JPH10128634A - 吸着盤及びその製造方法 - Google Patents
吸着盤及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10128634A JPH10128634A JP28797696A JP28797696A JPH10128634A JP H10128634 A JPH10128634 A JP H10128634A JP 28797696 A JP28797696 A JP 28797696A JP 28797696 A JP28797696 A JP 28797696A JP H10128634 A JPH10128634 A JP H10128634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction
- glass
- members
- adsorbing
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
- B65G2249/04—Arrangements of vacuum systems or suction cups
- B65G2249/045—Details of suction cups suction cups
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
力が得られるマルチタイプの吸着盤を提供する。 【解決手段】被吸着物を吸着保持する吸着面が、複数個
の多孔質セラミックスからなる吸着部材21,22,2
3と、これら吸着部材同士を接合するガラス融着壁2
4,25とからなり、該ガラス融着壁の幅を0.5〜
2.0mmとして吸着盤を形成する。
Description
着面を構成する吸着盤とその製造方法に関するものであ
り、特に、サイズの異なる半導体ウエハやガラス基板等
の被吸着物を保持するのに適するものである。
被吸着物である半導体ウエハや液晶用ガラス基板等を固
定したり搬送するために真空吸着装置が使用されてい
る。
プと呼ばれる真空吸着装置81の構造を示すように、中
央の円盤状をした吸着部材83のまわりに第1の仕切部
材87を介して第2の環状吸着部材84を有するととも
に、さらにそのまわりに第2の仕切部材88を介して第
3の環状吸着部材85を備えた板状体からなる吸着盤8
2と、該吸着盤82を囲繞する凹部95を有する保持基
体91とからなり、上記吸着盤82は吸着部材83、8
4、85を多孔質セラミックスで形成するとともに、仕
切部材87、88を緻密質セラミックスで形成し、それ
ぞれをガラス89で接合したものがあった。
には吸着盤82の各吸着部材83、84、85と対応す
る位置に環状の溝92、93、94を備え、これらの溝
92、93、94に連通する吸気孔102、103、1
04を介して真空ポンプ(不図示)により真空吸引する
ことで、吸着面86に載置する被吸着物(不図示)を吸
着保持するようになっている。
4、85が仕切部材37、38により仕切られて独立し
ていることから、各吸気孔102、103、104の開
閉を制御することで大きさの異なる被吸着物を一つの真
空吸着装置81で保持できるようになっている。
着盤82は、吸着部材83をなす多孔質セラミック製の
円盤体と、吸着部材84、85をなす多孔質セラミック
製のリング体、および仕切部材37、38をなす緻密質
セラミックスからなるリング体とを別々に成形・焼成し
て形成したあとそれぞれをはめ込み、接合部分をガラス
89でもって溶着により一体化して形成されたものがあ
った。
を製作する場合、吸着部材83をなす円盤体及び吸着部
材84、85をなすリング体と、仕切部材87、88を
なすリング体とをそれぞれ隙間なくはめ込む必要がある
のであるが、精密に切削加工を施したとしても必ず隙間
ができ、両者を接合するためにガラス89による融着を
行ったとしても接合部分に0.1mm以上の隙間が残る
ことから吸着盤82の接合強度が弱く、このような吸着
盤82でもって被吸着物を保持しようとすると上記隙間
から空気が漏れ、所望の吸着力が得られないといった恐
れがあった。
材87、88とが同じ組成のセラミックスで形成されて
いたとしても多孔質セラミックスは緻密質セラミックス
に比べ強度、硬度が小さいことから、緻密質セラミック
スからなるリング体(仕切部材87、88)に多孔質セ
ラミックスからなる円盤体(吸着部材83)及びリング
体(吸着部材84、85)を嵌め込む時に欠けやチッピ
ングを生じ、酷い場合には吸着面82に大きな窪みがで
きるため、吸着保持する被吸着物が半導体ウエハのよう
に薄肉のものである時にはウエハの平坦精度が低下する
といった恐れもあった。
被吸着物を高精度に保持するために優れた平坦精度に仕
上げる必要があるのであるが、吸着盤82は緻密質セラ
ミックスからなる仕切部材87、88と多孔質セラミッ
クスからなる吸着部材83、84、85およびガラス8
9とからなるために研摩加工を施すと硬度差の違いによ
り緻密質セラミックスからなる仕切部材87、88に比
べて硬度の小さい多孔質セラミックスからなる吸着部材
83、84、85およびガラス38が大きく削られ、吸
着面86の平坦度を10μm程度にしかできず、これ以
上平坦精度を高めることは難しいものであった。
題に鑑み、被吸着物を吸着保持する吸着面が複数個の多
孔質セラミックスからなる吸着部材と、これら吸着部材
同士を接合するガラス融着壁とからなり、該ガラス融着
壁の幅を0.5〜2.0mmとして吸着盤を構成したも
のである。
いて、ガラス融着壁に対応する凸壁部を有する金型内に
セラミック原料を充填して加圧成形することで上記凸壁
部に対応する溝を備えた成形体を製作し、この成形体を
セラミック原料が完全に焼結するのに必要な温度より若
干低い温度で焼成して多孔質セラミック体を製作したあ
と、多孔質セラミック体の溝にガラスペーストを充填し
て硬化させ、しかるのち、切削加工を施すことで、多孔
質セラミックスからなる吸着部材とガラス融着壁とを交
互に配設してなる板状の吸着盤を製造するものである。
ック原料を、ガラス融着壁に対応する凸壁部を有する金
型内に充填して加圧成形することで上記凸壁部に対応す
る溝を備えた成形体を製作し、この成形体をセラミック
原料が完全に焼結するのに必要な温度で焼成して多孔質
セラミック体を製作したあと、多孔質セラミック体の溝
にガラスペーストを充填して硬化させ、しかるのち、切
削加工を施すことで、多孔質セラミックスからなる吸着
部材とガラス融着壁とを交互に配設してなる板状の吸着
盤を製造するものである。
る。
着装置1を示す図であり、(a)は斜視図、(b)はX
−X線断面図である。
た吸着部材21のまわりに、環状のガラス融着壁24を
介して第2の環状をした吸着部材22を有するととも
に、さらにそのまわりに環状のガラス融着壁25を介し
て第3の環状をした吸着部材23を備えた円板状の板状
体からなり、該板状体の一表面を吸着面5としてなる吸
着盤2と、該吸着盤2の外周を囲繞する環状壁35を備
え、該環状壁35の内側に上記吸着盤2を嵌入する凹部
34を備えた保持基体3とからなり、上記吸着盤2は吸
着面5が保持基体3の環状壁35と同一平面上に位置す
るように配置してある。
2、23は、いずれも同一組成でかつ気孔率30〜40
%、平均気孔径5〜200μmの多孔質セラミックスに
より形成してあり、これらの吸着部材21、22、23
同士を接合するガラス融着壁24、25の幅tは0.5
〜2.0mmとしてある。なお、ガラス融着壁24、2
5の幅tとは、各吸着部材21、22、23間にのみ介
在するガラス部分の厚みのことである。
は、上記吸着盤2の円盤状をした吸着部材21と連通す
るホール31を穿設するとともに、該ホール31を中心
に吸着盤2の環状をした吸着部材22、23と各々連通
する同心円状の環状溝32、33をそれぞれ穿設してあ
り、これらのホール31及び環状溝32、33と連通す
る吸気孔41、42、43を介して真空ポンプ(不図
示)により真空吸引することで、吸着面5に載置した被
吸着物(不図示)を吸着保持するようになっている。
2、23がガラス融着壁24、25により仕切られて独
立していることから、各吸気孔41、42、43の開閉
を制御することで大きさの異なる被吸着物を一つの真空
吸着装置1で保持することができる。
吸着部材21、22、23がいずれも同一組成の多孔質
セラミックスからなり、同じ平均気孔径及び気孔率を有
するとともに、従来の吸着盤82のような緻密質セラミ
ックスからなる仕切部材87、88を有していないこと
から、吸着面5に研摩加工を施せば、各吸着部材21、
22、23とも同じ量だけ削ることができる。しかも、
各吸着部材21、22、23を接合するガラス融着壁2
4、25の幅tは0.5〜2.0mmと非常に小さいこ
とから、ガラス融着壁24、25が吸着部材21、2
2、23に比べて削られたとしても、吸着面5の平坦精
度に与える影響が少なく、吸着面5の平坦精度を大幅に
高めることができる。
真空吸着装置1を用いれば、半導体ウエハのように薄肉
で変形し易い被吸着物を吸着保持したとしても吸着面5
の平坦精度にならわせて精度良く保持することができ、
保持した被吸着物の表面に研摩加工等の処理を施したと
してもガラス融着壁24、25の形状が模様として写し
出されることはなく、吸着面5の平坦精度にならわせて
平坦に仕上げることができる。
における吸着部材21、22、23の占める割合が大き
く、被吸着物のほぼ全面を吸着保持することができるた
め、従来の同径をした吸着盤82と比べてより大きな吸
引力でもって被吸着物を吸着保持することができる。
0.5〜2.0mmとしたのは、幅tが2.0mmより
大きくなると、多孔質セラミックスからなる吸着部材2
1、22、23に比べて削られるガラス融着壁24、2
5の割合が多くなりすぎるために吸着面5の平坦精度を
それほど高めることができず、また、吸着盤2の強度が
低下するために、被吸着物を真空吸引すると吸着面5が
凹状に変形し、被吸着物を精度良く保持することができ
なくなるからであり、逆に、幅tを0.5mm未満とす
ることは製造上難しいからである。
吸着盤2の製造方法について説明する。
壁24、25に対応する環状の凸壁部54、55を同心
円状に突設させてなる金型50を用意し、この金型50
内に図3(a)に示すようにセラミック原料70を充填
したあと、図3(b)に示すような上パンチ60を下降
させて加圧成形することで、図4(a)、(b)に示す
ような金型60の凸壁部54、55に対応した環状溝7
4、75を同心円状に備えてなる成形体71を製作す
る。
ナ、炭化珪素などを主体とし、これらの原料にバインダ
ーと溶媒を添加混合して形成した造粒体のことであり、
例えば、アルミナを主体とする時には焼結助剤としてM
gO、SiO2 、CaO、TiO2 等を添加したセラミ
ック原料70を用いれば良く、炭化珪素を主体とする時
には焼結助剤としてAl2 O3 とY2 O3 又はBとCを
添加したセラミック原料70を使用すれば良い。
の底面に突設する凸壁部54、55間に対応する環状の
