JPH05136261A - 半導体チツプ及びウエハのダイシング方法 - Google Patents
半導体チツプ及びウエハのダイシング方法Info
- Publication number
- JPH05136261A JPH05136261A JP30029691A JP30029691A JPH05136261A JP H05136261 A JPH05136261 A JP H05136261A JP 30029691 A JP30029691 A JP 30029691A JP 30029691 A JP30029691 A JP 30029691A JP H05136261 A JPH05136261 A JP H05136261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor chip
- resist
- dicing
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップの形状に工夫を加え、熱応力によ
るクラックや配線ずれ等の欠陥発生を防止する。ダイシ
ング方法の改善によって、そのようなチップを製造す
る。 【構成】ウエハの全面にレジストを塗布し、フォト工程
でスクライブラインを形成し、レジストをマスクとして
等方性エッチングを行い、レジストを除去し、ついでダ
イシングすることにより、半導体チップの周縁及びコー
ナ部に面取りを設ける。
るクラックや配線ずれ等の欠陥発生を防止する。ダイシ
ング方法の改善によって、そのようなチップを製造す
る。 【構成】ウエハの全面にレジストを塗布し、フォト工程
でスクライブラインを形成し、レジストをマスクとして
等方性エッチングを行い、レジストを除去し、ついでダ
イシングすることにより、半導体チップの周縁及びコー
ナ部に面取りを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ及びウエ
ハのダイシング方法に関する。
ハのダイシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップをパッケージした場
合に、チップの表面の周縁やコーナ部において、パッシ
ベーション膜にクラックが生じたり、Ａｌ配線がずれる
等の不良が起こっていた。これはチップの使用中に、外
部環境による熱応力によって起こるものと推定される。
この熱応力はチップ、ダイパッド及びインナーリードが
パッケージ素材によって一体に成形され相互に拘束され
ており、これらを構成する材料のそれぞれの熱膨張率が
異なるために、温度変化が生じたときに発生する。とく
に一体に拘束されているので、その接触部に大きな応力
が発生するものと考えられる。チップに熱応力が生じる
と、コーナ部は顕著な応力集中を生じ、トラブルの原因
となる。
合に、チップの表面の周縁やコーナ部において、パッシ
ベーション膜にクラックが生じたり、Ａｌ配線がずれる
等の不良が起こっていた。これはチップの使用中に、外
部環境による熱応力によって起こるものと推定される。
この熱応力はチップ、ダイパッド及びインナーリードが
パッケージ素材によって一体に成形され相互に拘束され
ており、これらを構成する材料のそれぞれの熱膨張率が
異なるために、温度変化が生じたときに発生する。とく
に一体に拘束されているので、その接触部に大きな応力
が発生するものと考えられる。チップに熱応力が生じる
と、コーナ部は顕著な応力集中を生じ、トラブルの原因
となる。
【０００３】従来、パッケージに生じるクラックは樹脂
の材料やチップサイズなど幾何学的寸法に大きく影響さ
れ、とくに低温の時に、問題があるので、樹脂の熱機械
的強度（熱膨張係数、弾性率）を小さくする開発がなさ
れている。
の材料やチップサイズなど幾何学的寸法に大きく影響さ
れ、とくに低温の時に、問題があるので、樹脂の熱機械
的強度（熱膨張係数、弾性率）を小さくする開発がなさ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な樹脂の性質の改善等によるのではなく、半導体チップ
の形状に工夫を加え、熱応力によるクラックや配線ずれ
等の欠陥発生を防止することを目的とする。また、ダイ
シング方法の改善によって、そのようなチップの製造を
簡単に実現しようとするものである。
な樹脂の性質の改善等によるのではなく、半導体チップ
の形状に工夫を加え、熱応力によるクラックや配線ずれ
等の欠陥発生を防止することを目的とする。また、ダイ
シング方法の改善によって、そのようなチップの製造を
簡単に実現しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
の表面の周縁及びコーナ部に面取りを有することを特徴
とする半導体チップであり、その製造方法はウエハのダ
イシングに先立ち、ウエハの全面にレジストを塗布し、
フォト工程でスクライブラインを露光形成し、レジスト
をマスクとして等方性エッチングを行うもので、ついで
レジストを除去し、ダイシングする。
の表面の周縁及びコーナ部に面取りを有することを特徴
とする半導体チップであり、その製造方法はウエハのダ
イシングに先立ち、ウエハの全面にレジストを塗布し、
フォト工程でスクライブラインを露光形成し、レジスト
をマスクとして等方性エッチングを行うもので、ついで
レジストを除去し、ダイシングする。
【０００６】
【作用】本発明の半導体チップは、ウエハからダイシン
グによって切り出す工程に先立ってレジストを塗布し、
スクライブラインをフォト工程によって形成し、強酸化
剤を含む弗酸等の液相の等方性エッチャントでエッチン
グする。又は中性ラジカル等、等方性のエッチャントを
用いた気相のドライエッチングでもよい。その後、ダイ
シングしてチップとする。これにより、ダイシングされ
たチップの上面と側面の交差するコーナ部に面取り部が
形成され、コーナ部に生じる応力集中は緩和されてしま
う。従って、熱膨張率の差によって熱応力が生じても、
それによりチップの表面と側面との交差するコーナ部に
おいて、保護膜にクラックが生じたり、Ａｌ配線がずれ
る等の不良が生じない。
グによって切り出す工程に先立ってレジストを塗布し、
スクライブラインをフォト工程によって形成し、強酸化
剤を含む弗酸等の液相の等方性エッチャントでエッチン
グする。又は中性ラジカル等、等方性のエッチャントを
用いた気相のドライエッチングでもよい。その後、ダイ
シングしてチップとする。これにより、ダイシングされ
たチップの上面と側面の交差するコーナ部に面取り部が
形成され、コーナ部に生じる応力集中は緩和されてしま
う。従って、熱膨張率の差によって熱応力が生じても、
それによりチップの表面と側面との交差するコーナ部に
おいて、保護膜にクラックが生じたり、Ａｌ配線がずれ
る等の不良が生じない。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の実施例のチップ１の概念を示
す模式的斜視図を示したもので、その上面３と側面４と
の交差するコーナ部に面取り２が形成されている。図２
はその面取り部の断面の状態の例を示す部分図である。
ウエハ１の上面３にはＬＳＩのデバイス５が形成されて
おりパッシベーション膜８とダイシングされて形成され
る側面４との間の面取り部は滑らかな曲面６となってお
り、応力集中を生じない形状となっている。
す模式的斜視図を示したもので、その上面３と側面４と
の交差するコーナ部に面取り２が形成されている。図２
はその面取り部の断面の状態の例を示す部分図である。
ウエハ１の上面３にはＬＳＩのデバイス５が形成されて
おりパッシベーション膜８とダイシングされて形成され
る側面４との間の面取り部は滑らかな曲面６となってお
り、応力集中を生じない形状となっている。
【０００８】図３は本発明方法の実施例のウエハのダイ
シング方法を示す説明図である。図３（ａ）は回路形成
を完了してダイシング直前の状態にあるウエハ１０を示
している。そのＡ部の部分断面図を図３（ｂ）に示し
た。ウエハ１０の上面にはレジスト１１が塗布され、ス
クライブライン１２をフォト工程により形成して、強酸
化剤を含む弗酸で等方性ウエットエッチングを行い、等
方性の腐食溝１３を形成する。その後ダイシングライン
１４に沿ってダイシングする。
シング方法を示す説明図である。図３（ａ）は回路形成
を完了してダイシング直前の状態にあるウエハ１０を示
している。そのＡ部の部分断面図を図３（ｂ）に示し
た。ウエハ１０の上面にはレジスト１１が塗布され、ス
クライブライン１２をフォト工程により形成して、強酸
化剤を含む弗酸で等方性ウエットエッチングを行い、等
方性の腐食溝１３を形成する。その後ダイシングライン
１４に沿ってダイシングする。
【０００９】一例として、１０ｍｍ角の半導体チップを
樹脂中に埋設したパッケージを環境温度サイクル試験に
供した。環境温度サイクル試験は、マイナス６０℃から
プラス１５０℃の間の温度の液相に５００サイクル曝ら
し、欠陥発生の有無を調べるものである。従来のチップ
と本発明の上記実施例のチップをそれぞれ１００個を試
験に供し、電気特性試験を行ったところ、従来のチップ
では不良率が３％認められたが、本発明の実施例では不
良率は０％であった。
樹脂中に埋設したパッケージを環境温度サイクル試験に
供した。環境温度サイクル試験は、マイナス６０℃から
プラス１５０℃の間の温度の液相に５００サイクル曝ら
し、欠陥発生の有無を調べるものである。従来のチップ
と本発明の上記実施例のチップをそれぞれ１００個を試
験に供し、電気特性試験を行ったところ、従来のチップ
では不良率が３％認められたが、本発明の実施例では不
良率は０％であった。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップの表面の
周縁及びコーナ部に面取りを有するので、コーナ部に応
力集中を生じない。従って、チップの欠陥発生、アルミ
パッドのずれ等電気特性に障害を与える欠陥を生じな
い。本発明のチップは、ダイシングに先立ち、ウエハの
全面にレジストを塗布し、レジストをマスクとして等方
性エッチングを行うことによって簡単に実現することが
できる。
周縁及びコーナ部に面取りを有するので、コーナ部に応
力集中を生じない。従って、チップの欠陥発生、アルミ
パッドのずれ等電気特性に障害を与える欠陥を生じな
い。本発明のチップは、ダイシングに先立ち、ウエハの
全面にレジストを塗布し、レジストをマスクとして等方
性エッチングを行うことによって簡単に実現することが
できる。
【図１】本発明の実施例のチップの模式的斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例のチップの部分的断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例のチップの製造方法を示す説明
図である。
図である。
１ チップ ２ 面取り ３ 上面 ４ 側面 ５ デバイス ６ 曲面 ７ コーナ部 ８ パッシベ
ーション膜 １０ ウエハ １１ レジスト １２ スクライブライン １３ 腐食溝 １４ ダイシングライン
ーション膜 １０ ウエハ １１ レジスト １２ スクライブライン １３ 腐食溝 １４ ダイシングライン
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップの表面の周縁及びコーナ部
に面取りを有することを特徴とする半導体チップ。 - 【請求項２】 ウエハの全面にレジストを塗布し、フォ
ト工程でスクライブラインを形成し、レジストをマスク
として等方性エッチングを行い、レジストを除去し、つ
いでダイシングすることを特徴とするウエハのダイシン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30029691A JPH05136261A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体チツプ及びウエハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30029691A JPH05136261A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体チツプ及びウエハのダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136261A true JPH05136261A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17883081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30029691A Withdrawn JPH05136261A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体チツプ及びウエハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136261A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997047029A1 (fr) * | 1996-06-07 | 1997-12-11 | Rohm Co., Ltd. | Puce de semiconducteur et son procede de production |
| US6107161A (en) * | 1996-06-07 | 2000-08-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor chip and a method for manufacturing thereof |
| KR100356323B1 (ko) * | 1999-07-28 | 2002-10-19 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 기판, 반도체 칩 탑재 기판, 반도체 장치및 그 제조방법, 회로 기판 및 전자기기 |
| WO2005011004A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面入射型光検出素子 |
| WO2005011005A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面入射型光検出素子及びその製造方法 |
| CN100355030C (zh) * | 2002-09-02 | 2007-12-12 | 新光电气工业株式会社 | 半导体芯片及其制造方法 |
| CN106876333A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-06-20 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构 |
| US20180174983A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-21 | Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. | Semiconductor device including corner recess |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP30029691A patent/JPH05136261A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997047029A1 (fr) * | 1996-06-07 | 1997-12-11 | Rohm Co., Ltd. | Puce de semiconducteur et son procede de production |
| US6107161A (en) * | 1996-06-07 | 2000-08-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor chip and a method for manufacturing thereof |
| KR100356323B1 (ko) * | 1999-07-28 | 2002-10-19 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 기판, 반도체 칩 탑재 기판, 반도체 장치및 그 제조방법, 회로 기판 및 전자기기 |
| CN100355030C (zh) * | 2002-09-02 | 2007-12-12 | 新光电气工业株式会社 | 半导体芯片及其制造方法 |
| WO2005011005A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面入射型光検出素子及びその製造方法 |
| JP2005051080A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型光検出素子及びその製造方法 |
| EP1653520A1 (en) * | 2003-07-29 | 2006-05-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Backside-illuminated photodetector |
| EP1653520A4 (en) * | 2003-07-29 | 2007-03-21 | Hamamatsu Photonics Kk | BACKLIGHT PHOTODETECTOR |
| WO2005011004A1 (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | 裏面入射型光検出素子 |
| US7560790B2 (en) | 2003-07-29 | 2009-07-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Backside-illuminated photodetector |
| EP2141749A1 (en) * | 2003-07-29 | 2010-01-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back-illuminated photodetector and method for manufacturing the same |
| JP4499386B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2010-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型光検出素子の製造方法 |
| US7768086B2 (en) | 2003-07-29 | 2010-08-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Backside-illuminated photodetector |
| US7964898B2 (en) | 2003-07-29 | 2011-06-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back illuminated photodetector |
| US20180174983A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-21 | Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. | Semiconductor device including corner recess |
| US10418334B2 (en) * | 2016-12-20 | 2019-09-17 | Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co. Ltd. | Semiconductor device including corner recess |
| CN106876333A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-06-20 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7129427B2 (ja) | 処理された積層ダイ | |
| JPH05136261A (ja) | 半導体チツプ及びウエハのダイシング方法 | |
| JPH08293476A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体ウエハならびにフォトマスク | |
| CN108598253B (zh) | Si基GaN压力传感器的制备方法 | |
| JPH053133B2 (ja) | ||
| JP2925960B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4095123B2 (ja) | ボンディングパット及び半導体装置の製造方法 | |
| CN108400235B (zh) | Si基GaN压力传感器的制备方法 | |
| JP2010225830A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7696609B2 (en) | Semiconductor device comprising a memory portion and a peripheral circuit portion | |
| JPH0745560A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03101148A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH053249A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2014038996A (ja) | シリコン基板及びその製造方法 | |
| JPS61144839A (ja) | 半導体ウエハの接着方法 | |
| JP3158844B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH01133703A (ja) | 半導体ウエハおよびこれを用いた半導体装置 | |
| JPH03149819A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59220935A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003149270A (ja) | 半導体検査装置の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR101147374B1 (ko) | 표면보호층 형성방법 및 이를 이용한 에칭방법 | |
| JP3221394B2 (ja) | 半導体装置におけるダイシング方法 | |
| TW451323B (en) | Processing method of forming trench structure on scribe lane | |
| JPS63300508A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6163042A (ja) | 樹脂封止半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |