JPH09330891A - 半導体チップおよび半導体チップの製造方法 - Google Patents
半導体チップおよび半導体チップの製造方法Info
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- JPH09330891A JPH09330891A JP8145415A JP14541596A JPH09330891A JP H09330891 A JPH09330891 A JP H09330891A JP 8145415 A JP8145415 A JP 8145415A JP 14541596 A JP14541596 A JP 14541596A JP H09330891 A JPH09330891 A JP H09330891A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハから半導体チップを切出す際、
損傷を受けにくい半導体チップおよびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 ウエハ20の切断部分の上部には、ダイ
シングソーによるスクライブライン(切断線)24より
も広い幅の切断用溝26が形成されている。すなわち、
切出されたダイ22の側面28において、切断用溝26
の側壁32は、切断面30から待避させられた状態にな
る。したがって、ダイシングソー(図示せず)を用い
て、切断用溝26の中心に沿ってウエハ20を切断する
場合、ダイシングソーが切断用溝26の側壁32に接す
る可能性はきわめて低い。このため、ダイシングソーの
刃の進入にともなうダイ22上面の破損を防止すること
ができる。
損傷を受けにくい半導体チップおよびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 ウエハ20の切断部分の上部には、ダイ
シングソーによるスクライブライン(切断線)24より
も広い幅の切断用溝26が形成されている。すなわち、
切出されたダイ22の側面28において、切断用溝26
の側壁32は、切断面30から待避させられた状態にな
る。したがって、ダイシングソー(図示せず)を用い
て、切断用溝26の中心に沿ってウエハ20を切断する
場合、ダイシングソーが切断用溝26の側壁32に接す
る可能性はきわめて低い。このため、ダイシングソーの
刃の進入にともなうダイ22上面の破損を防止すること
ができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップに
関し、特に、半導体ウエハから複数の半導体チップを切
出す技術に関する。
関し、特に、半導体ウエハから複数の半導体チップを切
出す技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子を多数形成した1枚のウエハ
をダイシングソー等により切り分けることにより、複数
のダイ(半導体チップ)を得る技術が知られている。シ
リコンウエハからダイを切出す作業のようす(フルカッ
トの場合)を、図14に示す。まず図14Aに示すよう
に、ウエハ2を、表面に粘着材を塗布したプラスチック
フィルム4に貼りつける。つぎに、図14Bに示すよう
に、貼りつけたウエハ2をダイシングソー6により完全
に切断する。このようにして、1枚のウエハ2から多数
のダイ8を切出すことができる(図15参照)。
をダイシングソー等により切り分けることにより、複数
のダイ(半導体チップ)を得る技術が知られている。シ
リコンウエハからダイを切出す作業のようす(フルカッ
トの場合)を、図14に示す。まず図14Aに示すよう
に、ウエハ2を、表面に粘着材を塗布したプラスチック
フィルム4に貼りつける。つぎに、図14Bに示すよう
に、貼りつけたウエハ2をダイシングソー6により完全
に切断する。このようにして、1枚のウエハ2から多数
のダイ8を切出すことができる(図15参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方法には、次のような問題点があった。ウ
エハ2からダイ8を切出す際、ダイシングソー6によ
り、ダイ8の一部が破損する場合がある。特に、図15
に示すように、縦方向のスクライブライン(切断線)1
0と横方向のスクライブライン12とが交差する交差点
14近傍において、ダイ8の角部8aが破損することが
ある。
ような従来の方法には、次のような問題点があった。ウ
エハ2からダイ8を切出す際、ダイシングソー6によ
り、ダイ8の一部が破損する場合がある。特に、図15
に示すように、縦方向のスクライブライン(切断線)1
0と横方向のスクライブライン12とが交差する交差点
14近傍において、ダイ8の角部8aが破損することが
ある。
【0004】図16に示すように、ダイ8の上部がシリ
コン窒化物(SiN)等により構成された保護膜16に
より覆われている場合、ダイ8の角部8aが崩れること
により、この保護膜16にひび割れ等の損傷が生じ、ダ
イ8の防水性等が損われる。このような問題は、1つの
ウエハ2からより多数のダイ8を切出すために、ダイ8
相互の間隔を狭く設定しなければならない場合、すなわ
ち、スクライブラインのマージンが小さい場合に、特に
顕著に生ずる。
コン窒化物(SiN)等により構成された保護膜16に
より覆われている場合、ダイ8の角部8aが崩れること
により、この保護膜16にひび割れ等の損傷が生じ、ダ
