WO2004042914A1 - 水晶発振器および半導体装置 - Google Patents

水晶発振器および半導体装置 Download PDF

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WO2004042914A1
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crystal oscillator
fet
amplifier
circuit
semiconductor device
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PCT/JP2003/013107
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English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroshi Miyagi
Isami Kato
Original Assignee
Niigata Seimitsu Co., Ltd.
Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki
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Application filed by Niigata Seimitsu Co., Ltd., Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki filed Critical Niigata Seimitsu Co., Ltd.
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Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator

Definitions

  • the present invention relates to a crystal oscillator and a semiconductor device to which a crystal resonator is connected.
  • a general receiver employing the super-heterodyne method performs high frequency amplification on a modulated wave signal received via an antenna, converts the signal into an intermediate frequency signal having a predetermined frequency, and then performs demodulation processing.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a crystal oscillator and a semiconductor device capable of reducing the number of pads and reducing spurious generation. It is in.
  • a crystal oscillator includes a resonance circuit including a crystal resonator having one end connected to a fixed potential line, and a signal having a resonance frequency of the resonance circuit.
  • An amplifier for amplification is provided, a resonance circuit excluding the crystal oscillator and the amplifier are formed on a semiconductor substrate, and the other end of the crystal oscillator is connected to one pad formed on the semiconductor substrate.
  • One end of the crystal unit is connected to the fixed potential line, and only the other end can be connected to other parts of the crystal oscillator through dedicated pads.
  • the above-mentioned fixed potential line is formed on a printed circuit board on which a semiconductor substrate is mounted. Since one end of the crystal unit is connected to a fixed potential line formed on the printed circuit board, only the other end needs to be connected to the semiconductor substrate via a dedicated pad. For this reason, the number of wiring portions that cause noise to flow around can be reduced to one location.
  • the above-mentioned fixed potential line is desirably a ground line or a power supply line to which an operating voltage is applied.
  • the fixed potential line such as the ground line and power supply line
  • the amplifier described above is a FET in which a bias voltage is applied to the gate and a resistor or a constant current source is connected to the source, and the resonance circuit is a crystal resonator having the other end connected to the gate of the FET.
  • a first capacitor having one end connected to the gate of the FET and the other end connected to the source of the FET, and a second capacitor having one end connected to the source of the FET and the other end grounded.
  • the semiconductor device of the present invention includes a component other than the crystal oscillator included in the crystal oscillator described above, and another circuit that operates by receiving a signal amplified by an amplifier included in the crystal oscillator as an output of the crystal oscillator.
  • a component other than the crystal oscillator included in the crystal oscillator described above and another circuit that operates by receiving a signal amplified by an amplifier included in the crystal oscillator as an output of the crystal oscillator.
  • the connection between the crystal oscillator and the other circuit on the output side is made on the semiconductor substrate, so that the basic component of the oscillation frequency of the crystal oscillator can be obtained from the wiring exposed from the semiconductor substrate to the outside. Alternatively, leakage of noise of harmonic components can be minimized.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a receiver according to an embodiment
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the oscillator. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a receiver according to the present embodiment.
  • the receiver shown in Fig. 1 consists of a high-frequency amplifier circuit 21, a mixing circuit 22, a local oscillator 23, intermediate frequency filters 24, 26, and an intermediate frequency amplifier formed as a semiconductor device 10 as one chip component. It comprises a circuit 25, a 1111 ⁇ circuit 27, and an oscillator 30.
  • the semiconductor device 1 0 may include other circuits, for example, a detection circuit corresponding to the type of the receiver.
  • the local oscillation signal output from the local oscillator 23 is mixed to convert the high frequency signal into the intermediate frequency signal.
  • the intermediate frequency filters 24 and 26 are provided before and after the intermediate frequency amplifier circuit 25, and extract only a predetermined band component from the input intermediate frequency signal.
  • the intermediate frequency amplification circuit 25 amplifies a part of the intermediate frequency signal passing through the intermediate frequency filters 24 and 26.
  • the oscillator 30 uses a crystal unit 52 as an external component connected to the pad 54 as a part of a resonance circuit, and has a natural oscillation frequency f of the crystal unit 52. (Actually, the oscillation operation is performed at a slightly higher resonance frequency: r ).
  • the PLL circuit 27 constitutes a frequency synthesizer together with the local oscillator 23.
  • the local oscillator 23 can be used at N times the frequency of the reference signal. Is controlled to oscillate.