凸部61、62、63を設けてあり、加圧成形時に金型
50に備える凸壁部54、55上部に充填されたセラミ
ック原料70aと凸壁部54、55以外の部分に充填さ
れたセラミック原料70bに加える圧力を一定にし、原
料粉末の詰まりが均一となるようにしてある。
スペーストの注入時にガラスペーストが成形体71内に
流れ込むことを防ぐため、図4(a)、(b)に示す成
形体71をセラミック原料70を完全に焼結させる温度
よりも若干低い温度にて焼成し、気孔率30〜40%、
平均気孔径5〜200μmの多孔質セラミック体を形成
する。
ック原料70を用いた時には、大気雰囲気にて1100
〜1200℃程度の温度で2時間程度焼成すれば良く、
炭化珪素を主体とするセラミック原料70を用いた時に
は、不活性ガス雰囲気にて1800〜1900℃程度の
温度で2時間程度焼成すれば良い。
の環状溝74、75に粘度調整したガラスペーストを注
入し、1100〜1200の温度で焼成することでガラ
スを硬化させ、図5(a)、(b)に示すようなガラス
融着壁24、25を有する多孔質セラミック体76を形
成したあと、ガラス融着壁24、25のない部分を研削
加工により取り除くことで、図6(a)、(b)に示す
ような複数個の多孔質セラミックスからなる吸着部材2
1、22、23と、これら吸着部材21、22、23同
士を接合するガラス融着壁24、25とを交互に配設し
てなる板状の吸着盤2を得ることができる。
24、25に対応する溝77、78を有する多孔質セラ
ミック体76を形成し、上記溝77、78にガラスペー
ストを充填して焼成することでガラスを硬化させたあ
と、所定の形状に研削加工を施して製作するようにした
ことから、従来の吸着盤82のように別々に形成した吸
着部材83、84、85と仕切部材87、88とを高精
度に加工して嵌め合わせるといった作業が必要がなく容
易に製作することができる。
7、78には十分な量のガラスを充填してガラス融着壁
24、25を形成することができるため、吸着盤2を構
成する吸着部材21、22、23とガラス融着壁24、
25との間には隙間がなく、両者を強固に接合すること
ができる。
7、78の幅を小さくしてもガラスペーストの粘度を調
整することで十分な量のガラスを充填することができる
ため、ガラス融着壁24、25の幅tが0.5〜2.0
mmと非常に小さな吸着盤2の製作も可能である。
多孔質セラミック体76の他の製造方法として、セラミ
ック原料70に、ポリエチレン、ポリビニルアルコー
ル、ポリプロピレン、酢酸ビニール、アクリル樹脂、セ
ルロース、炭化カルシウム、炭化マグネシウムなどの焼
成時に燃えてなくなる焼失材を添加し、この原料を吸着
盤2のガラス融着壁24、25に対応する環状の凸壁部
54、55を有する金型50内に充填して加圧成形する
ことで図4(a)、(b)に示すような金型60の凸壁
部54、55に対応した環状溝74、75を同心円状に
備えてなる成形体71を製作し、しかるのち、この成形
体71を構成するセラミック原料70を完全に焼結させ
る温度にて焼成することで形成することもできる。
完全に焼結させる温度にて焼成することができるため、
より高硬度、高強度を有する吸着盤2の製作が可能であ
る。
2〜30重量%の範囲で焼失材を添加した原料を所定の
形状に成形し、セラミック原料70がアルミナを主体と
するものである時には、大気雰囲気にて1600〜18
00℃程度の温度で1〜2時間程度焼成すれば良く、炭
化珪素を主体とするセラミック原料70を用いた時に
は、1900〜2000℃程度の温度で1〜2時間程度
焼成することで三次元網目構造を有する多孔質セラミッ
ク体76を得ることができる。
料70としてアルミナや炭化珪素以外に窒化珪素やジル
コニアを主体とするセラミック原料70を使用すること
もでき、例えば、窒化珪素を主体とする場合、焼結助剤
としてAl2 O3 とY2 O3を添加したセラミック原料
70を用い、窒素雰囲気にて1700〜1800℃程度
の温度で2時間程度焼成すれば良く、ジルコニアを主体
とする時には安定化剤としてY2 O3 、CaO、Mg
O、CeO2 等添加したセラミック原料70を用い、大
気雰囲気にて1400〜1650℃程度の温度で2時間
程度焼成すれば良い。
ミック体76の表面に形成する溝77、78を金型50
の底面に形成した凸壁部54、55により形成したが、
予め板状の多孔質セラミック体75を形成しておき、そ
の表面に研削加工を施すことでガラス融着壁24、25
の形状に合致した溝77、78を形成しても構わない。
形状を環状としたものを示したが、これらについても金
型50に突設する凸壁部54、55の形状をそれぞれ変
えることで、図7(a)に示すようなガラス融着壁2
4、25が三角形をしたしたものや、図7(b)、
(c)に示すような吸着盤2そのものが角板や楕円板を
したもので、その外形状と相似のガラス融着壁24、2
5を有するもの、あるいは図7(d)に示すような板状
の吸着盤26と細板状のガラス融着壁27とが交互に配
設された板状体をしたものなど使用目的に応じて適宜変
更することができる。
する。
空吸着装置1を示す図であり、(a)は斜視図、(b)
はY−Y線断面図である。
1と同じであるが、吸着盤2の吸着面5を保持基体3の
環状壁35より突出させてあり、吸着盤2の最外周に膜
厚が1〜2mm程度のガラスや樹脂からなるシール膜4
を被着したものである。
みで被吸着物を保持することができるため、より精度良
く被吸着物を保持することができる。
化させた吸着盤2を試作し、これらの吸着盤2の吸着面
