JPH10123573A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH10123573A JPH10123573A JP9299465A JP29946597A JPH10123573A JP H10123573 A JPH10123573 A JP H10123573A JP 9299465 A JP9299465 A JP 9299465A JP 29946597 A JP29946597 A JP 29946597A JP H10123573 A JPH10123573 A JP H10123573A
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- signal lines
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素電極とそれに隣接したデータ信号線との
間のリバースティルト領域で液晶が不完全に配向される
ことを防止すると同時に開口率を向上させる液晶表示素
子を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板上にマトリックス形に配列
された多数のゲート信号線と多数のデータ信号線と、ゲ
ート信号線とデータ信号線との交差点にそれぞれ位置
し、それぞれゲート，ソース及びドレイン電極を備える
多数の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのそれぞ
れのソースまたはドレイン電極に連結される多数の画素
電極及びデータ信号線に隣接した画素電極の縁部分と画
素電極及びそれに隣接したデータ信号線の間の部分の基
板上に形成され、その一側の縁部分が画素電極と重畳さ
れ、その重畳される部分はそれらの間に介在された絶縁
膜を貫通するように形成されたコンタクトプラグにより
画素電極と電気的に連結される多数の不透明電極とを備
える。
間のリバースティルト領域で液晶が不完全に配向される
ことを防止すると同時に開口率を向上させる液晶表示素
子を提供する。 【解決手段】 透明絶縁基板上にマトリックス形に配列
された多数のゲート信号線と多数のデータ信号線と、ゲ
ート信号線とデータ信号線との交差点にそれぞれ位置
し、それぞれゲート，ソース及びドレイン電極を備える
多数の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのそれぞ
れのソースまたはドレイン電極に連結される多数の画素
電極及びデータ信号線に隣接した画素電極の縁部分と画
素電極及びそれに隣接したデータ信号線の間の部分の基
板上に形成され、その一側の縁部分が画素電極と重畳さ
れ、その重畳される部分はそれらの間に介在された絶縁
膜を貫通するように形成されたコンタクトプラグにより
画素電極と電気的に連結される多数の不透明電極とを備
える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に係
り、より詳しくは蓄積キャパシタを有する液晶表示素子
に関する。
り、より詳しくは蓄積キャパシタを有する液晶表示素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、テレビやコンピュータのモニタ等
の表示装置として液晶表示装置が広く使用されている。
液晶表示装置は、液晶の駆動方法、用いられる液晶の種
類、その他の構成要素により様々に分類される。このよ
うな液晶表示装置の中で、特にアクティブマトリックス
型の液晶表示装置は、応答速度の速さや高画質であるこ
と、また、大画面化が可能であること、さらにはカラー
化が達成できること等により、研究開発が集中的に行な
われている。
の表示装置として液晶表示装置が広く使用されている。
液晶表示装置は、液晶の駆動方法、用いられる液晶の種
類、その他の構成要素により様々に分類される。このよ
うな液晶表示装置の中で、特にアクティブマトリックス
型の液晶表示装置は、応答速度の速さや高画質であるこ
と、また、大画面化が可能であること、さらにはカラー
化が達成できること等により、研究開発が集中的に行な
われている。
【０００３】一般的に、アクティブマトリックス型の液
晶表示装置は、スイッチング素子や画素電極が形成され
た第１透明基板と、カラーフィルタや対向電極が形成さ
れた第２透明基板とを含む。そして、一定間隔を持ち合
着された第１及び第２透明基板間の空間に液晶が詰めら
れている。又、各透明基板の背面には可視光線を線形的
に偏光するための偏光板が付着されている。
晶表示装置は、スイッチング素子や画素電極が形成され
た第１透明基板と、カラーフィルタや対向電極が形成さ
れた第２透明基板とを含む。そして、一定間隔を持ち合
着された第１及び第２透明基板間の空間に液晶が詰めら
れている。又、各透明基板の背面には可視光線を線形的
に偏光するための偏光板が付着されている。
【０００４】Ｈｏｅ Ｓ. Ｓｏは、米国特許第５, ５２
８, ３９５号で薄膜トランジスタ液晶表示装置に言及し
ている。Ｓｏが提案した単位画素の構造を図５を参照し
て説明する。ここで、単位画素は、一方向へ同一間隔を
おいて配列され、互いに平行な多数のゲート信号線中の
互いに隣接した一対のゲート信号線と、前記多数のデー
タ信号線中の互いに隣接した一対のデータ信号線との交
差により区分される領域と定義される。
８, ３９５号で薄膜トランジスタ液晶表示装置に言及し
ている。Ｓｏが提案した単位画素の構造を図５を参照し
て説明する。ここで、単位画素は、一方向へ同一間隔を
おいて配列され、互いに平行な多数のゲート信号線中の
互いに隣接した一対のゲート信号線と、前記多数のデー
タ信号線中の互いに隣接した一対のデータ信号線との交
差により区分される領域と定義される。
【０００５】図５は、単位画素とそれに隣接した部分等
を概略的に示した平面図である。図５を参照して、一方
向へ駆動信号が印加される二つのゲート信号線１及び１
ａ、このゲート信号線の方向に垂直な方向に配置され
る、映像データ信号が印加される二つのデータ信号線２
及び２ａ、そして、ゲート信号線１，１ａとデータ信号
線２，２ａとにより区画される画素領域に位置する透明
電極４と、この単位画素として作用する前記透明電極４
をスイッチングする薄膜トランジスタ３とを有し、この
薄膜トランジスタ３はゲート信号線１と連結されるゲー
ト電極，データ信号線２と連結されるソース電極，及び
透明電極４と連結されるドレイン電極を備える。この透
明電極４に“ハイ”または“ロー”のデータ信号が印加
されると、この信号状態を所定時間の間維持するため三
つのキャパシタとなる。本先行技術では、第１蓄積キャ
パシタ６を形成するために透明電極４とその画素に隣接
して配置された液晶セルのゲート信号線１ａとが重畳さ
れる。各画素に隣接した液晶セルのゲート信号線１ａに
対し、ダイオード７または７ａの一つの端子が正方向に
接続され、他の端子は基準電極８または８ａに接続され
る。この基準電極８または８ａはＨ形態としてデータ信
号線２または２ａに対して対称であり、Ｈ形状の翼面(w
ing)は隣接した画素の透明電極４と所定部分重畳され
る。又、この基準電極８または８ａは、データ信号線２
と透明電極４との間、データ信号線２ａと透明電極４と
の間として定義されるリバースティルト(reverse tilt)
領域を遮蔽するために不透明電極から構成される。従っ
て、このような透明電極４と重畳された基準電極８、８
ａにより第２蓄積キャパシタと第３蓄積キャパシタがそ
れぞれ形成される。
を概略的に示した平面図である。図５を参照して、一方
向へ駆動信号が印加される二つのゲート信号線１及び１
ａ、このゲート信号線の方向に垂直な方向に配置され
る、映像データ信号が印加される二つのデータ信号線２
及び２ａ、そして、ゲート信号線１，１ａとデータ信号
線２，２ａとにより区画される画素領域に位置する透明
電極４と、この単位画素として作用する前記透明電極４
をスイッチングする薄膜トランジスタ３とを有し、この
薄膜トランジスタ３はゲート信号線１と連結されるゲー
ト電極，データ信号線２と連結されるソース電極，及び
透明電極４と連結されるドレイン電極を備える。この透
明電極４に“ハイ”または“ロー”のデータ信号が印加
されると、この信号状態を所定時間の間維持するため三
つのキャパシタとなる。本先行技術では、第１蓄積キャ
パシタ６を形成するために透明電極４とその画素に隣接
して配置された液晶セルのゲート信号線１ａとが重畳さ
れる。各画素に隣接した液晶セルのゲート信号線１ａに
対し、ダイオード７または７ａの一つの端子が正方向に
接続され、他の端子は基準電極８または８ａに接続され
る。この基準電極８または８ａはＨ形態としてデータ信
号線２または２ａに対して対称であり、Ｈ形状の翼面(w
ing)は隣接した画素の透明電極４と所定部分重畳され
る。又、この基準電極８または８ａは、データ信号線２
と透明電極４との間、データ信号線２ａと透明電極４と
の間として定義されるリバースティルト(reverse tilt)
領域を遮蔽するために不透明電極から構成される。従っ
て、このような透明電極４と重畳された基準電極８、８
ａにより第２蓄積キャパシタと第３蓄積キャパシタがそ
れぞれ形成される。
【０００６】前記の液晶表示素子は、蓄積キャパシタ６
ａ及び６ｂにピンホールが形成されても電気的なフェー
ル(fail)が発生しなく、基準電極８及び８ａは透明電極
と等電圧が維持できる。従って、前記リバースティルト
領域で形成された蓄積キャパシタにより液晶が不完全に
動作することが防止できる。又、リバースティルト領域
に形成された基準電極で光漏洩が遮断されるので、ブラ
ックマトリックスの工程マージンが減らせる効果があ
る。
ａ及び６ｂにピンホールが形成されても電気的なフェー
ル(fail)が発生しなく、基準電極８及び８ａは透明電極
と等電圧が維持できる。従って、前記リバースティルト
領域で形成された蓄積キャパシタにより液晶が不完全に
動作することが防止できる。又、リバースティルト領域
に形成された基準電極で光漏洩が遮断されるので、ブラ
ックマトリックスの工程マージンが減らせる効果があ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記のような効果にも
係わらず、前記の基準電極に信号を印加するために、一
つのセルに一つのダイオードを備える必要があるが、こ
のダイオードを形成するためには開口部の約１０％以上
の空間が必要となって、開口率が低下する問題がある。
又、ダイオードの特性により基準電極の電界が減少する
問題がある。さらに、ダイオードの形成による製造上の
歩留りが減少する問題を有する。
係わらず、前記の基準電極に信号を印加するために、一
つのセルに一つのダイオードを備える必要があるが、こ
のダイオードを形成するためには開口部の約１０％以上
の空間が必要となって、開口率が低下する問題がある。
又、ダイオードの特性により基準電極の電界が減少する
問題がある。さらに、ダイオードの形成による製造上の
歩留りが減少する問題を有する。
【０００８】本発明は前記の従来の問題点を解決しよう
と提案されたもので、データ信号線と画素電極との水平
電界により引き起こされる漏洩電流とリバースティルト
現象とによる液晶表示素子の特性低下を防止するととも
に、開口率を向上させることができ、また、製造上の歩
留りを高めることができる液晶表示素子を提供すること
をその目的としている。
と提案されたもので、データ信号線と画素電極との水平
電界により引き起こされる漏洩電流とリバースティルト
現象とによる液晶表示素子の特性低下を防止するととも
に、開口率を向上させることができ、また、製造上の歩
留りを高めることができる液晶表示素子を提供すること
をその目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明による液晶表示素子は、透明絶縁基板上に一
方向へ同一間隔をおいて互いに平行に配列され、予定位
置に突出部を有する多数のゲート信号線と、前記ゲート
信号線の配列方向と直交する方向へ同一間隔をおいて互
いに平行に配列された多数のデータ信号線と、前記ゲー
ト信号線と前記データ信号線との交差点にそれぞれ位置
し、それぞれゲート、ソース及び、ドレイン電極を備え
る多数の薄膜トランジスタと、前記各薄膜トランジスタ
のドレイン電極にそれぞれ電気的に連結され、その所定
部分が前記各ゲート信号線の突出部と絶縁膜の介在され
た状態で重畳される多数の画素電極及び、前記データ信
