JP3301379B2 - El表示装置 - Google Patents

El表示装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、EL(エレクトロ
ルミネッセンス)素子を発光駆動して表示を行うEL表
示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のEL表示装置としては、
特開平9−54566号公報に開示されたものがある。
このものにおいては、走査電極およびデータ電極が行列
配置されたEL表示パネルを備え、走査電極およびデー
タ電極の交差領域に形成されたEL素子によってマトリ
クス表示を行うようにしている。この場合、走査電極に
は走査側ドライバICから走査電圧が順次印加され、デ
ータ電極にはデータ側ドライバICからデータ電圧が印
加される。そして、正負のフィールド毎に極性の異な
る、発光、非発光駆動用のパルス電圧がEL素子に印加
されて、EL素子が発光、非発光状態になる。
【0003】また、上記した公報に示されるものでは、
走査側ドライバICの低耐圧化を図るため、正フィール
ドにおいて走査電極に正極性のオフセット電圧を印加す
るようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図7に、上記した公報
に示されるものの、連続する3つの走査電極1、2、3
の電圧波形と、1つのデータ電極の電圧波形と、走査電
極1とデータ電極間の電圧波形の一例を示す。正フィー
ルドにおいて、走査電極には、走査電圧を印加する期間
とその前後の期間において図の実線で示すような電圧が
印加される。また、それ以外の期間においては、図の点
線で示すように、フローティング状態(ハイインピーダ
ンスの状態)になっている。
【0005】この場合、データ電極が発光パルス(0
V)を出力すると、EL素子にオフセット電圧Vmが印
加された状態で走査電極がハイインピーダンスになるた
め、走査電極がハイインピーダンス状態の期間では直流
電圧となるオフセット電圧VmがEL素子に印加され
る。また、負フィールドにおいては、データ電極が発光
パルス(Vm)を出力すると、EL素子にデータ電圧V
mが印加された状態で走査電極がハイインピーダンスに
なるため、走査電極がハイインピーダンス状態の期間で
は直流電圧となるデータ電圧−VmがEL素子に印加さ
れる。
【0006】EL素子は発光層を一対の絶縁膜で挟んだ
構成となっているが、絶縁膜は一般的に局所的な欠陥を
含んでおり、発光駆動用のパルス電圧印加時にはこの欠
陥部に局所的な高電圧が加わるため、絶縁破壊に至るこ
とがある。このとき、図7に示すように、発光駆動用の
パルス電圧印加時以外のときに所定の直流電圧が継続し
て印加されていると、その電圧によって電流が供給され
続けるので、走査電極とデータ電極間で放電が継続し、
破壊が広がることになる。
【0007】本発明は上記問題に鑑みたもので、EL素
子における絶縁破壊の拡大を防止することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1乃至に記載の発明においては、データ電
極に、EL素子に電圧を印加しないようにする電圧を周
期的に印加するようにしたことを特徴としている。従っ
て、いずれかのEL素子に絶縁破壊が生じたとしても、
走査電極とデータ電極間に電流が継続して流れる状態を
なくし、絶縁破壊の拡大を防止することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】図1に、本発明の一実施形態にお
けるEL表示装置の全体構成を示す。EL表示パネル1
は、発光層を挟んで一方の側に走査電極が形成され、他
方の側にデータ電極が形成されたもので、具体的には、
図に示すように、行方向に奇数走査電極201、20
2、…、偶数走査電極301、302、…が形成され、
列方向にデータ電極401、402、403、…が形成
されている。走査電極201、301、202、30
2、…とデータ電極401、402、403、…のそれ
ぞれの交差領域には、画素としてのEL素子111、1
12、…121、…が形成されている。
【0010】このEL表示パネル1の表示駆動を行うた
めに、走査側ドライバIC2、3およびデータ側ドライ
バIC4が設けられている。走査側ドライバIC2は、
プッシュプルタイプの駆動回路であり、奇数走査電極2
01、202、…に接続されたPチャンネルFET21
a、22a、…とNチャンネルFET21b、22b、
…を有し、制御回路20からの出力に従って奇数走査電
極201、202、…に走査電圧(走査パルス)を印加
