JPH0950977A - 半導体基板の洗浄装置および洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄装置および洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は、半導体基板の洗浄において、従来
の酸薬液あるいはアルカリ薬液を使用しないので、産業
廃水処理が簡略化され、しかも洗浄工程を大幅に短縮で
きる半導体基板の洗浄装置とその方法の提供を課題とす
る。 【解決手段】 方形の洗浄槽２の中心部に、被洗浄物と
しての半導体基板Ｗをほぼ垂直方向に保持して洗浄する
洗浄装置１であり、洗浄槽２は、被洗浄物が配置される
アノード室３と、その両側に設けられる２組のカソード
室４，４とで構成され、アノード室３とカソード室４，
４は、中空の流路が形成された２組のＨ+イオン交換膜
でなる隔壁５によって区画され、また、アノード室３の
隔壁５の表面には、アノード電極板７が固着され、さら
に前記カソード室４，４の隔壁５の表面には、隔壁５を
介してアノード電極板７と対向する位置に、アノード電
極板７とほぼ同一面積のカソード電極板８が固着された
構成である。
の酸薬液あるいはアルカリ薬液を使用しないので、産業
廃水処理が簡略化され、しかも洗浄工程を大幅に短縮で
きる半導体基板の洗浄装置とその方法の提供を課題とす
る。 【解決手段】 方形の洗浄槽２の中心部に、被洗浄物と
しての半導体基板Ｗをほぼ垂直方向に保持して洗浄する
洗浄装置１であり、洗浄槽２は、被洗浄物が配置される
アノード室３と、その両側に設けられる２組のカソード
室４，４とで構成され、アノード室３とカソード室４，
４は、中空の流路が形成された２組のＨ+イオン交換膜
でなる隔壁５によって区画され、また、アノード室３の
隔壁５の表面には、アノード電極板７が固着され、さら
に前記カソード室４，４の隔壁５の表面には、隔壁５を
介してアノード電極板７と対向する位置に、アノード電
極板７とほぼ同一面積のカソード電極板８が固着された
構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種の半導体基板
（以下、基板と略す）を洗浄するための装置とその方法
に係り、特にシリコン単結晶からなるウエーハの製造
や、これを使用して半導体デバイスを製作する過程の洗
浄工程において、優れた効能を発揮する洗浄装置と洗浄
方法に関するものである。
（以下、基板と略す）を洗浄するための装置とその方法
に係り、特にシリコン単結晶からなるウエーハの製造
や、これを使用して半導体デバイスを製作する過程の洗
浄工程において、優れた効能を発揮する洗浄装置と洗浄
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの集積度は、年次を追う
ごとに高密度化する一方であり、それに伴ない、半導体
デバイスを製造する環境を高度のクリーン状態で管理す
ることや、その素材となるウエーハを清浄にすること
が、益々重要になっている。ウエーハ洗浄の主たる目的
は、その表面に付着しているパーティクルや金属不純
物、有機物、表面被膜（自然酸化膜、表面吸着物質）な
どの汚染物質を除去すると共に、その平滑化をより完全
なるものにすることによって半導体デバイス製造時のト
ラブルを無くし、その製造歩留まりを高めると共に、デ
バイスとしての信頼性を向上させるためである。
ごとに高密度化する一方であり、それに伴ない、半導体
デバイスを製造する環境を高度のクリーン状態で管理す
ることや、その素材となるウエーハを清浄にすること
が、益々重要になっている。ウエーハ洗浄の主たる目的
は、その表面に付着しているパーティクルや金属不純
物、有機物、表面被膜（自然酸化膜、表面吸着物質）な
どの汚染物質を除去すると共に、その平滑化をより完全
なるものにすることによって半導体デバイス製造時のト
ラブルを無くし、その製造歩留まりを高めると共に、デ
バイスとしての信頼性を向上させるためである。
【０００３】従来、ウエーハの洗浄方法として最も良く
知られている方法に、米国ＲＣＡ社のＫｅｒｎ氏等が１
９６０年代に開発したＲＣＡ洗浄法がある。この方式に
よる洗浄の代表的なシーケンスは、第１段で、アンモニ
ア／過酸化水素／水(NH4OH／H2O2／H2O)をベースとする
ＳＣ−１（RCA Standard Clean-1）洗浄液によってパー
ティクルや有機物を除去し、第２段では、塩化水素／過
酸化水素／水(HCl／H2O2／H2O)をベースとするＳＣ−２
洗浄液により、金属汚染物を除去する組み合わせを基本
とし、これに表面被膜を除去するための弗化水素／水
（HF/H2O）によるＤＨＦ(Dilute HF) 洗浄が組み合わさ
れることもある。
知られている方法に、米国ＲＣＡ社のＫｅｒｎ氏等が１
９６０年代に開発したＲＣＡ洗浄法がある。この方式に
よる洗浄の代表的なシーケンスは、第１段で、アンモニ
ア／過酸化水素／水(NH4OH／H2O2／H2O)をベースとする
ＳＣ−１（RCA Standard Clean-1）洗浄液によってパー
ティクルや有機物を除去し、第２段では、塩化水素／過
酸化水素／水(HCl／H2O2／H2O)をベースとするＳＣ−２
洗浄液により、金属汚染物を除去する組み合わせを基本
とし、これに表面被膜を除去するための弗化水素／水
（HF/H2O）によるＤＨＦ(Dilute HF) 洗浄が組み合わさ
れることもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このＲＣＡ
洗浄法におけるＳＣ−１洗浄液は、同洗浄液中のアンモ
ニアのエッチング作用を利用して、ウエーハ表面のパー
ティクルや有機物を除去しようとするものである。
洗浄法におけるＳＣ−１洗浄液は、同洗浄液中のアンモ
ニアのエッチング作用を利用して、ウエーハ表面のパー
ティクルや有機物を除去しようとするものである。
【０００５】しかしながら、ＣＺ法により引き上げられ
るシリコン単結晶のインゴット中には、その成長中に導
入されるアズグロウン（As-grown）欠陥と呼ばれる結晶
欠陥が存在し、ウエーハ表面部に存在するこの欠陥のエ
ッチング速度は、無欠陥部分と比較し相対的に速いた
め、欠陥部分のエッチングが選択的に進行し、ウエーハ
表面に微細な窪み（ピット）を発生する。
るシリコン単結晶のインゴット中には、その成長中に導
入されるアズグロウン（As-grown）欠陥と呼ばれる結晶
欠陥が存在し、ウエーハ表面部に存在するこの欠陥のエ
ッチング速度は、無欠陥部分と比較し相対的に速いた
め、欠陥部分のエッチングが選択的に進行し、ウエーハ
表面に微細な窪み（ピット）を発生する。
【０００６】このピットは、ウエーハ表面に存在するパ
ーティクルを、レーザー光照射による散乱光（輝点）を
測定するパーティクルカウンターで計測しようとすると
き、ピットによる散乱光も同時に検出してしまい、真の
パーティクル数を測定することはできないという弊害を
生じる。したがって、このようなピットをＣＯＰ(Cryst
al Originated Particle) と称している。
ーティクルを、レーザー光照射による散乱光（輝点）を
測定するパーティクルカウンターで計測しようとすると
き、ピットによる散乱光も同時に検出してしまい、真の
パーティクル数を測定することはできないという弊害を
生じる。したがって、このようなピットをＣＯＰ(Cryst
al Originated Particle) と称している。
【０００７】このＣＯＰは、半導体デバイスのゲート酸
化膜の電気的耐圧特性を劣化させるとも云われ、半導体
デバイスがより高密度化しようとする趨勢にあって、こ
れまでは問題にされなかったＣＯＰ対策も重要な解決す
べき課題となっている。
化膜の電気的耐圧特性を劣化させるとも云われ、半導体
デバイスがより高密度化しようとする趨勢にあって、こ
れまでは問題にされなかったＣＯＰ対策も重要な解決す
べき課題となっている。
【０００８】また、ＳＣ−１洗浄液は、Ｃｕのようにア
ンモニアと錯体を形成しやすい金属に対しては除去効果
が高いが、概して酸を利用する洗浄液に比べ、金属不純
物に対する洗浄力は劣っている。
ンモニアと錯体を形成しやすい金属に対しては除去効果
が高いが、概して酸を利用する洗浄液に比べ、金属不純
物に対する洗浄力は劣っている。
【０００９】他方、ＳＣ−２洗浄液は、パーティクルや
有機物に対する洗浄力は弱いが、金属不純物に対する洗
浄効果は優れている。しかし、薬液中に存在する過酸化
水素のために、ウエーハ表面にシリコンの酸化膜が形成
され、そのため金属不純物の濃度が高い場合には、その
効果が弱まると云われている。
有機物に対する洗浄力は弱いが、金属不純物に対する洗
浄効果は優れている。しかし、薬液中に存在する過酸化
水素のために、ウエーハ表面にシリコンの酸化膜が形成
され、そのため金属不純物の濃度が高い場合には、その
効果が弱まると云われている。
【００１０】ところで、前記したような薬液を使用する
洗浄法は、半導体デバイスを製作する過程の洗浄工程に
おいて、配線として使用される露出状態のアルミニウム
のような金属を溶解したり、あるいは層間膜に埋め込ま
れていても僅かな隙間やピンホールを通じて腐食させる
おそれがあって採用する上での制約がある。
洗浄法は、半導体デバイスを製作する過程の洗浄工程に
おいて、配線として使用される露出状態のアルミニウム
のような金属を溶解したり、あるいは層間膜に埋め込ま
れていても僅かな隙間やピンホールを通じて腐食させる
おそれがあって採用する上での制約がある。
【００１１】このようにＲＣＡ法を代表とする従来の洗
浄法は、先ずその一工程中で使用するアンモニアや酸等
の薬液に起因する問題点が存在するほか、それぞれで洗
浄目的や効果の異なる３〜４種類の洗浄液を組み合わせ
て使用するため、必然的に洗浄のための工程が長くな
り、多数段の装置と薬液を使用しなければならないとい
う問題があった。
浄法は、先ずその一工程中で使用するアンモニアや酸等
の薬液に起因する問題点が存在するほか、それぞれで洗
浄目的や効果の異なる３〜４種類の洗浄液を組み合わせ
て使用するため、必然的に洗浄のための工程が長くな
り、多数段の装置と薬液を使用しなければならないとい
う問題があった。
【００１２】この薬液洗浄に伴なう多数段の工程は、結
果的に設備費や労務費、薬液や純水のような材料費の増
加をもたらし、しかも排出される廃水処理のような公害
対策費も相当な額になってしまう。このような諸問題を
解決するために、薬液の使用を極力抑えるか、可能であ
るなら薬液を使用しない洗浄方法が注目されている。
果的に設備費や労務費、薬液や純水のような材料費の増
加をもたらし、しかも排出される廃水処理のような公害
対策費も相当な額になってしまう。このような諸問題を
解決するために、薬液の使用を極力抑えるか、可能であ
るなら薬液を使用しない洗浄方法が注目されている。
【００１３】すなわち特開平６−２６０４８０号公報に
おいては、多孔質膜により隔離した電気分解用水槽の両
隔離室にそれぞれ陰極棒と陽極棒を配設し、その両隔離
室に少量の電気分解効率を高める物質を添加した純水を
流入させながら陰極側にＯＨ- イオン水、陽極側にＨ+
イオン水を生成せしめ、この両イオン水を別室として設
けられた２つの処理水槽に導入し、被処理物を洗浄しよ
うとするものである。
おいては、多孔質膜により隔離した電気分解用水槽の両
隔離室にそれぞれ陰極棒と陽極棒を配設し、その両隔離
室に少量の電気分解効率を高める物質を添加した純水を
流入させながら陰極側にＯＨ- イオン水、陽極側にＨ+
イオン水を生成せしめ、この両イオン水を別室として設
けられた２つの処理水槽に導入し、被処理物を洗浄しよ
うとするものである。
【００１４】この場合、ＯＨ- イオン水側の処理は従来
のＳＣ−１相当の洗浄とみられるが、同公報によるとＯ
Ｈ- イオンは、専らＨ+ イオン処理して表面が活性状態
にあるアルミニウムの表面を安定化させたり、研磨また
は平滑化プロセス後に残留するコロイド状のシリカを除
去することが述べられているが、従来のＳＣ−１洗浄の
主目的とされる一般的なパーティクルの除去や、同法の
欠陥とされるＣＯＰ対策としてのより積極的な効果は述
べられていない。一方、Ｈ+ イオン水側の処理は、専ら
シリコンウエーハ上の金属汚染物の除去を目的としてい
るので、前述のＳＣ−２洗浄に相当する。
のＳＣ−１相当の洗浄とみられるが、同公報によるとＯ
Ｈ- イオンは、専らＨ+ イオン処理して表面が活性状態
にあるアルミニウムの表面を安定化させたり、研磨また
は平滑化プロセス後に残留するコロイド状のシリカを除
去することが述べられているが、従来のＳＣ−１洗浄の
主目的とされる一般的なパーティクルの除去や、同法の
欠陥とされるＣＯＰ対策としてのより積極的な効果は述
べられていない。一方、Ｈ+ イオン水側の処理は、専ら
シリコンウエーハ上の金属汚染物の除去を目的としてい
るので、前述のＳＣ−２洗浄に相当する。
【００１５】しかしながら、同公報によれば、ここで印
加される電圧は１０3 〜１０4 Ｖ／ｃｍという高い直流
電圧が必要であって、非常な危険を伴なうこと、また２
つの隔離室中で生成したＯＨ- イオン水やＨ+ イオン水
は不安定なイオンで、時間の経過とともに中性溶液に戻
るため、別室として設けられた２つの処理水槽に到達す
る過程で各イオン水の濃度が低下し、その効力が弱まる
か、またはその濃度の制御が困難であるという課題が残
されている。
加される電圧は１０3 〜１０4 Ｖ／ｃｍという高い直流
電圧が必要であって、非常な危険を伴なうこと、また２
つの隔離室中で生成したＯＨ- イオン水やＨ+ イオン水
は不安定なイオンで、時間の経過とともに中性溶液に戻
るため、別室として設けられた２つの処理水槽に到達す
る過程で各イオン水の濃度が低下し、その効力が弱まる
か、またはその濃度の制御が困難であるという課題が残
されている。
【００１６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明はこの
ような諸問題を解決し、より普遍的な意味での半導体基
板を洗浄する装置とその方法を開発することを目的とし
てなされたもので、請求項１に係る半導体基板の洗浄装
置は、方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導
体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄装置であ
って、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室
と、その両側に設けられる２組のカソード室とで構成さ
れるべく、中空の流路が形成された２組のＨ+ イオン交
換膜にてなる隔壁によって区画し、前記アノード室にお
ける、前記被洗浄物と対面する両側のＨ+ イオン交換膜
よりなる隔壁の表面にアノード電極板を固着させるとと
もに、前記カソード室における該隔壁の表面で、かつ該
隔壁を介して前記アノード電極と対向する位置には、該
アノード電極板とほぼ同一面積のカソード電極板を固着
させた構造を有する装置である。
ような諸問題を解決し、より普遍的な意味での半導体基
板を洗浄する装置とその方法を開発することを目的とし
てなされたもので、請求項１に係る半導体基板の洗浄装
置は、方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導
体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄装置であ
って、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室
と、その両側に設けられる２組のカソード室とで構成さ
れるべく、中空の流路が形成された２組のＨ+ イオン交
換膜にてなる隔壁によって区画し、前記アノード室にお
ける、前記被洗浄物と対面する両側のＨ+ イオン交換膜
よりなる隔壁の表面にアノード電極板を固着させるとと
もに、前記カソード室における該隔壁の表面で、かつ該
隔壁を介して前記アノード電極と対向する位置には、該
アノード電極板とほぼ同一面積のカソード電極板を固着
させた構造を有する装置である。
【００１７】一方、請求項２に係る半導体基板の洗浄装
置は、前記請求項１に記載の装置に対して、更に前記ア
ノード室の底部に超音波発振器が配設された装置であ
る。
置は、前記請求項１に記載の装置に対して、更に前記ア
ノード室の底部に超音波発振器が配設された装置であ
る。
【００１８】請求項３に係る半導体基板の洗浄装置は、
方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導体基板
をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄装置であって、
前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室と、そ
の両側に設けられる２組のカソード室とで構成されるべ
く、２組のＨ+ イオン交換膜にてなる隔壁によって区画
し、前記アノード室における、前記被洗浄物と対面する
両側のＨ+ イオン交換膜よりなる隔壁の表面にアノード
電極板を固着させるとともに、前記カソード室における
該隔壁の表面で、かつ該隔壁を介して前記アノード電極
板と対向する位置には、該アノード電極板とほぼ同一面
積のカソード電極板を固着させた構造を有する装置であ
り、請求項４に係る半導体基板の洗浄装置は、前記請求
項３に記載の装置に対して、更に前記アノード室の底部
に超音波発振器が配設された装置である。
方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導体基板
をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄装置であって、
前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室と、そ
の両側に設けられる２組のカソード室とで構成されるべ
く、２組のＨ+ イオン交換膜にてなる隔壁によって区画
し、前記アノード室における、前記被洗浄物と対面する
両側のＨ+ イオン交換膜よりなる隔壁の表面にアノード
電極板を固着させるとともに、前記カソード室における
該隔壁の表面で、かつ該隔壁を介して前記アノード電極
板と対向する位置には、該アノード電極板とほぼ同一面
積のカソード電極板を固着させた構造を有する装置であ
り、請求項４に係る半導体基板の洗浄装置は、前記請求
項３に記載の装置に対して、更に前記アノード室の底部
に超音波発振器が配設された装置である。
【００１９】また、請求項５に係る半導体基板の洗浄装
置は、前記請求項１〜４に記載のそれぞれの装置に関
し、前記アノード電極板およびカソード電極板が多孔板
で構成された装置である。
置は、前記請求項１〜４に記載のそれぞれの装置に関
し、前記アノード電極板およびカソード電極板が多孔板
で構成された装置である。
【００２０】次に請求項６に係る半導体基板の洗浄方法
は、方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導体
基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄方法であっ
て、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室
と、その両側に設けられる２組のカソード室とで構成さ
れるべく、中空の流路が形成された２組のＨ+ イオン交
換膜にてなる隔壁によって区画し、前記アノード室にお
ける、前記被洗浄物と対面する両側のＨ+ イオン交換膜
よりなる隔壁の表面にアノード電極板を固着させるとと
もに、前記カソード室における該隔壁の表面で、かつ該
隔壁を介して前記アノード電極板と対向する位置には、
該アノード電極板とほぼ同一面積のカソード電極板を固
着させた半導体基板の洗浄装置において、前記洗浄槽の
アノード室と、２組のカソード室と、２組のＨ+ イオン
交換膜にてなる隔壁の中空の流路それぞれの底部より純
水を供給し、前記被洗浄物を純水中に浸漬させた状態
で、それぞれの純水を洗浄槽の上部より排出させなが
ら、前記アノード電極板とカソード電極板の正負両極間
に直流電圧を印加する方法であり、請求項７に係る半導
体基板の洗浄方法は、前記請求項６に記載の方法におい
て、更に当該被洗浄物に対し、アノード室の底部に配設
された超音波発振器より発振される超音波を同時に作用
させる方法である。
は、方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導体
基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄方法であっ
て、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室
と、その両側に設けられる２組のカソード室とで構成さ
れるべく、中空の流路が形成された２組のＨ+ イオン交
換膜にてなる隔壁によって区画し、前記アノード室にお
ける、前記被洗浄物と対面する両側のＨ+ イオン交換膜
よりなる隔壁の表面にアノード電極板を固着させるとと
もに、前記カソード室における該隔壁の表面で、かつ該
隔壁を介して前記アノード電極板と対向する位置には、
該アノード電極板とほぼ同一面積のカソード電極板を固
着させた半導体基板の洗浄装置において、前記洗浄槽の
アノード室と、２組のカソード室と、２組のＨ+ イオン
交換膜にてなる隔壁の中空の流路それぞれの底部より純
水を供給し、前記被洗浄物を純水中に浸漬させた状態
で、それぞれの純水を洗浄槽の上部より排出させなが
ら、前記アノード電極板とカソード電極板の正負両極間
に直流電圧を印加する方法であり、請求項７に係る半導
体基板の洗浄方法は、前記請求項６に記載の方法におい
て、更に当該被洗浄物に対し、アノード室の底部に配設
された超音波発振器より発振される超音波を同時に作用
させる方法である。
【００２１】また、請求項８に係る半導体基板の洗浄方
法は、方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導
体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄方法であ
って、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室
と、その両側に設けられる２組のカソード室とで構成さ
れるべく２組のＨ+ イオン交換膜にてなる隔壁によって
区画し、前記アノード室における、前記被洗浄物と対面
する両側のＨ+ イオン交換膜よりなる隔壁の表面にアノ
ード電極板を固着させるとともに、前記カソード室にお
ける該隔壁の表面で、かつ該隔壁を介して前記アノード
電極板と対向する位置には、該アノード電極板とほぼ同
一面積のカソード電極板を固着させた半導体基板の洗浄
装置において、前記洗浄槽のアノード室と、２組のカソ
ード室それぞれの底部より純水を供給し、前記被洗浄物
を純水中に浸漬させた状態で、それぞれの純水を洗浄槽
の上部より排出させながら、前記アノード電極板とカソ
ード電極板の正負両極間に直流電圧を印加する方法であ
り、請求項９に係る半導体基板の洗浄方法は、前記請求
項８に記載の方法において、更に当該被洗浄物に対し、
アノード室の底部に配設された超音波発振器より発振さ
れる超音波を同時に作用させる方法である。
法は、方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導
体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄方法であ
って、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室
と、その両側に設けられる２組のカソード室とで構成さ
れるべく２組のＨ+ イオン交換膜にてなる隔壁によって
区画し、前記アノード室における、前記被洗浄物と対面
する両側のＨ+ イオン交換膜よりなる隔壁の表面にアノ
ード電極板を固着させるとともに、前記カソード室にお
ける該隔壁の表面で、かつ該隔壁を介して前記アノード
電極板と対向する位置には、該アノード電極板とほぼ同
一面積のカソード電極板を固着させた半導体基板の洗浄
装置において、前記洗浄槽のアノード室と、２組のカソ
ード室それぞれの底部より純水を供給し、前記被洗浄物
を純水中に浸漬させた状態で、それぞれの純水を洗浄槽
の上部より排出させながら、前記アノード電極板とカソ
ード電極板の正負両極間に直流電圧を印加する方法であ
り、請求項９に係る半導体基板の洗浄方法は、前記請求
項８に記載の方法において、更に当該被洗浄物に対し、
アノード室の底部に配設された超音波発振器より発振さ
れる超音波を同時に作用させる方法である。
【００２２】請求項１０に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項６に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替える工程を付加した方法である。
は、前記請求項６に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替える工程を付加した方法である。
【００２３】請求項１１に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項７に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替える工程を付加した方法である。
は、前記請求項７に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替える工程を付加した方法である。
【００２４】請求項１２に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項６に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替え、かつ超音波を同時に作用させる工程を付加した
方法である。
は、前記請求項６に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替え、かつ超音波を同時に作用させる工程を付加した
方法である。
【００２５】請求項１３に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項７に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替えると同時に、超音波の作用を停止する工程を付加
した方法である。
は、前記請求項７に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替えると同時に、超音波の作用を停止する工程を付加
した方法である。
【００２６】請求項１４に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項８に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替える工程を付加した方法である。
は、前記請求項８に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替える工程を付加した方法である。
【００２７】請求項１５に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項９に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替える工程を付加した方法である。
は、前記請求項９に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替える工程を付加した方法である。
【００２８】請求項１６に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項８に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替え、かつ超音波を同時に作用させる工程を付加した
方法である。
は、前記請求項８に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替え、かつ超音波を同時に作用させる工程を付加した
方法である。
【００２９】請求項１７に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項９に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替えると同時に、超音波の作用を停止する工程を付加
した方法である。
は、前記請求項９に記載の半導体基板の洗浄方法におい
て、その洗浄工程の前または後に、アノード電極板をカ
ソード電極板に、カソード電極板をアノード電極板に切
り替えると同時に、超音波の作用を停止する工程を付加
した方法である。
【００３０】請求項１８に係る半導体基板の洗浄方法
は、前記請求項１０〜１７のいずれかに記載された、単
一の洗浄装置を使用し、電極板に印加される正または負
の直流電圧の極方向を切り替える半導体基板の洗浄方法
において、その切り替えを、それぞれの電極板に対する
正負の極方向を逆とする２組の装置に分離した洗浄装置
を使用して洗浄を行うことを特徴とする。
は、前記請求項１０〜１７のいずれかに記載された、単
一の洗浄装置を使用し、電極板に印加される正または負
の直流電圧の極方向を切り替える半導体基板の洗浄方法
において、その切り替えを、それぞれの電極板に対する
正負の極方向を逆とする２組の装置に分離した洗浄装置
を使用して洗浄を行うことを特徴とする。
【００３１】また請求項１９に係る半導体基板の洗浄方
法は、前記請求項７、９、１１、１２、１３、１５、１
６、１７、１８のいずれかに記載の方法において、洗浄
の際に、被洗浄物に作用させる超音波が、５００ｋＨｚ
以上で３ＭＨｚ以下の範囲とする方法である。
法は、前記請求項７、９、１１、１２、１３、１５、１
６、１７、１８のいずれかに記載の方法において、洗浄
の際に、被洗浄物に作用させる超音波が、５００ｋＨｚ
以上で３ＭＨｚ以下の範囲とする方法である。
【００３２】なお、本発明の請求項１２および１６に係
る半導体基板の洗浄方法では、使用する装置のアノード
室の底部に超音波発振器が配設されたものを用いて行な
うことは言うまでもない。
る半導体基板の洗浄方法では、使用する装置のアノード
室の底部に超音波発振器が配設されたものを用いて行な
うことは言うまでもない。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。図１は本発明による基板の洗浄装置１の基本的構
造をなすもので、（ａ）は同装置を上部から見た平面
図、（ｂ）はその側面図である。
する。図１は本発明による基板の洗浄装置１の基本的構
造をなすもので、（ａ）は同装置を上部から見た平面
図、（ｂ）はその側面図である。
【００３４】それぞれの面が方形をなす直方体構造で、
電離状態の純水に対して不純物の溶出のない材料、また
は同材料によりステンレスのような耐蝕性材料の内面を
ライニングした洗浄槽２の長手方向について、中空の流
