JP3509856B2 - 安定化層のための保護層及びその製法 - Google Patents
安定化層のための保護層及びその製法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体デバイスの電気的に活性な安定化
（パシベーション）層のための保護層並びにその製法に
関する。
（パシベーション）層のための保護層並びにその製法に
関する。
個別の、ならびに集積化された半導体デバイス、特に
MOS技術を使用した集積化半導体デバイスは、これが表
面的な帯電による障害に対して敏感であることから、電
気的に活性な安定化層を必要とする。これらの安定化層
は次の特性、すなわち108Ω・cm以上の絶縁性、1019cm
-3・eV-1以上の欠陥密度ならびに良好な電気的結合度を
有していなければならない。電気的に活性な安定化層と
しては、無定形ケイ素、即ちａ−Siからなる層が特に適
している。この種の層は、例えば蒸着又はSiターゲット
をスパッタすることにより製造することができる（これ
に関してはドイツ連邦共和国特許出願公開第2730367号
明細書（特公昭61−58976号公報）参照）。
MOS技術を使用した集積化半導体デバイスは、これが表
面的な帯電による障害に対して敏感であることから、電
気的に活性な安定化層を必要とする。これらの安定化層
は次の特性、すなわち108Ω・cm以上の絶縁性、1019cm
-3・eV-1以上の欠陥密度ならびに良好な電気的結合度を
有していなければならない。電気的に活性な安定化層と
しては、無定形ケイ素、即ちａ−Siからなる層が特に適
している。この種の層は、例えば蒸着又はSiターゲット
をスパッタすることにより製造することができる（これ
に関してはドイツ連邦共和国特許出願公開第2730367号
明細書（特公昭61−58976号公報）参照）。
上記の種類の電気的に活性な安定化層は、湿気及び引
っかきに対して極めて敏感であり、著しい数のいわゆる
ピンホールを有している。従ってこれらの層は機械的及
び化学的に安定な、硬い中間層によって保護する必要が
ある。しかしこの保護層は、その下にあるａ−Si層の電
気的特性及び電気的に活性な安定化作用にマイナスの影
響を及ぼすものであってはならない。
っかきに対して極めて敏感であり、著しい数のいわゆる
ピンホールを有している。従ってこれらの層は機械的及
び化学的に安定な、硬い中間層によって保護する必要が
ある。しかしこの保護層は、その下にあるａ−Si層の電
気的特性及び電気的に活性な安定化作用にマイナスの影
響を及ぼすものであってはならない。
IC技術分野及び単一トランジスタにおいては、多結晶
ケイ素又はａ−Si上に付加的に窒化ケイ素、即ちSi
3N4、いわゆるプラズマナイトライドを防湿材として施
す。この処置法は、特に動作電圧2000V未満のバイポー
ラモジュールサイリスタにおいて、数年来大量生産に使
用されている。ａ−Siが10-9Ω-1cm-1未満の導電率σに
調整され、また表面の金属汚染が阻止される限り、湿気
による影響は実際に二次的な問題であるにすぎない。し
かし動作電圧4000V以上の高耐圧デバイスでは問題が生
じる。この場合ａ−Si層は基板に対して十分に電気的に
接続するために低オームに調整されなければならない
が、その結果デバイスは環境の影響及び汚染に対して一
層敏感になる。従ってａ−Si層は、湿気及びイオンに対
して拡散障壁として作用する第２の絶縁層によって保護
する必要がある。プラズマナイトライド層はこの目的に
はあまり適してはいない。それというのも、この種の層
は亀裂を生じる傾向があり、従って亀裂を介して水が浸
入するおそれがあるからである。
ケイ素又はａ−Si上に付加的に窒化ケイ素、即ちSi
3N4、いわゆるプラズマナイトライドを防湿材として施
す。この処置法は、特に動作電圧2000V未満のバイポー
ラモジュールサイリスタにおいて、数年来大量生産に使
用されている。ａ−Siが10-9Ω-1cm-1未満の導電率σに
調整され、また表面の金属汚染が阻止される限り、湿気
による影響は実際に二次的な問題であるにすぎない。し
かし動作電圧4000V以上の高耐圧デバイスでは問題が生
じる。この場合ａ−Si層は基板に対して十分に電気的に
接続するために低オームに調整されなければならない
が、その結果デバイスは環境の影響及び汚染に対して一
層敏感になる。従ってａ−Si層は、湿気及びイオンに対
して拡散障壁として作用する第２の絶縁層によって保護
する必要がある。プラズマナイトライド層はこの目的に
はあまり適してはいない。それというのも、この種の層
は亀裂を生じる傾向があり、従って亀裂を介して水が浸
入するおそれがあるからである。
本発明の課題は、半導体デバイスの電気的に活性な安
