JPH07221176A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07221176A JPH07221176A JP1126094A JP1126094A JPH07221176A JP H07221176 A JPH07221176 A JP H07221176A JP 1126094 A JP1126094 A JP 1126094A JP 1126094 A JP1126094 A JP 1126094A JP H07221176 A JPH07221176 A JP H07221176A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体集積回路の形成途上におけ
る多層配線の層間絶縁膜にＴＥＯＳ−Ｏ3 系を反応ガス
の原料としたＮＳＧ膜を用いる場合の層間絶縁膜の製造
方法に関し、ＮＳＧ膜からの水分の下地ブロック膜によ
る適正な対処法、及び下地ブロック膜による層間絶縁膜
の表面凹凸依存性をなくす。 【構成】 ＴＥＯＳ−Ｏ3 系反応ガスを用いて形成され
たＮＳＧ膜１が層間絶縁膜として用いられた半導体装置
において、ＮＳＧ膜１の下層にあらかじめ下地ブロック
膜として、屈折率ｎ＝1.65以下のＳｉＯＮ膜２を形成す
る。
る多層配線の層間絶縁膜にＴＥＯＳ−Ｏ3 系を反応ガス
の原料としたＮＳＧ膜を用いる場合の層間絶縁膜の製造
方法に関し、ＮＳＧ膜からの水分の下地ブロック膜によ
る適正な対処法、及び下地ブロック膜による層間絶縁膜
の表面凹凸依存性をなくす。 【構成】 ＴＥＯＳ−Ｏ3 系反応ガスを用いて形成され
たＮＳＧ膜１が層間絶縁膜として用いられた半導体装置
において、ＮＳＧ膜１の下層にあらかじめ下地ブロック
膜として、屈折率ｎ＝1.65以下のＳｉＯＮ膜２を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の形成
途上における多層配線の層間絶縁膜として用いるＴＥＯ
Ｓ−Ｏ3 系の反応ガスを原料としたＮＳＧ膜の製造方法
に関する。
途上における多層配線の層間絶縁膜として用いるＴＥＯ
Ｓ−Ｏ3 系の反応ガスを原料としたＮＳＧ膜の製造方法
に関する。
【０００２】近年、半導体集積回路の高密度化にともな
って、電極配線が多層構造になり、その上部の配線を形
成する際の下地表面の凹凸（段差）が大きくなってい
る。従って、これら段差の表面を平坦化するような層間
絶縁膜の形成方法の開発が必要とされている。
って、電極配線が多層構造になり、その上部の配線を形
成する際の下地表面の凹凸（段差）が大きくなってい
る。従って、これら段差の表面を平坦化するような層間
絶縁膜の形成方法の開発が必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】図６は従来例の説明図である。図におい
て、７はSi基板、８はAl電極配線膜、９はＢＰＳＧ膜、
10はＳＯＧ膜、11はボイドである。
て、７はSi基板、８はAl電極配線膜、９はＢＰＳＧ膜、
10はＳＯＧ膜、11はボイドである。
【０００４】従来の技術では、図６（ａ）に示すように
Si基板７上に形成されたAl電極配線膜上のＢＰＳＧ膜９
からなる層間絶縁膜形成後に、その凹凸を平坦化処理す
るため、図６（ｂ）に示すように、ＳＯＧ膜10等を被せ
た後、図６（ｃ）に示すように、エッチバック等の複合
プロセスによりSi基板７上を平坦化処理する等、工程が
数工程必要となり、スループット上の問題があった。
Si基板７上に形成されたAl電極配線膜上のＢＰＳＧ膜９
からなる層間絶縁膜形成後に、その凹凸を平坦化処理す
るため、図６（ｂ）に示すように、ＳＯＧ膜10等を被せ
た後、図６（ｃ）に示すように、エッチバック等の複合
プロセスによりSi基板７上を平坦化処理する等、工程が
数工程必要となり、スループット上の問題があった。
【０００５】また、ＴＥＯＳ−Ｏ3 系の反応ガスを用い
て形成したＮＳＧ膜を使用するようになってからはエッ
チバック工程を必要とせず、工程の簡略化が可能となっ
たが、一方、このＮＳＧ膜は水分含有量が多く、下地の