  • the value of N can be arbitrarily changed by a control unit (not shown). By switching the value of N, the oscillation frequency of the local oscillator 23 is switched.
  • the above-described semiconductor device 10 of the present embodiment is integrally formed on a semiconductor substrate by using a CMOS process or a MOS process.
  • the above-described crystal unit 52 has one end connected to the pad 54 and the other end connected to a ground line as a fixed potential line of a printed circuit board (not shown) on which the semiconductor device 10 is mounted. It is connected to the. Since a ground pad provided on the semiconductor substrate on which the semiconductor device 10 is formed is connected to this ground line, both ends of the crystal unit 52 are connected to the dedicated pad 54 and the ground pad. Connected to oscillator 30 via
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the oscillator 30.
  • the oscillator 30 is a clap oscillation circuit that performs a predetermined oscillation operation by using an externally attached crystal oscillator 52 as a part of a resonance circuit. It is configured to include ⁇ -cho 31, resistor 32, capacitors 33, 34, and constant current source 35.
  • An LC parallel resonance circuit is formed by the crystal unit 52 and the capacitors 3 3 and 3 4. The signal at the resonance frequency determined by the number is amplified by the FET 31 (amplifier), and the oscillation operation is performed at this resonance frequency.
  • each component of the crystal oscillator except the crystal oscillator 52 and the PLL circuit 27 that operates by taking in the output of the crystal oscillator are implemented in one chip.
  • the semiconductor device 10 is formed on a semiconductor substrate.
  • the components of the crystal oscillator other than the crystal oscillator and the circuit after the crystal oscillator on the same semiconductor substrate to form a one-chip component, the connections between them are made on the semiconductor substrate. Therefore, it is possible to minimize the leakage of the noise of the fundamental frequency component or the harmonic component of the oscillation frequency of the crystal oscillator from the wiring portion exposed from the semiconductor substrate to the outside, and the noise emitted from this wiring portion is subjected to high frequency amplification. It is possible to reduce the occurrence of spurious due to the circuit 21 or the like.
  • one end of the crystal oscillator 52 is grounded, and only the other end of the crystal oscillator 52 is connected.
  • the oscillator 30 is formed on a semiconductor substrate, the wiring portion between the oscillator 30 and the crystal oscillator 52 becomes one.
  • the semiconductor device 10 of the present embodiment is a one-chip component including the oscillator 30 and the subsequent PLL circuit 27 and the like, and the connection form of the crystal oscillator 52 is adjusted.
  • the number of pads per chip is reduced.
  • a portion where the noise of the fundamental component or the harmonic component of the oscillation frequency of the crystal oscillator leaks is located at one location around the pad 54, so that this chip component Spurious generated by the noise emitted from the high frequency amplifier circuit 21 and the like can be greatly reduced.
  • the number of pads of this one-chip component is reduced, it is easy to manufacture a miniaturized one-chip component (semiconductor device 10).
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention.
  • the case where the oscillator 30 is formed in the semiconductor device 10 included in the receiver was considered.
  • the present invention can be applied to a case where the device is connected to the outside.
  • the FET 31 included in the oscillator 30 is directly connected to one end of the crystal oscillator 52, but a capacitor may be inserted between them.
  • the constant current source 35 is connected to the source of the FET 31, the constant current source 35 may be replaced with a resistor.
  • one end of the crystal unit 52 is grounded.
  • this one end does not necessarily need to be directly connected to a ground line or the like having a potential of 0 V. May be connected to a fixed potential line (for example, a power supply line to which the operating voltage Vdd is applied).
  • a bias circuit for applying a bias voltage to the gate of the FET 31 is formed by one resistor 32 connected between the gate and the drain.
  • a bias circuit that generates a bias voltage by adding a resistor with one end grounded and the other end connected to the gate of the FET 31 or divides the output voltage of the constant voltage source by a voltage divider to provide an appropriate bias A voltage may be generated.
  • the output is extracted from the source of the FET 31, but the output may be extracted from the gate.
  • one end of the crystal unit is grounded, and only the other end side can be connected to other parts of the crystal oscillator through dedicated terminals.
  • the wiring portion between the semiconductor device and the crystal unit becomes one, and the generation of spurious noise due to the noise of the wiring portion can be reduced.

