JPH10102279A - 電気・電子回路部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気めっき錫−亜鉛傾斜合金皮膜を被覆した
電気・電子回路部品を提供する。 【解決手段】 錫−亜鉛系はんだではんだ接合すること
を目的として、非シアン系の錫−亜鉛合金電気めっき浴
から得られ、しかもめっき皮膜の下層側の亜鉛含有率が
０．１％以上、１５％以下であり且つめっき皮膜の表面
層側の組成を亜鉛含有率が下層皮膜よりも少ない０．５
％以下から錫単独範囲に至るまでの組成とする光沢又は
半光沢を有する１．０〜１００μｍ厚さの電気めっき錫
−亜鉛傾斜合金皮膜を予め被覆しておくことを特徴とす
る電気・電子回路部品である。はんだ接合性が良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ接合技術に
関し、特に、錫−亜鉛系のはんだで電気・電子回路を接
合するに適した電気めっき錫−亜鉛傾斜合金皮膜を施し
た電気・電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電気・電子工業においては、はんだ接合
によって回路を形成する方法は不可欠の技術であり、従
来、素材の熱損傷を避けるために極低温で接合しなけれ
ばならない等の特殊な場合を除き、殆どの場合の接合材
としては錫−鉛合金が、又はんだ付け皮膜としても錫−
鉛合金めっき皮膜が利用されてきた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
鉛の健康・環境への影響が懸念され、有害な鉛を含む錫
−鉛はんだ接合材を規制しようとする考えが急速にひろ
まりつつあり、地球環境保護に立脚したグロ−バルな問
題として、鉛フリ−の代替接合材を開発する必要に迫ら
れている。

【０００４】錫−鉛はんだ接合材の代替となりうるよう
な錫との合金における第二成分となる金属元素の条件は
毒性が低くかつ錫合金とした際に融点が低くなければな
らず、候補になりうる可能性のある元素は、銀、ビスマ
ス、銅、インジウム、アンチモン、亜鉛等に限定されざ
るを得ず、今のところ錫−鉛はんだ接合材に代替できる
ような鉛フリ−のはんだで工業的に採用し得る性能を満
足するものはなく、日米欧を中心として研究開発が行わ
れているところである。

【０００５】また、錫−鉛系はんだ接合材によってはん
だ接合をを行う場合、接合を迅速かつ確実に行うため
に、部品をはんだ接合工程に供する以前にはんだ接合さ
れ易いめっき皮膜を施しておくことが行われている。予
め施されるめっき皮膜としては、以前には錫めっきが施
されていたが、錫めっき皮膜を使用した場合には錫のウ
ィスカ−発生による電気回路短絡事故を招くおそれがあ
り、高信頼性が要求される電気・電子機器への使用は不
適当であり、現在では殆どの場合、錫−鉛合金が利用さ
れており、はんだ接合材に含有される鉛が規制されれ
ば、同時に前処理としての錫−鉛合金めっき皮膜もまた
その使用を制限されざるを得ない。

【０００６】そこで、前述した鉛代替はんだの第二金属
元素に列挙した亜鉛は、特にコストが安価である点並び
に錫と亜鉛が両性金属でありアルカリ水溶液に溶解しや
すく他の金属と分別回収、廃電化製品のリサイクル化に
有益である観点から有力な候補金属元素の一つとして研
究対象に挙げられる。

【０００７】しかしながら、錫−亜鉛系はんだ接合材
は、かつては古く行われていたようなはんだごてによる
高温かつ時間をかけたはんだ接合には利用可能な程度に
操作性や性能を有した接合材であるが、多数の接合箇所
を有する高密度実装の回路部品を低温かつ迅速に連続し
た接合をしなければならない電気・電子部品の接合材と
しては問題点も多い。即ち、錫−亜鉛合金は錫−鉛合金
に比べて、融点が高く、また、亜鉛は空気酸化によって
酸化され易い。さらに、錫中に亜鉛が混入するとざらつ
きを生じるところから、現状の錫−鉛系のはんだを用い
る際には、亜鉛の混入容量は通常０．００１％以下でな
ければならないとされている程である。このように問題
点の多い亜鉛であるが、鉛の使用が厳しく規制されるな
らば、利用可能な技術を開発し、それら問題点を解決し
ていかなければならない。

【０００８】

【課題を解決するための手段】はんだ接合の前処理のめ
っき皮膜で鉛を含まないものとして、金、銀、パラジウ
ム、錫等を利用する方法も考えられるが、錫単独の皮膜
はウィスカ−の発生という観点から、また、金、銀、パ
ラジウムなどはコストの観点から、これらを工業的に全
面的に採用する事は出来ない。これに対して発明者ら
は、鋭意研究の結果、めっき皮膜下層側の亜鉛含有率が
０．１〜１５％であって、皮膜表面層側が亜鉛含有率が
下層側組成よりも少ない０．５％から錫単独に至るまで
の組成とする錫−亜鉛傾斜合金皮膜を前処理皮膜として
被覆しておくことにより、低コストではんだ接合皮膜と
して優れた接合性が得られることを見出し、錫−亜鉛系
はんだ接合材の電気・電子回路部品への適用を可能と
し、はんだ接合工程における鉛規制問題を解決するに至
った。

【０００９】錫−亜鉛合金めっきは、従来耐食性皮膜と
して、特に毒性の高いカドミウムめっきの代替皮膜とし
て研究され、２０％〜３５％の亜鉛含有率の皮膜が高耐
食性を示すとして推奨されると共に、そのような組成の
場合に、めっき皮膜粒子が微細になり易いところから、
該組成のめっき皮膜を得る方法についてはシアン浴を中
心として幾種類かの浴が報告され、限られた範囲ではあ
るが工業的に利用されている。しかしながら、発明者ら
の検討の結果、そのような亜鉛含有率が高い場合にはめ
っき皮膜の融点が高く、かつ、はんだ接合温度で空気中
の酸素によって酸化される亜鉛量が多いところから、は
んだ接合の前処理用皮膜としは適切でないことがわかっ
た。

【００１０】そこで我々は、亜鉛含有率が０．１〜１５
％の低融点合金めっき皮膜を電気・電子回路部品に被覆
する方法を考案したが、長期間経時後の皮膜表面の耐酸
化性が従来の錫−鉛はんだ接合皮膜より劣っていた。

【００１１】そこでさらに、鋭意検討の結果、発明者ら
は、非シアン系錫−亜鉛合金めっき浴を用いてめっき下
層側の亜鉛含有率を０．１％〜１５％とし、同じめっき
浴を用いてめっき作業が終了する事前に陰極電流密度を
０．００１〜１．０Ａ／ｄｍ² に低下させることによっ
て、めっき皮膜表面層側を下層皮膜より亜鉛含有率が少
ない０．５％以下から錫単独に至るまでの組成とする外
観が光沢ないし半光沢を示す程度にまで皮膜の結晶粒子
を微細化させた錫−亜鉛傾斜合金めっき皮膜を錫−亜鉛
系はんだ接合皮膜として電気・電子回路部品に被覆する
ことによって、接合に至るまでの表面酸化の度合が小さ
く、良好なはんだ接合性が得られることを見い出した。
また、本発明が環境問題を解決する手段の一つであるこ
とに鑑み、該処理を施すためのめっき浴は非シアンの浴
を用いるべきである。

【００１２】発明の概要 即ち、本発明は、錫−亜鉛系はんだではんだ接合するこ
とを目的として、光沢又は半光沢を有する１．０〜１０
０μｍ厚さの電気めっき錫−亜鉛傾斜合金皮膜を予め被
覆してなる電気・電子回路部品であって、該電気めっき
錫−亜鉛傾斜合金皮膜は、めっき皮膜の下層側の亜鉛含
有率が０．１％以上、１５％以下であり且つめっき皮膜
の表面層側の亜鉛含有率が下層側皮膜よりも少ない０．
５％以下から錫単独に至るまでである組成を有するもの
であることを特徴とする電気・電子回路部品である。

【００１３】本発明の上記の光沢又は半光沢を有する
１．０〜１００μｍ厚さの電気めっき錫−亜鉛傾斜合金
皮膜を予め被覆してなる電気・電子回路部品は、好まし
くは、錫−亜鉛系はんだ接合材で接合されるべき電気・
電子回路部品表面を、非シアン系の錫−亜鉛合金電気め
っき浴を用いてめっき下地の近傍下層側の亜鉛含有率を
０．１％〜１５％以下とするようにめっきし、次いで同
じめっき浴を用いてめっき作業を終了する前に陰極電流
密度を０．００１〜１．０Ａ／ｄｍ² に低下させてめっ
きを行い、これによって、めっき皮膜の表面層側を下層
皮膜よりも亜鉛含有率が少ない０．５％以下から錫単独
に至る組成範囲となるようにめっきし、外観が光沢ない
し半光沢を示す程度にまで皮膜の結晶粒子を微細化させ
た錫−亜鉛傾斜合金めっき皮膜を錫−亜鉛系はんだ接合
皮膜として被覆することによって製造される。