トランジスタ等の電気的特性に悪影響を与える。このた
め、防水膜として下地ブロック膜を被覆するが、ＮＳＧ
膜の水分等の含有量がＳｉＯＮ膜２等の下地ブロック膜
の表面依存性に大きく関係することが懸念されている。
て形成したＮＳＧ膜を使用するようになってからはエッ
チバック工程を必要とせず、工程の簡略化が可能となっ
たが、一方、このＮＳＧ膜は水分含有量が多く、下地の
トランジスタ等の電気的特性に悪影響を与える。このた
め、防水膜として下地ブロック膜を被覆するが、ＮＳＧ
膜の水分等の含有量がＳｉＯＮ膜２等の下地ブロック膜
の表面依存性に大きく関係することが懸念されている。
【０００６】また、このＳｉＯＮ膜２が厚い場合には、
Al電極配線膜８間隔の狭まった領域では、図６（ｄ）に
示すように、ＮＳＧ膜１形成時にボイド11が発生してし
まっていた。
Al電極配線膜８間隔の狭まった領域では、図６（ｄ）に
示すように、ＮＳＧ膜１形成時にボイド11が発生してし
まっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、ＮＳＧ膜から
の水分に対処した適正な下地ブロック膜の処理方法が必
要となり、また、下地ブロック膜による層間絶縁膜の表
面凹凸依存性をなくす事も必要である。
の水分に対処した適正な下地ブロック膜の処理方法が必
要となり、また、下地ブロック膜による層間絶縁膜の表
面凹凸依存性をなくす事も必要である。
【０００８】そのため、ＳｉＯＮ膜等のブロック性の良
い膜を下地ブロック膜として使用することにより、下地
ブロック膜の薄膜化が可能となりボイド〔す＝鬆〕の発
生を防ぐことも出来るが、しかし下地プロック膜である
ＳｉＯＮ膜形成後からの放置時間により、ＮＳＧ膜の下
地依存性が生じるため、このような影響をなくすため、
純水による高圧スクラバの処理することにより、安定し
た膜質が保たれる。一方、ＳｉＯＮ（ｎ＝１．６５以
上）膜の表面処理をせずに、その上に層間絶縁膜であく
ＮＳＧ膜を成長した場合にはコンタクト抵抗が不安定に
なり、歩留りが低下する。
い膜を下地ブロック膜として使用することにより、下地
ブロック膜の薄膜化が可能となりボイド〔す＝鬆〕の発
生を防ぐことも出来るが、しかし下地プロック膜である
ＳｉＯＮ膜形成後からの放置時間により、ＮＳＧ膜の下
地依存性が生じるため、このような影響をなくすため、
純水による高圧スクラバの処理することにより、安定し
た膜質が保たれる。一方、ＳｉＯＮ（ｎ＝１．６５以
上）膜の表面処理をせずに、その上に層間絶縁膜であく
ＮＳＧ膜を成長した場合にはコンタクト抵抗が不安定に
なり、歩留りが低下する。
【０００９】本発明は、以上の問題点を解決する手段と
して、層間絶縁膜であるＮＳＧ膜からの水分の下地ブロ
ック膜による適正な対処法、及び下地ブロック膜による
層間絶縁膜の表面凹凸依存性をなくす事を目的として提
供される。
して、層間絶縁膜であるＮＳＧ膜からの水分の下地ブロ
ック膜による適正な対処法、及び下地ブロック膜による
層間絶縁膜の表面凹凸依存性をなくす事を目的として提
供される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図１は本発明の原理説
明図である。図において、１はＮＳＧ膜、２はＳｉＯＮ
膜、３はAr+ 、４はSiO2膜、５は洗浄液（純水）、６は
エチルアルコール、７はSi基板、８はAl電極配線膜であ
る。
明図である。図において、１はＮＳＧ膜、２はＳｉＯＮ
膜、３はAr+ 、４はSiO2膜、５は洗浄液（純水）、６は
エチルアルコール、７はSi基板、８はAl電極配線膜であ
る。
【００１１】上記問題点の解決策として、下地ブロック
膜にブロック性の優れたプラズマ装置を用いて形成した
SiO2膜４、またはＳｉＯＮ膜２を使用すると良い。この
SiO2膜４等は屈折率が高くなればなるほど、その上に被
覆するＮＳＧ膜１の表面依存性に影響が出て、膜質が劣
るために、ＳｉＯＮ膜２表面の改質として、Ar+ による
スパッタエッチングやＮＨ3 プラズマスパッタ等を行う
事により、下地依存性をなくすことが出来る。
