JPH0964031A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0964031A JPH0964031A JP21747695A JP21747695A JPH0964031A JP H0964031 A JPH0964031 A JP H0964031A JP 21747695 A JP21747695 A JP 21747695A JP 21747695 A JP21747695 A JP 21747695A JP H0964031 A JPH0964031 A JP H0964031A
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 凹凸を有する絶縁表面上に、安定して良好な
Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を堆積する技術を提供する。 【解決手段】 表面に凹凸のパターンを有する半導体基
板の上に、コンフォーマルに絶縁膜を堆積する工程と、
前記絶縁膜表面の帯電量を緩和する工程と、帯電量を緩
和された前記絶縁膜の表面上に、少なくともオゾンとテ
トラエトキシシランを含むガスを供給して化学気相成長
法により酸化シリコン膜を形成する工程とを含む。
Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を堆積する技術を提供する。 【解決手段】 表面に凹凸のパターンを有する半導体基
板の上に、コンフォーマルに絶縁膜を堆積する工程と、
前記絶縁膜表面の帯電量を緩和する工程と、帯電量を緩
和された前記絶縁膜の表面上に、少なくともオゾンとテ
トラエトキシシランを含むガスを供給して化学気相成長
法により酸化シリコン膜を形成する工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に層間絶縁膜の表面の平坦化に適した半
導体装置の製造方法に関する。
方法に関し、特に層間絶縁膜の表面の平坦化に適した半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体集積回路では、高集積、高
速化等のために多層配線が利用されている。多層配線を
利用する場合には、層間絶縁膜の表面を平坦化する技術
が重要になる。配線間の溝を埋め込んで表面を平坦化す
るのに適した絶縁膜として、Ｏ 3 −ＴＥＯＳ膜が用いら
れている。Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜は、原料ガスとしてオゾン
（Ｏ3 ）とテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いた
化学気相成長法により形成される。特に、リン（Ｐ）及
びボロン（Ｂ）等の不純物を含まないＯ3 −ＴＥＯＳ膜
（Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ（Non-doped Silicate Glas
s）膜）が用いられる。
速化等のために多層配線が利用されている。多層配線を
利用する場合には、層間絶縁膜の表面を平坦化する技術
が重要になる。配線間の溝を埋め込んで表面を平坦化す
るのに適した絶縁膜として、Ｏ 3 −ＴＥＯＳ膜が用いら
れている。Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜は、原料ガスとしてオゾン
（Ｏ3 ）とテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を用いた
化学気相成長法により形成される。特に、リン（Ｐ）及
びボロン（Ｂ）等の不純物を含まないＯ3 −ＴＥＯＳ膜
（Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ（Non-doped Silicate Glas
s）膜）が用いられる。
【０００３】通常、プラズマを用いた化学気相成長法
（プラズマＣＶＤ）等により、配線が形成された表面上
にコンフォーマルに酸化シリコン膜等の絶縁膜を堆積
し、その上にＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を堆積する。
（プラズマＣＶＤ）等により、配線が形成された表面上
にコンフォーマルに酸化シリコン膜等の絶縁膜を堆積
し、その上にＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を堆積する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳ
Ｇ膜は下地表面状態によって異常成長を起こしやすい。