【００１４】さらに、本発明は、該電気錫−亜鉛傾斜合
金めっき皮膜を施すに先立って、ニッケル又はニッケル
合金又は銅を電気めっき又は無電解めっきによって、下
層めっきとして施す事が出来ることを特徴とする上記の
電気・電子回路部品である。

【００１５】

【発明の実施の形態】まず、本発明に従う電気・電子回
路部品を製造するためのめっき皮膜の下層側のめっき皮
膜組成が亜鉛含有率０．１％以上、１５％以下の錫−亜
鉛合金めっき皮膜で、表面層側を亜鉛含有率０．５％以
下から錫単独に至る範囲の組成に調整した錫−亜鉛傾斜
合金めっきについて説明を加える。

【００１６】錫−亜鉛合金は、はんだ付け性が良好と記
載されている文献があるが、これは例えば鉄やニッケル
のような材質と比較してのことであり、錫−鉛系合金等
と比較した際には、はんだ付け性が劣ると言わざるを得
ない。従って、従来耐食性が良好であり、はんだ接合が
可能であるという理由で推奨されてきた２０％〜３５％
の亜鉛含有率の皮膜では、低温・短時間での接合完了が
要求される電気・電子回路の接合に適するレベルまでの
良好なはんだ付け性は発揮されず、共晶組成である８％
付近の０．１％〜１５％の低融点領域に限定しなければ
ならない 即ち、従来推奨されてきた２０％〜３５％の
亜鉛含有率の皮膜の融点は概ね２４０〜３２０℃に達す
る。

【００１７】これに対して亜鉛含有率を０．１〜１５％
の領域に限定することによって、融点は概ね１９８〜２
４０℃の範囲に入り、錫−鉛系で使用されてきた２３０
℃の温度条件範囲に入る。

【００１８】しかしながら、錫−亜鉛合金めっき皮膜
は、錫−鉛合金めっき皮膜に比べて特に亜鉛成分の酸化
により、フィンガ−プリントがつき易いなどのめっき皮
膜表面の変質が生じ易く、これを防止するためのクロメ
−ト処理やりん酸塩処理を必要とする。こうした後処理
は、作業性の低下を招く他、クロメ−トによるはんだ接
合性の劣化に加えて、クロムやりん酸塩の使用は排水処
理問題を誘起する。

【００１９】そこで、本発明者は、非シアン錫−亜鉛合
金電気めっき浴を用いて、めっき下層側の亜鉛含有率が
０．１％〜１５％組成の錫−亜鉛合金めっきを施すと同
時に、同じ浴を用いて、めっき作業を終了する前に陰極
電流密度を０．００１〜１．０Ａ／ｄｍ² 、好ましくは
０．０５〜１．０Ａ／ｄｍ² の条件範囲に低下させて、
表面層側の皮膜組成を下層側皮膜の亜鉛含有率よりも低
い０．５％以下から錫単独に至る組成範囲にした錫−亜
鉛傾斜合金皮膜を電気・電子回路部品に被覆した。

【００２０】この錫−亜鉛傾斜合金皮膜は１．０〜１０
０μm 厚さでの使用可能であり、陰極電流密度を低下さ
せた上述の処理で得られる錫又は錫−亜鉛合金の表面層
皮膜厚は、０．００１〜３μm 、望ましくは０．１〜
１．０μm の範囲が望ましい。

【００２１】電気・電子回路部品には、銅系素材又は４
２アロイなどの鉄系素材が用いられる事が多いが、鉄系
素材よりも銅の方がはんだの濡れ性が良好であるので、
鉄系素材が用いられているような場合には、下層に銅め
っきを施しておくことが望ましい。また、銅及び銅合金
が使用される場合には、錫及び亜鉛が銅系素材中に拡散
しやすい金属であり、拡散によってボイドなどの欠陥を
生じることがあり、該錫−亜鉛傾斜合金めっき皮膜を施
した直後では良好なはんだ付け性を示しても、経時後に
は拡散によってはんだ接合性が劣化することもある。こ
れを防止するためには、錫−鉛合金系めっき皮膜におい
て採用されていたようにニッケル又はニッケル合金めっ
きを下地めっきとして施しておくことがはんだ接合性劣
化の抑制に効果がある。

【００２２】該ニッケル又はニッケル合金下地めっきに
は、電気めっきおよび無電解めっきの何れも効果があ
り、これらのめっき皮膜を得るためには、公知のめっき
浴・めっき条件を採用することができる。めっき厚さに
ついては、特に限定されないが、素地とめっき皮膜の間
でお互いの元素が相互に拡散することを防止又は抑制す
る効果から０．１〜１０μm 皮膜厚さが望ましい。

【００２３】上述の該錫−亜鉛傾斜合金めっき皮膜を得
るためには公知の浴が利用できる。技術的及び経済的な
観点からはシアン浴を用いるほうが容易ではあるが、環
境問題を解決するための技術であることに鑑み、非シア
ンの酸性浴や錯塩浴あるいはジンケート−スタネート浴
などを用いることが望ましい。したがって、めっき浴を
構成する金属イオンの供給源としては、非シアンの錫化
合物及び非シアンの亜鉛化合物を用いるが、それら錫及
び亜鉛の化合物としては、 （１）酸化物又は酸素酸塩 （２）硫酸塩 （３）ハロゲン化物 （４）ホウフッ化物 （５）ケイフッ化物 （６）スルファミン酸塩 （７）リン酸又は縮合リン酸の塩 （８）酢酸塩 （９）アルキル基の炭素数が０〜３の脂肪族ジカルボン
酸の塩 （１０）アルキル基の炭素数が１〜２の脂肪族ヒドロキ
シモノカルボン酸の塩 （１１）アルキル基の炭素数が１〜３の脂肪族ヒドロキ
シポリカルボン酸の塩 （１２）単糖類の一部が酸化されたポリヒドロキシカル
ボン酸の塩、 （１３）アルキル基の炭素数が１〜４の脂肪族モノ−も
しくはジ−アミノ、モノ−もしくはジ−カルボン酸の
塩、 （１４）アルキル基の炭素数が２〜３の脂肪族モノメル
カプトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトジカル
ボン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノモノカルボ
ン酸の塩、 （１５）下記のアミンカルボン酸のキレート物、エチレ
ンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、イミノジ酢酸（Ｉ
ＤＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリ
アミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミ
ンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）、エチレンジオキシビス（エ
チルアミン）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸、グリ
コールエチレンジアミンテトラ酢酸（ＧＥＤＴＡ）、Ｎ
−ヒドロキシエチルエチレンジアミンテトラ酢酸（ＨＥ
ＥＤＴＡ） （１６）アルカンの炭素数が１〜３のヒドロキシアルカ
ンビスホスホン酸の塩、 （１７）下記の一般式(i) 及び(ii)で表される脂肪族ス
ルホン酸の塩、(i) 一般式 （Ｘ₁ ）_n −Ｒ−ＳＯ₃ Ｈ ［ここで、ＲはＣ₁ 〜Ｃ₅ のアルキル基を表し、Ｘ₁ は
水素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そし
てアルキル基の任意の位置にあってよく、ｎは０〜３の
整数である。］(ii)一般式

【化１】 ［ここで、ＲはＣ₁ 〜Ｃ₅ のアルキル基又はＣ₁ 〜Ｃ₃
のアルキレン基を表し、アルキレン基の任意の位置に水
酸基があってよく、Ｘは塩素及びフッ素のハロゲンを表
し、アルキル基及びアルキレン基の水素と置換された塩
素又はフッ素の置換数は１からアルキル基又はアルキレ
ン基に配位したすべての水素が飽和置換されたものまで
を表し、置換されたハロゲン種は１種又は２種類であ
り、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置にあってよ
い。Ｙは水素又はスルホン酸基を表し、Ｙで表されるス
ルホン酸基の置換数は０から２の範囲にある。］ （１８）下記の一般式(iii) で表される芳香族スルホン
酸の塩、(iii) 一般式

【化２】 ［ここで、Ｘ₂ は水酸基、アルキル基、アリール基、ア
ルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニ
トロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは２個のＸ₂ はベンゼン環と一緒になってナフ
タリン環を形成でき、ｍは０〜３の整数である。］から
選ばれた１種又は２種以上を単独又は適宜混合して使用
できる。