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Abstract

　スプリアスの発生を低減することができる水晶発振器および半導体装置を提供することを目的とする。一方端が接地された水晶振動子５２と、この水晶振動子５２とともに共振回路を構成するコンデンサ３３、３４と、この共振回路の共振周波数の信号を増幅するＦＥＴ３１とを備える。水晶振動子５２以外の共振回路とＦＥＴ３１とが半導体基板上に形成されており、この半導体基板上に形成されたパッド５４に水晶振動子５２の他方端が接続されている。

Description

明 細 書 水晶発振器および半導体装置 技術分野
本発明は、 水晶振動子が接続された水晶発振器および半導体装置に関する。 背景技術
スーパ—ヘテロダイン方式を採用した一般の受信機は、 アンテナを介して受信 した変調波信号を高周波増幅し、 所定の周波数を有する中間周波信号に変換した 後に復調処理を行っている。
特に、 最近では、 受信周波数の設定や各種の表示制御等をデジタル処理によつ て行う受信機が多くなつており、 このようなデジタル処理においては精度の高い クロック信号や P L L回路用の基準周波数信号を生成するために水晶振動子を用 いた発振器 （水晶発振器） が用いられている。
従来から、 水晶発振器としては、 インバー夕回路を用いた構成が広く知られて いる （例えば、 特開平 1 0— 2 1 3 6 8 6号公報の第 4頁、 図 1 1を参照。 ） 。 この水晶発振器では、 ィンバ一夕回路と水晶振動子とが並列接続されているとと もに、 ィンバ一夕回路の入出力端子間にフィードバック用の抵抗が接続されてい る。 このような構成によって、 周波数精度が高く安定した発振状態を実現するこ とができる。
ところで、 最近では各種のアナログ回路を含むほとんどの部品を半導体基板上 に形成して 1チップ部品とすることにより小型化ゃコスト低減を図る手法が一般 的になりつつあるが、 この場合であっても水晶振動子は必ず外付け部品となるた め、 水晶振動子以外の各種部品が内蔵された 1チップ部品と水晶振動子とを接続 する配線部分が必ず存在する。 特に、 上述した特開平 1 0— 2 1 3 6 8 6号公報 に開示された水晶発振器では、 水晶振動子の両端が別々にそれ以外の部品と接続 されており、 水晶振動子を接続するために 2つのパッドとこれらから延びる配線 部分が存在する。 このため、 この 2箇所の配線部分から受信機のアンテナ側に水 晶振動子の固有振動周波数の基本成分や高調波成分のノイズが回り込んでスプリ ァスが発生するという問題があった。 このスプリアスの発生は、 感度の抑圧ゃ受 信品質の劣化を招くことになる。 また、 水晶振動子の両端を別々に接続する必要 があるため、 発振器あるいは発振器とその他の部品とを 1チヅプ部品として形成 する場合に、 必要なパッド数が多くなつてしまうという問題があった。 発明の開示
本発明は、 このような点に鑑みて創作されたものであり、 その目的は、 パッド 数を低減することが可能であり、 スプリアスの発生を低減することができる水晶 発振器および半導体装置を提供することにある。
上述した課題を解決するために、 本発明の水晶発振器は、 一方端が固定電位ラ ィンに接続された水晶振動子を含んで構成される共振回路と、 共振回路の共振周 波数の信号を増幅する増幅器とを備え、 水晶振動子を除く共振回路と増幅器とを 半導体基板上に形成するとともに、 この半導体基板上に形成された一のパッドに 水晶振動子の他方端が接続されている。 水晶振動子の一方端が固定電位ラインに 接続されており、 他方端側のみを専用のパッドを介して水晶発振器の他の部品と 接続することが可能になるため、 半導体基板上にこれらの他の部品を形成した場 合に水晶振動子との間の配線部分が 1箇所になり、 この配線部分からノィズが回 り込むことによるスプリアスの発生を低減することができる。
また、 上述した固定電位ラインは、 半導体基板が搭載されたプリント基板に形 成されていることが望ましい。 水晶振動子の一方端がプリント基板に形成された 固定電位ラインに接続されるため、 残りの他方端のみを専用のパッドを介して半 導体基板に接続すればよい。 このため、 ノイズが回り込む原因となる配線部分を 1箇所に抑えることができる。
特に、 上述した固定電位ラインは、 接地ラインあるいは動作電圧が印加された 電源ラインであることが望ましい。 接地ラインゃ電源ライン等の固定電位ライン に水晶振動子の一方端を接続することにより、 水晶振動子の一方端を接続するた めに専用のパッドを設ける必要がなくなり、 パッド数を低減することができる。 また、 上述したパッドと増幅器の間にコンデンサを挿入することが望ましい。 これにより、 このパッドを介して入出力される信号に含まれる直流成分を除去す ることができる。
また、 上述した増幅器は、 バイアス電圧がゲートに印加されてソースに抵抗あ るいは定電流源が接続された F E Tであり、 共振回路は、 F E Tのゲートに他方 端が接続された水晶振動子と、 一方端が F E Tのゲートに接続され他方端が F E Tのソースに接続された第 1のコンデンサと、 一方端が F E Tのソースに接続さ れ他方端が接地された第 2のコンデンサとを有することが望ましい。 このような 水晶発振器の構成を採用することにより、 水晶振動子の他方端を接地して形成し た共振回路から出力される信号を増幅器に入力するとともに、 この増幅器の出力 を共振回路に帰還させることが可能になり、 共振回路の共振周波数による安定し た発振が維持される。
また、 本発明の半導体装置は、 上述した水晶発振器に含まれる水晶振動子以外 の構成部品と、 この水晶発振器に含まれる増幅器によって増幅された信号を水晶 発振器の出力として取り込んで動作する他の回路とが半導体基板上に形成されて いる。 このように、 水晶発振器とその出力側の他の回路との間の結線を半導体基 板上で行うことにより、 この半導体基板から外部に露出する配線部分から水晶発 振器の発振周波数の基本成分あるいは高調波成分のノィズが漏れることを最小限 に抑えることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 一実施形態の受信機の構成を示す図、
図 2は、 発振器の具体的な構成例を示す回路図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明を適用した一実施形態の受信機について詳細に説明する。
図 1は、 本実施形態の受信機の構成を示す図である。 図 1に示す受信機は、 1 チップ部品としての半導体装置 1 0として形成された高周波増幅回路 2 1、 混合 回路 2 2、 局部発振器 2 3、 中間周波フィル夕 2 4、 2 6、 中間周波増幅回路 2 5、 卩1^ 1^回路2 7、 発振器 3 0を含んで構成されている。 なお、 半導体装置 1 0にはその他の回路、 例えば受信機の種類に応じた検波回路等を含めるようにし てもよい。
アンテナ 5 0によって受信した変調波信号を高周波増幅回路 2 1によって増幅 した後、 局部発振器 2 3から出力される局部発振信号を混合することにより、 高 周波信号から中間周波信号への変換を行う。 中間周波フィル夕 2 4、 2 6は、 中 間周波増幅回路 2 5の前段および後段に設けられており、 入力される中間周波信 号から所定の帯域成分のみを抽出する。 中間周波増幅回路 2 5は、 中間周波フィ ル夕 2 4、 2 6を通過する一部の中間周波信号を増幅する。
発振器 3 0は、 パッド 5 4に接続された外付け部品としての水晶振動子 5 2を 共振回路の一部として用いており、 この水晶振動子 5 2の固有振動周波数 f 。 (実際にはこれより若干高い共振周波数: r ) で発振動作を行う。
P L L回路 2 7は、 局部発振器 2 3とともに周波数シンセサイザを構成してお り、 発振器 3 0から出力された信号を基準信号として用いることにより、 この基 準信号の N倍の周波数で局部発振器 2 3を発振させる制御を行う。 この Nの値は、 制御部 （図示せず） によって任意に変更可能であり、 Nの値を切り替えることに より局部発振器 2 3の発振周波数の切り替えが行われる。
上述した本実施形態の半導体装置 1 0は、 C M O Sプロセスや M O Sプロセス を用いて半導体基板上に一体形成されている。
また、 上述した水晶振動子 5 2は、 一方端がパッド 5 4に接続されており、 他 方端が半導体装置 1 0が搭載されたプリント基板 （図示せず） の固定電位ライン としての接地ラインに接続されている。 この接地ラインには、 半導体装置 1 0が 形成された半導体基板上に設けられた接地用パッドが接続されているため、 水晶 振動子 5 2の両端が専用のパッド 5 4と接地用パ ドを介して発振器 3 0に接続 される。
図 2は、 発振器 3 0の具体的な構成例を示す回路図である。 図 2に示すように、 発振器 3 0は、 外付けされた水晶振動子 5 2を共振回路の一部に用いて所定の発 振動作を行うクラップ発振回路であり、 ？∑丁 3 1、 抵抗3 2、 コンデンサ 3 3、 3 4、 定電流源 3 5を含んで構成されている。 水晶振動子 5 2とコンデンサ 3 3、 3 4とによって L Cの並列共振回路が形成されており、 これらの各素子の素子定 数によって決まる共振周波数の信号を F E T 3 1 (増幅器） で増幅することによ り、 この共振周波数で発振動作が行われる。