例えば、配線の幅方向の中央部分よりも、配線の肩部分
において膜厚が厚くなり、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜表
面の傾斜の最も急な部分の傾斜角（フロー角）が大きく
なるという現象が生ずる。
Ｇ膜は下地表面状態によって異常成長を起こしやすい。
例えば、配線の幅方向の中央部分よりも、配線の肩部分
において膜厚が厚くなり、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜表
面の傾斜の最も急な部分の傾斜角（フロー角）が大きく
なるという現象が生ずる。
【０００５】Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の下層膜として
プラズマＣＶＤにより形成された酸化シリコン膜の表面
には、パーティクルが付着し易い。このパーティクルを
除去するために、通常、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を堆
積する前に、酸化シリコン膜表面に高圧の純水を吹き付
けて表面洗浄を行う。その後、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ
膜を堆積すると、異常成長を起こしやすくなる。異常成
長の原因として、酸化シリコン膜表面の帯電が考えられ
る。
プラズマＣＶＤにより形成された酸化シリコン膜の表面
には、パーティクルが付着し易い。このパーティクルを
除去するために、通常、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を堆
積する前に、酸化シリコン膜表面に高圧の純水を吹き付
けて表面洗浄を行う。その後、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ
膜を堆積すると、異常成長を起こしやすくなる。異常成
長の原因として、酸化シリコン膜表面の帯電が考えられ
る。
【０００６】酸化シリコン膜表面の帯電を抑制する方法
として、純水中にバブリング等によって二酸化炭素を溶
かし、純水の比抵抗を低減する方法が知られている。し
かし、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の堆積工程が下地表面
状態に敏感であるため、純水の比抵抗を低減する方法
は、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の異常成長の防止効果の
点で不十分である。
として、純水中にバブリング等によって二酸化炭素を溶
かし、純水の比抵抗を低減する方法が知られている。し
かし、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の堆積工程が下地表面
状態に敏感であるため、純水の比抵抗を低減する方法
は、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の異常成長の防止効果の
点で不十分である。
【０００７】本発明の目的は、凹凸を有する絶縁表面上
に、安定して良好なＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を堆積で
きる技術を提供することである。
に、安定して良好なＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を堆積で
きる技術を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、表面に凹凸のパターンを有する半導体基板の上に、
コンフォーマルに絶縁膜を堆積する工程と、前記絶縁膜
表面の帯電量を緩和する工程と、帯電量を緩和された前
記絶縁膜の表面上に、少なくともオゾンとテトラエトキ
シシランを含むガスを供給して化学気相成長法により酸
化シリコン膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造
方法が提供される。
と、表面に凹凸のパターンを有する半導体基板の上に、
コンフォーマルに絶縁膜を堆積する工程と、前記絶縁膜
表面の帯電量を緩和する工程と、帯電量を緩和された前
記絶縁膜の表面上に、少なくともオゾンとテトラエトキ
シシランを含むガスを供給して化学気相成長法により酸
化シリコン膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造
方法が提供される。
【０００９】絶縁膜を堆積した後、絶縁膜表面の洗浄工
程等で、絶縁膜が帯電する場合がある。酸化シリコン膜