【００２４】上記の（１）〜（１８）の中で単独で列挙
せず一般式で示した化合物の中で好適なものを例示すれ
ば、（７）リン酸又は縮合リン酸の塩としては、リン
酸、トリポリリン酸及びピロリン酸の塩が、（９）脂肪
族ジカルボン酸の塩としては、蓚酸、マロン酸、コハク
酸の塩が、（１０）脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸の
塩としては、グリコール酸の塩が、（１１）脂肪族ヒド
ロキシポリカルボン酸の塩としては、酒石酸、クエン酸
の塩が、（１２）単糖類およびその一部が酸化されたポ
リヒドロキシカルボン酸ならびにそれらの環状エステル
化合物の塩またはキレート物としては、アスコルビン
酸、グルコン酸、δ−グルコノラクトンの塩またはキレ
ート物が、（１３）脂肪族アミノカルボン酸の塩として
は、グリシンの塩が、（１４）脂肪族メルカプトカルボ
ン酸の塩としては、メルカプトコハク酸の塩が、（１
５）アミンカルボン酸のキレート物としては、エチレン
ジアミンテトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸
のキレート物が、（１６）ヒドロキシアルカンビスホス
ホン酸の塩としては、１−ヒドロキシエタン−１，１−
ビスホスホン酸の塩が（１７）−(i) 〜（１８）−(i
i)、(iii) の有機スルホン酸の塩の例としては、メタン
スルホン酸、メタンジスルホン酸、メタントリスルホン
酸、トリフルオロメタンスルホン酸、エタンスルホン
酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンスルホン酸、ブ
タンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタンスル
ホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン酸、２−
ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシ
ブタンスルホン酸、２−ヒドロキシペンタンスルホン
酸、１カルボキシエタンスルホン酸、１，３−プロパン
ジスルホン酸、アリールスルホン酸、２−スルホ酢酸、
２−又は３−プロピオスルホン酸、スルホこはく酸、ス
ルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスルホン
酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ニトロ
ベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチル
酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、フェノールスルホン
酸、フェノール−２，４−ジスルホン酸の塩が、挙げら
れる。

【００２５】めっき浴中の金属の濃度は、用いる浴の種
類やめっき対象物によって増減することが望ましいが、
概ね１〜５０ｇ／ｌが適当であり、好ましくは５〜３０
ｇ／ｌ程度とする。

【００２６】また、該めっき処理には、外観が光沢又は
半光沢状の錫−亜鉛傾斜合金めっき皮膜を用いるが、非
シアン浴からこのような皮膜を得るためには界面活性剤
を添加することが望ましい。該界面活性剤としては、既
存の界面活性剤を利用することができる。すなわち、効
果のある界面活性剤の例としては、（１）一般式：

【化３】 ［ここで、Ｒはアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₂₅）を表わし、Ｍ
は水素又はアルカリ金属を表わす。］で表わされるナフ
タレンスルホン酸系界面活性剤、例えば、アルキル（メ
チル、エチル、プロピル、ブチル・・・）ナフタレンス
ルホン酸のナトリウム塩等、（２）一般式： ＨＯ−（Ａ）_m −（Ｂ）_n −Ｈ ［ここで、Ａ及びＢは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−Ｃ
Ｈ₂ −Ｃ（ＣＨ₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、ｍ及びｎは０〜４０の整数を表わす。
ただし、ｍ及びｎの和は１から４０の範囲内にある。］
で表わされるポリオキシアルキレン系界面活性剤、例え
ば、エチレングリコール、ジ−（トリ−、テトラ−、オ
クタ・・・）エチレングリコールのようなポリエチレン
グリコール、プロピレングリコール、ジ−（トリ−、テ
トラ−、オクタ・・・）プロピレングリコールのような
ポリプロピレングリコール、エチレンオキサイドとプロ
ピレンオキサイドとの縮合物等、（３）一般式： Ｒ−Ｄ−（Ａ）_m −（Ｂ）_n −Ｈ ［ここで、Ａ及びＢは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−Ｃ
Ｈ₂ −Ｃ（ＣＨ₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、ｍ及びｎは、０〜４０の整数を表わ
す。ただし、ｍ及びｎの和は１から４０の範囲内にあ
る。Ｒは炭素数１〜２２のアルキル基又は炭素数１〜２
５の脂肪酸でエステル化したソルビタンを表わす。Ｄ
は、−Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表わす。］で表わされるポ
リオキシアルキレンアルキルエーテル（又はエステル）
系界面活性剤、例えば、上記の（Ｂ）のポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール等のアルキル（例
えば、オレイル、セチル、ステアリル、ラウリル・・
・）エーテル若しくは脂肪酸エステル、ソルビタンエス
テル等、（４）一般式： Ｒ−Ｏ−（Ａ）_m −（Ｂ）_n −Ｈ ［ここで、Ａ及びＢは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−Ｃ
Ｈ₂ −Ｃ（ＣＨ₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、ｍ及びｎは、０〜４０の整数を表わ
す。ただし、ｍ及びｎの和は１から４０の範囲内にあ
る。Ｒはフェニル基又はアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₂₅）で置
換したフェニル基を表わす。］で表わされるポリオキシ
アルキレンフェニル（又はアルキルフェニル）エーテル
系界面活性剤、例えば、上記の（Ｂ）のポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール等のフェニルエー
テル又はアルキル置換フェニルエーテル等、（５）一般
式：

【化４】 ［ここで、Ａ及びＢは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−Ｃ
Ｈ₂ −Ｃ（ＣＨ₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、ｍ及びｎは０〜４０の整数を表わす。
ただし、ｍ及びｎの和は１から４０の範囲内にある。Ｒ
は水素又はアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₂₅）を表わす。］で表
わされるポリオキシアルキレンナフチル（又はアルキル
ナフチル）エーテル系界面活性剤、例えば、ナフトール
又はアルキルナフトールのエチレンオキサイド及び（又
は）プロピレンオキサイド付加物等、（６）一般式：

【化５】 ［ここで、Ａ及びＢは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−Ｃ
Ｈ₂ −Ｃ（ＣＨ₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位
置は限定されず、ｍ及びｎは０〜４０の整数を表わす。
ただし、ｍ及びｎの和は１から４０の範囲内にある。Ｒ
_a 、Ｒ_b 、Ｒ_c は、それぞれ独立に水素、フェニル基、
アルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ ）又は−ＣＨ（ＣＨ₃ ）−φを
表わす。ただし、少なくとも１つはフェニル基若しくは
−ＣＨ（ＣＨ₃ ）−φであるものとする。］で表わされ
るポリオキシアルキレンスチレン化フェニルエーテル系
界面活性剤、例えば、スチレン化フェノール又はα−メ
チルスチレン化フェノールのエチレンオキサイド及び
（又は）プロピレンオキサイド付加物等、（７）一般
式：

【化６】 ［ここで、Ａ及びＢは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−Ｃ
Ｈ₂ −Ｃ（ＣＨ₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位
置は限定されない。Ｒ_c1、Ｒ_c2は、それぞれ独立に水
素、フェニル基又はアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ ）を表わ
し、Ｒ_d 、Ｒ_e は、それぞれ独立に水素又は−ＣＨ₃ を
表わし、ｍ₁ 、ｍ₂ 、ｎ₁ 、ｎ₂ はそれぞれ独立に０〜
４０の整数を表わす。ただし、ｍ₁ 及びｎ₁ 、さらにｍ
₂ 及びｎ₂ の和は１から４０の範囲内にある。］で表わ
されるポリオキシアルキレンスチレン化フェニルエーテ
ルのフェニル基にさらにポリオキシアルキレン鎖を付加
した界面活性剤、例えば、ビスフェノールＡのビス（エ
チレンオキサイド及び（又は）プロピレンオキサイド付
加物）等、（８）一般式：

【化７】 ［ここで、Ｒ_a 及びＲ_b は水素若しくはアルキル基（Ｃ
₁ 〜Ｃ₂₅）を表わし、同一又は異なってもよい。Ａ及び
Ｂは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−ＣＨ₂ −Ｃ（ＣＨ
₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位置は限定されな
い。ｍ₁ 、ｍ₂ 、ｎ₁ 、ｎ₂ はそれぞれ独立に０〜４０
の整数を表わす。ただし、ｍ₁ 及びｎ₁ 、さらにｍ₂ 及
びｎ₂ の和は１から４０の範囲内にある。Ｍは水素又は
アルカリ金属を示す。］で表わされるリン酸エステル系
界面活性剤、例えば、アルキルリン酸のナトリウム塩
等、ポリオキシエチレン化及び（又は）ポリオキシプロ
ピレン化リン酸のナトリウム塩等、（９）一般式：

【化８】 ［ここで、Ｒはアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₃₀）、アルケニル
（Ｃ₁ 〜Ｃ₃₀）又はアシル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₃₀）を表わし、
Ａ及びＢは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−ＣＨ₂−Ｃ
（ＣＨ₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位置は限定
されない。ｍ₁ 、ｍ₂ 、ｎ₁ 、ｎ₂ はそれぞれ独立に０
〜６の整数を表わす。ただし、ｍ₁ 及びｎ₁、さらにｍ₂
及びｎ₂ の和は１から６の範囲内にある。ＣＨ₂ −Ｃ
Ｈ（ＣＨ₃ ）−Ｏの付加モル数がＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏの
付加モル数より多いことはない。］で表わされるポリオ
キシアルキレンアルキル（又はアルケニル）アミン（又
はアミド）系界面活性剤、例えば、アルキル（又はアル
ケニル）アミン（又はアミド）のエチレンオキサイド及
び（又は）プロピレンオキサイド付加物等、（１０）一
般式：

