JP2007096396A - 発振回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ICの小型化、集積化に寄与し、より高い周波数の信号を安定して発生することができる発振回路を提供する。
【解決手段】 発振回路は、所定の共振周波数で共振する圧電振動子10と、差動接続された少なくとも一対の能動素子を有する差動増幅器と、を含み、圧電振動子10は一対の能動素子の間に接続されている。ここで、能動素子は電界効果トランジスタであり、圧電振動子10は、電界効果トランジスタのドレイン間またはゲート間に接続されていてもよい。
【選択図】 図1
【解決手段】 発振回路は、所定の共振周波数で共振する圧電振動子10と、差動接続された少なくとも一対の能動素子を有する差動増幅器と、を含み、圧電振動子10は一対の能動素子の間に接続されている。ここで、能動素子は電界効果トランジスタであり、圧電振動子10は、電界効果トランジスタのドレイン間またはゲート間に接続されていてもよい。
【選択図】 図1
Description
本発明は、発振回路に関する。
従来、モノリシック電圧制御発振回路としては、図3に示す電圧制御発振回路がある。この図3に示す構成の電圧制御発振回路はクロスカップル型発振回路とよばれモノリシック化には適しているが、位相雑音特性はディスクリート部品と比較すると劣っているため高精度な発振には課題が残っていた。図3の電圧制御発振回路は、発振周波数を決定するタンク回路に対して、負荷抵抗として発振に必要な電流を供給するクロスカップルトランジスタとして、第1N型電界効果トランジスタN1及び第1P型電界効果トランジスタP1が相補的に接続され、第2N型電界効果トランジスタN2及び第2P型電界効果トランジスタP2が相補的に接続されている。なお、タンク回路は、アノードが互いに接続された一対のバラクタ(可変容量ダイオード)C1,C2と、その一対のバラクタC1,C2に並列に接続されたインダクタンス素子L1で構成されている。
ここで、第1、第2N型電界効果トランジスタN1,N2及び第1、第2P型電界効果トランジスタP1,P2のチャネル長は極力長くした上で、所望の発振周波数レンジや発振レベルを満たすように構成することが、位相雑音特性をより向上させるために有効である。
ところで、上記電圧制御発振回路において、タンク回路を個々の抵抗、コイル及びコンデンサの部品から構成することにより、温度変化、経年変化などによる影響を受ける。またクロスカップル型発振回路の共振子(タンク回路)はIC上のスパイラルインダクタとコンデンサにより構成されているがその特性は良くない。これはスパイラルインダクタを構成するアルミ配線の抵抗値が高いためスパイラルインダクタのQが低くなる事が原因である。
本発明の目的は、このような状況に鑑みてなされたものであり、ICの小型化、集積化に寄与し、より高い周波数の信号を安定して発生することができる発振回路を提供することにある。
(1)本発明に係る発振回路は、所定の共振周波数で共振する圧電振動子と、差動接続された少なくとも一対の能動素子を有する差動増幅器と、を含み、前記圧電振動子は前記一対の能動素子の間に接続されている。本発明によれば、差動増幅器の出力を入力に正帰還し、1対の能動素子の間に圧電振動子を接続して発振動作を行わせるようにしたので、雑音に対する耐性が向上している。
(2)この発振回路は、前記能動素子は電界効果トランジスタであり、前記圧電振動子は、前記電界効果トランジスタのドレイン間またはゲート間に接続されていてもよい。
(3)この発振回路は、前記一対の電界効果トランジスタは、前記圧電振動子の一端にドレイン端子が接続され、ソース端子がグランドに接続された第1P型電界効果トランジスタと、前記圧電振動子の他端にドレイン端子が接続され、ソース端子がグランドに接続された第2P型電界効果トランジスタとを含んでもよい。
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明を適用した実施の形態に係る発振回路について説明するための図である。
本実施の形態に係る発振回路2は、図1に示すように、所定の共振周波数で共振する圧電振動子10と、差動接続された少なくとも一対の能動素子としての電界効果トランジスタを有する差動増幅器とを含む。圧電振動子10は一対の電界効果トランジスタとしての第1、第2P型電界効果トランジスタ12と14のそれぞれの間である第1、第2P型電界効果トランジスタ12と14のそれぞれのドレイン間またはゲート間に接続されている。第1、第2P型電界効果トランジスタ12と14はそれぞれのエミッタが接地されている。第1P型電界効果トランジスタ12のコレクタは、電流源16に接続され、また、第2P型電界効果トランジスタ14のコレクタは、電流源18に接続されている。すなわち、第1、第2P型電界効果トランジスタ12と14は、差動接続され、差動増幅器を構成している。
また、第1P型電界効果トランジスタ12のドレイン(電界効果とトランジスタの場合の名称はドレインになります)は、第2P型電界効果トランジスタ14のゲートに接続され、第2P型電界効果トランジスタ14のドレインは、第1P型電界効果トランジスタ12のゲートに接続されている。すなわち、差動接続されている第1、第2P型電界効果トランジスタ12と14の一方の出力は、他方の入力に正帰還されるようになされている。さらに、第1、第2P型電界効果トランジスタ12と14のドレインは、それぞれ圧電振動子10の端子20と22に接続されている。圧電振動子10は図2に示すような等価回路をなしている。すなわち、端子20と22の間には、抵抗24、コイル26及びコンデンサ28よりなる直列回路とコンデンサ30との並列回路が接続されている。このコンデンサ30は、圧電振動子10の端子間容量である。
この圧電振動子10は、次に条件を満たすとき、実質的にインダクタンスとして作用する。なお、L26,C28,C30,R24は、それぞれコイル26のインダクタンス、コンデンサ28の容量、コンデンサ30の容量、または抵抗24の抵抗値を表している。
ωL26>1/(ωC28)=1/(ωC30)=R24
すなわち、圧電振動子10が、上記条件を満足して、実質的にインダクタンス(コイル)として機能するとき、図1の回路は、所謂クロスカップル型発振回路を構成し、発振動作を行う。
ωL26>1/(ωC28)=1/(ωC30)=R24
すなわち、圧電振動子10が、上記条件を満足して、実質的にインダクタンス(コイル)として機能するとき、図1の回路は、所謂クロスカップル型発振回路を構成し、発振動作を行う。
第1P型電界効果トランジスタ12のドレインの出力は、第2P型電界効果トランジスタ14のゲートに正帰還される。また、第2P型電界効果トランジスタ14のコレクタの出力が、第1P型電界効果トランジスタ12のゲートに正帰還される。その結果、発振回路2は、実質的に圧電振動子10のコンデンサ30とコイル26の値(C30とL26)により規定される共振モードで発振する。
第1、第2P型電界効果トランジスタ12と14のパラメータが等しいとすると、この発振回路は完全平衡状態となる。完全平衡回路となるため、漏洩の少ない発振回路を実現することができる。
圧電振動子10に代えて、図2に示す回路を、個々の抵抗、コイルおよびコンデンサの部品から構成すると、温度変化、経年変化などによる影響を受け、高周波の信号を高精度で発生させることが困難になる。従って、圧電振動子を用いることが必要となる。この発振回路は、高周波ICに内蔵する場合に適しており、特に電源や接地線へのインピーダンスを充分に低下させることができない場合において、高周波の発振信号を、高精度でかつ無調整で発生させる場合に用いることができる。
以上述べたように、本発明によれば、差動増幅器の出力を入力に正帰還し、1対の能動素子の間に圧電振動子を接続して発振動作を行わせるようにしたので、温度変化、経年変化に影響されず、無調整で高精度の高い周波数の信号を発生させることが可能となる。
さらに、(1)圧電振動子を用いた発振回路において、温度ドリフトや回路素子のばらつきによる影響を低減し、消費電力を抑えながら高周波で安定した発振を行うことができる。(2)各構成要素を集積回路化したので、小型化と性能の安定化が図れる。(3)圧電振動子とICチップ間の浮遊容量を減少できるので、高周波特性などの電気特定が向上する。(4)MOS構造のトランジスタ、コンデンサ、又はインピーダンス素子を含む発振回路において、低消費電力化及び小型化を実現することができる。(5)圧電振動子を用いることによりQが高く、高周波数化が可能になる。(6)差動構成のため耐ノイズ性が向上する。
なお、上記実施例においては、差動増幅器を構成する能動素子としてP型電界効果トランジスタを用いるようにしたが、N型電界効果トランジスタなどを用いることも可能である。また、差動増幅器を構成する能動素子として電界効果トランジスタとなっているが、他のデバイス、例えばバイポーラトランジスタ、GaAsトランジスタ、SiGeトランジスタ等にしてもよい。この場合、ソース、ゲート、ドレインの端子は、それぞれエミッタ、ベース、コレクタの端子となる。
また、圧電振動子10は、SAW発振子、FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)型の素子構造またはSMR(Solid Mounted Resonator)型の素子構造であるBAW(Bulk Acoustic Wave)素子、または水晶製等の厚み滑り振動子等であってもよい。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外した内容を含む。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外した内容を含む。
2…発振回路 10…圧電振動子 12…第1P型電界効果トランジスタ 14…第2P型電界効果トランジスタ 16…電流源 18…電流源 20…端子 22…端子 24…抵抗 26…コイル 28…コンデンサ 30…コンデンサ。
Claims (3)
- 所定の共振周波数で共振する圧電振動子と、
差動接続された少なくとも一対の能動素子を有する差動増幅器と、
を含み、
前記圧電振動子は前記一対の能動素子の間に接続されている発振回路。 - 請求項1に記載された発振回路において、
前記能動素子は電界効果トランジスタであり、
前記圧電振動子は、前記電界効果トランジスタのドレイン間またはゲート間に接続されている発振回路。 - 請求項1又は請求項2に記載された発振回路において、
前記一対の電界効果トランジスタは、
前記圧電振動子の一端にドレイン端子が接続され、ソース端子がグランドに接続された第1P型電界効果トランジスタと、
前記圧電振動子の他端にドレイン端子が接続され、ソース端子がグランドに接続された第2P型電界効果トランジスタとを含む発振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005279243A JP2007096396A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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JP2005279243A Withdrawn JP2007096396A (ja) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 発振回路 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009044479A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Seiko Epson Corp | 発振器 |
CN108631729A (zh) * | 2017-03-16 | 2018-10-09 | 精工爱普生株式会社 | 振荡电路、电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 |
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2005
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