定化層用の機械的及び化学的に安定な硬い保護層を提供
することにある。この場合該保護層は、更に湿気及びイ
オンに対して確実な拡散障壁としても作用するものでな
ければならない。
定化層用の機械的及び化学的に安定な硬い保護層を提供
することにある。この場合該保護層は、更に湿気及びイ
オンに対して確実な拡散障壁としても作用するものでな
ければならない。
この課題は本発明によれば、保護層を無定形の水素含
有炭素、即ちａ−C:Hの薄層から形成することによって
解決される。
有炭素、即ちａ−C:Hの薄層から形成することによって
解決される。
無定形の水素含有炭素、即ちａ−C:Hは、無定形の炭
素格子構造が存在する炭素材料であり、その機械的硬度
によりこの炭素材料は、ダイヤモンド状炭素ともいわれ
る〔例えば「イー・デー・エル・インドゥストリー・デ
ィアマンテン・ルントシャウ（IDR−Industrie Diamant
en Rundschau）」第18巻（1984年）、第４号、第249頁
以降参照〕。炭素のこの無定形変態は、四面体（sp3-）
及び三方晶（sp2-）ハイブリット化の共存によって及び
水素の組み込みことによって（約10〜40原子％）、光学
的透明度、微小硬度、化学抵抗性及び電気絶縁性のよう
な優れた特性をもたらされる。
素格子構造が存在する炭素材料であり、その機械的硬度
によりこの炭素材料は、ダイヤモンド状炭素ともいわれ
る〔例えば「イー・デー・エル・インドゥストリー・デ
ィアマンテン・ルントシャウ（IDR−Industrie Diamant
en Rundschau）」第18巻（1984年）、第４号、第249頁
以降参照〕。炭素のこの無定形変態は、四面体（sp3-）
及び三方晶（sp2-）ハイブリット化の共存によって及び
水素の組み込みことによって（約10〜40原子％）、光学
的透明度、微小硬度、化学抵抗性及び電気絶縁性のよう
な優れた特性をもたらされる。
ａ−C:H薄層からなる、本発明による電気的に活性な
安定化半導体デバイス用保護層は、その厚さを約0.05〜
３μｍとすることにより、これに設定される要件を高度
に満足する。すなわちこの種の層は高い機械的硬さ、引
っかき強さ、化学的安定性及び低い水透過性のような、
いわゆるダイヤモンドに類似した特性を有するものであ
るが、その厚さが0.05μｍ未満であるとピンホール発生
の危険があり、水分を透過するおそれがある。他方３μ
ｍ以上とすると、膜内の機械的応力が過大となってクラ
ックを生じ、さらに層の剥離を起こす危険がある。更に
加工材であるａ−C:Hは、例えばａ−Si及びａ−Si:Hと
は異なり、可変の光学的エネルギーギャップ、可変の欠
陥密度及びとりわけ可変の電気抵抗を持つものを製造す
ることができる。本発明による保護層としては、特に10
10Ω・cm以上の電気比抵抗（室温）において、できる限
り低い欠陥密度、特に1017・cm-3・eV-1以下の欠陥密度
を有するａ−C:H層が特に適している。すなわち上記の
条件を満たす層によって、その下に存在する、好ましく
はａ−Siからなる安定化層の電気特性及び電気的に活性
な安定化作用が妨げられず、更にこの安定化層は機械的
にまた湿気に対して確実に保護されることとなる。もし
電気比抵抗が1010Ω・cm以下であると、この保護層がpn
接合を跨いで設けられていることから、漏洩電流が過大
となってしまう。また欠陥密度が1017・cm-3・eV-1を越
えると、装置内に強い電界が生じ、余分な電荷キャリア
が生成し、漏洩電流を増大させる。従って、1010Ω・cm
以上の電気比抵抗ならびに1017・cm-3・eV-1以下の欠陥
密度が重要である。
安定化半導体デバイス用保護層は、その厚さを約0.05〜
３μｍとすることにより、これに設定される要件を高度
に満足する。すなわちこの種の層は高い機械的硬さ、引
っかき強さ、化学的安定性及び低い水透過性のような、
いわゆるダイヤモンドに類似した特性を有するものであ
るが、その厚さが0.05μｍ未満であるとピンホール発生
の危険があり、水分を透過するおそれがある。他方３μ
ｍ以上とすると、膜内の機械的応力が過大となってクラ
ックを生じ、さらに層の剥離を起こす危険がある。更に
加工材であるａ−C:Hは、例えばａ−Si及びａ−Si:Hと
は異なり、可変の光学的エネルギーギャップ、可変の欠
陥密度及びとりわけ可変の電気抵抗を持つものを製造す
ることができる。本発明による保護層としては、特に10
10Ω・cm以上の電気比抵抗（室温）において、できる限
り低い欠陥密度、特に1017・cm-3・eV-1以下の欠陥密度
を有するａ−C:H層が特に適している。すなわち上記の
条件を満たす層によって、その下に存在する、好ましく
はａ−Siからなる安定化層の電気特性及び電気的に活性
な安定化作用が妨げられず、更にこの安定化層は機械的
にまた湿気に対して確実に保護されることとなる。もし
電気比抵抗が1010Ω・cm以下であると、この保護層がpn
接合を跨いで設けられていることから、漏洩電流が過大
となってしまう。また欠陥密度が1017・cm-3・eV-1を越
えると、装置内に強い電界が生じ、余分な電荷キャリア
が生成し、漏洩電流を増大させる。従って、1010Ω・cm
以上の電気比抵抗ならびに1017・cm-3・eV-1以下の欠陥
密度が重要である。
更に本発明によるａ−C:Hからなる保護層は、その安
定なＣ−Ｈ結合により、保護すべき半導体構造物に害を
及ぼす水の浸入拡散が、この材料を介して起こることは
ないという利点を有する。しかしこの現象は、例えばａ
−Si:H層の場合には生じる可能性がある。更に、特に周
期率表第４主族の元素からなる基板上へのａ−C:H層の
付着性は極めて良好であり、これは炭化物を介しての化
学的結合により得られる。従って、特にａ−Siでの電気
的に活性な安定化半導体デバイスを被覆する処理は、ａ
−Siとａ−C:Hとの間に炭化物結合が生じることから、
安定でかつ良好に付着する被膜を生ずる。
定なＣ−Ｈ結合により、保護すべき半導体構造物に害を
及ぼす水の浸入拡散が、この材料を介して起こることは
ないという利点を有する。しかしこの現象は、例えばａ
−Si:H層の場合には生じる可能性がある。更に、特に周
期率表第４主族の元素からなる基板上へのａ−C:H層の
付着性は極めて良好であり、これは炭化物を介しての化
学的結合により得られる。従って、特にａ−Siでの電気
的に活性な安定化半導体デバイスを被覆する処理は、ａ
−Siとａ−C:Hとの間に炭化物結合が生じることから、
安定でかつ良好に付着する被膜を生ずる。
本発明による保護層の製造は、電気的に活性な安定化
層上に、ガス状の炭化水素を高周波プラズマ析出処理す
ることにより、無定形の水素含有炭素からなる薄層を施
すことによって行う。この場合プラズマ析出は、有利に
は無線周波数（RF）、すなわち0.1〜100MHzの範囲を用
いて行うが、マイクロ波（MW）、すなわち0.1〜1000GHz
の範囲を用いて行うこともできる。
層上に、ガス状の炭化水素を高周波プラズマ析出処理す
ることにより、無定形の水素含有炭素からなる薄層を施
すことによって行う。この場合プラズマ析出は、有利に
は無線周波数（RF）、すなわち0.1〜100MHzの範囲を用
いて行うが、マイクロ波（MW）、すなわち0.1〜1000GHz
の範囲を用いて行うこともできる。
本発明による保護層の製造に際しては、ガス状炭化水
素として有利にはアルカン、すなわちメタン、エタン及
びプロパンのような飽和脂肪族炭化水素を使用するが、
この場合好ましいのはメタンである。しかしその他にア
ルケン、すなわちエタン及びプロペンのような不飽和の
脂肪族炭化水素、並びにアセチレン、シクロアルカン、
すなわちシクロヘキサンのような飽和環状炭化水素、及
び蒸気状態でのベンゾール及びベンゾール誘導体の形の
芳香族炭化水素も使用することができる。上記の各炭化
水素は、単独又は混合物として使用することができる。
更にこれらの炭化水素には、水素及び／又は希ガス、例
えばヘリウムやアルゴンを添加することもできる。
素として有利にはアルカン、すなわちメタン、エタン及
びプロパンのような飽和脂肪族炭化水素を使用するが、
この場合好ましいのはメタンである。しかしその他にア
ルケン、すなわちエタン及びプロペンのような不飽和の
脂肪族炭化水素、並びにアセチレン、シクロアルカン、
すなわちシクロヘキサンのような飽和環状炭化水素、及
び蒸気状態でのベンゾール及びベンゾール誘導体の形の
芳香族炭化水素も使用することができる。上記の各炭化
水素は、単独又は混合物として使用することができる。
更にこれらの炭化水素には、水素及び／又は希ガス、例
えばヘリウムやアルゴンを添加することもできる。
特にRF励起での高周波放電中で、放電装置の異なる大
きさの内部電極（0.5以下、有利には0.25〜0.05の表面
比）に、空間電荷により約1kVまでの、高周波（HF）の
タイミングパルスで脈動する直流電圧成分（バイアス電
圧又はセルフバイアス電圧）が生じる。この直流電圧成
分は高周波交流電圧に重畳し、小さな電極を陰極化す
る。これにより、反応ガスのイオン化及びフラグメント
化によって生じる、帯電したCXHY粒子を陰極に向かって
加速し、陰極の前に配置された基板に高い運動エネルギ
ーをもって衝突・析出させ、ａ−C:H層を形成する。基
板の温度をできるだけ低く（250℃以下）保持し、それ
によりできるだけ高いsp3成分（＜60％）ａ−C:H中に得
るために、陽極は鉢状に形成するのがよい。すなわち、
基板温度が250℃を越えると水素の離脱が起こり、それ
に伴ってグラファイト状のクラスタの生成、従って固有
抵抗の低下が起こる。固有抵抗は被覆された装置の漏洩
電流に逆比例するので、析出温度は250℃以下とすべき
である。先に記載した形式の「セルフバイアス」効果
は、内部電極が欠けていることにより極く僅かな規模で
はあるが、MW誘導析出プラズマの場合にも有効である。
それというのも、プラズマと基板表面との間には、いず
れの場合にも電位差が生じるからである。
きさの内部電極（0.5以下、有利には0.25〜0.05の表面
比）に、空間電荷により約1kVまでの、高周波（HF）の
タイミングパルスで脈動する直流電圧成分（バイアス電
圧又はセルフバイアス電圧）が生じる。この直流電圧成
分は高周波交流電圧に重畳し、小さな電極を陰極化す
る。これにより、反応ガスのイオン化及びフラグメント
化によって生じる、帯電したCXHY粒子を陰極に向かって
加速し、陰極の前に配置された基板に高い運動エネルギ
ーをもって衝突・析出させ、ａ−C:H層を形成する。基
板の温度をできるだけ低く（250℃以下）保持し、それ
によりできるだけ高いsp3成分（＜60％）ａ−C:H中に得
るために、陽極は鉢状に形成するのがよい。すなわち、
基板温度が250℃を越えると水素の離脱が起こり、それ
に伴ってグラファイト状のクラスタの生成、従って固有
抵抗の低下が起こる。固有抵抗は被覆された装置の漏洩
電流に逆比例するので、析出温度は250℃以下とすべき
である。先に記載した形式の「セルフバイアス」効果
は、内部電極が欠けていることにより極く僅かな規模で
はあるが、MW誘導析出プラズマの場合にも有効である。
それというのも、プラズマと基板表面との間には、いず
れの場合にも電位差が生じるからである。
次に本発明を一実施例に基づき更に詳述する。
円筒状のガラス容器の形をしたRF励起によりａ−C:H
をプラズマ析出する装置内に、メタンCH4（反応ガスと
して）を100Paの圧力で導入する。反応ガスは面積の異
なる２つの電極（表面比1:4）間に形成された約400cm3
の容量のプラズマに達する。双方の電極はRF発電機と接
続されている（ν＝13.56MHz）。面積の異なる電極によ
り、両電極間にはRF電圧に重畳するセルフバイアス直流
電圧が生じ、その際被覆すべきａ−Si安定化半導体成分
を有する小さい方の電極が陰極となる。このａ−Si層に
より、ａ−C:Hでの被覆処理中における半導体デバイス
へのプラズマの有害な電気的影響は十分に阻止される。
をプラズマ析出する装置内に、メタンCH4（反応ガスと
して）を100Paの圧力で導入する。反応ガスは面積の異
なる２つの電極（表面比1:4）間に形成された約400cm3
の容量のプラズマに達する。双方の電極はRF発電機と接
続されている（ν＝13.56MHz）。面積の異なる電極によ
り、両電極間にはRF電圧に重畳するセルフバイアス直流
電圧が生じ、その際被覆すべきａ−Si安定化半導体成分
を有する小さい方の電極が陰極となる。このａ−Si層に
より、ａ−C:Hでの被覆処理中における半導体デバイス
へのプラズマの有害な電気的影響は十分に阻止される。
陰極表面に対して約2.2W・cm-2の高周波電力密度で、
両電極間には約500Vのセルフバイアス直流電圧が生じ
る。この条件下において8.8・104Pa・cm3・s-1のCH4物
質流量で、１分後に、即ち析出速度約3nm・s-1で、ダイ
ヤモンド状特性及び３・10-13m2・s-1未満のH2O透過係
数を有する厚さ約0.2μｍのａ−C:H層が得られる。ａ−
C:H層の極めて高い電気抵抗（1010Ω・cm以上）及び10
17・cm-3・eV-1未満の欠陥密度により、その下に存在す
るａ−Si層の電気的に活性な安定化作用がマイナスに影
響されることはない。
両電極間には約500Vのセルフバイアス直流電圧が生じ
る。この条件下において8.8・104Pa・cm3・s-1のCH4物
質流量で、１分後に、即ち析出速度約3nm・s-1で、ダイ
ヤモンド状特性及び３・10-13m2・s-1未満のH2O透過係
数を有する厚さ約0.2μｍのａ−C:H層が得られる。ａ−
C:H層の極めて高い電気抵抗（1010Ω・cm以上）及び10
17・cm-3・eV-1未満の欠陥密度により、その下に存在す
るａ−Si層の電気的に活性な安定化作用がマイナスに影
響されることはない。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ヨハン、カンマーマイヤー
ドイツ連邦共和国ウンターハツヒング、
チーラーシユトラーセ19
(72)発明者 ゲルハルト、シユミツト
ドイツ連邦共和国フオルヒハイム、カー
ルブレーガーシユトラーセ28
(72)発明者 ロルフ、シユルテ
ドイツ連邦共和国エルランゲン、ゲオル
ククラウスシユトラーセ２
(56)参考文献 特開 昭60−190557（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−244068（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−110641（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−178975（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−239623（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】半導体デバイスの電気的に活性な安定化層
のための保護層の製造方法であって、この保護層が1017
cm-3・eV-1以下の欠陥密度及び1010Ω・cm以上の電気比
抵抗を有するものにおいて、 前記保護層が無定形の水素含有炭素、即ちａ−C:Hの薄
層からなり、 該薄層が1000Vまでのセルフバイアス直流電圧下での、
ガス状炭化水素の高周波−プラズマ析出処理により前記
安定化層上に析出されることを特徴とする方法。 - 【請求項２】保護層が0.05μｍ以上、３μｍ以下の厚さ
を有することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】電気的に活性な安定化層が無定形ケイ素か
らなることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。 - 【請求項４】プラズマ析出を、無線周波数を用いて行う
ことを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の方
法。 - 【請求項５】ガス状炭化水素としてアルカンを使用する
ことを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の方
法。 - 【請求項６】電気的に活性な安定化層の析出中250℃以
下の温度に保持することを特徴とする請求項１ないし５
の１つに記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3902968 | 1989-02-01 | ||
| DE3902968.9 | 1989-02-01 |
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|---|---|
| JPH02239622A JPH02239622A (ja) | 1990-09-21 |
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ID=6373225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02034690A Expired - Lifetime JP3509856B2 (ja) | 1989-02-01 | 1990-01-30 | 安定化層のための保護層及びその製法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0381110B1 (ja) |
| JP (1) | JP3509856B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| EP0555771A3 (en) * | 1992-02-12 | 1993-12-01 | Siemens Ag | Window for a device for optical reading of codes on articles |
| EP0644266A1 (de) * | 1993-09-22 | 1995-03-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Arbeitselektrode für ekektrodechemisch-enzymatische Sensorsysteme |
| DE4428524A1 (de) * | 1994-08-11 | 1997-12-04 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht |
| US5942328A (en) * | 1996-02-29 | 1999-08-24 | International Business Machines Corporation | Low dielectric constant amorphous fluorinated carbon and method of preparation |
| EP0848083A3 (en) * | 1996-12-12 | 2001-03-07 | Eastman Kodak Company | Protective inorganic and dlc coatings and method for making same at or close to room temperature |
| US6150719A (en) * | 1997-07-28 | 2000-11-21 | General Electric Company | Amorphous hydrogenated carbon hermetic structure and fabrication method |
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|---|---|---|---|---|
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| US4226897A (en) * | 1977-12-05 | 1980-10-07 | Plasma Physics Corporation | Method of forming semiconducting materials and barriers |
| US4254426A (en) * | 1979-05-09 | 1981-03-03 | Rca Corporation | Method and structure for passivating semiconductor material |
| US4664999A (en) * | 1984-10-16 | 1987-05-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of making electrophotographic member with a-Si photoconductive layer |
| US4675265A (en) * | 1985-03-26 | 1987-06-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic light-sensitive element with amorphous C overlayer |
| US4972250A (en) * | 1987-03-02 | 1990-11-20 | Microwave Technology, Inc. | Protective coating useful as passivation layer for semiconductor devices |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| DE3725700A1 (de) * | 1987-08-03 | 1989-02-16 | Siemens Ag | Neues halbleitergrundmaterial |
| DE59009167D1 (de) * | 1989-02-01 | 1995-07-06 | Siemens Ag | Elektroaktive Passivierschicht. |
-
1990
- 1990-01-29 DE DE59006267T patent/DE59006267D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-29 EP EP90101717A patent/EP0381110B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-30 JP JP02034690A patent/JP3509856B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-01 US US07/473,619 patent/US5162875A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0381110A1 (de) | 1990-08-08 |
| DE59006267D1 (de) | 1994-08-04 |
| EP0381110B1 (de) | 1994-06-29 |
| JPH02239622A (ja) | 1990-09-21 |
| US5162875A (en) | 1992-11-10 |
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