膜にブロック性の優れたプラズマ装置を用いて形成した
SiO2膜４、またはＳｉＯＮ膜２を使用すると良い。この
SiO2膜４等は屈折率が高くなればなるほど、その上に被
覆するＮＳＧ膜１の表面依存性に影響が出て、膜質が劣
るために、ＳｉＯＮ膜２表面の改質として、Ar+ による
スパッタエッチングやＮＨ3 プラズマスパッタ等を行う
事により、下地依存性をなくすことが出来る。
【００１２】そして、ＳｉＯＮ膜２成長後、表面にSiO2
膜４を成長させ、その際の成長は同一チャンバでの連続
処理をすると良い。また、上記のＳｉＯＮ膜２の下地依
存性等の影響をなくし、安定したプロセスにするため
に、洗浄液５に純水やエチルアルコール６を用いた高圧
スクラバ処理をしても良い。
膜４を成長させ、その際の成長は同一チャンバでの連続
処理をすると良い。また、上記のＳｉＯＮ膜２の下地依
存性等の影響をなくし、安定したプロセスにするため
に、洗浄液５に純水やエチルアルコール６を用いた高圧
スクラバ処理をしても良い。
【００１３】即ち、ＴＥＯＳ−Ｏ3 系の反応ガスを用い
て形成されたＮＳＧ膜１が層間絶縁膜として用いられた
半導体装置において、本発明の目的は、図１（ａ）に示
すように、ＮＳＧ膜１の下層にあらかじめ下地ブロック
膜として、屈折率ｎ＝1.60以下のＳｉＯＮ膜２を形成す
ることにより、また、ＳｉＯＮ膜２形成後、図１（ｂ）
に示すように、ＳｉＯＮ膜２の表面をAr+ ３によりスパ
ッタエッチングすることにより、また、ＳｉＯＮ膜２形
成後、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯＮ膜２の表面に
SiO2膜４を形成することにより、また、図１（ｄ）に示
すように、ＳｉＯＮ膜２形成後、ＳｉＯＮ膜２の表面を
純水等の洗浄液５により高圧スクラバすることにより、
更に、図１（ｅ）に示すように、高圧スクラバに際し
て、洗浄液４にエチルアルコール６等の水溶性有機溶剤
を用いることにより達成される。
て形成されたＮＳＧ膜１が層間絶縁膜として用いられた
半導体装置において、本発明の目的は、図１（ａ）に示
すように、ＮＳＧ膜１の下層にあらかじめ下地ブロック
膜として、屈折率ｎ＝1.60以下のＳｉＯＮ膜２を形成す
ることにより、また、ＳｉＯＮ膜２形成後、図１（ｂ）
に示すように、ＳｉＯＮ膜２の表面をAr+ ３によりスパ
ッタエッチングすることにより、また、ＳｉＯＮ膜２形
成後、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯＮ膜２の表面に
SiO2膜４を形成することにより、また、図１（ｄ）に示
すように、ＳｉＯＮ膜２形成後、ＳｉＯＮ膜２の表面を
純水等の洗浄液５により高圧スクラバすることにより、
更に、図１（ｅ）に示すように、高圧スクラバに際し
て、洗浄液４にエチルアルコール６等の水溶性有機溶剤
を用いることにより達成される。
【００１４】
【作用】先ず、ｎ＝１．６５までのＳｉＯＮ膜ではＮＳ
Ｇ膜の水分のブロック性が優れるために、下地ブロック
膜の薄膜化が可能となり、ＮＳＧ膜成長時にボイドの発
生が抑えられる。
Ｇ膜の水分のブロック性が優れるために、下地ブロック
膜の薄膜化が可能となり、ＮＳＧ膜成長時にボイドの発
生が抑えられる。
【００１５】また、ＳｉＯＮ膜の形成後にＮＳＧ膜の下
地依存性をなくすために連続処理してSiO2膜を薄く成長
させる。この時、SiO2膜成長の代わりにプラズマ照射の
みでも有効である。また、別の方法として、アルゴンス
パッタエッチングや高圧スクラバでも同様な効果が得ら
れるが、特に、高圧スクラバにエチルアルコール等に代
表される水溶性有機溶剤を用いるのが有効である。
地依存性をなくすために連続処理してSiO2膜を薄く成長
させる。この時、SiO2膜成長の代わりにプラズマ照射の
みでも有効である。また、別の方法として、アルゴンス
パッタエッチングや高圧スクラバでも同様な効果が得ら
れるが、特に、高圧スクラバにエチルアルコール等に代
表される水溶性有機溶剤を用いるのが有効である。
【００１６】
【実施例】１はＮＳＧ膜、２はＳｉＯＮ膜、３はAr+ 、
