JPH0992787A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0992787A JPH0992787A JP7250616A JP25061695A JPH0992787A JP H0992787 A JPH0992787 A JP H0992787A JP 7250616 A JP7250616 A JP 7250616A JP 25061695 A JP25061695 A JP 25061695A JP H0992787 A JPH0992787 A JP H0992787A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プローブカードの作成を容易にし簡略化すると
ともに、安価にして安定したテストを実現することので
きる半導体装置を提供することにある。 【解決手段】半導体チップの入力部あるいは出力部に、
ANDゲート2,4とインバータ3とおよびORゲート
5とで構成した複数のテスト用パッド共通化回路1A,
1Bを設ける。動作テスト時には、この共通化回路1
A,1Bをテスト用選択信号Sを用いて駆動することに
より.複数のパッドX1〜X4の一部を共用化する一
方、通常の使用時にはこれら複数のパッドX1〜X4を
互いに独立化させ、内部端子Y1〜Y4に直結する。
ともに、安価にして安定したテストを実現することので
きる半導体装置を提供することにある。 【解決手段】半導体チップの入力部あるいは出力部に、
ANDゲート2,4とインバータ3とおよびORゲート
5とで構成した複数のテスト用パッド共通化回路1A,
1Bを設ける。動作テスト時には、この共通化回路1
A,1Bをテスト用選択信号Sを用いて駆動することに
より.複数のパッドX1〜X4の一部を共用化する一
方、通常の使用時にはこれら複数のパッドX1〜X4を
互いに独立化させ、内部端子Y1〜Y4に直結する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は互いに干渉しない入
出力端子を備えた半導体装置に関し、特に内部回路の電
気的動作テスト機能を有する半導体装置に関する。
出力端子を備えた半導体装置に関し、特に内部回路の電
気的動作テスト機能を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、ゲートアレイ等の半導体装置は高
機能化,高集積化に伴ない、パッド数も増加し、またパ
ッド面積が縮小するとともに、パッドの高密度配置が実
施されている。
機能化,高集積化に伴ない、パッド数も増加し、またパ
ッド面積が縮小するとともに、パッドの高密度配置が実
施されている。
【0003】通常、このような半導体装置は、中央部に
形成される内部回路と、この内部回路の周辺に入出力端
子となるパッドとを備えて構成されており、この半導体
装置の電気的動作テストをウェハース上で実施する場
合、電気的導通を確保するためのプローブカードが用い
られる。
形成される内部回路と、この内部回路の周辺に入出力端
子となるパッドとを備えて構成されており、この半導体
装置の電気的動作テストをウェハース上で実施する場
合、電気的導通を確保するためのプローブカードが用い
られる。
【0004】図3はかかる従来の一例を説明するための
半導体装置のテスト状態斜視図である。図3に示すよう
に、半導体装置としての半導体チップ1を動作テストす
るにあたっては、ウェハース上でプローブカードを用い
て行う。すなわち、、そのプローブカードの針先3を半
導体チップ1の周辺に形成されたパッド2のすべてと接
触をとることにより、動作テストを行っている。
半導体装置のテスト状態斜視図である。図3に示すよう
に、半導体装置としての半導体チップ1を動作テストす
るにあたっては、ウェハース上でプローブカードを用い
て行う。すなわち、、そのプローブカードの針先3を半
導体チップ1の周辺に形成されたパッド2のすべてと接
触をとることにより、動作テストを行っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のウェハ
ース上に形成された半導体装置は、その電気的動作テス
トを行う際、ユーザが使用する場合と同様の配線を行う
必要があり、しかも形成した全パッドにプローブカード
の針を接触させるため、パッド数の増加,パッド面積の
縮小化,高密度配置化に応じて、その針も増加し、また
針の高密度配置も必要になってくる。
ース上に形成された半導体装置は、その電気的動作テス
トを行う際、ユーザが使用する場合と同様の配線を行う
必要があり、しかも形成した全パッドにプローブカード
の針を接触させるため、パッド数の増加,パッド面積の
縮小化,高密度配置化に応じて、その針も増加し、また
針の高密度配置も必要になってくる。
【0006】これらは、すべてプローブカード作成技術
の微細化,費用の増大およびカードメンテナンスの困難
化等の原因になる。さらに、半導体装置のテスト時にお
いては、各パッドとの針圧ばらつきにより接触抵抗が不
安定となり、安定したテストが不可能になるという問題
がある。
の微細化,費用の増大およびカードメンテナンスの困難
化等の原因になる。さらに、半導体装置のテスト時にお
いては、各パッドとの針圧ばらつきにより接触抵抗が不
安定となり、安定したテストが不可能になるという問題
がある。
【0007】本発明の目的は、かかるプローブカード作
成を容易にし簡略化するとともに、安価に且つ安定した
テストを実現することのできる半導体装置を提供するこ
とにある。
成を容易にし簡略化するとともに、安価に且つ安定した
テストを実現することのできる半導体装置を提供するこ
とにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ウェハース上に形成される複数のパッドに共通して接続
される複数のテスト用パッド共通化回路を設け、動作テ
スト時には前記テスト用パッド共通化回路をテスト用選
択信号を用いて駆動することにより前記複数のパッドの
一部を共用化する一方、通常の使用時には前記複数のパ
ッドを互いに独立化させるように構成される。
ウェハース上に形成される複数のパッドに共通して接続
される複数のテスト用パッド共通化回路を設け、動作テ
スト時には前記テスト用パッド共通化回路をテスト用選
択信号を用いて駆動することにより前記複数のパッドの
一部を共用化する一方、通常の使用時には前記複数のパ
ッドを互いに独立化させるように構成される。
【0009】また、本発明の半導体装置における前記複
数のテスト用パッド共通化回路の各々は、第1の入力端
子およびセレクト端子に接続される第1のANDゲート
と、前記セレクト端子に接続されるインバータと、前記
インバータの出力および第2の入力端子に接続される第
2のANDゲートと、前記第1,第2のANDゲートの
出力を2入力とするORゲートとで構成し、前記セレク
ト端子からの選択信号により前記第1,第2の入力端子
の信号を前記ORゲートの出力端子に出力するように構
成される。
数のテスト用パッド共通化回路の各々は、第1の入力端
子およびセレクト端子に接続される第1のANDゲート
と、前記セレクト端子に接続されるインバータと、前記
インバータの出力および第2の入力端子に接続される第
2のANDゲートと、前記第1,第2のANDゲートの
出力を2入力とするORゲートとで構成し、前記セレク
ト端子からの選択信号により前記第1,第2の入力端子
の信号を前記ORゲートの出力端子に出力するように構
成される。
【0010】さらに、本発明の半導体装置における前記
複数のテスト用パッド共通化回路のうち、第1のテスト
用パッド共通化回路は、第1の入力端子およびセレクト
端子に接続される第1のANDゲートと、前記セレクト
端子に接続される第1のインバータと、前記第1のイン
バータの出力および第2の入力端子に接続される第2の
ANDゲートと、前記第1,第2のANDゲートの出力
を2入力とする第1のORゲートとで構成し、第2のテ
スト用パッド共通化回路は、前記第1の入力端子および
前記セレクト端子に接続される第3のANDゲートと、
前記セレクト端子に接続される第2のインバータと、前
記第2のインバータの出力および第3の入力端子に接続
される第4のANDゲートと、前記第3,第4のAND
ゲートの出力を2入力とする第2のORゲートとで構成
し、前記セレクト端子からの選択信号により前記第1,
第2の入力端子の信号を前記第1のORゲートの出力端
子に出力する一方、前記第1,第3の入力端子の信号を
前記第2のORゲートの出力端子に出力するように構成
される。
複数のテスト用パッド共通化回路のうち、第1のテスト
用パッド共通化回路は、第1の入力端子およびセレクト
端子に接続される第1のANDゲートと、前記セレクト
端子に接続される第1のインバータと、前記第1のイン
バータの出力および第2の入力端子に接続される第2の
ANDゲートと、前記第1,第2のANDゲートの出力
を2入力とする第1のORゲートとで構成し、第2のテ
スト用パッド共通化回路は、前記第1の入力端子および
前記セレクト端子に接続される第3のANDゲートと、
前記セレクト端子に接続される第2のインバータと、前
記第2のインバータの出力および第3の入力端子に接続
される第4のANDゲートと、前記第3,第4のAND
ゲートの出力を2入力とする第2のORゲートとで構成
し、前記セレクト端子からの選択信号により前記第1,
第2の入力端子の信号を前記第1のORゲートの出力端
子に出力する一方、前記第1,第3の入力端子の信号を
前記第2のORゲートの出力端子に出力するように構成
される。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0012】図1は本発明の一実施の形態を説明するた
めの半導体装置のパッド周辺の回路図である。図1に示
すように、本実施の形態の半導体装置は半導体製品の入
力部に追加する回路であり、その特徴はウェハース上に
形成される複数のパッドX1,X2およびX3,X4に
共通して接続される複数の同一構成のテスト用パッド共
通化回路1A,1Bを設けることにある。。これらテス
ト用パッド共通化回路1A,1Bの各々は、第1の入力
端子X1あるいはX3およびセレクト端子Sに接続され
る第1のANDゲート2と、セレクト端子Sに接続され
るインバータ3と、このインバータ3の出力および第2
の入力端子X2あるいはX4に接続される第2のAND
ゲート4と、これらのANDゲート2,4の出力を2入
力とするORゲート5とを備えている。これら第1の入
力端子X1あるいはX3はそれぞれ半導体内部回路に接
続する端子Y1あるいはY3に直接接続され、テスト用
パッド共通化回路1A,1BのORゲート5の出力が半
導体内部回路に接続する端子Y2あるいはY4に接続さ
れる。
めの半導体装置のパッド周辺の回路図である。図1に示
すように、本実施の形態の半導体装置は半導体製品の入
力部に追加する回路であり、その特徴はウェハース上に
形成される複数のパッドX1,X2およびX3,X4に
共通して接続される複数の同一構成のテスト用パッド共
通化回路1A,1Bを設けることにある。。これらテス
ト用パッド共通化回路1A,1Bの各々は、第1の入力
端子X1あるいはX3およびセレクト端子Sに接続され
る第1のANDゲート2と、セレクト端子Sに接続され
るインバータ3と、このインバータ3の出力および第2
の入力端子X2あるいはX4に接続される第2のAND
ゲート4と、これらのANDゲート2,4の出力を2入
力とするORゲート5とを備えている。これら第1の入
力端子X1あるいはX3はそれぞれ半導体内部回路に接
続する端子Y1あるいはY3に直接接続され、テスト用
パッド共通化回路1A,1BのORゲート5の出力が半
導体内部回路に接続する端子Y2あるいはY4に接続さ
れる。
【0013】動作テスト時にはこのテスト用パッド共通
化回路1A,1Bをテスト用選択信号Sを用いて駆動
し、パッドX1,X2あるいはX3,X4からの信号を
端子Y2あるいはY4に出力する。すなわち、複数のパ
ッドの一部を共用化する。一方、通常の使用時にはこれ
ら複数のパッドX1〜X4を互いに独立化させ、それぞ
れ端子Y1〜Y4とのみ接続するようにしている。
化回路1A,1Bをテスト用選択信号Sを用いて駆動
し、パッドX1,X2あるいはX3,X4からの信号を
端子Y2あるいはY4に出力する。すなわち、複数のパ
ッドの一部を共用化する。一方、通常の使用時にはこれ
ら複数のパッドX1〜X4を互いに独立化させ、それぞ
れ端子Y1〜Y4とのみ接続するようにしている。
【0014】以下、プローブカードを用いた具体的な動
作テストについて説明する。
作テストについて説明する。
【0015】まず、ウェハース上で半導体装置の電気的
動作テストを行う場合、端子Sに″H″信号を入力し、
プローブカードの針をパッドX1,X3のみに当てる。
このとき、Y1,Y2には共にX1の信号が入力され、
またY3,Y4には共にX3の信号が入力されるので、
Y1又はY2に接続される内部回路のテストを行う場合
にはパッドX1に信号を供給してそれぞれの回路の出力
からパス/フェイル判断をし、またY3又はY4に接続
される内部回路のテストを行う場合にはパッドX3に信
号を供給してそれぞれの回路の出力からパス/フェイル
判断を行う。
動作テストを行う場合、端子Sに″H″信号を入力し、
プローブカードの針をパッドX1,X3のみに当てる。
このとき、Y1,Y2には共にX1の信号が入力され、
またY3,Y4には共にX3の信号が入力されるので、
Y1又はY2に接続される内部回路のテストを行う場合
にはパッドX1に信号を供給してそれぞれの回路の出力
からパス/フェイル判断をし、またY3又はY4に接続
される内部回路のテストを行う場合にはパッドX3に信
号を供給してそれぞれの回路の出力からパス/フェイル
判断を行う。
【0016】このように、従来はX1〜X4の4つのパ
ッドすべてに針を当てるプローブカードが必要であった
ものが、本実施の形態においては、X1,X3の2つの
パッドのみに針を当てるプローブカードで良いことにな
る。すなわち、パッドX1〜Xnについて同様な回路を
使用した場合、パッドに当てるプローブカードの針の数
はn本からn/2本に減少させることができる。尚、こ
のとき、Y1,Y2あるいはY3,Y4には同時に信号
が入力され、それに伴ない2系統の出力が有るので、そ
れぞれの回路を使用する場合には他方の回路の出力をマ
スクするプログラムが必要になる。
ッドすべてに針を当てるプローブカードが必要であった
ものが、本実施の形態においては、X1,X3の2つの
パッドのみに針を当てるプローブカードで良いことにな
る。すなわち、パッドX1〜Xnについて同様な回路を
使用した場合、パッドに当てるプローブカードの針の数
はn本からn/2本に減少させることができる。尚、こ
のとき、Y1,Y2あるいはY3,Y4には同時に信号
が入力され、それに伴ない2系統の出力が有るので、そ
れぞれの回路を使用する場合には他方の回路の出力をマ
スクするプログラムが必要になる。
【0017】つぎに、ウェハースからそれぞれの半導体
チップを分離した後は、全パッドに配線をボンディング
する必要があるため、その後のテストあるいはユーザの
使用時には、端子Sに″L″信号を入力してやれば良
く、その場合にはパッドX1〜X4の信号はそれぞれ直
接端子Y1〜Y4に出力される。
チップを分離した後は、全パッドに配線をボンディング
する必要があるため、その後のテストあるいはユーザの
使用時には、端子Sに″L″信号を入力してやれば良
く、その場合にはパッドX1〜X4の信号はそれぞれ直
接端子Y1〜Y4に出力される。
【0018】要するに、かかる実施の形態においては、
Y1,Y2およびY3,Y4に接続される内部回路は互
いに干渉せずに独立した回路であり、パッドの減少はテ
スト時に有効になる。
Y1,Y2およびY3,Y4に接続される内部回路は互
いに干渉せずに独立した回路であり、パッドの減少はテ
スト時に有効になる。
【0019】同様に、端子Y1〜Y4を半導体製品の出
力パッドとし、端子X1〜X4を内部回路に接続される
出力部とした場合にも、パッドに接触するプローブカー
ドの針の数を低減することが可能である。
力パッドとし、端子X1〜X4を内部回路に接続される
出力部とした場合にも、パッドに接触するプローブカー
ドの針の数を低減することが可能である。
【0020】図2は本発明の他の実施の形態を説明する
ための半導体装置のパッド周辺の回路図である。図2に
示すように、本実施の形態も図1の場合と同様である
が、ここでは複数のテスト用パッド共通化回路1A,1
Bのうち、第1のテスト用パッド共通化回路1Aは、第
1の入力端子X1およびセレクト端子Sに接続される第
1のANDゲート2と、セレクト端子Sに接続される第
1のインバータ3Aと、この第1のインバータ3Aの出
力および第2の入力端子X2に接続される第2のAND
ゲート4Aと、これらのANDゲート2A,4Aの出力
を2入力とする第1のORゲート5Aとで構成し、第2
のテスト用パッド共通化回路1Bは、第1の入力端子X
1およびセレクト端子Sに接続される第3のANDゲー
ト2Bと、セレクト端子Sに接続される第2のインバー
タ3Bと、この第2のインバータ3Bの出力および第3
の入力端子X3に接続される第4のANDゲート4B
と、これらのANDゲート2B,4Bの出力を2入力と
する第2のORゲート5Bとで構成するものである。こ
れにより、セレクト端子Sからの選択信号を用いて第
1,第2の入力端子X1,X2の信号を第1のORゲー
ト5Aの出力端子Y2に出力する一方、第1,第3の入
力端子X1,X3の信号を第2のORゲート5Bの出力
端子Y3に出力することができる。
ための半導体装置のパッド周辺の回路図である。図2に
示すように、本実施の形態も図1の場合と同様である
が、ここでは複数のテスト用パッド共通化回路1A,1
Bのうち、第1のテスト用パッド共通化回路1Aは、第
1の入力端子X1およびセレクト端子Sに接続される第
1のANDゲート2と、セレクト端子Sに接続される第
1のインバータ3Aと、この第1のインバータ3Aの出
力および第2の入力端子X2に接続される第2のAND
ゲート4Aと、これらのANDゲート2A,4Aの出力
を2入力とする第1のORゲート5Aとで構成し、第2
のテスト用パッド共通化回路1Bは、第1の入力端子X
1およびセレクト端子Sに接続される第3のANDゲー
ト2Bと、セレクト端子Sに接続される第2のインバー
タ3Bと、この第2のインバータ3Bの出力および第3
の入力端子X3に接続される第4のANDゲート4B
と、これらのANDゲート2B,4Bの出力を2入力と
する第2のORゲート5Bとで構成するものである。こ
れにより、セレクト端子Sからの選択信号を用いて第
1,第2の入力端子X1,X2の信号を第1のORゲー
ト5Aの出力端子Y2に出力する一方、第1,第3の入
力端子X1,X3の信号を第2のORゲート5Bの出力
端子Y3に出力することができる。
【0021】すなわち、図1の場合と同様に、ウェハー
ス上で半導体装置の電気的動作テストを行う場合、端子
Sに″H″信号を入力し、プローブカードの針をパッド
X1のみに当てる。このとき、内部回路への接続端子Y
1,Y2,Y3には共にパッドX1の信号が入力される
ので、端子Y1〜Y3に接続される内部回路のテストを
行う場合には、パッドX1に信号を入力し、それぞれの
回路の出力からパス/フェイル判断をする。これによ
り、テストに際しては、従来パッドX1〜X3の3つの
パッドに針をあてるプローブカードが必要であったの
を、1/3に相当する1つのパッドにのみ針をあてるプ
ローブカードで可能になる。
ス上で半導体装置の電気的動作テストを行う場合、端子
Sに″H″信号を入力し、プローブカードの針をパッド
X1のみに当てる。このとき、内部回路への接続端子Y
1,Y2,Y3には共にパッドX1の信号が入力される
ので、端子Y1〜Y3に接続される内部回路のテストを
行う場合には、パッドX1に信号を入力し、それぞれの
回路の出力からパス/フェイル判断をする。これによ
り、テストに際しては、従来パッドX1〜X3の3つの
パッドに針をあてるプローブカードが必要であったの
を、1/3に相当する1つのパッドにのみ針をあてるプ
ローブカードで可能になる。
【0022】また、全パッドに配線をボンディングした
後は、セレクト端子Sに″L″を入力することにより、
パッドX1〜X3の信号は直接内部端子Y1〜Y3に出
力され、通常のテストおよび使用が可能になる。
後は、セレクト端子Sに″L″を入力することにより、
パッドX1〜X3の信号は直接内部端子Y1〜Y3に出
力され、通常のテストおよび使用が可能になる。
【0023】尚、図2の場合も、入力側に用いるだけで
なく、出力側に用いても同様に実現することができる。
なく、出力側に用いても同様に実現することができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、ウェハース上に形成される複数のパッドに共通し
て接続される複数のテスト用パッド共通化回路を設け、
その回路をテスト用選択信号を用いて駆動することによ
り、必要時にのみ1つの端子を2つ以上に割り付けるこ
とができるので、内部回路等の電気的動作テストに使用
するパッドの数を減少させることが出来、測定時に使用
するプローブカードの針の数を削減し小型化を実現する
とともに、針の配置密度を緩和できるので、プローブカ
ードを安価に製造できるという効果がある。
置は、ウェハース上に形成される複数のパッドに共通し
て接続される複数のテスト用パッド共通化回路を設け、
その回路をテスト用選択信号を用いて駆動することによ
り、必要時にのみ1つの端子を2つ以上に割り付けるこ
とができるので、内部回路等の電気的動作テストに使用
するパッドの数を減少させることが出来、測定時に使用
するプローブカードの針の数を削減し小型化を実現する
とともに、針の配置密度を緩和できるので、プローブカ
ードを安価に製造できるという効果がある。
【0025】また、本発明の半導体装置は、内部回路の
テスト時に用いるプローブカードの針の数を削減できる
ので、それぞれのパッドと針との針圧ばらつきを低減で
き、安定したプロービングを可能にするだけでなく、テ
ストそのものの安定化を実現できるという効果がある。
テスト時に用いるプローブカードの針の数を削減できる
ので、それぞれのパッドと針との針圧ばらつきを低減で
き、安定したプロービングを可能にするだけでなく、テ
ストそのものの安定化を実現できるという効果がある。
【図1】本発明の一実施の形態を説明するための半導体
装置のパッド周辺の回路図である。
装置のパッド周辺の回路図である。
【図2】本発明の他の実施の形態を説明するための半導
体装置のパッド周辺の回路図である。
体装置のパッド周辺の回路図である。
【図3】従来の一例を説明するための半導体装置のテス
ト状態斜視図である。
ト状態斜視図である。
1A,1B テスト用パッド共通化回路 2,4 ANDゲート 3 インバータ 5 ORゲート X1〜X4 パッド Y1〜Y4 内部接続端子
Claims (3)
- 【請求項1】 ウェハース上に形成される複数のパッド
に共通して接続される複数のテスト用パッド共通化回路
を設け、動作テスト時には前記テスト用パッド共通化回
路をテスト用選択信号を用いて駆動することにより前記
複数のパッドの一部を共用化する一方、通常の使用時に
は前記複数のパッドを互いに独立化させることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項2】 前記複数のテスト用パッド共通化回路の
各々は、第1の入力端子およびセレクト端子に接続され
る第1のANDゲートと、前記セレクト端子に接続され
るインバータと、前記インバータの出力および第2の入
力端子に接続される第2のANDゲートと、前記第1,
第2のANDゲートの出力を2入力とするORゲートと
で構成し、前記セレクト端子からの選択信号により前記
第1,第2の入力端子の信号を前記ORゲートの出力端
子に出力する請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記複数のテスト用パッド共通化回路の
うち、第1のテスト用パッド共通化回路は、第1の入力
端子およびセレクト端子に接続される第1のANDゲー
トと、前記セレクト端子に接続される第1のインバータ
と、前記第1のインバータの出力および第2の入力端子
に接続される第2のANDゲートと、前記第1,第2の
ANDゲートの出力を2入力とする第1のORゲートと
で構成し、第2のテスト用パッド共通化回路は、前記第
1の入力端子および前記セレクト端子に接続される第3
のANDゲートと、前記セレクト端子に接続される第2
のインバータと、前記第2のインバータの出力および第
3の入力端子に接続される第4のANDゲートと、前記
第3,第4のANDゲートの出力を2入力とする第2の
ORゲートとで構成し、前記セレクト端子からの選択信
号により前記第1,第2の入力端子の信号を前記第1の
ORゲートの出力端子に出力する一方、前記第1,第3
の入力端子の信号を前記第2のORゲートの出力端子に
出力する請求項1記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07250616A JP3130769B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07250616A JP3130769B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0992787A true JPH0992787A (ja) | 1997-04-04 |
JP3130769B2 JP3130769B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=17210511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07250616A Expired - Fee Related JP3130769B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3130769B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7102413B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
CN1296999C (zh) * | 2002-05-15 | 2007-01-24 | 富士通株式会社 | 具有缩短的焊盘间距的半导体集成电路 |
KR101036924B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2011-05-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적회로 |
KR101110818B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2012-02-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적회로 |
US8488393B2 (en) | 2011-04-21 | 2013-07-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device and test method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5444480A (en) * | 1977-09-14 | 1979-04-07 | Nec Corp | Package for integrated circuit |
JPS5537924A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-17 | Nec Corp | Integrated circuit |
JPS63178538A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH05291368A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP07250616A patent/JP3130769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5444480A (en) * | 1977-09-14 | 1979-04-07 | Nec Corp | Package for integrated circuit |
JPS5537924A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-17 | Nec Corp | Integrated circuit |
JPS63178538A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-22 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH05291368A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1296999C (zh) * | 2002-05-15 | 2007-01-24 | 富士通株式会社 | 具有缩短的焊盘间距的半导体集成电路 |
US7102413B2 (en) | 2002-12-03 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
CN100375194C (zh) * | 2002-12-03 | 2008-03-12 | 松下电器产业株式会社 | 半导体集成电路器件 |
KR101036924B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2011-05-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적회로 |
US7969180B1 (en) | 2009-12-28 | 2011-06-28 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor integrated circuit |
KR101110818B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2012-02-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적회로 |
US8339150B2 (en) | 2009-12-28 | 2012-12-25 | Hynix Semiconductor, Inc. | Semiconductor integrated circuit |
US8488393B2 (en) | 2011-04-21 | 2013-07-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device and test method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3130769B2 (ja) | 2001-01-31 |
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