JPH098455A - 多層ガラスセラミック基板及びその製造方法 - Google Patents

多層ガラスセラミック基板及びその製造方法

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JPH098455A
JPH098455A JP7156411A JP15641195A JPH098455A JP H098455 A JPH098455 A JP H098455A JP 7156411 A JP7156411 A JP 7156411A JP 15641195 A JP15641195 A JP 15641195A JP H098455 A JPH098455 A JP H098455A
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JP
Japan
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thick film
conductor paste
film resistor
firing
pattern
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Withdrawn
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JP7156411A
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English (en)
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Minoru Senda
実 仙田
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 焼成工程を低減することができ、厚膜抵抗が
最上層のヴィアに直接接続され、厚膜抵抗が幅方向にず
れても、厚膜抵抗によりヴィアを被うことができ、接続
が良好で信頼性が高く、しかも配線密度の向上を図り得
る多層ガラスセラミック基板及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 ガラス及びセラミックから成るグリーンシー
ト11にヴィア12を形成する工程と、ヴィア12にヴ
ィア導体ペースト13を充填する工程と、金属粉体を含
むパターン導体ペーストで、各層の回路パターン14を
形成する工程と、上記工程を所望の層数分だけ実施し、
積層、圧着した後、グリーンシート11とヴィア導体ペ
ースト13及びパターン導体ペーストを同時に焼結させ
るための焼成を行なう工程と、その焼成後の基板の表裏
に、金属粉体を含むパターン導体ペーストで、素子実装
用パターン15を形成し、更に、厚膜抵抗ペーストで厚
膜抵抗17を形成し、パターン導体ペーストと厚膜抵抗
ペーストを焼結させるための焼成を行なう工程とを施
す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多層ガラスセラミック
基板及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に記載されるものがあった。図4はかかる
従来の多層ガラスセラミック基板の概略製造方法を示す
フローチャートである。
【0003】この図に示すように、(1)まず、初め
に、グリーンシートの形成を行う(ステップS1)。
(2)ヴィア形成を行う(ステップS2)。(3)ヴィ
ア導体ペースト充填を行う(ステップS3)。(4)回
路パターンを形成する(ステップS4)。(5)積層・
圧着する(ステップS5)。(6)同時焼成する(ステ
ップS6)。(7)表裏回路パターンを形成する(ステ
ップS7)。(8)焼成を行う(ステップS8)。
(9)厚膜抵抗を形成する(ステップS9)。(10)
焼成する(ステップS10)。
【0004】図5はその多層ガラスセラミック基板の製
造工程断面図である。(1)まず、図5(a)に示すよ
うに、ガラス及びセラミックから成るグリーンシート1
を用意する。(2)次いで、図5(b)に示すように、
グリーンシート1にパンチング等によりヴィア2を形成
する。
【0005】(3)次いで、図5(c)に示すように、
スクリーン印刷法等により、Au、Ag、Cu等の金属
粉体を含むヴィア導体ペースト3を充填する。(4)次
いで、図5(d)に示すように、スクリーン印刷法等に
より、Au、Ag、Cu等の金属粉体を含むパターン導
体ペーストで、回路パターン4を形成する。
【0006】(5)これらの工程を、所望の層数分だけ
実施し、図5(e)に示すように、積層、圧着した後、
グリーンシート1とヴィア導体ペースト3、及びパター
ンペーストを同時に焼結させるために焼成を行なう。
(6)次いで、焼成後の基板の表に、図5(f)に示
すように、スクリーン印刷法等により、Au、AgP
d、Cu等の金属粉体を含むパターン導体ペーストで、
素子実装用パターン5と厚膜抵抗の電極用パターン6を
形成し、パターン導体ペーストを焼結させるために焼成
を行なう。なお、基板の裏面への電極用パターンの形成
は省略されている。
【0007】(7)次に、図5(g)に示すように、多
層ガラスセラミック基板8上の厚膜抵抗の電極用パター
ン6上に、スクリーン印刷法等により、RuO2 等の厚
膜抵抗ペーストで厚膜抵抗7を形成し、厚膜抵抗ペース
トを焼結させるために焼成を行なう。ここで、厚膜抵抗
の形成状態を図6に示す。つまり、ヴィア導体ペースト
3が形成され、そのヴィア導体ペースト3に接続される
ように形成された電極用パターン6,6の間に厚膜抵抗
7が形成される。
【0008】以上の工程により、多層ガラスセラミック
基板が得られる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来の多層ガラスセラミック基板の製造方法では、
以下の問題点があった。まず、図4に示すように、グリ
ーンシート1とヴィア導体ペースト3、及びパターンペ
ーストの同時焼成を行なった後、二度の焼成工程を行な
わなければならないので、低温焼成基板に熱応力が加わ
ることにより、基板内導体間の断線、基板強度の低下を
招く可能性がある。
【0010】また、図7に示すように、電極用パターン
6と厚膜抵抗7が幅方向にずれてしまうと、所望の抵抗
値が得られない。このため、抵抗形成時の最大のずれを
zとすると、電極用パターン6の幅bは厚膜抵抗7のず
れを考慮して、b>a+2zとしなければならない。ま
た、電極用パターン6の間隙をcとすると、ヴィア導体
ペースト3のピッチpはp=b+cとなり、大きくなっ
てしまう。
【0011】以上の理由から、技術的に満足できるもの
ではなかった。本発明は、上記問題点を解決するため
に、焼成工程を低減し、厚膜抵抗が最上層のヴィアに直
接接続され、厚膜抵抗が幅方向にずれても、厚膜抵抗に
よりヴィアを被うことができ、接続が良好で信頼性が高
く、しかも配線密度の向上を図り得る多層ガラスセラミ
ック基板及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 (1)多層ガラスセラミック基板において、ガラス及び
セラミックから成るグリーンシートにヴィアと、このヴ
ィアに充填されるヴィア導体ペーストと、金属粉体を含
むパターン導体ペーストにより形成される各層の回路パ
ターンとを有する層を所望の層数分だけ有し、その最上
層の表裏に電極用パターンを形成することなく、この最
上層のヴィア上に直接形成される厚膜抵抗を設けるよう
にしたものである。
【0013】(2)多層ガラスセラミック基板の製造方
法において、(a)ガラス及びセラミックから成るグリ
ーンシートにヴィアを形成する工程と、(b)このヴィ
アにヴィア導体ペーストを充填する工程と、(c)金属
粉体を含むパターン導体ペーストで、各層の回路パター
ンを形成する工程と、(d)前記(a)〜(c)の工程
を所望の層数分だけ実施し、積層、圧着した後、前記グ
リーンシートとヴィア導体ペースト及びパターン導体ペ
ーストを同時に焼結させるために焼成を行なう工程と、
(e)その焼成後の基板の表裏に、金属粉体を含むパタ
ーン導体ペーストで、素子実装用パターンを形成し、更
に、厚膜抵抗ペーストで厚膜抵抗を形成し、前記パター
ン導体ペーストと厚膜抵抗ペーストを焼結させるための
焼成を行なう工程を施すようにしたものである。
【0014】
【作用】
(1)請求項1記載の多層ガラスセラミック基板によれ
ば、厚膜抵抗を最上層のヴィアに直接接続するようにし
たので、厚膜抵抗が幅方向にずれても、厚膜抵抗により
ヴィアを被うことができ、接続が良好で信頼性が高く、
しかも配線密度の向上を図り得る多層ガラスセラミック
基板を得ることができる。
【0015】(2)請求項2記載の多層ガラスセラミッ
ク基板の製造方法によれば、電極用パターンを形成する
ことなく、素子実装用パターンと厚膜抵抗を同時に焼結
させることができるために、グリーンシートとヴィア導
体ペースト、及びパターンペーストの同時焼成を行なっ
た後、一度の焼成工程を行なうだけで良いので、従来技
術に比して工程が短縮される。
【0016】また、従来技術に比して、焼成工程が一回
減ることにより、その分、低温焼成基板に熱応力が加わ
ることによる基板内導体間の断線、基板強度の低下を防
止することができる。更に、厚膜抵抗を最上層のヴィア
に直接接続させるため、厚膜抵抗が幅方向にずれても、
厚膜抵抗によりヴィアを被うことができれば、所望の抵
抗値を得ることができる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示す多層
ガラスセラミック基板の製造工程断面図、図2はその多
層ガラスセラミック基板の厚膜抵抗形成状態を示す斜視
図、図3は多層ガラスセラミック基板の概略製造方法を
示すフローチャートである。
【0018】(1)まず、図1(a)に示すように、ガ
ラス及びセラミックから成るグリーンシート11を用意
する(図3のステップS11)。 (2)次に、図1(b)に示すように、そのグリーンシ
ート11にパンチング等によりヴィア12を形成する
(図3のステップS12)。 (3)次いで、図1(c)に示すように、スクリーン印
刷法等により、Au、Ag、Cu等の金属粉体を含むヴ
ィア導体ペースト13を充填する(図3のステップS1
3)。
【0019】(4)次いで、図1(d)に示すように、
スクリーン印刷法等により、Au、Ag、Cu等の金属
粉体を含むパターン導体ペーストで、回路パターン14
を形成する(図3のステップS14)。 (5)次に、図1(e)に示すように、これらの工程を
所望の層数分だけ実施し、積層、圧着した後、グリーン
シート11とヴィア導体ペースト13、及びパターンペ
ーストを同時に焼結させるための焼成を行なう(図3の
ステップS15,16)。
【0020】(6)次に、図1(f)に示すように、焼
成後の基板の表裏に、スクリーン印刷法等により、A
u、AgPd、Cu等の金属粉体を含むパターン導体ペ
ーストで、素子実装用パターン15を形成し(図3のス
テップS17)、更に、RuO2 等の厚膜抵抗ペースト
で厚膜抵抗17を形成する(図3のステップS18)。
次に、パターン導体ペーストと厚膜抵抗ペーストを焼結
させるために焼成を行なう。なお、基板の裏面への電極
用パターンの形成は省略されている(図3のステップS
19)。
【0021】以上の工程により、図2に示すように、多
層ガラスセラミック基板18が得られる。上記のように
構成したので、従来の図4〜7に示すような電極用パタ
ーン6を形成することなく、素子実装用パターン15と
厚膜抵抗17を同時に焼結させるために、グリーンシー
ト11とヴィア導体ペースト13、及びパターンペース
トの同時焼成を行なった後、一度の焼成工程を行なうだ
けで多層ガラスセラミック基板18を得ることができる
ので、従来技術に比して工程が短縮される。
【0022】また、焼成工程が従来技術より一度減るこ
とにより、低温焼成基板に熱応力が加わることによる基
板内導体間の断線、基板強度の低下を招く可能性が低く
なる。また、図8に示すように、厚膜抵抗17を最上層
のヴィア導体ペースト13に直接接続させるため、厚膜
抵抗17が幅方向にずれても、厚膜抵抗17によりヴィ
ア導体ペースト13を被うことができれば、所望の抵抗
値を得ることができる。
【0023】すなわち、ヴィア径をdとすると、一般的
にz<(a−d)/2なので、厚膜抵抗17のずれを考
慮して、厚膜抵抗17の幅aを大きくする必要はない。
したがって、ヴィアピッチpはp=a+cとなり、従来
技術より小さくすることができ、配線密度の向上が期待
される。なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であ
り、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0024】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、厚膜抵抗は最上層
のヴィアに直接接続できるようにしたので、厚膜抵抗が
幅方向にずれても、厚膜抵抗によりヴィアを被うことが
でき、接続が良好で信頼性が高く、しかも配線密度の向
上を図り得る多層ガラスセラミック基板を得ることがで
きる。
【0025】(2)請求項2記載の発明によれば、電極
用パターンを形成することなく、素子実装用パターンと
厚膜抵抗を同時に焼結させることができるために、グリ
ーンシートとヴィア導体ペースト、及びパターンペース
トの同時焼成を行なった後、一度の焼成工程を行なうだ
けで良いので、従来技術に比して工程が短縮される。ま
た、従来技術に比して、焼成工程が一回減ることによ
り、その分、低温焼成基板に熱応力が加わることによる
基板内導体間の断線、基板強度の低下を防止することが
できる。
【0026】更に、厚膜抵抗を最上層のヴィアに直接接
続させるため、厚膜抵抗が幅方向にずれても、厚膜抵抗
によりヴィアを被うことができれば、所望の抵抗値を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す多層ガラスセラミック基
板の製造工程断面図である。
【図2】本発明の実施例を示す多層ガラスセラミック基
板の厚膜抵抗形成状態を示す斜視図である。
【図3】本発明の実施例を示す多層ガラスセラミック基
板の概略製造方法を示すフローチャートである。
【図4】従来の多層ガラスセラミック基板の概略製造方
法を示すフローチャートである。
【図5】従来の多層ガラスセラミック基板の製造工程断
面図である。
【図6】従来の多層ガラスセラミック基板の厚膜抵抗形
成状態を示す斜視図である。
【図7】従来技術の問題点説明図である。
【図8】本発明の効果の説明図である。
【符号の説明】
11 グリーンシート 12 ヴィア 13 ヴィア導体ペースト 14 回路パターン 15 素子実装用パターン 17 厚膜抵抗 18 多層ガラスセラミック基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス及びセラミックから成るグリーン
    シートにヴィアと、該ヴィアに充填されるヴィア導体ペ
    ーストと、金属粉体を含むパターン導体ペーストにより
    形成される各層の回路パターンとを有する層を所望の層
    数分だけ有し、その最上層の表裏に電極用パターンを形
    成することなく、該最上層のヴィア上に直接形成される
    厚膜抵抗を具備することを特徴とする多層ガラスセラミ
    ック基板。
  2. 【請求項2】 多層ガラスセラミック基板の製造方法に
    おいて、 (a)ガラス及びセラミックから成るグリーンシートに
    ヴィアを形成する工程と、 (b)該ヴィアにヴィア導体ペーストを充填する工程
    と、 (c)金属粉体を含むパターン導体ペーストで、各層の
    回路パターンを形成する工程と、 (d)前記(a)〜(c)の工程を所望の層数分だけ実
    施し、積層、圧着した後、前記グリーンシートとヴィア
    導体ペースト及びパターン導体ペーストを同時に焼結さ
    せるために焼成を行なう工程と、 (e)その焼成後の基板の表裏に、金属粉体を含むパタ
    ーン導体ペーストで、素子実装用パターンを形成し、更
    に、厚膜抵抗ペーストで厚膜抵抗を形成し、前記パター
    ン導体ペーストと厚膜抵抗ペーストを焼結させるための
    焼成を行なう工程を施すことを特徴とする多層ガラスセ
    ラミック基板の製造方法。
JP7156411A 1995-06-22 1995-06-22 多層ガラスセラミック基板及びその製造方法 Withdrawn JPH098455A (ja)

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Effective date: 20020903