JPH0975668A - 排ガスの処理装置 - Google Patents
排ガスの処理装置Info
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- JPH0975668A JPH0975668A JP7230400A JP23040095A JPH0975668A JP H0975668 A JPH0975668 A JP H0975668A JP 7230400 A JP7230400 A JP 7230400A JP 23040095 A JP23040095 A JP 23040095A JP H0975668 A JPH0975668 A JP H0975668A
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- catalyst
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 排ガスに窒素化合物や硫黄化合物，ハロゲン
化合物が含まれている場合であっても、ＮＯｘやＳＯ
ｘ，ダイオキシン等の副生成物の発生を防止することの
できる処理装置を提供する。 【解決手段】 有害成分を含有する排ガスを触媒反応に
適した温度に昇温させた後、触媒を充填してなる反応器
に供給して上記有害成分を処理する装置であって、上記
排ガスの導入ラインに、前記触媒により処理されたガス
と排ガスとの熱交換を利用する熱交換器を備えてなり、
前記反応器の上流側には、排ガスの局部的な昇温を招く
加熱器を設けないことを要旨とする。また上記処理装置
としては、前記触媒により処理されたガスを加熱する加
熱器を上記反応器の下流側に設けると共に、上記排ガス
の導入ラインに、該加熱器により加熱されたガスと排ガ
スとの熱交換を利用する熱交換器を備えてなる構成を採
用することが好ましい。
化合物が含まれている場合であっても、ＮＯｘやＳＯ
ｘ，ダイオキシン等の副生成物の発生を防止することの
できる処理装置を提供する。 【解決手段】 有害成分を含有する排ガスを触媒反応に
適した温度に昇温させた後、触媒を充填してなる反応器
に供給して上記有害成分を処理する装置であって、上記
排ガスの導入ラインに、前記触媒により処理されたガス
と排ガスとの熱交換を利用する熱交換器を備えてなり、
前記反応器の上流側には、排ガスの局部的な昇温を招く
加熱器を設けないことを要旨とする。また上記処理装置
としては、前記触媒により処理されたガスを加熱する加
熱器を上記反応器の下流側に設けると共に、上記排ガス
の導入ラインに、該加熱器により加熱されたガスと排ガ
スとの熱交換を利用する熱交換器を備えてなる構成を採
用することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有害成分を含有す
る排ガスを、触媒を用いて処理する装置に関するもので
ある。
る排ガスを、触媒を用いて処理する装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来の排ガスの処理装置を示す
概略説明図である。排ガスが導入される上流側から、昇
圧ブロワー１，加熱器２，反応器３により構成されてお
り、有害成分を有する排ガスは昇圧ブロワー１により圧
力を高められて、触媒反応に必要な温度まで加熱器２に
よって昇温され、触媒が充填されている反応器３に導入
され処理される。
概略説明図である。排ガスが導入される上流側から、昇
圧ブロワー１，加熱器２，反応器３により構成されてお
り、有害成分を有する排ガスは昇圧ブロワー１により圧
力を高められて、触媒反応に必要な温度まで加熱器２に
よって昇温され、触媒が充填されている反応器３に導入
され処理される。
【０００３】上記加熱器２としては、ダクトバーナーま
たは電気ヒーターが用いられている。また反応器３の入
口部にはＴＩＣ（温度表示コントローラー）３ａが配設
されている。従って上記加熱器２に、例えば上記ダクト
バーナーを用いる場合には、上記ＴＩＣで得られた温度
情報によりバルブ２ａを開閉することによって、加熱器
内の熱供給量が制御されている。
たは電気ヒーターが用いられている。また反応器３の入
口部にはＴＩＣ（温度表示コントローラー）３ａが配設
されている。従って上記加熱器２に、例えば上記ダクト
バーナーを用いる場合には、上記ＴＩＣで得られた温度
情報によりバルブ２ａを開閉することによって、加熱器
内の熱供給量が制御されている。
【０００４】尚、上記反応器３内において、有害成分が
酸化分解された処理後ガスに有害な副生成物が含まれて
いない場合は、そのまま大気中に放出されるが、処理後
ガス中にＨＢｒやＨＣｌ等のハロゲン化水素を含む場合
や、或いはＳＯ2 等の酸性物質を含む場合には、アルカ
リスクラバー４に導入される。該アルカリスクラバー４
においては、ＮａＯＨ溶液等のアルカリ水４ａがポンプ
４ｂにより循環されて上部より散布される様に構成され