する。また、FET21a、21b、22a、22b、
…には、寄生ダイオード21c、21d、22c、22
d、…がそれぞれ形成されており、走査電極を所望の基
準電圧に設定する。
【0011】走査側ドライバIC3も同様の構成で、制
御回路30、PチャンネルFET31a、32a、…と
NチャンネルFET31b、32b、…を有して、偶数
走査電極301、302、…に走査電圧を供給する。デ
ータ側ドライバIC4は、制御回路40、Pチャンネル
FET41a、42a、…とNチャンネルFET41
b、42b、…を有して、データ電極401、402、
403、…にデータ電圧(選択パルス)を供給する。
【0012】走査側ドライバIC2、3には、走査電圧
を供給するための走査電圧供給回路5、6が設けられて
いる。走査電圧供給回路5は、スイッチング素子51、
52を有し、そのオンオフ状態に応じて、書き込み電圧
Vrまたは接地電圧(0V)を、走査側ドライバIC
2、3におけるPチャンネルFETソース側共通線L1
に供給する。また、走査電圧供給回路6は、スイッチン
グ素子61、62を有し、そのオンオフ状態に応じて、
直流電圧−Vr+Vmまたはオフセット電圧Vmを、走
査側ドライバIC2、3におけるNチャンネルFETソ
ース側共通線L2に供給する。
【0013】データ側ドライバIC4には、データ電圧
供給回路7が設けられており、データ側ドライバIC4
のPチャンネルFETソース側共通線に変調電圧Vmを
供給し、NチャンネルFETソース側共通線に接地電圧
を供給する。なお、上記した走査電圧供給回路5、6お
よびデータ電圧供給回路7は、特開平9−54566号
公報の図4に示されるものと同じものを用いており、2
つの電源を用いて、上記した各種の電圧を出力するよう
にしている。
【0014】上記した構成において、EL素子を発光さ
せるには、走査電極とデータ電極との間に交流のパルス
電圧を印加する必要があり、このためフィールド毎に正
負に極性反転するパルス電圧を各走査線毎に作成して駆
動を行うようにしている。正フィールドにおいては、走
査電極201、301、202、302、…に走査電圧
としてVrの電圧を順次供給する。また、データ電極4
01、402、403、…には、発光させたいEL素子
のデータ電極の電圧を接地電圧とし、発光させたくない
EL素子のデータ電極の電圧を変調電圧Vmとする。こ
のとき、発光させたいEL素子には、しきい値電圧以上
の電圧Vrが印加されるため、EL素子が発光し、発光
させたくないEL素子には、しきい値電圧より低いVr
−Vmの電圧が印加されるため、EL素子は発光しな
い。
【0015】また、負フィールドにおいては、走査電極
201、301、202、302、…に走査電圧として
−Vr+Vmの電圧を順次供給する。また、データ電極
401、402、403、…には、発光させたいEL素
子のデータ電極の電圧を変調電圧Vmとし、発光させた
くないEL素子のデータ電極の電圧を接地電圧とする。
このとき、発光させたいEL素子には、しきい値電圧以
上の電圧−Vrが印加されるため、EL素子が発光し、
発光させたくないEL素子には、−Vr+Vmの電圧が
印加されるため、EL素子は発光しない。
【0016】上記した正負フィールドの駆動を1サイク
ルとし、これを繰り返してEL表示パネル1に所望の表
示を行わせる。なお、オフセット電圧Vmを用いること
によって、走査側ドライバIC2、3には、正負フィー
ルド共に絶対値としてVr−Vmの電圧が印加されるた
め、オフセット電圧Vmを用いないものに比べ、走査側
ドライバIC2、3の低耐圧化を図ることができる。
【0017】上記した走査側ドライバIC2、3として
は、図2に示すように、μPD16302として市販さ
れている走査側ドライバICを用いることができる。こ
の走査側ドライバICは、シフトレジスタ211および
図に示す論理回路、出力回路(PチャンネルFET21
a、31a、22a、32a、…とNチャンネルFET
21b、31b、22b、32b、…)などから構成さ
れている。
【0018】シフトレジスタ211は、そのR/Lバー
(なお、バーは図に示すように負論理信号を表す、以下
同じ)端子がハイレベル(Hレベル)のとき、データ入
力端子Aに入力される行選択パルス信号を、CLK信号
により順次シフトして、S1端子からS40端子に向けて
順に出力する。この場合、ブランキング(BLK)信
号、出力イネーブル信号となるOEバー信号を常にロー
レベル(Lレベル)にし、PCバー信号がPチャンネル
FET、NチャンネルFETを選択する信号として入力
されるようにする。
【0019】このような構成において、行選択パルス信
号がシフトレジスタ211に入力されると、その行選択
パルス信号が順次シフトされて出力される。図3に正フ
ィールドでのタイミングチャートを示す。行選択パルス
信号が出力されている期間において、PCバー信号の
H、Lレベルの切り換えに応じてPチャンネルFETと
NチャンネルFETがオンする期間が切り換わり、それ
に応じた電圧が出力端子Oから出力される。なお、図中
のZはハイインピーダンスの期間を示し、PはPチャン
ネルFETをオンさせて充電を行っている期間を示し、
NはNチャンネルFETをオンさせて放電を行っている
期間を示す。また、負フィールドにおいては、PCバー
信号のH、Lレベルが正フィールドの場合と逆になる。
【0020】このようにしてPチャンネルFET21
a、31a、22a、32a、…とNチャンネルFET
21b、31b、22b、32b、…をオンオフさせる
ことにより、図6に示すように、走査電極201、30
1、202、…に走査電圧を順次出力する。なお、図中
の点線はハイインピーダンスになっている状態を示して
いる。
【0021】次に、データ側ドライバIC4について説
明する。図4に、その具体的な構成を示す。また、図5
に、図4中に示す各信号のタイミングチャートを示す。
データ側ドライバIC4は、シフトレジスタ411、ラ
ッチ回路412、AN回路413、EX−NOR回路4
14および出力回路(PチャンネルFET41a、42
a、…、NチャンネルFET41b、42b、…)など
から構成されている。
【0022】シフトレジスタ411には、1行当たりの
表示データを示すDATAが入力される。この入力され
たDATAは、CLKC信号によって順次シフトされ、
ラッチ回路412においてLACLK信号の発生タイミ
ングでラッチされる。このラッチされたDATAは、ブ
ランキング(BLK)信号がHレベルの間、AND回路
413から出力される。この出力されたDATAは、P
CC信号(正フィールドのときHレベル、負レベルのと
きLレベルとなる信号)とEX−NOR回路414にて
論理がとられ、出力回路におけるPチャンネルFET、
NチャンネルFETをオンオフさせる。
【0023】すなわち、正フィールドにおいては、PC
C信号がHレベルであるため、BLK信号がHレベルで
ある期間では、ラッチ回路412にラッチされたDAT
AがHレベルであると、出力回路におけるPチャンネル
FETがオフ、NチャンネルFETがオンして、接地電
圧を出力し、またラッチ回路412にラッチされたDA
TAがLレベルであると、出力回路におけるPチャンネ
ルFETがオン、NチャンネルFETがオフして、Vm
の電圧を出力する。このため、DATAがHレベルのと
きEL素子が発光状態となり、DATAがLレベルのと
きEL素子が非発光状態となる。
【0024】一方、負フィールドにおいては、PCC信
号がLレベルであるため、BLK信号がHレベルである
期間では、ラッチ回路412にラッチされたDATAが
Hレベルであると、出力回路におけるPチャンネルFE
Tがオン、NチャンネルFETがオフして、Vmの電圧
を出力し、またラッチ回路412にラッチされたDAT
AがLレベルであると、出力回路におけるPチャンネル
FETがオフ、NチャンネルFETがオンして、接地電
圧を出力する。このため、DATAがHレベルのときE
L素子が発光状態となり、DATAがLレベルのときE
L素子が非発光状態となる。
【0025】また、図示しない制御回路によって、BL
K信号を、図5に示すように、周期的にLレベルにして
いる。このため、正フィールドにおいては、BLK信号
がLレベルになると、出力回路におけるPチャンネルF
ETがオン、NチャンネルFETがオフして、Vmの電
圧が出力される。このとき、BLK信号がLレベルにな
る期間を、走査側ドライバICにおけるNチャンネルF
ETがオンして放電を行っている期間(図3に示す走査
電圧印加後のNの期間)とすることにより、走査電極に
はオフセット電圧Vmが印加され、データ電極には電圧
Vmが印加されるため、走査電極に走査電圧を印加した
直後にEL素子に電圧を印加しない期間が設定される。
【0026】負フィールドにおいては、BLK信号がL
レベルになると、出力回路におけるPチャンネルFET
がオフ、NチャンネルFETがオンして、接地電圧が出
力される。従って、負フィールドにおいても、走査電極
に走査電圧を印加した直後にEL素子に電圧を印加しな
い期間が設定される。このように走査電圧の印加直後に
EL素子に電圧を印加しない期間を周期的に設けること
によって、発光パルスによっていずれかのEL素子が絶
縁破壊したとしてもその絶縁破壊が広がらない自己修復
型の破壊とすることができる。
【0027】例えば、走査電極201とデータ電極40
1の間に発光駆動用のパルス電圧が印加され、その部分
のEL素子が絶縁破壊したとしても、その直後に、図6
に示すように、走査電極201とデータ電極401間に
電圧が印加されないようにすることによって、走査電極
201とデータ電極401間に継続して電流が流れるこ
とがなく、従って再度発光駆動用のパルス電圧が印加さ
れも絶縁破壊が生じない自己修復型の破壊とすることが
できる。
【0028】なお、上記したEL素子に電圧を印加しな
い期間は、正フィールド、負フィールドとも20μ秒以
下であるのが好ましい。また、上記した実施形態におい
ては、走査電圧の印加直後にEL素子に電圧を印加しな
い期間を設けるものを示したが、EL素子の絶縁破壊の
拡大を防止できるものであれば、他のタイミングで周期
的にそのような期間を設けるようにしてもよい。
【0029】また、走査電圧、データ電圧の極性を上記
した実施形態とは逆にし、負のフィールドにおいて負極
性のオフセット電圧を設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかるEL表示装置の構
成図である。
【図2】図1中の走査側ドライバICの具体的な構成を
示す図である。
【図3】図2に示す走査側ドライバICの正フィールド
での作動説明に供するタイミングチャートである。
【図4】図1中のデータ側ドライバICの具体的な構成
を示す図である。
【図5】図4に示すデータ側ドライバICの作動説明に
供するタイミングチャートである。
【図6】図1に示すEL表示装置の作動説明に供するタ
イミングチャートである。
【図7】従来のEL表示装置の作動説明に供するタイミ
ングチャートである。
【符号の説明】
1…EL表示パネル、2、3…走査側ドライバIC、4
…データ側ドライバIC、5、6…走査電圧供給回路、
7…データ電圧供給回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 智也 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式 会社デンソー内 (72)発明者 斎藤 英樹 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式 会社デンソー内 (72)発明者 長田 雅彦 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式 会社デンソー内 (56)参考文献 実開 昭63−240590(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G09G 3/00 - 3/38 H05B 33/08

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走査電極(201、301…)とデータ
    電極(401、402…)が行列配置され、前記走査電
    極と前記データ電極が交差する位置にてEL素子(11
    1、112…)が形成されてなるEL表示パネル(1)
    と、 正負のフィールド毎に異なる極性にて走査電圧を前記走
    査電極に印加する走査電極駆動回路(2、3)と、 前記EL素子を発光もしくは非発光とするためのデータ
    電圧を前記データ電極(401、402…)に印加する
    データ電極駆動回路(4)とを備え、 前記走査電極には、前記正負のフィールドのいずれか一
    方において前記走査電圧が印加されるとき以外にオフセ
    ット電圧が印加されるようになっており、 前記データ電極には、前記EL素子に電圧を印加しない
    ようにする電圧が周期的に印加されるようになって
    り、前記EL素子に電圧を印加しないようにする電圧
    は、前記走査電極に前記走査電圧が印加された直後に、
    前記データ電極に印加されるようになっていることを特
    徴とするEL表示装置。
  2. 【請求項2】 前記EL素子に電圧を印加しないように
    する電圧は、前記正負のフィールドのそれぞれにおいて
    前記データ電極に印加されるようになっていることを特
    徴とする請求項1に記載のEL表示装置。
  3. 【請求項3】 前記EL素子に電圧を印加しないように
    する電圧の印加期間は20μ秒以下であることを特徴と
    する請求項に記載のEL表示装置。
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