を形成する工程の前に絶縁膜の帯電量を緩和することに
より、酸化シリコン膜の異常成長を抑制することができ
る。
程等で、絶縁膜が帯電する場合がある。酸化シリコン膜
を形成する工程の前に絶縁膜の帯電量を緩和することに
より、酸化シリコン膜の異常成長を抑制することができ
る。
【００１０】本発明の他の観点によると、前記絶縁膜を
堆積する工程の後、前記帯電量を緩和する工程の前に、
さらに、前記絶縁膜の表面上に水を吹き付けて洗浄する
工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
堆積する工程の後、前記帯電量を緩和する工程の前に、
さらに、前記絶縁膜の表面上に水を吹き付けて洗浄する
工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】純水を吹き付けて絶縁膜表面を洗浄する
と、絶縁膜表面が帯電する場合が多い。前述のように帯
電量を緩和する工程を実施することにより、絶縁膜表面
が帯電した場合であっても、酸化シリコン膜の異常成長
を防止することができる。
と、絶縁膜表面が帯電する場合が多い。前述のように帯
電量を緩和する工程を実施することにより、絶縁膜表面
が帯電した場合であっても、酸化シリコン膜の異常成長
を防止することができる。
【００１２】本発明の他の観点によると、前記帯電量を
緩和する工程が、前記半導体基板を電気的に接地して前
記絶縁膜の表面に電子を照射する工程を含む半導体装置
の製造方法が提供される。本発明のさらに他の観点によ
ると、前記帯電量を緩和する工程が、前記半導体基板を
電気的に接地して前記絶縁膜の表面に紫外光を照射する
工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
緩和する工程が、前記半導体基板を電気的に接地して前
記絶縁膜の表面に電子を照射する工程を含む半導体装置
の製造方法が提供される。本発明のさらに他の観点によ
ると、前記帯電量を緩和する工程が、前記半導体基板を
電気的に接地して前記絶縁膜の表面に紫外光を照射する
工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】絶縁膜表面が正に帯電している場合には、
電子照射により帯電している電荷量を低減することがで
きる。また、紫外光照射によっても、同様に、帯電して
いる電荷量を低減することができる。
電子照射により帯電している電荷量を低減することがで
きる。また、紫外光照射によっても、同様に、帯電して
いる電荷量を低減することができる。
【００１４】本発明の他の観点によると、前記絶縁膜を
堆積する工程が、プラズマを用いた化学気相成長法によ
り、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸化窒化シリコ
ンからなる群より選ばれた少なくとも１つの材料で形成
された薄膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法
が提供される。
堆積する工程が、プラズマを用いた化学気相成長法によ
り、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸化窒化シリコ
ンからなる群より選ばれた少なくとも１つの材料で形成
された薄膜を堆積する工程を含む半導体装置の製造方法
が提供される。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態に
よる方法で作製した配線及び層間絶縁膜の断面図を示
す。
よる方法で作製した配線及び層間絶縁膜の断面図を示
す。
【００１６】シリコン基板１の表面上にスパッタにより
厚さ２０ｎｍのＴｉ膜、反応性スパッタにより厚さ５０
ｎｍのＴｉＮ膜、及びスパッタにより厚さ３５０ｎｍの
Ｗ膜を形成する。この３層をパターニングしてＴｉ／Ｔ
ｉＮ／Ｗの３層からなる配線２を形成する。配線２の幅
は、０．４μｍ、間隔は０．４μｍである。
厚さ２０ｎｍのＴｉ膜、反応性スパッタにより厚さ５０
ｎｍのＴｉＮ膜、及びスパッタにより厚さ３５０ｎｍの
Ｗ膜を形成する。この３層をパターニングしてＴｉ／Ｔ
ｉＮ／Ｗの３層からなる配線２を形成する。配線２の幅
は、０．４μｍ、間隔は０．４μｍである。
【００１７】原料ガスとしてＳｉＨ4 とＮ2 Ｏを用いた
プラズマＣＶＤにより、シリコン基板１及び配線２の表
面を覆うようにコンフォーマルに厚さ１００ｎｍのＳｉ
ＯＮ膜３を形成する。例えば、ＳｉＨ4 の流量を４２ｓ
ｃｃｍ、Ｎ2 Ｏの流量を１１５ｓｃｃｍ、キャリアガス
（Ｎ2 ガス）の流量を２０００ｓｃｃｍ、成長温度を３
５０℃、成長圧力を３ｔｏｒｒとする。プラズマＣＶＤ
装置のプラズマ発生用の電極間距離は４００ｍｉｌ、高
周波電力の周波数は１３．５６ＭＨｚであり、高周波入
力電力を例えば２３５Ｗとする。
プラズマＣＶＤにより、シリコン基板１及び配線２の表
面を覆うようにコンフォーマルに厚さ１００ｎｍのＳｉ
ＯＮ膜３を形成する。例えば、ＳｉＨ4 の流量を４２ｓ
ｃｃｍ、Ｎ2 Ｏの流量を１１５ｓｃｃｍ、キャリアガス
（Ｎ2 ガス）の流量を２０００ｓｃｃｍ、成長温度を３
５０℃、成長圧力を３ｔｏｒｒとする。プラズマＣＶＤ
装置のプラズマ発生用の電極間距離は４００ｍｉｌ、高
周波電力の周波数は１３．５６ＭＨｚであり、高周波入
力電力を例えば２３５Ｗとする。
【００１８】シリコン基板１を高速回転させながら、Ｓ
ｉＯＮ膜３の表面上に高圧の純水を吹き付けて表面洗浄
（ＨＰＣ（High Pressure Coater）処理）を行う。次
に、ＳｉＯＮ膜３表面の帯電量の緩和処理を行う。
ｉＯＮ膜３の表面上に高圧の純水を吹き付けて表面洗浄
（ＨＰＣ（High Pressure Coater）処理）を行う。次
に、ＳｉＯＮ膜３表面の帯電量の緩和処理を行う。
【００１９】図２は、帯電量の緩和処理を行うためのニ
ュートラライザの概略断面図を示す。真空容器１０内の
底面中央部にフィラメント１１が配置されている。フィ
ラメント１１に対向するように真空容器１０内の上面中
央部にターゲット１２が配置されている。電気的に接地
された基板１３が、真空容器１０内の側面部に配置され
ている。
ュートラライザの概略断面図を示す。真空容器１０内の
底面中央部にフィラメント１１が配置されている。フィ
ラメント１１に対向するように真空容器１０内の上面中
央部にターゲット１２が配置されている。電気的に接地
された基板１３が、真空容器１０内の側面部に配置され
ている。
【００２０】フィラメント１１に例えば１００ｍＡ以下
の電流を流して熱電子を放出させる。フィラメント１１
から放出された熱電子がターゲット１２に衝突し、ター
ゲット１２から２次電子が放出される。基板１３の表面
に正電荷が蓄積されている場合には、この２次電子が正
電荷に引き寄せられて基板１３の表面に衝突し、基板表
面に蓄積された正電荷を中和して、帯電量が緩和され
る。
の電流を流して熱電子を放出させる。フィラメント１１
から放出された熱電子がターゲット１２に衝突し、ター
ゲット１２から２次電子が放出される。基板１３の表面
に正電荷が蓄積されている場合には、この２次電子が正
電荷に引き寄せられて基板１３の表面に衝突し、基板表
面に蓄積された正電荷を中和して、帯電量が緩和され
る。
【００２１】本実施の一形態においては、ターゲット１
２の材料としてタングステンを使用し、フィラメント１
１とターゲット１２間の電流が約５００ｍＡになる条件
で、約１分間帯電量の緩和処理を行った。なお、ターゲ
ット材料として使用できる材料はタングステンに限ら
ず、例えばモリブデン等を使用してもよい。
２の材料としてタングステンを使用し、フィラメント１
１とターゲット１２間の電流が約５００ｍＡになる条件
で、約１分間帯電量の緩和処理を行った。なお、ターゲ
ット材料として使用できる材料はタングステンに限ら
ず、例えばモリブデン等を使用してもよい。
【００２２】次に、図１に示すように、ＳｉＯＮ膜３の
表面上に、原料ガスとしてＯ3 とＴＥＯＳを用いた常圧
ＣＶＤにより、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜４を形成す
る。例えば、キャリアガス（Ｎ2 ガス）の流量を１８ｓ
ｌｍ、ＴＥＯＳの流量を１ｓｌｍ、Ｏ3 とＯ2 の混合ガ
スの流量を７．５ｓｌｍ、混合ガス中のＯ3 濃度を１１
５ｇ／ｍ3 、成長温度を４００℃とする。また、配線パ
ターンの形成されていない平坦なシリコン基板上に形成
する場合の膜厚（ＴＰ（Test Piece）膜厚）が８００ｎ
ｍになる成膜時間と同じ時間成膜を行う。
表面上に、原料ガスとしてＯ3 とＴＥＯＳを用いた常圧
ＣＶＤにより、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜４を形成す
る。例えば、キャリアガス（Ｎ2 ガス）の流量を１８ｓ
ｌｍ、ＴＥＯＳの流量を１ｓｌｍ、Ｏ3 とＯ2 の混合ガ
スの流量を７．５ｓｌｍ、混合ガス中のＯ3 濃度を１１
５ｇ／ｍ3 、成長温度を４００℃とする。また、配線パ
ターンの形成されていない平坦なシリコン基板上に形成
する場合の膜厚（ＴＰ（Test Piece）膜厚）が８００ｎ
ｍになる成膜時間と同じ時間成膜を行う。
【００２３】上述の実施の一形態では、ニュートラライ
ザを用いて帯電量の緩和処理を行う方法を説明したが、
他の方法で帯電量の緩和処理を行ってもよい。例えば、
紫外光を照射してもよい。次に、紫外光を用いた帯電量
の緩和処理を説明する。
ザを用いて帯電量の緩和処理を行う方法を説明したが、
他の方法で帯電量の緩和処理を行ってもよい。例えば、
紫外光を照射してもよい。次に、紫外光を用いた帯電量
の緩和処理を説明する。
【００２４】図１に示すＳｉＯＮ膜３を形成したシリコ
ン基板１を電気的に接地し、波長２２０〜３３０ｎｍ、
照射強度６５０ｍＷ／ｃｍ2 の紫外光をＳｉＯＮ膜３の
表面に約１２０秒間照射する。紫外光の照射によって、
ＳｉＯＮ膜３中の価電子帯の電子が励起されて電子正孔
対が発生する。この電子正孔対によって、ＳｉＯＮ膜３
中に蓄積されている電荷が中和され、帯電量が緩和され
ると考えられる。紫外光照射装置としては、例えば半導
体プロセスにおけるレジスト硬化用の紫外光照射装置を
使用することができる。
ン基板１を電気的に接地し、波長２２０〜３３０ｎｍ、
照射強度６５０ｍＷ／ｃｍ2 の紫外光をＳｉＯＮ膜３の
表面に約１２０秒間照射する。紫外光の照射によって、
ＳｉＯＮ膜３中の価電子帯の電子が励起されて電子正孔
対が発生する。この電子正孔対によって、ＳｉＯＮ膜３
中に蓄積されている電荷が中和され、帯電量が緩和され
ると考えられる。紫外光照射装置としては、例えば半導
体プロセスにおけるレジスト硬化用の紫外光照射装置を
使用することができる。
【００２５】ニュートラライザを用いて帯電量の緩和処
理を行う方法、及び紫外光照射によって帯電量の緩和処
理を行う方法を用いてＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜４を形
成し、配線２の幅方向の中央部分の膜厚ａ、肩部分の膜
厚ｂ、及び斜面の最大傾斜角（フロー角）θを測定し
た。なお、比較のため、ＨＰＣ処理と帯電量の緩和処理
を実施しない場合、及びＨＰＣ処理を実施し帯電量の緩
和処理を実施しない場合のＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の
膜厚ａ、ｂ及びフロー角θを測定した。
理を行う方法、及び紫外光照射によって帯電量の緩和処
理を行う方法を用いてＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜４を形
成し、配線２の幅方向の中央部分の膜厚ａ、肩部分の膜
厚ｂ、及び斜面の最大傾斜角（フロー角）θを測定し
た。なお、比較のため、ＨＰＣ処理と帯電量の緩和処理
を実施しない場合、及びＨＰＣ処理を実施し帯電量の緩
和処理を実施しない場合のＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の
膜厚ａ、ｂ及びフロー角θを測定した。
【００２６】表１は、Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の膜厚
ａ、ｂ及びフロー角θの測定結果を示す。膜厚ａ及びｂ
は、ＴＰ膜厚に対する比率で表し、フロー角θは、単位
「度」で表す。
ａ、ｂ及びフロー角θの測定結果を示す。膜厚ａ及びｂ
は、ＴＰ膜厚に対する比率で表し、フロー角θは、単位
「度」で表す。
【００２７】
【表１】
【００２８】ＨＰＣ処理を行わない場合には、帯電量の
緩和処理を行わなくてもＴＰ膜厚に比較的近いＯ3 −Ｔ
ＥＯＳ−ＮＳＧ膜が形成された。ＨＰＣ処理を行って帯
電量の緩和処理を行わない場合には、膜厚ａがＴＰ膜厚
の１６．４％とかなり薄くなってしまう。また、膜厚ｂ
がＴＰ膜厚の５３．２％となり、配線の中央部分よりも
肩部分の方が厚くなる。フロー角θも、ＨＰＣ処理を行
わない場合が３８度であるのに対してＨＰＣ処理を行う
と６５度になってしまう。
緩和処理を行わなくてもＴＰ膜厚に比較的近いＯ3 −Ｔ
ＥＯＳ−ＮＳＧ膜が形成された。ＨＰＣ処理を行って帯
電量の緩和処理を行わない場合には、膜厚ａがＴＰ膜厚
の１６．４％とかなり薄くなってしまう。また、膜厚ｂ
がＴＰ膜厚の５３．２％となり、配線の中央部分よりも
肩部分の方が厚くなる。フロー角θも、ＨＰＣ処理を行
わない場合が３８度であるのに対してＨＰＣ処理を行う
と６５度になってしまう。
【００２９】このように、ＨＰＣ処理を行うとＯ3 −Ｔ
ＥＯＳ−ＮＳＧ膜の異常成長が起こる。これは、ＨＰＣ
処理によって下地のＳｉＯＮ膜が帯電してしまうためと
考えられる。
ＥＯＳ−ＮＳＧ膜の異常成長が起こる。これは、ＨＰＣ
処理によって下地のＳｉＯＮ膜が帯電してしまうためと
考えられる。
【００３０】ＨＰＣ処理を行った後に帯電量の緩和処理
を行うと、緩和処理を行わない場合に比べて、Ｏ3 −Ｔ
ＥＯＳ−ＮＳＧ膜の膜厚ａ及びｂがＴＰ膜厚に近づき、
フロー角θも小さくなる。ニュートラライザを使用する
場合及び紫外光を照射する場合共に、ＨＰＣ処理を行わ
