JPH0954565A - 負荷駆動装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＥＬ素子に交流電圧を出力する際に、正負２
種類の電源を用いずに１つの電源を用いて正負の交流電
圧を出力する。 【解決手段】 電源１の陽極と接地電圧の接続を開閉す
る第１のＦＥＴ２と、電源１の陰極と接地電圧の接続を
開閉する第２のＦＥＴ３とを、入力端子Ｓ１、Ｓ２に入
力される制御信号に応じて択一的にオン作動させ、さら
に電源１の陽極と陰極の電圧を出力回路９により選択し
てＥＬ素子１００に交流電圧として印加するようにし
た。すなわち、第１のＦＥＴ２がオン作動した時には、
電源１の陰極より負の電圧が作成され、第２のＦＥＴ３
がオン作動した時には、電源１の陽極より正の電圧が作
成され、それらが選択的に出力回路９から出力されて、
ＥＬ素子１００の一方の電極に交流電圧が印加されるよ
うにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子等の負荷を駆動する負荷駆動装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】図７
にＥＬ素子の模式的な断面構成を示す。ＥＬ素子１００
は、ガラス基板１０１上に積層形成された、透明電極１
０２、第１絶縁層１０３、発光層１０４、第２絶縁層１
０５、背面電極１０６から構成されており、透明電極１
０２、背面電極１０６間に交流電圧が印加されて発光す
る。

【０００３】ここで、背面電極１０６を接地した場合、
透明電極１０２に正負の交流電圧を印加すればＥＬ素子
に交流電圧を印加することができる。このように一方の
電極に正負の交流電圧を印加する場合、通常、正負２種
類の電源が必要となり、電源回路が大型化するという問
題がある。本発明は上記問題に鑑みたもので、ＥＬ素子
等の負荷に交流電圧を出力する際に、正負２種類の電源
を用いずに１つの電源を用いてＥＬ素子に正負の交流電
圧を印加することを目的とする。

【０００４】

【発明の概要】上記目的を達成するため、本発明は、電
源の陽極と第１の基準電圧の接続を開閉する第１のスイ
ッチング手段と、電源の陰極と第２の基準電圧の接続を
開閉する第２のスイッチング手段とを、制御信号に応じ
て択一的にオン作動させ、さらに電源の陽極と陰極の電
圧を選択して負荷の駆動のために出力するようにした点
を第１の特徴としている。

【０００５】このことにより、第１のスイッチング手段
がオン作動した時には、電源の陰極より第１の基準電圧
を基準にした負極性側の電圧が作成され、第２のスイッ
チング手段がオン作動した時には、電源の陽極より第２
の基準電圧を基準にした正極性側の電圧が作成される。
従って、その作成された電圧を選択して出力することに
より、１つの電源で正負の交流電圧が出力され、その出
力によりＥＬ素子等の負荷を駆動することができる。

【０００６】また、第１、第２のスイッチング手段は双
方向性のものが一般的であるが、本発明では寄生ダイオ
ードを有するトランジスタを用いることにより、その寄
生ダイードの作動を利用し回路を簡易化することができ
る。また、本発明は、第１の電源と第２の電源を有し、
第１の電源の陽極と基準電圧の接続を開閉する第１のス
イッチング手段と、第２の電源の陽極と第１の電源の陰
極の接続を開閉する第２のスイッチング手段とを、制御
信号に応じて択一的にオン作動させ、さらに第１の電源
の陽極と陰極の電圧によりＥＬ素子の一方の電極に駆動
電圧を出力し、また第２の電源の陽極の電圧を用いてＥ
Ｌ素子の他方の電極に駆動電圧を出力するようにした点
を第２の特徴としている。

【０００７】このことにより、第１のスイッチング手段
がオン作動した時には、第１の電源の陽極より基準電圧
が出力され、陰極より基準電圧を基準にした負極性側の
電圧が出力される。また、第２のスイッチング手段がオ
ン作動した時には、第１の電源の陽極より第１、第２の
電源のそれぞれの電圧の和となる正極性側の電圧が出力
され、陰極より第２の電源の電圧が出力される。

【０００８】従って、第１、第２のスイッチング手段の
作動により、第１の電源から４つの異なる電圧を出力す
ることができ、その出力電圧によりＥＬ素子の一方の電
極の駆動電圧とし、さらに第２の電源の電圧を用いてＥ
Ｌ素子の他方の電極の駆動電圧とすることにより、ＥＬ
素子に正負のフィールドで極性の異なる交流電圧を印加
してＥＬ素子を発光させることができる。その場合、第
２の電源をそれぞれの駆動電圧の作成に用いて回路の簡
素化を図ることができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】

（第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態を示す回
路図である。この図１に示す電源回路において、単一の
電源１を有し、その陽極はＮチャンネルＦＥＴ（第１の
スイッチング手段）２を介して接地され、陰極はＰチャ
ンネルＦＥＴ（第２のスイッチング手段）３を介して接
地されるように構成されている。また、この電源１と並
列に平滑用のコンデンサ４が設けられている。

【００１０】ＮチャンネルＦＥＴ２には、入力端子Ｓ１
から制御信号が入力され、ＰチャンネルＦＥＴ３には、
入力端子Ｓ２からカップリングコンデンサ５を介して制
御信号が入力される。なお、入力保護用として、ツェナ
ーダイオード６、７、抵抗８が設けられている。この電
源回路の出力段には出力回路９が設けられており、その
出力電圧がＥＬ素子１００の一方の電極に印加される。
また、ＥＬ素子１００の他方の電極は接地されている。

【００１１】上記構成において、その作動を図２に示す
タイミングチャートを参照して説明する。なお、図２中
のＧＮＤは接地電圧を示している。入力端子Ｓ１、Ｓ２
には、図２に示すように、ハイレベルとローレベルの制
御信号が入力される。制御信号が共にローレベルの時に
は、ＮチャンネルＦＥＴ２がオフし、ＰチャンネルＦＥ
Ｔ３がオンする。従って、＋端子には電源１の電圧Ｖが
出力され−端子には接地電圧が出力される。

【００１２】また、制御信号が共にハイレベルの時に
は、ＮチャンネルＦＥＴ２がオンし、ＰチャンネルＦＥ
Ｔ３がオフする。従って、＋端子には接地電圧が出力さ
れ、−端子には−Ｖの電圧が出力される。一方、出力回
路９は、制御信号と連動して図２に示すタイミングでＴ
１とＴ２のスイッチ状態に交互に切り換わる。その切り
換えに伴い、±Ｖの電圧と接地電圧とによる図２の交流
電圧が出力される。その交流電圧は、ＥＬ素子１００の
一方に印加されるため、ＥＬ素子１００が発光する。

【００１３】Ｓ１、Ｓ２がハイレベルの時、Ｎチャンネ
ルＦＥＴ２がオンしているので、この時、Ｔ１がオンし
ていれば出力はＧＮＤになる。Ｓ１、Ｓ２がローレベル
になるとＰチャンネルＦＥＴ３がオンしているので、Ｔ
１はそのままだと出力はＶになる。Ｓ１、Ｓ２がそのま
までＴ１からＴ２がオンすると出力はＧＮＤになり、Ｅ
Ｌ素子の電荷はＴ２からＦＥＴ３の寄生ダイオードを通
ってＧＮＤに流れる。スイッチＴ１、Ｔ２の切り換えタ
イミングとＳ１、Ｓ２の状態変化によって電圧が出力さ
れる時間（パルス幅）Ｔ_P 、Ｔ_N が決定される。

【００１４】図３に上記した出力回路９の具体的な構成
を示す。出力回路９は、ＰチャンネルＦＥＴ９ａ、Ｎチ
ャンネルＦＥＴ９ｂを有しており、入力端子９ｃ、９ｄ
から入力されるハイレベル、ローレベルの信号（入力端
子Ｓ１、Ｓ２に入力される制御信号と連動した信号）に
応じて、いずれかのＦＥＴがオンし、＋端子、−端子の
電圧の一方を出力するように構成されている。なお、図
中の９ｅ、９ｆは寄生ダイオードである。

【００１５】上記した実施形態においては、接地電圧を
基準にして、±Ｖの交流電圧を出力するものを示した
が、ＦＥＴ２、３を介して電源１に接続される電圧を接
地電圧でなく所定の基準電圧を発生する第２の電源とす
れば、その基準電圧を中心とした交流電圧を出力するこ
とができる。この場合、ＥＬ素子の他方の電極に上記し
たき基準電圧と同一の電圧を印加しておけば、上記した
実施形態と同様にＥＬ素子１００を発光させることがで
きる。 （第２実施形態）上記第１実施形態においては、ＥＬ素
子を単に発光させる回路について示したが、ＥＬ素子に
よりセグメント表示、あるいはマトリクス表示を行うこ
ともできる。本実施形態においては、ＥＬ素子によりマ
トリクス表示を行うものについて説明する。