【化９】 ［ここで、Ａ及びＢは−ＣＨ₂ −ＣＨ₂ −Ｏ−又は−Ｃ
Ｈ₂ −Ｃ（ＣＨ₃ ）Ｈ−Ｏ−を表わし、それらの存在位
置は限定されない。ｍ₁ 、ｍ₂ 、ｍ₃ 、ｍ₄ 、ｎ₁ 、ｎ
₂ 、ｎ₃ 、ｎ₄ は整数で、ｍ₁ ＋ｍ₂ ＋ｍ₃ ＋ｍ₄ ＝５
〜７０、ｎ₁ ＋ｎ₂ ＋ｎ₃ ＋ｎ₄ ＝５〜７０である。ｍ
₁ 、ｍ₂ 、ｎ₁ 、ｎ₂ はそれぞれ独立に０〜６の整数を
表わす。ただし、ｍ₁ 及びｎ₁ 、さらにｍ₂ 及びｎ₂ の
和は１から６の範囲内にある。ｘは２又は３の整数を表
わす。Ｒはアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₃₀）又はアルケニル基
（Ｃ₁ 〜Ｃ₃₀）を表わす。］で表わされるアルキレンジ
アミンのアルキレンオキシド付加物系界面活性剤、例え
ば、エチレンジアミンのエチレンオキサイド及び（又
は）プロピレンオキサイドＮ付加物等、（１１）一般
式：

【化１０】 ［ここで、Ｒ_a はアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₂₀）を表わし、
Ｒ_b は（ＣＨ₂ ）_m ＯＨ又は（ＣＨ₂ ）ＯＣＨ₂ ＣＯＯ
^- を表わしＲ_c は、アルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ ）、（ＣＨ
₂ ）_n ＣＯＯ^- 、（ＣＨ₂ ）_n ＳＯ₃ ^-又はＣＨ（ＯＨ）
ＣＨ₂ ＳＯ₃ ^-を表わし、ｍ及びｎは１〜４の整数を表わ
す。Ｍはアルカリ金属を表わし、Ｘはハロゲン、水酸基
又はアルカンスルホン酸基（Ｃ₁ 〜Ｃ₅ ）を表わす。Ｒ
_c がアルキル基の場合にはＭは存在せず、Ｒ_c がアルキ
ル基以外の場合にはＭは存在してもしなくてもよく、Ｍ
が存在しないときにはＸも存在しない。］で表わされる
アルキルイミダゾリニウムベタイン系界面活性剤、例え
ば、２−ラウリル（オレイル、セチル、ステアリル、べ
へニル・・・）−Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイ
ミダゾリニウムベタイン等、（１２）一般式：

【化１１】 ［ここで、Ｒ_a は水素又はメチル基を表わし、又は結合
がなくてもよい。Ｒ_b は水素又はメチル基若しくはエチ
ル基を表わし、該アルキル基の水素の一つがエーテル結
合を介してアシルオキシ基と結合していてもよい。Ｒ_c
はアルキル基（Ｃ₅ 〜Ｃ₂₀）を表わす。カルボキシル基
は水素又はアルカリ金属とイオン結合していてもよい。
ｍは１〜４の整数を、ｎは０〜４の整数を表わす。］で
表わされるアルキル（又はアミド）ベタイン系界面活性
剤、例えば、ジメチルラウリル（オレイル、セチル、ス
テアリル、べへニル・・・）ベタイン等、（１３）一般
式：

【化１２】 ［ここで、Ｘはハロゲン、水酸基又はアルカンスルホン
酸基（Ｃ₁ 〜Ｃ₅ ）を表わし、Ｒ_a はアルキル基（Ｃ₁
〜Ｃ₂₀）を表わし、Ｒ_b 及びＲ_c はアルキル基（Ｃ₁ 〜
Ｃ₄ ）又はアルコキシル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₁₀）を表わし、Ｒ
_d はアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₁₀）、ベンジル基又は脂肪酸
（ＣＨ₂ ）_n ＣＯＯＨを表わし、ここで、ｎは１〜１８
の整数を表わす。Ｒ_e はアルキル基（Ｃ₈ 〜Ｃ₂₀）を表
わし、Ｒ_fは水素又はアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ ）を表わ
す。］で表わされるアンモニウム又はピリジニウム４級
塩系界面活性剤、例えば、ラウリル（オレイル、セチ
ル、ステアリル、べへニル・・・）トリ（ジ）メチルア
ンモニウムクロライド等から１種又は２種以上が選ば
れ、めっき浴に添加される。

【００２７】さらにそれらの中で市販品として容易に入
手できるものを具体的に挙げれば、前記式（１）で表さ
れるものとして、ペレックスＮＢ−Ｌ、デモールＮ（花
王（株）社製）等が、前記式（２）で表されるものとし
て、エパン７２０、エパン７４０、エパン７５０、エパ
ン４５０（第一工業製薬（株）社製）、プルロニックＬ
６４、プルロニックＬ１０１、プルロニックＰ１０３、
プルロニックＰＰ１５０（旭電化工業（株）社製）、ニ
ッコールＢＯ−２０（日光ケミカルズ（株）社製）、エ
マルゲンＬ−４０（花王（株）社製）、５０ＨＢ−２０
００／５０００（三洋化成（株）社製）等が、前記式
（３）で表されるものとして、ブラウノンＥＬ−１３０
３、ブラウノンＥＬ−１５０９、ブラウノンＣＨ−３１
０（青木油脂工業（株）社製）、ニューコール１１１０
（日本乳化剤（株）社製）、ニッコールＢＬ、ニッコー
ルＭＹＬ−１０（日光ケミカルズ（株）社製）、ノイゲ
ンＥＴ−１７０（第一工業製薬（株）社製）等が、前記
式（４）で表されるものとして、ノイゲンＥＡ−１５
０、ノイゲンＥＡ−１３０Ｔ（第一工業製薬（株）社
製）、ブラウノンＮＫ−８０８、Ｎ−５１２、ＤＰ−９
（青木油脂工業（株）社製）、ニューコール７０４、ニ
ューコール７０７、ニューコール７１０、ニューコール
７１４、ニューコール７２３、ブラウノンＬＰＥ−１０
０７（青木油脂工業（株）社製）、アデカトールＮＰ−
１５、アデカトールＮＰ−７２０（旭電化工業（株）社
製）、等が、前記式（５）で表されるものとして、ブラ
ウノンＢＮ−１８（青木油脂工業（株）社製）、アデカ
トールＰＣ−１０（旭電化工業（株）社製）、ノイゲン
ＥＮ−１０（第一工業製薬（株）社製）等が、前記式
（６）で表されるものとして、ニューコール２６０７
（日本乳化剤（株）社製）、ブラウノンＤＳＰ−９（青
木油脂工業（株）社製）、等が、前記式（７）で表され
るものとして、リポノックスＮＣ−１００（ライオン）
等が、前記式（８）で表されるものとして、アデカコー
ルＰＳ−４４０Ｅ、アデカコールＣＳ−１４１Ｅ、アデ
カコールＴＳ−２３０Ｅ（旭電化工業（株）社製）等
が、前記式（９）で表されるものとして、ナイミーンＬ
２０７、ナイミーンＴ２−２１０、ナイミーンＳ−２１
５（日本油脂（株）社製）、ニューコール４２０（日本
乳化剤（株）社製）、ブラウノンＯ−２０５（青木油脂
工業（株）社製）、等が、前記式（１０）で表されるも
のとして、テトロニックＴＲ−７０１、テトロニックＴ
Ｒ−７０２（旭電化工業（株）社製）、等が、前記式
（１１）で表されるものとして、ソフタゾリンＣＨ、ソ
フタゾリンＮＳ（川研ファインケミカル（株）社製）、
ニッサンアノンＧＬＭ−Ｒ（日本油脂（株）社製）、レ
ボン１０１−Ｈ（三洋化成工業（株）社製）、ニッコー
ルＡＭ−１０３ＥＸ（日本乳化剤（株）社製）等が、前
記式（１２）で表されるものとして、アセタミン２４
（花王（株）社製）等が、前記式（１３）で表されるも
のとして、ニッコールＣＡ２１５０、ニッコールＣＡ１
０１（日光ケミカルズ（株）社製）、テクスノールＲ−
５（日本乳化剤（株）社製）等が、挙げられる。これら
界面活性剤のめっき浴における濃度は、０．０５〜１０
０ｇ／ｌで、好適には０．１〜５０ｇ／ｌが使用され
る。

【００２８】さらに、半光沢性ないしは光沢性のあるめ
っき皮膜を得るために、析出物の結晶を微細化するため
に、結晶微細化剤を使用することができる。結晶微細化
剤には公知の物質が利用できるが、効果のあるものの例
としては、下記（１）〜（１８）を挙げることができ
る。これらは単独又は適宜混合添加して使用できる。使
用量は、下記（１）の天然高分子を用いる場合は０．５
〜５０ｇ／ｌが適当であり、好ましくは１〜２０ｇ／ｌ
である。下記（２）〜（１８）の群の結晶微細化剤に対
しては、０．００５〜３０ｇ／ｌが適当であり、好まし
くは０．０２〜２０ｇ／ｌ添加される。

