JPH04122040A - 半導体ウェーハ - Google Patents

半導体ウェーハ

Info

Publication number
JPH04122040A
JPH04122040A JP24317890A JP24317890A JPH04122040A JP H04122040 A JPH04122040 A JP H04122040A JP 24317890 A JP24317890 A JP 24317890A JP 24317890 A JP24317890 A JP 24317890A JP H04122040 A JPH04122040 A JP H04122040A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
semiconductor
semiconductor chips
semiconductor wafer
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24317890A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Ikegami
池上 文雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP24317890A priority Critical patent/JPH04122040A/ja
Publication of JPH04122040A publication Critical patent/JPH04122040A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェーハのテスト容易化に関する。
〔従来の技術〕
従来のウェーハについて第2図を参照して説明する。第
2図において、1は半導体ウェーハ、2は半導体チップ
、3は半導体チップ2の入出力パッドである。
従来の半導体ウェーハ1は、半導体チップ2を規則的に
並べている。各半導体チップ2の内部に入出力パッド3
があり、この入出力パッド3にLSIテスタと電気的に
接続したプローブカードの針を接触させてテストを行っ
ていた。
また、半導体ウェハ1上の全ての半導体チップ2をテス
トするために、半導体チップ2の縦横の長さと等間隔に
縦方向、横方向に針を移動してテストを行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体ウェーハをテストする場合に、テスタのプ
ローブカードの針の直径は数十μmであるか゛ら、第1
に、半導体チップ中2の入出力パッド3は針のずれを考
慮して数100μm程度の大きさが必要となる。これに
より、入出力端子数が入出力パッドの大きさで制限され
る。
第2に、ウェーハプローバも数100μmの大きさの入
出力パッドに針を接触しなければならないので、μm単
位の位置精度が必要となり、高価になる。
第3に、各々の半導体チップをテストするたびにプロー
ブカードの針を接触させなければならず、プローブカー
ドの針が痛む。
第4に、プローブカードの針の位置ずれなどにより、半
導体ウェーハ上の全ての半導体チップに傷をつけ、不良
品にしてしまう可能性がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体ウェーハは、制御信号により全入出力端
子をハイ・インピーダンス状態にする複数の半導体チッ
プと、前記制御信号を出力するセレクタ回路と前記半導
体チップの入出力端子を電気的に接続する複数の論理ゲ
ートを有して構成されている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例の平面模式図である。1a
は半導体ウェーハ、2は半導体チップ、3は半導体チッ
プの入出力パッド、4はAND回路、5はセレクタ回路
、6は半導体ウェハの入出力パッド、7はアルミ配線で
ある。
半導体チップ2は、入出力パッド3a、3i。
3q、3yに“L”レベルが入力されると全入出力端子
がハイ・インピーダンス状態になり、“H”レベルにな
ると通常の動作状態になる。
半導体チップ2はすべて同一機能であり、同一人出力端
子はアルミ配線で電気的に接続し、半導体ウェーハ周辺
にある半導体ウェーハの入出力パッド6に電気的に接続
している。
セレクタ回路5a、5bとANDゲー)−4a〜4Cに
より、半導体チップ2a〜2dの右上の入出力パッド3
a、3i、3q、3yの内1個だけ“H”レベルにして
動作状態にし、他の半導体チップの入出力端子はハイ・
インピーダンス状態にする。
よって半導体ウェーハの入出力パッド6a〜6iとLS
Iテスタを電気的に接続して、セレクタ回路5a、5b
の入力を切替えれば、半導体チップを1個ずつ選択し、
テストできる。
また半導体チップが、電源、グランドインが同一で機能
が異る場合は、同一プローブカードでセレクタ回路5a
、5bの入力信号を切替えることで、テストプログラム
を選択することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の半導体ウェーハ中の半導
体チップは、入出力端子を制限信号により、ハイ・イン
ピーダンス状態にすることができるので、半導体ウェー
ハ中で1個の半導体チップの入出力端子が動作状態、他
の半導体チップの入出力端子はハイ・インピーダンス状
態になるようにセレクタ回路を用いて選択することによ
って半導体チップからアルミ配線で信号をとり出し、半
導体ウェーハ上の半導体チップすべての同一人出力端子
を共用することができる。
これにより、第一にプローブカードの針が接触するパッ
ドの個数は、1チップ分だけでよく、その半導体ウェー
ハのパッドをウェーハの周辺部におけば、ウェーハ周辺
部の有効利用がはかれ、また入出力パッドの大きさも十
分に大きくとれ、プローバの位置精度が緩和される。そ
れに、プローブカードの針の位置ずれにより半導体チッ
プ全部を傷つけることもない。
第2に、−回の接触で半導体ウェーハ上、すべての半導
体チップをテストできるので、プローブカードの針の痛
みがすくなく、テストする半導体チップを機械的でなく
電気的に選択できる。
第3に、電源、グランドピンが同じで機能が異なる半導
体チップを同一ウェーハ上に1け、セレクタ回路の入力
信号により、その機能に応じたテストプログラムを選択
できる。
第4に半導体チップから信号をウェーハ上導体で半導体
ウェーハのパッドに電気的に接続するので半導体チップ
の入出力パッドの大きさはプローバの位置精度に関係な
く、小さくできる。これにより、半導体チップのパッド
の大きさを小さくできれば、入出力端子数を増加するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の平面模式図、第2図は従来
の半導体ウェーハの一例の平面模式図である。 1.1a・・・半導体ウェハ、2.2a〜2d、8〜1
1・・・半導体チップ、3,3a〜36・・・半導体チ
ップの入出力パッド、4a〜4.b・・・ANDゲート
、5a、5b・・・セレクタ回路、6a〜61・・・半
導体ウェハの入出力パッド、7・・・アルミ配線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、制御信号により全入出力端子をハイ・インピーダン
    ス状態にする複数の半導体チップと、前記制御信号を出
    力するセレクタ回路と前記半導体チップの入出力端子を
    電気的に接続する複数の論理ゲートを有することを特徴
    とする半導体ウェーハ。 2、それぞれの前記半導体チップが、同一電源ピン及び
    同一グランドピンを有していることを特徴とする請求項
    1記載の半導体ウェーハ。
JP24317890A 1990-09-13 1990-09-13 半導体ウェーハ Pending JPH04122040A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24317890A JPH04122040A (ja) 1990-09-13 1990-09-13 半導体ウェーハ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24317890A JPH04122040A (ja) 1990-09-13 1990-09-13 半導体ウェーハ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04122040A true JPH04122040A (ja) 1992-04-22

Family

ID=17099978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24317890A Pending JPH04122040A (ja) 1990-09-13 1990-09-13 半導体ウェーハ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04122040A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3849872A (en) Contacting integrated circuit chip terminal through the wafer kerf
US5239191A (en) Semiconductor wafer
JP3685498B2 (ja) プログラム可能高密度電子工学試験装置
JPH0691140B2 (ja) 半導体集積回路
JPH02211648A (ja) 半導体装置
JPH03214638A (ja) 半導体ウェハ
JPH04122040A (ja) 半導体ウェーハ
JP2657315B2 (ja) プローブカード
JPH0992787A (ja) 半導体装置
JP3763258B2 (ja) プローブカード及びそれを用いたチップ領域ソート方法
JPH01129432A (ja) 集積回路
JP2001291749A (ja) プローブカード及びそれを用いたチップ領域ソート方法
JPH05121501A (ja) 半導体集積回路
JPS6197941A (ja) 半導体ウエハにおけるテスト回路部
JPH07245330A (ja) 集積回路評価装置
JPS6235644A (ja) 半導体装置
JPH05315411A (ja) テストヘッド
JP2942353B2 (ja) 半導体装置のテスト方法およびテスト回路
JPH0354842A (ja) 集積回路素子のテスト方法
JPH0399450A (ja) 半導体試験装置
JPS63199439A (ja) 半導体集積回路装置
JPH04320044A (ja) 半導体装置,その製造方法,その試験方法及びその試験装置
JPH0438846A (ja) 半導体集積回路装置の機能試験方法
JPH04336442A (ja) 半導体集積回路
JPH01163683A (ja) 半導体試験装置