【００１６】図４にこの第２実施形態を示すＥＬ表示装
置の全体構成を示す。このＥＬ表示装置におけるＥＬ表
示パネル１００’は、図７に示すＥＬ素子の透明電極１
０２、背面電極１０６を行列上に複数配置して走査電極
およびデータ電極として構成されている。図４は、行方
向に奇数走査電極２０１、２０２、…、偶数走査電極３
０１、３０２、…が形成され、列方向にデータ電極４０
１、４０２、４０３、…が形成されている例である。

【００１７】走査電極２０１、３０１、２０２、３０
２、…とデータ電極４０１、４０２、４０３、…とのそ
れぞれの交差領域には、画素としてのＥＬ素子１１１、
１１２、…１２１、…が形成されている。なお、ＥＬ素
子は容量性の素子であるため、図ではコンデンサの記号
で表している。このＥＬ表示パネル１００’の表示駆動
を行うために、走査側ドライバＩＣ２０、３０およびデ
ータ側ドライバＩＣ４０が設けられている。

【００１８】走査側ドライバＩＣ２０は、プッシュプル
タイプの駆動回路であり、奇数走査電極２０１、２０
２、…に接続されたＰチャンネルＦＥＴ２１ａ、２２
ａ、…とＮチャンネルＦＥＴ２１ｂ、２２ｂ、…を有
し、制御回路２００からの出力に従って奇数走査電極２
０１、２０２、…に走査電圧を印加する。また、ＦＥＴ
２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ、…のそれぞれには、
寄生ダイオード２１ｃ、２１ｄ、２２ｃ、２２ｄ、…が
形成されており、走査電極の電圧を所望の基準電圧に設
定する。

【００１９】走査側ドライバＩＣ３０も同様の構成で、
制御回路３００、ＰチャンネルＦＥＴ３１ａ、３２ａ、
…とＮチャンネルＦＥＴ３１ｂ、３２ｂ、…を有して、
偶数走査電極３０１、３０２、…に走査電圧を供給す
る。データ側ドライバＩＣ４０も同様に、制御回路４０
０、ＰチャンネルＦＥＴ４１ａ、４２ａ、…とＮチャン
ネルＦＥＴ４１ｂ、４２ｂ、…を有して、データ電極４
０１、４０２、４０３、…にデータ電圧を供給する。

【００２０】図５に、上記した走査側ドライバＩＣ２
０、３０、データ側ドライバＩＣ４０に電圧供給を行う
電圧供給回路Ａの構成を示す。図５において、電圧供給
回路Ａには、電圧Ｖｍを出力する第２の電源１０が設け
られており、電源１（以下、この第２実施形態において
は第１の電源という）は、ＰチャンネルＦＥＴ３がオン
した時、その陰極と第２の電源１０の陽極が接続され、
電圧Ｖｍを基準とした電圧を第１の電源の陽極から出力
する。

【００２１】第２の電源１０は、電圧供給ラインＬ３、
Ｌ４を介して電圧Ｖｍ、接地電圧をデータ側ドライバＩ
Ｃ４０に供給する。また、第１の電源１は、電圧供給ラ
インＬ１、Ｌ２を介して走査電圧を形成するための電圧
を走査側ドライバＩＣ３に供給する。なお、第１の電源
１は、本実施形態においてはＶｒ−Ｖｍの電圧を有する
ものとしている。ここで、Ｖｒは発光に必要な駆動電圧
を示す。

【００２２】また、ＮチャンネルＦＥＴ２およびＰチャ
ンネルＦＥＴ３には、フィルタ回路１１、１２を介して
制御信号が入力されるようになっており、その他の構成
で図１に示すものと同一の符号が付された部分について
は、図１に示すものと同一又は均等の構成を示してい
る。図１の電源１は発光に十分な電圧が必要であるが、
図５の電源１は発光しきい値以下の必要がある。