図 1および図 2に示すように、 本実施形態では、 水晶振動子 5 2を除く水晶発 振器の各構成部品と、 水晶発振器の出力を取り込んで動作する P L L回路 2 7等 が 1チップの半導体装置 1 0として半導体基板上に形成されている。 水晶振動子 以外の水晶発振器の構成部品と水晶発振器の後段の回路とを同じ半導体基板上に 形成して 1チップ部品とすることにより、 これらの間の結線が半導体基板上で行 われることになるため、 半導体基板から外部に露出する配線部分から水晶発振器 の発振周波数の基本成分あるいは高調波成分のノィズが漏れることを最小限に抑 えることができ、 この配線部分から放出されるノイズが高周波増幅回路 2 1等に 回り込むことによるスプリァスの発生を低減することができる。
また、 水晶振動子 5 2と発振器 3 0とによって構成される本実施形態の水晶発 振器では、 水晶振動子 5 2の一方端が接地されており、 水晶振動子 5 2の他方端 側のみを専用のパヅド 5 4を介して発振器 3 0と接続することが可能になるため、 半導体基板上に発振器 3 0を形成した場合に水晶振動子 5 2との間の配線部分が 1箇所になり、 この配線部分から放出されるノイズが高周波増幅回路 2 1等に回 り込むことによるスプリアスの発生を低減することもできる。
さらに、 水晶振動子 5 2専用には一つのパッド 5 4を設ければよいため、 半導 体装置 1 0に必要なパッド数を少なくすることができる。
このように、 本実施形態の半導体装置 1 0は、 発振器 3 0とその後段の P L L 回路 2 7等を含む 1チップ部品とするとともに、 水晶振動子 5 2の接続形態をェ 夫することによりこの 1チヅプ部品のパヅ ド数を低減している。 これにより、 発 振器 3 0から延びる配線部分の中で、 水晶発振器の発振周波数の基本成分あるい は高調波成分のノイズが漏れる箇所がパッド 5 4周辺の 1箇所になるため、 この チップ部品から放出されるノィズが高周波増幅回路 2 1等に回り込むことにより 発生するスプリアスを大幅に低減することができる。 また、 この 1チップ部品の パッド数が減ることから、 小型化した 1チップ部品 （半導体装置 1 0 ) の製造が 容易となる。 さらに、 水晶振動子 5 2以外の水晶発振器の構成部品 （発振器 3 0 ) とその後段の P L L回路 2 7等からなる 1チップ部品を用いることにより、 スプリァスの発生を低減することが可能になり、 1チップ部品である半導体装置 1 0内の各部品に影響を与えることが少なくなる。
なお、 本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、 本発明の要旨の範囲 内において種々の変形実施が可能である。 例えば、 上述した実施形態では、 受信 機に含まれる半導体装置 1 0内に発振器 3 0を形成する場合を考えたが、'受信機 以外に含まれる半導体装置内に発振器を形成して水晶振動子を外部に接続する場 合に本発明を適用することができる。
また、 上述した実施形態では、 発振器 3 0に含まれる F E T 3 1を直接水晶振 動子 5 2の一方端に接続するようにしたが、 これらの間にコンデンサを挿入する ようにしてもよい。 また、 F E T 3 1のソースに定電流源 3 5を接続したが、 こ の定電流源 3 5を抵抗に置き換えるようにしてもよい。
また、 上述した実施形態では、 水晶振動子 5 2の一方端が接地されているが、 この一方端は、 必ずしも 0 V電位の接地ライン等に直接接続されている必要はな く、 0 V以外の固定電位ライン （例えば動作電圧 Vddが印加された電源ライン） に接続されていてもよい。
また、 図 2に示した発振器 3 0の構成では、 F E T 3 1のゲートにバイアス電 圧を印加するバイアス回路を、 ゲ一トとドレインとの間に接続した 1つの抵抗 3 2によって形成したが、 一方端が接地され他方端が F E T 3 1のゲートに接続さ れた抵抗を追加したバイアス回路でバイアス電圧を生成したり、 定電圧源の出力 電圧を分圧回路で分圧して適切なバイァス電圧を生成するようにしてもよい。 また、 上述した半導体装置 1 0に含まれる発振器 3 0では、 F E T 3 1のソ一 スから出力を取り出しているが、 ゲートから出力を取り出すようにしてもよい。 産業上の利用可能性