路６を有する２組のＨ+ イオン交換膜からなる隔壁５に
より、洗浄槽２の内部を、その中央部のアノード室３
と、その両側に設けられるカソード室４とに区画する。
なお隔壁５の表面で、アノード室３側のほぼ中心位置を
なし、被洗浄物である基板Ｗを挟んで対向する位置には
一対のアノード電極板７が、同じくカソード室４側で、
この隔壁５を介してアノード電極板７と対向する位置に
は一対のカソード電極板８が固着されている。
電離状態の純水に対して不純物の溶出のない材料、また
は同材料によりステンレスのような耐蝕性材料の内面を
ライニングした洗浄槽２の長手方向について、中空の流
路６を有する２組のＨ+ イオン交換膜からなる隔壁５に
より、洗浄槽２の内部を、その中央部のアノード室３
と、その両側に設けられるカソード室４とに区画する。
なお隔壁５の表面で、アノード室３側のほぼ中心位置を
なし、被洗浄物である基板Ｗを挟んで対向する位置には
一対のアノード電極板７が、同じくカソード室４側で、
この隔壁５を介してアノード電極板７と対向する位置に
は一対のカソード電極板８が固着されている。
【００３５】この電極板は、白金−白金酸化物、または
表面処理として白金メッキを施されたチタニウム、タン
タルのような材料からなるものが使用され、その形状や
面積に特別の条件は無いが、標準的には被洗浄物たる基
板Ｗに近い形状と面積のものが採用される。洗浄槽２の
中心部（アノード室３の中心部）には、被洗浄物として
の基板Ｗが、ほぼ垂直方向で基板周縁を点接触に近い状
態で支持することが可能なカセットレスタイプの把持具
９によって支持されている。図１では、単枚の基板Ｗ
が、アノード電極板７と平行をなす位置関係で把持され
ているが、この場合には位置関係が垂直や斜めのいずれ
であっても特に制限はない。
表面処理として白金メッキを施されたチタニウム、タン
タルのような材料からなるものが使用され、その形状や
面積に特別の条件は無いが、標準的には被洗浄物たる基
板Ｗに近い形状と面積のものが採用される。洗浄槽２の
中心部（アノード室３の中心部）には、被洗浄物として
の基板Ｗが、ほぼ垂直方向で基板周縁を点接触に近い状
態で支持することが可能なカセットレスタイプの把持具
９によって支持されている。図１では、単枚の基板Ｗ
が、アノード電極板７と平行をなす位置関係で把持され
ているが、この場合には位置関係が垂直や斜めのいずれ
であっても特に制限はない。
【００３６】しかし本装置で、同時に多数枚の基板Ｗを
洗浄する場合は、通常の洗浄治具（ウエーハカセット）
の使用は適切でなく、複数の基板について、上述のよう
にその周縁を点接触に近い状態で同時に支持することが
可能な把持具９を採用し、一定方向に配列された基板
は、アノード電極板７に対して垂直の位置関係となるよ
うに配置することが望ましい。
洗浄する場合は、通常の洗浄治具（ウエーハカセット）
の使用は適切でなく、複数の基板について、上述のよう
にその周縁を点接触に近い状態で同時に支持することが
可能な把持具９を採用し、一定方向に配列された基板
は、アノード電極板７に対して垂直の位置関係となるよ
うに配置することが望ましい。
【００３７】この洗浄槽２の底部には、不図示の純水槽
より純水を供給するための配管１０があり、これより分
岐され流量調節弁１１により流量調節された純水は、ア
ノード室３、カソード室４、隔壁５の中空の流路６のそ
れぞれに供給される。洗浄される基板が配置されるアノ
ード室３の上部は開放状態とし、その底部より供給され
た洗浄用の純水は、その上部にある不図示の溢流堰を通
じて排出される。またカソード室４と中空の流路６に導
入された純水は、同じく不図示の純水排出用の配管を通
じて純水タンクに回収されるか、アノード室３と共用さ
れる溢流堰で回収し、不図示の純水再生装置を通じて再
精製回収される。そうしてアノード室３の底部には超音
波発振器１２が併設されている。
より純水を供給するための配管１０があり、これより分
岐され流量調節弁１１により流量調節された純水は、ア
ノード室３、カソード室４、隔壁５の中空の流路６のそ
れぞれに供給される。洗浄される基板が配置されるアノ
ード室３の上部は開放状態とし、その底部より供給され
た洗浄用の純水は、その上部にある不図示の溢流堰を通
じて排出される。またカソード室４と中空の流路６に導
入された純水は、同じく不図示の純水排出用の配管を通
じて純水タンクに回収されるか、アノード室３と共用さ
れる溢流堰で回収し、不図示の純水再生装置を通じて再
精製回収される。そうしてアノード室３の底部には超音
波発振器１２が併設されている。
【００３８】次に、この洗浄装置１の使用方法について
説明する。被洗浄物としての基板Ｗは、把持具９により
支持され、アノード室３の所定の位置に配置される。こ
の状態で洗浄槽２の底部にある、純水を供給するための
配管１０より分岐され、流量調節弁１１により流量調節
された配管から純水を、アノード室３、カソード室４、
隔壁５の中空の流路６のそれぞれに供給し、各純水はそ
の上部に設けられた排出用の配管を通じて排出され、廃
棄されるか、一部を回収して再精製し、不図示の純水槽
に戻される。この状態で、アノード電極板７とカソード
電極板８とを、それぞれ正負の極とする直流電源に接続
すると、次の電極反応、２Ｈ2 ０−４ｅ- →Ｏ2 ＋４Ｈ
+ によって、アノード室内にはＨ+ リッチな液が生成
し、これが基板Ｗに作用して、いわゆる酸洗浄（ＳＣ−
２洗浄に相当）が行なわれる。
説明する。被洗浄物としての基板Ｗは、把持具９により
支持され、アノード室３の所定の位置に配置される。こ
の状態で洗浄槽２の底部にある、純水を供給するための
配管１０より分岐され、流量調節弁１１により流量調節
された配管から純水を、アノード室３、カソード室４、
隔壁５の中空の流路６のそれぞれに供給し、各純水はそ
の上部に設けられた排出用の配管を通じて排出され、廃
棄されるか、一部を回収して再精製し、不図示の純水槽
に戻される。この状態で、アノード電極板７とカソード
電極板８とを、それぞれ正負の極とする直流電源に接続
すると、次の電極反応、２Ｈ2 ０−４ｅ- →Ｏ2 ＋４Ｈ
+ によって、アノード室内にはＨ+ リッチな液が生成
し、これが基板Ｗに作用して、いわゆる酸洗浄（ＳＣ−
２洗浄に相当）が行なわれる。
【００３９】ところで本発明においては、この状態で更
にアノード室内の純水に超音波を作用させることによっ
て、従来より知られている基板表面のパーティクルを機
械的作用により除去することとは別の、新たな効果を付
与することができる。すなわち、図２は純水に各種周波
数の超音波を作用させた時の比抵抗の変化を示すデータ
である。これによると、は超音波を作用させない場合
で、純水の比抵抗値は一定であるが、→と超音波の
周波数を上昇させるにつれて、比抵抗値は時間の経過と
共に低下する傾向が、特に８００ｋＨｚ以上の場合につ
いて顕著に見られる。
にアノード室内の純水に超音波を作用させることによっ
て、従来より知られている基板表面のパーティクルを機
械的作用により除去することとは別の、新たな効果を付
与することができる。すなわち、図２は純水に各種周波
数の超音波を作用させた時の比抵抗の変化を示すデータ
である。これによると、は超音波を作用させない場合
で、純水の比抵抗値は一定であるが、→と超音波の
周波数を上昇させるにつれて、比抵抗値は時間の経過と
共に低下する傾向が、特に８００ｋＨｚ以上の場合につ
いて顕著に見られる。
【００４０】このことは定性的に判断すると、純水が超
音波の作用によってラジカル活性化するか、ある種のイ
オンの形成、あるいはその解離度が増大（Ｈ2 Ｏ→Ｈ+
＋ＯＨ- ）していることを示すもので、そのことによ
り、比較的低い電解電圧でも所定の電解電流を得ること
を容易にするという前記の電解作用によるイオン形成を
助長する作用が考えられる。結果として、物理的な超音
波洗浄によるパーティクル除去と酸洗浄としての効果が
相乗的に高まることを示すものである。
音波の作用によってラジカル活性化するか、ある種のイ
オンの形成、あるいはその解離度が増大（Ｈ2 Ｏ→Ｈ+
＋ＯＨ- ）していることを示すもので、そのことによ
り、比較的低い電解電圧でも所定の電解電流を得ること
を容易にするという前記の電解作用によるイオン形成を
助長する作用が考えられる。結果として、物理的な超音
波洗浄によるパーティクル除去と酸洗浄としての効果が
相乗的に高まることを示すものである。
【００４１】またＨ+ イオン交換膜からなる隔壁５は、
その中空の流路６を流れる純水中に、同交換膜より離脱
したＨ+ イオンを移動流出させる機能を有すると共に、
上記超音波印加の場合と同じように、洗浄槽２内におい
て、その抵抗値を下げ、所定の電解電流を比較的低い印
加電圧で得ることを可能にする。この方式の隔壁の代わ
りに通常のメッシュサイズのＨ+ イオン交換樹脂を、隔
壁５の外形と同一形状の樹脂製の網目袋に充填し、その
両側にアノード電極板７とカソード電極板８をサンドイ
ッチ状に圧接させたものを使用することもできる。この
場合は、中空の流路６は省略され、電解槽としての抵抗
値を更に低下させる効果がある。
その中空の流路６を流れる純水中に、同交換膜より離脱
したＨ+ イオンを移動流出させる機能を有すると共に、
上記超音波印加の場合と同じように、洗浄槽２内におい
て、その抵抗値を下げ、所定の電解電流を比較的低い印
加電圧で得ることを可能にする。この方式の隔壁の代わ
りに通常のメッシュサイズのＨ+ イオン交換樹脂を、隔
壁５の外形と同一形状の樹脂製の網目袋に充填し、その
両側にアノード電極板７とカソード電極板８をサンドイ
ッチ状に圧接させたものを使用することもできる。この
場合は、中空の流路６は省略され、電解槽としての抵抗
値を更に低下させる効果がある。
【００４２】また、図３に示すように、Ｈ+ イオン交換
膜からなる隔壁５の中空の流路６を廃止し、シート状の
Ｈ+ イオン交換膜からなる隔壁５とするものでも同様の
効果を上げることができる。さらに上記隔壁５を挟んで
対向配置される前記アノード電極板７およびカソード電
極板８に、多数の孔を形成して多孔板としたものを用い
ると純水の電解が容易となり、より洗浄効果を向上させ
ることができる。この多孔板は、例えば、直径２〜３ｍ
ｍ程度の孔を２〜３ｍｍピッチで配列させたものであ
る。
膜からなる隔壁５の中空の流路６を廃止し、シート状の
Ｈ+ イオン交換膜からなる隔壁５とするものでも同様の
効果を上げることができる。さらに上記隔壁５を挟んで
対向配置される前記アノード電極板７およびカソード電
極板８に、多数の孔を形成して多孔板としたものを用い
ると純水の電解が容易となり、より洗浄効果を向上させ
ることができる。この多孔板は、例えば、直径２〜３ｍ
ｍ程度の孔を２〜３ｍｍピッチで配列させたものであ
る。
【００４３】なお、印加電圧と電流との関係は、洗浄槽
の寸法からくる正負電極間の距離、電極面積、Ｈ+ イオ
ン隔膜としての特性値やその厚さ、処理水中のイオン濃
度等により規定されるので、その数値範囲を特定するこ
とはできないが、逆に考えて、操業上で比較的安全な１
０〜数１０Ｖ、０．０５〜０．５Ａ／ｃｍ2 位の条件範
囲に設計することが可能である。
の寸法からくる正負電極間の距離、電極面積、Ｈ+ イオ
ン隔膜としての特性値やその厚さ、処理水中のイオン濃
度等により規定されるので、その数値範囲を特定するこ
とはできないが、逆に考えて、操業上で比較的安全な１
０〜数１０Ｖ、０．０５〜０．５Ａ／ｃｍ2 位の条件範
囲に設計することが可能である。
【００４４】以上で述べたように、本発明になる図１ま
たは図３のような洗浄装置を使用する洗浄方法によれ
ば、洗浄用の純水に電解的作用と、場合によっては超音
波を同時に作用させることによって、ＳＣ−２洗浄に相
当する新しい酸洗浄方法を提供するが、この同一の装置
を使用し、単にアノード電極板とカソード電極板それぞ
れに印加される直流電圧の正負の極を逆に切り替えるこ
とによってＳＣ−１洗浄に相当のアルカリ洗浄が可能に
なる。このことについては、既に特願平７−１０６０９
４として出願済みであるので、その詳しい説明は省略す
る。すなわち、本発明の次なる特徴は、単一の装置と純
水を洗浄液としながら、同一装置内の電極の正負を切り
替えるだけで、酸およびアルカリの両洗浄を順次または
交互に行なうことが可能になることである。
たは図３のような洗浄装置を使用する洗浄方法によれ
ば、洗浄用の純水に電解的作用と、場合によっては超音
波を同時に作用させることによって、ＳＣ−２洗浄に相
当する新しい酸洗浄方法を提供するが、この同一の装置
を使用し、単にアノード電極板とカソード電極板それぞ
れに印加される直流電圧の正負の極を逆に切り替えるこ
とによってＳＣ−１洗浄に相当のアルカリ洗浄が可能に
なる。このことについては、既に特願平７−１０６０９
４として出願済みであるので、その詳しい説明は省略す
る。すなわち、本発明の次なる特徴は、単一の装置と純
水を洗浄液としながら、同一装置内の電極の正負を切り
替えるだけで、酸およびアルカリの両洗浄を順次または
交互に行なうことが可能になることである。
【００４５】図４は本発明における代表的な洗浄方法の
工程を説明するもので、（ａ）は単一の洗浄装置１によ
って、酸洗浄、アルカリ洗浄、リンス洗浄を一貫して行
なう場合を説明する図である。４０は乾燥装置を示して
いる。
工程を説明するもので、（ａ）は単一の洗浄装置１によ
って、酸洗浄、アルカリ洗浄、リンス洗浄を一貫して行
なう場合を説明する図である。４０は乾燥装置を示して
いる。
【００４６】具体的には、本発明の場合のように被洗浄
物としての基板Ｗが配置されるアノード室３側を構成す
る２組のアノード電極板７と、カソード室４側に配設さ
れている２組のカソード電極板８に対し、それぞれ正と
負の直流電圧を印加する時、アノード室３中を流れる洗
浄用純水はＨ+ イオンに富む酸洗浄液（ＳＣ−２洗浄液
に相当）として機能して基板Ｗを洗浄するが、所定時間
の処理が終了した段階で、この２組のアノード電極板に
印加する直流電圧を負としてカソード電極板に、同じく
この２組のカソード電極板に印加する直流電圧を正とし
てアノード電極板にそれぞれ切り替えることによって、
アノード室３はカソード室に、カソード室４はアノード
室にそれぞれ転換し、この転換で形成されたカソード室
（転換前のアノード室３）内を流れる洗浄用純水はＯＨ
- イオンに富むアルカリ洗浄液（ＳＣ−１洗浄液に相
当）として機能し基板Ｗを洗浄することになる。
物としての基板Ｗが配置されるアノード室３側を構成す
る２組のアノード電極板７と、カソード室４側に配設さ
れている２組のカソード電極板８に対し、それぞれ正と
負の直流電圧を印加する時、アノード室３中を流れる洗
浄用純水はＨ+ イオンに富む酸洗浄液（ＳＣ−２洗浄液
に相当）として機能して基板Ｗを洗浄するが、所定時間
の処理が終了した段階で、この２組のアノード電極板に
印加する直流電圧を負としてカソード電極板に、同じく
この２組のカソード電極板に印加する直流電圧を正とし
てアノード電極板にそれぞれ切り替えることによって、
アノード室３はカソード室に、カソード室４はアノード
室にそれぞれ転換し、この転換で形成されたカソード室
（転換前のアノード室３）内を流れる洗浄用純水はＯＨ
- イオンに富むアルカリ洗浄液（ＳＣ−１洗浄液に相
当）として機能し基板Ｗを洗浄することになる。
【００４７】本発明のこの部分については、説明の都合
上、ＳＣ−２相当の洗浄が先行し、その後でＳＣ−１相
当の洗浄が行なわれる構成となっているが、これが逆に
なっても良いし、数回の周期で繰り返されても良い。更
にこれらの電極間に印加する直流電圧を０にする時、こ
の洗浄装置は中性の純水によるリンス洗浄装置として機
能するので、原理的には単一の装置によって、酸アルカ
リ洗浄後の純水リンス洗浄を行なうことが可能である。
上、ＳＣ−２相当の洗浄が先行し、その後でＳＣ−１相
当の洗浄が行なわれる構成となっているが、これが逆に
なっても良いし、数回の周期で繰り返されても良い。更
にこれらの電極間に印加する直流電圧を０にする時、こ
の洗浄装置は中性の純水によるリンス洗浄装置として機
能するので、原理的には単一の装置によって、酸アルカ
リ洗浄後の純水リンス洗浄を行なうことが可能である。
【００４８】ただし実際問題として、それぞれの電極板
に対し直流電圧を印加する際の微妙な変化を嫌い、この
酸洗浄やアルカリ洗浄を安定した条件に維持する方が、
工程の能率上でより得策の場合には、単一の洗浄装置に
よる一貫洗浄に代って、酸洗浄、アルカリ洗浄、リンス
洗浄等をそれぞれ専用の装置として独立させることが好
ましい。
に対し直流電圧を印加する際の微妙な変化を嫌い、この
酸洗浄やアルカリ洗浄を安定した条件に維持する方が、
工程の能率上でより得策の場合には、単一の洗浄装置に
よる一貫洗浄に代って、酸洗浄、アルカリ洗浄、リンス
洗浄等をそれぞれ専用の装置として独立させることが好
ましい。
【００４９】図４の（ｂ）は、装置１によって本発明の
酸洗浄を行ない、次いで電極板に対する正負の直流電圧
の印加を装置１の時とは逆にした装置１’によりアルカ
リ洗浄を行なった後、別途にリンス洗浄装置３０と、乾
燥装置４０を付加した工程を説明する図である。この工
程における装置１の酸洗浄と、１’のアルカリ洗浄の順
序を逆にしても良い。
酸洗浄を行ない、次いで電極板に対する正負の直流電圧
の印加を装置１の時とは逆にした装置１’によりアルカ
リ洗浄を行なった後、別途にリンス洗浄装置３０と、乾
燥装置４０を付加した工程を説明する図である。この工
程における装置１の酸洗浄と、１’のアルカリ洗浄の順
序を逆にしても良い。
【００５０】なおこの発明部分の基本は、上述のような
電極板に対する直流電圧印加の条件を主要な構成条件と
するが、それぞれの酸洗浄、アルカリ洗浄に超音波を併
用することも、電解液形成を促進し、同時にパーティク
ル除去の効果を上げ得る点においてこの発明の重要な要
件である。
電極板に対する直流電圧印加の条件を主要な構成条件と
するが、それぞれの酸洗浄、アルカリ洗浄に超音波を併
用することも、電解液形成を促進し、同時にパーティク
ル除去の効果を上げ得る点においてこの発明の重要な要
件である。
【００５１】すなわち、図４（ａ）、（ｂ）における洗
浄装置１、１’やリンス洗浄装置３０には超音波発振器
１２、１２’、３１等が付加されているが、この超音波
を作用させることの採否は、これら各工程の洗浄目的や
条件等に応じて選択されることもある。
浄装置１、１’やリンス洗浄装置３０には超音波発振器
１２、１２’、３１等が付加されているが、この超音波
を作用させることの採否は、これら各工程の洗浄目的や
条件等に応じて選択されることもある。
【００５２】洗浄装置１，１’やリンス洗浄装置３０等
に併設されている超音波発振器により、洗浄液あるいは
洗浄される基板に作用させる超音波の周波数は５００ｋ
Ｈｚ以上で３ＭＨｚ以下の範囲とされるが、リンス洗浄
の場合は数１００ｋＨｚの低レベルの超音波であっても
構わない。
に併設されている超音波発振器により、洗浄液あるいは
洗浄される基板に作用させる超音波の周波数は５００ｋ
Ｈｚ以上で３ＭＨｚ以下の範囲とされるが、リンス洗浄
の場合は数１００ｋＨｚの低レベルの超音波であっても
構わない。
【００５３】リンス洗浄装置３０の構造について、特に
要件は無いが、上記洗浄装置１または１’における正負
の電極板７，８を含む隔壁５を除いた洗浄槽２のような
ものが準用できる。また、乾燥装置４０は通常のＩＰＡ
乾燥器、赤外線乾燥器のようなものが採用される。
要件は無いが、上記洗浄装置１または１’における正負
の電極板７，８を含む隔壁５を除いた洗浄槽２のような
ものが準用できる。また、乾燥装置４０は通常のＩＰＡ
乾燥器、赤外線乾燥器のようなものが採用される。
【００５４】
［実施例１］被洗浄物としての基板は、ＣＺ法による導
電型がＰ型のシリコン単結晶より製された直径が１５０
ｍｍの鏡面ウエーハを使用し、図１（ａ）、（ｂ）の洗
浄装置および図４（ａ）に示す工程によって試験を行っ
た。同装置は直径が１５０ｍｍの基板を１０枚単位で同
時処理できるもので、基板の配列が垂直方向で、６．５
ｍｍピッチとなるよう、基板底板で３点支持が可能な把
持具を使用し、アノード室内の相対するアノード電極板
の中間部で、同電極板に対してほぼ垂直方向となるよう
に配置、アノード電極板間の距離は２１０ｍｍとした。
同じくその延長線でＨ+ イオン交換膜からなる隔壁の中
空の流路巾とカソード室の巾は、それぞれ２０ｍｍに設
定した。
電型がＰ型のシリコン単結晶より製された直径が１５０
ｍｍの鏡面ウエーハを使用し、図１（ａ）、（ｂ）の洗
浄装置および図４（ａ）に示す工程によって試験を行っ
た。同装置は直径が１５０ｍｍの基板を１０枚単位で同
時処理できるもので、基板の配列が垂直方向で、６．５
ｍｍピッチとなるよう、基板底板で３点支持が可能な把
持具を使用し、アノード室内の相対するアノード電極板
の中間部で、同電極板に対してほぼ垂直方向となるよう
に配置、アノード電極板間の距離は２１０ｍｍとした。
同じくその延長線でＨ+ イオン交換膜からなる隔壁の中
空の流路巾とカソード室の巾は、それぞれ２０ｍｍに設
定した。
【００５５】この状態でアノード室、カソード室、隔壁
の中空の流路それぞれに、比抵抗が約２．５ＭΩ・ｃｍ
の純水をその下方の配管より流量調節しながら導入し、
実施例においてはアノード室内に所定の電圧と超音波を
印加せしめながら試験した。ただし比較例１−１では、
アノード室内の洗浄液のみをＳＣ−２洗浄液として試験
した。この各種条件による処理を終えた６組で１０枚単
位の基板は、５００ｋＨｚの超音波のみを作用させなが
ら５分間のリンス洗浄を行なった後にＩＰＡ乾燥装置４
０で乾燥させ、各１０枚単位の基板の５枚について鏡面
上のパーティクルを測定し、その平均値を求めた。パー
ティクルの測定は、パーティクルカウンター（ＬＳ−６
０３０）により粒子径が０．１８μｍ以上のものを計数
してその平均値を採用した。その試験条件と試験結果は
表１に示される。
の中空の流路それぞれに、比抵抗が約２．５ＭΩ・ｃｍ
の純水をその下方の配管より流量調節しながら導入し、
実施例においてはアノード室内に所定の電圧と超音波を
印加せしめながら試験した。ただし比較例１−１では、
アノード室内の洗浄液のみをＳＣ−２洗浄液として試験
した。この各種条件による処理を終えた６組で１０枚単
位の基板は、５００ｋＨｚの超音波のみを作用させなが
ら５分間のリンス洗浄を行なった後にＩＰＡ乾燥装置４
０で乾燥させ、各１０枚単位の基板の５枚について鏡面
上のパーティクルを測定し、その平均値を求めた。パー
ティクルの測定は、パーティクルカウンター（ＬＳ−６
０３０）により粒子径が０．１８μｍ以上のものを計数
してその平均値を採用した。その試験条件と試験結果は
表１に示される。
【００５６】
【表１】
【００５７】結果として、電圧印加による純水洗浄と、
更にこれに超音波を作用させることによって、パーティ
クルは減少しているが、満足すべき水準の３桁以下まで
には到達できなかった。
更にこれに超音波を作用させることによって、パーティ
クルは減少しているが、満足すべき水準の３桁以下まで
には到達できなかった。
【００５８】また、前記各種条件による酸洗浄を終え、
リンス洗浄して乾燥された１０枚単位の基板の残り５枚
について、その表面不純物を分析し、その平均値を求め
た。表面不純物の分析は、各基板の鏡面側を希弗酸で洗
浄した液について、ＩＣＰ質量分析法により行なった。
表１に、その代表的な不純物であるＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅに
ついての分析結果が示されている。同表におけるＮ．
Ｄ．は、Ｅ８（１０8 ）以下の、検出限界とされる表面
不純物濃度に相当する。結果として、実施例１−（１〜
４）は、従来のＳＣ−２で洗浄（比較例１−１）相当
か、それ以上の効果が得られており、また純水のみ（比
較例１−２）と比べ、著しい洗浄効果が認められる。
リンス洗浄して乾燥された１０枚単位の基板の残り５枚
について、その表面不純物を分析し、その平均値を求め
た。表面不純物の分析は、各基板の鏡面側を希弗酸で洗
浄した液について、ＩＣＰ質量分析法により行なった。
表１に、その代表的な不純物であるＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅに
ついての分析結果が示されている。同表におけるＮ．
Ｄ．は、Ｅ８（１０8 ）以下の、検出限界とされる表面
不純物濃度に相当する。結果として、実施例１−（１〜
４）は、従来のＳＣ−２で洗浄（比較例１−１）相当
か、それ以上の効果が得られており、また純水のみ（比
較例１−２）と比べ、著しい洗浄効果が認められる。
【００５９】［実施例２］実施例１で使用の鏡面ウエ−
ハを使用し、図３（ａ）、（ｂ）に示す装置によって、
以下に記す条件設定以外は実施例１の場合と同様の手順
によって１次処理試験を行なった。すなわち、同装置に
おける洗浄槽は石英製とし、アノード電極板とカソード
電極板は共に、チタニウム薄板に直径２ｍｍの穴を多
数、３ｍｍ間隔のピッチで打ち抜いて白金でメッキした
ものを使用した。隔壁となるＨ+ イオン交換膜（デュポ
ン社製：Ｎ−１１７／Ｈ+ ）に、前記のアノード電極板
とカソード電極板をサンドイッチ状に挟んで密着させた
２組の成形体によって、洗浄槽をアノード室とカソード
室とに区画し、この際、アノード室におけるアノード電
極板の間隔は２４０ｍｍに設定した。
ハを使用し、図３（ａ）、（ｂ）に示す装置によって、
以下に記す条件設定以外は実施例１の場合と同様の手順
によって１次処理試験を行なった。すなわち、同装置に
おける洗浄槽は石英製とし、アノード電極板とカソード
電極板は共に、チタニウム薄板に直径２ｍｍの穴を多
数、３ｍｍ間隔のピッチで打ち抜いて白金でメッキした
ものを使用した。隔壁となるＨ+ イオン交換膜（デュポ
ン社製：Ｎ−１１７／Ｈ+ ）に、前記のアノード電極板
とカソード電極板をサンドイッチ状に挟んで密着させた
２組の成形体によって、洗浄槽をアノード室とカソード
室とに区画し、この際、アノード室におけるアノード電
極板の間隔は２４０ｍｍに設定した。
【００６０】この洗浄装置について、アノード室とカソ
ード室それぞれに純水を通しながらアノード電極板とカ
ソード電極板との間に直流電圧を印加したところ、９．
２Ｖで４０Ａ、１０．８Ｖで５０Ａ、１２．２Ｖで６０
Ａ、１３．９Ｖで８０Ａの電流が流れ、電気分解による
Ｏ2 とＨ2 ガスの発生が観察され、カソード室内のｐＨ
は６〜４になると共に、酸化還元電位（Oxidation-Redu
ction Potential;ＯＲＰ）は最高で１１００ｍＶまで上
昇することが測定された。この洗浄装置について、アノ
ード室とカソード室に約２．５ＭΩ・ｃｍの純水を通し
ながら、アノード室における電解をしていない純水の場
合と、印加電圧１２Ｖで６０Ａの電流設定をした状態に
おけるＨ+ イオン水の金属不純物レベルを調べたとこ
ろ、図５に示すような結果が得られた。それによれば、
電解水における金属不純物のレベルは全般的に低下する
傾向にあることが解る。そこで、実施例１の場合と同じ
鏡面ウエ−ハで、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌの各５
元素により汚染されたものについて、汚染の初期濃度を
基準とし、各種の洗浄条件による洗浄効果の試験を行な
った。
ード室それぞれに純水を通しながらアノード電極板とカ
ソード電極板との間に直流電圧を印加したところ、９．
２Ｖで４０Ａ、１０．８Ｖで５０Ａ、１２．２Ｖで６０
Ａ、１３．９Ｖで８０Ａの電流が流れ、電気分解による
Ｏ2 とＨ2 ガスの発生が観察され、カソード室内のｐＨ
は６〜４になると共に、酸化還元電位（Oxidation-Redu
ction Potential;ＯＲＰ）は最高で１１００ｍＶまで上
昇することが測定された。この洗浄装置について、アノ
ード室とカソード室に約２．５ＭΩ・ｃｍの純水を通し
ながら、アノード室における電解をしていない純水の場
合と、印加電圧１２Ｖで６０Ａの電流設定をした状態に
おけるＨ+ イオン水の金属不純物レベルを調べたとこ
ろ、図５に示すような結果が得られた。それによれば、
電解水における金属不純物のレベルは全般的に低下する
傾向にあることが解る。そこで、実施例１の場合と同じ
鏡面ウエ−ハで、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌの各５
元素により汚染されたものについて、汚染の初期濃度を
基準とし、各種の洗浄条件による洗浄効果の試験を行な
った。
【００６１】すなわち、カソード室には約２．５ＭΩ・
ｃｍの純水を通しながら、アノード室にウエ−ハを装填
し、同室内の洗浄液について、次の各種条件による処理
を行なった。 比較例２−１：弗酸（１０3 ｐｐｍ添加）水溶液のみに
よる 実施例２−１：印加電圧１８Ｖ／６０Ａの電流設定時に
おけるＨ+ イオン水 実施例２−２：実施例２−１のＨ+ イオン水→弗酸（１
０3 ｐｐｍ添加）水溶液洗浄 実施例２−３：弗酸（１０3 ｐｐｍ添加）水溶液洗浄→
実施例２−１のＨ+ イオン水 実施例２−４：実施例２−１のＨ+ イオン水に８００ｋ
Ｈｚの超音波を作用させる
ｃｍの純水を通しながら、アノード室にウエ−ハを装填
し、同室内の洗浄液について、次の各種条件による処理
を行なった。 比較例２−１：弗酸（１０3 ｐｐｍ添加）水溶液のみに
よる 実施例２−１：印加電圧１８Ｖ／６０Ａの電流設定時に
おけるＨ+ イオン水 実施例２−２：実施例２−１のＨ+ イオン水→弗酸（１
０3 ｐｐｍ添加）水溶液洗浄 実施例２−３：弗酸（１０3 ｐｐｍ添加）水溶液洗浄→
実施例２−１のＨ+ イオン水 実施例２−４：実施例２−１のＨ+ イオン水に８００ｋ
Ｈｚの超音波を作用させる
【００６２】これらの処理を施されたウエ−ハについ
て、所定のリンス洗浄と乾燥を行なった後、ウエ−ハ表
面を希弗酸で洗浄し、その洗浄液についてＩＣＰ質量分
析法によりＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌ等の金属不純
物分析を行ない金属汚染物除去の効果を調べた。その結
果は図６〜１０で示されるように、何れの場合も従来法
（比較例２−１）の弗酸洗浄と同等であるか、それに近
い水準にあって、ウエ−ハの初期（汚染）濃度に対して
著しい洗浄の効果が認められた。
て、所定のリンス洗浄と乾燥を行なった後、ウエ−ハ表
面を希弗酸で洗浄し、その洗浄液についてＩＣＰ質量分
析法によりＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌ等の金属不純
物分析を行ない金属汚染物除去の効果を調べた。その結
果は図６〜１０で示されるように、何れの場合も従来法
（比較例２−１）の弗酸洗浄と同等であるか、それに近
い水準にあって、ウエ−ハの初期（汚染）濃度に対して
著しい洗浄の効果が認められた。
【００６３】［実施例３］前記の実施例１における６組
の試験条件によって処理された１０枚単位のウエーハの
うち、パーテイクル測定を行なった各組５枚単位のウエ
ーハについて、アルカリ洗浄の効果を試験した。試験は
同じく、図１（ａ）、（ｂ）の洗浄装置により、実施例
１の場合のアノード電極板とカソード電極板について、
印加させる直流電圧の正負を逆とする以外は、実施例１
の場合と同一の条件で試験を行なった。その結果は表２
に示される通りで、本発明の実施例３−（１〜４）で
は、比較例３−１における従来のＳＣ−１洗浄と同等
か、それ以上のパーティクル除去効果が得られており、
また純水のみの比較例３−２と比べると著しい洗浄効果
が認められる。
の試験条件によって処理された１０枚単位のウエーハの
うち、パーテイクル測定を行なった各組５枚単位のウエ
ーハについて、アルカリ洗浄の効果を試験した。試験は
同じく、図１（ａ）、（ｂ）の洗浄装置により、実施例
１の場合のアノード電極板とカソード電極板について、
印加させる直流電圧の正負を逆とする以外は、実施例１
の場合と同一の条件で試験を行なった。その結果は表２
に示される通りで、本発明の実施例３−（１〜４）で
は、比較例３−１における従来のＳＣ−１洗浄と同等
か、それ以上のパーティクル除去効果が得られており、
また純水のみの比較例３−２と比べると著しい洗浄効果
が認められる。
【００６４】
【表２】
【００６５】
【発明の効果】本発明によれば、従来の酸薬液あるいは
アルカリ薬液による洗浄を、電解状態の純水のみで洗浄
することができ、薬品等の使用が省略できると共に、強
アルカリを使用することによるＣＯＰのような結晶欠陥
の発生も抑制が可能となる。このような純水洗浄は、純
水をイオン交換装置等により再生することを容易にし、
その循環利用を可能とする。また薬液等の使用による洗
浄後の次工程で、従来、必要とされた純水による数段の
リンス洗浄工程を省略することができ、しかも薬品の使
用による産業廃水処理について、その一部を不要にする
か、あるいはその規模を大幅に簡略化することができ、
設備費や労務費等の大幅な節減を可能とする。
アルカリ薬液による洗浄を、電解状態の純水のみで洗浄
することができ、薬品等の使用が省略できると共に、強
アルカリを使用することによるＣＯＰのような結晶欠陥
の発生も抑制が可能となる。このような純水洗浄は、純
水をイオン交換装置等により再生することを容易にし、
その循環利用を可能とする。また薬液等の使用による洗
浄後の次工程で、従来、必要とされた純水による数段の
リンス洗浄工程を省略することができ、しかも薬品の使
用による産業廃水処理について、その一部を不要にする
か、あるいはその規模を大幅に簡略化することができ、
設備費や労務費等の大幅な節減を可能とする。
【図１】本発明の第１および第３実施例になる基板の洗
浄装置の要部を示す説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）
側面図である。
浄装置の要部を示す説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）
側面図である。
【図２】純水に超音波を作用させた時の比抵抗の変動を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の第２実施例になる基板の洗浄装置の要
部を示す説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）側面図であ
る。
部を示す説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）側面図であ
る。
【図４】図４（ａ）は、本発明の基板の洗浄工程を説明
する図で、図４（ｂ）は図４（ａ）とは異なる洗浄工程
を説明する図である。
する図で、図４（ｂ）は図４（ａ）とは異なる洗浄工程
を説明する図である。
【図５】本発明の洗浄装置による初期純水とＨ+ イオン
水の金属不純物濃度を示したグラフである。
水の金属不純物濃度を示したグラフである。
【図６】各洗浄液による洗浄部の、ウエーハ表面におけ
るＣｕ不純物濃度を示したグラフである。
るＣｕ不純物濃度を示したグラフである。
【図７】各洗浄液による洗浄部の、ウエーハ表面におけ
るＦｅ不純物濃度を示したグラフである。
るＦｅ不純物濃度を示したグラフである。
【図８】各洗浄液による洗浄部の、ウエーハ表面におけ
るＮｉ不純物濃度を示したグラフである。
るＮｉ不純物濃度を示したグラフである。
【図９】各洗浄液による洗浄部の、ウエーハ表面におけ
るＺｎ不純物濃度を示したグラフである。
るＺｎ不純物濃度を示したグラフである。
【図１０】各洗浄液による洗浄部の、ウエーハ表面にお
けるＡｌ不純物濃度を示したグラフである。
けるＡｌ不純物濃度を示したグラフである。
１，１’ 洗浄装置 ９ 把持具 ２ 洗浄槽 １０ （純水供給用の）配管 ３ アノード室 １１ 流量調節弁 ４ カソード室 １２，１２’，３１ 超音波発
振器 ５，５’ 隔壁 ３０ リンス洗浄装置 ６ 中空の流路 ４０ 乾燥装置 ７ アノード電極板 Ｗ 基板 ８ カソード電極板
振器 ５，５’ 隔壁 ３０ リンス洗浄装置 ６ 中空の流路 ４０ 乾燥装置 ７ アノード電極板 Ｗ 基板 ８ カソード電極板
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｇ (72)発明者 三浦 昭一 東京都千代田区丸の内１丁目４番２号 信 越半導体株式会社本社内 (72)発明者 原田 康之 東京都府中市府中町２−１−14 京王府中 ２丁目ビル 株式会社プレテック内
Claims (19)
- 【請求項１】 方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物とし
ての半導体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄
装置であって、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるア
ノード室と、その両側に設けられる２組のカソード室と
で構成されるべく、中空の流路が形成された２組のＨ+
イオン交換膜にてなる隔壁によって区画し、前記アノー
ド室における、前記被洗浄物と対面する両側のＨ+ イオ
ン交換膜よりなる隔壁の表面にアノード電極板を固着さ
せるとともに、前記カソード室における該隔壁の表面
で、かつ該隔壁を介して前記アノード電極板と対向する
位置には、該アノード電極板とほぼ同一面積のカソード
電極板を固着させてなることを特徴とする半導体基板の
洗浄装置。 - 【請求項２】 超音波発振器を前記アノード室の底部に
配設することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板
の洗浄装置。 - 【請求項３】 方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物とし
ての半導体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄
装置であって、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるア
ノード室と、その両側に設けられる２組のカソード室と
で構成されるべく、２組のＨ+ イオン交換膜にてなる隔
壁によって区画し、前記アノード室における、前記被洗
浄物と対面する両側のＨ+ イオン交換膜よりなる隔壁の
表面にアノード電極板を固着させるとともに、前記カソ
ード室における該隔壁の表面で、かつ該隔壁を介して前
記アノード電極板と対向する位置には、該アノード電極
板とほぼ同一面積のカソード電極板を固着させてなるこ
とを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - 【請求項４】 超音波発振器を前記アノード室の底部に
配設することを特徴とする請求項３に記載の半導体基板
の洗浄装置。 - 【請求項５】 前記アノード電極板およびカソード電極
板が多孔板からなることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれかに記載の半導体基板の洗浄装置。 - 【請求項６】 方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物とし
ての半導体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄
方法であって、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるア
ノード室と、その両側に設けられる２組のカソード室と
で構成されるべく、中空の流路が形成された２組のＨ+
イオン交換膜にてなる隔壁によって区画し、前記アノー
ド室における、前記被洗浄物と対面する両側のＨ+ イオ
ン交換膜よりなる隔壁の表面にアノード電極板を固着さ
せるとともに、前記カソード室における該隔壁の表面
で、かつ該隔壁を介して前記アノード電極板と対向する
位置には、該アノード電極板とほぼ同一面積のカソード
電極板を固着させた半導体基板の洗浄装置において、前
記洗浄槽のアノード室と、２組のカソード室と、２組の
Ｈ+ イオン交換膜にてなる隔壁の中空の流路それぞれの
底部より純水を供給し、前記被洗浄物を純水中に浸漬さ
せた状態で、それぞれの純水を洗浄槽の上部より排出さ
せながら、前記アノード電極板とカソード電極板の正負
両極間に直流電圧を印加することを特徴とする半導体基
板の洗浄方法。 - 【請求項７】 前記アノード電極板とカソード電極板の
正負両極間に直流電圧を印加しつつ、同時に被洗浄物に
対して、アノード室の底部に配設された超音波発振器よ
り発振される超音波を作用させることを特徴とする請求
項６に記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項８】 方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物とし
ての半導体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄
方法であって、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるア
ノード室と、その両側に設けられる２組のカソード室と
で構成されるべく２組のＨ+ イオン交換膜にてなる隔壁
によって区画し、前記アノード室における、前記被洗浄
物と対面する両側のＨ+ イオン交換膜よりなる隔壁の表
面にアノード電極板を固着させるとともに、前記カソー
ド室における該隔壁の表面で、かつ該隔壁を介して前記
アノード電極板と対向する位置には、該アノード電極板
とほぼ同一面積のカソード電極板を固着させた半導体基
板の洗浄装置において、前記洗浄槽のアノード室と、２
組のカソード室それぞれの底部より純水を供給し、前記
被洗浄物を純水中に浸漬させた状態で、それぞれの純水
を洗浄槽の上部より排出させながら、前記アノード電極
板とカソード電極板の正負両極間に直流電圧を印加する
ことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項９】 前記アノード電極板とカソード電極板の
正負両極間に直流電圧を印加しつつ、同時に被洗浄物に
対して、アノード室の底部に配設された超音波発振器よ
り発振される超音波を作用させることを特徴とする請求
項８に記載の半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項１０】 請求項６に記載の半導体基板の洗浄方
法において、その洗浄工程の前または後に、アノード電
極板をカソード電極板に、カソード電極板をアノード電
極板に切り替える工程を付加したことを特徴とする半導
体基板の洗浄方法。 - 【請求項１１】 請求項７に記載の半導体基板の洗浄方
法において、その洗浄工程の前または後に、アノード電
極板をカソード電極板に、カソード電極板をアノード電
極板に切り替える工程を付加したことを特徴とする半導
体基板の洗浄方法。 - 【請求項１２】 請求項６に記載の半導体基板の洗浄方
法において、その洗浄工程の前または後に、アノード電
極板をカソード電極板に、カソード電極板をアノード電
極板に切り替え、かつ超音波を同時に作用させる工程を
付加したことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項１３】 請求項７に記載の半導体基板の洗浄方
法において、その洗浄工程の前または後に、アノード電
極板をカソード電極板に、カソード電極板をアノード電
極板に切り替えると同時に、超音波の作用を停止する工
程を付加したことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項１４】 請求項８に記載の半導体基板の洗浄方
法において、その洗浄工程の前または後に、アノード電
極板をカソード電極板に、カソード電極板をアノード電
極板に切り替える工程を付加したことを特徴とする半導
体基板の洗浄方法。 - 【請求項１５】 請求項９に記載の半導体基板の洗浄方
法において、その洗浄工程の前または後に、アノード電
極板をカソード電極板に、カソード電極板をアノード電
極板に切り替える工程を付加したことを特徴とする半導
体基板の洗浄方法。 - 【請求項１６】 請求項８に記載の半導体基板の洗浄方
法において、その洗浄工程の前または後に、アノード電
極板をカソード電極板に、カソード電極板をアノード電
極板に切り替え、かつ超音波を同時に作用させる工程を
付加したことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項１７】 請求項９に記載の半導体基板の洗浄方
法において、その洗浄工程の前または後に、アノード電
極板をカソード電極板に、カソード電極板をアノード電
極板に切り替えると同時に、超音波の作用を停止する工
程を付加したことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項１８】 単一の洗浄装置を使用し、電極板に印
加される正または負の直流電圧の極方向を切り替える半
導体基板の洗浄方法において、その切り替えを、それぞ
れの電極板に対する正負の極方向を逆とする２組の装置
に分離した洗浄装置を使用して行うことを特徴とする請
求項１０〜１７のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方
法。 - 【請求項１９】 洗浄の際に被洗浄物に作用させる超音
波は、５００ｋＨｚ以上で３ＭＨｚ以下の範囲であるこ
とを特徴とする請求項７、９、１１、１２、１３、１
５、１６、１７、１８のいずれかに記載の半導体基板の
洗浄方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7295256A JP2832173B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-11-14 | 半導体基板の洗浄装置および洗浄方法 |
| TW085105673A TW305053B (ja) | 1995-05-31 | 1996-05-14 | |
| MYPI96001835A MY120500A (en) | 1995-05-31 | 1996-05-15 | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers. |
| US08/648,696 US5733434A (en) | 1995-05-31 | 1996-05-16 | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
| DE69636426T DE69636426T2 (de) | 1995-05-31 | 1996-05-28 | Verfahren zur Reinigung von halbleitenden Wafern |
| EP96108420A EP0750334B1 (en) | 1995-05-31 | 1996-05-28 | Method for cleaning semiconductor wafers |
| KR1019960018857A KR100441803B1 (ko) | 1995-05-31 | 1996-05-30 | 반도체웨이퍼의세정방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13357095 | 1995-05-31 | ||
| JP7-133570 | 1995-05-31 | ||
| JP7295256A JP2832173B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-11-14 | 半導体基板の洗浄装置および洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950977A true JPH0950977A (ja) | 1997-02-18 |
| JP2832173B2 JP2832173B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=26467894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7295256A Expired - Fee Related JP2832173B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-11-14 | 半導体基板の洗浄装置および洗浄方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5733434A (ja) |
| EP (1) | EP0750334B1 (ja) |
| JP (1) | JP2832173B2 (ja) |
| KR (1) | KR100441803B1 (ja) |
| DE (1) | DE69636426T2 (ja) |
| MY (1) | MY120500A (ja) |
| TW (1) | TW305053B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2830733B2 (ja) * | 1994-03-25 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 電解水生成方法および電解水生成機構 |
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-
1995
- 1995-11-14 JP JP7295256A patent/JP2832173B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-05-14 TW TW085105673A patent/TW305053B/zh active
- 1996-05-15 MY MYPI96001835A patent/MY120500A/en unknown
- 1996-05-16 US US08/648,696 patent/US5733434A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-28 DE DE69636426T patent/DE69636426T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-28 EP EP96108420A patent/EP0750334B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-30 KR KR1019960018857A patent/KR100441803B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69636426D1 (de) | 2006-09-21 |
| EP0750334A3 (en) | 1998-03-11 |
| MY120500A (en) | 2005-11-30 |
| US5733434A (en) | 1998-03-31 |
| TW305053B (ja) | 1997-05-11 |
| KR100441803B1 (ko) | 2004-10-22 |
| EP0750334B1 (en) | 2006-08-09 |
| JP2832173B2 (ja) | 1998-12-02 |
| DE69636426T2 (de) | 2007-05-03 |
| EP0750334A2 (en) | 1996-12-27 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100925 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100925 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110925 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |