JPH0997307A - イメージデータの書込制御機構 - Google Patents

イメージデータの書込制御機構

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JPH0997307A
JPH0997307A JP7253326A JP25332695A JPH0997307A JP H0997307 A JPH0997307 A JP H0997307A JP 7253326 A JP7253326 A JP 7253326A JP 25332695 A JP25332695 A JP 25332695A JP H0997307 A JPH0997307 A JP H0997307A
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clock
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sensor data
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Kiyoshi Takahashi
高橋  清
Yoshikazu Kobayashi
美和 小林
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 イメージメモリにおける動作を、センサクロ
ックから独立させて高速化する。 【解決手段】 帳票2の反射光が、レンズ32を介して
受像素子33に与えられる。受像素子33はセンサクロ
ックC1に同期した光電変換を行なって帳票2に対応す
るアナログセンサデータSAを順次出力し、A/D変換
部34がそれをデジタルセンサデータSDに変換してセ
ンサ制御部35に転送する。センサ制御部35には、入
出力が非同期の先入れ先出型のラインメモリが設けられ
ている。データSDは、受像素子33の性能に適合させ
て与えられたクロックC1に同期してそのラインメモリ
に順に書込まれる。ラインメモリに書込まれたデータS
Dは、クロックC1とは独立したイメージメモリ36に
依存するイメージメモリクロックC2に同期して読出さ
れて、イメージメモリ36に書込まれる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学式文字読取装
置(以下、OCR)における書込み制御回路に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のOCRの基本構成を示す
ブロック図である。このOCRは、上位装置1からの指
示に基づき、帳票2に記載された事項の文字認識を行う
ものであり、光源3と、集光用レンズ4と、例えばCC
Dセンサ等のラインセンサで構成された受像素子5と
を、備えている。光源3が帳票2に投光し、帳票2の反
射光がレンズ4を介して受像素子5に与えられる構成で
ある。受像素子5は光電変換を行うものであり、帳票2
のイメージに対応するアナログセンサデータSAを順に
出力するようになっている。受像素子5の出力側は、ア
ナログデータSAをデジタルセンサデータSDに変換す
るアナログ/ディジタル変換部(以下、A/D変換部と
いう)6を介して、イメージメモリ7に接続されてい
る。イメージメモリ7の出力側に前処理部8が接続さ
れ、その前処理部8の出力側が文字認識部9に接続され
ている。文字認識部9の出力する文字認識結果が、主制
御部10に与えられ、主制御部10が文字認識結果を上
位装置1に与える構成になっている。主制御部10は上
位装置1の命令に応じて機構制御部11に指示を与え、
機構制御部11が駆動系12を制御し、駆動系12が帳
票2を搬送する構成である。また、機構制御部11は、
イメージメモリ7の動作も制御するようになっている。
【0003】図3は、図2中のイメージメモリの内部を
示す構成ブロック図である。イメージメモリ7は、帳票
2全体に対応するセンサデータSDを、イメージデータ
m として格納するイメージメモリ回路20と、A/D
変換部6からのセンサデータSDをセンサクロックC1
に同期してラッチするラッチ回路(ラッチ)21とを備
えている。ラッチ回路21の出力側が、イメージメモリ
回路20に接続されている。また、イメージメモリ7に
は、イメージメモリ回路20にセンサデータSDを書込
む際のアドレスを設定するライトXアドレスカウンタ
(ライトXアドレス)22及びライトYアドレスカウン
タ(ライトYアドレス)23と、データIm を読出す際
のアドレスを設定するリードXアドレスカウンタ(リー
ドXアドレス)24及びリードYアドレスカウンタ(リ
ードYアドレス)25とが、設けられている。
【0004】各カウンタ22〜25は、入力された該セ
ンサクロックC1に同期してカウント動作をそれぞれ行
うようになっている。ライトXアドレスカウンタ22及
びライトYアドレスカウンタ23の出力側は、セレクタ
26とセンサ制御回路27に接続されている。リードX
アドレスカウンタ24及びリードYアドレスカウンタ2
5には、機構制御部11を介してXアドレスAx及びY
アドレスAyが与えられる構成であり、これらのカウン
タ24,25の出力側は、読出し制御回路28とセレク
タ26に接続されている。セレクタ26は、書込み用ア
ドレスと読出し用アドレスを切り替えて、イメージメモ
リ回路20に与えるものであり、該セレクタ26には、
書込みと読出しの切り替え信号W/Rが入力される構成
になっている。センサ制御回路27は、センサデータS
Dの転送開始を指示するシフトゲート信号SGを受像素
子5に送出すると共に、ライトXアドレスカウンタ22
をクリアするクリア信号CLR1 を供給する機能を有し
ている。
【0005】次に、図2の基本動作を説明する。OCR
は上位装置1からの読取り指示に基づき、機構制御部1
1によって駆動系12を制御し、これにより、帳票2が
搬送路を搬送される。帳票2が光源3の下を通過すると
き、光源3からの光が帳票2の表面で反射し、帳票2の
イメージがレンズ4を介して受像素子5に集められる。
受像素子5により、帳票のイメージがアナログセンサデ
ータSAに変換される。アナログセンサデータSAは、
A/D変換部6でデジタルセンサデータSDに変換され
る。それがシフトゲート信号SGの指示するタイミング
でイメージメモリ7に転送される。
【0006】図4は、図2によるセンサデータの転送タ
イミングを説明するタイムチャートである。シフトゲー
ト信号SGは、A/D変換部6及び受像素子5に対し
て、受像素子5の1ライン分のデータの転送の開始を指
示する信号であり、この信号SGをトリガとして、A/
D変換部6を介して、受像素子5に入力するセンサクロ
ックC1に同期して1ライン分のセンサデータSDが、
イメージメモリ7に順に転送される。転送されたセンサ
データSDは、センサクロックC1に同期してラッチ回
路21にラッチされる。シフトゲート信号SGは、イメ
ージメモリ7中のセンサ制御回路27にて生成されてい
る。センサ制御回路27は、センサデータSDが有効に
なるタイミングに、クリア信号CLR1 を出力する。こ
れにより、ライトXアドレスカウンタ22がクリアされ
て0になる。
【0007】ライトXアドレスカウンタ22が0になっ
てから、イメージメモリ回路20に対するイメージデー
タIm の書込みが開始される。イメージメモリ回路20
に書込まれるイメージデータIm は、ラッチ回路21の
ラッチしたセンサデータSDであり、その書込みアドレ
スは、カウンタ22,23のカウント値に対応する。ラ
イトXアドレスカウンタ22は、センサクロックC1に
同期してカウント動作し、イメージメモリ回路20のX
アドレスを変更し、1ライン分のセンサデータSDがイ
メージデータIm としてそのイメージメモリ回路20に
順次書込まれる。1ライン分のデータSDの書込が終了
すると、ライトYアドレス23の値をプラス1する。以
上の動作を繰り返すことで、帳票2の全体のイメージデ
ータImが、イメージメモリ回路20に書込まれる。
【0008】前処理部8は、イメージメモリ回路20に
対するXアドレスAx とYアドレスAy とを、リードX
アドレスカウンタ24とリードYアドレスカウンタ25
とにそれぞれセットすると共に、センサクロックC1に
同期して、読出し制御回路28を介して、読出し領域の
イメージデータIm を読出す。そして、前処理部8は、
読出したデータから1文字分の文字パターンのデータを
切出す。なお、書込と読出しは独立しているため、ライ
ト動作のときのアドレスとリード動作のときのアドレス
とは、セレクタ26によって切り替えてイメージメモリ
回路20に与えられる。セレクタ26は、信号W/Rに
基づいて、その切り替えを行う。前処理部8によって切
出された文字パターンは、文字認識部9に送られ、文字
認識部9が文字認識を行う。文字認識結果は、主制御部
10を介して、上位装置1に連絡される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
OCRでは、次のような課題があった。イメージメモリ
7内の書込動作及び読出し動作は、センサクロックC1
に同期して行われている。そのため、次の(1)〜
(3)に示すような課題がある。 (1) センサクロックC1は、受像素子5の性能によ
って決定され、イメージメモリ7における書込及び読出
し動作は、そのセンサクロックC1の周波数に依存して
いる。そのため、その書込動作及び読出し動作は、受像
素子5の性能に依存し、それ以上高速化する事ができな
かった。 (2) A/D変換部6を介したセンサデータSDは、
センサクロックC1に同期して転送されるので、途中で
その転送を中断することができない。よって、イメージ
メモリ回路20に、ダイナミックランダムアクセスメモ
リ(以下、DRAMという)を使用した場合、一般的な
リフレッシュ方式のCBR(CAS BEFORERAS REFRESH)
が採用できないという課題がある。 (3) ライトXアドレスカウンタ22をセンサ制御回
路28とイメージメモリ回路20とで兼用しているの
で、使用する受像素子5が変更になった場合、それに伴
って変更する回路構成が大きく成る。即ち、イメージメ
モリ回路20の周辺回路も変更する必要があり、汎用回
路として設計することができないという問題もある。
【0010】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、帳票の光
学的イメージを光電変換して画素毎のアナログセンサデ
ータを生成し、それをセンサクロックに同期して順次出
力することで主走査されたアナログセンサデータを出力
する受像素子と、前記各アナログセンサデータをデジタ
ルセンサデータに変換して転送するアナログ/デジタル
変換部と、前記転送されたデジタルセンサデータを格納
するイメージメモリとを備え、前記帳票全面の画素の前
記デジタルセンサデータをイメージデータとして前記イ
メージメモリに書込むイメージデータの書込制御機構に
おいて、次のようなセンサ制御部を設けている。前記セ
ンサ制御部は、前記アナログ/デジタル変換部と前記イ
メージメモリとの間に接続され、前記受像素子における
主走査分のアドレスを前記センサクロックに基づき生成
するセンサアドレス手段と、該主走査分のアドレスに基
づき前記転送のタイミングを制御する制御回路と、入出
力が非同期で行える機能を有し前記アナログ/デジタル
変換部からのデジタルセンサデータを複数格納するライ
ンメモリとを備えている。そして、前記ラインメモリ
は、前記センサクロックに同期して前記デジタルセンサ
データを順に書込み、前記センサクロックとは異なる速
度であり前記イメージメモリにおける動作を司るイメー
ジメモリクロックに同期してその書込まれたデジタルセ
ンサデータを順に読出す構成としている。また、前記イ
メージメモリは、前記ラインメモリから読出されたデジ
タルセンサデータを前記イメージメモリクロックに同期
して書込む構成にしている。
【0011】第2の発明は、第1の発明における前記セ
ンサクロックの周期T1と前記イメージメモリクロック
の周期T2の関係は、次の(1)式の条件を満たし、前
記ラインメモリは、前記デジタルセンサデータの前記受
像素子の前記主走査における最終有効画素が書込まれた
後、該書込まれた1ライン分のデジタルセンサデータを
順に読出す構成にしている。 T1>T2 ・・・(1) 第3の発明は、第1の発明のイメージデータの書込制御
機構において、前記ラインメモリからのデジタルセンサ
データの読出しと、前記イメージメモリにおける該デジ
タルセンサデータの書込とをウエイトさせるために、前
記イメージクロックを一時的に止めるウエイト手段を設
けている。第4の発明は、第3の発明における前記セン
サクロックの周期T1と前記イメージメモリクロックの
周期T2の関係は、前記主走査における有効画素数をG
1、無効画素数をG2、前記ラインメモリにおける1ラ
イン当たりのウエイト数をWtとすると、次の(2)式
を満たし、前記ラインメモリは、前記デジタルセンサデ
ータの前記受像素子の前記主走査における最終有効画素
が書込まれた後、該書込まれた1ライン分のデジタルセ
ンサデータを順に読出す構成にしている。 T1×(G1+G2)>T2×(G1+Wt)・・・(2) 第1の発明は、以上のようにイメージデータの書込制御
機構を構成しているので、受像素子からは、帳票の光学
的イメージに対応する主走査されたアナログセンサデー
タが順に出力される。アナログセンサデータは、アナロ
グ/デジタル変換部によってデジタルセンサデータに変
換されて転送される。そして、転送された帳票全面の画
素に対応するデジタルセンサデータが、イメージデータ
としてイメージメモリ中に書込まれる。ここで、前記ア
ナログ/デジタル変換部と前記イメージメモリとの間に
接続されたセンサ制御部中のセンスアドレス手段におい
て、センサクロックに同期して受像素子における主走査
分のアドレスが生成され、そのアドレスに基づき、アナ
ログ/デジタル変換部を介した転送のタイミングが、制
御回路によって制御される。また、センサクロックに同
期してデジタルセンサデータが一度ラインメモリに順に
書込まれる。そして、センサクロックとは異なる速度の
イメージメモリクロックに同期して、そのラインメモリ
に格納されたデジタルセンサデータが、順に読出され
る。即ち、センサクロックとイメージメモリクロック間
の速度差が、この段階で吸収される。ラインメモリから
読出されたデジタルセンサデータは、イメージメモリク
ロックに同期してイメージメモリ中に書込まれる。つま
り、イメージメモリにおける動作は、受像素子の性能に
依存するセンサクロックから独立する。
【0012】第2の発明によれば、第1の発明における
センサクロックの周期T1とイメージメモリクロックの
周期T2の関係は、(1)式を満たしている。そして、
ラインメモリは、デジタルセンサデータの受像素子の主
走査における最終有効画素が書込まれた後、該書込まれ
た1ライン分のデジタルセンサデータを順に読出す。そ
のため、ラインメモリに書込まれたセンサデータが、上
書きされる前に読出される。第3の発明によれば、ウエ
イト手段により、第1の発明におけるイメージクロック
が一時的に止められ、ラインメモリからのデジタルセン
サデータの読出しと、イメージメモリにおけるデジタル
センサデータの書込とをウエイト状態にできる。第4の
発明によれば、第3の発明におけるセンサクロックの周
期T1とイメージメモリクロックの周期T2の関係は、
主走査における有効画素数をG1、無効画素数をG2、
ラインメモリにおける1ライン当たりのウエイト数をW
tとすると、(2)式を満たしている。そして、ライン
メモリは、デジタルセンサデータの受像素子の主走査に
おける最終有効画素が書込まれた後、該書込まれた1ラ
イン分のデジタルセンサデータを順に読出す。そのた
め、ラインメモリに書込まれたセンサデータが、上書き
される前に読出すことができる。従って、前記課題を解
決できるのである。
【0013】
【発明の実施の形態】第1の実施形態 図1は、本発明の第1の実施形態を示すOCRの構成ブ
ロック図である。このOCRは、従来と同様に、上位装
置1からの指示に基づき、帳票2上の記載事項に対する
文字認識を行うものであり、光源31と、集光用レンズ
32と、例えばラインセンサであるCCDセンサ等で形
成された受像素子33を備えている。光源31が走行中
の帳票2に投光し、その投光された光が帳票2で反射
し、それがレンズ32を介して集光されて受像素子33
に与えられる構成である。受像素子33は光電変換を行
うものであり、帳票2のイメージに対応するアナログセ
ンサデータSAを出力するようになっている。受像素子
33の出力側は、センサデータSAをデジタルセンサデ
ータSDに変換して転送するA/D変換部(A/D)3
4に接続されている。A/D変換部34の出力側には、
該A/D変換部34の転送したセンサデータSDと受像
素子33の制御を行うと共に、1ライン分のセンサデー
タSDを蓄える機能を有したセンサ制御部35が、接続
されている。センサ制御部35の出力側に、イメージメ
モリ36が接続されている。イメージメモリ36の出力
側には前処理部37が接続され、その前処理部37の出
力側が文字認識部38に接続されている。文字認識部3
8の出力する文字認識結果が、主制御部39に与えられ
る構成であり、その主制御部39が、その文字認識結果
を上位装置1に与える構成になっている。主制御部39
は、上位装置1との通信及び該OCR全体を制御する機
能を有している。主制御部39には機構制御部40が接
続され、主制御部39は上位装置1の命令に応じてその
機構制御部40に指示を与え、機構制御部40が駆動系
41を制御する構成である。駆動系41は、帳票2を搬
送するようになっている。また、機構制御部40は、イ
メージメモリ36の動作も制御するようになっている。
【0014】図5は、図1中のセンサ制御部とイメージ
メモリの構成ブロック図である。本実施形態のOCRの
特徴は、センサ制御部35を設けたことである。センサ
制御部35は、ラッチ回路(ラッチ)351 と、A/D
変換部34からのセンサデータSDを1ライン分格納す
るラインメモリ352 と、ラッチ回路(ラッチ)353
と、カウンタで形成されたセンサアドレス手段(センサ
アドレス)354と、センサ制御回路355 とを、備え
ている。ラッチ回路351 は、受像素子33の性能に対
応するように機構制御部40で設定されたセンサクロッ
クC1に同期して、センサデータSDをラッチするもの
であり、該ラッチ回路351 の出力側に、ラインメモリ
352 が接続されている。ラインメモリ352 は、非同
期にセンサデータSDを入出力する先入れ先出し型(F
IFO)メモリであり、そのライト動作とリード動作を
独立して行うために、センサクロックC1と、該センサ
クロックC1とは独立したイメージメモリクロックC2
とを入力する構成になっている。即ち、ラインメモリ3
2 の図示しない内部アドレスカウンタにおいて、セン
サクロックC1がラインメモリ352 のライトクロック
となり、イメージメモリクロックC2がリードクロック
となっている。また、ラインメモリ352 の内部アドレ
スカウンタは、独立のリセット機構を有し、各クロック
によって1番地ずつ増加し、リセットによって0番地に
戻る機能を有している。
【0015】ラインメモリ352 の出力側には、イメー
ジメモリクロックC2に同期して、該ラインメモリ35
2 から読出したセンサデータSDをラッチするラッチ回
路353 が、接続されている。センサアドレス手段35
4 は、センサクロックC1をカウントすることで、受像
素子33における主走査分のアドレスを生成してセンサ
制御回路355 へ与えるものである。センサ制御回路3
5 はその主走査分のアドレスに基づき、受像素子33
を制御するシフトゲート信号SGを生成すると共に、セ
ンサアドレス手段354 をクリアするクリア信号CLR
2 と、イメージメモリ36に対するライトXアドレスク
リア信号CLR3 とを、生成して出力する機能を有して
いる。イメージメモリ36は、センサ制御部35中のラ
ッチ回路353 の出力側に接続され、帳票2全体のセン
サデータSDをイメージデータIm として格納するイメ
ージメモリ回路361 と、イメージメモリクロックC2
を発生する発振器(OSC)362 とを、備えている。
また、イメージメモリ36には、イメージメモリ回路3
1 にセンサデータSDを書込む際の、Xアドレスを設
定するライトXアドレスカウンタ(ライトXアドレス)
363 及びYアドレスを設定するライトYアドレスカウ
ンタ(ライトYアドレス)364 と、データIm を読出
す際のアドレスを設定するリードXアドレスカウンタ
(リードXアドレス)365 及びリードYアドレスカウ
ンタ(リードYアドレス)366 とが、設けられてい
る。
【0016】各カウンタ363 〜366 には、イメージ
メモリクロックC2が入力され、各カウンタ363 〜3
6 がそのイメージメモリクロックC2に同期してそれ
ぞれカウント動作を行うようになっている。ライトXア
ドレスカウンタ363 及びライトYアドレスカウンタ3
4 の出力側は、セレクタ367 とメモリ制御回路36
8 に接続されている。リードXアドレスカウンタ365
及びリードYアドレスカウンタ366 には、機構制御部
40を介してXアドレスAxとYアドレスAyがそれぞ
れ与えられる構成であり、これらのカウンタ365 ,3
6 の出力側が、読出し制御回路369 とセレクタ36
7 に接続されている。セレクタ367 は、書込み用アド
レスと読出し用アドレスとを切り替えて、イメージメモ
リ361に与えるものであり、セレクタ367 は、入力
された書込みと読出しの切り替え信号W/Rに基づい
て、その切り替えを行う構成になっている。メモリ制御
回路368 は、ライトXアドレスカウンタ363 をクリ
アするアドレスクリア信号CLR4 を送出すると共に、
後述するデータエンド信号Dend を送出する機能を有し
ている。アドレスクリア信号CLR4 とライトXアドレ
スクリア信号CLR3とは、ゲート3610を介してライ
トXアドレスカウンタ363 に与えられる接続である。
即ち、受像素子33、A/D変換部34、センサ制御部
35、カウンタ5363 〜506 及びメモリ制御回路3
8 がイメージデータの書込み制御機構を形成してい
る。
【0017】次に、図1のOCRの動作を説明する。O
CRは上位装置1からの読取り指示に基づき、機構制御
部40で駆動系41を制御する。この駆動系41の制御
により、帳票2が搬送路を搬送される。帳票2が光源3
1の下を通過するとき、光源31から投光された光が帳
票2の表面で反射し、帳票2のイメージがレンズ32を
介して受像素子33に集められる。受像素子33によ
り、帳票2のイメージがアナログセンサデータSAに変
換される。A/D変換部34において、センサデータS
AはデジタルセンサデータSDに変換され、従来の図2
と同様、シフトゲート信号SGの指示するタイミング
で、センサ制御部35に順に転送される。シフトゲート
信号SGは、A/D変換部34及び受像素子33に対し
て、受像素子33の1ライン分のデータの転送の開始を
指示する信号であり、この信号SGがトリガとなり、受
像素子33に入力するセンサクロックC1に同期して、
1ライン分のセンサデータSDがA/D変換部34を介
して、センサ制御部35に転送される。転送されたセン
サデータSDは、センサクロックC1に同期してラッチ
回路351 にラッチされる。シフトゲート信号SGは、
センサ制御部35中のセンサ制御回路355 で生成され
たものである。そのラッチされたセンサデータSDは、
センサクロックC1に同期してラインメモリ352 に順
に書込まれる。1ライン分のセンサデータSDがライン
メモリ352 に書込まれた時点で、そのセンサデータS
Dのうちの有効画素のデータが、イメージデータIm
してイメージメモリ36に順に転送される。
【0018】図6は、図1のセンサ制御部からイメージ
メモリへのデータ転送を説明するタイムチャートであ
る。センサ制御部35中のセンサ制御回路355 は、1
ライン分のセンサデータSDにおける最終有効画素がラ
インメモリ352 に書込まれたタイミングで、ラインメ
モリ352 からデータを読出してよいことを示すデータ
セット信号Dset を有効にする。データセット信号Dse
t が有効になることにより、センサ制御回路355 は、
イメージメモリ36内のライトXアドレス363 を0に
クリアするライトXアドレスクリア信号CLR3 を、イ
メージメモリクロックC2の1パルス分出力すると共
に、ラインメモリ352 のデータが有効であることを示
すデータイネーブル信号Eを有効にする。
【0019】データイネーブル信号Eが有効な期間、イ
メージメモリクロックC2に同期して、ラインメモリ3
2 上のセンサデータSDが順に読出されてラッチ回路
353 にラッチされる。ラッチ回路353 にラッチされ
たセンサデータSDは、イメージメモリクロックC2に
同期して、イメージメモリ回路361 に順に書込まれ
る。このデータイネーブル信号Eが有効な期間におい
て、ライトXアドレスカウンタ363 は、イメージメモ
リ回路361 のアドレスをインクリメントしながら設定
していく共に、書込画素をカウントすることになるの
で、該ライトXアドレスカウンタ363 のアドレスをデ
コードすることにより、メモリ制御回路368は、1ラ
イン分の最後のデータを書込んでいることを認識するこ
とができる。最後のデータを書込んでいることを認識し
た場合、メモリ制御回路368 は、ラッチ回路353
ら読出しているデータがその最後のデータであることを
示すデータエンド信号Dend を有効にする。センサ制御
回路355 はデータエンド信号Dend が有効になったこ
とを検出してデータイネーブル信号Eを無効にする。こ
れにより、1ライン分のセンサデータSDの有効分が、
イメージメモリ回路361に書込まれる。
【0020】なお、ラインメモリ352 からデータを読
出しを行っている場合も、A/D変換部34を介した受
像素子33からのセンサデータSDを止めることができ
ないので、センサデータSDはラインメモリ352 に継
続的に書込まれていく。ここで、本実施形態では、セン
サクロックC1よりもイメージメモリクロックC2の方
が動作速度が早いという条件を満足するようにしてい
る。即ち、センサクロックC1の周期T1とイメージメ
モリクロックC2の周期T2の関係は、次の(1)式を
満たすようにしている。 T1>T2 ・・・(1) このようにすると、ラインメモリ352 からセンサデー
タSDを読出す前に、そのデータが上書されることがな
い。即ち、先にラインメモリ352 の0番地からイメー
ジメモリクロックC2に同期して読出しが始まった後
に、センサクロックC1に同期してラインメモリ352
の0番地からの書込が始まるので、センサクロックC1
がイメージメモリクロックC2よりも遅ければ、ライン
メモリ352の書込アドレスが読出しアドレスに追付く
ことは有り得ない。即ち、センサデータSDが上書され
ない。
【0021】ライトYアドレスカウンタ364 を1つ増
加させて、以上のような動作を繰り返すことで、帳票2
のイメージ全体のイメージデータIm が、イメージメモ
リ36に格納される。前処理部37は、帳票2のイメー
ジデータIm の格納されたイメージメモリ36から、1
文字分の文字パターンを切出す。即ち、前処理部37
は、リードXアドレスカウンタ365 リードYアドレス
カウンタ366 に、XアドレスAxとYアドレスAyを
それぞれセットし、所望の領域のイメージデータIm
読出し制御回路369 を介して読出し、その読出したイ
メージデータImから、1文字分の文字パターンデータ
を切出す。なお、イメージメモリ回路361 に対する書
込と読出し動作は独立であるため、セレクタ367 は切
り替え信号W/R信号に基づき、ライトアドレスとリー
ドアドレスを切り替えてイメージメモリ回路361 に与
える。前処理部37は切出した文字パターンデータを文
字認識部38に送り、文字認識部38が文字認識を行
う。文字認識結果は、主制御部39を介して上位装置1
に通信される。
【0022】以上のように、この第1の実施形態によれ
ば、イメージメモリ36とA/D変換部34の間にセン
サ制御部35を設け、そのセンサ制御部35には、1ラ
イン分のセンサデータSDを格納するラインメモリ35
2 を備えている。そして、同センサクロックC1に同期
してラインメモリ352 にセンサデータSDを格納し、
イメージメモリクロックC2に同期して、ラインメモリ
352 からセンサデータSDを読出してイメージメモリ
回路361 に格納するようにしている。そのため、イメ
ージメモリ36の動作を、受像素子33の性能に依存し
たセンサクロックC1から独立させることができ、イメ
ージメモリ36の動作を高速化できる。また、使用する
受像素子33を変更する場合にも、センサ制御部35が
受像素子33に依存する部分を吸収しているので、変更
回路規模は少なくてすみ、イメージメモリ36の汎用化
が可能である。なお、センサクロックC1の速度をイメ
ージメモリクロックC2よりも遅くしておけば、ライン
メモリ352 に書込まれたセンサデータSDが、読出さ
れる前に上書されることがないので、ラインメモリ35
2 は1ライン分だけのセンサデータSDを格納すればよ
うにしておけばよい。つまり、ラインメモリを二つ用意
して、その二つに交互に書込みと読出しをするトグル制
御を行なわずともよい。即ち、ラインメモリ352 の規
模を最小にできる。
【0023】第2の実施形態 図7は、本発明の第2の実施形態を示すOCRの構成ブ
ロック図であり、図1中の要素と共通の要素には共通の
符号が付されている。このOCRは、従来と同様に、上
位装置1からの指示に基づき、帳票2上の記載事項に対
する文字認識を行うものであり、第1の実施形態と同様
の光源31と、集光用レンズ32と、受像素子33とを
備えている。光源31が走行中の帳票2に投光し、その
投光された光が帳票2で反射し、それがレンズ32を介
して集光されて受像素子33に与えられる構成である。
受像素子33は光電変換を行うものであり、帳票2のイ
メージに対応するアナログセンサデータSAを順に出力
するようになっている。受像素子33の出力側は、セン
サデータSAをデジタルセンサデータSDに変換して転
送するA/D変換部34に接続されている。A/D変換
部34の出力側には、該A/D変換部34の出力データ
SDと受像素子33の制御を行うと共に、1ライン分の
センサデータSDを蓄えるセンサ制御部35が、接続さ
れている。センサ制御部35の出力側に、第1の実施形
態とは異なる動作を行うイメージメモリ50が接続され
ている。イメージメモリ50の出力側に、第1の実施形
態と同様の前処理部37が接続され、その前処理部37
の出力側が文字認識部38に接続されている。文字認識
部38の出力する文字認識結果が、主制御部39に与え
られる構成であり、該主制御部39が、その文字認識結
果を上位装置1に与える構成になっている。主制御部3
9は、上位装置1との通信及び該OCR全体を制御する
機能を有している。主制御部39には機構制御部40が
接続され、主制御部39は上位装置1の命令に応じて機
構制御部40に指示を与え、機構制御部40が駆動系4
1を制御する構成である。駆動系41は、帳票2を搬送
するようになっている。また、機構制御部40は、イメ
ージメモリ50の動作も制御するようになっている。
【0024】図8は、図7中のセンサ制御部とイメージ
メモリの構成ブロック図である。本実施形態のOCRの
特徴は、第1の実施形態と同様のセンサ制御部35を設
けていることと、イメージデータをイメージメモリに書
込む際に、その動作を中断する機能を付加したことにあ
る。センサ制御部35は、ラッチ回路351 と、A/D
変換部34からのセンサデータSDを1ライン分格納す
るラインメモリ352 と、ラッチ回路353 と、カウン
タで形成されたセンサアドレス手段354と、センサ制
御回路355 とを、備えている。ラッチ回路351 は、
受像素子33の性能に対応するように機構制御部40で
設定されたセンサクロックC1に同期して、センサデー
タSDをラッチするものであり、該ラッチ回路351
出力側に、ラインメモリ352 が接続されている。ライ
ンメモリ352 は、非同期にセンサデータSDを入出力
する先入れ先出し型(FIFO)メモリであり、そのラ
イト動作とリード動作を独立して行うために、センサク
ロックC1と、該センサクロックC1とは独立したイメ
ージメモリクロックC2とを入力する構成になってい
る。即ち、ラインメモリ352 の図示しない内部アドレ
スカウンタにおいて、センサクロックC1がラインメモ
リ352 のライトクロックとなり、イメージメモリクロ
ックC2がリードクロックとなっている。また、ライン
メモリ352 の内部アドレスカウンタは、独立のリセッ
ト機構を有し、各クロックによって1番地ずつ増加し、
リセットによって0番地に戻る機能を有している。
【0025】ラインメモリ352 の出力側に、イメージ
メモリクロックC2に同期して、該ラインメモリ352
から読出したセンサデータSDをラッチするラッチ回路
353 が接続されている。センサアドレス手段35
4 は、センサクロックC1をカウントすることで、受像
素子33における主走査分のアドレスを生成してセンサ
制御回路355 へ与えるものである。センサ制御回路3
5 は、その主走査分のアドレスに基づき、受像素子3
3を制御するシフトゲート信号SGを生成すると共に、
センサアドレス手段354 をクリアするクリア信号CL
2 と、イメージメモリ50に対するライトXアドレス
クリア信号CLR3 とを、生成して出力する機能を有し
ている。イメージメモリ50は、センサ制御部35中の
ラッチ回路353 の出力側に接続されて帳票2全体のセ
ンサデータSDをイメージデータIm として格納するイ
メージメモリ回路501 と、イメージメモリクロックC
2を発生する発振器(OSC)502 とを、備えてい
る。また、イメージメモリ50には、イメージメモリ回
路501 にセンサデータSDを書込む際のXアドレスを
設定するライトXアドレスカウンタ503 及びYアドレ
スを設定するライトYアドレスカウンタ504 と、イメ
ージデータIm を読出す際のアドレスを設定するリード
Xアドレスカウンタ505 及びリードYアドレスカウン
タ506 とが、設けられている。
【0026】各カウンタ503 〜506 には、ゲート5
7 を介したイメージメモリクロックC2が入力され、
各カウンタ503 〜506 がそのイメージメモリクロッ
クC2に同期してそれぞれカウント動作を行うようにな
っている。ライトXアドレスカウンタ503 及びライト
Yアドレスカウンタ504 の出力側は、セレクタ508
とメモリ制御回路509 に接続されている。リードXア
ドレスカウンタ505及びリードYアドレスカウンタ5
6 には、機構制御部40を介してXアドレスAxとY
アドレスAyが与えられる構成であり、これらのカウン
タ505 ,506 の出力側は、読出し制御回路5010
セレクタ508 に接続されている。セレクタ508 は、
書込み用アドレスと読出し用アドレスとを切り替えて、
イメージメモリ501 に与えるものであり、セレクタ5
8 は、書込みと読出しの切り替え信号W/Rに基づい
て、その切り替えを行う構成になっている。メモリ制御
回路509 は、ライトXアドレスカウンタ503 をクリ
アするアドレスクリア信号CLR4 と、データエンド信
号Dend を送出すると共に、イメージメモリ回路501
をリフレッシュするときに、ウエイト信号Swを有効に
して出力する機能を有している。アドレスクリア信号C
LR4 とライトXアドレスクリア信号CLR3 とは、ゲ
ート5011を介してライトXアドレスカウンタ503
与えられる接続である。前述のゲート507 は、ウエイ
ト信号Swが有効なときに、イメージメモリクロックC
2を送出する接続である。即ち、受像素子33、A/D
変換部34、センサ制御部35、及びカウンタ503
506 及びメモリ制御回路509 がイメージデータの書
込み制御機構を形成し、メモリ制御回路509 とゲート
507 は、イメージメモリ回路501 に対する書込を、
一時的に止めるウエイト手段を形成している。
【0027】次に、図7のOCRの動作を説明する。O
CRは上位装置1からの読取り指示に基づき、機構制御
部40で駆動系41を制御する。制御された駆動系41
は帳票2を搬送し、帳票2が搬送路上を移動する。帳票
2が光源31の下を通過するとき、光源31から投光さ
れた光が帳票2の表面で反射し、帳票2のイメージがレ
ンズ32を介して受像素子33に集められる。受像素子
33により、帳票2のイメージがアナログセンサデータ
SAに変換される。A/D変換部34において、センサ
データSAはデジタルセンサデータSDに変換され、第
1の実施形態と同様、図2のシフトゲート信号SGの指
示するタイミングで、センサ制御部35に転送される。
シフトゲート信号SGは、受像素子33に対して1ライ
ン分のデータの転送の開始を指示する信号であり、この
信号SGがトリガとなり、受像素子33に入力するセン
サクロックC1に同期して1ライン分のセンサデータS
Dが、A/D変換部34を介してセンサ制御部35に順
に転送される。転送されたセンサデータSDは、センサ
クロックC1に同期してラッチ回路351 にラッチされ
る。そのラッチされたセンサデータSDは、センサクロ
ックC1に同期してラインメモリ352 に順に書込まれ
る。
【0028】1ライン分のセンサデータSDがラインメ
モリ352 に書込まれた時点で、そのセンサデータSD
のうちの有効画素のデータが、イメージデータIm とし
てイメージメモリ50に転送される。センサ制御部35
からイメージメモリ50へのデータ転送は、第1の実施
形態と同様、図6のタイミングで行なわれる。センサ制
御部35中のセンサ制御回路355 は、1ライン分のセ
ンサデータSDにおける最終有効画素がラインメモリ3
2 に書込まれたタイミングで、ラインメモリ352
らデータを読出してよいことを示すデータセット信号D
set を有効にする。データセット信号Dset が有効にな
ることにより、センサ制御回路355 は、イメージメモ
リ50内のライトXアドレス503 を0にクリアするラ
イトXアドレスクリア信号CLR3 を、イメージメモリ
クロックC2の1パルス分出力すると共に、ラインメモ
リ352 のデータが有効であることを示すデータイネー
ブル信号Eを有効にする。
【0029】データイネーブル信号Eが有効な期間、イ
メージメモリクロックC2に同期して、ラインメモリ3
2 上のセンサデータSDが順に読出されてラッチ回路
353 にラッチされる。ラッチ回路353 にラッチされ
たセンサデータSDは、イメージメモリクロックC2に
同期して順に、イメージメモリ回路501 のライトXア
ドレスカウンタ503 及びライトYアドレスカウンタ5
4 によって設定されたアドレスに書込まれる。ただ
し、この書込時に、イメージメモリ回路501 のリフレ
ッシュサイクルに入った場合、リフレッシュが優先され
るので、メモリ制御回路509 は、ウエイト信号Swを
有効にする。これにより、イメージメモリクロックC2
が停止し、ラッチ回路353 とライトXアドレスカウン
タ503 及びライトYアドレスカウンタ504 の動作が
停止し、書込がウエイト状態となる。このウエイト状態
で、イメージメモリ回路501 のリフレッシュが行なわ
れる。
【0030】データイネーブル信号Eが有効な期間にお
いて、ライトXアドレスカウンタ503 は、イメージメ
モリ回路501 のアドレスをインクリメントしながら設
定していく共に、書込画素をカウントすることになるの
で、該ライトXアドレスカウンタ503 のアドレスをデ
コードすることにより、メモリ制御回路509 は、1ラ
イン分の最後のデータを書込んでいることを認識するこ
とができる。最後のデータを書込んでいることを認識し
た場合、メモリ制御回路509 は、ラッチ回路353
ら読出しているデータがその最後のデータであることを
示すデータエンド信号Dend を有効にする。センサ制御
回路355 はデータエンド信号Dend が有効になったこ
とを検出してデータイネーブル信号Eを無効にする。こ
れにより、1ライン分のセンサデータSDの有効分が、
イメージメモリ回路501 に書込まれる。
【0031】なお、ラインメモリ352 からデータを読
出しを行っている場合も、A/D変換部34を介した受
像素子33からのセンサデータSDを止めることができ
ないので、センサデータSDはラインメモリ352 に継
続的に書込まれていく。ここで本実施形態では、センサ
クロックC1の周期T1とイメージメモリクロックC2
の周期T2の関係を、次の(2)式の条件を満足するよ
うにしている。 T1×(G1+G2)>T2×(G1+Wt) ・・・(2) 但し、G1;受像素子33の主走査の有効画素数 G2;受像素子33の主走査の無効画素数 Wt;1ライン当たりのウエイト数 このようにすると、ラインメモリ352 からセンサデー
タSDを読出す前に、そのデータが上書されること事が
ない。即ち、先にラインメモリ352 の0番地からイメ
ージメモリクロックC2に同期して読出しが始まった後
に、センサクロックC1に同期してラインメモリ352
の0番地からの書込が始まるので、書込アドレスが読出
しアドレスに追付くことは有り得ない。即ち、センサデ
ータSDが、読出される前に上書されない。
【0032】ライトYアドレスカウンタ504 を1つ増
加させて、以上のような動作を繰り返すことで、帳票2
のイメージ全体のイメージデータIm が、イメージメモ
リ50に格納される。前処理部37は、帳票2のイメー
ジデータIm の格納されたイメージメモリ50から、1
文字分の文字パターンを切出す。即ち、前処理部37
は、リードXアドレスカウンタ505 とリードYアドレ
スカウンタ506 に、XアドレスAxとYアドレスAy
をそれぞれセットし、所望の領域のイメージデータIm
を読出し制御回路5010を介して読出し、その読出した
イメージデータIm から、1文字分の文字パターンデー
タを切出す。なお、イメージメモリ回路501 に対する
書込と読出し動作は独立であるため、セレクタ508
切り替え信号W/R信号に基づき、ライトアドレスとリ
ードアドレスを切り替えてイメージメモリ回路501
与える。前処理部37は切出した文字パターンデータを
文字認識部38に送り、文字認識部38が文字認識を行
う。文字認識結果は、主制御部39を介して上位装置1
に通信される。
【0033】以上のように、この第2の実施形態によれ
ば、イメージメモリ50とA/D変換部34の間にセン
サ制御部35を設け、そのセンサ制御部35には、1ラ
イン分のセンサデータSDを格納するラインメモリ35
2 を備えている。そして、同センサクロックC1に同期
してラインメモリ352 にセンサデータSDを格納し、
イメージメモリクロックC2に同期して、ラインメモリ
352 からセンサデータSDを読出してイメージメモリ
回路501 に格納するようにしている。そのため、イメ
ージメモリ50の動作を、受像素子33の性能に依存し
たセンサクロックC1から独立させることができ、イメ
ージメモリ50の動作を高速化できる。また、使用する
受像素子33を変更する場合にも、センサ制御部35が
受像素子33に依存する部分を吸収しているので、変更
回路はセンサ制御部35だけですみ、イメージメモリ5
0の汎用化が可能である。
【0034】一方、イメージメモリクロックC2を停止
させるために、メモリ制御回路509 とゲート506
でウエイト手段を形成し、イメージメモリ回路501
リフレッシュサイクルに入った時に、イメージデータを
イメージメモリ50に書込む動作をウエイトさせるよう
にしたので、イメージメモリ回路501 にDRAMを使
用した場合でも、一般的なリフレッシュ方式のCBRを
採用できる。さらに、センサクロックC1の周期T1と
イメージメモリクロックC2の周期T2の関係を(2)
式の条件に設定しているので、ラインメモリ352 に書
込まれたデータが、読出される前に上書されることがな
いので、ラインメモリ352 は1ライン分だけのセンサ
データSDを格納すればよい。即ち、ラインメモリ35
2 の規模を小さくできる。なお、本発明は、上記実施形
態に限定されず種々の変形が可能である。上記実施形態
ではOCRについて説明しているが、本発明は、受像素
子を利用してイメージデータメモリに取り込む必要のあ
るOA機器のファイリング装置或いはイメージスキャナ
等にも適用できる。
【0035】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1の発明
によれば、センサアドレス手段と制御回路とラインメモ
リとを備えたセンサ制御部を設け、そのラインメモリ
は、センサクロックに同期してデジタルセンサデータを
順に書込み、イメージメモリクロックに同期してその書
込まれたセンサデータを順に読出す構成としているの
で、イメージメモリはセンサクロックに依存しなくな
り、イメージメモリにおける動作を高速化できる。ま
た、センサクロックに依存する部分が、すべてセンサ制
御部に吸収されるので、イメージメモリが汎用化でき
る。第2の発明によれば、第1の発明におけるセンサク
ロックの周期T1とイメージメモリクロックの周期T2
の関係をT1>T2としているので、センサ制御部にお
けるラインメモリを最小限にすることができる。第3の
発明によれば、第1の発明にウエイト手段を設けている
ので、イメージメモリにDRAMを用いた場合に、一般
的なリフレッシュ方法のCBRを採用できるようにな
る。第4の発明によれば、第3の発明におけるセンサク
ロックの周期T1とイメージメモリクロックの周期T2
の関係を、T1×(G1+G2)>T2×(G1+W
t)にしているので、第3の発明におけるセンサ制御部
中のラインメモリが1ライン分だけで済む。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示すOCRの構成ブ
ロック図である。
【図2】従来のOCRの基本構成を示すブロック図であ
る。
【図3】図2中のイメージメモリの内部を示す構成ブロ
ック図である。
【図4】図2によるセンサデータの転送タイミングを説
明するタイムチャートである。
【図5】図1中のセンサ制御部とイメージメモリの構成
ブロック図である。
【図6】図1のセンサ制御部からイメージメモリへのデ
ータ転送を説明するタイムチャートである。
【図7】本発明の第2の実施形態を示すOCRの構成ブ
ロック図である。
【図8】図7中のセンサ制御部とイメージメモリの構成
ブロック図である。
【符号の説明】
1 上位装置 2 帳票 31 光源 32 レンズ 33 受像素子 34 A/D変換部 35 センサ制御部 36,50 イメージメモリ 352 ラインメモリ 354 センサアドレス手段 355 センサ制御回路 361 ,501 イメージメモリ回路 368 ,509 メモリ制御回路 C1 センサクロック C2 イメージメモリクロック Sw ウエイト信号

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 帳票の光学的イメージを光電変換して画
    素毎のアナログセンサデータを生成し、それをセンサク
    ロックに同期して順次出力することで主走査されたアナ
    ログセンサデータを出力する受像素子と、前記各アナロ
    グセンサデータをデジタルセンサデータに変換して転送
    するアナログ/デジタル変換部と、前記転送されたデジ
    タルセンサデータを格納するイメージメモリとを備え、
    前記帳票全面の画素の前記デジタルセンサデータをイメ
    ージデータとして前記イメージメモリに書込むイメージ
    データの書込制御機構において、 前記アナログ/デジタル変換部と前記イメージメモリと
    の間に接続され、前記受像素子における主走査分のアド
    レスを前記センサクロックに基づき生成するセンサアド
    レス手段と、該主走査分のアドレスに基づき前記転送の
    タイミングを制御する制御回路と、入出力が非同期で行
    える機能を有し前記アナログ/デジタル変換部からのデ
    ジタルセンサデータを複数格納するラインメモリとを備
    えたセンサ制御部を設け、 前記ラインメモリは、前記センサクロックに同期して前
    記デジタルセンサデータを順に書込み、前記センサクロ
    ックとは異なる速度であり前記イメージメモリにおける
    動作を司るイメージメモリクロックに同期してその書込
    まれたデジタルセンサデータを順に読出す構成とし、 前記イメージメモリは、前記ラインメモリから読出され
    たデジタルセンサデータを前記イメージメモリクロック
    に同期して書込む構成にしたことを特徴とするイメージ
    データの書込制御機構。
  2. 【請求項2】 前記センサクロックの周期T1と前記イ
    メージメモリクロックの周期T2の関係は、 T1>T2 を満たし、前記ラインメモリは、前記デジタルセンサデ
    ータの前記受像素子の前記主走査における最終有効画素
    が書込まれた後、該書込まれた1ライン分のデジタルセ
    ンサデータを順に読出す構成にしたことを特徴とする請
    求項1記載のイメージデータの書込制御機構。
  3. 【請求項3】 前記ラインメモリからのデジタルセンサ
    データの読出しと、前記イメージメモリにおける該デジ
    タルセンサデータの書込とをウエイトさせるために、前
    記イメージクロックを一時的に止めるウエイト手段を設
    けたことを特徴とする請求項1記載のイメージデータの
    書込制御機構。
  4. 【請求項4】 前記センサクロックの周期T1と前記イ
    メージメモリクロックの周期T2の関係は、前記主走査
    における有効画素数をG1、無効画素数をG2、前記ラ
    インメモリにおける1ライン当たりのウエイト数をWt
    とすると、 T1×(G1+G2)>T2×(G1+Wt) を満たし、 前記ラインメモリは、前記デジタルセンサデータの前記
    受像素子の前記主走査における最終有効画素が書込まれ
    た後、該書込まれた1ライン分のデジタルセンサデータ
    を順に読出す構成にしたことを特徴とする請求項3記載
    のイメージデータの書込制御機構。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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