上述したように、 本発明によれば、 水晶振動子の一方端が接地されており、 他 方端側のみを専用の端子を介して水晶発振器の他の部品と接続することが可能に なるため、 半導体基板上に他の部品を形成した場合に水晶振動子との間の配線部 分が 1箇所になり、 この配線部分のノイズが回り込むことによるスプリアスの発 生を低減することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 一方端が固定電位ラインに接続された水晶振動子を含んで構成される共振回 路と、 前記共振回路の共振周波数の信号を増幅する増幅器とを備え、 前記水晶振 動子を除く前記共振回路と前記増幅器とを半導体基板上に形成するとともに、 こ の半導体基板上に形成された一のパッドに前記水晶振動子の他方端が接続されて いることを特徴とする水晶発振器。
2 . 前記固定電位ラインは、 前記半導体基板が搭載されたプリント基板に形成さ れていることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の水晶発振器。
3 . 前記固定電位ラインは、 接地ラインであることを特徴とする請求の範囲第 1 項記載の水晶発振器。
4 . 前記固定電位ラインは、 動作電圧が印加された電源ラインであることを特徴 とする請求の範囲第 1項記載の水晶発振器。
5 . 前記パヅドと前記増幅器の間にコンデンサを挿入することを特徴とする請求 の範囲第 1項記載の水晶発振器。
6 . 前記増幅器は、 バイアス電圧がゲートに印加されてソースに抵抗あるいは定 電流源が接続された F E Tであり、
前記共振回路は、 前記 F E Tのゲ一トに他方端が接続された前記水晶振動子と、 一方端が前記 F E Tのゲートに接続され他方端が前記 F E Tのソースに接続され た第 1のコンデンサと、 一方端が前記 F E Tのソースに接続され他方端が接地さ れた第 2のコンデンサとを有することを特徴とする請求の範囲第 1項記載の水晶 発振器。
7 . 一方端が固定電位ラインに接続された水晶振動子を含んで構成される共振回 路と、 前記共振回路の共振周波数の信号を増幅する増幅器とを有し、 前記水晶振 動子を除く前記共振回路と前記増幅器とが半導体基板上に形成されているととも に、 この半導体基板上に形成された一のパヅドに前記水晶振動子の他方端が接続 された水晶発振器を備え、
前記水晶発振器に含まれる前記水晶振動子以外の構成部品と、 前記増幅器によ つて増幅された信号を前記水晶発振器の出力として取り込んで動作する他の回路 とが前記半導体基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
8 . 前記他の回路は、 受信機を構成する回路であることを特徴とする請求の範囲 第 7項記載の半導体装置。
9 . 前記受信機を構成する回路には、 アンテナによって受信した変調波信号を増 幅する高周波増幅回路と、 前記水晶発振器の出力に基づいて局部発振信号を生成 する局部発振器と、 前記高周波増幅回路によつて増幅された変調波信号と前記局 部発振信号とを混合する混合回路とが少なくとも含まれていることを特徴とする 請求の範囲第 8項記載の半導体装置。
1 0 . 前記固定電位ラインは、 前記半導体基板が搭載されたプリント基板に形成 されていることを特徴とする請求の範囲第 7項記載の半導体装置。
1 1 . 前記固定電位ラインは、 接地ラインであることを特徴とする請求の範囲第 7項記載の半導体装置。
1 2 . 前記固定電位ラインは、 動作電圧が印加された電源ラインであることを特 徴とする請求の範囲第 7項記載の半導体装置。
1 3 . 前記パッドと前記増幅器の間にコンデンサを挿入することを特徴とする請 求の範囲第 7項記載の半導体装置。
1 4 . 前記増幅器は、 バイアス電圧がゲートに印加されてソースに抵抗あるいは 定電流源が接続された F E Tであり、
前記共振回路は、 前記 F E Tのゲ一トに他方端が接続された前記水晶振動子と、 一方端が前記 F E Tのゲ一トに接続され他方端が前記 F E Tのソースに接続され た第 1のコンデンサと、 一方端が前記 F E Tのソースに接続され他方端が接地さ れた第 2のコンデンサとを有することを特徴とする請求の範囲第 7項記載の半導
PCT/JP2003/013107 2002-11-07 2003-10-14 水晶発振器および半導体装置 WO2004042914A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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