ているので、前記酸性物質が中和されて浄化されたガス
を排出口４ｃから大気中に放出することができる。
酸化分解された処理後ガスに有害な副生成物が含まれて
いない場合は、そのまま大気中に放出されるが、処理後
ガス中にＨＢｒやＨＣｌ等のハロゲン化水素を含む場合
や、或いはＳＯ2 等の酸性物質を含む場合には、アルカ
リスクラバー４に導入される。該アルカリスクラバー４
においては、ＮａＯＨ溶液等のアルカリ水４ａがポンプ
４ｂにより循環されて上部より散布される様に構成され
ているので、前記酸性物質が中和されて浄化されたガス
を排出口４ｃから大気中に放出することができる。
【０００５】また、反応器内の触媒による酸化分解反応
は発熱反応であることから、上記反応器内で昇温された
処理後ガスの熱エネルギーを有効利用することを目的と
して、図２に示す様に、熱交換器５を用いた装置も提案
されている。
は発熱反応であることから、上記反応器内で昇温された
処理後ガスの熱エネルギーを有効利用することを目的と
して、図２に示す様に、熱交換器５を用いた装置も提案
されている。
【０００６】上記図１及び図２のいずれの処理装置の場
合であっても、排ガス中に含まれる有害成分が炭化水素
であるか、或いは炭素及び水素と酸素からなる化合物で
あれば、特別な問題はなく処理装置として十分機能する
ものである。しかしながら、有害成分として、窒素化合
物や硫黄化合物が含まれている場合には、ＮＯｘやＳＯ
3 等の大気汚染物質が副生成物として発生することが指
摘されており、特に、ハロゲン化合物が高濃度排ガス中
に含まれている場合や、或いはハロゲン化合物と排ガス
中に含まれる他の物質との関係によっては、猛毒なダイ
オキシンが生成するおそれがあり、このような排ガスに
対しては一般的な処理装置は適さないこともある。そこ
でその原因の究明と、早急な対応策の検討が要望されて
いた。
合であっても、排ガス中に含まれる有害成分が炭化水素
であるか、或いは炭素及び水素と酸素からなる化合物で
あれば、特別な問題はなく処理装置として十分機能する
ものである。しかしながら、有害成分として、窒素化合
物や硫黄化合物が含まれている場合には、ＮＯｘやＳＯ
3 等の大気汚染物質が副生成物として発生することが指
摘されており、特に、ハロゲン化合物が高濃度排ガス中
に含まれている場合や、或いはハロゲン化合物と排ガス
中に含まれる他の物質との関係によっては、猛毒なダイ
オキシンが生成するおそれがあり、このような排ガスに
対しては一般的な処理装置は適さないこともある。そこ
でその原因の究明と、早急な対応策の検討が要望されて
いた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
着目してなされたものであって、排ガスに窒素化合物や
硫黄化合物、ハロゲン化合物が含まれている場合であっ
ても、ＮＯｘやＳＯ3 ，ダイオキシン等の副生成物の発
生を防止することのできる処理装置の提供を目的とする
ものである。
着目してなされたものであって、排ガスに窒素化合物や
硫黄化合物、ハロゲン化合物が含まれている場合であっ
ても、ＮＯｘやＳＯ3 ，ダイオキシン等の副生成物の発
生を防止することのできる処理装置の提供を目的とする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明の処理装置とは、有害成分を含有する排ガスを触媒反
応に適した温度に昇温させた後、触媒を充填してなる反
応器に供給して上記有害成分を処理する装置であって、
上記排ガスの導入ラインに、前記触媒により処理された
ガスと排ガスとの熱交換を利用する熱交換器を備えてな
り、前記反応器の上流側には、排ガスの局部的な昇温を
招く加熱器を設けないことを要旨とするものである。
明の処理装置とは、有害成分を含有する排ガスを触媒反
応に適した温度に昇温させた後、触媒を充填してなる反
応器に供給して上記有害成分を処理する装置であって、
上記排ガスの導入ラインに、前記触媒により処理された
ガスと排ガスとの熱交換を利用する熱交換器を備えてな
り、前記反応器の上流側には、排ガスの局部的な昇温を
招く加熱器を設けないことを要旨とするものである。
【０００９】また上記処理装置としては、前記触媒によ
り処理されたガスを加熱する加熱器を上記反応器の下流
側に設けると共に、上記排ガスの導入ラインに、該加熱
器により加熱されたガスと排ガスとの熱交換を利用する
熱交換器を備えてなる構成を採用することが好ましい。
り処理されたガスを加熱する加熱器を上記反応器の下流
側に設けると共に、上記排ガスの導入ラインに、該加熱
器により加熱されたガスと排ガスとの熱交換を利用する
熱交換器を備えてなる構成を採用することが好ましい。
【００１０】尚、排ガス中に含有される有害成分が、窒
素化合物，硫黄化合物，およびハロゲン化合物からなる
群から選ばれる１種以上の成分である場合において、本
発明の処理装置は特に優れた効果を発揮する。
素化合物，硫黄化合物，およびハロゲン化合物からなる
群から選ばれる１種以上の成分である場合において、本
発明の処理装置は特に優れた効果を発揮する。
【００１１】上記反応器に充填された触媒としては、触
媒Ａ成分，触媒Ｂ成分，触媒Ｃ成分の少なくとも３種の
成分を含有し、触媒Ａ成分は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ
よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物ま
たは２種以上の金属を含む複合酸化物であり、触媒Ｂ成
分は、Ｖ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｗよりなる群から選ばれる１種
以上の金属を含む酸化物であり、触媒Ｃ成分は、Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，ＰｔおよびＡｕよりな
る群から選ばれる１種以上の金属またはこれらを含む酸
化物である触媒を用いることが推奨される。
媒Ａ成分，触媒Ｂ成分，触媒Ｃ成分の少なくとも３種の
成分を含有し、触媒Ａ成分は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ
よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物ま
たは２種以上の金属を含む複合酸化物であり、触媒Ｂ成
分は、Ｖ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｗよりなる群から選ばれる１種
以上の金属を含む酸化物であり、触媒Ｃ成分は、Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，ＰｔおよびＡｕよりな
る群から選ばれる１種以上の金属またはこれらを含む酸
化物である触媒を用いることが推奨される。
【００１２】
【発明の実施の形態】排ガス中に含まれる有害成分が、
炭化水素や、炭素及び水素と酸素からなる化合物の場合
においては、従来の処理装置を採用してもよい。しかし
ながら、有害ガス成分に窒素化合物や硫黄化合物，ハロ
ゲン化合物が含まれている場合には、ＮＯｘやＳＯ3 ，
ダイオキシン等の有害物質が副生成物として発生し、環
境汚染を引き起こすものであるから、早急に対策を講じ
ることが必要である。本発明者らが、鋭意研究を重ねた
結果、その発生機構が明らかとなったので、以下に説明
する。
炭化水素や、炭素及び水素と酸素からなる化合物の場合
においては、従来の処理装置を採用してもよい。しかし
ながら、有害ガス成分に窒素化合物や硫黄化合物，ハロ
ゲン化合物が含まれている場合には、ＮＯｘやＳＯ3 ，
ダイオキシン等の有害物質が副生成物として発生し、環
境汚染を引き起こすものであるから、早急に対策を講じ
ることが必要である。本発明者らが、鋭意研究を重ねた
結果、その発生機構が明らかとなったので、以下に説明
する。
【００１３】有害成分含有排ガスの加熱昇温手段とし
て、従来技術の如く、ダクトバーナーや電気ヒーター等
の加熱器を用いて排ガスを加熱する場合には、加熱器内
の温度分布が非常にばらついており、例えば上記ダクト
バーナーを加熱器として利用する場合、加熱後のガスの
平均温度は３００〜３５０℃程度であるが、炎の最高温
度部分は７００℃以上にも達している。これは電気ヒー
ターでも同様であり、局部的に極めて高い表面温度の部
分が形成されていた。このような局部的な高温度部が形
成される加熱器内に、窒素化合物や硫黄化合物，ハロゲ
ン化合物を含む排ガスが導入されると、加熱器内の高温
度部において、排ガス成分の一部が熱分解して、有害な
副生成物を発生していたことを突き止めた。
て、従来技術の如く、ダクトバーナーや電気ヒーター等
の加熱器を用いて排ガスを加熱する場合には、加熱器内
の温度分布が非常にばらついており、例えば上記ダクト
バーナーを加熱器として利用する場合、加熱後のガスの
平均温度は３００〜３５０℃程度であるが、炎の最高温
度部分は７００℃以上にも達している。これは電気ヒー
ターでも同様であり、局部的に極めて高い表面温度の部
分が形成されていた。このような局部的な高温度部が形
成される加熱器内に、窒素化合物や硫黄化合物，ハロゲ
ン化合物を含む排ガスが導入されると、加熱器内の高温
度部において、排ガス成分の一部が熱分解して、有害な
副生成物を発生していたことを突き止めた。
【００１４】まず有害成分がアンモニア等の窒素化合物
の場合、上記加熱器内の高温度部にいて、窒素化合物の
一部が酸化分解され窒素酸化物（ＮＯｘ）を生成する。
反応器の上流側でＮＯｘが発生した場合には、たとえＮ
Ｏｘ生成率が低いという特性を有するＮＨ3 分解触媒を
反応器に充填しても、ＮＯｘを分解するものではないの
で、排出ガスのＮＯｘ濃度が高くなっていたものであ
る。
の場合、上記加熱器内の高温度部にいて、窒素化合物の
一部が酸化分解され窒素酸化物（ＮＯｘ）を生成する。
反応器の上流側でＮＯｘが発生した場合には、たとえＮ
Ｏｘ生成率が低いという特性を有するＮＨ3 分解触媒を
反応器に充填しても、ＮＯｘを分解するものではないの
で、排出ガスのＮＯｘ濃度が高くなっていたものであ
る。
【００１５】また、有害ガス成分が硫黄化合物（例えば
Ｈ2 Ｓ，ＣＨ3 ＳＨ等）である場合では、硫黄化合物が
上記加熱器内の高温度部において一部が酸化分解され、
ＳＯ 2 を生じていた。従って加熱器内で生成したＳＯ2
が反応器に導入され、さらに酸化触媒によって酸化が進
みＳＯ3 となり、後流の熱交換器等の腐食の要因ともな
っていたことが分かった。
Ｈ2 Ｓ，ＣＨ3 ＳＨ等）である場合では、硫黄化合物が
上記加熱器内の高温度部において一部が酸化分解され、
ＳＯ 2 を生じていた。従って加熱器内で生成したＳＯ2
が反応器に導入され、さらに酸化触媒によって酸化が進
みＳＯ3 となり、後流の熱交換器等の腐食の要因ともな
っていたことが分かった。
【００１６】有害成分が有機ハロゲン化合物の場合で
は、上記加熱器内の高温度部において、有機ハロゲン化
合物の一部が発火温度以上の条件になり、分解を起こし
て化学的に活性である塩素ガス又は臭素ガスを発生し、
これらのハロゲンガスによって排ガス中の炭化水素類が
ハロゲン化され、猛毒なダイオキシン類が生成される可
能性がある。
は、上記加熱器内の高温度部において、有機ハロゲン化
合物の一部が発火温度以上の条件になり、分解を起こし
て化学的に活性である塩素ガス又は臭素ガスを発生し、
これらのハロゲンガスによって排ガス中の炭化水素類が
ハロゲン化され、猛毒なダイオキシン類が生成される可
能性がある。
【００１７】特に、有機ハロゲン化合物と共に、フェノ
ール類，トルエン，ベンゼンまたはキシレン等の芳香族
炭化水素が少量なりとも排ガス中に含有されている場合
には、これらの芳香族炭化水素に、上記塩素ガス又は臭
素ガスが付加してダイオキシン類の前駆体となることか
ら、ダイオキシン類の生成がより一層加速される可能性
が高くなる。
ール類，トルエン，ベンゼンまたはキシレン等の芳香族
炭化水素が少量なりとも排ガス中に含有されている場合
には、これらの芳香族炭化水素に、上記塩素ガス又は臭
素ガスが付加してダイオキシン類の前駆体となることか
ら、ダイオキシン類の生成がより一層加速される可能性
が高くなる。
【００１８】本発明の処理装置では、触媒を充填してな
る反応器の上流側に、局部的な高温部を形成するような
加熱器を設置していないので、排ガス成分から有害な副
生成物を発生することがなく、排ガスの浄化処理を行う
ことができる。
る反応器の上流側に、局部的な高温部を形成するような
加熱器を設置していないので、排ガス成分から有害な副
生成物を発生することがなく、排ガスの浄化処理を行う
ことができる。
【００１９】図３は、本発明の処理装置を示す概略説明
図であり、有害な副生成物の発生の原因となっている加
熱器を積極的にはずした例である。前述の通り、反応器
３内での反応は、発熱反応であるので、熱交換器５によ
り排ガスの昇温は可能であるが、触媒反応の最適温度と
して十分な熱エネルギーが得られない場合には、排ガス
と同時に系外から加熱ガスを導入しても良い。
図であり、有害な副生成物の発生の原因となっている加
熱器を積極的にはずした例である。前述の通り、反応器
３内での反応は、発熱反応であるので、熱交換器５によ
り排ガスの昇温は可能であるが、触媒反応の最適温度と
して十分な熱エネルギーが得られない場合には、排ガス
と同時に系外から加熱ガスを導入しても良い。
【００２０】図４は、本発明のより好ましい装置構成を
示す概略説明図であり、反応器３の下流側に加熱器２が
配設されている例である。従って、加熱器２に導入され
るガスは、既に触媒により処理されたガスであるので、
ＮＯｘやＳＯ3 さらにはダイオキシン等の有害な副生成
物の発生するおそれがない。しかも、熱交換器５に導入
されるガスは、上記加熱器により加熱されたガスである
ので、排ガスの昇温に十分な熱エネルギーを供給するこ
とができる。
示す概略説明図であり、反応器３の下流側に加熱器２が
配設されている例である。従って、加熱器２に導入され
るガスは、既に触媒により処理されたガスであるので、
ＮＯｘやＳＯ3 さらにはダイオキシン等の有害な副生成
物の発生するおそれがない。しかも、熱交換器５に導入
されるガスは、上記加熱器により加熱されたガスである
ので、排ガスの昇温に十分な熱エネルギーを供給するこ
とができる。
【００２１】上記反応器に充填する触媒としては、下記
の触媒Ａ成分，触媒Ｂ成分，触媒Ｃ成分の３種の成分を
含有していることが推奨される。即ち、上記触媒Ａ成分
は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌよりなる群から選ばれる少
なくとも１種の金属酸化物または２種以上の金属を含む
複合酸化物であり、上記触媒Ｂ成分は、Ｖ，Ｍｏ，Ｓ
ｎ，Ｗよりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む酸
化物であり、上記触媒Ｃ成分は、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，ＰｔおよびＡｕよりなる群から選ばれ
る１種以上の金属またはこれらを含む酸化物である触媒
である。
の触媒Ａ成分，触媒Ｂ成分，触媒Ｃ成分の３種の成分を
含有していることが推奨される。即ち、上記触媒Ａ成分
は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌよりなる群から選ばれる少
なくとも１種の金属酸化物または２種以上の金属を含む
複合酸化物であり、上記触媒Ｂ成分は、Ｖ，Ｍｏ，Ｓ
ｎ，Ｗよりなる群から選ばれる１種以上の金属を含む酸
化物であり、上記触媒Ｃ成分は、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，ＰｔおよびＡｕよりなる群から選ばれ
る１種以上の金属またはこれらを含む酸化物である触媒
である。
【００２２】該触媒は、次の如き特徴を有する。 ＜窒素化合物の分解処理＞例えばＮＨ3 ，アクリロニト
リル、あるいはジメチルホルムアミドの如き窒素化合物
の酸化処理において、ＮＯｘの生成が極めて少ない。 ＜硫黄化合物の分解処理＞例えばＨ2 Ｓ，（ＣＨ3 ）2
Ｓ，ＣＨ3 ＳＨ等の硫黄化合物の酸化処理においてＳＯ
2 への選択率に優れ、ＳＯ3 の生成が極めて少ない。 ＜有機ハロゲン化合物の分解処理＞例えばトリクロロエ
チレン，臭化メチル，パークロロエチレン，クロロベン
ゼン等の有機ハロゲン化合物の酸化分解能に優れ、又Ｃ
ｌ2 ，Ｂｒ2 等のハロゲンガスが生成せず、ハロゲン化
水素（ＨＣｌ，ＨＢｒ）への選択性が極めて良い。
リル、あるいはジメチルホルムアミドの如き窒素化合物
の酸化処理において、ＮＯｘの生成が極めて少ない。 ＜硫黄化合物の分解処理＞例えばＨ2 Ｓ，（ＣＨ3 ）2
Ｓ，ＣＨ3 ＳＨ等の硫黄化合物の酸化処理においてＳＯ
2 への選択率に優れ、ＳＯ3 の生成が極めて少ない。 ＜有機ハロゲン化合物の分解処理＞例えばトリクロロエ
チレン，臭化メチル，パークロロエチレン，クロロベン
ゼン等の有機ハロゲン化合物の酸化分解能に優れ、又Ｃ
ｌ2 ，Ｂｒ2 等のハロゲンガスが生成せず、ハロゲン化
水素（ＨＣｌ，ＨＢｒ）への選択性が極めて良い。
【００２３】以下、本発明を実施例によって更に詳細に
説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもの
ではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することは
いずれも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもの
ではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することは
いずれも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００２４】
＜触媒の調整＞反応器に充填する触媒を、下記の手順で
調整した。まずチタンおよび珪素を含む二元系酸化物
（ＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 ）を下記の方法で調製した。水４
００リットルに硫酸チタン［Ｔｉ（ＳＯ4 ）］７２．２
ｇを溶解し、次にスノーテックス−Ｏ（日産化学製シリ
カゲル、ＳｉＯ2 として２０〜２１重量％含有）２２．
５ｋｇを加えた。この溶液を３０℃に保持しつつ、撹拌
しながらアンモニア水を徐々に滴下し、ｐＨが７になる
まで加え、その後２時間放置して熟成した。
調整した。まずチタンおよび珪素を含む二元系酸化物
（ＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 ）を下記の方法で調製した。水４
００リットルに硫酸チタン［Ｔｉ（ＳＯ4 ）］７２．２
ｇを溶解し、次にスノーテックス−Ｏ（日産化学製シリ
カゲル、ＳｉＯ2 として２０〜２１重量％含有）２２．
５ｋｇを加えた。この溶液を３０℃に保持しつつ、撹拌
しながらアンモニア水を徐々に滴下し、ｐＨが７になる
まで加え、その後２時間放置して熟成した。
【００２５】この様にして得られたＴｉＯ2 −ＳｉＯ2
ゲルを濾過水洗後、１２０℃で１０時間乾燥した後、５
００℃で３時間焼成した。得られた粉体の組成は、酸化
物としてＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ＝４（モル比）であった。
ゲルを濾過水洗後、１２０℃で１０時間乾燥した後、５
００℃で３時間焼成した。得られた粉体の組成は、酸化
物としてＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ＝４（モル比）であった。