ない場合とほぼ同等のＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を形成
することができる。
を行うと、緩和処理を行わない場合に比べて、Ｏ3 −Ｔ
ＥＯＳ−ＮＳＧ膜の膜厚ａ及びｂがＴＰ膜厚に近づき、
フロー角θも小さくなる。ニュートラライザを使用する
場合及び紫外光を照射する場合共に、ＨＰＣ処理を行わ
ない場合とほぼ同等のＯ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜を形成
することができる。
【００３１】上記実施の形態では、配線をＴｉ／ＴｉＮ
／Ｗの３層構造とした場合を説明したが、他の材料を用
いてもよい。例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ合金、Ｃ
ｕ等、もしくはこれらの積層構造を用いてもよい。
／Ｗの３層構造とした場合を説明したが、他の材料を用
いてもよい。例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ合金、Ｃ
ｕ等、もしくはこれらの積層構造を用いてもよい。
【００３２】また、上記実施の形態では、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ−ＮＳＧ膜の下地にプラズマＣＶＤによりＳｉＯＮ膜
を形成した場合を説明したが、他の絶縁膜を形成しても
よい。例えば、プラズマＣＶＤにより、ＳｉＯ膜、Ｓｉ
Ｎ膜、ＴＥＯＳ膜等を形成してもよい。
Ｓ−ＮＳＧ膜の下地にプラズマＣＶＤによりＳｉＯＮ膜
を形成した場合を説明したが、他の絶縁膜を形成しても
よい。例えば、プラズマＣＶＤにより、ＳｉＯ膜、Ｓｉ
Ｎ膜、ＴＥＯＳ膜等を形成してもよい。
【００３３】ＳｉＯ膜は、例えば、原料ガスとして流量
４２ｓｃｃｍのＳｉＨ4 と流量４１１ｓｃｃｍのＮ
2 Ｏ、キャリアガスとして流量２０００ｓｃｃｍのＮ2
を用い、成長温度３５０℃、成長圧力３ｔｏｒｒ、電極
間隔４００ｍｉｌで印加高周波電力３００Ｗとして形成
する。
４２ｓｃｃｍのＳｉＨ4 と流量４１１ｓｃｃｍのＮ
2 Ｏ、キャリアガスとして流量２０００ｓｃｃｍのＮ2
を用い、成長温度３５０℃、成長圧力３ｔｏｒｒ、電極
間隔４００ｍｉｌで印加高周波電力３００Ｗとして形成
する。
【００３４】ＳｉＮ膜は、例えば、原料ガスとして流量
７７ｓｃｃｍのＳｉＨ4 と流量２８０ｓｃｃｍのＮ
Ｈ3 、キャリアガスとして流量５００ｓｃｃｍのＮ2 を
用い、成長温度４００℃、成長圧力４．２ｔｏｒｒ、電
極間隔３００ｍｉｌで周波数１３．５６ＭＨｚの高周波
電力１００Ｗ、周波数３５０ｋＨｚの高周波電力５０Ｗ
として形成する。
７７ｓｃｃｍのＳｉＨ4 と流量２８０ｓｃｃｍのＮ
Ｈ3 、キャリアガスとして流量５００ｓｃｃｍのＮ2 を
用い、成長温度４００℃、成長圧力４．２ｔｏｒｒ、電
極間隔３００ｍｉｌで周波数１３．５６ＭＨｚの高周波
電力１００Ｗ、周波数３５０ｋＨｚの高周波電力５０Ｗ
として形成する。
【００３５】ＴＥＯＳ膜は、例えば、原料ガスとして流
量５８０ｓｃｃｍのＴＥＯＳ、流量８４０ｓｃｃｍのＯ
2 を用い、成長温度４００℃、成長圧力５ｔｏｒｒ、電
極間隔３００ｍｉｌで周波数１３．５６ＭＨｚの高周波
電力３００Ｗ、周波数３５０ｋＨｚの高周波電力１１０
Ｗとして形成する。
量５８０ｓｃｃｍのＴＥＯＳ、流量８４０ｓｃｃｍのＯ
2 を用い、成長温度４００℃、成長圧力５ｔｏｒｒ、電
極間隔３００ｍｉｌで周波数１３．５６ＭＨｚの高周波
電力３００Ｗ、周波数３５０ｋＨｚの高周波電力１１０
Ｗとして形成する。
【００３６】以上実施の形態に沿って本発明を説明した
が、本発明はこれらに制限されるものではない。例え
ば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当
業者に自明であろう。
が、本発明はこれらに制限されるものではない。例え
ば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当
業者に自明であろう。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の異常成長を抑制し、層間絶
縁膜の表面の平坦度を高めることができる。
Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜の異常成長を抑制し、層間絶
縁膜の表面の平坦度を高めることができる。
【図１】本発明の実施の形態による方法で配線層及び層
間絶縁膜を形成した基板の断面図である。
間絶縁膜を形成した基板の断面図である。
【図２】ニュートラライザの概略断面図である。
１ シリコン基板 ２ 配線 ３ ＳｉＯＮ膜 ４ Ｏ3 −ＴＥＯＳ−ＮＳＧ膜 １０ 真空容器 １１ フィラメント １２ ターゲット １３ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２３Ｃ 16/02 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｋ (72)発明者 長嶋 隆 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 大平 請一郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に凹凸のパターンを有する半導体基
板の上に、コンフォーマルに絶縁膜を堆積する工程と、 前記絶縁膜表面の帯電量を緩和する工程と、 帯電量を緩和された前記絶縁膜の表面上に、少なくとも
オゾンとテトラエトキシシランを含むガスを供給して化
学気相成長法により酸化シリコン膜を形成する工程とを
含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記絶縁膜を堆積する工程の後、前記帯
電量を緩和する工程の前に、さらに、前記絶縁膜の表面
上に水を吹き付けて洗浄する工程を含む請求項１に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記帯電量を緩和する工程が、前記半導
体基板を電気的に接地して前記絶縁膜の表面に電子を照
射する工程を含む請求項１または２に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】 前記帯電量を緩和する工程が、前記半導
体基板を電気的に接地して前記絶縁膜の表面に紫外光を
照射する工程を含む請求項１または２に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁膜を堆積する工程が、プラズマ
を用いた化学気相成長法により、酸化シリコン、窒化シ
リコン、及び酸化窒化シリコンからなる群より選ばれた
少なくとも１つの材料で形成された薄膜を堆積する工程
を含む請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21747695A JPH0964031A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21747695A JPH0964031A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964031A true JPH0964031A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16704839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21747695A Withdrawn JPH0964031A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6294484B1 (en) | 1999-09-07 | 2001-09-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of forming TEOS oxide films |
| KR100518156B1 (ko) * | 1997-05-05 | 2005-11-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 테트라에틸오르토실란및오존실리콘산화물의표면감도감소방법및장치 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP21747695A patent/JPH0964031A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518156B1 (ko) * | 1997-05-05 | 2005-11-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 테트라에틸오르토실란및오존실리콘산화물의표면감도감소방법및장치 |
| US6294484B1 (en) | 1999-09-07 | 2001-09-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of forming TEOS oxide films |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |