TW305053B

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Publication number: TW305053B
Application number: TW085105673A
Authority: TW
Original assignee: Shinetsu Handotai Kk; Preteck Kk
Priority date: 1995-05-31
Filing date: 1996-05-14
Publication date: 1997-05-11
Also published as: US5733434A; EP0750334A2; KR100441803B1; DE69636426D1; MY120500A; JP2832173B2; JPH0950977A; EP0750334B1; DE69636426T2; EP0750334A3

Description

經濟部中央標準局员工消費合作社印裴 A7 B7五、發明説明（1 ) 明背景賫料本發明是有關於一種清潔半導體晶圆的裝置及使用彼來清潔半導髗晶園的方法。本發明更特別和一種在其製程中或在使用晶圃作基材之半導體元件的製程中能有效地產生非常可靠之清潔效果的半導體晶園-比如單晶矽園-濕式方法所用之清潔裝置有關，以及與使用該裝置來清潔半導體晶園的方法有關。如眾所周知的，各種不同半導體元件的整合度正逐年朝著極高的稹集度增加。隨著該趙勢而來的是，使製造半導體元件之工作環境保持有非常高的清潔條件，以及還有確保作爲半導體元件基本材料之半導體晶圓有高的清淨度也就越來越重要了。就此而言，則一項不可或缺的製程是所有的半導體晶圓都要作清潔處理，其目的是要將稱作微粒的微小粒狀物體及汙染物-比如金屬雜質'有機物質、因自發或自然氧化及連同改良表面平坦程度之另外效應的吸附所形成的表面膜-的任何異物移除掉以便可減少由其引發的問題和增加半導體元件製程中產品的良率和改良元件效能的可靠性〇雖然在此之前已有各種不同的提案及嘗試來對半導體晶園作清潔處理，但實際上最爲人廣泛使用的方法是所謂的RCA清潔方法-由美國RCA企業的W .Kern等人在I960年代發展出來的。典型的RCA方法順序包括二或三道步驟，這包括第一步使用SC-1(RCA標準清潔液-1)清潔液-彼爲氨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’裝. -* 本紙張尺度通用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央標準局負工消費合作社印製 305053五、發明説明（2 ) 水與過氧化氳（NH4〇H/H2〇2/H2〇)的水溶液-來將微粒及有機物質移除掉，以及第二個步驟是使用SC-2清潔液-彼爲氣化氫及過氧化氫的水溶液（HCl/H2〇2/H2〇)_來將金屬汙染物移除掉，並可在SC-ι及SC-2清潔處理當中選擇性插入使用DHF(經稀釋的氟化氫）清潔液-彼爲氟化氫的水溶液（ HF/H2〇)_來將SC-1清潔處理所形成的表面膜’移除掉。吾人了解上述RCA方法中用以移除微粒及有機物質之SC-1清潔液的有效性是藉由其中之氨水成份的鈾刻活性來得到的 0 另一方面，吾人還知道以CzQchralski方法獏得之半導體矽單晶棒在本質上含有稱作最初成長（as-grown)缺陷的結晶缺陷-彼等是在長晶製程中加入的。當對含有這類出現在其表面之最初成長缺陷的矽晶園作蝕刻處理時’在結晶缺陷附近處或之內的蝕刻速率會比在不含這類結晶缺陷之表面區域者要快，所以沿著整個表面所進行的蝕刻就不是均一的，而是選擇性地在包括結晶缺陷區域上會不可避免地造成稱作"凹痕"的微小孔洞形成。矽晶園表面有上述凹痕發生時會在矽晶園作清潔處理時對微粒的控制造成嚴重問題。由於澱稹在晶画表面上的微粒數目通常是以微粒計數器-彼是在以富射光束對晶園表面掃描時，計數會散射光線之亮點數目的設備-來計數，換言之，凹痕也會成爲雷射光束的散射位置，以及微粒計數器會因超過確實微粒數目之作爲正向位移的凹痕所引起的亮點。會使微粒計數器計數到之微粒數目有錯誤增加本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） c (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 305053 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印51 五、發明説明（3) 的凹痕被稱作C0P(起因於結晶的微粒，crystal-or igi na-ted particle) 0 鼸著晶園表面有COP存在而伴鼸發生的問題在於半導體元件上之柵極（gate)氧化膜的電擊穿特性會因此而退化，隨著近年來半導《技術是朝著使半導體元件有越來越高的積集度，於是對在晶園表面有C0P生成-這'在先前技術中被認爲是相當無關緊要的問題-的因應措施就必須加以考慮。 RCA方法中使用的清潔液也並非就沒有問題。比如，若和酸性清潔液相比，除了會與氨形成錯合物的金靥元素元素-比如銅-以外，SC-1清潔液在金屬雜質的移除上就不是那麼地有效。另一方面，SC-2清潔液對金靥雜質有極佳的清潔效應，只是對微粒及有機物質就不是那麽有效。使用SC-2清潔液的一個問題是其中所含的過氧化氫具有氧化活性，以致因此在晶園表面上會有矽的氧化表面膜形成，於是當金屬雜質澳度很高時，其有效性就被認爲會降低〇使用上述清潔液的半導體晶圖清潔方法在其應用性上於是會受到限制，因爲在半導體元件製程所採用的清潔工作中，清潔液可能會攻擊曝露在外由像鋁之金屬製成的電路零件和使金屬零件溶解掉，或者清潔液可能會經由空隙或針孔滲入來攻擊嵌於兩個相鄰層中之膜的金屬零件而導致嚴重的腐蝕問題。總地來講，包括典型方法之RCA方法的各個傅統半導 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 305033 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製五、發明説明（4 ) 髏晶圈清潔方法除了因個別清潔液所含化學物質的本身問題之外，都有須依序使用幾種不同清潔液的清潔方法步驟，於是將不可避免地很冗長且須用到供個別清潔液使用的多重階段清潔裝置而很麻煩的問題。不用說，以數個連績步驟來進行的半導髓晶園清潔處理是很不利的，這不只是因爲須在設備和高的勞動運轉成本，及在包括化學物質及純水或去離子水等之上要有大量的投資，還因爲牽涉到與廢水及清潔方法中大量排出之用完清潔液相關的環境汙染問題。因此希望發展一種矽晶的清潔方法，其中所用的清潔液容稹要儘可能地達到最小，或者如有可能的話希望發展出一種不使用清潔液的方法。到目前爲止有許多提案及嘗試是朝該方向進行。 Λ 舉例來說，日本專利6-260480說明一種半導體晶園的清潔設備及方法，依據該專利，在其中有兩個以透氣隔膜隔開之隔室的電解槽中，分別在各個隔室中提供陰極棒和陽極棒，在持績將含有電解質以增進電解質效率的水加進各個陰極及陽極隔室中，以及在來自個別隔室之含離子的排出液被導入兩個個別安裝的處理槽中-半導體晶園是在此進行清潔處理-之下，可分別在陰極及陽極隔室中製備含羥基離子（OH_〉的水及含氫離子（ίΤ)的水。雖然以含羥基離子之水進行的清潔處理被認爲相等於 RCA方法中以SC- 1清潔液進行的清潔處理，上述的曰本專利文件所定位的羥基離子角色包括使受氫離子處理而活化的鋁表面安定下來及將進行完磨光或平面化方法後殘留在 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -訂本紙張尺度適用中國國家樣隼（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐）經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ΕΊ_五、發明説明（5 ) 表面的膠態矽微粒移除掉，但有關sc-l清潔液所通常揸長的微粒移除及在RCA方法所無法提供任何有效改良之COP的因應措施的正面意義就未提及。然而依據上述同一篇的日本專利文件，該方法有幾個嚴重問題有待解決，這包括因爲在陰極和陽極之間使用非常高的直流電壓-可高到1〇3至1〇4伏特/公分'-所發生的極大危險，以及在防止由電解榷出來之個別排出液的羥基和氫離子有效濃度降低或在控制範園內時所遭遇到的困難，因爲個別隔室所製造的羥基離子和氬離子爲不穩定的離子，所以含離子的水有時會在排出液到達分開安裝的個別處理槽之前就在一瞬間變回中性的水。本發明概要因此本發明的一個目標是要提供一種新穎且改良的裝置，以及一種使用該裝置來對半導體晶画作清潔處理的改良方法，藉此則上述俥統裝置及方法的問題將可在零缺點下獲得解決。於是，依據本發明第一點之半導體晶園清潔處理裝置包含有： (a) —個含有用以對半導髏晶圓作清潔用之含水媒質的長方形水槽-彼是將半導體晶B以實質上垂直擺放的工作片‘固定在其中央部份，該長方形水槽沿著縱軸方向被分隔成中央的陽極隔室和一對在陽極隔室兩旁的陰極隔室： (b) —對分別將陽極隔室及其中一個陰極隔室分隔開 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 3G5053 A7 B7 經濟部中央標华局貝工消費合作社印製五、發明説明（6 ) 來的隔板，各個隔板是由一組氫離子交換隔膜形成-其中 —個隔膜面對陽極隔室，以及另一個隔膜是面對陰極隔室 -以便在其間形成流動通路： (c) —對陽極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陽極隔室的表面：以及 (d) —對除極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陰極隔室表面上大約正對陽極板子的地方。依據本發明第二點之半導體晶園清潔處理裝置包含有 (a) —個含有用以對半導體晶国作清潔用之含水媒質的長方形水槽-彼是將半導體晶園以實質上垂直擺放的工作片固定在其中央部份，該長方形水槽沿著縱軸方向被分隔成中央的陽極隔室和一對在陽極隔室兩旁的陰極隔室： (b) —對分別將陽極隔室及其中一個陰極隔室分隔開來的隔板； (c) 一對陽極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陽極隔室的表面；以及 (d) —對陰極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陰極隔室表面上大約正對陽極板子的地方。上面依據本發明第一點及第二點定義的各個裝置較宜在陽極隔室的底部有提供一個超音波振動器，如此則清潔處理的效率可藉著對陽極隔室的清潔媒質施以超音波而獲得大幅改善。使用上面定義之本發明裝置來對半導體晶園作淸潔處 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度遑用中國國家標準（0呢）六4規格（210乂 297公釐> .9 - 經濟部中央標準局員工消#合作杜印裂 Μ ____Β7 五、發明説明（7) 理的本發明方法包含以下幾個步驟： U)使半導體晶圖以實質上垂直擺放方式來固定在陽極隔室中： (b) 持績地由各個陽極隔室、陰極隔室、及在第一點的裝置中於一對離子交換隔膜之間形成的流動通路之底部將純水加入其中； (c) 持績地由各個陽極隔室、陰極隔室、及在第一點的裝置中於一對離子交換隔膜之間形成的流動通路之頂端將純水排掉； (d) 對陽極板子及陰極板子之間施以直流電Μ :以及可選擇性地， (e) 對陽極隔室內的純水施以超音波。附圖扼要說明圚1 A及1B分別.是以圖解說明依據第一點之本發明裝置的平面圖及側視圖。圖2是純水以超音波持績使用期間爲函數下於不同頻率超音波場內的電阻係數圖。圚3 A及3 B分別是以圖解說明依據第二點之本發明裝置的平面圖及側視圖。隔板是以横截面來表示。圚4 A爲使用本發明單一裝置及乾燥方法之清潔方法的圇示流程圖，而圖4B是使用本發明裝置的整個清潔方法及接著是在潤濕裝置中之後績處理的圖示流程圖。