JPH09312489A - Ｅｍｉ対策方法 - Google Patents
Ｅｍｉ対策方法Info
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- JPH09312489A JPH09312489A JP8126005A JP12600596A JPH09312489A JP H09312489 A JPH09312489 A JP H09312489A JP 8126005 A JP8126005 A JP 8126005A JP 12600596 A JP12600596 A JP 12600596A JP H09312489 A JPH09312489 A JP H09312489A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 必要デバイスを実装した後に発見されたノイ
ズに対しても事前の処置を必要とせず充分な対策が出
来，デッドスペースを利用するため実質的に設置スペー
スを必要としないＥＭＩ対策方法を提供すること。 【解決手段】 ＥＭＩ対策方法は，情報処理装置のＣＰ
Ｕ５のバスライン６の少くとも一部を軟磁性粉末と有機
結合剤とからなる複合磁性体１で覆う。
ズに対しても事前の処置を必要とせず充分な対策が出
来，デッドスペースを利用するため実質的に設置スペー
スを必要としないＥＭＩ対策方法を提供すること。 【解決手段】 ＥＭＩ対策方法は，情報処理装置のＣＰ
Ｕ５のバスライン６の少くとも一部を軟磁性粉末と有機
結合剤とからなる複合磁性体１で覆う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，パーソナルコンピ
ュータを代表とするようなＣＰＵやＭＰＵを有し入出力
装置との間でデータの授受を行うような情報処理装置又
は機器においてデータの受け渡しを行うバスラインに対
するＥＭＩ対策方法に関する。
ュータを代表とするようなＣＰＵやＭＰＵを有し入出力
装置との間でデータの授受を行うような情報処理装置又
は機器においてデータの受け渡しを行うバスラインに対
するＥＭＩ対策方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，ノイズを伝播経路によって分類
すると放射ノイズと伝導ノイズとに分けられる。これら
のノイズの内で，放射ノイズに対しては，金属シールド
を用いることによってＥＭＩ対策が採られている。一
方，伝導ノイズは更にノーマルモードとコモンモードに
分けられる。ノーマルモードノイズには，インダクタや
コンデンサ，ＥＭＩフィルタを信号ラインに挿入するな
どの対策が採られてきた。
すると放射ノイズと伝導ノイズとに分けられる。これら
のノイズの内で，放射ノイズに対しては，金属シールド
を用いることによってＥＭＩ対策が採られている。一
方，伝導ノイズは更にノーマルモードとコモンモードに
分けられる。ノーマルモードノイズには，インダクタや
コンデンサ，ＥＭＩフィルタを信号ラインに挿入するな
どの対策が採られてきた。
【０００３】また，コモンモードノイズは，主にアース
間にそのノイズ成分が現れ，グランド系を通して伝播
し，インターフェイスケーブルをアンテナ代わりにして
空中に放射されるノイズで，近年の信号の高速デジタル
化，高周波化によってこのコモンモードノイズに対する
対策が非常に重要となってきている。
間にそのノイズ成分が現れ，グランド系を通して伝播
し，インターフェイスケーブルをアンテナ代わりにして
空中に放射されるノイズで，近年の信号の高速デジタル
化，高周波化によってこのコモンモードノイズに対する
対策が非常に重要となってきている。
【０００４】しかしながら，従来コモンモードノイズに
対しては全く対策が為されないか，対策するとしてもラ
イン中に各種フィルタ等を挿入することによってノイズ
の伝播を防止してきた。一口にライン中にフィルタを挿
入するといってもノイズが発生するかしないかは分から
ないため，一度，引いた信号ラインを切断して挿入スペ
ースを作り再接続するのであるが，これは非常に大変な
作業である。特に，信号ラインが回路基板上に形成され
た導体パターンである場合が多く再接続が困難なため，
最近ではノイズが発生することを前提として，事前にフ
ィルタを挿入するスペースやラインを確保し，ノイズが
発生した際に備えるケースが多くなっている。ただし，
情報処理装置等でのデータの授受を行うバスラインにお
いてはラインが密集しているためこれらの対策は困難を
極めている。
対しては全く対策が為されないか，対策するとしてもラ