5に研摩加工を施した時の平坦精度について測定を行っ
た。
粉末90重量%に対し、焼結助剤としてSiO2 粉末を
10重量%添加し、溶媒及びバインダーとともに混練乾
燥させたあと、このセラミック原料を2重の環状凸壁部
54、55を有する金型50内に充填して300kg/
cm2 程度の圧力で加圧成形し、しかるのち、大気雰囲
気中で1200℃の温度で2時間焼成することで、表面
に2重の環状溝74、75を有するとともに、気孔率3
8%、平均気孔径50μmのアルミナセラミックスから
なる多孔質セラミック体76を形成し、次に、多孔質セ
ラミック体76の環状溝74、75にガラスペーストを
注入して1100℃程度の温度で焼成することでガラス
を硬化させ、しかるのち切削加工を施すことにより外径
200mm、厚み7mmの板状体を切り出したものを使
用した。
ド砥粒を用いて研摩加工を施して吸着面5を形成し、こ
の吸着面5の表面状態を真直度測定器で測定した。
が上記吸着盤2と同じアルミナセラミックスを用意し、
同様にダイヤモンド砥粒を用いて研摩加工を施したとこ
ろ、その平坦度は0.3μmであった。
が3mmであると、多孔質セラミックスからなる吸着部
材21、22、23に比べて多く削られるガラス融着壁
24、25の幅tが長すぎるために吸着面5の平坦度は
3μm程度としかできなかった。
tが2mm以下であれば、多孔質セラミックスからなる
吸着部材21、22、23に比べて多く削られたとして
も、その幅tが狭いことから吸着面5の平坦精度に与え
る影響は少なく、平坦度を1μm以下とすることができ
た。特に、ガラス融着壁24、25の幅tを0.5mm
としたものにおいては、吸着面5の平坦度を0.3μm
とガラス融着壁24、25のない基準試料と同等の平坦
精度を得ることができた。
幅tを2mm以下とすれば吸着面5を優れた平坦精度に
仕上げることができることが判る。
物を吸着保持する吸着面が複数個の多孔質セラミックス
からなる吸着部材と、これら吸着部材同士を接合するガ
ラス融着壁とからなり、該ガラス融着壁の幅を0.5〜
2.0mmとして吸着盤を構成したことから、従来の吸
着盤のような緻密質セラミックスからなる仕切部材がな
く、吸着面の研摩加工時に硬度の低いガラス融着壁が吸
着部材に比べて大きく削られたとしてもその幅が非常に
小さいことから、吸着面の平坦精度を高精度に仕上げる
ことができるとともに、十分な強度を有することから被
吸着物を真空吸引しても吸着面が凹状に変形することが
ない。
表面を研摩してもガラス融着壁の形状が模様として写し
出されることがなく、吸着面の平坦精度にならわせて被
吸着物を吸着保持することができる。
ら、吸着面における吸着部材の占める割合を大きくする
ことができ、従来の同径をした吸着盤と比べてより大き
な吸引力でもって被吸着物を吸着保持することができ
る。
として、ガラス融着壁に対応する凸壁部を有する金型内
にセラミック原料を充填して成形することで上記凸壁部
に対応する溝を備えた成形体を形成し、セラミック原料
を焼結させるのに必要な温度より低い温度で焼成して多
孔質セラミック体を形成するか、焼失材を添加したセラ
ミック原料をガラス融着壁に対応する凸壁部を有する金
型内に充填して成形することで上記凸壁部に対応する溝
を備えた成形体を形成し、セラミック原料を焼結させる
のに必要な温度で焼成して多孔質セラミック体を形成し
たのち、上記多孔質セラミック体の溝にガラスペースト
を注入し、再度焼成してガラスを硬化させたあと、切削
加工を施して多孔質セラミックスからなる吸着部材とガ
ラス融着壁とを交互に配設してなる板状の吸着盤を形成
するようにしたことから、従来の吸着盤のように別々に
形成した吸着部材と仕切部材とを高精度に加工して嵌め
合わせるといった作業が必要がなく容易に製作すること
ができる。しかも、多孔質セラミック体の溝には十分な
量のガラスを充填してガラス融着壁を形成することがで
きるため、吸着盤を構成する複数個の吸着部材同士を強
固に接合することができ、十分な強度を持った吸着盤を
得ることができる。
さくしてもガラスペーストの粘度を調整することで十分
な量のガラスを充填することができるため、ガラス融着
壁の幅が非常に小さな吸着盤2も製作することができ
る。
す図であり、(a)は一部を破断した斜視図、(b)は
そのX−X線断面図である。
す斜視図である。
法を説明するための各工程毎の断面図である。
図であり、(a)は斜視図、(b)はそのA−A線断面
図である。
ック体を示す図であり、(a)は斜視図、(b)はその
B−B線断面図である。
斜視図、(b)はC−C線断面図である。
す斜視図である。
り、(a)は斜視図、(b)はY−Y線断面図である。
装置を示す図であり、(a)は一部を破断した斜視図、
(b)はそのZ−Z線断面図である。
保持基体、5・・・吸着面、 21、22、23・・・
吸着部材、24、25・・・ガラス融着壁、 31・・
・ホール、32、33・・・環状溝、 34・・・凹
部、 35・・・環状壁、41、42、43・・・吸気
孔
Claims (3)
- 【請求項1】被吸着物を吸着保持する吸着面が、複数個
の多孔質セラミックスからなる吸着部材と、これら吸着
部材同士を接合するガラス融着壁とからなり、該ガラス
融着壁の幅が0.5〜2.0mmであることを特徴とす
る吸着盤。 - 【請求項2】被吸着物を吸着保持する吸着面が、複数個
の多孔質セラミックスからなる吸着部材と、これら吸着
部材同士を接合するガラス融着壁とからなる吸着盤の製
造方法において、上記ガラス融着壁に対応する凸壁部を