４はSiO2膜、５は洗浄液（純水）、６はエチルアルコー
ル、７はSi基板、８はAl電極配線膜、11はボイド、12は
反応ガス、13はチャンバ、14は赤外線ランプ、15は熱
線、16はサセプタ、17は石英窓、18はメッシュ電極、19
はセラミックプレート、20はポンピングプレート、21は
排気、22はジェットノズル、23は純水リンスノズル、24
はN2ブローノズル、25はジェットノズルアーム、26はブ
ラシアーム、27はブラシである。
４はSiO2膜、５は洗浄液（純水）、６はエチルアルコー
ル、７はSi基板、８はAl電極配線膜、11はボイド、12は
反応ガス、13はチャンバ、14は赤外線ランプ、15は熱
線、16はサセプタ、17は石英窓、18はメッシュ電極、19
はセラミックプレート、20はポンピングプレート、21は
排気、22はジェットノズル、23は純水リンスノズル、24
はN2ブローノズル、25はジェットノズルアーム、26はブ
ラシアーム、27はブラシである。
【００１７】ＴＥＯＳ−Ｏ3 系の反応ガス12を用いて形
成されたＮＳＧ膜１が層間絶縁膜として其の機能を果た
すためには、下地ブロック膜の形成、ならびに下地ブロ
ック膜の表面処理等が必要となる。
成されたＮＳＧ膜１が層間絶縁膜として其の機能を果た
すためには、下地ブロック膜の形成、ならびに下地ブロ
ック膜の表面処理等が必要となる。
【００１８】本発明の第１の実施例として、ＮＳＧ膜１
の下層にあらかじめ下地ブロック膜として、屈折率ｎ＝
1.65以下のＳｉＯＮ膜２を形成する。本発明の第１の実
施例に用いたプラズマＣＶＤ装置の模式断面図を図２に
示す。下地ブロック膜としてのＳｉＯＮ膜２の成長条件
の一例としては、Si基板７の温度350 〜400 ℃ チャン
バ13内圧力2.5 〜3.5Torr 、メッシュ電極18とSi基板７
の間隔10〜12.5mm、ＲＦパワー200 〜500 Ｗで、各反応
ガス12の流量条件は、シラン(SiH4)30〜50sccm、笑気(N
2O)100〜200sccm 、希釈用の窒素(N2)ガス2000sccmで、
ＳｉＯＮ膜の成長時間は15〜30sec により、基板上に
1,000〜2,000 Åの成長を行った。この後、通常のプラ
ズマ工程で層間絶縁膜としてＮＳＧ膜１を図１（ａ）に
示したように、ＳｉＯＮ膜２上に8,000 Åの厚さに形成
する。
の下層にあらかじめ下地ブロック膜として、屈折率ｎ＝
1.65以下のＳｉＯＮ膜２を形成する。本発明の第１の実
施例に用いたプラズマＣＶＤ装置の模式断面図を図２に
示す。下地ブロック膜としてのＳｉＯＮ膜２の成長条件
の一例としては、Si基板７の温度350 〜400 ℃ チャン
バ13内圧力2.5 〜3.5Torr 、メッシュ電極18とSi基板７
の間隔10〜12.5mm、ＲＦパワー200 〜500 Ｗで、各反応
ガス12の流量条件は、シラン(SiH4)30〜50sccm、笑気(N
2O)100〜200sccm 、希釈用の窒素(N2)ガス2000sccmで、
ＳｉＯＮ膜の成長時間は15〜30sec により、基板上に
1,000〜2,000 Åの成長を行った。この後、通常のプラ
ズマ工程で層間絶縁膜としてＮＳＧ膜１を図１（ａ）に
示したように、ＳｉＯＮ膜２上に8,000 Åの厚さに形成
する。
【００１９】本発明の効果としては、高屈折率のＳｉＯ
Ｎ膜２を使用することにより、下地ブロック性が富むと
ともに、下地のＳｉＮＯ膜２を薄くでき、ボイド11の発
生を除くことができる。
Ｎ膜２を使用することにより、下地ブロック性が富むと
ともに、下地のＳｉＮＯ膜２を薄くでき、ボイド11の発
生を除くことができる。
【００２０】次に、ＳｉＯＮ膜２からなる下地ブロック
膜形成後に、その表面を清浄化する本発明の第二の実施
例について説明する。ＳｉＯＮ膜２形成後、その表面を
Ar+ によりスパッタエッチングする。即ち、スパッタエ
ッチングの条件として Ar ガス圧力0.1Torr 、Arガスの
流量50sccm、ＲＦパワー 800Ｗ、Si基板７の温度 100℃
で行った。
膜形成後に、その表面を清浄化する本発明の第二の実施
例について説明する。ＳｉＯＮ膜２形成後、その表面を
Ar+ によりスパッタエッチングする。即ち、スパッタエ
ッチングの条件として Ar ガス圧力0.1Torr 、Arガスの
流量50sccm、ＲＦパワー 800Ｗ、Si基板７の温度 100℃
で行った。
【００２１】発明の効果としては図３（ｂ）に示すよう
に下地ブロック膜であるＳｉＯＮ膜２のエッジが叩かれ
て削られ、その上に被覆するＮＳＧ膜１の下地依存性を
低減出来るとともに、、従来例の図３（ａ）に示したＮ
ＳＧ膜１内のボイド11の発生が阻止され、更に、ＮＳＧ
膜１の平坦性の一層の向上を図ることができる。
に下地ブロック膜であるＳｉＯＮ膜２のエッジが叩かれ
て削られ、その上に被覆するＮＳＧ膜１の下地依存性を
低減出来るとともに、、従来例の図３（ａ）に示したＮ
ＳＧ膜１内のボイド11の発生が阻止され、更に、ＮＳＧ
膜１の平坦性の一層の向上を図ることができる。
【００２２】次に、下地ブロック膜の層間絶縁膜に対す
る下地依存性の影響を軽減する第三の実施例について説
明する。高屈折率のＳｉＯＮ膜２上にそれより屈折率の
低いｎ＝1.45〜1.50のSiO(N)またはSiO2膜４を連続成長
することにより、層間絶縁膜の下地依存性をなくせる。
る下地依存性の影響を軽減する第三の実施例について説
明する。高屈折率のＳｉＯＮ膜２上にそれより屈折率の
低いｎ＝1.45〜1.50のSiO(N)またはSiO2膜４を連続成長
することにより、層間絶縁膜の下地依存性をなくせる。
【００２３】すてわち、高屈折率のＳｉＯＮ膜２上に直
接ＮＳＧ膜１を成長すると、図４の（ａ）に示すよう
に、ＮＳＧ膜１の表面はボロボロになってしまい、ボイ
ド11も発生していたが、SiO2膜4 を 200〜300 Åの厚さ
にＳｉＯＮ膜２上に連続成長することにより、ＮＳＧ膜
１は図４（ｂ）に示すようにスムーズな膜となる。
接ＮＳＧ膜１を成長すると、図４の（ａ）に示すよう
に、ＮＳＧ膜１の表面はボロボロになってしまい、ボイ
ド11も発生していたが、SiO2膜4 を 200〜300 Åの厚さ
にＳｉＯＮ膜２上に連続成長することにより、ＮＳＧ膜
１は図４（ｂ）に示すようにスムーズな膜となる。
【００２４】即ち、高屈折率のＳｉＯＮ膜２上にそれよ
り屈折率の値がｎ＝1.45〜1.50と低いＳｉＯ(N) または
SiO2膜４を連続成長することにより、ＮＳＧ膜１の下地
依存性をなくせる。
り屈折率の値がｎ＝1.45〜1.50と低いＳｉＯ(N) または
SiO2膜４を連続成長することにより、ＮＳＧ膜１の下地
依存性をなくせる。
【００２５】本発明に使用する装置は第１の実施例と同
じもので、成膜条件も前と同じであり、ガス流量はSiH4
40sccm 、N2O 50sccm、N2 2000sccmである。次に本発
明の第四の実施例について図５により説明する。
じもので、成膜条件も前と同じであり、ガス流量はSiH4
40sccm 、N2O 50sccm、N2 2000sccmである。次に本発
明の第四の実施例について図５により説明する。
【００２６】下地ブロック膜であるＳｉＯＮ膜２形成
後、その表面を純水等の洗浄液５により高圧スクラバす
る。すなわち、図５に示したハイプレッシャスクラバ
（高圧スクラバ) 装置のジェットノズル22を用い、この
ジェットノズル22から水、或いはエチルアルコール６を
噴射する。洗浄液５は水でも良いが、実験の結果、エチ
ルアルコール６等の有機溶剤を用いた方が、その後のＮ
ＳＧ膜１の成膜がよりスムーズに行われた。
後、その表面を純水等の洗浄液５により高圧スクラバす
る。すなわち、図５に示したハイプレッシャスクラバ
（高圧スクラバ) 装置のジェットノズル22を用い、この
ジェットノズル22から水、或いはエチルアルコール６を
噴射する。洗浄液５は水でも良いが、実験の結果、エチ
ルアルコール６等の有機溶剤を用いた方が、その後のＮ
ＳＧ膜１の成膜がよりスムーズに行われた。
【００２７】これはエチルアルコールに限らず、イソプ
ロピルアルコール等のアルコール類やＭＥＫ、アセトン
等でも効果があり、水と混合しても良い。効果の挙がる
理由としては、アルコール類の場合、表面に水酸基（−
ＯＨ）が存在しているため、ＴＥＯＳによるＮＳＧ膜１
の形成の場合、気相中でまず始めに、Ｏ3 自体が徐々に
分解するが、この過程でＴＥＯＳと結合され、それ自体
がＳｉＯＮ膜２の表面にて形成される。この時、ＳｉＯ
Ｎ膜２への表面吸着が初期段階でされにくい状態である
と成膜形成が円滑には行われなず、膜の成長率が低下し
て、表面がぼろぼろな膜となってしまう。そこで、初期
の表面状態を高圧スクラバで有機溶剤、特にアルコール
類や水の処理で表面の水酸基とＴＥＯＳや、Ｏ3 が結合
し易くなり、ＮＳＧ膜１の形成が促進される。
ロピルアルコール等のアルコール類やＭＥＫ、アセトン
等でも効果があり、水と混合しても良い。効果の挙がる
理由としては、アルコール類の場合、表面に水酸基（−
ＯＨ）が存在しているため、ＴＥＯＳによるＮＳＧ膜１
の形成の場合、気相中でまず始めに、Ｏ3 自体が徐々に
分解するが、この過程でＴＥＯＳと結合され、それ自体
がＳｉＯＮ膜２の表面にて形成される。この時、ＳｉＯ
Ｎ膜２への表面吸着が初期段階でされにくい状態である
と成膜形成が円滑には行われなず、膜の成長率が低下し
て、表面がぼろぼろな膜となってしまう。そこで、初期
の表面状態を高圧スクラバで有機溶剤、特にアルコール
類や水の処理で表面の水酸基とＴＥＯＳや、Ｏ3 が結合
し易くなり、ＮＳＧ膜１の形成が促進される。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
層間絶縁膜であるＮＳＧ膜の下地ブロック膜として用い
るＳｉＯＮ膜の薄膜化が可能となり、ＮＳＧ膜内のボイ
ドがなくなり、また、表面の改質によりＴＥＯＳ−Ｏ3
系反応ガスを用いて形成したＮＳＧ膜の下地依存性をな
くせる。
層間絶縁膜であるＮＳＧ膜の下地ブロック膜として用い
るＳｉＯＮ膜の薄膜化が可能となり、ＮＳＧ膜内のボイ
ドがなくなり、また、表面の改質によりＴＥＯＳ−Ｏ3
系反応ガスを用いて形成したＮＳＧ膜の下地依存性をな
くせる。
【００２９】また、下地ブロック膜のＳｉＯＮ膜上に薄
くSiO2膜を成長することによってもＮＳＧ膜の下地依存
性を改善でき、この場合、下地ブロック膜のＳｉＯＮ膜
と薄いSiO2膜を連続処理して積層を行うことから、スル
ープットの向上にも繋がる。
くSiO2膜を成長することによってもＮＳＧ膜の下地依存
性を改善でき、この場合、下地ブロック膜のＳｉＯＮ膜
と薄いSiO2膜を連続処理して積層を行うことから、スル
ープットの向上にも繋がる。
【００３０】更に、ｎ＝1.70以上の屈折率のＳｉＯＮ膜
を下地ブロック膜として使用した場合の多層配線コンタ
クト抵抗の測定を行った場合に、従来方法の下地ブロッ
ク膜の表面処理を行わない場合には、デバイスの歩留り
が悪くなるが、本発明の方法によればデバイスの歩留り
並びに品質が向上して、デバイスの信頼性の確保、コス
トダウンに大きく寄与することができた。
を下地ブロック膜として使用した場合の多層配線コンタ
クト抵抗の測定を行った場合に、従来方法の下地ブロッ
ク膜の表面処理を行わない場合には、デバイスの歩留り
が悪くなるが、本発明の方法によればデバイスの歩留り
並びに品質が向上して、デバイスの信頼性の確保、コス
トダウンに大きく寄与することができた。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第１の実施例の説明図
【図３】 本発明の第２の実施例の説明図
【図４】 本発明の第３の実施例の説明図
【図５】 本発明の第４の実施例の説明図
【図６】 従来例の説明図
１ ＮＳＧ膜 ２ ＳｉＯＮ膜 ３ Ar+ ４ SiO2膜 ５ 洗浄液（純水） ６ エチルアルコール ７ Si基板 ８ Al電極配線膜 11 ボイド 12 反応ガス 13 チャンバ 14 赤外線ランプ 15 熱線 16 サセプタ 17 石英窓 18 メッシュ電極 19 セラミックプレート 20 ポンピングプレート 21 排気 22 ジェットノズル 23 純水リンスノズル 24 N2ブローノズル 25 ジェットノズルアーム 26 ブラシアーム 27 ブラシ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/318 Ｃ 7352−4Ｍ Ｍ 7352−4Ｍ
Claims (5)
- 【請求項１】 テトラエチルオキシシラン−オゾン（Ｔ
ＥＯＳ−Ｏ3 ）系反応ガスを用いて形成された実質的に
ノンドープの珪酸ガラス（ＮＳＧ）膜(1) が層間絶縁膜
として用いられた半導体装置において、 該ＮＳＧ膜(1) の下層にあらかじめ下地ブロック膜とし
て、屈折率ｎ＝1.65以下のオキシ窒化シリコン（ＳｉＯ
Ｎ）膜(2) を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】前記ＳｉＯＮ膜(2) 形成後、該ＳｉＯＮ膜
(2) の表面をアルゴンイオン(Ar +) (3) によりスパッ
タエッチングすることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記ＳｉＯＮ膜(2) 形成後、該ＳｉＯＮ膜
(2) の表面に二酸化シリコン(SiO2)膜(4) を形成するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記ＳｉＯＮ膜(2) 形成後、該ＳｉＯＮ膜
(2) の表面を洗浄液(5) により高圧スクラバすることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記洗浄液(5) が水溶性有機溶剤(6) であ
ることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方
法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01126094A JP3254875B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH07221176A true JPH07221176A (ja) | 1995-08-18 |
| JP3254875B2 JP3254875B2 (ja) | 2002-02-12 |
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ID=11772982
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|---|---|
| JP (1) | JP3254875B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002526916A (ja) * | 1998-10-01 | 2002-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ダマシン用途の低κシリコンカーバイドバリア層、エッチストップ及び反射防止被膜のインシチュウ堆積 |
| WO2012077330A1 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子情報機器 |
| JP2012160748A (ja) * | 2001-06-11 | 2012-08-23 | Cree Inc | コンデンサ及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-02-03 JP JP01126094A patent/JP3254875B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2012160748A (ja) * | 2001-06-11 | 2012-08-23 | Cree Inc | コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2012077330A1 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子情報機器 |
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