圖5顯示由本發明裝置取得之起始純水中、含氫離子本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4規格（210乂297公釐）~~. in - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· -'6 經濟部中央標準局貝工消費合作.社印聚 305053 A7 ___B7_五、發明説明（8) 水中及含羥基離子水中的各種不同金屬雜質的濃度圖。圖6A、6B、6C、6D及6E分別是銅、鐵、鎳、鋅及鋁成爲矽晶圓表面上雜質之下在經過各種處理後的密度圖。較佳體系的詳細說明如前面所敘述的，在各種不同體系中用以對半導體晶 81作清潔處理的本發明裝置可歸類爲依據本發明第一點者及依據本發明第二點者。依據本發明第一點的本發明裝置包含有： (a) —個含有用以對半導體晶圓作清潔用之含水媒質的長方形水槽-彼是將半導體晶園以實質上垂直擺放的工作片固定在其中央部份，該長方形水槽沿著縱軸方向被分隔成中央的隱極隔室和一對在陽極隔室兩旁的陰極隔室： (b) —對分別將陽極隔室及其中一個陰極隔室分隔開來的隔板，各個隔板是由一組氬離子交換隔膜形成-其中一個隔膜面對陽極隔室，以及另一個隔膜是面對陰極隔室 -以便在其間形成流動通路； (c) 一對陽極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陽極隔室的表面：以及 (d) —對陰極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陰極隔室表面上大約正對陽極板子的地方，各個陽極及陰極板子具有大體上相等的面稹。較宜在陽極隔室的底部提供一個超音波振動器，如此清潔處理的效果可藉由對陽極隔室中之清潔媒質施以超音 --；---.----1裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家橾半（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印裝 305053__B7_五、發明説明（9) 波而獲得大幅改善。依據本發明第二點的本發明裝置包含有： (a) —個含有用以對半導體晶園作清潔用之含水媒質的長方形水槽-彼是將半導禮晶圓以實質上垂直擺放的工作片固定在其中央部份，該長方形水槽沿著縱軸方向被分隔成中央的陽極隔室和一對在陽極隔室兩旁的陰極隔室： (b) —對分別將陽極隔室及其中一個陰極隔室分隔開來的隔板： (c) —對陽極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陽極隔室的表面：以及 (d) —對陰極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陰極隔室表面上大約正對陽極板子的地方。也可在依據本發明第二點裝置的陽極隔室底部提供一個超音波振動器，如此清潔處理的效果可藉由對陽極隔室中之清潔媒質施以超音波而獲得大幅改善。最好有對上述本發明裝置體系中之各個陽極板子及陰極板子提供具有大置孔洞的平板。使用上述依據本發明第一點之裝置來對半導體晶圆作清潔處理用的本發明方法包含以下的步驟： (a) 使半導體晶圓以資質上垂直擺放方式來固定在陽極隔室中： (b) 持績地由各個陽極隔室、陰極隔室、及在第一點的裝置中於一對離子交換隔膜之間形成的流動通路之底部將純水加入其中：本紙張尺度通用中國國家揉準（CNS) Μ規格（210X297公釐）-12 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

3G5Go3 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ___B7_五、發明説明（10) (c) 持績地由各個陽極隔室、陰極隔室、及在第一點的裝置中於一對離子交換隔膜之間形成的流動通路之頂端將純水排掉； (d) 對陽極板子及陰極板子之間施以直流電壓。使用上述依據本發明第二點之裝置來對半導體晶園作清潔處理用的本發明方法包含以下的步踝：' (a) 半導髏晶圓以實質上垂直擺放方式來固定在陽極隔室中； (b) 持績地由各個陽極隔室及陰極隔室的底部將水加入其中： (c) 持績地由各個陽極隔室及陰極隔室的頂端將純水排掉： (d) 在陽極板子及陰極板子之間施以直流電壓。底下將參考附圖來將對半導體晶圓作清潔處理的本發明裝置及方法作進一步的說明。附圚中的圚1 A及1 B分別是依據第一點之本發明裝置1 的平面及側面圖示。裝置的本體2是具有長方形平行六面體-其中至少其內表面層是由絕對不會使任何雜質浸出進入屬於離子化狀態之純水中的熔融石英玻璃材料所形成-形式之向上開口的盒狀水槽。當然，本體2可選澤性地由像不銹鋼的耐腐蝕材料製成，以及其內表面是以不會使雜質浸出的材料當襯裡。以一對隔板5 , 5 -彼等分別是由一對以相對且平行擺放來在其中形成流動通路6的氫離子交換隔膜5A,5B製成- -13 - 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .叫装·

*1T Τ 3ΰ5053 經濟部中央標準局员工消費合作杜印¾ Α7 Β7五、發明説明（11) 來將裝置1之長方形盒狀水槽2分隔成陽極隔室3和在陽極 % 隔室兩旁的一對陰極隔室4,4。於道些圖形說明的體系中，離子交換隔膜5A及5B被整合成有點像在其中有狹窄空間 6的卡片盒形式。一對陽極板子7, 7分別接在一個氫離子交換隔膜5A,5A中面對陽極隔室3之表面上大約是水槽2中央高度的地方，以便與帶有固定器9之陽極隔室3所固定的工作片W相對。一對陰離子板子8, 8分別接在一個氫離子交換隔膜5B,5B中面對個別陰極隔室4,4之表面上大約與陽極板子7 , 7正對的位置。電極板，即陽極板子7,7和陰極板子8,8，分別是由鉑或由帶有鉑鍍層之像鉅、鈦及之類較不昂貴的金屬製成，以及雖然並未特別加以限定，但可具有與在裝置中處理之工作片W形狀及維度相近的組態。以無卡匣（cassette-less)式的固定器或能夠將晶圓W 固定在與晶園W周園接觸點之夾緊裝置9來將要在本裝置中作清潔處理之工作片的半導體晶圓W以大體上垂直方式擺放在清潔容器2或陽極隔室3的中央部位。儘管圖1A及1B只說明了以固定器9固定的單一晶園W，當然也可以一個固定器來將許多晶圓共同固定住，如此一次就可對許多晶圓作清潔處理。當以固定器9將單一晶圃W固定在陽極隔室3時，晶園W並不一定總是要擺放成其平坦表面與陽極板子7,7 成水平狀態，而是可在相對陽極板子7,7之下擺放成垂直或傾斜位置。反之，當一次對許多晶園作清潔處理時，較宜以合逋的固定器-能夠將晶圃固定在與其周園點接觸- --：---.----叫裝-- (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X 297公釐） 14 經濟部中央標準局員工消费合作杜印敦 A7 B7_五、發明説明（l2) 來使晶圓彼此平行和使相鄰晶圊能保持有空間下來固定，並使晶圃的平坦面的方向與陽極板子7, 7成垂直下來將固定器固定在陽極隔室3中。如圖1B說明的，各個陽極隔室3、陰極隔室4,4及流動通路6,6會以其底部經由控制流速用的閥11-純水是由此以經控制的速率加進個別的隔室及流動通路中-來與管路 10的歧管相接。陽極隔室3 -晶圓W被固定在此進行清潔處理-的頂部會開啓，於是由底部持績加入其中及潤濕的純水會由頂部以越過溢流柵（圚中未顯示）的排出液被排掉。陰極隔室4,4及流動通路6,6之潤濕過的純水會經由管路或以越過陽極隔室3之溢流柵的排出液被收集在純水槽（圖中未顯示），並於純水再生器（圖中未顯示）中純化後再重新使用。雖然是選擇性的，超音波振動器12被安裝在陽極隔室3的底部。在使用上述裝置進行對半導體晶圓的清潔處理時，以固定器9將晶園W固定住並放在陽極隔室3中的適當位置° 然後以經控制的流速從管路10經由個別的分歧管及個別的控制閥11將純水或去離子水加進各個陽極隔室3、陰極隔室4, 4及流動通路6, 6之中。在其中潤濕並抵達頂端且持績經由安裝在頂端供排放用的管路被排掉的純水將被抛棄或至少有部份會經再純化並收集在純水槽中（圖中未顯示）° 在使隔室及流動通路中的純水保持向上流動的同時，將陽極板子7, 7及陰極板子8, 8連接到直流電源（圚中未顯示），如此以底下方程式表示的電極反應： -15 - 本紙張尺度遑用中國國家標丰（<：邶）八4洗格（210';<297公釐> ：；----"'裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局貞工消费合作社印裝 A7 _________B7_五、發明説明（1$ 2 H2O - 4 e' ^ 〇2 + 4 Η* 將會發生而在含有純水的陽極隔室3中形成氫離子IT 。經如此而含有氫離子的純水將暫時是酸性的，並會以類似使用所謂SC-2清潔液的酸性清潔處理效果方式來對半導體晶園作用。儘管如前面提及是選擇性的，可在陽極隔室3的底部提供超音波振動器12，如此可對陽極隔室3中的純水施以超音波。雖然已知將超音波振動器安裝在對半導體晶圓作清潔用的容器中是將正在進行清潔的晶圖表面上之微粒移除掉的有效機械作用方式，但超音波在本發明裝置及方法中的重要性卻是非常獨特，同時超音波會與純水中電解形成的氫離子一起呈現出增效效應。附圖中的圖2即是顯示在施以不同頻率的超苷波之下，陽極隔室3所含純水的電阻係數以超音波施用時間長度爲函數的圖形，其中曲線丨及丨丨分別是施以頻率爲800kHz 及3.0MHz的超音波下獲得的。由該圖可清楚看出，隨著超音波施用時間拉長，則純水的電阻係數可受到超音波的施用而顯著下降，以及該效應在超音波頻率爲800kHz或以上時將特別明顯，反之在無超音波時，假設因吸收大氣中的二氧化碳所引起的純水電阻係數則僅有些微下降。雖然尙未完全了解，可以超音波對水分子的機械化學活性以提升其自由基活性及某些離子的形成來作定置解釋。這意謂著可在相當低的電解電壓下獲得所需求的霪解竈流，和無超音波的情形相比，這將伴隨著陽極隔室3中的 16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --r--1------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 305G53 __ _B7 五、發明説明（14) 氫離子澳度下降。因此超音波的微粒移除效果及酸性清潔處理效果二者的結合將可獲得協同增强的清潔效果。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由一對氫離子交換隔膜5A,5B形成的各個隔板5,5會與在其間形成的流動通路6將陽極隔室3及一個陰極隔室4,4 分隔開來，以及由隔膜5 A釋出流進流動通路6中純水的氫離子會被流經流動通路6向上流動的純水帶走而要由系統中移走，如此即令在施加到電極板的直流電壓相當低之下，清潔處理的效率仍可增加許多。圚1A及1B中所畫的隔板5, 5-彼是由一對離子交換隔膜5A, 5B組成，可選擇性地使用一對以塑膠嫌絲製成之加有網眼的袋子-其中充塡有具傳統粒徑分布之陽離子交換樹脂珠並以要擺水平的隔板壁形式夾在陽極板子7及陰極板子8之間-的隔板來取代。此時，隔板並未提供有流動通路，以及彼用作電解槽的電阻可進一步減少。經濟部中央標準局員工消費合作杜印製圇3 A及3 B分別爲依據本發明第二點之本發明裝置1’的平面及側視圖示，彼可產生大致與圖U及1B中所畫裝置相同的清潔效果，其中長方形水槽2被一對隔板隔板5:5^-彼是由單片形式的氫離子交換隔膜製成，用以取代圚1A及 1B中的隔板5,5，後者是由一對離子交換隔膜及在其間有流動通路6的5A,5B所形成-分隔成陽極隔室3和一對陰離子隔室4 ,4。一對陽極板子7,7會分別與一個隔板隔板5’， 5’中面對陽極隔室3的表面處結合，而一對陰離子板子8,8 會分別與一個隔板隔板5’，5'中面對陰極隔室4的表面處結合。在道些圖中，對以有顯示各個《極板子7 ,8的横截面本紙浪又度逋用中國國家標準（（：灿）/\4蜆格（2丨0><297公釐） -17 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ___B7_五、發明説明（15) 來說明之離子交換隔膜5’及電極板7, 8的組合提供在底下說明的孔洞。