有する金型内にセラミック原料を充填して加圧成形する
ことで上記凸壁部に対応する溝を備えた成形体を製作
し、この成形体をセラミック原料が完全に焼結するのに
必要な温度より若干低い温度で焼成して多孔質セラミッ
ク体を製作したあと、該多孔質セラミック体の溝にガラ
スペーストを充填して硬化させ、しかるのち、切削加工
を施すことにより、多孔質セラミックスからなる吸着部
材とガラス融着壁とを交互に配設してなる板状の吸着盤
を形成することを特徴とする吸着盤の製造方法。 - 【請求項3】被吸着物を吸着保持する吸着面が複数個の
多孔質セラミックスからなる吸着部材と、これら吸着部
材同士を接合するガラス融着壁とからなる吸着盤の製造
方法において、上記ガラス融着壁に対応する凸壁部を有
する金型内に焼失材を加えたセラミック原料を充填して
加圧成形することで上記凸壁部に対応する溝を備えた成
形体を製作し、この成形体をセラミック原料が完全に焼
結するのに必要な温度で焼成して多孔質セラミック体を
製作したあと、該多孔質セラミック体の溝にガラスペー
ストを充填して硬化させ、しかるのち、切削加工を施す
ことで、多孔質セラミックスからなる吸着部材とガラス
融着壁とを交互に配設してなる板状の吸着盤を形成する
ことを特徴とする吸着盤の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28797696A JP3469999B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 吸着盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28797696A JP3469999B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 吸着盤の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10128634A true JPH10128634A (ja) | 1998-05-19 |
JP3469999B2 JP3469999B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=17724195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28797696A Expired - Fee Related JP3469999B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 吸着盤の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3469999B2 (ja) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002313896A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Foi:Kk | 高清浄空間形成装置 |
WO2005092564A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Ibiden Co., Ltd. | 真空チャックおよび吸着板 |
JP2005279788A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Ibiden Co Ltd | 研削・研磨用真空チャック |
JP2005279789A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Ibiden Co Ltd | 研削・研磨用真空チャック |
JP2006060241A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Asml Holding Nv | パターンマスク保持装置及び2つの保持システムを使用する方法 |
WO2006072453A1 (de) * | 2004-12-30 | 2006-07-13 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co. Kg | Halter mit porösem greifer |
JP2007180102A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | 吸着体の製造方法及び吸着体 |
JP2007253284A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 真空チャック及びこれを用いた真空吸着装置 |
KR100778425B1 (ko) * | 1999-11-11 | 2007-11-21 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 웨이퍼의 흡인 고정 장치 |
JP2008013372A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Erich Thallner | ウェハのためのハンドリング装置およびハンドリング方法 |
WO2008010251A1 (en) * | 2006-07-17 | 2008-01-24 | A. Celli Nonwovens S.P.A. | Robot for handling rolls |
JP2008132562A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Kyocera Corp | 真空チャックおよびこれを用いた真空吸着装置 |
KR100841381B1 (ko) * | 2007-02-01 | 2008-06-26 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 제조장치 |
JP2009107880A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Kyocera Corp | 接合体、吸着部材、吸着装置および加工装置 |
WO2010071274A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Secron Co., Ltd. | Apparatus for holding a wafer |
JP2013226607A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Disco Corp | チャックテーブル及びチャックテーブルを備える加工装置 |
US8696816B2 (en) | 2005-01-11 | 2014-04-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP2016200480A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検出方法、異物検出装置および剥離装置 |
JP2018016530A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 京セラ株式会社 | 多孔質セラミックスおよび吸着用部材ならびに研磨用部材 |
KR20180065175A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 모던세라믹스(주) | 실리콘 카바이드를 이용한 진공척 및 그 제조방법 |
US10160015B2 (en) | 2015-04-09 | 2018-12-25 | Tokyo Electron Limited | Foreign substance removal apparatus and foreign substance detection apparatus |
US10312124B2 (en) | 2012-08-31 | 2019-06-04 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd | Single ultra-planar wafer table structure for both wafers and film frames |
JP2020080388A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-05-28 | リンテック株式会社 | 保持装置および保持方法 |
KR102252435B1 (ko) * | 2020-01-16 | 2021-05-14 | 한국기계연구원 | 소프트 그립유닛, 이를 포함하는 그립장치 및 그립장치 제어방법 |
CN113735231A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-03 | 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 | 一种利用铁氧体永磁材料降低废水中氨氮的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3026677U (ja) | 1996-01-09 | 1996-07-16 | 芝山機械株式会社 | 半導体ウエハのユニバーサルチャックテーブル |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP28797696A patent/JP3469999B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8759119B2 (en) | 1999-11-11 | 2014-06-24 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state |
US8404496B2 (en) | 1999-11-11 | 2013-03-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state |
KR100778425B1 (ko) * | 1999-11-11 | 2007-11-21 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 웨이퍼의 흡인 고정 장치 |
JP2002313896A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Foi:Kk | 高清浄空間形成装置 |
WO2005092564A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Ibiden Co., Ltd. | 真空チャックおよび吸着板 |
US7654887B2 (en) | 2004-03-25 | 2010-02-02 | Ibiden Co., Ltd. | Vacuum chuck and suction board |
JP2005279789A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Ibiden Co Ltd | 研削・研磨用真空チャック |
JP2005279788A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Ibiden Co Ltd | 研削・研磨用真空チャック |
JP2006060241A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Asml Holding Nv | パターンマスク保持装置及び2つの保持システムを使用する方法 |
JP2009147371A (ja) * | 2004-08-23 | 2009-07-02 | Asml Holding Nv | パターンマスク保持装置及び2つの保持システムを使用する方法 |
JP4488982B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-06-23 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | パターン付マスク保持装置を備えるシステム及びそのシステムの使用方法 |
JP2010045380A (ja) * | 2004-08-23 | 2010-02-25 | Asml Holding Nv | パターンマスク保持装置及び2つの保持システムを使用する方法 |
WO2006072453A1 (de) * | 2004-12-30 | 2006-07-13 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co. Kg | Halter mit porösem greifer |
US8696816B2 (en) | 2005-01-11 | 2014-04-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP2007180102A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Tanken Seal Seiko Co Ltd | 吸着体の製造方法及び吸着体 |
JP4731368B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-07-20 | 京セラ株式会社 | 真空チャック及びこれを用いた真空吸着装置 |
JP2007253284A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 真空チャック及びこれを用いた真空吸着装置 |
US8087708B2 (en) | 2006-07-07 | 2012-01-03 | Erich Thallner | Handling device and handling method for wafers |
US8157307B2 (en) | 2006-07-07 | 2012-04-17 | Erich Thallner | Handling device and handling method for wafers |
JP2008013372A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Erich Thallner | ウェハのためのハンドリング装置およびハンドリング方法 |
WO2008010251A1 (en) * | 2006-07-17 | 2008-01-24 | A. Celli Nonwovens S.P.A. | Robot for handling rolls |
US8353662B2 (en) | 2006-07-17 | 2013-01-15 | A. Celli Nonwovens S.P.A. | Robot for handling rolls |
JP2008132562A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Kyocera Corp | 真空チャックおよびこれを用いた真空吸着装置 |
KR100841381B1 (ko) * | 2007-02-01 | 2008-06-26 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 제조장치 |
JP2009107880A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Kyocera Corp | 接合体、吸着部材、吸着装置および加工装置 |
WO2010071274A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Secron Co., Ltd. | Apparatus for holding a wafer |
JP2013226607A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Disco Corp | チャックテーブル及びチャックテーブルを備える加工装置 |
US10312124B2 (en) | 2012-08-31 | 2019-06-04 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd | Single ultra-planar wafer table structure for both wafers and film frames |
JP2016200480A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物検出方法、異物検出装置および剥離装置 |
US10160015B2 (en) | 2015-04-09 | 2018-12-25 | Tokyo Electron Limited | Foreign substance removal apparatus and foreign substance detection apparatus |
US10946419B2 (en) | 2015-04-09 | 2021-03-16 | Tokyo Electron Limited | Foreign substance removal apparatus and foreign substance detection apparatus |
JP2018016530A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 京セラ株式会社 | 多孔質セラミックスおよび吸着用部材ならびに研磨用部材 |
KR20180065175A (ko) * | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 모던세라믹스(주) | 실리콘 카바이드를 이용한 진공척 및 그 제조방법 |
JP2020080388A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-05-28 | リンテック株式会社 | 保持装置および保持方法 |
KR102252435B1 (ko) * | 2020-01-16 | 2021-05-14 | 한국기계연구원 | 소프트 그립유닛, 이를 포함하는 그립장치 및 그립장치 제어방법 |
CN113735231A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-03 | 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 | 一种利用铁氧体永磁材料降低废水中氨氮的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3469999B2 (ja) | 2003-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3469999B2 (ja) | 吸着盤の製造方法 | |
JP4908263B2 (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
JP3340011B2 (ja) | プラズマ表示装置用基板の製造方法 | |
JP4718397B2 (ja) | 真空吸着装置の製造方法 | |
JP3865872B2 (ja) | 真空吸着保持装置 | |
JP3121886B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
JP5261057B2 (ja) | 吸着盤および真空吸着装置 | |
JP3663215B2 (ja) | 真空吸着装置とその製造方法 | |
JP2008028170A (ja) | 真空吸着装置及びその製造方法 | |
JP4336532B2 (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
JP2005205507A (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
JP4405887B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
JPH09150339A (ja) | 真空吸着装置 | |
JP2555938Y2 (ja) | 真空チャック | |
JP5279550B2 (ja) | 真空吸着装置及びその製造方法 | |
JP2001341042A (ja) | 真空チャックおよびその製造方法 | |
JP5530275B2 (ja) | 真空吸着装置及びその製造方法 | |
JP6120702B2 (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
JP4405886B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
JP2004209633A (ja) | 加工用基板固定装置およびその製造方法 | |
JP4468059B2 (ja) | 静圧軸受け装置 | |
JP2009147384A (ja) | 真空吸着装置およびその製造方法 | |
JPH1021839A (ja) | プラズマ表示装置用基板及びその製造方法 | |
JP3495053B2 (ja) | セラミックス接合体の製造方法 | |
JP2005254412A (ja) | 真空吸着装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070905 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100905 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |