 |
| US08/874,583 US5856764A (en) | 1996-06-20 | 1997-06-13 | Oscillation circuit having an active circuit portion and a surface acoustic wave resonance device |
| KR1019970025471A KR100501016B1 (ko) | 1996-06-20 | 1997-06-18 | 발진회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15979596A JP3689981B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1013152A true JPH1013152A (ja) | 1998-01-16 |
| JP3689981B2 JP3689981B2 (ja) | 2005-08-31 |
Family
ID=15701436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15979596A Expired - Fee Related JP3689981B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 発振回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5856764A (ja) |
| JP (1) | JP3689981B2 (ja) |
| KR (1) | KR100501016B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010536211A (ja) * | 2007-08-06 | 2010-11-25 | ステ エッセ・ア・エッセ ディ ジ・モイラーギ アンド チ． | 表面波共振回路用作動回路及びそれを用いた発振回路 |
| JP2021022954A (ja) * | 2015-05-11 | 2021-02-18 | ケイヴィージー・クオルツ・クリスタル・テクノロジー・ゲーエムベーハーＫｖｇ Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｍｂｈ | 結合された共振器を備える発信器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2791196B1 (fr) * | 1999-03-18 | 2001-06-08 | Valeo Electronique | Perfectionnements aux oscillateurs et aux recepteurs radio-frequence |
| CN201422100Y (zh) * | 2009-04-25 | 2010-03-10 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 晶体振荡电路及使用其的电子装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4581592A (en) * | 1983-05-03 | 1986-04-08 | R F Monolithics, Inc. | Saw stabilized oscillator with controlled pull-range |
| JPS61120506A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-07 | Fujitsu Ltd | 発振回路 |
| JPH0319506A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶発振回路 |
| JPH0369203A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Alps Electric Co Ltd | 電圧制御発振器 |
| JPH0376306A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-02 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子発振回路 |
| JPH07106851A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-04-21 | Tokai Rika Co Ltd | 発振回路 |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP15979596A patent/JP3689981B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-13 US US08/874,583 patent/US5856764A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-18 KR KR1019970025471A patent/KR100501016B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010536211A (ja) * | 2007-08-06 | 2010-11-25 | ステ エッセ・ア・エッセ ディ ジ・モイラーギ アンド チ． | 表面波共振回路用作動回路及びそれを用いた発振回路 |
| JP2021022954A (ja) * | 2015-05-11 | 2021-02-18 | ケイヴィージー・クオルツ・クリスタル・テクノロジー・ゲーエムベーハーＫｖｇ Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｍｂｈ | 結合された共振器を備える発信器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980006803A (ko) | 1998-03-30 |
| US5856764A (en) | 1999-01-05 |
| KR100501016B1 (ko) | 2005-11-08 |
| JP3689981B2 (ja) | 2005-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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