於是當在這些電極板上有大量的孔洞形成時，則在隔板5’表面提供的陽極板子7及陰極板子8之間施以直流電懕時將可在純水氰解效率上獲得改良的另外優點。雖然並非特別加以限定，各個孔洞的直徑爲2至3毫米，並擺列成相鄰之間距離爲2至3毫米。在對電極板7, 8之間施以直流《壓來進行清潔處理時，要在考慮到各種不同因素-比如清潔槽的大小、與水槽大小有關之電極板間距離、電極板的表面稹、離子交換隔膜的特性、水中的離子澳度、運轉安全性等等-下逋當選用電壓以產生逋當的鼇解電流。因此當運轉安全性被視爲首要要素時，則有可能將裝置設計成在施以10伏特至數十伏特之間的直流電流-電流密度約爲0.05至0.5安培/公分 2 -而不會有嚴重安全性問題之下來作用。圖ΙΑ, 1B或圖3A, 3B所畫之裝置的電解效率可藉由提供一對氫離子-可滲透隔膜-各個隔膜形成在陽極隔室及其中一個陽極板子之間的次-隔室-和使含有無氫之酸或中性鹽類的水溶液流經個別的次-隔室來獲得大幅改善。如上述的，本發明藉著使用如圖1λ, 1B或圖3λ, 3B所畫之裝置來提供一種與所謂SC-2清潔處理相等的新穎酸性處理方法，其中在陽極隔室中的純水會以«解器具，可選擇性地同步施以超音波，來變成酸性。和缺趙音波的裝置相比，另外一個優點是同一個裝置可藉著逆轉施加到電極本紙張尺度適硐中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐)~~~7〇~. --.--I-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-·* ^ 經濟部中央標準局员工消费合作杜印製 305053 a7 B7 五、發明説明（16) 板之直流電壓的極性來因此將陽極板子轉換成陰極板子及將陰極板子轉換成陽極板子之下來用作與所謂SC-1清潔處理相當的鹼性清潔處理。本發明清潔裝置的上述逆轉性可提供本發明的另一個好處，即半導體晶園的鹼性清潔處理可使純水流經各個隔室及在陽極和陰極極性逆轉之下施以直流電流來連績或另一種選擇是在單一清潔裝置中來進行〇圖4 A及4 B分別爲使用本發明裝置1來對半導體晶圃進行的清潔方法到以乾燥來精蝕的典型流程圖示，其中圚4A 爲使用單一清潔裝置1及接著在乾燥烘箱40中進行乾燥處理之用於酸性和鹼性的清潔處理和潤濕處理，而圚4 B顯示 —個完整的清潔方法，其中晶園W是經由包括酸性清潔裝置1、鹸性清潔裝置r 、兩個潤濕處理裝置30，30和乾燥裝置40的一系列裝置來處理。爲了敘述在圓4A說明系統中進行的清潔方法有必要將圖1A及1B或圇3A及3B說明之裝置1或的零件重新命名，所以陽極隔室3如今爲中央隔室，陰極隔室4 , 4如今爲側隔室，以及陽極板子7, 7如含爲向內的電極和陰極板子8, 8如今爲向外電極。於是，半導體晶圚W被以大體垂直擺放的工作片固定在中央隔室3中，同時純水持績加入由各個中央隔室3、側隔室4,4、和圖1A及1B中之流動通路6的底部加入其中，並持績由其頂端排掉，首先以相對向外氰極8, 8爲正價的向內電極7,7來在向內電極7及向外電極8之間施以菌：流電壓，如此水中所含氫離子會流經中央隔室3來用本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4蜆格（210X 297公釐）-19 - ； .----^'1裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -i 經濟部中央標準局員工消費合作杜印策 hi ___B7_五、發明説明（I7) 作爲與SC-2清潔液相等的酸性清潔液。在用上述方式足以完成酸性清潔處理的一定時間後，使電極的極性逆轉，所以各個向內電極7,7如今爲陰極和各個向外電極8, 8現在爲陽極而可釋出羥基離子至流經中央隔室的水中。因此，經前面步驟酸性清潔處理的晶園W 現在要進行與SC-1清潔液相等的鹼性清潔處理。雖然上述的處理順序是第一步爲酸性清潔處理及第二步爲鍮性清潔處理，當然有可能先進行鹼性清潔處理後再進行酸性清潔處理，或者兩種清潔處理可依據獬求交替重覆數次。當在電極7 , 8之間未施以直流電時，則現在裝置1 是作爲以純水來進行潤濕處理的裝置，儘管在酸性及論性清潔處理二者之間或在乾燥處理之前通常不需要進行潤濕處理，因爲清潔液的酸性或鐮性只是以鼇解來暫時維持的，而非眞的含有任何酸性或鹸性化合物。和上述使用圖4A中單一清潔/潤潤裝置的清潔方法相比，有時就實用觀點來看，當清潔方法是以圖4 ΒΚ畫裝置順序來進行時則該清潔方法的效率及生產率會較高，該順序包括一個作酸性清潔處理的第一清潔裝置1，一個其電極極性相對於裝置1者爲逆轉之作鹸性清潔處理的第二清潔裝置1"，一個或以上的潤濕裝置30和一個乾燥裝置40，所以在各個第一及第二清潔裝置1及1”的操作條件下可獲得增强的安定性。第一及第二清潔裝置的順序當然可對換以便先進行酸性清潔處理後才進行鹺性清潔處理。雖然是選擇性的，較宜對各個第一及第二清潔裝置1 本紙*尺度遴用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）_ . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

305053 A7 經濟部中央標準局員工消f合作社印策 B7五、發明説明（叫及1 "和潤濕裝® 3 0內的液體媒質施以超音波以便藉由提供在個別裝置底部-如圓4B所畫的-的超音波振動器12,12, 及31操作來進一步增加淸潔及潤濕處理的效率，雖然超音波振動器的實際操作選擇要視處理的各種因素及澝潔或潤濕的對象而定。提供在清潔裝置1及Γ'和潤濕處理裝置3 0,30底部之超音波振動器12, 12’及31所產生的超音波頻率是在500kHz至 3MHz之間，但潤濕處理裝置30,30的頻率仍可低到只有100 kHz或高些。潤濕處理裝置30的結構並沒有特別限定，但彼可以和清潔處理裝置1或1’‘相同，只除了將其中帶有電極的隔板5 ,5移走。乾燥裝置40也沒有特別限定，並可依傳統包括所謂的IPA (異丙酵）蒸氣相乾燥系統及紅外線乾燥烘箱。底下將藉由實施例及對照實施例來對用於半導體晶圓清潔處理的裝置及方法作更進一步的說明。竇施例1-1至1-4及對照竇施例1-1及1-2 要在各個這些資驗中依據圖4A所顯示步驟來使用如圖 1A及1B之清潔裝置進行清潔處理的工作片爲直徑150毫米的鏡面磨光的P -型式半導體晶圓-彼是對以CzochralskU CZ )方法長晶之p -型式半導體單晶矽棒切割得到。供晶圆清潔測試用的裝置爲如圖1 A及1B所畫的，其中陽極隔室3宽到可以同時容納一組10片直徑150毫米之晶圃 W來進行清潔處.理。晶園W是在和以向上且水平擺放之具有 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張足度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 21 經濟部中央標隼局員工消費合作.ΐ印製 305053 A7 B7五、發明説明（19) 6.5毫米凹痕的固定器9上周園三個較低位置的接觸點固定，以及固定器9是安放在兩個相向陽極板子7, 7之間-彼此相隔210毫米-的中間位置，所以晶園¥的平坦表面會與陽極板子7,7的表面成垂直。在一對離子交換隔膜5A,5B及各個陽極隔室4,4之間的各個流動通路6,6具有20毫米的宽度 0 於實施例1-1至1-4及對照實施例1-2中，使用控制閥1 1將電阻係數約爲2. 5百萬歐姆·公分的純水經由底下的管路10以特定的流速加進各個陽極隔室3,陰極隔室4, 4及流動通路6,6之中，而在對照實施例1-1中，以相同流速將含有5重置％氟化氫及5重量％過氧化氫的酸性清潔液加進隠極隔室3中，純水則加進陰極隔室4, 4及流動通路6, 6中。在實施例1-1及實施例1-2至1-4中，分別在陽極板子7及陰極板子8之間施以30伏特或60伏特的直流電壓，以及在實施例1-3及1-4中，對陽極隔室3中的水分別施以頻率爲 800kHz及1 . 5MHz的超音波。十片一組的矽晶園W在以上述方式完成酸性清潔處理後，在進行酸性清潔處理的同一個裝s中-但未在純水流動下於電極間施以直流電壓-進行5分鐘的潤濕處理，接著在IPA蒸氣相乾燥系統中進行乾燥處理。由毎個六組晶圓中取出五片晶圃，以及使用微粒計數器（型號爲LS-6030 ，由日立電子工程公司（Hitachi Electronics Engineering Co.) 製造）來在經銳面磨光的表面對粒徑爲 0.18 或以上的微粒進行計數以得到列在表1之五片晶園平均値 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 " 本紙張尺度遴用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -22 - 305G53 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝五、發明説明（20) 結果。由表中可明顯看出，在對清潔媒質施以超音波之下，以本發明清潔裝匿進行的淸潔處理事實上可有效減少晶 II表面上的微粒，雖然有效程度尙不夠高，因爲毎片晶圃的微粒數目尙未降低到所需求的1000或更少的程度。十片一組中的剩餘五組晶園在經上述處理後，將以 I PC質譜方法來對經稀氫氟酸沖洗晶園以對表面作鏡面磨光所得到的洗液測定在晶圓表面上的典型金屬雜質-包括鋁、銅及鐵-密度。結果也以五片晶園的平均値列在表1 中。該表中的符號N.D.表示分析値比該方法的偵測下限-約爲1X108個原子厂：分2 -還低。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS)A4规格（210X29?公釐）· 23 - 305053 Β7五、發明説明（21)

DC^ 壓，超苷波毎片晶圓金屬雜質' • 1〇0個原子/公分2 伏特頻率微粒數 A1 Cu Fe 對照實施例1-1 - - > 10000 2. 9 6.2 1.9 對照實施例卜2 - - > 10000 580 450 940 實施例1-1 30 - 8560 7. 1 3. 5 4. 9 實施例1-2 60 - > 10000 N. D. 0. 88 . 5.8 實施例1-3 60 800kHz 5950 N. D. N. D. N. D 實施例1-4 60 1.5 MHz 4370 N. D. N. D. N. D 經濟部中央標逛局K工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度通用中國國家搮準（CNS ) Λ4規格（210x 297公釐） 24 A7 B7 經濟部中央標準局只工消费合作社印裝五、發明説明（22) 實施例2-1至2-4及對照實施例2 直徑150毫米之經鏡面磨光的矽晶圆所進行的淸潔處理實驗步蹂與上述實施例及對照實施例者大約相同，只除了是使用圖3A及3B所畫的裝置和在底下說明的處理條件變化《裝置Γ的清潔槽2是由熔融石英玻璃製成。各個陽極板子7,7及陰極板子8,8是由鈦的薄板-彼在鍍上舶之後有在3毫米凹痕處穿有大量直徑爲2奄米的孔洞-製成。兩片氫離子交換隔膜（N-U7/H·，杜邦公司（Du Pont Co .)產品 )分別整合夾在上面製備之有穿孔及有鍍鉑的板子-彼等 —個是用作陽極板子7和另一個是用作陰極板子8_之間以獲得一對帶有電極板的離子交換隔膜，彼等可將清潔檜2 分隔成陽極隔室3及一對在陽極隔室兩旁的陰極隔室4 , 4 ° 彼此相對的陽極板子7,7之間的距離爲240毫米。在使電阻係數爲2. 5百萬歐姆·公分的純水保持流經各個陽極隔室3及陰極隔室4,4的同時，對陽極板子7及陰極板子8之間施以最高13 . 9伏特的直流電壓以便在DC鼇壓分別爲9.2伏特、10.8伏特、12.2伏特及13.9伏特時可在其間分別獲得40安培、50安培、60安培及80安培的電解镰流。可在個別電極板的表面注意到有氧氣及氫氣的冒出，陽極隔室3中的水pH値降到6至4。氣化-邇原電位（0RP)最多增加到1100亳伏特。進行另一個測試以供參考，對三個流經個別隔室的水樣品進行金屬雜質含置的測定分析。於是持績將電阻係鎵本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁). •1. :装. 訂 -25 - 305053 經濟部中央標準局工消费令作社印製 A7 B7 _五、發明説明（23) 約爲2 . 5百萬歐姆·公分的純水加進陽極隔室3及陰極隔室 4,4中，同時施以12伏特的直流電壓以生成60安培的《流，並對陽極隔室3中的水施以頻率爲800kHz的超音波。對三個水樣品-包括取自陽極隔室3之含氫離子的水、取自陰極隔室4之含羥基離子的水及加入裝置之前的水-進行各種金屬雜質測定所得到的結果以圊5的圖形表示。由圖形吾人了解直流電壓及超音波的施用通常可有效降低金屬雜質的含置。進行實施例2-1至2-4及對照竇施例2來顯示本發明清潔方法在由矽晶画中將金屬雜質去除掉的有效性。於是，在持績將電阻係數約爲2. 5百萬歐姆•公分的純水加進各個隔室中之下，將矽晶圊以垂直擺放方式固定在陽極隔室 3中。各個實驗的特定條件如下。對照實施例2 :以經100 Op pm氬氟酸酸化的水取代純水且未施以DC電壓及頻率爲800kHz的超音波來清潔資施例2-1:施以18伏特DC電壓，60安培電流但未施以超音波之下以氫離子水來清潔實施例2 - 2 :首先在和實施例2 - 1相同的條件下以氫離子水清潔，然後在和對照實施例2相同的條件下以同一經酸化的水清潔實施例2 - 3 :首先在和對照實施例2相同的條件下以同一經酸化的水清潔，然後在和實施例2 - 1相同的條件下以氫離子水清潔實施例2 - 4 :在和實施例2 - 1相同的條件下同時施以頻 (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填离本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X29?公釐） -26 - 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 A7 B7___五、發明説明（24) 率爲800kHz的超音波來以氫離子水清潔在上述條件下，矽晶圚可在清潔處理之前或清潔處理之後以稀氫氟酸沖洗，並且以ICP質諶方法來對洗液作晶圖表面上金屬雜質密度分析以得到圖6A、6B、6C、6D及6E 中分別顯示銅、鐵、鎳、鋅及鋁等金屬元素的結果。這些圚形中編號I、II、丨丨丨、IV、V及VI的plot分別顯示對照實施例2及實施例2 - 1、2-2、2-3及2-4中晶圃在清潔處理之前及晶圖在清潔處理之後的結果。由這些圚形可了解到，本發明方法清潔步探在實施例 2-1至2-4中用以移除金屬雜質是如此有效，故.堪與對照實施例2的有效性相比或甚至超過。窗施例3-1至3_4及對照窗施例3-1及3-2 使六群經實施例1-1至1-4和對照實施例1-1及1-2中微粒計數之以五片爲一組的矽晶圆另外在和先前資驗相同的清潔裝置中-只除了在實施例3-1至3-4是使電極極性逆轉來將陽極板子7,7變換成陰極和將陰極板子8,8變換成陽極 -進行鹸性清潔處理。在對照實施例3-1及3-2中未對電極施以直流電壓。在對照資施例3-1中，當純水流經各個隔室及流動通路時，使含有5重置％氨水NiUOH及5重置％過氧化氫1{2〇2的鹸性清潔液流經中央隔室-如今爲陰極隔室。經該鎗性清潔處理後的晶園以純水潤濕及使乾燥，然後對經鏡面磨光的表面作微粒計數以得到列在表2中的五片晶圓平均數結果，表中還列出直流電壓及超音波頻率，如有施用的話。 27 - 本紙張尺度通用中國國家橾準（〇~5)戍4規^>(210/ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標华局員工消费合作.ft印裝 A7 B7 五、發明説明（25) 由該表可清楚看出，本發明以鹸性清潔處理來移除微粒的有效性要比使用傳統清潔處理液的鹼性清潔處理高。本發明藉著酸性及鹸性清潔處理的順序得到優勢在有對隔室中清潔媒質施以超音波時變得更明顯。表2 DC電壓，伏特超音波頻率微粒數目對照實施例3 - 1 - - 3860 對照實施例3 - 2 - - > 10000 實施例3 - 1 30 - 23 00 實施例3 - 2 50 - 1950 實施例3 - 3 50 800kH2 572 資施例3 - 4 50 1.5MHz 259 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > Λ4規格（210X 297公'釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims

Η 經濟部中央標準局貝工消費合作社印褽 305053 as C8 : i---々、申讀邊利範圍___ 附件一：第85105673號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國86年1月修正 1 . 一種半導體晶圓的清潔處理方法，該方法所用的裝置包含有： (a )—個含有用以對半導體晶圓作清潔用之含水媒質的長方形或方形水槽-彼是將半導體晶園以實質上垂直擺放的工作片固定在其中央部份，該水槽沿著縱軸方向被分隔成中央的陽極隔室和在陽極隔室兩旁的一對陰極隔室 $ (b )—對分別將陽極隔室及其中一個陰極隔室分隔開來的隔板，各個隔板是由一組氫離子交換隔膜形成-其中一個隔膜面對陽極隔室，以及另一個隔膜是面對陰極隔室-以便在其間形成流動通路； (c )—對陽極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陽極隔室的表面；以及 (d ) —對陰極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陰極隔室表面上大約正對陽極板子的地方，該方法包含下列步驟： (A)使半導體晶圓以實質上垂直擺放方式來固定在陽極隔室中： (B )持績地由各個陽極隔室、陰極隔室、及流動通路中的底部將純水加入其中： ---------^------ίτ-------線( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）經濟部中央標準局工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (c )持績地由各個陽極隔室、陰極隔室及流動通路的頂端將純水排掉：以及 (D )在陽極板子及陰極板子之間施以直流電壓。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體的清潔處理方法，其中超音波是對陽極隔室中的純水施用。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體的清潔處理方法，其中超音波的頻率在5 0 0 k Η z至3MH z之間。 4. 一種半導髖晶圖的清潔處理方法，該方法所用的裝置包含有：〆，'.： (a )—個含有用以;對半導體晶圓作清潔用之含水媒 % 質的長方形或方形水槽-轆是將半導體晶圓以實質上垂直擺放的工作片固定在其中：央挪份，該水槽沿著縱軸方向被分隔成中央爲陽極隔室和在陽極隔室兩旁爲一對陰極隔室 (b ) —對氫離子交換隔膜，各個隔膜將陽極隔室及其中一個陰極隔室分隔開來； (c )—對陽極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陽極隔室的表面；以及 (d )—對陰極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陰極隔室表面上大約正對陽極板子的地方 » 該方法包含下列步驟： (A )使半導體晶圓以實質上垂直擺放方式來固定在陽極隔室中：本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4洗格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (B )持縝地由各個陽極隔室和陰極隔室的底部將純水加入其中： (C )持績地由各個陽極隔室及陰極隔室的頂端將純水排掉；以及 (D )在陽極板子及陰極板子之間施以直流電壓。 5. 如申請專利範圍第4項之半導體的清潔處理方法 ’其中超音波是對陽極隔室中的純水施用。 6. 如申請専利範圍第5項之半導體的清潔處理方法，其中超音波的頻率在5 0 0 kH z至3MH z之間。 7 . —種半導體晶圓的清潔處理方法，該方法所用的裝置包含有： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装導體晶圓作清潔用之含水媒將半導體晶圓以實質上垂直擺放的工作片固定在其中1¾份，該水槽沿著縱軸方向被分隔成中央爲中央隔室和在中央隔室兩旁爲一對側隔室； (b ) —對分別將中央隔室及其中一個側隔室分隔開來之由氫離子交換隔膜構成的隔板； (c)第一對電極板，各個板子是接在其中一個隔板上面對中央隔室的表面；以及 (d )第二對電極板，各個板子是接在其中一個隔板上面對側隔室表面上大約正對第一對電極板的地方，該方法包含下列步驟： (A )使半導體晶圓以實質上垂直擺放方式來固定在中央隔室中： (a ) —個含有用以質的長方形或方形水槽-

訂本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 (B )持績地由各個中央隔室及側隔室的底部將純水加入其中； (C )持績地由各個中央隔室及側隔室的頂端將純水排掉；以及

(D )在第一對及第二對的電極板之間施以直流電壓第一對及第二對的電極板分別爲陽極和陰極。 .如申請專利範園第7項之半導體的清潔處理方法外包含底下的步驟： (E )在第一對及第二對的電極板之間施以直流電壓對及第二對的電極板分別爲陰極和陽極。 .如申請專利範圍第7項之半導體的清潔處理方法外包含底下的步驟 F)對中央隔室所含的水施以超音波》法 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 10.如申請專利範圍第9項之半導體的清潔處理方其中超音波的頻率在5 0 0 kH z至3MH z之間。 11·如申請專利範圍第8項之半導體的清潔處理方法，其中步驟（D)在步驟（E )之前進行。經濟部中央揉準局貝工消费合作社印笨 12.如申請專利範圍第8項之半導體的清潔處理方法’其中步驟（E )在步驟（D)之前進行。 1 3 ·—種半導體晶圓的清潔處理方法，該方法所用的裝置包含有： (a ) —個含有用以對半導體晶圖作清潔用之含水媒質的長方形或方形水槽-彼是將半導體晶圓以實質上垂直擺放的工作片固定在其中央部份，該水槽沿著縱軸方向被本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -4 - A8 B8 C8 _08 六、申請專利範圍分隔成中央爲陽極隔室和在陽極隔室兩旁爲一對陰極隔室 (b )—對氫離子交換隔膜，各個隔膜將陽極隔室及其中一個陰極隔室分隔開來； (c ) 一對陽極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陽極隔室的表面； (d )—對陰極板子，各個板子是接在其中一個離子交換隔膜之面對陰極隔室表面上大約正對陽極板子的地方 :以及 (e ) —對氫離子可滲透隔膜，各個隔膜在陽極隔室及其中一個陰極板子之間形成次隔室，該方法包含下列步驟： (A )使半導體晶圓以實質上垂直擺放方式來固定在陽極隔室中； (B )持縯地由各個陽極隔室及陰極隔室的底部將純水加入其中；經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (C )持績地由各個陽極隔室及陰極隔室的頂端將純水排掉： (D )持績地由各個次隔室的底部將電解質水溶液加入： (E )持續地由各個次隔室的頂端將電解質水溶液排掉； (F )在陽極板子及陰極板子之間施以直流電壓。 14.如申請專利範圍第13項之半導體的清潔處理本紙張尺度逍用中國國家橾率（CNS〉A4洗格（210X297公釐） ~~ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍方法，其中電解質爲酸或不含鹵素的天然鹽類經濟部中央標準局身工消费合作社印製本紙張尺度適用中國國家梯率（CNS ) A4規格（210X297公釐）