【００２９】（１）ゼラチン、ペプトン。 （２）一般式：

【化１３】 ［ここで、Ｒ_b は水素、アルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ ）又は
フェニル基を表わし、Ｒ_a は水素又はアルキル基（Ｃ₁
〜Ｃ₄ ）を表わし、Ｒ_c は水素又は水酸基を表わし、Ａ
は単結合、アルキレン基（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ ）、ベンジリデン
基又はフェニレン基を表わす。］で表されるスルファニ
ル酸誘導体及びその塩。 （３）一般式：

【化１４】 ［ここで、Ｘは水素又はアルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ ）を表
わし、Ｒは、水素又は−ＣＨ₃ を表わし、ｎは、２〜１
５の整数を表わす。］で表されるキノリン類。 （４）一般式：

【化１５】 ［ここで、Ｘは水素、ハロゲン、アルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ
₄ ）、アセチル基、アミノ基、水酸基又はカルボキシル
基を表わし、Ｒ_b は水素、ヒドロキシル基を表わし、ｎ
は０〜１２の整数を表わす。］で表されるベンゾトリア
ゾール及びその誘導体。 （５）一般式：

【化１６】 ［ここで、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ は、それぞれ
同一又は異なってもよく、−Ｈ：−ＳＨ：−ＯＨ：−Ｏ
Ｒ（Ｒは所望により−ＣＯＯＨで置換されていてもよい
Ｃ₁ 〜Ｃ₆ のアルキル基）、ハロゲン、−ＣＯＯＨ，−
ＣＯＣＯＯＨ，アリール、−ＳＲ（Ｒは所望により−Ｃ
ＯＯＨにて置換されていてもよいＣ₁ 〜Ｃ₆ アルキ
ル）、

【化１７】 −ＮＨ₂ ，−ＮＲＲ’（Ｒ及びＲ’はＣ₁ 〜Ｃ₆ アルキ
ル又は一緒になって環を形成してもよい）、−ＮＨＣＯ
Ｒ（ＲはＣ₁ 〜Ｃ₆ アルキル）、−ＮＨＣＯアリール、
−ＮＨＮＨ₂ 、−ＮＯ₂ 、−ＣＯＮＨアリール、−ＣＳ
ＮＨアリール、−ＣＮ、−ＣＨＯ：−ＳＯ₃ Ｈ：−ＳＯ
₂ ＮＨ₂ 又は−ＳＯ₂ ＮＲＲ’（Ｒ及びＲ’はＣ₁ 〜Ｃ
₆ アルキル又は一緒になって環を形成してもよい）を意
味する。］で表されるベンゾチアゾール類。 （６）一般式：

【化１８】 ［ここで、Ｒ_a1、Ｒ_a2は、それぞれ独立に水素、ヒドロ
キシル基を表わし、Ｒ_b1、Ｒ_b2は、それぞれ独立にアル
キル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₅ ）を表わす。］で表されるイミン
類。 （７）一般式：

【化１９】 ［ここで、Ｒ_a は水素、ハロゲン、アルキル基（Ｃ₁ 〜
Ｃ₄ ）を表わし、Ｒ_b は水素、ヒドロキシル基を表わ
し、ｎは、０〜１２の整数を表わす。］で表されるトリ
アジン類。 （８）一般式：

【化２０】 ［ここで、Ｒ_a 、Ｒ_b は、同一又は異なっていてもよく
水素、アルキル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₈）、アルコキシ基（Ｃ₁
〜Ｃ₁₈）又はＣ₃ 〜Ｃ₇ のシクロアルキル基を表わし、
Ａは、低級アルキレン基を表わす。］で表されるトリア
ジン類。 （９）一般式：

【化２１】 ［ここで、Ｒは、アルキル基（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ ）又はフェニ
ル基を表わす。］で表される芳香族オキシカルボン酸の
エステル類。 （１０）一般式： Ｒ_a −ＣＲ_b ＝ＣＨ−ＣＯ−Ｘ−Ｒ_c ［ここで、Ｒ_a 及びＲ_c はフェニル、ナフチル、ピリジ
ル、キノリル、チエニル、フリル及びピロニル、アミノ
基、水酸基、若しくは水素から選ばれた基であり、該基
はＣ₁ 〜Ｃ₆ アルキル、Ｃ₁ 〜Ｃ₆ アルキルオキシ、Ｃ
₁ 〜Ｃ₆ アシル、Ｃ₁ 〜Ｃ₆ アルキルチオ、ＯＨ、ハロ
ゲン、カルボキシル基、−ＮＯ₂ 及び−ＮＲ_d Ｒ_e （Ｒ
_d 及びＲ_e は、同一又は異なって各々水素又はＣ₁ 〜Ｃ
₄ アルキル）から選ばれた同一又は異なる置換基を１〜
４個有してもよく、或いはＲ_a とＲ_c は結合して環状と
なってもよく、或いは、Ｒ_c はＲ_a −ＣＲ_b ＝ＣＨ−Ｃ
Ｏ−に等しくてもよい。Ｘは、単結合若しくは−ＣＨ₂
−である。Ｒ_b は水素又はＣ₁ 〜Ｃ₄ アルキルであ
る。］で表されるＣ＝Ｏと共役の位置に二重結合を有す
る化合物。 （１１）一般式： Ｒ−ＣＨＯ ［ここで、ＲはＣ₁ 〜Ｃ₆ アルキル、フェニル、ナフチ
ル、アセナフチル、ピリジル、キノリル、チエニル、フ
リル、インドール及びピロニル、アルデヒド基若しくは
水素から選ばれた基であり、該基はＣ₁ 〜Ｃ₆ アルキ
ル、Ｃ₁ 〜Ｃ₆ アルキルオキシ、Ｃ₁ 〜Ｃ₆ アシル、Ｃ
₁ 〜Ｃ₆ アルキルチオ、ＯＨ、ハロゲン、ＮＯ₂ 及び−
ＮＲ_d Ｒ_e （Ｒ_d 及びＲ_e は、同一又は異なって各々水
素又はＣ₁ 〜Ｃ₄ アルキル）から選ばれた同一又は異な
る置換基を１〜４個有してもよい。］で表されるアルデ
ヒド類。 （１２）一般式： Ｒ_a −ＣＯ−（ＣＨ₂ ）_n −ＣＯ−Ｒ_b ［ここで、Ｒ_a 及びＲ_b は同一又は異なってそれぞれ水
素、Ｃ₁ 〜Ｃ₆ アルキル及び−Ｃ₂ Ｈ₄ −ＣＯ−ＣＯ−
Ｃ₂ Ｈ₅ であり、ｎは０〜２の整数である。］で表され
るジケトン類。 （１３）一般式： Ｒ_a −ＮＨ−Ｒ_b ［ここで、Ｒ_a はフェニル基であり、該基はＣ₁ 〜Ｃ₃
アルキル、ハロゲン、アミノ基で置換されていてもよ
い。Ｒ_b は水素、Ｃ₁ 〜Ｃ₃ アルキル、−ＮＨ−ＣＳ−
Ｎ＝Ｎ−φ、−ＣＨ₂ −φ−ＮＨ₂ である。］で表され
るアニリン誘導体。 （１４）一般式：

【化２２】 ［ここで、Ｒ_a 及びＲ_b はそれぞれ水素、低級アルキル
基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、スルホン酸基
を表わす。］で表されるニトロ化合物又はそのナトリウ
ム、カリウム又はアンモニウム塩。 （１５）一般式： ＨＯＯＣ−ＣＨＲ−ＳＨ ［ここで、Ｒは、水素、Ｃ₁ 〜Ｃ₂ アルキルであり、該
アルキル基はカルボキシル基で置換されていてもよ
い。］で表されるメルカプトカルボン酸類。 （１６）下記から選ばれる複素環式化合物類：１，１０
−フェナントロリン、２−ビニルピリジン、２−シンナ
ミルチオフェン、１，２，３−（又は１，２，４−又は
１，３，５−）トリアジン、２，４−ジアミノ−６−
（２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）メチル−Ｓ−
トリアジン、１，２，３−ベンゾトリアジン、インドー
ル、イミダゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾー
ル、２−メルカプトベンゾオキサゾール及びキノリン。 （１７）アセトフェノン及びハロゲン化アセトフェノ
ン。 （１８）アミン−アルデヒド縮合物。

