JPH09150339A

JPH09150339A - 真空吸着装置

Info

Publication number: JPH09150339A
Application number: JP31328995A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Morioka; 裕之森岡; Yukio Kugo; 幸男久郷; Takashi Maeda; 岳志前田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1995-11-30
Filing date: 1995-11-30
Publication date: 1997-06-10
Anticipated expiration: 2015-11-30
Also published as: JP3325441B2

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構造で、吸着固定する被加工物を高精度
に平坦化して保持することができる真空吸着装置を提供
する。【解決手段】基体を平均粒子径が０．０１〜３ｍｍで、
かつ真球度が平均粒子径に対し±３０％以下であるセラ
ミック球状体をガラスで結合してなる多孔質セラミック
スにより構成するとともに、その外側面を樹脂またはガ
ラスによりシールして真空吸着装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、物品（被加工物な
ど）を均一に真空吸引して保持面上に高精度に吸着固定
する真空吸着装置に関し、特に、切断加工用装置や研磨
加工用装置に備える被加工物を保持するのに適した真空
吸着装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置やＬＣＤ等の製造工程
中における搬送、露光処理、切断加工、研磨加工等のさ
まざまな工程において、半導体ウエハやガラス基板等の
被加工物を高精度に保持するために真空吸着装置が使用
されている。

【０００３】例えば、６４Ｍ−ｂｉｔ以上のＤ−ＲＡＭ
に搭載する超ＬＳＩの製造工程中においては、半導体ウ
エハの表面に敷設した積層膜の表面に研磨加工を施して
平坦化するためにＣＭＰ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ＆ＭＥ
ＣＨＡＮＩＣＡＬＰＯＬＩＳＨ）装置が使用されてい
る。このＣＭＰ装置の概略は、図５に示すように金属か
らなる円盤状体２２の表面にウレタン製の樹脂膜２３を
接着シール等を介して張り付けた研磨盤２１と、該研磨
盤２１に対向して配置され、被加工物２５である半導体
デバイスを固定するための真空吸着装置１１により構成
されていた。

【０００４】そして、上記真空吸着装置１１の保持面１
３に半導体デバイスを吸着固定したあと研磨盤２１に半
導体デバイスを押圧し、該研磨盤２１と半導体デバイス
との間に研磨剤（不図示）を供給しつつ研磨盤２１のみ
を回転させるか、あるいは真空吸着装置１１と研磨盤２
１とを相対回転させることにより、半導体デバイスの表
面（半導体ウエハ上の積層膜）を研磨して平坦化するよ
うになっていた。

【０００５】また、この種の真空吸着装置１１として
は、図６（ａ）、（ｂ）に示すような基体３２全体を緻
密質セラミックスにより形成し、該基体３２の保持面３
３から吸引面３４にかけて貫通する多数の細孔３５を穿
設した真空吸着装置や図７（ａ）、（ｂ）に示すような
緻密質セラミックスからなる支持部材４２ｂと、該支持
部材４２ｂの凹部にガラス４６を介して嵌合された多孔
質セラミックスからなる円盤状の保持部材４２ａからな
り、該保持部材４２ａおよび支持部材４２ｂからなる基
体４２の上面を保持面４３とした真空吸着装置が使用さ
れていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図６
（ａ）、（ｂ）に示す真空吸着装置では、基体３２全体
が緻密質セラミックスからなるために、保持面３３の平
坦度を高精度に仕上げることができるものの、保持面３
３に穿設する各細孔３５間の間隔が大きいために、この
真空吸着装置３１でもって被加工物を真空吸引しても均
一に吸着固定することができず、若干の反りや膨らみが
発生していた。しかも、保持面３３に穿設する細孔３５
の直径は０．７ｍｍもあるために、半導体ウエハなどの
ように薄肉の被加工物２５を保持すると、該被加工物２
５の表面が細孔３５にならって落ち込んだディンプル
（転写）が発生するといった課題もあった。

【０００７】また、各細孔３５間の間隔を小さくしよう
としても保持面３３の剛性確保において限界があり、ま
た、細孔３５径においても緻密質セラミックスからなる
基体３２に穿設できるのはせいぜい０．３ｍｍ程度まで
であり、これ以上径の小さな細孔３５を形成することが
できなかった。

【０００８】その為、この真空吸着装置でもって被加工
物２５を保持したとしても、被加工物２５の平坦度を保
持面３３の平坦度にならった精度に保持することができ
ず、その結果、上記被加工物２５に研磨加工を施しても
それほど高い精度に仕上げることができなかった。

【０００９】一方、図７（ａ）、（ｂ）に示す真空吸着
装置は、保持面４３が硬度の異なる多孔質セラミックス
と緻密質セラミックスから構成されているために、保持
面４３を平坦化すべく研磨加工を施したとしても緻密質
セラミックスに比べ硬度の若干小さい多孔質セラミック
スからなる保持部材４２ａの表面が多く削られ、保持面
４３を高精度に平坦化することが難しいといった課題が
あった。

【００１０】しかも、保持部材４２ａを構成する多孔質
セラミックスは気孔率が大きいわりに吸着力が低く、ま
た、均一な吸着力が得られないといった課題もあった。

【００１１】即ち、上記多孔質セラミックスはセラミッ
ク粉末により成形体を作製し、通常の焼成温度より低い
温度で焼成したものであるために、各気孔４５の形状お
よび大きさに大きなバラツキがあった。その為、吸引面
４４より真空吸引したとしても各箇所で通気抵抗が異な
り、被加工物２５を均一に吸着固定することが難しいも
のであった。しかも、気孔４５内には鋭利な突起が多数
存在するために、大気中の塵埃等が吸引されて上記気孔
４５内に堆積し、通気抵抗をさらに悪化させる恐れもあ
った。

【００１２】また、吸着力を高めるために保持部材４２
ａをなす多孔質セラミックスの気孔率を高くすると剛性
が大幅に低下するために、研磨盤２１との押圧により保
持面４３が変形したり破損してしまうといった恐れもあ
った。

【００１３】このように図６および図７に示すような従
来の真空吸着装置では、被加工物を高精度に保持するこ
とができないため、所望の精度に平坦化することができ
なかった。

【００１４】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、平均粒子径が０．０１〜３ｍｍで、かつ真球
度が平均粒子径に対し±３０％以下であるセラミック球
状体をガラスで結合してなる多孔質セラミックスにより
板状の基体を構成するとともに、その外側面を樹脂また
はガラスでシールして真空吸着装置を構成したものであ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明実施例を説明する。

【００１６】図５は、本発明に係る真空吸着装置を被加
工物の研磨加工に使用されるＣＭＰ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ
＆ＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬＰＯＬＩＳＨ）装置に組
み込んだ状態を示す概略図で、金属からなる円盤状体２
２の表面に膜厚５ｍｍ程度のウレタン製の樹脂膜２３を
接着シール等を介して張り付けた研磨盤２１と、該研磨
盤２１に対向して配置され、被加工物２５を保持するた
めの真空吸着装置１１により構成してあり、上記真空吸
着装置１１は研磨盤２１と偏心状態、即ち、研磨盤２１
の中心ＯからＬだけ離れた位置に対向するように設けて
ある。

【００１７】また、このＣＭＰ装置により平面研磨する
には、まず、被加工物２５を搬送アーム２６により真空
吸着装置１１の保持面１３下方まで搬送したあと、真空
吸引して真空吸着装置１１の保持面１３に吸着固定し、
上記被加工物２５を研磨盤２１に対して５００ｋｇ／ｃ
ｍ²程度の荷重で押圧する。そして、被加工物２５と研
磨盤２１との間に研磨剤（不図示）を供給しつつ研磨盤
２１を回転させることにより、研磨剤の作用でもって被
加工物２５を平坦化するようにしてある。

【００１８】なお、上記実施例では研磨盤２１の外周部
に一つの真空吸着装置１１を配置した例を示したが、被
加工物２５の大きさに合わせ、間隔を設けて複数個の真
空吸着装置１１を研磨盤２１の外周対向面上に配置し
て、一度に複数の被加工物２５を平面研磨することもで
きる。

【００１９】次に、上記真空吸着装置１１について詳細
に説明すると、図１（ａ）、（ｂ）に示すように上面を
保持面１３とし、下面を吸引面１４とした基体１２から
なり、該基体１２はセラミック球状体１をガラスで結合
した多孔質セラミックスにより構成してある。その為、
保持面１３から吸引面１４にかけて形状および大きさの
ほぼ揃った気孔１５を有している。

【００２０】また、上記基体１２の外側面には、気孔１
５を埋めるようにガラスまたは樹脂を被覆してシールし
てある。

【００２１】その為、保持面１３に被加工物２５を載置
し、吸引面１４より真空吸引すれば、被加工物２５を均
一に吸着固定することができ、該被加工物２５の平坦度
を保持面１３の平坦度にならって高精度に保持すること
ができる。

【００２２】即ち、図２に保持面１３の拡大図を示すよ
うに、本発明に係る真空吸着装置１１は、基体１２を構
成する多孔質セラミックスとして一度焼成して形成した
セラミック球状体１を使用し、該セラミック球状体１を
ガラス２で結合して構成してあるため、ほぼ最密充填構
造をとるように構成することができる。

【００２３】その為、セラミック球状体１同士の隙間
（気孔１５）を非常に小さくすることができ、保持面１
３から吸引面１４にかけてほぼ大きさの揃った三角形状
をした気孔１５を得ることができることから、保持面１
３において均一な吸着力を得ることができる。しかも、
気孔１５内には鋭利な突起がないため、大気中の塵埃を
吸引したとしても気孔１５内に堆積することがなく、通
気抵抗を増大させることがない。

【００２４】その上、上記保持面１３は単一の多孔質セ
ラミックスからなり、その構造はほぼ一定大きさのセラ
ミック球状体１が最密充填構造をとるように構成してあ
るため、平坦化するために研摩加工を施した時にセラミ
ック球状体１が脱落したりすることがなく、保持面１３
を非常に高い平坦度に仕上げることができる。

【００２５】従って、この真空吸着装置１１を用いれ
ば、図７に示す従来の真空吸着装置に比べ大幅に通気抵
抗を低減することができ、また、保持面１３を非常に高
い精度に平坦化することができる。しかも、多孔質セラ
ミックスの気孔率を小さくできるために、真空吸着装置
１１の剛性を高めることもで、研磨盤２１との押圧力に
より保持面１３が変形することもない。

【００２６】その上、保持面１３は微細な気孔１５を有
する多孔質セラミックスのみからなるため、図６に示す
従来の真空吸着装置のように、被加工物２５にディンプ
ルを形成することがなく、また、均一に吸着固定するこ
とができる。

【００２７】さらに、上記真空吸着装置１１は、基体１
２の外側面にガラスまたは樹脂からなるシール剤１６を
被覆してシールしてあり、具体的には図３に示すよう
に、外側面に存在する気孔１５を上記シール剤１６で埋
めるとともに、外側面を構成するセラミック球状体１を
被覆するように構成してある。その為、図７に示す従来
の真空吸着装置のように、基体１２の外周を緻密質セラ
ミックスでシールする必要がなく、また、保持面１３の
外縁部に存在する気孔１５はシール剤１６により埋めて
あるために空気の漏れを最小限にくい止めることがで
き、充分な吸着力を維持することができる。

【００２８】ところで、上記セラミック球状体１として
は、耐薬品性に優れるとともに、高強度、高硬度を有す
るセラミックスが良く、アルミナセラミックス、ジルコ
ニアセラミックス、炭化珪素質セラミックス、窒化珪素
質セラミックス、フォルステライト質セラミックスなど
を好適に用いることができる。

【００２９】また、上記セラミック球状体１の平均粒子
径としては０．０１〜３ｍｍの範囲が良い。これはセラ
ミック球状体１の平均粒子径が０．０１ｍｍより小さい
と、気孔１５が小さくなり過ぎるために通気抵抗が大き
くなり、十分な吸着力が得られなくなるとともに、研磨
加工や研削加工による研磨片、研削片、さらには大気中
の塵埃等が気孔１５内に詰まって目詰まりを起こす恐れ
があるからである。また、逆にセラミック球状体１の平
均粒子径が３ｍｍより大きくなると通気抵抗を小さくで
きる反面、気孔１５径が大きくなり過ぎるために薄肉の
被加工物２５を保持すると、その表面にディンプル（転
写）を生じて被加工物２５の平坦精度が悪くなるととも
に、基体１２の剛性が低下するために、研磨盤２１との
押圧力により保持面１３が変形する恐れがあるからであ
る。

