JPH03149819A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03149819A JPH03149819A JP28947789A JP28947789A JPH03149819A JP H03149819 A JPH03149819 A JP H03149819A JP 28947789 A JP28947789 A JP 28947789A JP 28947789 A JP28947789 A JP 28947789A JP H03149819 A JPH03149819 A JP H03149819A
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- passivation
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上Φ利用分野１
本発明は半導体ウェハーの製造方法において、特にパッ
シベーションの除去方法に関するものである。 【発明の概要１ 本発明は、封止樹脂の応力あるいは封止樹脂より発生す
るα線から半導体チップを保護する樹脂（以後ポリイミ
ドと称する）を半導体ウニ八−のバッシペ−シコン上に
塗布した場合、このポリイミドをレジストとして利用し
、製造工程の簡略化を図ったものである。 【従来の技術１ 従来の製造方法は第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ
）、（ｅ）、（ｆ）のような工程からなっていて、まず
パッシベーション２２にフォトレジスト２１を塗布し、
フォトレジスト２１の一部分をフォトリソグラフィーに
よって除去して開口部２３を設けて露出したバッジベー
ジコンを除去する。次にフォトレジスト２１を剥離した
後、ポリイミド２４を塗布しフォトリソグラフィーによ
ってポリイミドの開口部２５を設けていた。 【発明が解決しようとする課題ｌ しかし従来の第２図のような方法ではフォトリソグラフ
ィーを２回行なう必要があるため半導体ウェハーの製造
にかかる時間を長期化する要因となっ工いた。また。塵
埃による欠陥が発生しやすいフォトリソグラフィーを２
回行なうことによっｉ″４］一体装置の品質を低くする
可能性があった。 【課題を解決するための手段】 −本発明の半導体装置の製造方法は。 ８）半導体ウニ八−のパッシベーション上にポリイミド
を塗布する工程と ｂ）該ポリイミドを部分的に除去しパッシベーションを
ｎ出させる工程と ０）前記工程において露出したパッシベーションを除去
する工程からなることを特徴とする特＊ 【作 用ｌ ポリイミドはフォトレジストと類似した高分子化合物で
あり、パッシベーションの除去に用いられるドライエッ
チングに耐え得る特性を有している。従って、従来フォ
トレジストによって行なっていたパッシベーションの選
択エッチングを、前工程で選択エッチングされたポリイ
ミドによって行い、フォトリソグラフィー工程を１工程
省略することができる。 【実施例体 発明の実施例について図面を用いて説明する。 第１図は本発明を工程順に示した断面図である。まず第
１図（ａ）のようにパッシベーション１２上にポリイミ
ドを塗布し、次に第１図（ｂ）のようにフォトリソグラ
フィーによってポリイミドに開口部１３を設けてパッシ
ベーションを露出させる。 次に第１図（Ｃ）のように第１図（ｂ）で露出したパッ
シベーションを除去する。パッシベーションの組成が窒
化硅素の場合、フロンガス（ＣＦ４）のプラズマを用い
て、従来と同様のドライエッチングを行えばよい。 また本実施例ではシリコン基板上のパッシベーションの
除去についてのべたが、アルミニウム等の金属あるいは
ポリシリジン等の多結晶シリコン上のパッシベーション
についても同様の効果が期待できる。 【発明の効果１ 以上説明したように、本発明は ８）半導体ウニ八−のパッシベーション上にポリイミド
を塗布する工程と ｂ）該ポリイミドを部分的に除去しバッジベージジンを
露出させる工程と ０）前記工程において露出したバッジベージジンを除去
する工程からなる製造方法を実施することによって、フ
ォトリソグラフィーの回数を低減することができる。
シベーションの除去方法に関するものである。 【発明の概要１ 本発明は、封止樹脂の応力あるいは封止樹脂より発生す
るα線から半導体チップを保護する樹脂（以後ポリイミ
ドと称する）を半導体ウニ八−のバッシペ−シコン上に
塗布した場合、このポリイミドをレジストとして利用し
、製造工程の簡略化を図ったものである。 【従来の技術１ 従来の製造方法は第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ
）、（ｅ）、（ｆ）のような工程からなっていて、まず
パッシベーション２２にフォトレジスト２１を塗布し、
フォトレジスト２１の一部分をフォトリソグラフィーに
よって除去して開口部２３を設けて露出したバッジベー
ジコンを除去する。次にフォトレジスト２１を剥離した
後、ポリイミド２４を塗布しフォトリソグラフィーによ
ってポリイミドの開口部２５を設けていた。 【発明が解決しようとする課題ｌ しかし従来の第２図のような方法ではフォトリソグラフ
ィーを２回行なう必要があるため半導体ウェハーの製造
にかかる時間を長期化する要因となっ工いた。また。塵
埃による欠陥が発生しやすいフォトリソグラフィーを２
回行なうことによっｉ″４］一体装置の品質を低くする
可能性があった。 【課題を解決するための手段】 −本発明の半導体装置の製造方法は。 ８）半導体ウニ八−のパッシベーション上にポリイミド
を塗布する工程と ｂ）該ポリイミドを部分的に除去しパッシベーションを
ｎ出させる工程と ０）前記工程において露出したパッシベーションを除去
する工程からなることを特徴とする特＊ 【作 用ｌ ポリイミドはフォトレジストと類似した高分子化合物で
あり、パッシベーションの除去に用いられるドライエッ
チングに耐え得る特性を有している。従って、従来フォ
トレジストによって行なっていたパッシベーションの選
択エッチングを、前工程で選択エッチングされたポリイ
ミドによって行い、フォトリソグラフィー工程を１工程
省略することができる。 【実施例体 発明の実施例について図面を用いて説明する。 第１図は本発明を工程順に示した断面図である。まず第
１図（ａ）のようにパッシベーション１２上にポリイミ
ドを塗布し、次に第１図（ｂ）のようにフォトリソグラ
フィーによってポリイミドに開口部１３を設けてパッシ
ベーションを露出させる。 次に第１図（Ｃ）のように第１図（ｂ）で露出したパッ
シベーションを除去する。パッシベーションの組成が窒
化硅素の場合、フロンガス（ＣＦ４）のプラズマを用い
て、従来と同様のドライエッチングを行えばよい。 また本実施例ではシリコン基板上のパッシベーションの
除去についてのべたが、アルミニウム等の金属あるいは
ポリシリジン等の多結晶シリコン上のパッシベーション
についても同様の効果が期待できる。 【発明の効果１ 以上説明したように、本発明は ８）半導体ウニ八−のパッシベーション上にポリイミド
を塗布する工程と ｂ）該ポリイミドを部分的に除去しバッジベージジンを
露出させる工程と ０）前記工程において露出したバッジベージジンを除去
する工程からなる製造方法を実施することによって、フ
ォトリソグラフィーの回数を低減することができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明を工程順に示した半導体
装置の断面図である。 第２図（ａ）〜（ｆ）は従来例を工程順に示した半導体
装置の断面図である。 １１・・・ポリイミド Ｘ２・・・パッシベーション １３・・−・ポリイミドの開口部 １４・・−シリコン基板 ２１・・・フォトレジスト ２２・・・パッシベーション ２３・・・フォトレジストの開口部 ２４・・・ポリイミド ２５・・・ポリイミドの開口部 ２６・・・シリコン基板 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴−木 喜三部（他１名）（へフ ロＬ）フ （ｃ） （へ２ （ｅ〕
装置の断面図である。 第２図（ａ）〜（ｆ）は従来例を工程順に示した半導体
装置の断面図である。 １１・・・ポリイミド Ｘ２・・・パッシベーション １３・・−・ポリイミドの開口部 １４・・−シリコン基板 ２１・・・フォトレジスト ２２・・・パッシベーション ２３・・・フォトレジストの開口部 ２４・・・ポリイミド ２５・・・ポリイミドの開口部 ２６・・・シリコン基板 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴−木 喜三部（他１名）（へフ ロＬ）フ （ｃ） （へ２ （ｅ〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ）半導体ウェハーのパッシベーション上にポリイミド
を塗布する工程と ｂ）該ポリイミドを部分的に除去しパッシベーションを
露出させる工程と ｃ）前記工程において露出したパッシベーションを除去
する工程からなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28947789A JPH03149819A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28947789A JPH03149819A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03149819A true JPH03149819A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17743782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28947789A Pending JPH03149819A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03149819A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6259119B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-07-10 | Lg. Philips Lcd Co, Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US6288414B1 (en) | 1997-03-05 | 2001-09-11 | Lg Electronics, Inc. | Liquid crystal display and a double layered metal contact |
| US6949417B1 (en) | 1997-03-05 | 2005-09-27 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP28947789A patent/JPH03149819A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288414B1 (en) | 1997-03-05 | 2001-09-11 | Lg Electronics, Inc. | Liquid crystal display and a double layered metal contact |
| KR100307385B1 (ko) * | 1997-03-05 | 2001-12-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의구조및그제조방법 |
| US6949417B1 (en) | 1997-03-05 | 2005-09-27 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7462516B2 (en) | 1997-03-05 | 2008-12-09 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US6259119B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-07-10 | Lg. Philips Lcd Co, Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
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