【００３０】これらのうち、特に好適な例を挙げると、
８−ヒドロキシキノリンに５モルの酸化プロピレンを付
加した生成物、Ｎ，Ｎ’−ジイソブチリデン−ｏ−フェ
ニレンジアミン、ベンゾチアゾール、２−アミノ−４−
クロロベンゾチアゾール、２−アミノ−６−メトキシベ
ンゾチアゾール、２−ヒドロキシベンゾチアゾール、２
−クロロベンゾチアゾール、２−メチル−５−クロロベ
ンゾチアゾール、２，５−ジメチルベンゾチアゾール、
５−ヒドロキシ−２−メチルベンゾチアゾール、６−ク
ロロ−２−メチル−４−メトキシベンゾチアゾール、２
−（ｎ−ブチル）メルカプト−６−アミノベンゾチアゾ
ール、２−ベンゾチアゾールチオ酢酸、２−ベンゾチア
ゾールオキシ酢酸、２−メチルベンゾチアゾール、２−
メルカプトベンゾチアゾール、６−エトキシ−２−メル
カプトベンゾチアゾール、Ｎ−ブチリデンスルファニル
酸、Ｎ−シンナモイリデンスルファニル酸、Ｎ−（３−
ヒドロキシブチリデン）−ｐ−スルファニル酸、アルド
ール、ベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒ
ド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）メトキシベンズア
ルデヒド、ｏ−バニリン、ベラトルアルデヒド、（２，
４−、２，６−）ジクロロベンズアルデヒド、（ｏ−，
ｐ−）クロロベンズアルデヒド、１−ナフトアルデヒ
ド、２−ナフトアルデヒド、２（４）−クロル−１−ナ
フトアルデヒド、５−メトキシナフトアルデヒド、ピコ
リンアルデヒド、２（３）−チオフェンカルボキシアル
デヒド、２（３）−フルアルデヒド、３−インドールカ
ルボキシアルデヒド、サリチルアルデヒド、ｏ−フタル
アルデヒド、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、パ
ラアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒ
ド、プロピオンアルデヒド、ｎ−バレルアルデヒド、ア
クロレイン、クロトンアルデヒド、グリオキサール、ス
クシンアルデヒド、カプロンアルデヒド、イソバレルア
ルデヒド、アリルアルデヒド、グルタルアルデヒド、１
−ベンジリデン−７−ヘプテナール、２，４−ヘキサジ
エナール、シンナムアルデヒド、ベンジルクロトンアル
デヒド、アミン−アルデヒド縮合物、メシチルオキシ
ド、イソホロン、ジアセチル。ヘキサンジオン−３，
４、アセチルアセトン、３−クロロベンジリデンアセト
ン、ｓｕｂ，ピリジリデンアセトン、ｓｕｂ，フルフリ
ジンアセトン、ｓｕｂ，テニリデンアセトン、４−（１
−ナフチル）−３−ブテン−２−オン、４−（２−フリ
ル）−３−ブテン−２−オン、４−（２−チオフェニ
ル）−３−ブテン−２−オン、クルクミン、ベンジリデ
ンアセチルアセトン、ベンザルアセトン、アセトフェノ
ン、（２，４−、３，４−）ジクロロアセトフェノン、
ベンジリデンアセトフェノン、ベンジリデンメチルエチ
ルケトン、ベンジリデンアセトンアルコール、ｐ−トル
イデンアセトン、ｐ−ヒドロキシベンジリデンアセト
ン、ベンジリデンメチルイソブチルケトン、４−（１−
ナフチル）−３−ブテン−２−オン、２−シンナミルチ
オフェン、２−（ω−ベンゾイル）ビニルフラン、ビニ
ルフェニルケトン、ビフェニルプロペニルケトン、フェ
ニルイソブテニルケトン、フェニル−２−メチルプロペ
ニルケトン、ｐ−フルオロ又はクロロフェニルプロペニ
ルケトン、ｐ−ヒドロキシフェニルプロペニルケトン、
ｍ−ニトロフェニルプロペニルケトン、ｐ−メチルフェ
ニルプロペニルケトン、２，４，６−トリメチルフェニ
ルプロペニルケトン、ｐ−メトキシフェニルプロペニル
ケトン、ｐ−メトキシフェニルブテニルケトン、ｐ−メ
チルフェニルプロペニルケトン、ｐ−イソブチルフェニ
ルプロペニルケトン、α−ナフチル−１−メチルプロペ
ニルケトン、４−メトキシナフチルプロペニルケトン、
２−チエニルプロペニルケトン、２−フリルプロペニル
ケトン、１−メチルピロールプロペニルケトン、アクリ
ル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、アクリル酸エチ
ル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、クロト
ン酸、プロピレン−１，３−ジカルボン酸、桂皮酸、ア
クリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、ｔ−ブチル
アクリルアミド、Ｎ−メトキシジメチルアクリルアミ
ド、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トルイジン、（ｏ−，ｐ−）
アミノアニリン、アニリン、（ｏ−，ｐ−）クロルアニ
リン、（２，５−、３，４−）クロルメチルアニリン、
Ｎ−モノメチルアニリン、４，４’−ジアミノジフェニ
ルメタン、Ｎ−フェニル−（α−，β−）ナフチルアミ
ン、ジチゾン、ベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール、４−カルボキシベンゾトリアゾー
ル、４−メチルベンゾトリアゾール、１，２，３−トリ
アジン、１，２，４−トリアジン、１，３，５−トリア
ジン、１，２，３−ベンズトリアジン、２，４−ジアミ
ノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）エチル］
−１，３，５−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−
［２’−エチルイミダゾリル（１’）エチル］−１，
３，５−トリアジン、β−Ｎ−ドデシルアミノプロピオ
グアナミン、β−Ｎ−ヘキシルアミノプロピオグアナミ
ン、ピペリジンプロピオグアナミン、シクロヘキシルア
ミノプロピオグアナミン、モルホリンプロピオグアナミ
ン、β−Ｎ−（２−エチルヘキシロキシプロピルアミ
ノ）プロピオグアナミン、β−Ｎ−（ラウリルオキシプ
ロピルアミノ）プロピオグアナミン、ｏ−（ｍ−，ｐ
−）安息香酸メチル、サリチル酸フェニル、ｐ−ニトロ
フェノール、ニトロベンゼンスルホン酸、２，４−ジニ
トロベンゼンスルホン酸、ｍ−ニトロ安息香酸、チオグ
リコール酸、メルカプトコハク酸、イミダゾール、２−
ビニルピリジン、インドール、キノリンなどを挙げるこ
とができる。

【００３１】さらに、該めっき浴には、浴を安定化させ
るために酸及び／或いはキレート剤及び／或いはアルカ
リを添加することができる。これらの安定化剤として
は、下記の（１）〜（１９）を挙げることができる。 （１）硫酸 （２）塩酸 （３）ホウフッ酸 （４）ケイフッ酸 （５）スルファミン酸 （６）リン酸又は縮合リン酸 （７）酢酸又は酢酸のアルカリ金属塩又はアンモニウム
塩 （８）アルキル基の炭素数が０〜３の脂肪族ジカルボン
酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩 （９）アルキル基の炭素数が１〜２の脂肪族ヒドロキシ
モノカルボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニ
ウム塩 （１０）アルキル基の炭素数が１〜３の脂肪族ヒドロキ
シポリカルボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモ
ニウム塩 （１１）単糖類の一部が酸化されたポリヒドロキシカル
ボン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 （１２）アルキル基の炭素数が１〜４の脂肪族モノ−も
しくはジ−アミノ、モノ−もしくはジ−カルボン酸又は
それらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 （１３）アルキル基の炭素数が２〜３の脂肪族モノメル
カプトモノカルボン酸及び脂肪族モノメルカプトジカル
ボン酸及び脂肪族モノメルカプトモノアミノモノカルボ
ン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモニウム塩、 （１４）下記のアミンカルボン酸又はそれらのアルカリ
金属又はアンモニウム塩、エチレンジアミンテトラ酢酸
（ＥＤＴＡ）、イミノジ酢酸（ＩＤＡ）、ニトリロトリ
酢酸（ＮＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（Ｄ
ＴＰＡ）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨ
Ａ）、エチレンジオキシビス（エチルアミン）−Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸、グリコールエチレンジア
ミンテトラ酢酸（ＧＥＤＴＡ）、Ｎ−ヒドロキシエチル
エチレンジアミンナテトラ酢酸（ＨＥＥＤＴＡ）又はそ
れらのアルカリ金属又はアンモニウム塩 （１５）アルカンの炭素数が１〜３のヒドロキシアルカ
ンビスホスホン酸又はそれらのアルカリ金属又はアンモ
ニウム塩、 （１６）下記の一般式(i) 及び(ii)で表される脂肪族ス
ルホン酸、(i) 一般式 （Ｘ₁ ）_n −Ｒ−ＳＯ₃ Ｈ ［ここで、ＲはＣ₁ 〜Ｃ₅ のアルキル基を表し、Ｘ₁ は
水素、水酸基、アルキル基、アリール基、アルキルアリ
ール基、カルボキシル基又はスルホン酸基を表し、そし
てアルキル基の任意の位置にあってよく、ｎは０〜３の
整数である。］(ii)一般式