【００３０】なお、本発明で言う平均粒子径とは、真空
吸着装置１１を構成する多孔質セラミックスを切断して
その切断面を金属顕微鏡により拡大して写真を撮り、こ
の写真に任意に８ｃｍの直線を３本引き、この線上にあ
るセラミック球状体１の数をＮとして以下の式により算
出した。

【００３１】（式）セラミック球状体１＝８０×３÷Ｓ÷Ｎ（Ｓ：拡大倍率）の平均粒子径（ｍｍ）さらに、上記セラミック球状体１においては平均粒子径
だけでなく、真球度も重要な要件であり、その真球度は
平均粒子径の±３０％以下であることが重要である。

【００３２】即ち、セラミック球状体１の真球度が平均
粒子径に対し±３０％より大きくなると、その形状は球
状体とは言い難く、このようなセラミック球状体１によ
り形成した多孔質セラミックスの気孔１５径および形状
にはバラツキができるため、通気抵抗が各箇所により異
なり、均一な被加工物２５の吸着が難しくなるからであ
る。

【００３３】なお、真球度とはＪＩＳＢ１５０１に、セ
ラミック球状体１を真円度測定器で互いに９０°をなす
２又は３赤道平面上のセラミック球状体１表面の輪郭を
測定し、それぞれの最小外接円からセラミック球状体１
表面までの半径方向の距離の最大値として示されている
が、本発明では簡易的に測定するために、真空吸着装置
１１を構成する多孔質セラミックスを切断し、その切断
面を金属顕微鏡により拡大して写真を撮り、この写真よ
り任意に１０個取り出した各セラミック球状体１に接す
る内接円と外接円との半径の差を求め、これらを平均し
た値を真球度としてある。そして、本発明で言う真球度
が平均粒子径に対し±３０％以下とは、上記真球度が前
記平均粒子径に対し±３０％以下にあることである。

【００３４】ここで、真球度の測定に簡易的な測定方法
を使用できるのは、本発明に係る真空吸着装置１１を構
成する多孔質セラミックスが、一度焼成して形成したセ
ラミック球状体１を用いていることからであり、ガラス
２による結合の際にセラミック球状体１の形状が変形す
ることが殆どないため、一部のセラミック球状体１につ
いて測定することにより多孔質セラミックスを構成する
セラミック球状体１の形状を特定することができるから
である。

【００３５】一方、上記多孔質セラミックスを構成する
に際し、セラミック球状体１を５０〜９０体積％、ガラ
ス２を５０〜１０体積％の割合で添加することが好まし
い。

【００３６】これは、ガラス２の割合が１０体積％未満
になると、ガラス２の添加量が少なすぎるために基体１
２の機械的強度が低下するからであり、逆に、５０体積
％より多くなると、セラミック球状体１同士の接合部だ
けでなく気孔１５内にもガラス２が流入して気孔１５を
塞いでしまうために通気抵抗が大きくなり、所望の吸引
力が得られないからである。

【００３７】また、セラミック球状体１同士を結合する
ガラス２は、強酸や強アルカリの研磨液に曝されるた
め、これらに対し優れた耐薬品性を有するものが良く、
そのようなガラス２としてはアルカリ金属の含有量が少
ないＳｉＯ₂系ガラスが良い。

【００３８】例えば、ＳｉＯ₂５０重量％に対し、Ｂａ
ＯやＣａＯなどアルカリ土類金属の酸化物を３５重量％
と、その他の成分としてＡｌ₂Ｏ₃やＢ₂Ｏ₃を１５重
量％含んだガラスを使用することができる。

【００３９】さらに、基体３２の外側面をシールするシ
ール剤１６においても強酸や強アルカリの研磨液に曝さ
れるため、これらに対し優れた耐薬品性を有するものが
良く、ガラスにおいては上述したガラスを使用すれば良
く、また、樹脂においてはフッ素樹脂やシリコーン樹脂
などが好適である。

【００４０】本発明に係る真空吸着装置１１を製造する
には、まず、セラミック球状体１を作製するには、バイ
ンダーを加えたセラミック粉末を転がしてその周りにセ
ラミック粉末を付着させるようにして形成する転動造粒
法により球状のセラミック造粒体を形成し、該セラミッ
ク造粒体を各セラミックスの通常の焼成温度にて焼成す
ることにより平均粒子径が０．０１〜３ｍｍｍで、かつ
真球度が平均粒子径に対し±３０％以下であるセラミッ
ク球状体１を作製する。なお、セラミック球状体１を作
る方法としては上記した転動造粒法以外に加圧プレスに
よって形成することもでき、他に上記範囲を有するセラ
ミック球状体１を作製できればどの様な方法であっても
構わない。

【００４１】次に、このセラミック球状体１に５〜２５
重量％の範囲でガラスを添加し、さらにバインダーを加
えて混合し、金型中に充填したあと、１００〜５００ｋ
ｇ／ｃｍ²程度の圧力をかけてメカプレスにより略円盤
状の成形体を形成する。しかるのち、上記成形体をガラ
スが溶融する１１００〜１４００℃程度の焼成温度で焼
成することでセラミック球状体１をガラスで結合した板
状の基体１２を形成する。この時、ガラスを溶融させる
焼成温度は、セラミック球状体１を形成する時の温度よ
り低い温度であるために、セラミック球状体１の形状は
殆ど変形することがない。

【００４２】そして、上記基体１２の外壁面の全周のみ
に溶融したガラスまたは樹脂からなるシール剤１６を塗
布して固化させ、そのあと、基体１２の表面に研磨加工
を施して保持面１３を形成することにより本発明に係る
真空吸着装置１１を得ることができる。

【００４３】次に、本発明に係る他の真空吸着装置１１
を図４に示す。

【００４４】この真空吸着装置１１は保持面１３を含む
基体３２の上部を粒子径の小さいセラミック球状体１ａ
をガラスで結合した多孔質セラミックスにより形成し、
吸引面１４を含む基体３２の下部は粒子径の大きいセラ
ミック球状体１ｂをガラスで結合した多孔質セラミック
スにより構成したものである。

【００４５】このように、保持面１３から吸引面１４に
かけて順次気孔１５径が大きくなる多孔質セラミックス
により形成することにより、小さな吸引力でっもて均一
な吸着力が得られる真空吸着装置１１を構成することが
できる。

【００４６】

【実施例】ここで、図１の本発明に係る真空吸着装置１
１と、図７の従来の真空吸着装置をそれぞれ試作して吸
着力（差圧）を測定するとともに、半導体ウエハを保持
した時の平坦度および脱着を繰り返した時に半導体ウエ
ハにできる傷の数をそれぞれ測定した。

【００４７】本発明に係る真空吸着装置１１は、まず、
純度９９．５％以上のアルミナ粉末にバインダーを添加
して転動造粒法により球状のセラミック造粒体を作製
し、これを１６００℃程度の焼成温度で焼成することに
より平均粒子径０．３ｍｍ、真球度が平均粒子径に対し
±３％のセラミック球状体１を作製した。そして、上記
セラミック球状体１に対し、ガラス（組成ＳｉＯ₂：
５０重量％、ＢａＯとＣａＯ：３５重量％、Ａｌ
₂Ｏ₃，Ｂ₂Ｏ₃：１５重量％）を１０重量％添加し、
さらにバインダーを加えて混合したあと金型内に充填
し、メカプレス機により１００〜５００ｋｇ／ｃｍ²の
成形圧でもって加圧して略円盤状の成形体を作製し、該
成形体をガラス２が溶融する１２００℃程度の焼成温度
で焼成することにより板状の基体１２を形成した。次
に、上記基体１２の外側面のみに溶融したシリコン樹脂
を塗布して基体１２の外側面全周に０．５〜１．０ｍｍ
程度のシリコン樹脂膜を被覆してシールし、しかるのち
基体１２の表面を研磨加工することで平坦度０．１１μ
ｍの保持面１３を得た。

【００４８】一方、図７の従来の真空吸着装置は、ま
ず、純度９９％以上のアルミナ粉末を用いて造粒体を形
成し、該造粒体を金型内に充填してメカプレス機により
円盤状の成形体を形成し、該成形体を１５００℃程度の
焼成温度で焼成することにより保持部材４２ａを形成
し、該保持部材４２ａを緻密質セラミックスからなる支
持部材４２ｂの凹部にガラス４６を介して嵌合した。そ
して、保持部材４２ａおよび支持部材４２ｂの表面に研
磨加工を施して保持面４３を得た。なお、従来の真空吸
着装置４１の保持面４３は緻密質部と多孔質部からなる
ためにその平坦度は０．３２μｍ程度にしかできなかっ
た。

【００４９】次に、両試料において保持面１３，４３に
半導体ウエハを載置した時としない時の通気抵抗をそれ
ぞれ測定し、その差圧を吸着力として測定するととも
に、半導体ウエハを保持した時の平坦度については接触
型測長器により測定し、半導体ウエハにできる傷の数に
ついては、半導体ウエハの脱着を５０回繰り返したあ
と、目視において測定できる傷の数を測定した。

【００５０】各試料の特性および結果は表１に示す通り
である。

【００５１】

【表１】

【００５２】表１より判るように、従来の真空吸着装置
は、気孔率が３６％と大きいにもかかわらず、吸着力は
４５０ｍｍＨｇ程度であった。しかも、気孔率が高いこ
とからヤング率も１４０００ｋｇ／ｍｍ²程度しかなか
った。

【００５３】また、この真空吸着装置を用いて半導体ウ
エハの脱着を繰り返したところ、半導体ウエハの平坦度
は、保持面４３の平坦度と同じ０．３２μｍ程度であ
り、半導体ウエハにできる傷の数も１２個と多かった。

【００５４】これに対し、本願発明の真空吸着装置１１
は、気孔率が２０％と小さいにもかかわらず、吸着力が
５６２ｍｍＨｇと従来の真空吸着装置４１より高い吸着
力を得ることができた。また、気孔率を小さくできるこ
とからヤング率が２５０００ｋｇ／ｍｍ²と十分な機械
的強度を有していた。しかも、半導体ウエハの傷につい
ても目視で１個しか確認できず、被加工物に殆ど傷を付
けることがなかった。

【００５５】このように、本願発明の真空吸着装置１１
を用いれば、被加工物を高精度に保持することができ、
また、被加工物に傷を付け難いことが判った。

【００５６】

【発明の効果】以上のように、本発明は、基体を平均粒
子径が０．０１〜３ｍｍで、かつ真球度が平均粒子径に
対し±３０％以下であるセラミック球状体をガラスで結
合してなる多孔質セラミックスにより構成するととも
に、その外側面を樹脂またはガラスによりシールして真
空吸着装置を構成してあることから、保持面ならびに基
体内部に存在する気孔を一定大きさでかつ一定形状をし
たものとすることができ、常に均一な吸着力を得ること
ができる。しかも、気孔率が小さいにもかかわらず、優
れた通気抵抗を有するため基体の剛性が高く、保持面に
大きな荷重が加わったとしても変形することがない。

【００５７】さらに、保持面は多孔質セラミックスのみ
からなるため、上記保持面を高精度に平坦化することが
でき、その結果、本発明に係る真空吸着装置を用いて被
加工物を保持し、研磨加工を施せば優れた平坦精度に仕
上げることができ、また、研削加工を施せば、所定の寸
法通りに加工することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る真空吸着装置を示す図であり、
（ａ）は斜視図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図である。

【図２】図１の真空吸着装置の保持面を示す拡大図であ
る。

【図３】図１（ｂ）のＡ部を拡大した断面図である。

【図４】本発明に係る他の真空吸着装置を示す縦断面図
である。

【図５】本発明に係る真空吸着装置をＣＭＰ装置に組み
込んだ状態を示す概略図である。

【図６】従来の真空吸着装置を示す図であり、（ａ）は
斜視図、（ｂ）はＹ−Ｙ線断面図である。

【図７】従来の真空吸着装置を示す図であり、（ａ）は
斜視図、（ｂ）はＺ−Ｚ線断面図である。

【符号の説明】

１・・・セラミック球状体、２・・・ガラス、 11
真空吸着装置、12・・・基体、 13 保持面、 14 吸
引面、 15 気孔、 16 シール剤

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平均粒子径が０．０１〜３ｍｍで、かつ真
球度が平均粒子径に対し±３０％以下であるセラミック
球状体をガラスで結合してなる多孔質セラミックスによ
り板状の基体を構成するとともに、その外側面を樹脂ま
たはガラスでシールしたことを特徴とする真空吸着装
置。