イン中に各種フィルタ等を挿入することによってノイズ
の伝播を防止してきた。一口にライン中にフィルタを挿
入するといってもノイズが発生するかしないかは分から
ないため，一度，引いた信号ラインを切断して挿入スペ
ースを作り再接続するのであるが，これは非常に大変な
作業である。特に，信号ラインが回路基板上に形成され
た導体パターンである場合が多く再接続が困難なため，
最近ではノイズが発生することを前提として，事前にフ
ィルタを挿入するスペースやラインを確保し，ノイズが
発生した際に備えるケースが多くなっている。ただし，
情報処理装置等でのデータの授受を行うバスラインにお
いてはラインが密集しているためこれらの対策は困難を
極めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に，ＥＭＩ対策を
行う場合，ノイズ対策の専門知識や経験が必要とされ，
対策には多くの時間が必要とされる。更に，使用するフ
ィルタが高価であること，フィルタを実装するスペース
に制約がある場合が多いこと，フィルタの実装作業が容
易でないこと，装置全体の所要工数が多くなり生産コス
トが上昇すること等，多くの問題がある。特に，ノイズ
が発生してもしなくても事前にスペースを確保したり，
ラインを敷設しておくことは，非常に無駄な作業である
とも言える。
行う場合，ノイズ対策の専門知識や経験が必要とされ，
対策には多くの時間が必要とされる。更に，使用するフ
ィルタが高価であること，フィルタを実装するスペース
に制約がある場合が多いこと，フィルタの実装作業が容
易でないこと，装置全体の所要工数が多くなり生産コス
トが上昇すること等，多くの問題がある。特に，ノイズ
が発生してもしなくても事前にスペースを確保したり，
ラインを敷設しておくことは，非常に無駄な作業である
とも言える。
【０００６】近年あらゆる機器で小型・薄型化が要求さ
れていることを顧みるに，従来方法では充分なノイズ対
策を施し，且つ小型化を図ることは非常に困難であると
いわざるを得ない。
れていることを顧みるに，従来方法では充分なノイズ対
策を施し，且つ小型化を図ることは非常に困難であると
いわざるを得ない。
【０００７】そこで，本発明の技術的課題は，必要デバ
イスを実装した後に発見されたノイズに対しても事前の
処置を必要とせず充分な対策が出来，デッドスペースを
利用するため実質的に設置スペースを必要としないＥＭ
Ｉ対策方法を提供することにある。
イスを実装した後に発見されたノイズに対しても事前の
処置を必要とせず充分な対策が出来，デッドスペースを
利用するため実質的に設置スペースを必要としないＥＭ
Ｉ対策方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決のための手段】本発明では，特に対策を必
要とされているのが伝導ノイズの内，インターフェイス
ケーブル等をアンテナとして放射されるノイズであるこ
と，及び近年の信号の高周波化によって発生するノイズ
が比較的高い周波数であることに着目し，本発明者が先
に提案した複合磁性体をＥＭＩ対策方法として適用した
ものである。
要とされているのが伝導ノイズの内，インターフェイス
ケーブル等をアンテナとして放射されるノイズであるこ
と，及び近年の信号の高周波化によって発生するノイズ
が比較的高い周波数であることに着目し，本発明者が先
に提案した複合磁性体をＥＭＩ対策方法として適用した
ものである。
【０００９】即ち，本発明のＥＭＩ対策方法では，情報
処理装置におけるＣＰＵやＭＰＵ等と入出力装置等の間
でデータの受け渡しを行うバスラインを，軟磁性粉末と
有機結合剤とからなる複合磁性体で覆うことを特徴とし
ている。
処理装置におけるＣＰＵやＭＰＵ等と入出力装置等の間
でデータの受け渡しを行うバスラインを，軟磁性粉末と
有機結合剤とからなる複合磁性体で覆うことを特徴とし
ている。
【００１０】ここで，本発明において，前記軟磁性粉末
は，表面に酸化皮膜を有する金属磁性体であり，且つ前
記複合磁性体の表面抵抗が１０3 Ω以上であるもの，又
は前記複合磁性体は，互いに異なる大きさの異方性磁界
によってもたらされる磁気共鳴を少なくとも２つ有する
ものが好ましく，前記複合磁性体は，更に誘電体層を有
することが好ましい。これらの複合磁性体は，発生する
ノイズの実状に十分対応できる特性を有するＥＭＩ対策
方法を提供するものである。
は，表面に酸化皮膜を有する金属磁性体であり，且つ前
記複合磁性体の表面抵抗が１０3 Ω以上であるもの，又
は前記複合磁性体は，互いに異なる大きさの異方性磁界
によってもたらされる磁気共鳴を少なくとも２つ有する
ものが好ましく，前記複合磁性体は，更に誘電体層を有
することが好ましい。これらの複合磁性体は，発生する
ノイズの実状に十分対応できる特性を有するＥＭＩ対策
方法を提供するものである。
【００１１】更に，本発明においては，前記複合磁性体
は，ゴム，デキストリン，ポリビニルアルコールの何れ
かを主成分とする粘着層を有することによって粘着性を
持たせることが好ましく，これによって実装を容易に行
え得る。
は，ゴム，デキストリン，ポリビニルアルコールの何れ
かを主成分とする粘着層を有することによって粘着性を
持たせることが好ましく，これによって実装を容易に行
え得る。
【００１２】また，本発明において，前記複合磁性体の
使用形態としては，他の形態を採ってももちろん良いが
シート状や略コの字型の成形体であることが好ましい。
使用形態としては，他の形態を採ってももちろん良いが
シート状や略コの字型の成形体であることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１４】図１は，本発明の第１の実施の形態による
ＥＭＩ対策方法を説明するための装置の一部を切り欠い
た斜視図である。図１において，ＣＰＵ５と図示しない
外部回路とをつなぐバスライン６上に，ＥＭＩ対策のた
めの装置である電磁干渉抑制装置１１が設けられてい
る。第１の実施の形態において，電磁干渉抑制装置１１
は，シート状の複合磁性体１を有している。複合磁性体
１は，表面に酸化皮膜を有する金属磁性体粉末と有機結
合剤とからなり，磁気共鳴を２つ有するシート形状を備
えている。また，電磁干渉抑制装置１１は，複合磁性体
１の一面に形成されたポリプロピレンからなる樹脂層２
とを備えている。この樹脂層２は，複合磁性体１を支持
する機能を有する。また，樹脂層２の一面には，粘着層
３が設けられている。この粘着層３は，ポリビニルアル
コールを主成分としている。
ＥＭＩ対策方法を説明するための装置の一部を切り欠い
た斜視図である。図１において，ＣＰＵ５と図示しない
外部回路とをつなぐバスライン６上に，ＥＭＩ対策のた
めの装置である電磁干渉抑制装置１１が設けられてい
る。第１の実施の形態において，電磁干渉抑制装置１１
は，シート状の複合磁性体１を有している。複合磁性体
１は，表面に酸化皮膜を有する金属磁性体粉末と有機結
合剤とからなり，磁気共鳴を２つ有するシート形状を備
えている。また，電磁干渉抑制装置１１は，複合磁性体
１の一面に形成されたポリプロピレンからなる樹脂層２
とを備えている。この樹脂層２は，複合磁性体１を支持
する機能を有する。また，樹脂層２の一面には，粘着層
３が設けられている。この粘着層３は，ポリビニルアル
コールを主成分としている。
【００１５】電磁干渉抑制装置１１は，ＣＰＵ５と外部
回路とをつなぐバスライン６を，粘着層３を介して，樹
脂層２を備えた複合磁性体１を，樹脂層２をライン側に
して覆ったものである。
回路とをつなぐバスライン６を，粘着層３を介して，樹
脂層２を備えた複合磁性体１を，樹脂層２をライン側に
して覆ったものである。
【００１６】第１の実施の形態について，更に，具体的
に説明する。
に説明する。
【００１７】下記表１に，使用した軟磁性体粉末及び有
機結合剤を示す。軟磁性体粉末は，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金粉末からなり，酸素分圧２０％の窒素−酸素混合ガス
雰囲気中で気相酸化し，表面に酸化皮膜が形成されてい
ることが確認されている。
機結合剤を示す。軟磁性体粉末は，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金粉末からなり，酸素分圧２０％の窒素−酸素混合ガス
雰囲気中で気相酸化し，表面に酸化皮膜が形成されてい
ることが確認されている。
【００１８】第１の実施の形態では，湿式法によって複
合磁性体を製造した。支持体としてポリプロピレンフィ
ルムを用い，下記表１の材料を混合してペースト状とし
たものをポリプロピレンフィルム上にスキージを用いて
塗布し，充分に乾燥した後プレスした。一層の厚みは
０．１ｍｍで，塗布・乾燥・プレスの工程を繰り返して
積層し，全体の厚みが１ｍｍとなったところで，７０
℃，４８時間で加熱硬化させ複合磁性体シートを得た。
この複合磁性体シートの表面抵抗を測定したところ，１
×１０7 Ωであった。
合磁性体を製造した。支持体としてポリプロピレンフィ
ルムを用い，下記表１の材料を混合してペースト状とし
たものをポリプロピレンフィルム上にスキージを用いて
塗布し，充分に乾燥した後プレスした。一層の厚みは
０．１ｍｍで，塗布・乾燥・プレスの工程を繰り返して
積層し，全体の厚みが１ｍｍとなったところで，７０
℃，４８時間で加熱硬化させ複合磁性体シートを得た。
この複合磁性体シートの表面抵抗を測定したところ，１
×１０7 Ωであった。
【００１９】複合磁性体シートのポリプロピレン側の面
にはポリビニルアルコールを主成分とする粘着剤を塗布
して粘着層３を形成した。
にはポリビニルアルコールを主成分とする粘着剤を塗布
して粘着層３を形成した。
【００２０】
【表１】
【００２１】このようにして，作製した複合磁性体シー
トをパーソナルコンピュータのＣＰＵから伸びるバスラ
イン６上に，ラインを覆うように設置し，複合磁性体シ
ートに塗布された粘着層３によって，ラインに貼り付け
た。
トをパーソナルコンピュータのＣＰＵから伸びるバスラ
イン６上に，ラインを覆うように設置し，複合磁性体シ
ートに塗布された粘着層３によって，ラインに貼り付け
た。
【００２２】評価は，上記第１の実施の形態による電磁
干渉抑制装置１１と同様に作った厚さ１ｍｍの評価試料
を用いて，それぞれ透過減衰レベル及び結合レベルの測
定を行った。
干渉抑制装置１１と同様に作った厚さ１ｍｍの評価試料
を用いて，それぞれ透過減衰レベル及び結合レベルの測
定を行った。
【００２３】図２（ａ）及び（ｂ）は，第１の実施の形
態による透過減衰レベル及び結合レベルの測定装置を示
す図である。図２（ａ）及び（ｂ）に示すように，電磁
界波源用発信器２１と，電磁界強度測定器（受信用素
子）２２と，それぞれループ径２ｍｍ以下の電磁界送信
用微小ループアンテナ２３及び電磁界受信用微小ループ
アンテナ２４を接続した装置を用いた。図２（ａ）に示
すように，透過減衰レベルの測定は，電磁界送信用微小
ループアンテナ２３と電磁界受信用微小ループアンテナ
２４との間に試料２０を位置させて行った。
態による透過減衰レベル及び結合レベルの測定装置を示
す図である。図２（ａ）及び（ｂ）に示すように，電磁
界波源用発信器２１と，電磁界強度測定器（受信用素
子）２２と，それぞれループ径２ｍｍ以下の電磁界送信
用微小ループアンテナ２３及び電磁界受信用微小ループ
アンテナ２４を接続した装置を用いた。図２（ａ）に示
すように，透過減衰レベルの測定は，電磁界送信用微小
ループアンテナ２３と電磁界受信用微小ループアンテナ
２４との間に試料２０を位置させて行った。
【００２４】また，図２（ｂ）に示すように，結合レベ
ルの測定は，試料２０の一面と電磁界送信用微小ループ
アンテナ２３及び電磁界受信用微小ループアンテナ２４
とを対向させて行った。電磁界強度測定器２２には，図
示しないスペクトラムアナライザが接続されており，試
料が存在しない状態での電磁界強度を基準として測定を
行った。この評価方法については，後述する第２の実施
の形態においても同様である。
ルの測定は，試料２０の一面と電磁界送信用微小ループ
アンテナ２３及び電磁界受信用微小ループアンテナ２４
とを対向させて行った。電磁界強度測定器２２には，図
示しないスペクトラムアナライザが接続されており，試
料が存在しない状態での電磁界強度を基準として測定を
行った。この評価方法については，後述する第２の実施
の形態においても同様である。
【００２５】図３（ａ）及び図３（ｂ）は，第１の実施
の形態による複合磁性体シートの図２（ａ）及び（ｂ）
に示す方法で測定した際の透過減衰レベルと結合レベル
とを夫々示す図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）を参
照すると，複合磁性体シートを用いた場合，図中の実線
で夫々示される透過減衰レベル及び結合レベルは共に減
少し，反射による２次放射ノイズを引き起こすことなく
効果的に放射ノイズを除去することが出来るのが分か
る。即ち，伝導ノイズがバランスをアンテナとして放射
されるのを防止することが出来ることが判明した。
の形態による複合磁性体シートの図２（ａ）及び（ｂ）
に示す方法で測定した際の透過減衰レベルと結合レベル
とを夫々示す図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）を参
照すると，複合磁性体シートを用いた場合，図中の実線
で夫々示される透過減衰レベル及び結合レベルは共に減
少し，反射による２次放射ノイズを引き起こすことなく
効果的に放射ノイズを除去することが出来るのが分か
る。即ち，伝導ノイズがバランスをアンテナとして放射
されるのを防止することが出来ることが判明した。
【００２６】次に，本発明の第２の実施の形態について
説明する。
説明する。
【００２７】図４は本発明の第２の実施の形態によるＥ
ＭＩ対策方法を説明するための装置の一部を切り欠いた
斜視図である。図４に示すように，第２の実施の形態に
よるＥＭＩ対策方法は，第１の実施の形態と同様に，電
磁干渉抑制装置１２をバスライン６上に設置することに
よって成されている。電磁干渉抑制装置１２は，略コの
字型に成形された複合磁性体成形体１´を備えている。
複合磁性体成形体１´は，表面に酸化皮膜を有する金属
磁性体粉末と有機結合剤からなり，磁性共鳴を２つ有す
る。また，電磁干渉抑制装置１２は，複合磁性体成形体
１´の外側に当たる面に，メッキによって導体層４が形
成されている。
ＭＩ対策方法を説明するための装置の一部を切り欠いた
斜視図である。図４に示すように，第２の実施の形態に
よるＥＭＩ対策方法は，第１の実施の形態と同様に，電
磁干渉抑制装置１２をバスライン６上に設置することに
よって成されている。電磁干渉抑制装置１２は，略コの
字型に成形された複合磁性体成形体１´を備えている。
複合磁性体成形体１´は，表面に酸化皮膜を有する金属
磁性体粉末と有機結合剤からなり，磁性共鳴を２つ有す
る。また，電磁干渉抑制装置１２は，複合磁性体成形体
１´の外側に当たる面に，メッキによって導体層４が形
成されている。
【００２８】下記表２に，電磁干渉抑制装置１２の複合
磁性体成形体１´に使用したＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金の金
属磁性体粉末である軟磁性体粉末及び有機結合剤を夫々
示している。下記表２において，軟磁性体粉末は，酸素
分圧２０％の窒素−酸素混合ガス雰囲気中で気相酸化
し，表面に酸化皮膜が形成されていることを確認してい
る。
磁性体成形体１´に使用したＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金の金
属磁性体粉末である軟磁性体粉末及び有機結合剤を夫々
示している。下記表２において，軟磁性体粉末は，酸素
分圧２０％の窒素−酸素混合ガス雰囲気中で気相酸化
し，表面に酸化皮膜が形成されていることを確認してい
る。
【００２９】本発明の第２の実施の形態では，乾式法に
よって，複合磁性成形体１´を製造した。下記表２の材
料を加熱混練し，押し出し成形によって，厚みが１ｍｍ
の略コの字型に成形した。この複合磁性体成形体１´の
表面抵抗を測定したところ，１×１０6 Ωであった。
よって，複合磁性成形体１´を製造した。下記表２の材
料を加熱混練し，押し出し成形によって，厚みが１ｍｍ
の略コの字型に成形した。この複合磁性体成形体１´の
表面抵抗を測定したところ，１×１０6 Ωであった。
【００３０】また，図５は複合磁性体成形体１´μ−ｆ
特性の測定結果を示す図である。複合磁性体成形体１´
の外側片面には，５μｍの銅メッキを施した。メッキに
際しては，アルカリ性溶剤によって前処理することで均
質膜の生成が阻害されるのを防止している。
特性の測定結果を示す図である。複合磁性体成形体１´
の外側片面には，５μｍの銅メッキを施した。メッキに
際しては，アルカリ性溶剤によって前処理することで均
質膜の生成が阻害されるのを防止している。
【００３１】このようにして作成した複合磁性体成形体
１´をパーソナルコンピュータのＣＰＵと外部回路とを
つなぐバスライン上に銅メッキの無い内側面がライン側
に来るように設置した。
１´をパーソナルコンピュータのＣＰＵと外部回路とを
つなぐバスライン上に銅メッキの無い内側面がライン側
に来るように設置した。
【００３２】
【表２】
【００３３】評価は第１の実施の形態と同様の方法で板
状に作った厚さ１ｍｍの複合磁性体に５μｍの銅メッキ
を施したものを評価試料を用いて，それぞれ透過減衰レ
ベル及び結合レベルの測定を行った。評価方法について
は第１の実施の形態と同様である。
状に作った厚さ１ｍｍの複合磁性体に５μｍの銅メッキ
を施したものを評価試料を用いて，それぞれ透過減衰レ
ベル及び結合レベルの測定を行った。評価方法について
は第１の実施の形態と同様である。
【００３４】図６（ａ）及び図６（ｂ）は，透過減衰レ
ベル及び結合レベルの測定結果を夫々示す図である。各
々に比較のため，銅メッキを施さなかった以外は，第２
の実施の形態のものと同様に作製した厚さ１ｍｍの複合
磁性体板と厚さ０．５ｍｍの銅板とについても示してあ
る。図６（ａ）及び図６（ｂ）において，線分３１，３
４，はｔ＝１．０ｍｍの複合磁性体，線３２，３５はｔ
＝０．５ｍｍの銅板，線３３，３６は，ｔ＝１．０ｍｍ
の複合磁性体にｔ＝５μｍの銅メッキを施した第２の実
施の形態の複合磁性体の透過減衰レベル及び結合レベル
を夫々示している。透過減衰レベルは，複合磁性体単独
の場合に較べ非常に減少しており，結合レベルは銅板に
較べ低くなっていることが分かる。このことから，本発
明の第２の実施の形態によるものが，金属並の透過減衰
特性を有する上に，２次放射ノイズを発生させない優れ
たＥＭＩ対策方法であることが分かった。
ベル及び結合レベルの測定結果を夫々示す図である。各
々に比較のため，銅メッキを施さなかった以外は，第２
の実施の形態のものと同様に作製した厚さ１ｍｍの複合
磁性体板と厚さ０．５ｍｍの銅板とについても示してあ
る。図６（ａ）及び図６（ｂ）において，線分３１，３
４，はｔ＝１．０ｍｍの複合磁性体，線３２，３５はｔ
＝０．５ｍｍの銅板，線３３，３６は，ｔ＝１．０ｍｍ
の複合磁性体にｔ＝５μｍの銅メッキを施した第２の実
施の形態の複合磁性体の透過減衰レベル及び結合レベル
を夫々示している。透過減衰レベルは，複合磁性体単独
の場合に較べ非常に減少しており，結合レベルは銅板に
較べ低くなっていることが分かる。このことから，本発
明の第２の実施の形態によるものが，金属並の透過減衰
特性を有する上に，２次放射ノイズを発生させない優れ
たＥＭＩ対策方法であることが分かった。
【００３５】また，図４に示したバスライン６のよう
に，多数の信号ラインが近接して敷設されているところ
では，或る信号ラインで伝送される信号（例えばクロッ
クなど）が，隣接する信号ラインに伝播しスパイクノイ
ズを発生させるような場合がある。
に，多数の信号ラインが近接して敷設されているところ
では，或る信号ラインで伝送される信号（例えばクロッ
クなど）が，隣接する信号ラインに伝播しスパイクノイ
ズを発生させるような場合がある。
【００３６】図７（ａ），（ｂ），（ｃ），及び（ｄ）
は，スパイクノイズが発生しているライン上に，本発明
の第２の実施の形態による電磁干渉抑制装置１２を装着
して信号波形についてオシロスコープを用いて観察した
図であり，図７（ａ）は回路構成，図７（ｂ）は基本波
である負荷２５の両端の電圧Ｖｂの波形，図７（ｃ）は
基本波の伝達によって発生したスパイクノイズを示す負
荷２５の両端の電圧波形，図７（ｄ）は（ｃ）のスパイ
クノイズの発生したライン上に第２の実施の形態による
電磁干渉抑制装置１２を装着したとき電圧波形を夫々示
している。図７（ｃ），（ｄ）の比較から，第２の実施
の形態による電磁干渉抑制装置１２を被せたものが，電
磁干渉抑制装置１２を装着しなかったものに比べてスパ
イクノイズが非常に小さくなっていることが分かった。
これは，本発明の第２の実施の形態によるものが，閉ル
ープを構成してはいないものの，例えばフェライトビー
ズ等のようにＬ素子，即ち，μ′特性を利用したノイズ
対策と同じ機能を僅かながらも果たしているものと推察
する。
は，スパイクノイズが発生しているライン上に，本発明
の第２の実施の形態による電磁干渉抑制装置１２を装着
して信号波形についてオシロスコープを用いて観察した
図であり，図７（ａ）は回路構成，図７（ｂ）は基本波
である負荷２５の両端の電圧Ｖｂの波形，図７（ｃ）は
基本波の伝達によって発生したスパイクノイズを示す負
荷２５の両端の電圧波形，図７（ｄ）は（ｃ）のスパイ
クノイズの発生したライン上に第２の実施の形態による
電磁干渉抑制装置１２を装着したとき電圧波形を夫々示
している。図７（ｃ），（ｄ）の比較から，第２の実施
の形態による電磁干渉抑制装置１２を被せたものが，電
磁干渉抑制装置１２を装着しなかったものに比べてスパ
イクノイズが非常に小さくなっていることが分かった。
これは，本発明の第２の実施の形態によるものが，閉ル
ープを構成してはいないものの，例えばフェライトビー
ズ等のようにＬ素子，即ち，μ′特性を利用したノイズ
対策と同じ機能を僅かながらも果たしているものと推察
する。
【００３７】図５に戻って，複合磁性体成形体のμ−ｆ
特性から分かるように，第２の実施の形態による複合磁
性体体成形体においては，μ″特性だけでなく，μ′特
性にも優れている。一般にμ′の大きいといわれている
材料は低周波帯域におけるμ′が大きいのであって，高
周波帯域では有効に利用できるだけのμ′が得られない
のが実状である。このため高周波帯域で大きいμ′を得
るために周波数特性を改善した磁性材料も多々あるが，
このような材料では概してμ″が小さく，たとえ大きい
μ″が得られても極狭い帯域に限られてしまう。
特性から分かるように，第２の実施の形態による複合磁
性体体成形体においては，μ″特性だけでなく，μ′特
性にも優れている。一般にμ′の大きいといわれている
材料は低周波帯域におけるμ′が大きいのであって，高
周波帯域では有効に利用できるだけのμ′が得られない
のが実状である。このため高周波帯域で大きいμ′を得
るために周波数特性を改善した磁性材料も多々あるが，
このような材料では概してμ″が小さく，たとえ大きい
μ″が得られても極狭い帯域に限られてしまう。
【００３８】本発明の第２の実施の形態において適用し
た複合磁性体成形体は高い周波数帯域でも大きいμ′が
得られ，且つ広い帯域で大きなμ″を維持できる。この
ことは，近年の信号周波数の高周波化に非常にマッチし
ており，これをバスラインに適用すれば基本周波数のノ
イズをμ′の機能で除去し，その高調波成分の放射を
μ″で抑制するので，１つの対策で性質の異なった複数
のノイズを対策することが可能となる。
た複合磁性体成形体は高い周波数帯域でも大きいμ′が
得られ，且つ広い帯域で大きなμ″を維持できる。この
ことは，近年の信号周波数の高周波化に非常にマッチし
ており，これをバスラインに適用すれば基本周波数のノ
イズをμ′の機能で除去し，その高調波成分の放射を
μ″で抑制するので，１つの対策で性質の異なった複数
のノイズを対策することが可能となる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明した通り，本発明によれば，非
常に容易に，無駄なスペースをとることなくバスライン
の効果的なＥＭＩ対策が可能である。特に近年の信号周
波数の高周波数化に対応し，高周波・広帯域で２次放射
を引き起こすことなく放射ノイズを低減できるＥＭＩ対
策方法を提供することができる。
常に容易に，無駄なスペースをとることなくバスライン
の効果的なＥＭＩ対策が可能である。特に近年の信号周
波数の高周波数化に対応し，高周波・広帯域で２次放射
を引き起こすことなく放射ノイズを低減できるＥＭＩ対
策方法を提供することができる。
【００４０】また，本発明によれば，用いた電磁干渉抑
制装置は，インダクタンス（Ｌ）素子としての機能も期
待できることから，１つの対策で性質の異なった複数の
ノイズを取り除くことが出来，非常に効率の良いＥＭＩ
対策方法を提供することができる。
制装置は，インダクタンス（Ｌ）素子としての機能も期
待できることから，１つの対策で性質の異なった複数の
ノイズを取り除くことが出来，非常に効率の良いＥＭＩ
対策方法を提供することができる。
【００４１】さらに，本発明によれば，事前対策を要さ
ず，対策に時間や専門知識を使わずに済み，特別なスペ
ースが無くても対策が可能で，部品そのものもフィルタ
等に較べ安価である等，多くの長所を有し，結果として
電子機器の小型化，低価格化に寄与するＥＭＩ対策方法
を提供することができる。
ず，対策に時間や専門知識を使わずに済み，特別なスペ
ースが無くても対策が可能で，部品そのものもフィルタ
等に較べ安価である等，多くの長所を有し，結果として
電子機器の小型化，低価格化に寄与するＥＭＩ対策方法
を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるＥＭＩ対策方
法に用いる装置の一部を切り欠いた斜視図である。
法に用いる装置の一部を切り欠いた斜視図である。
【図２】評価方法の説明図であり，（ａ）は透過減衰レ
ベルの測定方法を示し，（ｂ）は結合レベルの測定方法
を示す。
ベルの測定方法を示し，（ｂ）は結合レベルの測定方法
を示す。
【図３】第１の実施の形態における評価結果を示す図で
あり，（ａ）は透過減衰レベル，（ｂ）は結合レベルを
夫々示している。
あり，（ａ）は透過減衰レベル，（ｂ）は結合レベルを
夫々示している。
【図４】本発明の第２の実施の形態によるＥＭＩ対策方
法に用いる装置の一部を切り欠いた斜視図である。
法に用いる装置の一部を切り欠いた斜視図である。
【図５】第２の実施の形態における複合磁性体成形体の
μ−ｆ特性を示す図である。
μ−ｆ特性を示す図である。
【図６】第２の実施の形態における評価結果を示す図で
あり，（ａ）は透過減衰レベル，（ｂ）は結合レベルを
夫々示している。
あり，（ａ）は透過減衰レベル，（ｂ）は結合レベルを
夫々示している。
【図７】第２の実施の形態における信号波形を示す図で
あり，（ａ）は回路構成，（ｂ）は基本波，（ｃ）は基
本波の伝播によって発生したスパイクノイズ，（ｄ）は
（ｂ）のスパイクノイズの発生したライン上に第２の実
施の形態による電磁干渉抑制装置を装着した際の信号波
形である。
あり，（ａ）は回路構成，（ｂ）は基本波，（ｃ）は基
本波の伝播によって発生したスパイクノイズ，（ｄ）は
（ｂ）のスパイクノイズの発生したライン上に第２の実
施の形態による電磁干渉抑制装置を装着した際の信号波
形である。
１，１´ 複合磁性体 ２ 支持体 ３ 粘着層 ４ 導体層 ５ ＣＰＵ ６ バスライン １１，１２ ＥＭＩ対策装置 ２０ 評価試料 ２１ 電磁界波源用発信器 ２２ 電磁界強度測定器 ２３ 電磁界送信用微小ループアンテナ ２４ 電磁界受信用微小ループアンテナ ２５ 負荷
Claims (7)
- 【請求項１】 情報処理装置のバスラインの少くとも一
部を軟磁性粉末と有機結合剤とを含む複合磁性体で覆う
ことを特徴とするＥＭＩ対策方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＥＭＩ対策方法におい
て，前記軟磁性粉末は，表面に酸化皮膜を有する金属磁
性体からなり，且つ前記複合磁性体の表面抵抗が少くと
も１０3 Ω以上であることを特徴とするＥＭＩ対策方
法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のＥＭＩ対策方法に
おいて，前記複合磁性体は，互いに異なる大きさの異方
性磁界によってもたらされる磁気共鳴を少なくとも２つ
有することを特徴とするＥＭＩ対策方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の内のいずれかに記載の
ＥＭＩ対策方法において，前記複合磁性体は，更に導電
体層を有することを特徴とするＥＭＩ対策方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の内のいずれかに記載の
ＥＭＩ対策方法において，前記複合磁性体は，更にゴ
ム，デキストリン，及びポリビニルアルコールのうちの
何れかを主成分とする粘着層を有することを特徴とする
ＥＭＩ対策方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の内のいずれかに記載の
ＥＭＩ対策方法において，前記複合磁性体は，シート状
であることを特徴とするＥＭＩ対策方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至５の内の何れかに記載にＥ
ＭＩ対策方法において，前記複合磁性体は，略コの字型
に成形されていることを特徴とするＥＭＩ対策方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12600596A JP3528427B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | Ｅｍｉ対策方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12600596A JP3528427B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | Ｅｍｉ対策方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312489A true JPH09312489A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3528427B2 JP3528427B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=14924378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12600596A Expired - Lifetime JP3528427B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | Ｅｍｉ対策方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3528427B2 (ja) |
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-
1996
- 1996-05-21 JP JP12600596A patent/JP3528427B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP3528427B2 (ja) | 2004-05-17 |
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