【００２６】次いで、シュウ酸８．４ｋｇを水１８リッ
トルに溶解し、これにメタバナジン酸アンモニウム４．
２８ｋｇを加えて溶解した溶液に、上記粉体３０ｋｇと
澱粉１．５ｋｇを加えて混合し、ニーダーで良く練り合
わせた。更に、適量の水を加えつつ練った後、孔径（貫
通孔の相当径）：２．８ｍｍ、開孔率：７０％のハニカ
ム型に押し出し成形し、１２０℃で６時間乾燥した後、
酸素濃度が１５％以下に調節された雰囲気下、４５０℃
で６時間焼成して成形体とした。
トルに溶解し、これにメタバナジン酸アンモニウム４．
２８ｋｇを加えて溶解した溶液に、上記粉体３０ｋｇと
澱粉１．５ｋｇを加えて混合し、ニーダーで良く練り合
わせた。更に、適量の水を加えつつ練った後、孔径（貫
通孔の相当径）：２．８ｍｍ、開孔率：７０％のハニカ
ム型に押し出し成形し、１２０℃で６時間乾燥した後、
酸素濃度が１５％以下に調節された雰囲気下、４５０℃
で６時間焼成して成形体とした。
【００２７】得られた成形体を、パラジウム濃度が１６
ｇ／リットルの硝酸パラジウム水溶液に１分間浸漬し、
次いで１２０℃で６時間乾燥した後、空気雰囲気下、５
００℃で２時間焼成し、上記成形体にパラジウムを分散
担持させることによって、排ガス浄化用触媒を得た。こ
うして得られた排ガス浄化用触媒の組成は、重量百分率
でＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 ：Ｖ2 Ｏ5 ：Ｐｄ＝８９．３：１
０：０．７であった。
ｇ／リットルの硝酸パラジウム水溶液に１分間浸漬し、
次いで１２０℃で６時間乾燥した後、空気雰囲気下、５
００℃で２時間焼成し、上記成形体にパラジウムを分散
担持させることによって、排ガス浄化用触媒を得た。こ
うして得られた排ガス浄化用触媒の組成は、重量百分率
でＴｉＯ2 −ＳｉＯ2 ：Ｖ2 Ｏ5 ：Ｐｄ＝８９．３：１
０：０．７であった。
【００２８】［実施例１］図４に概略構成を示す処理装
置であって、反応器３に上記触媒を充填して、ＬＰＧガ
スを燃料とするダクトバーナーを加熱器２とする装置を
用いた。上記装置にＮＨ3 含有ガスを導入し、処理浄化
前後のアンモニアとＮＯｘガスの濃度を測定した。尚、
ガス分析を行うにあたっては、熱交換器５から排出され
たガスをアルカリスクラバー４ではなく、スタックに導
入して各ガス成分の含有量を分析した。
置であって、反応器３に上記触媒を充填して、ＬＰＧガ
スを燃料とするダクトバーナーを加熱器２とする装置を
用いた。上記装置にＮＨ3 含有ガスを導入し、処理浄化
前後のアンモニアとＮＯｘガスの濃度を測定した。尚、
ガス分析を行うにあたっては、熱交換器５から排出され
たガスをアルカリスクラバー４ではなく、スタックに導
入して各ガス成分の含有量を分析した。
【００２９】処理条件 処理ガス量 ６０Ｎｍ3 ／ｈ ガス組成 （設定値） ＮＨ3 ０．５ｖｏｌ％ 空気 残部 Ｓ．Ｖ． ５０００ｈ-1 反応器入口温度 ３３０℃ ガス分析結果を表１に示す。
【００３０】［比較例１］図２に示す装置の様に、加熱
器２を反応器３の上流側に設けた装置を用いたこと以外
は実施例１と同様にして、ＮＨ3 含有ガスを導入し処理
浄化前後のガス分析を実施した。ガス分析結果は表１に
併記する。
器２を反応器３の上流側に設けた装置を用いたこと以外
は実施例１と同様にして、ＮＨ3 含有ガスを導入し処理
浄化前後のガス分析を実施した。ガス分析結果は表１に
併記する。
【００３１】
【表１】
【００３２】本発明の装置を用いれば、従来の装置に比
較して、ＮＯｘの生成を大幅に低減できることが分か
る。
較して、ＮＯｘの生成を大幅に低減できることが分か
る。
【００３３】［実施例２］以下の条件で、Ｈ2 Ｓ含有ガ
スを導入したこと以外は、実施例１と同様にして、処理
浄化前後のガス分析を実施した。処理条件 処理ガス量 ６０Ｎｍ3 ／ｈ ガス組成 （設定値） Ｈ2 Ｓ ０．０１ｖｏｌ％ 空気 残部 Ｓ．Ｖ． ５０００ｈ-1 反応器入口温度 ３３０℃ ガス分析結果を表２に示す。
スを導入したこと以外は、実施例１と同様にして、処理
浄化前後のガス分析を実施した。処理条件 処理ガス量 ６０Ｎｍ3 ／ｈ ガス組成 （設定値） Ｈ2 Ｓ ０．０１ｖｏｌ％ 空気 残部 Ｓ．Ｖ． ５０００ｈ-1 反応器入口温度 ３３０℃ ガス分析結果を表２に示す。
【００３４】［比較例２］比較例１と同じ装置を用いた
こと以外は、実施例２と同様にしてＨ2 Ｓ含有ガスを導
入し処理浄化前後のガス分析を実施した。ガス分析結果
は表２に併記する。
こと以外は、実施例２と同様にしてＨ2 Ｓ含有ガスを導
入し処理浄化前後のガス分析を実施した。ガス分析結果
は表２に併記する。
【００３５】
【表２】
【００３６】本発明の装置を用いれば、従来の装置に比
較して、ＳＯ3 の生成を低減できることが分かる。
較して、ＳＯ3 の生成を低減できることが分かる。
【００３７】［実施例３］以下の条件でトリクロロエチ
レン及びフェノール含有ガスを導入したこと以外は実施