【００２３】上記構成において、図１に示すものと同
様、入力端子Ｓ１、Ｓ２にローレベルの制御信号が入力
されると、ＮチャンネルＦＥＴ２がオフし、Ｐチャンネ
ルＦＥＴ３がオンする。従って、第１の電源１の陰極か
ら第２の電源１０の電圧Ｖｍが電圧供給ラインＬ２に出
力され、また陽極から電圧Ｖｒ（＝Ｖｒ−Ｖｍ＋Ｖｍ）
が電圧供給ラインＬ１に出力される。

【００２４】また、入力端子Ｓ１、Ｓ２にハイレベルの
制御信号が入力されると、ＮチャンネルＦＥＴ２がオン
し、ＰチャンネルＦＥＴ３がオフする。従って、第１の
電源１の陰極から−Ｖｒ＋Ｖｍの電圧が電圧供給ライン
Ｌ２に出力され、また陽極から接地電圧が電圧供給ライ
ンＬ１に出力される。従って、後述する正フィールドの
駆動の場合（入力端子Ｓ１、Ｓ２への制御信号が共にロ
ーレベルの場合）には、電圧供給ラインＬ１、Ｌ２から
ＶｒとＶｍの電圧がそれぞれ出力され、後述する負フィ
ールドの駆動の場合（入力端子Ｓ１、Ｓ２への制御信号
が共にハイレベルの場合）には、電圧供給ラインＬ１、
Ｌ２から接地電圧と−Ｖｒ＋Ｖｍの電圧がそれぞれ出力
される。

【００２５】上記構成において、ＥＬ素子を正負のフィ
ールドでマトリクス駆動する場合の作動について図６の
タイミングチャートを参照して説明する。 （正フィールド）図５の入力端子Ｓ１、Ｓ２への制御信
号を共にローレベルにする。このことにより上記したよ
うに電圧供給ラインＬ１、Ｌ２からＶｒとＶｍの電圧が
それぞれ出力される。また、電圧供給ラインＬ３、Ｌ４
からＶｍの電圧と接地電圧がそれぞれ出力される。

【００２６】この時、走査電極２０１、３０１、２０
２、３０２、…の電圧は、走査側ドライバＩＣ２０、３
０のＦＥＴの寄生ダイオードの作動により、電圧Ｖｍと
なっている。また、データ側ドライバＩＣ４０のＦＥＴ
４１ａ、４２ａ、４３ａ、…側をオンし、データ電極の
電圧をＶｍにする。この状態では、全てのＥＬ素子に印
加される電圧が０Ｖになるため、ＥＬ素子は発光しな
い。

【００２７】この後、正フィールドでの発光動作を開始
する。まず、１行目の走査電極２０１に接続されている
走査側ドライバＩＣ２０のＰチャンネルＦＥＴ２１ａを
オンにして、走査電極２０１の電圧をＶｒにする。ま
た、他の走査電極に接続されている走査側ドライバＩＣ
２０、３０の出力段ＦＥＴを全てオフにしそれらの走査
電極をフローティング状態にする。

【００２８】また、データ電極４０１、４０２、４０
３、…のうち発光させたいＥＬ素子のデータ電極に接続
されているデータ側ドライバＩＣ４０のＰチャンネルＦ
ＥＴをオフ、ＮチャンネルＦＥＴをオンにし、発光させ
たくないＥＬ素子のデータ電極に接続されているデータ
側ドライバＩＣ４０のＰチャンネルＦＥＴをオン、Ｎチ
ャンネルＦＥＴをオフにする。

【００２９】このことにより、発光させたいＥＬ素子の
データ電極の電圧が接地電圧になるため、ＥＬ素子にし
きい値電圧以上の電圧ＶｒがかかりＥＬ素子が発光す
る。また、発光させたくないＥＬ素子のデータ電極の電
圧はＶｍのままとなり、ＥＬ素子にはＶｒ−Ｖｍの電圧
が印加される。このＶｒ−Ｖｍの電圧は、しきい値電圧
より低く設定されておりＥＬ素子は発光しない。

【００３０】図６のタイミングチャートでは、データ側
ドライバＩＣ４０のＰチャンネルＦＥＴ４１ａをオフ、
ＮチャンネルＦＥＴ４１ｂをオンにして、ＥＬ素子１１
１にＶｒの電圧を印加し、ＥＬ素子１１１を発光させる
状態を示している。この後、１行目の走査電極２０１に
接続されている走査側ドライバＩＣ２０のＰチャンネル
ＦＥＴ２１ａをオフにし、ＮチャンネルＦＥＴ２１ｂを
オンすることにより、走査電極２０１上のＥＬ素子に蓄
積した電荷を放電する。

【００３１】次に、２行目の走査電極３０１に接続され
ている走査側ドライバＩＣ３のＰチャンネルＦＥＴ３１
ａをオンして、走査電極３０１の電圧をＶｒにする。ま
た、他の走査電極に接続されている走査側ドライバＩＣ
２０、３０の出力段ＦＥＴを全てオフにしそれらの走査
電極をフローティング状態にする。また、データ電極４
０１、４０２、４０３、…の電圧レベルを、発光させた
いＥＬ素子と発光させたくないＥＬ素子に応じた電圧レ
ベルとすることにより、上記したのと同様にして２行目
のＥＬ素子の発光駆動を行う。

【００３２】図６のタイミングチャートでは、データ側
ドライバＩＣ４０のＰチャンネルＦＥＴ４１ａをオン、
ＮチャンネルＦＥＴ４１ｂをオフにし、データ電極４０
１の電圧をＶｍとして、ＥＬ素子１２１にＶｒ−Ｖｍの
電圧を印加し、ＥＬ素子１２１を発光させない状態を示
している。この後、２行目の走査電極３０１に接続され
ている走査側ドライバＩＣ３のＰチャンネルＦＥＴ３１
ａをオフにし、ＮチャンネルＦＥＴ３１ｂをオンするこ
とにより、走査電極３０１上のＥＬ素子に蓄積した電荷
を放電する。

【００３３】以後、同様にして、最後の走査線に至るま
で上記作動を繰り返す、線順次走査を行う。 （負フィールド）図５の入力端子Ｓ１、Ｓ２への制御信
号を共にハイレベルにする。このことにより上記したよ
うに電圧供給ラインＬ１、Ｌ２から接地電圧と−Ｖｒ＋
Ｖｍの電圧がそれぞれ出力される。

【００３４】この時、走査ドライバＩＣ２０、３０の寄
生ダイオードの作動により、走査電極は接地電圧とな
る。また、データ側ドライバＩＣ４０のＦＥＴ４１ｂ、
４２ｂ、４３ｂ…側をオンし、データ電極の電圧を接地
電圧にする。この状態では、全てのＥＬ素子に印加され
る電圧が０Ｖになるため、ＥＬ素子は発光しない。以
下、負フィールドも正フィールドと同様に線順次走査を
行う。

【００３５】表示選択を行う行の走査電極には−Ｖｒ＋
Ｖｍを印加する。データ電極側においては、正フィール
ドとは逆に、発光させたいデータ電極の電圧をＶｍに
し、発光させたくないデータ電極に対しては接地電圧の
ままにする。従って、−Ｖｒ＋Ｖｍの電圧が印加されて
いる走査電極に対し、データ電極に電圧Ｖｍが印加され
ると、それに対するＥＬ素子に−Ｖｒの電圧が印加され
ＥＬ素子が発光する。また、データ電極の電圧が接地電
圧であると、ＥＬ素子にしきい値電圧より低い−Ｖｒ＋
Ｖｍが印加されるためＥＬ素子は発光しない。

【００３６】そして、上記した正負フィールドの駆動に
より１サイクルの表示動作が終了し、これを繰り返し行
う。この第２実施形態において、正フィールド時の駆動
に用いる電圧Ｖｍはオフセット電圧として機能する。す
なわち、走査側ドライバＩＣ２０、３０には、正フィー
ルドにおいてＶｒーＶｍの電圧が印加され、負フィール
ドにおいて−Ｖｒ＋Ｖｍの電圧が印加される。従って、
走査側ドライバＩＣ２０、３０の耐圧を、オフセット電
圧Ｖｍ分だけ低くすることができ、走査側ドライバＩＣ
２０、３０の低耐圧化を図ることができる。

【００３７】また、発光タイミング時にオフセット電圧
Ｖｍから駆動用の電圧Ｖｒに変化させているため、その
電圧変化を小さくすることができ、ＥＬ素子に流れるピ
ーク電流を低くでき、ＥＬ素子の信頼性を向上させるこ
とができる。セグメント表示における実施形態として
は、図５においてデータ側ドライバＩＣをなくし、ＥＬ
素子の電極の一方をＧＮＤにする。そして、電源１０も
なくしＦＥＴ３のソースをＧＮＤにする。この場合、電
源供給回路Ａは図１に相当する。なお、この時はＥＬを
発光させるために電源１は発光に十分な電圧である必要
がある。

【００３８】なお、上記した種々の実施形態において
は、本発明をＥＬ素子の駆動回路に適用するものを示し
たが、１つの出力線から正負の交流電圧を受けて動作す
る負荷を駆動するものであれば、ＥＬ素子以外にも本発
明を適用することができる。その場合、第１実施形態に
示すものにおいて、作成される正負の電圧をプッシュプ
ル動作で選択的に出力して負荷駆動するようにしてもよ
い。

【００３９】また、ドライバＩＣはＰチャンネルＦＥＴ
とＮチャンネルＦＥＴを接続した構造のプッシュプルで
あるが、ＮチャンネルＦＥＴのみで構成されたプッシュ
プルドライバでもよい。また、ＮチャンネルＦＥＴ２、
ＰチャンネルＦＥＴ３のかわりにＮＰＮとＰＮＰのバイ
ポーラトランジスタをそれぞれ用いてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態を示す回路図である。

【図２】図１中の各部の作動を示すタイミングチャート
である。

【図３】図１中の出力回路の具体的構成を示す回路図で
ある。

【図４】本発明の第２実施形態を示すＥＬ表示装置の全
体構成図である。

【図５】本発明の第２実施形態に係る電圧供給回路の構
成を示す構成図である。

【図６】図４の構成における駆動タイミングチャートで
ある。

【図７】ＥＬ素子の模式的な断面構成図である。

【符号の説明】

１、１０…電源、２…ＮチャンネルＦＥＴ、３…Ｐチャ
ンネルＦＥＴ、９…出力回路、２０、３０…走査側ドラ
イバＩＣ、４０…データ側ドライバＩＣ、１００…ＥＬ
素子、１００’…ＥＬ表示パネル。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電源（１）と、この電源の陽極と第１の
   基準電圧の接続を開閉する第１のスイッチング手段
   （２）と、前記電源の陰極と第２の基準電圧の接続を開
   閉する第２のスイッチング手段（３）とを備え、前記第
   １、第２のスイッチング手段は制御信号に応じて択一的
   にオン作動するものであり、さらに前記電源の陽極と陰
   極の電圧を選択して負荷の駆動のために出力する選択出
   力手段（９）を備えたことを特徴とする負荷駆動装置。
2. 【請求項２】 前記第１、第２の基準電圧は同一の電圧
   であることを特徴とする請求項１に記載の負荷駆動装
   置。
3. 【請求項３】 前記第１、第２の基準電圧は共に接地電
   圧であることを特徴とする請求項２に記載の負荷駆動装
   置。
4. 【請求項４】 前記第１、第２の基準電圧は互いに異な
   る電圧であることを特徴とする請求項１に記載の負荷駆
   動装置。
5. 【請求項５】 前記選択出力手段は、プッシュプル動作
   にて前記電源の陽極と陰極の電圧を選択出力して負荷駆
   動を行う駆動回路（２０、３０）であることを特徴とす
   る請求項１乃至４のいずれか１つに記載の負荷駆動装
   置。
6. 【請求項６】 前記第１、第２のスイッチング手段は、
   寄生ダイオードを有するトランジスタであることを特徴
   とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の負荷駆動
   装置。
7. 【請求項７】 第１の電源（１）と第２の電源（１０）
   を有し、前記第１の電源の陽極と基準電圧の接続を開閉
   する第１のスイッチング手段（２）と、前記第２の電源
   の陽極と前記第１の電源の陰極の接続を開閉する第２の
   スイッチング手段（３）とを備え、前記第１、第２のス
   イッチング手段は制御信号に応じて択一的にオン作動す
   るものであり、 さらに前記第１の電源の陽極と陰極の電圧をプッシュプ
   ル動作にて選択してＥＬ素子（１００）の一方の電極
   （２０１、３０１…）に駆動電圧を出力する第１の駆動
   回路（２０、３０）と、前記第２の電源の陽極の電圧を
   用いて前記ＥＬ素子の他方の電極（４０１、４０２…）
   に駆動電圧を出力する第２の駆動回路（４０）とを備え
   て、前記ＥＬ素子に正負のフィルードで異なる極性の駆
   動電圧パルスを印加するようにしたことを特徴とするＥ
   Ｌ素子の駆動装置。