KR980006803A - 발진 회로 - Google Patents

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KR980006803A
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코조 고바야시
타다시 이마이
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이데이 노부유키
소니 주식회사
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    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
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Abstract

능동 회로부에 1포트형 표현 탄성파 공진 소자가 접속되어 이루어지는 구성이 취해지는 것을 기본으로, 1포트형 표면 탄성파 공진 소자에 있어서의 부유용량의 영향이 효과적으로 억제되고, 고주파수 영역의 발진 출력신호가 확실하고 또한 안정하게 얻어지는 것으로 한다.
1포트형 표면 탄성파 공진 소자(34)와, 1포트형 표면 탄성파공진 소자(34)에 대한 신호 귀한을 행하는 능동 회로부(31)와, 1포트형 표면 탄성파 공진 소자(34)에 대하여 실질적으로 병렬 접속된 인덕턴스 소자(48)와, 1포트형 표면 탄성파 공진소자(34) 및 인덕턴스 소자(38)의 한쪽 또는 양쪽에 접속되어,1포트형 표면 탄성파 공진 소자(34)에 있어서는 부유용량과 인덕턴스 소자(38)가 공동하여 생기는 기생 발진을 억제하는 저항 소자(39)를 구비한다.

Description

발진 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명과 관계되는 발진 회로의 제 1 예를 나타내는 회로 접속도.

Claims (9)

1포트형 표면 탄성파 공진 소자와, 상기 1포트형 표면 탄성파 공진 소자가 접속되어 해당 1포트형 표면 탄성파 공진 소자에 대한 신호 귀환을 행하는 능동 회로부와, 상기 1포트형 표면 탄성파 공진 소자에 대하여 실질적으로 병렬 접속된 인덕턴스 소자부와, 상기 1포트형 표면 탄성파 공진 소자 및 상기 인덕턴스 소자부의 한쪽 또는 양쪽에 접속되고, 상기 1포트형 표면 탄성파 공진 소자에 있어서의 부유용량과 상기 인덕턴스 소자부가 공동하여 발생하는 기생 발진을 억제하는 덤핑부를 구비하여 구성되는 발진 회로.
제 1 항에 있어서, 능동 회로부가 1 포트형 표면 탄성파 공진 소자가 유도선 임피던스를 나타내는 상태를 기초로 발진 동작을 행하도록 회로 정수의 설정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 발진 회로.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 1포트형 표면 탄성형 공진 소자의 공진 주파수와 거의 동등하고, 공진 주파수를 가진 직렬 공진 회로부가 인덕턴스 소자부에 대하여 직렬 접속되는 것을 특징으로 하는 발진 회로.
제 1 항 내지 제 3 항중 어는 한 항에 있어서, 덤핑부가 인덕턴스 소자부에 대하여 직렬 접속된 저항 소자부에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발진 회로.
제 3 항에 있어서, 덤핑부가 인덕턴스 소자부에 대하여 직렬 접속됨과 동시에 직렬 공진 회로부에 대하여 병렬 접속된 저항 소자부에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발진회로.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 덤핑부가 1 포트형 표면 탄성파 공진 소자에 대하여 직렬 접속된 저항 소자부에 의해 형성되어 인덕턴스 소자부가 상기 1포트형 표면 탄성파 공진 소자와 상기 저항 소자부에 의한 직렬 접속 형성부에 대하여 병렬 접속되는 것을 특징으로 하는 발진회로.
제 4 항에 있어서, 저항 소자부가 제 1 및 제 2 저항 소자를 포함하여, 1포트형 표면 탄성과 공진 소자에 대하여 상기 제 1 및 제 2 저항 소자가 인덕턴스 소자부를 끼워 직렬 접속되어 이루어지는 직렬 접속 형성부가 병렬 접속되는 것을 특징으로 하는 발진회로.
제 5 항에 있어서 인덕턴스 소자부가 제 1 및 제 2 인덕턴스 소자를 포함하며, 1포트형 표면 탄성파 공진 소자에 대하여, 상기 제 1 및 제 2 인덕턴스 소자가 직렬 공진 회로부를 끼워 직렬 접속되어 이루어지는 직렬 접속 형성부가 병렬 접속되는 것을 특징으로 하는 발진 회로.
제 6 항에 있어서, 저항 소자부가 제 1 및 제 2 저항 소자를 포함하며, 해당 제1 및 제 2 저항 소자가 1포트형 표면 탄성파 공진 소자를 끼워 직렬 접속되어 이루어지는 직렬 접속 형성부가 인덕턴스 소자부와 병렬로 설치되는 것을 특징으로하는 발진 회로.
KR1019970025471A 1996-06-20 1997-06-18 발진회로 KR100501016B1 (ko)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2791196B1 (fr) * 1999-03-18 2001-06-08 Valeo Electronique Perfectionnements aux oscillateurs et aux recepteurs radio-frequence
ATE556484T1 (de) * 2007-08-06 2012-05-15 S Di G Moiraghi & C Soc Sa Treiberschaltung einen oberflächenwellenresonators und oszillator dafür
CN201422100Y (zh) * 2009-04-25 2010-03-10 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 晶体振荡电路及使用其的电子装置
KR102561011B1 (ko) * 2015-05-11 2023-07-27 케이브이지 쿼츠 크리스탈 테크놀로지 게엠베하 감소된 가속 민감도를 가지는 발진기

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4581592A (en) * 1983-05-03 1986-04-08 R F Monolithics, Inc. Saw stabilized oscillator with controlled pull-range
JPS61120506A (ja) * 1984-11-16 1986-06-07 Fujitsu Ltd 発振回路
JPH0319506A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水晶発振回路
JPH0369203A (ja) * 1989-08-08 1991-03-25 Alps Electric Co Ltd 電圧制御発振器
JPH0376306A (ja) * 1989-08-17 1991-04-02 Fujitsu Ltd 弾性表面波共振子発振回路
JPH07106851A (ja) * 1993-10-06 1995-04-21 Tokai Rika Co Ltd 発振回路

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