JPH0950078A - 磁気記録可能なカメラ - Google Patents
磁気記録可能なカメラInfo
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- JPH0950078A JPH0950078A JP7199478A JP19947895A JPH0950078A JP H0950078 A JPH0950078 A JP H0950078A JP 7199478 A JP7199478 A JP 7199478A JP 19947895 A JP19947895 A JP 19947895A JP H0950078 A JPH0950078 A JP H0950078A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な回路で安全に磁気ヘッドを駆動し、か
つ磁気ヘッドを駆動する回路の異常を即座に検出する。 【解決手段】 カメラ内部に４個のＮＰＮトランジスタ
Ｑ１１〜Ｑ１４をブリッジ接続し、各トランジスタに磁
気ヘッド９を接続してＨブリッジ形回路１０ａを構成す
る。ＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１２のコレクタ端子
と電圧変換回路１との間に電流制限抵抗１１を接続し、
ＮＰＮトランジスタＱ１３，Ｑ１４のエミッタ端子に接
地端子Ｇを接続し、各ＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１
４のベース端子をＣＰＵ３に接続する。仮に、各トラン
ジスタＱ１１〜Ｑ１４が同時にオンになっても、電圧変
換回路１からの電流は必ず電流制限抵抗１１を流れるた
め、電圧変換回路１から接地端子Ｇに貫通電流が流れな
くなる。また、電流制限抵抗１１により磁気ヘッド９に
流れる電流値を制限できる。
つ磁気ヘッドを駆動する回路の異常を即座に検出する。 【解決手段】 カメラ内部に４個のＮＰＮトランジスタ
Ｑ１１〜Ｑ１４をブリッジ接続し、各トランジスタに磁
気ヘッド９を接続してＨブリッジ形回路１０ａを構成す
る。ＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１２のコレクタ端子
と電圧変換回路１との間に電流制限抵抗１１を接続し、
ＮＰＮトランジスタＱ１３，Ｑ１４のエミッタ端子に接
地端子Ｇを接続し、各ＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１
４のベース端子をＣＰＵ３に接続する。仮に、各トラン
ジスタＱ１１〜Ｑ１４が同時にオンになっても、電圧変
換回路１からの電流は必ず電流制限抵抗１１を流れるた
め、電圧変換回路１から接地端子Ｇに貫通電流が流れな
くなる。また、電流制限抵抗１１により磁気ヘッド９に
流れる電流値を制限できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】撮影に関する情報等に応じて
磁気ヘッドに流れる電流の方向を制御し、磁気ヘッドか
ら発生される磁束によりフィルムに磁気情報を記録可能
なカメラに関する。
磁気ヘッドに流れる電流の方向を制御し、磁気ヘッドか
ら発生される磁束によりフィルムに磁気情報を記録可能
なカメラに関する。
【０００２】
【従来の技術】フロッピディスク等には磁気情報を高速
に書き込む必要があるため、通常は磁気ヘッドを定電流
供給回路で駆動する。一方、カメラ内部のレンズ駆動用
モータなどの駆動回路は、モータドライバＩＣやディス
クリート部品のパワートランジスタを用いてＰＮＰ−Ｎ
ＰＮトランジスタを２組並列に接続したいわゆるＨブリ
ッジ形回路で構成することが多い。Ｈブリッジ形回路で
駆動回路を構成すると、電流の流れる方向を簡易に切り
換えることができるため、前述した磁気ヘッドの駆動回
路をＨブリッジ形回路で構成することも考えられる。
に書き込む必要があるため、通常は磁気ヘッドを定電流
供給回路で駆動する。一方、カメラ内部のレンズ駆動用
モータなどの駆動回路は、モータドライバＩＣやディス
クリート部品のパワートランジスタを用いてＰＮＰ−Ｎ
ＰＮトランジスタを２組並列に接続したいわゆるＨブリ
ッジ形回路で構成することが多い。Ｈブリッジ形回路で
駆動回路を構成すると、電流の流れる方向を簡易に切り
換えることができるため、前述した磁気ヘッドの駆動回
路をＨブリッジ形回路で構成することも考えられる。
【０００３】図６は従来のカメラのブロック図であり、
磁気ヘッドの駆動制御に関連する部分を中心的に図示し
ている。１は電源２から供給される電圧のレベル変換を
行う電圧変換回路であり、その出力は、ＰＮＰトランジ
スタＱ１，Ｑ２のエミッタ端子に接続されている。ＰＮ
ＰトランジスタＱ１，Ｑ２とＮＰＮトランジスタＱ３，
Ｑ４はブリッジ接続されており、ＮＰＮトランジスタＱ
３，Ｑ４のエミッタ端子は接地端子に、各トランジスタ
Ｑ１〜Ｑ４のベース端子はＣＰＵ３に接続されている。
ＣＰＵ３は、各トランジスタの制御Ｑ１〜Ｑ４の他、カ
メラ上面等に設けられる表示装置４、ブザー５、フィル
ム移動検出装置６、およびフィルム給送用モータ７のモ
ータ駆動回路８等の制御を行う。
磁気ヘッドの駆動制御に関連する部分を中心的に図示し
ている。１は電源２から供給される電圧のレベル変換を
行う電圧変換回路であり、その出力は、ＰＮＰトランジ
スタＱ１，Ｑ２のエミッタ端子に接続されている。ＰＮ
ＰトランジスタＱ１，Ｑ２とＮＰＮトランジスタＱ３，
Ｑ４はブリッジ接続されており、ＮＰＮトランジスタＱ
３，Ｑ４のエミッタ端子は接地端子に、各トランジスタ
Ｑ１〜Ｑ４のベース端子はＣＰＵ３に接続されている。
ＣＰＵ３は、各トランジスタの制御Ｑ１〜Ｑ４の他、カ
メラ上面等に設けられる表示装置４、ブザー５、フィル
ム移動検出装置６、およびフィルム給送用モータ７のモ
ータ駆動回路８等の制御を行う。
【０００４】９はフィルムに磁気データを記録する磁気
ヘッドであり、図示のようにブリッジ接続された各トラ
ンジスタＱ１〜Ｑ４の間に介装されてＨブリッジ形回路
１０を構成している。磁気ヘッド９のインピーダンスは
十数Ω程度と低く、磁気ヘッド９に流れる電流も数十ｍ
Ａ程度であるため、磁気ヘッド９の両端に発生する電圧
はせいぜい数百ｍＶ程度である。このため、磁気ヘッド
９の駆動回路をＨブリッジ形回路１０で構成する場合、
磁気ヘッド９に過大な電流が流れないように、図示のよ
うに磁気ヘッド９に直列に抵抗１１を接続する必要があ
