JP3151791B2 - 限界寸法制御装置のモニタパターン及びその使用方法 - Google Patents
限界寸法制御装置のモニタパターン及びその使用方法Info
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- JP3151791B2 JP3151791B2 JP18745498A JP18745498A JP3151791B2 JP 3151791 B2 JP3151791 B2 JP 3151791B2 JP 18745498 A JP18745498 A JP 18745498A JP 18745498 A JP18745498 A JP 18745498A JP 3151791 B2 JP3151791 B2 JP 3151791B2
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- Japan
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- control device
- monitor pattern
- critical dimension
- dimension control
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を製造する
際に使用されるモニタパターンに関し、より詳細に言え
ば、限界寸法制御装置のモニタパターンに関する。
際に使用されるモニタパターンに関し、より詳細に言え
ば、限界寸法制御装置のモニタパターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチング操作は、半導体デバイスの製
造プロセスにおいて所望の回路構造を得るために一般的
に使用される技術である。エッチングを行う前に、数百
オングストロームから数千オングストロームの範囲の厚
さを有する物質層を半導体基板の上に付着させて付着層
を形成し、例えば、フォトリソグラフ法によって、所望
のパターンを有するフォトマスクを上記付着層に転写す
る。次に、上記所望のパターンに従って保護されていな
い上記付着層の部分をエッチング操作によって除去し、
一定の構造を基板の上に形成する。上記エッチング操作
は、化学的なエッチング操作又は物理的なエッチング操
作を含む。
造プロセスにおいて所望の回路構造を得るために一般的
に使用される技術である。エッチングを行う前に、数百
オングストロームから数千オングストロームの範囲の厚
さを有する物質層を半導体基板の上に付着させて付着層
を形成し、例えば、フォトリソグラフ法によって、所望
のパターンを有するフォトマスクを上記付着層に転写す
る。次に、上記所望のパターンに従って保護されていな
い上記付着層の部分をエッチング操作によって除去し、
一定の構造を基板の上に形成する。上記エッチング操作
は、化学的なエッチング操作又は物理的なエッチング操
作を含む。
【０００３】通常のケースにおいては、基板の上の金属
層及び酸化物層の厚さは均一ではないので、エッチング
操作により、薄い部分にはオーバーエッチング（エッチ
ング過剰）が生じ、一方、厚い部分にはアンダーエッチ
ング（エッチング不足）が生ずることがある。この現象
は、異なる深さを有する多数の接触窓を基板に同時に形
成する場合に、極めて頻繁に起こる。浅い接触窓は、金
属層までオーバーエッチングされるが、深い接触窓は、
金属層に到達しないままでメクラの接触窓になる。従っ
て、例えば、金属の接触窓を形成する場合には、限界寸
法制御装置のモニタパターンでメモリセルの形成状態を
監視する必要がある。
層及び酸化物層の厚さは均一ではないので、エッチング
操作により、薄い部分にはオーバーエッチング（エッチ
ング過剰）が生じ、一方、厚い部分にはアンダーエッチ
ング（エッチング不足）が生ずることがある。この現象
は、異なる深さを有する多数の接触窓を基板に同時に形
成する場合に、極めて頻繁に起こる。浅い接触窓は、金
属層までオーバーエッチングされるが、深い接触窓は、
金属層に到達しないままでメクラの接触窓になる。従っ
て、例えば、金属の接触窓を形成する場合には、限界寸
法制御装置のモニタパターンでメモリセルの形成状態を
監視する必要がある。
【０００４】図１は、通常の限界寸法制御装置のモニタ
パターンを概略的に示す平面図である。図１を参照する
と、穴１００を用いて基準位置を設定している。長い棒
状の構造を有する穴１０２を用いて、メモリセルの金属
接触窓又は誘電体接触窓（図示せず）の深さを監視す
る。しかしながら、通常の限界寸法制御装置のモニタパ
ターンは、有効に作動せず、従って、幾つかのメモリセ
ルの金属接触窓又は誘電体接触窓は、金属層又は金属酸
化膜半導体（ＭＯＳ）デバイスに接触することができな
いことがある。これにより、そのような浅い又は深い接
触窓に関してメクラの接触窓が生じ、その結果、金属と
金属の間、あるいは、金属とＭＯＳデバイスとの間にオ
ープン・サーキットすなわち開回路が生ずる。
パターンを概略的に示す平面図である。図１を参照する
と、穴１００を用いて基準位置を設定している。長い棒
状の構造を有する穴１０２を用いて、メモリセルの金属
接触窓又は誘電体接触窓（図示せず）の深さを監視す
る。しかしながら、通常の限界寸法制御装置のモニタパ
ターンは、有効に作動せず、従って、幾つかのメモリセ
ルの金属接触窓又は誘電体接触窓は、金属層又は金属酸
化膜半導体（ＭＯＳ）デバイスに接触することができな
いことがある。これにより、そのような浅い又は深い接
触窓に関してメクラの接触窓が生じ、その結果、金属と
金属の間、あるいは、金属とＭＯＳデバイスとの間にオ
ープン・サーキットすなわち開回路が生ずる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するため
の手段】従って、本発明の目的は、半導体デバイスを製
造するための限界寸法制御装置のモニタパターンを提供
することである。上述の浅い接触窓及び深い接触窓は効
果的に監視される。また、基準位置は、より便利に測定
され、使用面積が減少する。
の手段】従って、本発明の目的は、半導体デバイスを製
造するための限界寸法制御装置のモニタパターンを提供
することである。上述の浅い接触窓及び深い接触窓は効
果的に監視される。また、基準位置は、より便利に測定
され、使用面積が減少する。
【０００６】本発明の上述の及び他の目的に従って、本
発明のモニタパターンは、通常のモニタパターンとして
作動する第１のモニタパターンに加えて、第２のモニタ
パターンを備えており、この第２のモニタパターンは、
菱形の形状に配列された多数の穴から構成される。従っ
て、菱形の形状に配列されたそのような穴を備えた本発
明のモニタパターンは、浅い又は深い接触窓がメクラの
接触窓を生じさせるか否かを監視することができるばか
りではなく、モニタパターンを所望位置に設定する最善
の方法も監視することができる。また、小さい寸法の穴
を用いて監視作業を行うことにより、使用するパターン
面積が減少する。通常のモニタパターンの監視穴は通
常、長く棒状である。
発明のモニタパターンは、通常のモニタパターンとして
作動する第１のモニタパターンに加えて、第２のモニタ
パターンを備えており、この第２のモニタパターンは、
菱形の形状に配列された多数の穴から構成される。従っ
て、菱形の形状に配列されたそのような穴を備えた本発
明のモニタパターンは、浅い又は深い接触窓がメクラの
接触窓を生じさせるか否かを監視することができるばか
りではなく、モニタパターンを所望位置に設定する最善
の方法も監視することができる。また、小さい寸法の穴
を用いて監視作業を行うことにより、使用するパターン
面積が減少する。通常のモニタパターンの監視穴は通
常、長く棒状である。
【０００７】好ましい実施例に関する以下の詳細な記載
を図面を参照して読むことにより、本発明を十分に理解
することができる。
を図面を参照して読むことにより、本発明を十分に理解
することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図２は、本発明の好ましい実施例
による限界寸法制御装置のモニタパターンを概略的に示
す平面図である。図２を参照すると、多数の第１の穴２
００、及び、多数の第２の穴２０２が、垂直な矩形状の
形態の好ましいモニタパターン２０１の一方の側縁部及
び上縁部に沿ってそれぞれ設けられている。穴２００、
２０２は、上記モニタパターンを所望位置に設定するた
めのものである。短い棒状の構造を有する穴２０３が、
図１に示す通常の穴１０２と同様に挙動して、接触窓
（図示せず）の形成状態を監視する。多数の第３の穴２
０４が、モニタパターン１００の下方部分に菱形の形状
として配列されている。この菱形の形状は、浅い又は深
い接触窓がメクラの接触窓を生じさせるか否かを監視す
るために有用なばかりではなく、モニタパターンを所望
位置に設定するためにも有用である。モニタパターン１
００の斜線を施した部分は、穴をグループ分けすると共
にこれら穴を見やすくするためのものである。
による限界寸法制御装置のモニタパターンを概略的に示
す平面図である。図２を参照すると、多数の第１の穴２
００、及び、多数の第２の穴２０２が、垂直な矩形状の
形態の好ましいモニタパターン２０１の一方の側縁部及
び上縁部に沿ってそれぞれ設けられている。穴２００、
２０２は、上記モニタパターンを所望位置に設定するた
めのものである。短い棒状の構造を有する穴２０３が、
図１に示す通常の穴１０２と同様に挙動して、接触窓
（図示せず）の形成状態を監視する。多数の第３の穴２
０４が、モニタパターン１００の下方部分に菱形の形状
として配列されている。この菱形の形状は、浅い又は深
い接触窓がメクラの接触窓を生じさせるか否かを監視す
るために有用なばかりではなく、モニタパターンを所望
位置に設定するためにも有用である。モニタパターン１
００の斜線を施した部分は、穴をグループ分けすると共
にこれら穴を見やすくするためのものである。
【０００９】図３Ａ乃至図３Ｃは、図２の線Ｉ−Ｉに沿
って取った断面図であって、本発明の好ましい実施例に
よるモニタパターンが半導体基板の監視領域に作用する
様子を概略的に示している。
って取った断面図であって、本発明の好ましい実施例に
よるモニタパターンが半導体基板の監視領域に作用する
様子を概略的に示している。
【００１０】図３Ａを参照すると、半導体基板３００
は、活性領域３１０を有するようにパターン化されてお
り、上記活性領域は、フィールド酸化膜３０２によって
絶縁されている。次に、フィールド酸化膜３０２の上の
ポリシリコン層３０４が、例えば、化学蒸着法（ＣＶ
Ｄ）によって形成される。酸化物層３０６が、基板３０
０の上に形成され、フォトレジスト層３０８が基板の上
方に形成される。フィールド酸化膜３０２及びポリシリ
コン層３０４は、活性領域３１０よりも厚いので、ポリ
シリコン層３０４の上の酸化物層３０６の部分の深さ
は、活性領域３１０の上の酸化物層３０６の部分よりも
薄い。酸化物層３０６は、例えば、ＣＶＤによって形成
される。
は、活性領域３１０を有するようにパターン化されてお
り、上記活性領域は、フィールド酸化膜３０２によって
絶縁されている。次に、フィールド酸化膜３０２の上の
ポリシリコン層３０４が、例えば、化学蒸着法（ＣＶ
Ｄ）によって形成される。酸化物層３０６が、基板３０
０の上に形成され、フォトレジスト層３０８が基板の上
方に形成される。フィールド酸化膜３０２及びポリシリ
コン層３０４は、活性領域３１０よりも厚いので、ポリ
シリコン層３０４の上の酸化物層３０６の部分の深さ
は、活性領域３１０の上の酸化物層３０６の部分よりも
薄い。酸化物層３０６は、例えば、ＣＶＤによって形成
される。
【００１１】モニタパターン２０１は、半導体基板３０
０の上のモニタ領域に対して実行される。図２の線Ｉ−
Ｉは、上記モニタ領域で切断した線である。図３Ｂを参
照すると、フォトレジスト層３０８ａは、モニタパター
ン２０１をフォトレジスト層３０８の上に転写すること
によって形成されている。対応する多数の開口ａ、ｂが
フォトレジスト層３０８ａに形成されて、酸化物層３０
６を露出させる。開口”ａ”は、ポリシリコン層３０４
の上方に位置しており、また、開口”ｂ”は、活性領域
３１０の上方に位置している。
０の上のモニタ領域に対して実行される。図２の線Ｉ−
Ｉは、上記モニタ領域で切断した線である。図３Ｂを参
照すると、フォトレジスト層３０８ａは、モニタパター
ン２０１をフォトレジスト層３０８の上に転写すること
によって形成されている。対応する多数の開口ａ、ｂが
フォトレジスト層３０８ａに形成されて、酸化物層３０
６を露出させる。開口”ａ”は、ポリシリコン層３０４
の上方に位置しており、また、開口”ｂ”は、活性領域
３１０の上方に位置している。
【００１２】図３Ｃを参照すると、異方性エッチング
が、フォトレジスト層３０８ａに従って酸化物層３０６
に対して実行されて、開口”ａ”に対応する第１の接触
窓３１２ａを形成し、ポリシリコン層３０４を露出させ
ている。同様なエッチングプロセスによって、活性領域
３１０の上方の開口”ｂ”に対応する第２の接触窓３１
２ｂが形成されるが、この第２の接触窓は、活性領域３
１０を露出させために必要な深さを有していない。接触
窓３１２ｂは、メクラの接触窓を生じさせ、このこと
は、直ちに検知される。従って、本発明のモニタパター
ン１００は、メクラの接触窓３１２ｂが生ずるか否かを
効果的に監視することができる。
が、フォトレジスト層３０８ａに従って酸化物層３０６
に対して実行されて、開口”ａ”に対応する第１の接触
窓３１２ａを形成し、ポリシリコン層３０４を露出させ
ている。同様なエッチングプロセスによって、活性領域
３１０の上方の開口”ｂ”に対応する第２の接触窓３１
２ｂが形成されるが、この第２の接触窓は、活性領域３
１０を露出させために必要な深さを有していない。接触
窓３１２ｂは、メクラの接触窓を生じさせ、このこと
は、直ちに検知される。従って、本発明のモニタパター
ン１００は、メクラの接触窓３１２ｂが生ずるか否かを
効果的に監視することができる。
【００１３】結論として、本発明のモニタパターンは以
下の利点を有している。
下の利点を有している。
【００１４】１． 菱形の形状に配列された穴２０４を
含む本発明のモニタパターンは、半導体基板に対して実
行して、接触窓３１２ａ、３１２ｂのエッチング深さを
監視することができる。上記穴２０４は、基板上の厚い
構造又は薄い構造を有するそれぞれの部分に対応して分
布される。接触窓３１２ａ、３１２ｂは、フォトレジス
ト層３０８ａの開口ａ、ｂに対応して形成され、半導体
デバイスの製造プロセスの間に、接触窓３１２ｂのよう
なメクラの接触窓が生ずるか否かを検知する。
含む本発明のモニタパターンは、半導体基板に対して実
行して、接触窓３１２ａ、３１２ｂのエッチング深さを
監視することができる。上記穴２０４は、基板上の厚い
構造又は薄い構造を有するそれぞれの部分に対応して分
布される。接触窓３１２ａ、３１２ｂは、フォトレジス
ト層３０８ａの開口ａ、ｂに対応して形成され、半導体
デバイスの製造プロセスの間に、接触窓３１２ｂのよう
なメクラの接触窓が生ずるか否かを検知する。
【００１５】２． 菱形の形状に配列された多数の穴２
０４を含む本発明のモニタパターンは、オペレータがモ
ニタパターンを所望位置に設定する際により有用であ
る。上記モニタパターンは、オペレータが習熟するのに
特別な困難性を何等有していない。
０４を含む本発明のモニタパターンは、オペレータがモ
ニタパターンを所望位置に設定する際により有用であ
る。上記モニタパターンは、オペレータが習熟するのに
特別な困難性を何等有していない。
【００１６】代表的な好ましい実施例を用いて本発明を
上に説明した。しかしながら、本発明の範囲は、上に開
示した実施例においては限定されるものではないことを
理解する必要がある。本発明は、種々の変更例及び同様
な構成又は配列を包含するものである。従って、頭書の
請求の範囲は、そのような総ての変更例及び同様な構成
又は配列を包含するように最も広く解釈されなければな
らない。
上に説明した。しかしながら、本発明の範囲は、上に開
示した実施例においては限定されるものではないことを
理解する必要がある。本発明は、種々の変更例及び同様
な構成又は配列を包含するものである。従って、頭書の
請求の範囲は、そのような総ての変更例及び同様な構成
又は配列を包含するように最も広く解釈されなければな
らない。
【図１】通常の限界寸法制御装置のモニタパターンを概
略的に示す平面図である。
略的に示す平面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例による限界寸法制御装
置のモニタパターンを概略的に示す平面図である。
置のモニタパターンを概略的に示す平面図である。
【図３】図２の線Ｉ−Ｉに沿って取った断面図であっ
て、図３Ａ乃至図３Ｃは各々、本発明の好ましい実施例
によるモニタパターンが半導体基板の監視領域に作用す
る様子を概略的に示している。
て、図３Ａ乃至図３Ｃは各々、本発明の好ましい実施例
によるモニタパターンが半導体基板の監視領域に作用す
る様子を概略的に示している。
１００ モニタパターン ２００、２０２、２０３、２０４ モニタパターンの穴 ２０１ モニタパターン ３００ 半導体基板 ３０２ フィールド酸化膜 ３０４ ポリシリコン層 ３０６ 酸化物層 ３０８、３０８ａ フォトレジスト層 ３１０ 活性領域 ３１２ａ、３１２ｂ 接触窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−158144（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−244085（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−211777（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/30,21/306,21/3065
Claims (7)
- 【請求項１】 複数の厚い部分及び複数の薄い部分が別
個に設けられている半導体基板の上に半導体デバイスを
形成するための限界寸法制御装置のモニタパターンであ
って、前記 モニタパターンの１つの縁部に沿って縦列状に設け
られた複数の第１の穴と、前記 モニタパターンの他の縁部に沿って横列状に設けら
れた複数の第２の穴と、 複数の第１の接触窓が形成されることになる前記基板の
上の前記厚い部分の上方に位置する複数の第３の穴と、 複数の第２の接触窓が形成されることになる前記基板の
上の前記薄い部分の上方に位置する複数の第４の穴とを
備えることを特徴とする限界寸法制御装置のモニタパタ
ーン。 - 【請求項２】 請求項１に記載の限界寸法制御装置のモ
ニタパターンにおいて、前記第１の穴の構造は、当該モ
ニタパターンを所望位置に設定するように構成されてい
ることを特徴とする限界寸法制御装置のモニタパター
ン。 - 【請求項３】 請求項１に記載の限界寸法制御装置のモ
ニタパターンにおいて、前記第３の穴の構造及び前記第
４の穴の構造は一緒になって菱形の形状に配列されてい
ることを特徴とする限界寸法制御装置のモニタパター
ン。 - 【請求項４】 限界寸法制御装置のモニタパターンを用
いて半導体基板の上方に形成される接触窓を監視する限
界寸法制御装置のモニタパターンの使用方法であって、
前記半導体基板の上には複数のフィールド酸化膜及び複
数の活性領域が形成されており、前記フィールド酸化膜
の上には複数のポリシリコン層が形成されており、更
に、前記半導体基板の上には酸化物層が形成されてお
り、 当該限界寸法制御装置のモニタパターンの使用方法は、 前記酸化物層の上のフォトレジスト層に、前記活性領域
又は前記ポリシリコン層に対応する複数の開口を形成
し、これら開口により前記酸化物層を露出させるように
する工程と、 前記フォトレジスト層に従って前記酸化物層をエッチン
グして、前記活性領域の上方に位置する複数の第１の接
触窓を形成すると共に、前記ポリシリコン層の上方に位
置する複数の第２の接触窓を形成する工程と、 前記第１の接触窓及び前記第２の接触窓のエッチング深
さを監視する工程とを備えることを特徴とする限界寸法
制御装置のモニタパターンの使用方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の限界寸法制御装置のモ
ニタパターンの使用方法において、前記フォトレジスト
層を前記限界寸法制御装置の前記モニタパターンによっ
てパターン化することを特徴とする限界寸法制御装置の
モニタパターンの使用方法。 - 【請求項６】 請求項４に記載の限界寸法制御装置のモ
ニタパターンの使用方法において、前記酸化物層をエッ
チングして第１の接触窓及び第２の接触窓を形成する前
記工程において、前記ポリシリコン層が前記第２の接触
窓に露出される深さで前記エッチングを停止することを
特徴とする限界寸法制御装置のモニタパターンの使用方
法。 - 【請求項７】 請求項４に記載の限界寸法制御装置のモ
ニタパターンの使用方法において、前記活性領域に対応
する前記酸化物層の深さを前記ポリシリコン層に対応す
る前記酸化物層の深さよりも厚くすることを特徴とする
限界寸法制御装置のモニタパターンの使用方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW87107751A TW447078B (en) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | Monitor pattern of critical dimension control |
| TW87107751 | 1998-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340193A JPH11340193A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3151791B2 true JP3151791B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=21630133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18745498A Expired - Fee Related JP3151791B2 (ja) | 1998-05-19 | 1998-07-02 | 限界寸法制御装置のモニタパターン及びその使用方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3151791B2 (ja) |
| TW (1) | TW447078B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100356758B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-10-18 | 아남반도체 주식회사 | 콘택 및 비아 홀의 저항 측정용 반도체 패턴 |
| KR100609978B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-08-08 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 콘택 홀 선폭 모니터링 방법 |
| CN105514088B (zh) * | 2014-10-16 | 2018-07-06 | 北大方正集团有限公司 | 一种半导体器件及关键尺寸的测量方法 |
-
1998
- 1998-05-19 TW TW87107751A patent/TW447078B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-07-02 JP JP18745498A patent/JP3151791B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11340193A (ja) | 1999-12-10 |
| TW447078B (en) | 2001-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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