イ8の防水性等が損われる。このような問題は、1つの
ウエハ2からより多数のダイ8を切出すために、ダイ8
相互の間隔を狭く設定しなければならない場合、すなわ
ち、スクライブラインのマージンが小さい場合に、特に
顕著に生ずる。
【0005】この発明は、このような問題点を解決し、
半導体ウエハから半導体チップを切出す際、損傷を受け
にくい半導体チップおよびその製造方法を提供すること
を目的とする。
半導体ウエハから半導体チップを切出す際、損傷を受け
にくい半導体チップおよびその製造方法を提供すること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の半導体チップ
は、半導体ウエハから切出す際に形成されたほぼ平坦な
切断面を有する側面を複数備えた半導体チップにおい
て、前記側面に、切断面から実質的に退避させた逃げ部
を設けたことを特徴とする。
は、半導体ウエハから切出す際に形成されたほぼ平坦な
切断面を有する側面を複数備えた半導体チップにおい
て、前記側面に、切断面から実質的に退避させた逃げ部
を設けたことを特徴とする。
【0007】請求項2の半導体チップは、請求項1の半
導体チップにおいて、側面相互が交差する近傍における
逃げ部の切断面からの退避量が、側面相互が交差する近
傍以外の部分における逃げ部の切断面からの退避量より
大きくなるよう形成したことを特徴とする。
導体チップにおいて、側面相互が交差する近傍における
逃げ部の切断面からの退避量が、側面相互が交差する近
傍以外の部分における逃げ部の切断面からの退避量より
大きくなるよう形成したことを特徴とする。
【0008】請求項3の半導体チップの製造方法は、半
導体ウエハから半導体チップを切出す切断工程を有する
半導体チップの製造方法において、前記切断工程に先立
ち、半導体ウエハの切断予定部分に、切出し工具の切断
代より広い幅の切断用溝を形成する溝形成工程を設けた
ことを特徴とする。
導体ウエハから半導体チップを切出す切断工程を有する
半導体チップの製造方法において、前記切断工程に先立
ち、半導体ウエハの切断予定部分に、切出し工具の切断
代より広い幅の切断用溝を形成する溝形成工程を設けた
ことを特徴とする。
【0009】請求項4の半導体チップの製造方法は、請
求項3の半導体チップの製造方法において、前記切断用
溝相互の交差点近傍における切断用溝の幅が、切断用溝
相互の交差点近傍以外の部分における切断用溝の幅より
広くなるよう形成したことを特徴とする。
求項3の半導体チップの製造方法において、前記切断用
溝相互の交差点近傍における切断用溝の幅が、切断用溝
相互の交差点近傍以外の部分における切断用溝の幅より
広くなるよう形成したことを特徴とする。
【0010】請求項5の半導体チップの製造方法は、請
求項4の半導体チップの製造方法において、前記溝形成
工程の前の工程で使用したレジストを加熱して拡張した
ものを、溝形成工程におけるマスクとしてエッチングを
行なうことにより、前記切断用溝を形成するよう構成す
るとともに、当該前の工程で使用するレジストのパター
ンのうち、交差する切断用溝の輪郭線に対応する部分相
互を滑らかに接続したことを特徴とする。
求項4の半導体チップの製造方法において、前記溝形成
工程の前の工程で使用したレジストを加熱して拡張した
ものを、溝形成工程におけるマスクとしてエッチングを
行なうことにより、前記切断用溝を形成するよう構成す
るとともに、当該前の工程で使用するレジストのパター
ンのうち、交差する切断用溝の輪郭線に対応する部分相
互を滑らかに接続したことを特徴とする。
【0011】請求項6の半導体チップの製造方法は、請
求項3ないし請求項5のいずれかの半導体チップの製造
方法において、半導体チップの前記切断用溝の形状に沿
うよう、半導体チップを構成する半導体素子の配置を定
めたことを特徴とする。
求項3ないし請求項5のいずれかの半導体チップの製造
方法において、半導体チップの前記切断用溝の形状に沿
うよう、半導体チップを構成する半導体素子の配置を定
めたことを特徴とする。
【0012】
【発明の効果】請求項1の半導体チップおよび請求項3
の半導体チップの製造方法は、半導体チップの側面に、
切断面から実質的に退避させた逃げ部を設けることを特
徴とする。
の半導体チップの製造方法は、半導体チップの側面に、
切断面から実質的に退避させた逃げ部を設けることを特
徴とする。
【0013】したがって、半導体ウエハから半導体チッ
プを切出す際、切出し工具が逃げ部に接触することはな
い。このため、逃げ部が切出し工具により損傷を受ける
ことはない。すなわち、損傷を受ける可能性が高い部分
に逃げ部を設けることで、損傷を受けにくい半導体チッ
プを実現することができる。
プを切出す際、切出し工具が逃げ部に接触することはな
い。このため、逃げ部が切出し工具により損傷を受ける
ことはない。すなわち、損傷を受ける可能性が高い部分
に逃げ部を設けることで、損傷を受けにくい半導体チッ
プを実現することができる。
【0014】請求項2の半導体チップおよび請求項4の
半導体チップの製造方法は、側面相互が交差する近傍に
おける逃げ部の切断面からの退避量が、側面相互が交差
する近傍以外の部分における逃げ部の切断面からの退避
量より大きくなるよう設定したことを特徴とする。
半導体チップの製造方法は、側面相互が交差する近傍に
おける逃げ部の切断面からの退避量が、側面相互が交差
する近傍以外の部分における逃げ部の切断面からの退避
量より大きくなるよう設定したことを特徴とする。
【0015】したがって、半導体ウエハから半導体チッ
プを切出す際、特に欠けやすい半導体チップの角部に、
より大きな逃げ部が設けられることになる。このため、
より損傷を受けにくい半導体チップを実現することがで
きる。
プを切出す際、特に欠けやすい半導体チップの角部に、
より大きな逃げ部が設けられることになる。このため、
より損傷を受けにくい半導体チップを実現することがで
きる。
【0016】請求項5の半導体チップの製造方法は、溝
形成工程の前の工程で使用するレジストのパターンのう
ち、交差する切断用溝の輪郭線に対応する部分相互を滑
らかに接続したことを特徴とする。
形成工程の前の工程で使用するレジストのパターンのう
ち、交差する切断用溝の輪郭線に対応する部分相互を滑
らかに接続したことを特徴とする。
【0017】したがって、当該前の工程で使用したレジ
ストを加熱すると、滑らかに接続された部分について
は、レジストが一様に拡張される。このため、拡張され
たレジストを溝形成工程におけるマスクとしてエッチン
グを行なった場合、切断用溝の交差部分における輪郭線
も、角がなく滑らかなものとなる。すなわち、半導体チ
ップの角部に、大きな逃げ部を確実に設けることができ
る。
ストを加熱すると、滑らかに接続された部分について
は、レジストが一様に拡張される。このため、拡張され
たレジストを溝形成工程におけるマスクとしてエッチン
グを行なった場合、切断用溝の交差部分における輪郭線
も、角がなく滑らかなものとなる。すなわち、半導体チ
ップの角部に、大きな逃げ部を確実に設けることができ
る。
【0018】請求項6の半導体チップの製造方法は、半
導体チップの切断用溝の形状に沿うよう、半導体チップ
を構成する半導体素子の配置を定めたことを特徴とす
る。したがって、逃げ部の寸法や位置が、チップ内の半
導体素子の存在により制限されることはない。このた
め、必要な位置に必要な寸法の逃げ部を設けることがで
きる。
導体チップの切断用溝の形状に沿うよう、半導体チップ
を構成する半導体素子の配置を定めたことを特徴とす
る。したがって、逃げ部の寸法や位置が、チップ内の半
導体素子の存在により制限されることはない。このた
め、必要な位置に必要な寸法の逃げ部を設けることがで
きる。
【0019】
【発明の実施の形態】図1に、この発明の一実施形態に
よる半導体チップであるプレーナトランジスタのダイ2
2を示す断面図である。図1は、ウエハ20からダイ2
2を切出す前の状態を示す。この後、ウエハ20は、ダ
イシングソー(図示せず)により、切断される。ウエハ
20の切断部の上部には、ダイシングソーによるスクラ
イブライン(切断線)24よりも広い幅の切断用溝26
が形成されている。
よる半導体チップであるプレーナトランジスタのダイ2
2を示す断面図である。図1は、ウエハ20からダイ2
2を切出す前の状態を示す。この後、ウエハ20は、ダ
イシングソー(図示せず)により、切断される。ウエハ
20の切断部の上部には、ダイシングソーによるスクラ
イブライン(切断線)24よりも広い幅の切断用溝26
が形成されている。
【0020】したがって、スクライブライン24で分割
されたダイ22の側面28は、ダイシングソーによりカ
ットされたほぼ平坦な切断面30と、切断用溝26の側
壁32とにより構成されることになる。切断用溝26の
側壁32が、逃げ部に対応する。すなわち、切断用溝2
6の側壁32は、切断面30から待避させられた状態に
なっている。
されたダイ22の側面28は、ダイシングソーによりカ
ットされたほぼ平坦な切断面30と、切断用溝26の側
壁32とにより構成されることになる。切断用溝26の
側壁32が、逃げ部に対応する。すなわち、切断用溝2
6の側壁32は、切断面30から待避させられた状態に
なっている。
【0021】図2は、図1に示すウエハ20の平面図
(略図)である。図2に示すように、ダイ22は、上述
の構成を有する4つの側面28により囲まれている。ま
た、図2に示すように、互いに交差する切断用溝26の
側壁32は、交差点34近傍において接続部32aによ
り接続されている。この実施形態においては、接続部3
2aは、円弧状に形成されている。
(略図)である。図2に示すように、ダイ22は、上述
の構成を有する4つの側面28により囲まれている。ま
た、図2に示すように、互いに交差する切断用溝26の
側壁32は、交差点34近傍において接続部32aによ
り接続されている。この実施形態においては、接続部3
2aは、円弧状に形成されている。
【0022】つぎに、図1〜図13に基づいて、プレー
ナトランジスタの製造手順を説明する。図3〜図9は、
ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ部分につ
いての、製造工程の一部を示す平面図である。図10
は、一部の製造工程におけるウエハ20の部分拡大平面
図である。図11〜図13は、一部の製造工程における
ウエハ20の断面図の一部である。
ナトランジスタの製造手順を説明する。図3〜図9は、
ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ部分につ
いての、製造工程の一部を示す平面図である。図10
は、一部の製造工程におけるウエハ20の部分拡大平面
図である。図11〜図13は、一部の製造工程における
ウエハ20の断面図の一部である。
【0023】まず、図1に示すように、N型の基板40
の表面に、エピタキシャル成長層42およびシリコン酸
化膜(SiO2)44をこの順に形成したものを用意す
る。
の表面に、エピタキシャル成長層42およびシリコン酸
化膜(SiO2)44をこの順に形成したものを用意す
る。
【0024】つぎに、図3に示すように、シリコン酸化
膜(SiO2)44のうち斜線部のみを、エッチングによ
り取り除く。エッチングは、斜線部以外の部分をレジス
トによりマスクすることにより行なう。エッチング後、
レジストを取り除き、残されたシリコン酸化膜44(斜
線部以外の部分)をマスクとして、ボロンを熱拡散させ
る。これにより、ベース領域46が形成される。
膜(SiO2)44のうち斜線部のみを、エッチングによ
り取り除く。エッチングは、斜線部以外の部分をレジス
トによりマスクすることにより行なう。エッチング後、
レジストを取り除き、残されたシリコン酸化膜44(斜
線部以外の部分)をマスクとして、ボロンを熱拡散させ
る。これにより、ベース領域46が形成される。
【0025】その後、再びウエハ20の表面にシリコン
酸化膜44を形成し、上述のベース領域46の形成と同
様の手順で、図4に示すように、エミッタ領域48を形
成する。ただし、この場合、ボロンではなくリンを熱拡
散させる。この工程において、同時にガードリング50
も形成される。ガードリング50は、プレーナトランジ
スタの素子を取巻くように形成され、チップ表面におけ
るリーク電流の発生を防止する。この実施形態において
は、ガードリング50の角部50aは、円弧状に形成さ
れている。
酸化膜44を形成し、上述のベース領域46の形成と同
様の手順で、図4に示すように、エミッタ領域48を形
成する。ただし、この場合、ボロンではなくリンを熱拡
散させる。この工程において、同時にガードリング50
も形成される。ガードリング50は、プレーナトランジ
スタの素子を取巻くように形成され、チップ表面におけ
るリーク電流の発生を防止する。この実施形態において
は、ガードリング50の角部50aは、円弧状に形成さ
れている。
【0026】つぎに、図5に示すように、ポリシリコン
により構成された抵抗体52(斜線部)を形成する。す
なわち、ウエハ20の表面に、再度、シリコン酸化膜4
4を形成し、その上にポリシリコンを堆積させる。堆積
させたポリシリコンをパタニングすることにより、抵抗
体52が形成される。
により構成された抵抗体52(斜線部)を形成する。す
なわち、ウエハ20の表面に、再度、シリコン酸化膜4
4を形成し、その上にポリシリコンを堆積させる。堆積
させたポリシリコンをパタニングすることにより、抵抗
体52が形成される。
【0027】つぎに、図6に示すように、ベース領域4
6およびエミッタ領域48の上部のシリコン酸化膜44
を、エッチングにより一部取り除き、コンタクトホール
54、56を形成する。この工程で、ガードリング50
の外側のシリコン酸化膜44も取り除いておく。斜線部
が、この工程で取り除かれるシリコン酸化膜44の範囲
である。
6およびエミッタ領域48の上部のシリコン酸化膜44
を、エッチングにより一部取り除き、コンタクトホール
54、56を形成する。この工程で、ガードリング50
の外側のシリコン酸化膜44も取り除いておく。斜線部
が、この工程で取り除かれるシリコン酸化膜44の範囲
である。
【0028】つぎに、図7に示すように、斜線部にアル
ミ配線58を形成する。アルミ配線58は、真空蒸着等
の手法を用いてウエハ20の表面にアルミの層を形成
し、これをエッチングによりパタニングすることにより
得られる。
ミ配線58を形成する。アルミ配線58は、真空蒸着等
の手法を用いてウエハ20の表面にアルミの層を形成
し、これをエッチングによりパタニングすることにより
得られる。
【0029】つぎに、図11Aに示すように、CVD法
等により、ウエハ20の表面に保護膜としてシリコン窒
化膜(SiN)60を形成し、図11Bに示すように、
形成したシリコン窒化膜60上にレジスト62をパタニ
ングする。つぎに、図12Aに示すように、レジスト6
2をマスクとしてエッチングを行なうことにより、シリ
コン窒化膜60の一部を取り除く。
等により、ウエハ20の表面に保護膜としてシリコン窒
化膜(SiN)60を形成し、図11Bに示すように、
形成したシリコン窒化膜60上にレジスト62をパタニ
ングする。つぎに、図12Aに示すように、レジスト6
2をマスクとしてエッチングを行なうことにより、シリ
コン窒化膜60の一部を取り除く。
【0030】このようにして取り除かれたシリコン窒化
膜60の範囲が、図8に示す斜線部である。この工程に
おいて、ボンディングワイヤ(図示せず)のためのコン
タクトホール64が形成されるとともに、ダイ22の周
辺部22aのシリコン窒化膜60が取り除かれる。した
がって、図12Aに示すように、ダイ22の周辺部22
aにおいては、シリコンのエピタキシャル成長層42が
露出する。
膜60の範囲が、図8に示す斜線部である。この工程に
おいて、ボンディングワイヤ(図示せず)のためのコン
タクトホール64が形成されるとともに、ダイ22の周
辺部22aのシリコン窒化膜60が取り除かれる。した
がって、図12Aに示すように、ダイ22の周辺部22
aにおいては、シリコンのエピタキシャル成長層42が
露出する。
【0031】つぎに、図12Aの状態のまま、すなわ
ち、図12Aの工程で使用したレジスト62を残したま
ま、ウエハ20を加熱する。この加熱により、図12B
に示すように、レジスト62が少し広がり、ダイ22の
周辺部22aを一部覆うようになる。
ち、図12Aの工程で使用したレジスト62を残したま
ま、ウエハ20を加熱する。この加熱により、図12B
に示すように、レジスト62が少し広がり、ダイ22の
周辺部22aを一部覆うようになる。
【0032】図10に示すハッチング部分が、加熱前の
レジスト62を示す。加熱により、レジスト62は、破
線部分まで広がる。この実施形態においては、前述のス
クライブライン24の交差点34近傍にあるレジスト6
2の角部62aを円弧状にパタニングするよう構成して
いる。したがって、加熱した場合、角部62aにおい
て、レジスト62は円弧の法線方向に向って、均一に広
がる。
レジスト62を示す。加熱により、レジスト62は、破
線部分まで広がる。この実施形態においては、前述のス
クライブライン24の交差点34近傍にあるレジスト6
2の角部62aを円弧状にパタニングするよう構成して
いる。したがって、加熱した場合、角部62aにおい
て、レジスト62は円弧の法線方向に向って、均一に広
がる。
【0033】つぎに、図13Aに示すように、加熱によ
り広がったレジスト62をマスクとしてエッチングを行
なう。この工程で、ダイ22の周辺部22aの一部にお
いて、エピタキシャル成長層42が所定深さだけ取り除
かれ、上述(図2参照)の切断用溝26が形成される。
なお、コンタクトホール64の一部においてアルミ配線
58が露出しているが、シリコンに比しアルミニウムの
エッチングレートがかなり小さいため、アルミ配線58
はほとんどエッチングされない。
り広がったレジスト62をマスクとしてエッチングを行
なう。この工程で、ダイ22の周辺部22aの一部にお
いて、エピタキシャル成長層42が所定深さだけ取り除
かれ、上述(図2参照)の切断用溝26が形成される。
なお、コンタクトホール64の一部においてアルミ配線
58が露出しているが、シリコンに比しアルミニウムの
エッチングレートがかなり小さいため、アルミ配線58
はほとんどエッチングされない。
【0034】このようにして形成された切断用溝26
が、図9の斜線部で示される。その後、図13Bに示す
ように、レジスト62を取り除く。図9に示すように、
プレーナトランジスタを構成する要素は、ガードリング
50を含め、全て切断用溝26の内側に納まるように配
置されている。
が、図9の斜線部で示される。その後、図13Bに示す
ように、レジスト62を取り除く。図9に示すように、
プレーナトランジスタを構成する要素は、ガードリング
50を含め、全て切断用溝26の内側に納まるように配
置されている。
【0035】つぎに、図1に示すように、切断用溝26
の幅より狭い幅のダイシングソー(図示せず)を用い
て、切断用溝26の中心に沿ってウエハ20を切断す
る。したがって、スクライブライン24の幅は切断用溝
26の幅より狭く、ダイシングソーが切断用溝26の側
壁32に接する可能性はきわめて低い。このため、ダイ
シングソーの刃の進入にともなうダイ22上面の破損を
防止することができる。
の幅より狭い幅のダイシングソー(図示せず)を用い
て、切断用溝26の中心に沿ってウエハ20を切断す
る。したがって、スクライブライン24の幅は切断用溝
26の幅より狭く、ダイシングソーが切断用溝26の側
壁32に接する可能性はきわめて低い。このため、ダイ
シングソーの刃の進入にともなうダイ22上面の破損を
防止することができる。
【0036】このように、切断用溝26を設けることに
より、切断の精度を大幅に向上させることができる。し
たがって、1つのウエハ20から、より多数のダイ22
を切出すために、ダイ22相互の間隔を狭く設定しなけ
ればならない場合、すなわち、スクライブライン24の
マージンを小さくせざるを得ない場合であっても、ダイ
シングソーの幅自体を変更する必要はない。
より、切断の精度を大幅に向上させることができる。し
たがって、1つのウエハ20から、より多数のダイ22
を切出すために、ダイ22相互の間隔を狭く設定しなけ
ればならない場合、すなわち、スクライブライン24の
マージンを小さくせざるを得ない場合であっても、ダイ
シングソーの幅自体を変更する必要はない。
【0037】図2に示すように、ウエハ20の上面に形
成された縦および横の切断用溝26に沿って、ダイシン
グソーでウエハ20を切断することにより、ウエハ20
からダイ22を切出す。
成された縦および横の切断用溝26に沿って、ダイシン
グソーでウエハ20を切断することにより、ウエハ20
からダイ22を切出す。
【0038】上述のように、互いに交差する切断用溝2
6の側壁32は、交差点34近傍において接続部32a
で接続され、接続部32aは、円弧状に形成されてい
る。つまり、交差点34近傍において、切断用溝26の
側壁32は、スクライブライン24から、より離れてい
る。したがって、スクライブライン24の交差点34近
傍において、ダイシングソーが切断用溝26の側壁32
の接続部32aに接することはない。このため、切断時
にもっとも欠けやすいダイ22上面角部の破損を確実に
防止することができる。
6の側壁32は、交差点34近傍において接続部32a
で接続され、接続部32aは、円弧状に形成されてい
る。つまり、交差点34近傍において、切断用溝26の
側壁32は、スクライブライン24から、より離れてい
る。したがって、スクライブライン24の交差点34近
傍において、ダイシングソーが切断用溝26の側壁32
の接続部32aに接することはない。このため、切断時
にもっとも欠けやすいダイ22上面角部の破損を確実に
防止することができる。
【0039】なお、上述の実施形態においては、切断用
溝26の側壁32の接続部32aを円弧状に形成した
が、接続部32aを円弧状以外の形状、たとえば楕円形
状、双曲線形状等の2次曲線形状や3次以上の曲線形状
にすることができる。また、2以上の直線を接続した形
状や、1つの曲線(面取り形状)により形成することも
できる。
溝26の側壁32の接続部32aを円弧状に形成した
が、接続部32aを円弧状以外の形状、たとえば楕円形
状、双曲線形状等の2次曲線形状や3次以上の曲線形状
にすることができる。また、2以上の直線を接続した形
状や、1つの曲線(面取り形状)により形成することも
できる。
【0040】また、上述の実施形態においては、溝形成
工程の前の工程で使用したレジストを加熱して拡張した
ものを、溝形成工程におけるマスクとしてエッチングを
行なうことにより、切断用溝を形成するよう構成した
が、前の工程で使用したレジストを使用することなく、
全く独立の工程により切断用溝を形成するよう構成する
こともできる。
工程の前の工程で使用したレジストを加熱して拡張した
ものを、溝形成工程におけるマスクとしてエッチングを
行なうことにより、切断用溝を形成するよう構成した
が、前の工程で使用したレジストを使用することなく、
全く独立の工程により切断用溝を形成するよう構成する
こともできる。
【0041】また、上述の実施形態においては、切断用
溝相互の交差点近傍における切断用溝の幅が、切断用溝
相互の交差点近傍以外の部分における切断用溝の幅より
広くなるよう形成したが、切断用溝相互の交差点近傍に
おける切断用溝の幅が、切断用溝相互の交差点近傍以外
の部分における切断用溝の幅より広くならないよう形成
することもできる。
溝相互の交差点近傍における切断用溝の幅が、切断用溝
相互の交差点近傍以外の部分における切断用溝の幅より
広くなるよう形成したが、切断用溝相互の交差点近傍に
おける切断用溝の幅が、切断用溝相互の交差点近傍以外
の部分における切断用溝の幅より広くならないよう形成
することもできる。
【0042】また、上述の実施形態においては、半導体
チップの側面全周に渡り、側面の上部に逃げ部を設けた
が、逃げ部は、必ずしも半導体チップの側面全周に渡り
設ける必要はない。たとえば、半導体チップの角部にの
み設けるよう構成することもできる。また、逃げ部は、
必ずしも側面の上部に設ける必要はない。
チップの側面全周に渡り、側面の上部に逃げ部を設けた
が、逃げ部は、必ずしも半導体チップの側面全周に渡り
設ける必要はない。たとえば、半導体チップの角部にの
み設けるよう構成することもできる。また、逃げ部は、
必ずしも側面の上部に設ける必要はない。
【0043】なお、上述の実施形態においては、プレー
ナトランジスタにこの発明を適用した場合を例に説明し
たが、この発明はこれに限定されるものではない。この
発明は、プレーナトランジスタ以外のトランジスタや、
IC、LSI等、半導体チップ一般に適用することがで
きる。
ナトランジスタにこの発明を適用した場合を例に説明し
たが、この発明はこれに限定されるものではない。この
発明は、プレーナトランジスタ以外のトランジスタや、
IC、LSI等、半導体チップ一般に適用することがで
きる。
【図1】この発明の一実施形態による半導体チップであ
るプレーナトランジスタのダイ22を示す断面図であ
る。
るプレーナトランジスタのダイ22を示す断面図であ
る。
【図2】図1に示すウエハ20の平面図(略図)であ
る。
る。
【図3】ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
【図4】ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
【図5】ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
【図6】ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
【図7】ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
【図8】ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
【図9】ウエハ20のうち1つのプレーナトランジスタ
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
部分についての、製造工程の一部を示す平面図である。
【図10】一部の製造工程におけるウエハ20の部分拡
大平面図である。
大平面図である。
【図11】一部の製造工程におけるウエハ20の断面図
の一部である。
の一部である。
【図12】一部の製造工程におけるウエハ20の断面図
の一部である。
の一部である。
【図13】一部の製造工程におけるウエハ20の断面図
の一部である。
の一部である。
【図14】シリコンウエハからダイを切出す作業のよう
す(フルカットの場合)を示す図面(断面図)である。
す(フルカットの場合)を示す図面(断面図)である。
【図15】シリコンウエハからダイを切出す作業のよう
すを示す図面(平面図)である。
すを示す図面(平面図)である。
【図16】シリコンウエハから切出した従来のダイを示
す図面である。
す図面である。
20・・・・・ウエハ 22・・・・・ダイ 24・・・・・スクライブライン 26・・・・・切断用溝 28・・・・・ダイの側面 30・・・・・切断面 32・・・・・切断用溝の側壁
Claims (6)
- 【請求項1】半導体ウエハから切出す際に形成されたほ
ぼ平坦な切断面を有する側面を複数備えた半導体チップ
において、 前記側面に、切断面から実質的に退避させた逃げ部を設
けたことを特徴とする半導体チップ。 - 【請求項2】請求項1の半導体チップにおいて、 側面相互が交差する近傍における逃げ部の切断面からの
退避量が、側面相互が交差する近傍以外の部分における
逃げ部の切断面からの退避量より大きくなるよう形成し
たことを特徴とするもの。 - 【請求項3】半導体ウエハから半導体チップを切出す切
断工程を有する半導体チップの製造方法において、 前記切断工程に先立ち、半導体ウエハの切断予定部分
に、切出し工具の切断代より広い幅の切断用溝を形成す
る溝形成工程を設けたことを特徴とする半導体チップの
製造方法。 - 【請求項4】請求項3の半導体チップの製造方法におい
て、 前記切断用溝相互の交差点近傍における切断用溝の幅
が、切断用溝相互の交差点近傍以外の部分における切断
用溝の幅より広くなるよう形成したことを特徴とするも
の。 - 【請求項5】請求項4の半導体チップの製造方法におい
て、 前記溝形成工程の前の工程で使用したレジストを加熱し
て拡張したものを、溝形成工程におけるマスクとしてエ
ッチングを行なうことにより、前記切断用溝を形成する
よう構成するとともに、 当該前の工程で使用するレジストのパターンのうち、交
差する切断用溝の輪郭線に対応する部分相互を滑らかに
接続したことを特徴とするもの。 - 【請求項6】請求項3ないし請求項5のいずれかの半導
体チップの製造方法において、 半導体チップの前記切断用溝の形状に沿うよう、半導体
チップを構成する半導体素子の配置を定めたことを特徴
とするもの。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN97190479A CN1097849C (zh) | 1996-06-07 | 1996-06-06 | 半导体芯片及半导体芯片的制造方法 |
JP8145415A JPH09330891A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 半導体チップおよび半導体チップの製造方法 |
EP97924340A EP0844648A1 (en) | 1996-06-07 | 1997-06-06 | Semiconductor chip and method for manufacturing the same |
PCT/JP1997/001935 WO1997047029A1 (fr) | 1996-06-07 | 1997-06-06 | Puce de semiconducteur et son procede de production |
KR1019970708518A KR19990022039A (ko) | 1996-06-07 | 1997-06-06 | 반도체칩및반도체칩의제조방법 |
US09/019,896 US6107161A (en) | 1996-06-07 | 1998-02-06 | Semiconductor chip and a method for manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8145415A JPH09330891A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 半導体チップおよび半導体チップの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09330891A true JPH09330891A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15384734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8145415A Pending JPH09330891A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 半導体チップおよび半導体チップの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0844648A1 (ja) |
JP (1) | JPH09330891A (ja) |
KR (1) | KR19990022039A (ja) |
CN (1) | CN1097849C (ja) |
WO (1) | WO1997047029A1 (ja) |
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US6803294B2 (en) | 2002-05-15 | 2004-10-12 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device |
US6821867B2 (en) | 2002-05-15 | 2004-11-23 | Renesas Technology Corp. | Method for forming grooves in the scribe region to prevent a warp of a semiconductor substrate |
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JP2009253025A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体素子を金属層によって基板に接合したモジュール |
US8441105B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-05-14 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, wafer structure and method for fabricating semiconductor device |
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JP2001110755A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体チップ製造方法 |
JP3368876B2 (ja) | 1999-11-05 | 2003-01-20 | 株式会社東京精密 | 半導体チップ製造方法 |
KR100359769B1 (ko) * | 2000-02-29 | 2002-11-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
DE10029035C1 (de) * | 2000-06-13 | 2002-02-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers |
CN101989018B (zh) * | 2009-08-05 | 2012-09-05 | 群康科技(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管基板 |
EP3212417B1 (en) * | 2014-10-30 | 2019-12-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device |
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JPS6214440A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ及びその分割方法 |
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JPS62186569A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
JPS6418733U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 | ||
JPH0750700B2 (ja) * | 1989-06-27 | 1995-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
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JPH08293476A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体ウエハならびにフォトマスク |
-
1996
- 1996-06-06 CN CN97190479A patent/CN1097849C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-07 JP JP8145415A patent/JPH09330891A/ja active Pending
-
1997
- 1997-06-06 KR KR1019970708518A patent/KR19990022039A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-06-06 EP EP97924340A patent/EP0844648A1/en not_active Withdrawn
- 1997-06-06 WO PCT/JP1997/001935 patent/WO1997047029A1/ja not_active Application Discontinuation
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---|---|
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CN1097849C (zh) | 2003-01-01 |
CN1190489A (zh) | 1998-08-12 |
WO1997047029A1 (fr) | 1997-12-11 |
EP0844648A1 (en) | 1998-05-27 |
KR19990022039A (ko) | 1999-03-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051003 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060306 |