る。
ヘッドであり、図示のようにブリッジ接続された各トラ
ンジスタＱ１〜Ｑ４の間に介装されてＨブリッジ形回路
１０を構成している。磁気ヘッド９のインピーダンスは
十数Ω程度と低く、磁気ヘッド９に流れる電流も数十ｍ
Ａ程度であるため、磁気ヘッド９の両端に発生する電圧
はせいぜい数百ｍＶ程度である。このため、磁気ヘッド
９の駆動回路をＨブリッジ形回路１０で構成する場合、
磁気ヘッド９に過大な電流が流れないように、図示のよ
うに磁気ヘッド９に直列に抵抗１１を接続する必要があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６の回路において、
ＰＮＰトランジスタＱ１とＮＰＮトランジスタＱ４をオ
ンにし、その他のトランジスタＱ２，Ｑ３をオフにする
と、図示のＡ方向に電流が流れ、逆に、ＰＮＰトランジ
スタＱ２とＮＰＮトランジスタＱ３をオンにし、その他
のトランジスタＱ１，Ｑ４をオフにすると、図示のＢ方
向に電流が流れる。このように、磁気ヘッド９に流れる
電流の向きを切り換えるためには、すべてのトランジス
タＱ１〜Ｑ４のオン・オフを逆にする必要がある。
ＰＮＰトランジスタＱ１とＮＰＮトランジスタＱ４をオ
ンにし、その他のトランジスタＱ２，Ｑ３をオフにする
と、図示のＡ方向に電流が流れ、逆に、ＰＮＰトランジ
スタＱ２とＮＰＮトランジスタＱ３をオンにし、その他
のトランジスタＱ１，Ｑ４をオフにすると、図示のＢ方
向に電流が流れる。このように、磁気ヘッド９に流れる
電流の向きを切り換えるためには、すべてのトランジス
タＱ１〜Ｑ４のオン・オフを逆にする必要がある。
【０００６】ところが、すべてのトランジスタＱ１〜Ｑ
４のオン・オフは同時に起こるとは限らず、トランジス
タの特性上のばらつき等により、過渡的にすべてのトラ
ンジスタＱ１〜Ｑ４が同時にオンになるおそれがある。
すべてのトランジスタＱ１〜Ｑ４が同時にオンになる
と、電圧変換回路１からの電流がＰＮＰトランジスタＱ
１，Ｑ２→ＮＰＮトランジスタＱ３，Ｑ４の各コレクタ
・エミッタ間→接地端子に直接流れ（以下、この電流を
貫通電流ＩA，ＩBと呼ぶ）、トランジスタが熱破壊を起
こしたり、電源２の消費電力が急増するおそれがある。
４のオン・オフは同時に起こるとは限らず、トランジス
タの特性上のばらつき等により、過渡的にすべてのトラ
ンジスタＱ１〜Ｑ４が同時にオンになるおそれがある。
すべてのトランジスタＱ１〜Ｑ４が同時にオンになる
と、電圧変換回路１からの電流がＰＮＰトランジスタＱ
１，Ｑ２→ＮＰＮトランジスタＱ３，Ｑ４の各コレクタ
・エミッタ間→接地端子に直接流れ（以下、この電流を
貫通電流ＩA，ＩBと呼ぶ）、トランジスタが熱破壊を起
こしたり、電源２の消費電力が急増するおそれがある。
【０００７】上記のような不都合を避ける方法として、
磁気ヘッド９に直列に抵抗１１を接続する代わりに、例
えば図７のように電圧変換回路１とＰＮＰトランジスタ
Ｑ１，Ｑ２のエミッタ端子との間に抵抗１１を接続する
ことが考えられる。ところが、このように接続すると、
ＰＮＰトランジスタＱ１とＮＰＮトランジスタＱ４をと
もにオンさせようとしたときに、ＰＮＰトランジスタＱ
１のエミッタ端子の電位レベルが０．７ボルト以下にな
ることがあり、ＰＮＰトランジスタＱ１を確実にオンさ
せるためには、ＰＮＰトランジスタＱ１のベース端子を
０ボルト以下にしなければならず、マイナス電位を発生
する電源が別に必要となる。通常の電源２の他に別個に
電源を設けるのは、カメラの小型化を妨げ、かつコスト
アップを招く。
磁気ヘッド９に直列に抵抗１１を接続する代わりに、例
えば図７のように電圧変換回路１とＰＮＰトランジスタ
Ｑ１，Ｑ２のエミッタ端子との間に抵抗１１を接続する
ことが考えられる。ところが、このように接続すると、
ＰＮＰトランジスタＱ１とＮＰＮトランジスタＱ４をと
もにオンさせようとしたときに、ＰＮＰトランジスタＱ
１のエミッタ端子の電位レベルが０．７ボルト以下にな
ることがあり、ＰＮＰトランジスタＱ１を確実にオンさ
せるためには、ＰＮＰトランジスタＱ１のベース端子を
０ボルト以下にしなければならず、マイナス電位を発生
する電源が別に必要となる。通常の電源２の他に別個に
電源を設けるのは、カメラの小型化を妨げ、かつコスト
アップを招く。
【０００８】また、貫通電流を防止するその他の方法と
して、Ｈブリッジ形回路１０内部の各トランジスタＱ１
〜Ｑ４が同時にオンしないような制御回路をＣＰＵ３と
は別に設けることも考えられるが、制御回路内部の構成
が複雑になることが予想され、また新たな部品追加を招
くため、同様にカメラの小型化が妨げられる。
して、Ｈブリッジ形回路１０内部の各トランジスタＱ１
〜Ｑ４が同時にオンしないような制御回路をＣＰＵ３と
は別に設けることも考えられるが、制御回路内部の構成
が複雑になることが予想され、また新たな部品追加を招
くため、同様にカメラの小型化が妨げられる。
【０００９】本発明の目的は、簡易な回路で安全に磁気
ヘッドを駆動でき、かつ磁気ヘッドを駆動する回路の異
常を即座に検出できる磁気記録可能なカメラを提供する
ことにある。
ヘッドを駆動でき、かつ磁気ヘッドを駆動する回路の異
常を即座に検出できる磁気記録可能なカメラを提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１，３に対応づけて本発明を説明すると、本発明は、
ブリッジ接続された４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ
１４に磁気ヘッド９を接続してＨブリッジ形回路１０ａ
を構成し、該Ｈブリッジ形回路１０ａの一端に電源供給
回路１，２を接続するとともに他端に接地端子Ｇを接続
し、４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４のオン・オ
フにより電源供給回路１，２から磁気ヘッド９に流れる
電流の向きを制御して記録媒体への磁気記録を行うカメ
ラに適用され、４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４
はいずれも同一型のトランジスタで構成され、各トラン
ジスタＱ１１〜Ｑ１４が同時にオンしても電源供給回路
１，２から接地端子Ｇに貫通電流が流れないように、か
つ磁気ヘッド９に流れる電流値が所定値を超えないよう
にＨブリッジ形回路１０ａに流れる電流値を制限する電
流制限手段１１を備えるものである。請求項２に記載の
発明は、請求項１に記載の磁気記録可能なカメラにおい
て、４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４はそれぞれ
ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１１〜Ｑ１４または
Ｎチャネル型のユニポーラトランジスタＱ１５〜Ｑ１８
で構成され、電流制限手段１１は抵抗体１１で構成さ
れ、４つのトランジスタＱ１１〜Ｑ１４のうち２つのト
ランジスタＱ１１，Ｑ１２のコレクタ端子またはドレイ
ン端子を抵抗体１１を介して電源供給回路１，２に接続
し、該２つのトランジスタＱ１１，Ｑ１２以外のトラン
ジスタＱ１３，Ｑ１４のエミッタ端子またはソース端子
は接地端子Ｇに接続するものである。請求項３に記載の
発明は、請求項１に記載の磁気記録可能なカメラにおい
て、図４，５のように４つのスイッチング素子Ｑ１１〜
Ｑ１４をそれぞれＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ２
１〜Ｑ２４またはＰチャネル型のユニポーラトランジス
タＱ２５〜Ｑ２８で構成し、電流制限手段１１を抵抗体
１１で構成し、４つのトランジスタＱ２１〜Ｑ２４のう
ち２つのトランジスタＱ２１，Ｑ２２のエミッタ端子ま
たはソース端子を電源供給回路１，２に接続し、該２つ
のトランジスタＱ２１，Ｑ２２を除くトランジスタＱ２
３，Ｑ２４のコレクタ端子またはドレイン端子を抵抗体
１１を介して接地端子Ｇに接続するものである。請求項
４に記載の発明は、請求項２または３に記載の磁気記録
可能なカメラにおいて、抵抗体１１の一端の電圧に基づ
いてＨブリッジ形回路１０ａの異常を検出する異常検出
手段を備えるものである。請求項５に記載の発明は、請
求項４に記載の磁気記録可能なカメラにおいて、Ｈブリ
ッジ形回路１０ａの異常が検出されると警告を行う警告
手段４，５を備えるものである。請求項６に記載の発明
は、ブリッジ接続された４つのスイッチング素子Ｑ１１
〜Ｑ１４に磁気ヘッド９を接続してＨブリッジ形回路１
０ａを構成し、該Ｈブリッジ形回路１０ａの一端に電源
供給回路１，２を接続するとともに他端に接地端子Ｇを
接続し、４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４のオン
・オフにより電源供給回路１，２から磁気ヘッド９に流
れる電流の向きを制御して記録媒体への磁気記録を行う
カメラに適用され、磁気ヘッド９を含むＨブリッジ形回
路１０ａ内部の所定箇所の電圧に基づいて該Ｈブリッジ
形回路１０ａの動作不良を検出する異常検出手段と、異
常検出手段により異常が検出されると警告を行う警告手
段４，５とを備えるものである。
図１，３に対応づけて本発明を説明すると、本発明は、
ブリッジ接続された４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ
１４に磁気ヘッド９を接続してＨブリッジ形回路１０ａ
を構成し、該Ｈブリッジ形回路１０ａの一端に電源供給
回路１，２を接続するとともに他端に接地端子Ｇを接続
し、４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４のオン・オ
フにより電源供給回路１，２から磁気ヘッド９に流れる
電流の向きを制御して記録媒体への磁気記録を行うカメ
ラに適用され、４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４
はいずれも同一型のトランジスタで構成され、各トラン
ジスタＱ１１〜Ｑ１４が同時にオンしても電源供給回路
１，２から接地端子Ｇに貫通電流が流れないように、か
つ磁気ヘッド９に流れる電流値が所定値を超えないよう
にＨブリッジ形回路１０ａに流れる電流値を制限する電
流制限手段１１を備えるものである。請求項２に記載の
発明は、請求項１に記載の磁気記録可能なカメラにおい
て、４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４はそれぞれ
ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１１〜Ｑ１４または
Ｎチャネル型のユニポーラトランジスタＱ１５〜Ｑ１８
で構成され、電流制限手段１１は抵抗体１１で構成さ
れ、４つのトランジスタＱ１１〜Ｑ１４のうち２つのト
ランジスタＱ１１，Ｑ１２のコレクタ端子またはドレイ
ン端子を抵抗体１１を介して電源供給回路１，２に接続
し、該２つのトランジスタＱ１１，Ｑ１２以外のトラン
ジスタＱ１３，Ｑ１４のエミッタ端子またはソース端子
は接地端子Ｇに接続するものである。請求項３に記載の
発明は、請求項１に記載の磁気記録可能なカメラにおい
て、図４，５のように４つのスイッチング素子Ｑ１１〜
Ｑ１４をそれぞれＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ２
１〜Ｑ２４またはＰチャネル型のユニポーラトランジス
タＱ２５〜Ｑ２８で構成し、電流制限手段１１を抵抗体
１１で構成し、４つのトランジスタＱ２１〜Ｑ２４のう
ち２つのトランジスタＱ２１，Ｑ２２のエミッタ端子ま
たはソース端子を電源供給回路１，２に接続し、該２つ
のトランジスタＱ２１，Ｑ２２を除くトランジスタＱ２
３，Ｑ２４のコレクタ端子またはドレイン端子を抵抗体
１１を介して接地端子Ｇに接続するものである。請求項
４に記載の発明は、請求項２または３に記載の磁気記録
可能なカメラにおいて、抵抗体１１の一端の電圧に基づ
いてＨブリッジ形回路１０ａの異常を検出する異常検出
手段を備えるものである。請求項５に記載の発明は、請
求項４に記載の磁気記録可能なカメラにおいて、Ｈブリ
ッジ形回路１０ａの異常が検出されると警告を行う警告
手段４，５を備えるものである。請求項６に記載の発明
は、ブリッジ接続された４つのスイッチング素子Ｑ１１
〜Ｑ１４に磁気ヘッド９を接続してＨブリッジ形回路１
０ａを構成し、該Ｈブリッジ形回路１０ａの一端に電源
供給回路１，２を接続するとともに他端に接地端子Ｇを
接続し、４つのスイッチング素子Ｑ１１〜Ｑ１４のオン
・オフにより電源供給回路１，２から磁気ヘッド９に流
れる電流の向きを制御して記録媒体への磁気記録を行う
カメラに適用され、磁気ヘッド９を含むＨブリッジ形回
路１０ａ内部の所定箇所の電圧に基づいて該Ｈブリッジ
形回路１０ａの動作不良を検出する異常検出手段と、異
常検出手段により異常が検出されると警告を行う警告手
段４，５とを備えるものである。
【００１１】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために下記に説明する実施の形態の図を用いた
が、これにより本発明が下記の実施の形態に限定される
ものではない。
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために下記に説明する実施の形態の図を用いた
が、これにより本発明が下記の実施の形態に限定される
ものではない。
【００１２】
−第１の実施の形態− 以下、図１〜５を用いて本発明によるカメラの第１の実
施の形態を説明する。図１は本発明による磁気記録可能
なカメラの第１の実施の形態のブロック図である。図１
では、フィルムへの磁気記録に関連しない構成部分を省
略しており、また、図６に示す従来のカメラと共通する
構成部分には同一符号を付している。
施の形態を説明する。図１は本発明による磁気記録可能
なカメラの第１の実施の形態のブロック図である。図１
では、フィルムへの磁気記録に関連しない構成部分を省
略しており、また、図６に示す従来のカメラと共通する
構成部分には同一符号を付している。
【００１３】図１に示すように、ブリッジ接続された４
個のＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４の間には、フィ
ルムへの磁気記録を行う磁気ヘッド９が接続されてＨブ
リッジ形回路１０ａを構成している。Ｈブリッジ形回路
１０ａの一端すなわちＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１
２のコレクタ端子には電圧変換回路１が接続され、他端
すなわちＮＰＮトランジスタＱ１３，Ｑ１４のエミッタ
端子は接地されている。また、ＮＰＮトランジスタＱ１
１，Ｑ１４のベース端子は相互に接続され、同様にＮＰ
ＮトランジスタＱ１２，Ｑ１３のベース端子も相互に接
続され、いずれのベース端子もＣＰＵ３に接続されてい
る。
個のＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４の間には、フィ
ルムへの磁気記録を行う磁気ヘッド９が接続されてＨブ
リッジ形回路１０ａを構成している。Ｈブリッジ形回路
１０ａの一端すなわちＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１
２のコレクタ端子には電圧変換回路１が接続され、他端
すなわちＮＰＮトランジスタＱ１３，Ｑ１４のエミッタ
端子は接地されている。また、ＮＰＮトランジスタＱ１
１，Ｑ１４のベース端子は相互に接続され、同様にＮＰ
ＮトランジスタＱ１２，Ｑ１３のベース端子も相互に接
続され、いずれのベース端子もＣＰＵ３に接続されてい
る。
【００１４】ＣＰＵ３は、カメラの露出演算や焦点検出
演算等の各種演算処理を行う他、露出制御、電源２のオ
ン・オフ制御およびフィルム給送用モータ７の駆動回路
８の制御等を行う。また、ＣＰＵ３は、フィルム移動検
出装置６によりフィルム移動量および移動速度を検出
し、フィルム上の磁性体の塗布された部分が磁気ヘッド
９の近くまで移動すると、ブリッジ接続されたＮＰＮト
ランジスタを制御して磁気ヘッド９に電流を流し、フィ
ルムに撮影情報等を磁気記録する。
演算等の各種演算処理を行う他、露出制御、電源２のオ
ン・オフ制御およびフィルム給送用モータ７の駆動回路
８の制御等を行う。また、ＣＰＵ３は、フィルム移動検
出装置６によりフィルム移動量および移動速度を検出
し、フィルム上の磁性体の塗布された部分が磁気ヘッド
９の近くまで移動すると、ブリッジ接続されたＮＰＮト
ランジスタを制御して磁気ヘッド９に電流を流し、フィ
ルムに撮影情報等を磁気記録する。
【００１５】１１は、電圧変換回路１と各ＮＰＮトラン
ジスタＱ１１，Ｑ１２のコレクタ端子との間に介装さ
れ、磁気ヘッド９に流れる電流を制限する電流制限抵抗
である。電流制限抵抗１１の一端ａはＣＰＵ３に接続さ
れ、このａ点の電圧を検出することで、ＣＰＵ３はＨブ
リッジ形回路１０ａに異常がないか否かを判断する。異
常が検出されると、ＣＰＵ３は表示装置４に異常がある
旨を表示し、同時にブザー５を鳴動させて異常がある旨
の警告を行う。
ジスタＱ１１，Ｑ１２のコレクタ端子との間に介装さ
れ、磁気ヘッド９に流れる電流を制限する電流制限抵抗
である。電流制限抵抗１１の一端ａはＣＰＵ３に接続さ
れ、このａ点の電圧を検出することで、ＣＰＵ３はＨブ
リッジ形回路１０ａに異常がないか否かを判断する。異
常が検出されると、ＣＰＵ３は表示装置４に異常がある
旨を表示し、同時にブザー５を鳴動させて異常がある旨
の警告を行う。
【００１６】次に、図１の回路動作について説明する。
図示のＡ方向に電流を流す場合には、ＮＰＮトランジス
タＱ１１，Ｑ１４をオンに、ＮＰＮトランジスタＱ１
２，Ｑ１３をオフにする。これにより、電圧変換回路１
からの電流は、電流制限抵抗１１→ＮＰＮトランジスタ
Ｑ１１→磁気ヘッド９→ＮＰＮトランジスタＱ１４→接
地端子Ｇに向けて流れる。一方、図示のＢ方向に電流を
流す場合には、ＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１４をオ
フに、ＮＰＮトランジスタＱ１２，Ｑ１３をオンにす
る。これにより、電圧変換回路１からの電流は、電流制
限抵抗１１→ＮＰＮトランジスタＱ１２→磁気ヘッド９
→ＮＰＮトランジスタＱ１３→接地端子Ｇに向けて流れ
る。
図示のＡ方向に電流を流す場合には、ＮＰＮトランジス
タＱ１１，Ｑ１４をオンに、ＮＰＮトランジスタＱ１
２，Ｑ１３をオフにする。これにより、電圧変換回路１
からの電流は、電流制限抵抗１１→ＮＰＮトランジスタ
Ｑ１１→磁気ヘッド９→ＮＰＮトランジスタＱ１４→接
地端子Ｇに向けて流れる。一方、図示のＢ方向に電流を
流す場合には、ＮＰＮトランジスタＱ１１，Ｑ１４をオ
フに、ＮＰＮトランジスタＱ１２，Ｑ１３をオンにす
る。これにより、電圧変換回路１からの電流は、電流制
限抵抗１１→ＮＰＮトランジスタＱ１２→磁気ヘッド９
→ＮＰＮトランジスタＱ１３→接地端子Ｇに向けて流れ
る。
【００１７】磁気ヘッド９に流れる電流の向きを切り換
える際に、過渡的にすべてのＮＰＮトランジスタＱ１１
〜Ｑ１４が同時にオン状態になるおそれもあるが、その
ような場合でも、電圧変換回路１から流れる電流は必ず
電流制限抵抗１１を通るため、電圧変換回路１から接地
端子Ｇに貫通電流が流れるおそれはなく、貫通電流によ
るトランジスタＱ１１〜Ｑ１４の破壊を確実に防止でき
る。
える際に、過渡的にすべてのＮＰＮトランジスタＱ１１
〜Ｑ１４が同時にオン状態になるおそれもあるが、その
ような場合でも、電圧変換回路１から流れる電流は必ず
電流制限抵抗１１を通るため、電圧変換回路１から接地
端子Ｇに貫通電流が流れるおそれはなく、貫通電流によ
るトランジスタＱ１１〜Ｑ１４の破壊を確実に防止でき
る。
【００１８】図２はＣＰＵ３の磁気情報記録処理を示す
フローチャートである。ＣＰＵ３は、不図示のシャッタ
ボタンが全押しされると、図２の処理を開始する。図２
のステップＳ１では、フィルム給送中か否かを判定す
る。この判定は、例えば巻き上げ軸や巻き上げローラの
回転を検出することにより行う。
フローチャートである。ＣＰＵ３は、不図示のシャッタ
ボタンが全押しされると、図２の処理を開始する。図２
のステップＳ１では、フィルム給送中か否かを判定す
る。この判定は、例えば巻き上げ軸や巻き上げローラの
回転を検出することにより行う。
【００１９】フィルム給送中でない場合はステップＳ１
に留まり、給送中の場合はステップＳ２に進む。ステッ
プＳ２では、フィルム移動検出装置６を用いてフィルム
の移動速度やフィルム位置を検出する。フィルム移動検
出装置６は、例えばフォトリフレクタやフォトインタラ
プタ等によりフィルムのパーフォレーション位置を光学
的に検出することで、フィルムの移動速度や位置を検出
する。ステップＳ３では、磁気情報を書き込み可能な位
置にフィルムが移動したか否かを判定する。その位置ま
で移動していない場合はステップＳ２に戻り、磁気情報
を書き込み可能な位置に移動した場合はステップＳ４に
進む。
に留まり、給送中の場合はステップＳ２に進む。ステッ
プＳ２では、フィルム移動検出装置６を用いてフィルム
の移動速度やフィルム位置を検出する。フィルム移動検
出装置６は、例えばフォトリフレクタやフォトインタラ
プタ等によりフィルムのパーフォレーション位置を光学
的に検出することで、フィルムの移動速度や位置を検出
する。ステップＳ３では、磁気情報を書き込み可能な位
置にフィルムが移動したか否かを判定する。その位置ま
で移動していない場合はステップＳ２に戻り、磁気情報
を書き込み可能な位置に移動した場合はステップＳ４に
進む。
【００２０】ステップＳ４では、フィルムへの写し込み
情報に基づいてＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４のオ
ン・オフを制御し、磁気ヘッド９に電流を流してフィル
ムに磁気記録する。ステップＳ５では、電流制限抵抗１
１の一端ａの電圧を検出し、磁気ヘッド９に流れる電流
値に異常があるか否か、すなわちＨブリッジ形回路１０
ａに異常があるか否かを判定する。異常があると判定さ
れるとステップＳ６に進み、表示装置４にその旨を表示
し、あるいはブザー５を鳴動させてＨブリッジ形回路１
０ａに異常がある旨を撮影者に知らせる。なお、ステッ
プＳ５で異常と判断される場合は、例えばＨブリッジ形
回路１０ａ内の断線やＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１
４の故障等が考えられる。
情報に基づいてＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４のオ
ン・オフを制御し、磁気ヘッド９に電流を流してフィル
ムに磁気記録する。ステップＳ５では、電流制限抵抗１
１の一端ａの電圧を検出し、磁気ヘッド９に流れる電流
値に異常があるか否か、すなわちＨブリッジ形回路１０
ａに異常があるか否かを判定する。異常があると判定さ
れるとステップＳ６に進み、表示装置４にその旨を表示
し、あるいはブザー５を鳴動させてＨブリッジ形回路１
０ａに異常がある旨を撮影者に知らせる。なお、ステッ
プＳ５で異常と判断される場合は、例えばＨブリッジ形
回路１０ａ内の断線やＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１
４の故障等が考えられる。
【００２１】ステップＳ５で正常と判定された場合、あ
るいはステップＳ６の処理が終了した場合にはステップ
Ｓ７に進み、１駒分のフィルム給送が終了したことを確
認してフィルム給送を停止する。
るいはステップＳ６の処理が終了した場合にはステップ
Ｓ７に進み、１駒分のフィルム給送が終了したことを確
認してフィルム給送を停止する。
【００２２】このように、第１の実施の形態では、同一
型のＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４だけでブリッジ
を構成し、Ｈブリッジ形回路１０ａと電圧変換回路１と
の間に電流制限抵抗１１を接続するため、すべてのトラ
ンジスタＱ１１〜Ｑ１４が同時にオンしても、電圧変換
回路１からの電流を必ず電流制限抵抗１１に流すことが
できる。したがって、電圧変換回路１から接地端子Ｇに
向けて貫通電流が流れなくなり、トランジスタの破壊を
防止できるとともに、消費電力を低減できる。また、電
流制限抵抗１１によって磁気ヘッド９に流れる電流値を
制限するため、Ｈブリッジ形回路１０ａ内部の発熱を抑
制できる。
型のＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４だけでブリッジ
を構成し、Ｈブリッジ形回路１０ａと電圧変換回路１と
の間に電流制限抵抗１１を接続するため、すべてのトラ
ンジスタＱ１１〜Ｑ１４が同時にオンしても、電圧変換
回路１からの電流を必ず電流制限抵抗１１に流すことが
できる。したがって、電圧変換回路１から接地端子Ｇに
向けて貫通電流が流れなくなり、トランジスタの破壊を
防止できるとともに、消費電力を低減できる。また、電
流制限抵抗１１によって磁気ヘッド９に流れる電流値を
制限するため、Ｈブリッジ形回路１０ａ内部の発熱を抑
制できる。
【００２３】また、磁気ヘッド９には大量の電流を流す
必要がないことから、許容電流値が大きい大型で値段の
高いパワートランジスタを用いる代わりに、小型のＮＰ
Ｎトランジスタだけでブリッジを構成したため、複数の
同種のトランジスタがワンパッケージに納められた安価
なトランジスタアレイ等を利用でき、コストを低減でき
るとともに、実装面積を削減できる。このように、実装
面積を削減できることは、カメラの小型化を図る上で特
に都合がよい。
必要がないことから、許容電流値が大きい大型で値段の
高いパワートランジスタを用いる代わりに、小型のＮＰ
Ｎトランジスタだけでブリッジを構成したため、複数の
同種のトランジスタがワンパッケージに納められた安価
なトランジスタアレイ等を利用でき、コストを低減でき
るとともに、実装面積を削減できる。このように、実装
面積を削減できることは、カメラの小型化を図る上で特
に都合がよい。
【００２４】第１の実施の形態では、図１のように４個
のＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４をブリッジ接続し
ているが、ＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４を図３の
ようにＮ型のＭＯＳトランジスタまたはＦＥＴ（電界効
果トランジスタ）等のＮ型のユニポーラトランジスタＱ
１５〜Ｑ１８に置き換え、ＭＯＳトランジスタＱ１５，
Ｑ１６のドレイン端子を電流制限抵抗１１に接続し、Ｍ
ＯＳトランジスタＱ１７，Ｑ１８のソース端子を接地端
子Ｇに接続してもよい。
のＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４をブリッジ接続し
ているが、ＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４を図３の
ようにＮ型のＭＯＳトランジスタまたはＦＥＴ（電界効
果トランジスタ）等のＮ型のユニポーラトランジスタＱ
１５〜Ｑ１８に置き換え、ＭＯＳトランジスタＱ１５，
Ｑ１６のドレイン端子を電流制限抵抗１１に接続し、Ｍ
ＯＳトランジスタＱ１７，Ｑ１８のソース端子を接地端
子Ｇに接続してもよい。
【００２５】−第２の実施の形態− 第２の実施の形態は、４個のＰＮＰトランジスタをブリ
ッジ接続して磁気ヘッド９を駆動するものである。図４
は第２の実施の形態のカメラのブロック図である。図４
では、第１の実施の形態と共通する構成部分には同一符
号を付している。図示のように、４個のＰＮＰトランジ
スタＱ２１〜Ｑ２４はブリッジ接続され、各トランジス
タＱ２１〜Ｑ２４には磁気ヘッド９が接続されてＨブリ
ッジ形回路１０ｂを構成している。Ｈブリッジ形回路１
０ｂの一端すなわちＰＮＰトランジスタＱ２１，Ｑ２２
のエミッタ端子は電圧変換回路１と接続され、他端すな
わちＰＮＰトランジスタＱ２３，Ｑ２４のコレクタ端子
は電流制限抵抗１１を介して接地端子Ｇに接続されてい
る。また、ＰＮＰトランジスタＱ２１，Ｑ２４のベース
端子は相互に接続され、同様にＰＮＰトランジスタＱ２
２，Ｑ２３のベース端子も相互に接続され、各ベース端
子はＣＰＵ３に接続されている。さらに、電流制限抵抗
１１の一端ｂはＣＰＵ３に接続されている。
ッジ接続して磁気ヘッド９を駆動するものである。図４
は第２の実施の形態のカメラのブロック図である。図４
では、第１の実施の形態と共通する構成部分には同一符
号を付している。図示のように、４個のＰＮＰトランジ
スタＱ２１〜Ｑ２４はブリッジ接続され、各トランジス
タＱ２１〜Ｑ２４には磁気ヘッド９が接続されてＨブリ
ッジ形回路１０ｂを構成している。Ｈブリッジ形回路１
０ｂの一端すなわちＰＮＰトランジスタＱ２１，Ｑ２２
のエミッタ端子は電圧変換回路１と接続され、他端すな
わちＰＮＰトランジスタＱ２３，Ｑ２４のコレクタ端子
は電流制限抵抗１１を介して接地端子Ｇに接続されてい
る。また、ＰＮＰトランジスタＱ２１，Ｑ２４のベース
端子は相互に接続され、同様にＰＮＰトランジスタＱ２
２，Ｑ２３のベース端子も相互に接続され、各ベース端
子はＣＰＵ３に接続されている。さらに、電流制限抵抗
１１の一端ｂはＣＰＵ３に接続されている。
【００２６】次に、図４の動作を説明する。磁気ヘッド
９に図示のＡ方向に電流を流す場合は、ＰＮＰトランジ
スタＱ２１，Ｑ２４をオンに、ＰＮＰトランジスタＱ２
２，Ｑ２３をオフにする。これにより、電圧変換回路１
からの電流は、ＰＮＰトランジスタＱ２１→磁気ヘッド
９→ＰＮＰトランジスタＱ２４→電流制限抵抗１１→接
地端子Ｇに流れる。逆に、図示のＢ方向に電流を流す場
合は、ＰＮＰトランジスタＱ２１，Ｑ２４をオフに、Ｐ
ＮＰトランジスタＱ２２，Ｑ２３をオンにする。これに
より、電圧変換回路１からの電流は、ＰＮＰトランジス
タＱ２２→磁気ヘッド９→ＰＮＰトランジスタＱ２３→
電流制限抵抗１１→接地端子Ｇに流れる。
９に図示のＡ方向に電流を流す場合は、ＰＮＰトランジ
スタＱ２１，Ｑ２４をオンに、ＰＮＰトランジスタＱ２
２，Ｑ２３をオフにする。これにより、電圧変換回路１
からの電流は、ＰＮＰトランジスタＱ２１→磁気ヘッド
９→ＰＮＰトランジスタＱ２４→電流制限抵抗１１→接
地端子Ｇに流れる。逆に、図示のＢ方向に電流を流す場
合は、ＰＮＰトランジスタＱ２１，Ｑ２４をオフに、Ｐ
ＮＰトランジスタＱ２２，Ｑ２３をオンにする。これに
より、電圧変換回路１からの電流は、ＰＮＰトランジス
タＱ２２→磁気ヘッド９→ＰＮＰトランジスタＱ２３→
電流制限抵抗１１→接地端子Ｇに流れる。
【００２７】磁気ヘッド９に流れる電流の向きを切り換
える際には、過渡的にすべてのＰＮＰトランジスタＱ２
１〜Ｑ２４がオンになる可能性があるが、すべてのトラ
ンジスタＱ２１〜Ｑ２４がオンになっても、電圧変換回
路１からの電流は必ず電流制限抵抗１１を通るため、電
圧変換回路１から接地端子Ｇに向けて貫通電流が流れる
おそれがなくなる。また、同一型のＰＮＰトランジスタ
Ｑ２１〜Ｑ２４だけでブリッジを構成するため、小型か
つ安価な市販のトランジスタアレイを用いることがで
き、コストを低減でき、かつ実装面積を削減できる。
える際には、過渡的にすべてのＰＮＰトランジスタＱ２
１〜Ｑ２４がオンになる可能性があるが、すべてのトラ
ンジスタＱ２１〜Ｑ２４がオンになっても、電圧変換回
路１からの電流は必ず電流制限抵抗１１を通るため、電
圧変換回路１から接地端子Ｇに向けて貫通電流が流れる
おそれがなくなる。また、同一型のＰＮＰトランジスタ
Ｑ２１〜Ｑ２４だけでブリッジを構成するため、小型か
つ安価な市販のトランジスタアレイを用いることがで
き、コストを低減でき、かつ実装面積を削減できる。
【００２８】なお、図４のＰＮＰトランジスタＱ２１〜
Ｑ２４の代わりに、図５のようにＰ型のＭＯＳトランジ
スタやＦＥＴ等のＰ型のユニポーラトランジスタＱ２５
〜Ｑ２８を用いてもよい。
Ｑ２４の代わりに、図５のようにＰ型のＭＯＳトランジ
スタやＦＥＴ等のＰ型のユニポーラトランジスタＱ２５
〜Ｑ２８を用いてもよい。
【００２９】第１および第２の実施の形態では、電流制
限抵抗１１の一端の電圧値によりＨブリッジ形回路１０
ａ，１０ｂの異常を検出し、その結果を表示装置４また
はブザー５で出力しているが、異常を報知する手段は上
記実施の形態に限定されない。例えば、異常が検出され
ると、シャッタを切れないようにしてもよい。また、第
１および第２の実施の形態では、ＮＰＮトランジスタや
ＰＮＰトランジスタ等を用いてＨブリッジ形回路１０
ａ，１０ｂを構成したが、ＣＰＵ３の制御によりオン・
オフするスイッチング素子であれば種類を問わない。さ
らに、第１および第２の実施の形態では、電源２の電圧
を電圧変換回路１で電圧変換してからＨブリッジ形回路
１０ａ，１０ｂに供給する例を示したが、電圧変換回路
１を介さずに電源２の電圧を直接Ｈブリッジ形回路１０
ａ，１０ｂに供給してもよい。
限抵抗１１の一端の電圧値によりＨブリッジ形回路１０
ａ，１０ｂの異常を検出し、その結果を表示装置４また
はブザー５で出力しているが、異常を報知する手段は上
記実施の形態に限定されない。例えば、異常が検出され
ると、シャッタを切れないようにしてもよい。また、第
１および第２の実施の形態では、ＮＰＮトランジスタや
ＰＮＰトランジスタ等を用いてＨブリッジ形回路１０
ａ，１０ｂを構成したが、ＣＰＵ３の制御によりオン・
オフするスイッチング素子であれば種類を問わない。さ
らに、第１および第２の実施の形態では、電源２の電圧
を電圧変換回路１で電圧変換してからＨブリッジ形回路
１０ａ，１０ｂに供給する例を示したが、電圧変換回路
１を介さずに電源２の電圧を直接Ｈブリッジ形回路１０
ａ，１０ｂに供給してもよい。
【００３０】第１および第２の実施の形態では、電流制
限抵抗１１の一端ａ，ｂの電圧値によりＨブリッジ形回
路１０ａ，１０ｂの異常を検出したが、ａ点またはｂ点
以外の箇所の電圧値により異常を検出してもよい。ま
た、第１および第２の実施の形態において、１駒分の撮
影が終わった後の巻き上げ時に駒単位の撮影情報を逐次
記録するようにしても、あるいは、すべての撮影が終わ
った後の巻き戻し時にすべての情報をまとめて記録して
もよい。
限抵抗１１の一端ａ，ｂの電圧値によりＨブリッジ形回
路１０ａ，１０ｂの異常を検出したが、ａ点またはｂ点
以外の箇所の電圧値により異常を検出してもよい。ま
た、第１および第２の実施の形態において、１駒分の撮
影が終わった後の巻き上げ時に駒単位の撮影情報を逐次
記録するようにしても、あるいは、すべての撮影が終わ
った後の巻き戻し時にすべての情報をまとめて記録して
もよい。
【００３１】このように構成した実施の形態にあって
は、ＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４，Ｑ１５〜Ｑ１
８またはＰＮＰトランジスタＱ２１〜Ｑ２４，Ｑ２５〜
Ｑ２８がスイッチング素子に、電源２および電圧変換回
路１が電源供給回路に、電流制限抵抗１１が電流制限手
段および抵抗体に、図２のステップＳ５が異常検出手段
に、表示装置４およびブザー５が警告手段に、それぞれ
対応する。
は、ＮＰＮトランジスタＱ１１〜Ｑ１４，Ｑ１５〜Ｑ１
８またはＰＮＰトランジスタＱ２１〜Ｑ２４，Ｑ２５〜
Ｑ２８がスイッチング素子に、電源２および電圧変換回
路１が電源供給回路に、電流制限抵抗１１が電流制限手
段および抵抗体に、図２のステップＳ５が異常検出手段
に、表示装置４およびブザー５が警告手段に、それぞれ
対応する。
【００３２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、Ｈブリッジ形回路を構成する各トランジスタが同
時にオンしても、貫通電流が流れないようにしたため、
貫通電流によるトランジスタの破壊を確実に防止でき
る。また、磁気ヘッドに流れる電流値が所定値を超えな
いようにしたため、Ｈブリッジ形回路からの発熱を抑制
でき、かつ磁気ヘッドに必要以上の電流を流さなくなる
ことから消費電力を低減できる。さらに、Ｈブリッジ形
回路内のトランジスタをすべて同一型にするため、市販
品の安価なトランジスタアレイ等を用いることができ、
磁気ヘッド駆動回路の実装面積を小さくできる。請求項
２，３に記載の発明によれば、電流制限手段を安価な抵
抗体で構成するため、コストを削減できる。請求項４に
記載の発明によれば、抵抗体の一端の電圧に基づいてＨ
ブリッジ形回路の異常を検出するため、Ｈブリッジ形回
路の異常をコストをかけることなく簡易かつリアルタイ
ムに検出できる。請求項５，６に記載の発明によれば、
Ｈブリッジ形回路の異常が検出されると警告を行うた
め、異常が起こったことを即座に撮影者に報知できる。
れば、Ｈブリッジ形回路を構成する各トランジスタが同
時にオンしても、貫通電流が流れないようにしたため、
貫通電流によるトランジスタの破壊を確実に防止でき
る。また、磁気ヘッドに流れる電流値が所定値を超えな
いようにしたため、Ｈブリッジ形回路からの発熱を抑制
でき、かつ磁気ヘッドに必要以上の電流を流さなくなる
ことから消費電力を低減できる。さらに、Ｈブリッジ形
回路内のトランジスタをすべて同一型にするため、市販
品の安価なトランジスタアレイ等を用いることができ、
磁気ヘッド駆動回路の実装面積を小さくできる。請求項
２，３に記載の発明によれば、電流制限手段を安価な抵
抗体で構成するため、コストを削減できる。請求項４に
記載の発明によれば、抵抗体の一端の電圧に基づいてＨ
ブリッジ形回路の異常を検出するため、Ｈブリッジ形回
路の異常をコストをかけることなく簡易かつリアルタイ
ムに検出できる。請求項５，６に記載の発明によれば、
Ｈブリッジ形回路の異常が検出されると警告を行うた
め、異常が起こったことを即座に撮影者に報知できる。
【図１】本発明による磁気記録可能なカメラの第１の実
施の形態のブロック図。
施の形態のブロック図。
【図２】ＣＰＵの磁気情報記録処理を示すフローチャー
ト。
ト。
【図３】図１のＮＰＮトランジスタをＮ型のユニポーラ
トランジスタに置き換えた図。
トランジスタに置き換えた図。
【図４】本発明による磁気記録可能なカメラの第２の実
施の形態のブロック図。
施の形態のブロック図。
【図５】図４のＰＮＰトランジスタをＰ型のユニポーラ
トランジスタに置き換えた図。
トランジスタに置き換えた図。
【図６】磁気ヘッドの駆動回路をＨブリッジ型回路で構
成した従来のカメラのブロック図。
成した従来のカメラのブロック図。
【図７】図６の抵抗の接続位置を変更した図。
１ 電源 ２ 電圧変換回路 ３ ＣＰＵ ４ 表示装置 ５ ブザー ６ フィルム移動検出装置 ８ 給送モータ駆動回路 ９ 磁気ヘッド １０，１０ａ，１０ｂ Ｈブリッジ形回路 １１ 電流制限抵抗
Claims (6)
- 【請求項１】 ブリッジ接続された４つのスイッチング
素子に磁気ヘッドを接続してＨブリッジ形回路を構成
し、該Ｈブリッジ形回路の一端に電源供給回路を接続す
るとともに他端に接地端子を接続し、前記４つのスイッ
チング素子のオン・オフにより前記電源供給回路から前
記磁気ヘッドに流れる電流の向きを制御して記録媒体へ
の磁気記録を行うカメラにおいて、 前記４つのスイッチング素子はいずれも同一型のトラン
ジスタで構成され、 前記各トランジスタが同時にオンしても前記電源供給回
路から前記接地端子に貫通電流が流れないように、かつ
前記磁気ヘッドに流れる電流値が所定値を超えないよう
に前記Ｈブリッジ形回路に流れる電流値を制限する電流
制限手段を備えることを特徴とする磁気記録可能なカメ
ラ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気記録可能なカメラ
において、 前記４つのスイッチング素子はそれぞれＮＰＮ型バイポ
ーラトランジスタまたはＮチャネル型のユニポーラトラ
ンジスタで構成され、 前記電流制限手段は抵抗体で構成され、 前記４つのトランジスタのうち２つのトランジスタのコ
レクタ端子またはドレイン端子は前記抵抗体を介して前
記電源供給回路に接続され、該２つのトランジスタ以外
のトランジスタのエミッタ端子またはソース端子は接地
端子に接続されることを特徴とする磁気記録可能なカメ
ラ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気記録可能なカメラ
において、 前記４つのスイッチング素子はそれぞれＰＮＰ型バイポ
ーラトランジスタまたはＰチャネル型のユニポーラトラ
ンジスタで構成され、 前記電流制限手段は抵抗体で構成され、 前記４つのトランジスタのうち２つのトランジスタのエ
ミッタ端子またはソース端子は前記電源供給回路に接続
され、該２つのトランジスタを除くトランジスタのコレ
クタ端子またはドレイン端子は前記抵抗体を介して接地
端子に接続されることを特徴とする磁気記録可能なカメ
ラ。 - 【請求項４】 請求項２または３に記載の磁気記録可能
なカメラにおいて、 前記抵抗体の一端の電圧に基づいて前記Ｈブリッジ形回
路の異常を検出する異常検出手段を備えることを特徴と
する磁気記録可能なカメラ。 - 【請求項５】 請求項４に記載の磁気記録可能なカメラ
において、 前記Ｈブリッジ形回路の異常が検出されると警告を行う
警告手段を備えることを特徴とする磁気記録可能なカメ
ラ。 - 【請求項６】 ブリッジ接続された４つのスイッチング
素子に磁気ヘッドを接続してＨブリッジ形回路を構成
し、該Ｈブリッジ形回路の一端に電源供給回路を接続す
るとともに他端に接地端子を接続し、前記４つのスイッ
チング素子のオン・オフにより前記電源供給回路から前
記磁気ヘッドに流れる電流の向きを制御して記録媒体へ
の磁気記録を行うカメラにおいて、 前記Ｈブリッジ形回路内部の所定箇所の電圧に基づいて
該Ｈブリッジ形回路の動作不良を検出する異常検出手段
と、 前記異常検出手段により異常が検出されると警告を行う
警告手段とを備えることを特徴とする磁気記録可能なカ
メラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7199478A JPH0950078A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気記録可能なカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7199478A JPH0950078A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気記録可能なカメラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950078A true JPH0950078A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16408478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7199478A Pending JPH0950078A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気記録可能なカメラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950078A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006316929A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Smc Corp | 電磁弁駆動制御装置 |
| EP3211439A1 (en) * | 2008-08-18 | 2017-08-30 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Detector circuit |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP7199478A patent/JPH0950078A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006316929A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Smc Corp | 電磁弁駆動制御装置 |
| EP3211439A1 (en) * | 2008-08-18 | 2017-08-30 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Detector circuit |
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