例１と同様にして、処理浄化前後のガス分析を実施し
た。処理条件 処理ガス量 ６０Ｎｍ3 ／ｈ ガス組成 （設定値） トリクロロエチレン ０．２５ｖｏｌ％ フェノール ０．０５ｖｏｌ％ Ｈ2 Ｓ ３．０ｖｏｌ％ 空気 残部 Ｓ．Ｖ． ５０００ｈ-1 反応器入口温度 ３５０℃ ガス分析結果を表３に示す。
レン及びフェノール含有ガスを導入したこと以外は実施
例１と同様にして、処理浄化前後のガス分析を実施し
た。処理条件 処理ガス量 ６０Ｎｍ3 ／ｈ ガス組成 （設定値） トリクロロエチレン ０．２５ｖｏｌ％ フェノール ０．０５ｖｏｌ％ Ｈ2 Ｓ ３．０ｖｏｌ％ 空気 残部 Ｓ．Ｖ． ５０００ｈ-1 反応器入口温度 ３５０℃ ガス分析結果を表３に示す。
【００３８】［比較例３］比較例１と同じ装置を用いた
こと以外は、実施例３と同様にしてトリクロロエチレン
及びフェノール含有ガスを導入し、処理浄化前後のガス
分析を実施した。ガス分析結果は表３に併記する。
こと以外は、実施例３と同様にしてトリクロロエチレン
及びフェノール含有ガスを導入し、処理浄化前後のガス
分析を実施した。ガス分析結果は表３に併記する。
【００３９】
【表３】
【００４０】本発明の装置を用いれば、特に塩素の発生
を抑制することができ、ダイオキシン類の生成を防止す
ることが可能であることが分かる。
を抑制することができ、ダイオキシン類の生成を防止す
ることが可能であることが分かる。
【００４１】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されているの
で、排ガスに窒素化合物や硫黄化合物，ハロゲン化合物
が含まれている場合であっても、ＮＯｘやＳＯ3 ，ダイ
オキシン等の副生成物を発生を抑えることのできる処理
装置を提供できることとなった。
で、排ガスに窒素化合物や硫黄化合物，ハロゲン化合物
が含まれている場合であっても、ＮＯｘやＳＯ3 ，ダイ
オキシン等の副生成物を発生を抑えることのできる処理
装置を提供できることとなった。
【図１】従来の処理装置を示す概略説明図である。
【図２】従来の処理装置を示す概略説明図である。
【図３】本発明の処理装置を示す概略説明図である。
【図４】本発明の処理装置を示す概略説明図である。
１ 昇圧ブロワー ２ 加熱器 ３ 反応器 ４ アルカリスクラバー ５ 熱交換器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 23/68 Ｂ０１Ｊ 23/84 Ａ 23/835 Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｇ 23/84 Ｚ Ｂ０１Ｊ 23/82 Ａ (72)発明者 奥原 一巳 兵庫県姫路市網干区興浜字西沖992番地の １ 株式会社日本触媒内
Claims (4)
- 【請求項１】 有害成分を含有する排ガスを触媒反応に
適した温度に昇温させた後、触媒を充填してなる反応器
に供給して上記有害成分を処理する装置であって、 上記排ガスの導入ラインに、前記触媒により処理された
ガスと排ガスとの熱交換を利用する熱交換器を備えてな
り、 前記反応器の上流側には、排ガスの局部的な昇温を招く
加熱器を設けないことを特徴とする排ガスの処理装置。 - 【請求項２】 有害成分を含有する排ガスを触媒反応に
適した温度に昇温した後、触媒を充填してなる反応器に
供給して上記有害成分を処理する装置であって、 該触媒により処理されたガスを加熱する加熱器を上記反
応器の下流側に設けると共に、 上記排ガスの導入ラインに、該加熱器により加熱された
ガスと排ガスとの熱交換を利用する熱交換器を備えてな
ることを特徴とする排ガスの処理装置。 - 【請求項３】 排ガス中に含有される有害成分が、窒素
化合物，硫黄化合物，およびハロゲン化合物よりなる群
から選ばれる１種以上の成分である請求項１または２に
記載の排ガスの処理装置。 - 【請求項４】 反応器に充填された触媒が、触媒Ａ成
分，触媒Ｂ成分，触媒Ｃ成分の少なくとも３種の成分を
含有し、 触媒Ａ成分は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌよりなる群から
選ばれる少なくとも１種の金属酸化物または２種以上の
金属を含む複合酸化物であり、 触媒Ｂ成分は、Ｖ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｗよりなる群から選ば
れる１種以上の金属を含む酸化物であり、 触媒Ｃ成分は、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
ＰｔおよびＡｕよりなる群から選ばれる１種以上の金属
またはこれらを含む酸化物である請求項１〜３のいずれ
かに記載の排ガスの処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23040095A JP3252669B2 (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 排ガスの処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23040095A JP3252669B2 (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 排ガスの処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0975668A true JPH0975668A (ja) | 1997-03-25 |
| JP3252669B2 JP3252669B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=16907292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23040095A Expired - Fee Related JP3252669B2 (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 排ガスの処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252669B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016898A1 (fr) * | 1998-09-22 | 2000-03-30 | Osaka Gas Co., Ltd. | Catalyseur de decomposition des composes organiques chlores |
| JP2001062292A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-03-13 | Nippon Shokubai Co Ltd | 有機ハロゲン化合物の除去用触媒および有機ハロゲン化合物の除去方法 |
| JP2006205006A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Ichimura Fukuyo | 排気ガス浄化用触媒物質及び当該物質を固着したことによる排気ガス浄化装置 |
| JP2006230567A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Osada Giken Co Ltd | 殺菌装置 |
| JP2007273571A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Tamura Furukawa Machinery:Kk | リフロー炉 |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP23040095A patent/JP3252669B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| WO2000016898A1 (fr) * | 1998-09-22 | 2000-03-30 | Osaka Gas Co., Ltd. | Catalyseur de decomposition des composes organiques chlores |
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| US6855304B2 (en) | 1999-06-25 | 2005-02-15 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Catalyst and process for removing organohalogen compounds |
| JP2006205006A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Ichimura Fukuyo | 排気ガス浄化用触媒物質及び当該物質を固着したことによる排気ガス浄化装置 |
| JP2006230567A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Osada Giken Co Ltd | 殺菌装置 |
| JP2007273571A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Tamura Furukawa Machinery:Kk | リフロー炉 |
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| JP3252669B2 (ja) | 2002-02-04 |
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