【化２３】 ［ここで、ＲはＣ₁ 〜Ｃ₅ のアルキル基又はＣ₁ 〜Ｃ₃
のアルキレン基を表し、アルキレン基の任意の位置に水
酸基があってよく、Ｘは塩素及びフッ素のハロゲンを表
し、アルキル基及びアルキレン基の水素と置換された塩
素又はフッ素の置換数は１からアルキル基又はアルキレ
ン基に配位したすべての水素が飽和置換されたものまで
を表し、置換されたハロゲン種は１種又は２種類であ
り、塩素又はフッ素の置換基は任意の位置にあってよ
い。Ｙは水素又はスルホン酸基を表し、Ｙで表されるス
ルホン酸基の置換数は０から２の範囲にある。］（１
７）下記の一般式(iii) で表される芳香族スルホン酸、
(iii) 一般式

【化２４】 ［ここで、Ｘ₂ は水酸基、アルキル基、アリール基、ア
ルキルアリール基、アルデヒド基、カルボキシル基、ニ
トロ基、メルカプト基、スルホン酸基又はアミノ基を表
し、或いは２個のＸ₂ はベンゼン環と一緒になってナフ
タリン環を形成でき、ｍは０〜３の整数である。］ （１８）アルカリ金属の水酸化物又は水酸化アンモニウ
ムから選ばれた１種又は２種以上を単独又は適宜混合し
て使用できる。 （１９）一般式

【化２５】 ［ここで、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、及びＲ₃ はそれぞれ独立に、水
素、メチル基、エチル基又は（ＣＨ₂ ）_n −ＣＨ（Ｒ
₄ ）（ＯＨ）を表し、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ の内、少なく
とも一つは（ＣＨ₂ ）_n −ＣＨ（Ｒ₄ ）（ＯＨ）であ
る。Ｒ₄ は、水素又はメチル基を表し、ｎは１又は２の
整数を表す。］で表されるアミンアルコール。

【００３２】前記の（１）〜（１９）の中で単独に列挙
せず一般式で示した化合物の中で好適なものを例示すれ
ば、（６）リン酸又は縮合リン酸としては、リン酸及び
ピロリン酸及びトリポリリン酸が、（８）脂肪族ジカル
ボン酸としては、蓚酸、マロン酸、コハク酸が、（９）
脂肪族ヒドロキシモノカルボン酸としては、グリコール
酸が、（１０）脂肪族ヒドロキシポリカルボン酸として
は、酒石酸、クエン酸が、（１１）単糖類及びその一部
が酸化されたポリヒドロキシカルボン酸ならびにそれら
の環状エステル化合物としては、アスコルビン酸、グル
コン酸、δ−グルコノラクトンが、（１２）脂肪族アミ
ノカルボン酸としては、グリシンが、（１３）脂肪族メ
ルカプトカルボン酸としては、メルカプトコハク酸が、
（１４）アミンカルボン酸としては、エチレンジアミン
テトラ酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸が、（１
５）ヒドロキシアルカンビスホスホン酸としては、１−
ヒドロキシエタン−１，１−ビスホスホン酸が（１６）
−(i) 〜（１７）−(iii)の有機スルホン酸としては、
メタンスルホン酸、メタンジスルホン酸、メタントリス
ルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、エタンスル
ホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンスルホン
酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、ペンタ
ンスルホン酸、２−ヒドロキシエタン−１−スルホン
酸、２−ヒドロキシプロパン−１−スルホン酸、２−ヒ
ドロキシブタンスルホン酸、２−ヒドロキシペンタンス
ルホン酸、１カルボキシエタンスルホン酸、１，３−プ
ロパンジスルホン酸、アリールスルホン酸、２−スルホ
酢酸、２−又は３−プロピオスルホン酸、スルホこはく
酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、ベンゼンスル
ホン酸、トルエンスルホン酸、キシレスルホン酸、ニト
ロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸、スルホサリチ
ル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、フェノールスルホ
ン酸、フェノール−２，４−ジスルホン酸、（１９）の
アミンアルコールとしては、Ｎ−メチルエタノールアミ
ン、２−ジエチルアミノエタノール、３−ジエチルアミ
ノ−１−プロパノール、１−（ジメチルアミノ）−２−
プロパノール、３−（ジメチルアミノ）−２−プロパノ
ール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミンなどが挙げられる。めっき浴中での
使用量は、用いる浴の種類やめっき対象物によって適宜
選択されるが、浴中金属成分の１モルに対して、０．５
〜２０モル程度が適当であり、好ましくは２〜１５モル
程度である。

【００３３】なお、めっき下層側の亜鉛含有率が０．１
〜１５％組成、めっき皮膜表面層側の皮膜組成を下層側
皮膜の亜鉛含有率よりも低い０．５％以下から錫単独に
至る範囲の組成にした光沢ないしは半光沢の錫−亜鉛傾
斜電気めっき皮膜を施した本発明の電気・電子回路部品
は、上述の錫−亜鉛系はんだによって接合される場合に
良好なはんだ接合性を有するものであるが、錫−亜鉛系
以外のはんだ、即ち、錫−鉛系、錫−銀系、錫−アンチ
モン系、錫−ビスマス系、錫−インジウム系、錫−銅系
などのはんだを用いた場合にも、該皮膜よりも亜鉛含有
率の高い皮膜や、光沢性のない皮膜を用いた場合よりも
はんだ接合性能は良好であり、これら錫−亜鉛系以外の
はんだに対しても適用は可能である。

【００３４】本発明に従う錫−亜鉛傾斜電気めっき皮膜
を適用できる、はんだ接合箇所を有した電気・電子回路
部品には、例えば、ＩＣ半導体等の電子デバイス等、抵
抗器、コンデンサ等の受動部品等、コネクタ、スイッ
チ、プリント配線板等の接合部品等、などが挙げれる。

【００３５】

【実施例】次に実施例によって、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではなく、前述した目的に沿って請求した請求項に記載
した範囲内で下層側の亜鉛含有率、錫−亜鉛傾斜合金め
っき皮膜厚さ、めっき皮膜表面層側の亜鉛含有率が０．
５％以下から錫単独組成に至るまでのの錫−亜鉛傾斜合
金めっき皮膜の膜厚、外観、傾斜合金皮膜を形成するめ
っき浴の構成、下地めっき、めっき前処理条件は、適
宜、任意に変更し、該電気・電子回路部品を製作する事
が出来る。

【００３６】バフ研磨した銅板を素地として用い、０．
３×２５×２５ｍｍに切断後、定法に従って予備処理と
して、ベンジン脱脂、電解脱脂、水洗、酸洗を行い、め
っきを施した。下地めっきにニッケルめっきを施す場合
には通常の無光沢浴を、無電解ニッケルめっきには通常
の次亜リン酸を還元剤とするニッケル−リン合金めっき
を施した。金めっきはシアン浴から純金めっきを施し
た。

【００３７】はんだ接合試験には、メニスコグラフ法を
用い、錫−亜鉛（９２％−８％）のはんだ浴をはんだ接
合材に用い、浴温２３０℃、ロジンフラックス使用、浸
漬時間５秒の条件で測定した。比較例及び実施例に用い
た銀めっき浴組成の一例は、それぞれの例の中に記載し
た。なお、はんだ接合試験の結果を、（ａ）ゼロクロス
タイム、（ｂ）浸漬開始より５秒後の濡れ荷重及び
（ｃ）外観状態の３つを指標として評価し、（ｄ）総合
評価をＡ〜Ｅに分類した。

【００３８】比較例１ 銅板試料を上述に従って、予備処理し、乾燥させた直後
に、はんだ接合試験を実施した。

【００３９】比較例２ 予備処理、乾燥の後、一週間放置し、はんだ接合試験を
実施した。めっき皮膜を施さない場合には、十分なはん
だ接合性は得られず、一週間放置した試料はさらにはん
だ接合性が低下した。

【００４０】比較例３ 予備処理の後、１０μｍの下層ニッケルめっきを施し、
さらに０．１μｍの上層金めっきを施した。該試料は、
比較例１に比べるとかなり良好なはんだ接合性を示し
た。

【００４１】ニッケルめっき→金めっきという従来から
の皮膜の組合せで、はんだ接合性はある程度改善される
けれども、工業的利用に十分とは言えず、また、従来錫
−鉛はんだめっきが利用されてきた接合部品の総てに希
有金属の金を使用することは、コストの低減ばかりでな
く、希少金属資源保全の観点からも望ましくない。

【００４２】比較例４ 下記の（Ａ）浴から厚さ１０μｍで亜鉛含有率３５％の
半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を施した。 （Ａ）浴 硫酸錫 ０．１２５ ｍｏｌ／ｌ 硫酸亜鉛 ０．１２５ ｍｏｌ／ｌ グルコン酸ナトリウム ０．５５ ｍｏｌ／ｌ トリエタノ−ルアミン ０．２５ ｍｏｌ／ｌ ポリエチレングリコ−ル ノニルフェニルエ−テル １０ ｇ／ｌ ベンズアルデヒド ０．１ ｇ／ｌ 浴のｐＨ ５．０ 浴温度 ２５ ℃ 陰極電流密度 １．５Ａ／ｄｍ² 標準的な錫−亜鉛合金めっきであり、カドミウムめっき
の代替として防食用皮膜として使用されている亜鉛含有
率が３５％の半光沢錫−亜鉛合金めっき皮膜を応用して
も、はんだ付け接合性は改善されなかった。

【００４３】実施例１ 下記の（Ｂ）浴から陰極電流密度２Ａ／ｄｍ² の条件で
下層側皮膜の亜鉛含有率が８％、１０μｍ厚の錫−亜鉛
合金めっきを施し、このめっき皮膜の表面層を、めっき
終了前に陰極電流密度を０．３Ａ／ｄｍ² に低下させる
事によって、亜鉛含有率０．１５％、０．２０μｍ厚の
光沢錫−亜鉛傾斜合金めっき皮膜を施した。 （Ｂ）浴 硫酸錫 ０．２０ ｍｏｌ／ｌ 硫酸亜鉛 ０．０５ ｍｏｌ／ｌ グルコン酸ナトリウム ０．５５ ｍｏｌ／ｌ トリエタノ−ルアミン ０．２５ ｍｏｌ／ｌ ポリエチレングリコ−ル ノニルフェニルエ−テル １０ ｇ／ｌ ｏ−バニリン ０．０５ ｇ／ｌ ３７％ホルマリン ０．５ ｇ／ｌ ｐＨ ５．０ 浴温度 ２０ ℃ 皮膜表面層の亜鉛含有率が低く、外観が光沢性を示す錫
−亜鉛傾斜合金めっき皮膜は、非常に良好なはんだ接合
性を示した。

【００４４】実施例２ 下記の（Ｃ）浴から陰極電流密度２Ａ／ｄｍ² の条件で
厚さ１０μｍ、亜鉛含有率８％の錫−亜鉛合金めっき皮
膜を施し、このめっき皮膜表面層を亜鉛含有率が０．５
％となるように陰極電流密度０．５Ａ／ｄｍ² で１．０
μｍの半光沢錫−亜鉛傾斜合金皮膜を施した。 （Ｃ）浴 メタンスルホン酸錫 ０．２０ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸亜鉛 ０．０５ ｍｏｌ／ｌ クエン酸 ０．８０ ｍｏｌ／ｌ トリエタノ−ルアミン ０．１５ ｍｏｌ／ｌ ポリエチレングリコ−ル ノニルフェニルエ−テル ５ ｇ／ｌ ｏ−バニリン ０．０５ ｇ／ｌ ｐＨ（水酸化ナトリウム水溶液で調整） ５ 浴温度 ２０ ℃ 得られた半光沢めっき皮膜も、実施例１と同様良好なは
んだ付け性を示した。

【００４５】実施例３ 下記（Ｄ）浴から陰極電流密度２Ａ／ｄｍ² で亜鉛含有
率１５％、３．０μｍ厚の錫−亜鉛合金めっきを施し、
皮膜表面層は陰極電流密度を０．０１Ａ／ｄｍ² に低下
させて、厚さ０．０５μｍ、純度９９．９９％以上の半
光沢錫めっき皮膜を施した。 （Ｄ）浴 塩化錫 ０．０８ ｍｏｌ／ｌ 塩化亜鉛 ０．２５ ｍｏｌ／ｌ リンゴ酸ナトリウム ０．６０ ｍｏｌ／ｌ ジメチルラウリルベタイン ５ ｇ／ｌ ｐＨ（アンモニア水で調整） ５．０ 浴温度 ３０ ℃ 膜厚が３．０μｍ、亜鉛含有率が１５％の下層めっきと
表面層が０．０５μｍの薄い半光沢錫めっき皮膜から形
成される試料においても良好なはんだ付け性が得られ
た。

【００４６】実施例４ 下記（Ｅ）浴から陰極電流密度２Ａ／ｄｍ² の条件で、
厚さ２０μｍ、亜鉛含有率３％の錫−亜鉛合金めっきを
施し、次いで、陰極電流密度を０．２Ａ／ｄｍ² に低下
させて表面層側の０．５μｍ厚の部分を亜鉛含有率０．
２０％の半光沢錫−亜鉛傾斜合金皮膜を施した。 （Ｅ浴） メタンスルホン酸錫 ０．１７ ｍｏｌ／ｌ メタンスルホン酸亜鉛 ０．１５ ｍｏｌ／ｌ スルホコハク酸 ０．８０ ｍｏｌ／ｌ 硫酸アンモニウム ８０ ｇ／ｌ ポリオキシエチレンラウリル アミン ４．５ ｇ／ｌ ｐＨ（アンモニア水にて調整） ５ 浴温度 ２０ ℃ 錫−亜鉛傾斜合金皮膜の下層皮膜厚が厚く、表面層側が
薄い場合においても、優れたはんだ付け性を示した。

【００４７】実施例５ 実施例２と同一の操作によって得られた傾斜合金皮膜を
大気中で１５０℃−１０Ｈｒの耐加熱処理を施した後
に、はんだ付け性試験を実施した。その結果、実施例２
よりは劣っていたが、比較例４の亜鉛含有率の高い錫−
亜鉛合金めっき皮膜よりは優れたはんだ付け性を示し
た。

【００４８】比較例５ 実施例２に記載の（Ｃ）浴を用いて、陰極電流密度２Ａ
／ｄｍ² 一定条件で、亜鉛含有率８％の合金めっき皮膜
を施した後、実施例５と同一の大気中１５０℃−１０Ｈ
ｒの耐加熱処理を施した後に、はんだ付け性試験を実施
した。はんだ付け性は実施例５よりも著しく劣ってい
た。

【００４９】実施例６ 鉄−ニッケル４２アロイ素地上に電気めっきによって３
μｍの銅めっきを施した後、実施例２と同一条件でめっ
きを施して作成した試料のはんだ接合性は実施例２と同
様に良好であった。

【００５０】実施例７ 下層めっきとして厚さ１０μｍの電気ニッケルめっき皮
膜を施した上に、実施例１と同じ条件で錫−亜鉛傾斜合
金めっき皮膜を施し、比較例５と同じく大気中１５０℃
−１０Ｈｒの耐加熱処理を施した後、はんだ接合性を測
定した。はんだ接合性は、比較例５よりも良好であった
が、実施例１のめっき直後よりも低下していた。

【００５１】実施例８ 銅材の下層めっきとして、０．１μｍの厚さの無電解ニ
ッケルめっき皮膜を施した後に、実施例２と同じ条件で
錫−亜鉛傾斜合金皮膜を施した。次いで、１週間経時後
にはんだ接合性を測定した。下層めっき皮膜は０．１μ
ｍの厚さでも十分の効果を示し、実施例２と同様の良好
なはんだ付け性を示した。

【００５２】はんだ接合試験の結果を、（ａ）ゼロクロ
スタイム、（ｂ）浸漬開始より５秒後の濡れ荷重及び
（ｃ）外観状態の３つを指標として評価し、（ｄ）総合
評価をＡ〜Ｅに分類し、下記の表１に要約する。

【表１】

【００５３】

【発明の効果】本発明に係る電気・電子回路部品は、錫
−亜鉛合金めっき皮膜よりも耐酸化性の優れた錫−亜鉛
傾斜合金皮膜で被覆されており、非鉛の錫−亜鉛系はん
だ接合材を用いる際に良好なはんだ接合性を有した電気
・電子回路部品を提供するものであり、電気・電子回路
部品のはんだ接合工程から鉛を追放することを可能とす
るものである。

フロントページの続き (72)発明者 加藤 祐二 兵庫県明石市二見町南二見21−８株式会社 大和化成研究所内 (72)発明者 青木 和博 兵庫県神戸市兵庫区西柳原町５番26号石原 薬品株式会社内 (72)発明者 縄舟 秀美 大阪府高槻市真上町５丁目38−34

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 錫−亜鉛系はんだではんだ接合すること
   を目的として、光沢又は半光沢を有する１．０〜１００
   μｍ厚さの電気めっき錫−亜鉛傾斜合金皮膜を予め被覆
   してなる電気・電子回路部品であって、該電気めっき錫
   −亜鉛傾斜合金皮膜は、めっき皮膜の下層側の亜鉛含有
   率が０．１％以上、１５％以下であり且つめっき皮膜の
   表面層側の亜鉛含有率が下層側皮膜よりも少ない０．５
   ％以下から錫単独に至るまでである組成を有するもので
   あることを特徴とする電気・電子回路部品。
2. 【請求項２】 前記の電気めっき錫−亜鉛傾斜合金皮膜
   が、非シアン系の錫−亜鉛合金電気めっき浴を用いてめ
   っきを行い、次いでめっき作業を終了する前に陰極電流
   密度を０．００１〜１．０Ａ／ｄｍ² に低下させてめっ
   きを行うことにより形成されたものであることを特徴と
   する請求項１記載の電気・電子回路部品。
3. 【請求項３】 電気めっき錫−亜鉛傾斜合金皮膜を施す
   に先立って、ニッケル又はニッケル合金又は銅を電気め
   っき又は無電解めっきによって下地に施すことを特徴と
   する請求項１又は２記載の電気・電子回路部品。