号線に隣接した画素電極の縁部分から、前記画素電極及
びそれに隣接したデータ信号線の間の部分に至るように
前記透明絶縁基板上に形成され、その一側の縁部分が前
記画素電極と重畳され、その重畳される部分の間には前
記絶縁膜が介在され、前記絶縁膜を貫通するように形成
されたコンタクトプラグにより前記画素電極と電気的に
連結される多数の不透明電極とを備える。
め、本発明による液晶表示素子は、透明絶縁基板上に一
方向へ同一間隔をおいて互いに平行に配列され、予定位
置に突出部を有する多数のゲート信号線と、前記ゲート
信号線の配列方向と直交する方向へ同一間隔をおいて互
いに平行に配列された多数のデータ信号線と、前記ゲー
ト信号線と前記データ信号線との交差点にそれぞれ位置
し、それぞれゲート、ソース及び、ドレイン電極を備え
る多数の薄膜トランジスタと、前記各薄膜トランジスタ
のドレイン電極にそれぞれ電気的に連結され、その所定
部分が前記各ゲート信号線の突出部と絶縁膜の介在され
た状態で重畳される多数の画素電極及び、前記データ信
号線に隣接した画素電極の縁部分から、前記画素電極及
びそれに隣接したデータ信号線の間の部分に至るように
前記透明絶縁基板上に形成され、その一側の縁部分が前
記画素電極と重畳され、その重畳される部分の間には前
記絶縁膜が介在され、前記絶縁膜を貫通するように形成
されたコンタクトプラグにより前記画素電極と電気的に
連結される多数の不透明電極とを備える。
【００１０】また、本発明による液晶表示素子は、突出
部を有しない互いに平行に配列されたゲート信号線を備
え、蓄積キャパシタの形成のために画素電極と前記画素
電極に隣接したゲート信号線との間で、前記ゲート信号
線と平行に配列され、前記画素電極の方向へ突出した突
出部を有し、前記突出部の一部が前記画素電極の所定部
分と絶縁膜を介在した状態で重畳される蓄積キャパシタ
用電極線を備える。又、リバースティルト現象の防止及
び光漏洩の防止のため、データ信号線に隣接した画素電
極の縁部分から、前記画素電極及びそれに隣接したデー
タ信号線の間の部分に至るように透明絶縁基板上に形成
され、その一側の縁部分が前記画素電極と重畳され、そ
の重畳される部分の間には前記絶縁膜が介在され、前記
絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトプラグに
より前記画素電極と電気的に連結される多数の不透明電
極を備える。
部を有しない互いに平行に配列されたゲート信号線を備
え、蓄積キャパシタの形成のために画素電極と前記画素
電極に隣接したゲート信号線との間で、前記ゲート信号
線と平行に配列され、前記画素電極の方向へ突出した突
出部を有し、前記突出部の一部が前記画素電極の所定部
分と絶縁膜を介在した状態で重畳される蓄積キャパシタ
用電極線を備える。又、リバースティルト現象の防止及
び光漏洩の防止のため、データ信号線に隣接した画素電
極の縁部分から、前記画素電極及びそれに隣接したデー
タ信号線の間の部分に至るように透明絶縁基板上に形成
され、その一側の縁部分が前記画素電極と重畳され、そ
の重畳される部分の間には前記絶縁膜が介在され、前記
絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトプラグに
より前記画素電極と電気的に連結される多数の不透明電
極を備える。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の望ましい一実施の形態を詳細に説明する。
の望ましい一実施の形態を詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明に係る第１の実施の形態に
よる単位薄膜トランジスタ液晶表示素子を示す。図１を
参照して、薄膜トランジスタ液晶表示素子は、二つのゲ
ート信号線１２、１３と、二つのデータ信号線１６ａ、
１６ｂと、前記二つのゲート信号線１２、１３及び二つ
のデータ信号線１６ａ、１６ｂにより区分される領域に
形成される一つの画素電極１８及び、この画素電極１８
をスイッチングする薄膜トランジスタ２０とを含む単位
画素領域等が多数配置される構造を有する。薄膜トラン
ジスタ２０のゲート電極（図示せず）はゲート信号線１
２に連結され、データ信号線１６ａはソース２０ｂに連
結され、ドレイン２０ｃは画素電極１８に連結される。
画素電極１８は、この画素電極１８に対して下方向へ隣
接した他の画素電極を駆動するためのゲート信号線１３
及びそれらの間に介在された絶縁膜（図示せず）ととも
に蓄積キャパシタ(Storage capacitor) を形成するよう
に、前記ゲート信号線１３の突出された部分１３ａと重
畳されている。図１に示す第１の実施の形態において、
ゲート信号線１２は画素電極１８に対応し、ゲート信号
線１３は画素電極１８に対して下方向へ隣接した他の画
素電極に対応する。一方、ゲート信号線１２の突出部１
２ａは画素電極１８に対して上方向へ隣接した他の画素
電極に対応し、ゲート信号線１３の突出部１３ａは画素
電極１８に対応する。この突出部１２ａ、１３ａは、単
位画素領域内に少なくとも一つの蓄積キャパシタを有す
るようにするための選択的な構成であって、図１に示す
例ではそれぞれの突出部が該当のゲート信号線に対応す
る画素電極に対して外側へ突出されている。しかしなが
ら、それぞれの突出部を該当のゲート信号線に対応する
画素電極に対して内側へ突出させるようにすることも可
能である。この場合においてはゲート信号線１２の突出
部１２ａは画素電極１８と蓄積キャパシタを構成し、ゲ
ート信号線１３の突出部１３ａは画素電極１８の下方向
へ隣接した他の画素電極と蓄積キャパシタを構成するこ
とになる。
よる単位薄膜トランジスタ液晶表示素子を示す。図１を
参照して、薄膜トランジスタ液晶表示素子は、二つのゲ
ート信号線１２、１３と、二つのデータ信号線１６ａ、
１６ｂと、前記二つのゲート信号線１２、１３及び二つ
のデータ信号線１６ａ、１６ｂにより区分される領域に
形成される一つの画素電極１８及び、この画素電極１８
をスイッチングする薄膜トランジスタ２０とを含む単位
画素領域等が多数配置される構造を有する。薄膜トラン
ジスタ２０のゲート電極（図示せず）はゲート信号線１
２に連結され、データ信号線１６ａはソース２０ｂに連
結され、ドレイン２０ｃは画素電極１８に連結される。
画素電極１８は、この画素電極１８に対して下方向へ隣
接した他の画素電極を駆動するためのゲート信号線１３
及びそれらの間に介在された絶縁膜（図示せず）ととも
に蓄積キャパシタ(Storage capacitor) を形成するよう
に、前記ゲート信号線１３の突出された部分１３ａと重
畳されている。図１に示す第１の実施の形態において、
ゲート信号線１２は画素電極１８に対応し、ゲート信号
線１３は画素電極１８に対して下方向へ隣接した他の画
素電極に対応する。一方、ゲート信号線１２の突出部１
２ａは画素電極１８に対して上方向へ隣接した他の画素
電極に対応し、ゲート信号線１３の突出部１３ａは画素
電極１８に対応する。この突出部１２ａ、１３ａは、単
位画素領域内に少なくとも一つの蓄積キャパシタを有す
るようにするための選択的な構成であって、図１に示す
例ではそれぞれの突出部が該当のゲート信号線に対応す
る画素電極に対して外側へ突出されている。しかしなが
ら、それぞれの突出部を該当のゲート信号線に対応する
画素電極に対して内側へ突出させるようにすることも可
能である。この場合においてはゲート信号線１２の突出
部１２ａは画素電極１８と蓄積キャパシタを構成し、ゲ
ート信号線１３の突出部１３ａは画素電極１８の下方向
へ隣接した他の画素電極と蓄積キャパシタを構成するこ
とになる。
【００１３】一方、前記画素電極１８の図面上左右両側
の縁から前記画素電極１８に隣接したデータ信号線１６
ａまたは１６ｂの間の選択領域までのリバースティルト
領域Ａ、Ｂには不透明電極１４ａまたは１４ｂが形成さ
れている。前記不透明電極１４ａ、１４ｂと前記画素電
極１８との重畳される部分には絶縁層が介在させるが、
前記不透明電極１４ａ、１４ｂが画素電極１８と等電位
が維持されるように、これら二つの電極間の電気的な連
結は前記絶縁層に形成された四角柱の形のコンタクトプ
ラグ２２ａ、２２ｂによる。このコンタクトプラグ２２
ａ、２２ｂは透明画素電極１８の形成時おいて一緒に形
成されるものであって、画素電極の構成物質と同一なＩ
ＴＯ(Indium Tin Oxide)物質からなり、画素電極の一部
を構成する。又、前記コンタクトプラグ２２ａ、２２ｂ
を画素電極と異なる物質から構成し、画素電極とは別に
形成することも可能である。
の縁から前記画素電極１８に隣接したデータ信号線１６
ａまたは１６ｂの間の選択領域までのリバースティルト
領域Ａ、Ｂには不透明電極１４ａまたは１４ｂが形成さ
れている。前記不透明電極１４ａ、１４ｂと前記画素電
極１８との重畳される部分には絶縁層が介在させるが、
前記不透明電極１４ａ、１４ｂが画素電極１８と等電位
が維持されるように、これら二つの電極間の電気的な連
結は前記絶縁層に形成された四角柱の形のコンタクトプ
ラグ２２ａ、２２ｂによる。このコンタクトプラグ２２
ａ、２２ｂは透明画素電極１８の形成時おいて一緒に形
成されるものであって、画素電極の構成物質と同一なＩ
ＴＯ(Indium Tin Oxide)物質からなり、画素電極の一部
を構成する。又、前記コンタクトプラグ２２ａ、２２ｂ
を画素電極と異なる物質から構成し、画素電極とは別に
形成することも可能である。
【００１４】一方、前記実施の形態では、蓄積キャパシ
タ形成のためにゲート信号線の所定部分が突出するよう
にして画素電極と重畳させた構造を提示したが、図２の
ように、突出させずに互いに平行な二つのゲート信号線
４２ａ、４２ｂを備え、蓄積キャパシタ用電極線６０を
別に構成することも可能である。図２に示す実施の形態
では、ゲート信号線に印加される駆動電圧を蓄積容量を
維持するための電源として使用したが、この場合は、蓄
積キャパシタ用電極線６０に駆動電圧を印加するための
別の電圧源を備えることが好ましい。
タ形成のためにゲート信号線の所定部分が突出するよう
にして画素電極と重畳させた構造を提示したが、図２の
ように、突出させずに互いに平行な二つのゲート信号線
４２ａ、４２ｂを備え、蓄積キャパシタ用電極線６０を
別に構成することも可能である。図２に示す実施の形態
では、ゲート信号線に印加される駆動電圧を蓄積容量を
維持するための電源として使用したが、この場合は、蓄
積キャパシタ用電極線６０に駆動電圧を印加するための
別の電圧源を備えることが好ましい。
【００１５】図２に示す第２の実施の形態における構成
において、ゲート信号線４２ａ、４２ｂと蓄積キャパシ
タ用電極線６０とを除外した、第１及び第２薄膜トラン
ジスタ５０，７０、不透明電極４４ａ，４４ｂ、コンタ
クトプラグ５２ａ，５２ｂ及び、画素電極４８は、図１
に示す第１の実施の形態と同一な構成及び機能を有する
ので、その説明を省略する。
において、ゲート信号線４２ａ、４２ｂと蓄積キャパシ
タ用電極線６０とを除外した、第１及び第２薄膜トラン
ジスタ５０，７０、不透明電極４４ａ，４４ｂ、コンタ
クトプラグ５２ａ，５２ｂ及び、画素電極４８は、図１
に示す第１の実施の形態と同一な構成及び機能を有する
ので、その説明を省略する。
【００１６】図３は、図１に示す液晶表示素子のII−II
線矢視断面図である。図２に示す液晶表示素子のIII −
III 線矢視断面図も以下に説明する図３の液晶表示素子
と同一の構成を有するのでここではその説明を省略す
る。図３を参照して、透明絶縁基板１０上に不透明電極
１４ａ−１４ｄが形成される。図には示されていない
が、前記不透明電極１４ａ−１４ｄの形成時において図
１に示すゲート信号線１２及びゲート電極（示されず）
も一緒に形成される。不透明電極１４ａ−１４ｄの上部
には絶縁膜１５が蒸着される。この絶縁膜１５の所定部
分をエッチングにて不透明電極１４ａ−１４ｄの一部分
が露出するように、四角柱形状の貫通ホール２３ａ−２
３ｄを形成する。この貫通ホール２３ａ−２３ｂは前記
の四角柱の形状だけでなく、後続の工程で形成される透
明電極とのコンタクトを容易に行なえる他の構造とする
ことも可能である。また、図には示されていないが、薄
膜トランジスタ形成のためのチャネル層が形成され、こ
のチャネル層の上部には、ソース，ドレイン電極のため
のイオンドーピングされた半導体層が選択的に形成され
る。その後、データ信号線１６ａ、１６ｂが前記絶縁膜
１５に形成されるが、この際に、ソース、ドレイン電極
とのコンタクトのための金属層パターン（示せず）も一
緒に形成される。また、一対の貫通ホール２３ａ、２３
ｂを含む前記絶縁膜１５の所定部分の上に画素電極１８
が形成されるが、この際に、それぞれの貫通ホール２３
ａ−２３ｄには前記画素電極用物質が埋め込まれ、露出
された前記不透明電極１４ａ、１４ｂと電気的にコンタ
クトが可能となる。前記不透明電極は、クロム、タンタ
ル、アルミニウム、モリタンタル及びモリタングステン
からなるグループの中、少なくとも一つの金属から構成
される。
線矢視断面図である。図２に示す液晶表示素子のIII −
III 線矢視断面図も以下に説明する図３の液晶表示素子
と同一の構成を有するのでここではその説明を省略す
る。図３を参照して、透明絶縁基板１０上に不透明電極
１４ａ−１４ｄが形成される。図には示されていない
が、前記不透明電極１４ａ−１４ｄの形成時において図
１に示すゲート信号線１２及びゲート電極（示されず）
も一緒に形成される。不透明電極１４ａ−１４ｄの上部
には絶縁膜１５が蒸着される。この絶縁膜１５の所定部
分をエッチングにて不透明電極１４ａ−１４ｄの一部分
が露出するように、四角柱形状の貫通ホール２３ａ−２
３ｄを形成する。この貫通ホール２３ａ−２３ｂは前記
の四角柱の形状だけでなく、後続の工程で形成される透
明電極とのコンタクトを容易に行なえる他の構造とする
ことも可能である。また、図には示されていないが、薄
膜トランジスタ形成のためのチャネル層が形成され、こ
のチャネル層の上部には、ソース，ドレイン電極のため
のイオンドーピングされた半導体層が選択的に形成され
る。その後、データ信号線１６ａ、１６ｂが前記絶縁膜
１５に形成されるが、この際に、ソース、ドレイン電極
とのコンタクトのための金属層パターン（示せず）も一
緒に形成される。また、一対の貫通ホール２３ａ、２３
ｂを含む前記絶縁膜１５の所定部分の上に画素電極１８
が形成されるが、この際に、それぞれの貫通ホール２３
ａ−２３ｄには前記画素電極用物質が埋め込まれ、露出
された前記不透明電極１４ａ、１４ｂと電気的にコンタ
クトが可能となる。前記不透明電極は、クロム、タンタ
ル、アルミニウム、モリタンタル及びモリタングステン
からなるグループの中、少なくとも一つの金属から構成
される。
【００１７】前記不透明電極１４ａ，１４ｂは、前記画
素電極１８との接続によりこの画素電極１８を通じて電
源が供給されるので、前記画素電極１８と等電位にな
る。その結果、画素電極１８とデータ信号線１６ａ、１
６ｂとの間のカップリング現象により、画素電極１８の
両側の縁から画素電極１８とそれに隣接したデータ信号
線１６ａ、１６ｂの間の空間の所定部分に至る領域で、
液晶がリバースティルトされる現象が防止される。
素電極１８との接続によりこの画素電極１８を通じて電
源が供給されるので、前記画素電極１８と等電位にな
る。その結果、画素電極１８とデータ信号線１６ａ、１
６ｂとの間のカップリング現象により、画素電極１８の
両側の縁から画素電極１８とそれに隣接したデータ信号
線１６ａ、１６ｂの間の空間の所定部分に至る領域で、
液晶がリバースティルトされる現象が防止される。
【００１８】図４は、図１のIV−IV線に沿って切断され
た断面図である。図１と図４とを参照して、絶縁膜１５
はゲート信号線１２，１３と画素電極１８との間に介在
され、画素電極１８とその下部のゲート信号線１３とは
所定部分が重畳されていることが図面よりみてとれる。
た断面図である。図１と図４とを参照して、絶縁膜１５
はゲート信号線１２，１３と画素電極１８との間に介在
され、画素電極１８とその下部のゲート信号線１３とは
所定部分が重畳されていることが図面よりみてとれる。
【００１９】なお、本発明は前記説明の実施の形態に限
定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲
において様々な変形が可能である。従って、前記特許請
求の範囲は、本発明の真正の思想と範囲に属する限り、
すべての修正と変型とを含むものものである。
定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲
において様々な変形が可能である。従って、前記特許請
求の範囲は、本発明の真正の思想と範囲に属する限り、
すべての修正と変型とを含むものものである。
【００２０】
【発明の効果】前記説明のように本発明によれば、画素
電極の両側の縁から画素電極とそれに隣接したデータ信
号線の間の空間の所定部分に至る不透明電極を形成し、
この不透明電極を上部の画素電極と電気的に連結し、リ
バースティルト領域を画素電極領域と等電位を有するよ
うに構成することにより、リバースティルト領域を減少
させることができる。又、ゲート信号線の所定部分を、
上部、または下部へ突出するようにし、画素電極及びそ
の間に介在された絶縁層とともに蓄積キャパシタを形成
する構成とすることにより画質の低下が防止できる。
又、前記不透明電極は光遮断膜の役割をするので、ブラ
ックマトリックスに対する工程マージンを減らして液晶
表示素子の開口率を向上させることができる。
電極の両側の縁から画素電極とそれに隣接したデータ信
号線の間の空間の所定部分に至る不透明電極を形成し、
この不透明電極を上部の画素電極と電気的に連結し、リ
バースティルト領域を画素電極領域と等電位を有するよ
うに構成することにより、リバースティルト領域を減少
させることができる。又、ゲート信号線の所定部分を、
上部、または下部へ突出するようにし、画素電極及びそ
の間に介在された絶縁層とともに蓄積キャパシタを形成
する構成とすることにより画質の低下が防止できる。
又、前記不透明電極は光遮断膜の役割をするので、ブラ
ックマトリックスに対する工程マージンを減らして液晶
表示素子の開口率を向上させることができる。
【００２１】さらに、前記不透明電極への電圧印加のた
めに、先行技術とは異なってダイオードを必要としない
ので、ダイオードが占める約１０％以上の空間を詰める
ことができることから、この分、開口率を向上させるこ
とができる。あわせて、本発明は従来の構造に比べてダ
イオードの形成による製造上の歩留り低下を防止するこ
とができる効果を奏する。
めに、先行技術とは異なってダイオードを必要としない
ので、ダイオードが占める約１０％以上の空間を詰める
ことができることから、この分、開口率を向上させるこ
とができる。あわせて、本発明は従来の構造に比べてダ
イオードの形成による製造上の歩留り低下を防止するこ
とができる効果を奏する。
【図１】本発明の一実施の形態による液晶表示素子の単
位画素を示す平面図である。
位画素を示す平面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態による液晶表示素子の
単位画素を示す平面図である。
単位画素を示す平面図である。
【図３】図１のII−II線，図２のIII −III 線に沿って
切断して示した液晶表示素子の断面図である。
切断して示した液晶表示素子の断面図である。
【図４】図１のIV−IV線を沿って切断して示した断面図
である。
である。
【図５】従来の液晶表示素子を示す平面図である。
１，１ａ，１２，１３，４２ａ，４２ｂ ゲート信号線 ２，２ａ，１６ａ，１６ｂ，４６ａ，４６ｂ データ信
号線 ３，２０，３０，５０，７０ 薄膜トランジスタ １８，４８ 画素電極 ６，６ａ，６ｂ 蓄積キャパシタ ７，７ａ ダイオード ８ 基準電極 １２ａ，１３ａ ゲート信号線の突出部 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，４４ａ，４４ｂ 不
透明電極 ２０ａ，３０ａ，５０ａ チャネル層 ２０ｂ，３０ｂ，５０ｂ ソース ２０ｃ，３０ｃ，５０ｃ ドレイン ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，５２ａ，５２ｂ コ
ンタクトプラグ ６０ キャパシタ用電極線
号線 ３，２０，３０，５０，７０ 薄膜トランジスタ １８，４８ 画素電極 ６，６ａ，６ｂ 蓄積キャパシタ ７，７ａ ダイオード ８ 基準電極 １２ａ，１３ａ ゲート信号線の突出部 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，４４ａ，４４ｂ 不
透明電極 ２０ａ，３０ａ，５０ａ チャネル層 ２０ｂ，３０ｂ，５０ｂ ソース ２０ｃ，３０ｃ，５０ｃ ドレイン ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，５２ａ，５２ｂ コ
ンタクトプラグ ６０ キャパシタ用電極線
Claims (10)
- 【請求項１】 透明絶縁基板と、 前記透明絶縁基板上に一方向へ同一間隔をおいて互いに
平行に配列され、予定位置に突出部を有する多数のゲー
ト信号線と、 前記ゲート信号線の配列方向と直交する方向へ同一間隔
をおいて互いに平行に配列された多数のデータ信号線
と、 前記ゲート信号線と前記データ信号線との交差点にそれ
ぞれ位置し、それぞれゲート，ソース及び，ドレイン電
極を備える多数の薄膜トランジスタと、 前記各薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ電気
的に連結され、その所定部分が前記各ゲート信号線の突
出部と絶縁膜とが介在された状態で重畳される多数の画
素電極と、 前記データ信号線に隣接した画素電極の縁部分から、前
記画素電極及びそれに隣接したデータ信号線の間の部分
に至るように前記透明絶縁基板上に形成され、その一側
の縁部分が前記画素電極と重畳され、その重畳される部
分の間には前記絶縁膜が介在され、前記絶縁膜を貫通す
るように形成されたコンタクトプラグにより前記画素電
極と電気的に連結される多数の不透明電極とを備え、 前記多数のゲート信号線中の互いに隣接した二つのゲー
ト信号線と、前記多数のデータ信号線中の互いに隣接し
た二つのデータ信号線との交差により区分される領域が
単位画素と定義されることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記不透明電極は前記画素電極と等電位
を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示素
子。 - 【請求項３】 前記不透明電極はクロム(chromium)，タ
ンタル(tantaluim )，アルミニウム(aluminum)，モリタ
ンタル(molytantal)及びモリタングステン(molytungste
n)から構成されるグループの中から選択される少なくと
も一つの金属であることを特徴とする請求項１記載の液
晶表示素子。 - 【請求項４】 前記多数のゲート信号線中の任意のゲー
ト信号線の突出部は、前記データ信号線の配列方向へ前
記任意のゲート信号線に隣接した画素電極中のいずれか
一つと重畳されるように突出することを特徴とする請求
項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記多数のゲート信号線中の任意のゲー
ト信号線の突出部は、前記任意のゲート信号線に対応す
る画素電極の内側へ突出することを特徴とする請求項１
記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記画素電極はＩＴＯ(Indium Tin Oxid
e)物質からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表
示素子。 - 【請求項７】 前記コンタクトプラグは四角柱の形であ
ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項８】 前記コンタクトプラグは前記画素電極と
同一物質であることを特徴とする請求項１記載の液晶表
示素子。 - 【請求項９】 前記コンタクトプラグはＩＴＯ物質から
なることを特徴とする請求項８記載の液晶表示素子。 - 【請求項１０】 透明絶縁基板と、 透明絶縁基板上に一方向へ同一間隔をおいて互いに平行
に配列された多数のゲート信号線と、 前記ゲート信号線の配列方向と直交する方向へ同一間隔
をおいて互いに平行に配列された多数のデータ信号線
と、 前記ゲート信号線と前記データ信号線との交差点にそれ
ぞれ位置し、それぞれゲート、ソース及び、ドレイン電
極を備える多数の薄膜トランジスタと、 前記各薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ電気
的に連結された多数の画素電極と、 前記データ信号線に隣接した画素電極の縁部分から、前
記画素電極及びそれに隣接したデータ信号線の間の部分
に至るように前記透明絶縁基板上に形成され、その一側
の縁部分が前記画素電極と重畳され、その重畳される部
分の間には前記絶縁膜が介在され、前記絶縁膜を貫通す
るように形成されたコンタクトプラグにより前記画素電
極と電気的に連結される多数の不透明電極及び、 前記画素電極と前記画素電極に隣接したゲート信号線と
の間で、前記ゲート信号線と平行に配列され、前記画素
電極の方向に突出した突出部を有し、前記突出部の一部
が前記画素電極の所定部分と前記絶縁膜を介在した状態
で重畳される蓄積キャパシタ用電極線とを含み、 前記多数のゲート信号線中の互いに隣接した二つのゲー
ト信号線と、前記多数のデータ信号線中の互いに隣接し
た二つのデータ信号線との交差により区分される領域が
単位画素と定義されることを特徴とする液晶表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960046300A KR100247628B1 (ko) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| KR1996P46300 | 1996-10-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10123573A true JPH10123573A (ja) | 1998-05-15 |
| JP2949487B2 JP2949487B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=19477704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9299465A Expired - Lifetime JP2949487B2 (ja) | 1996-10-16 | 1997-10-16 | 液晶表示素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5844641A (ja) |
| JP (1) | JP2949487B2 (ja) |
| KR (1) | KR100247628B1 (ja) |
| TW (1) | TW460735B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101968591A (zh) * | 2006-03-30 | 2011-02-09 | 夏普株式会社 | 显示装置及滤色器基板 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW373114B (en) * | 1996-08-05 | 1999-11-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
| KR100209281B1 (ko) * | 1996-10-16 | 1999-07-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| KR100225097B1 (ko) * | 1996-10-29 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100471771B1 (ko) * | 1996-12-23 | 2005-07-07 | 삼성전자주식회사 | 광차단막을이용한데이터오픈프리박막트랜지스터액정표시장치 |
| JP3376379B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2003-02-10 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示パネル、液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP3349935B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2002-11-25 | アルプス電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2000075280A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP3401589B2 (ja) * | 1998-10-21 | 2003-04-28 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | Ｔｆｔアレイ基板および液晶表示装置 |
| KR100770470B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-10-26 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시 소자의 게이트 전극 형성방법 |
| KR20020067968A (ko) * | 2001-02-19 | 2002-08-24 | 우 옵트로닉스 코포레이션 | 박막 트랜지스터 어레이 구조 |
| JP4689851B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2011-05-25 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2002268084A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
| KR100475636B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| KR100443538B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR100493435B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2005-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| WO2003060601A1 (en) | 2002-01-15 | 2003-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | A wire for a display device, a method for manufacturing the same, a thin film transistor array panel including the wire, and a method for manufacturing the same |
| KR20030075046A (ko) * | 2002-03-15 | 2003-09-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100904261B1 (ko) * | 2002-12-06 | 2009-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 패널 |
| KR100961941B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2010-06-08 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 |
| TWI240135B (en) * | 2003-06-05 | 2005-09-21 | Au Optronics Corp | Method of stabilizing parasitic capacitance in an LCD device |
| KR100968565B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2010-07-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| KR100707034B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-04-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에서의 어레이 기판테스트를 위한 배선 형성방법 |
| KR101306206B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2013-09-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판, 이를 갖는 표시패널 및 이의 제조방법 |
| CN100499138C (zh) * | 2006-10-27 | 2009-06-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种tft lcd阵列基板结构及其制造方法 |
| CN101424794B (zh) * | 2007-11-02 | 2010-12-22 | 上海中航光电子有限公司 | 液晶显示装置及其修复方法 |
| TWI422939B (zh) * | 2010-12-10 | 2014-01-11 | Au Optronics Corp | 液晶顯示面板之薄膜電晶體基板 |
| CN106200151B (zh) | 2016-08-09 | 2019-12-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0288011A3 (en) * | 1987-04-20 | 1991-02-20 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
| JP2760462B2 (ja) * | 1992-05-13 | 1998-05-28 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| NL194848C (nl) * | 1992-06-01 | 2003-04-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. |
| KR960006205B1 (ko) * | 1992-12-30 | 1996-05-09 | 엘지전자주식회사 | 티에프티-엘씨디(tft-lcd)의 구조 |
| FR2702286B1 (fr) * | 1993-03-04 | 1998-01-30 | Samsung Electronics Co Ltd | Affichage à cristaux liquides et procédé pour le fabriquer. |
| JP3164489B2 (ja) * | 1994-06-15 | 2001-05-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
| TW321731B (ja) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
| JP3263250B2 (ja) * | 1994-08-24 | 2002-03-04 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-10-16 KR KR1019960046300A patent/KR100247628B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-10-15 TW TW086115136A patent/TW460735B/zh not_active IP Right Cessation
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| CN101968591A (zh) * | 2006-03-30 | 2011-02-09 | 夏普株式会社 | 显示装置及滤色器基板 |
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