JPWO2004045265A1 - Emi対策部品およびemi対策方法 - Google Patents
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Abstract
EMI対策部品は、結合剤に磁石粉末が分散された複合磁石層を、軟磁性粉末を有機結合剤中に分散してなる複合磁性体層の少なくとも一部に配置している。前記複合磁石体層は前記複合磁性体層にバイアス磁界を印加する。
Description
技術分野
本発明は、パーソナルコンピュータを代表とするようなCPUやMPUを有し入出力装置との間でデータの授受を行うような情報処理装置又は機器においてデータの受け渡しを行うバスラインに対するEMI(電磁干渉)対策のための部品とEMI対策方法に関する。
背景技術
一般に、ノイズを伝播経路によって分類すると放射ノイズと伝導ノイズとに分けられる。放射ノイズに対しては、金属シールドを用いることによってEMI対策が採られている。伝導ノイズは更にノーマルモードとコモンモードに分けられる。ノーマルモードノイズに対しては、インダクタやコンデンサ、EMIフィルタを信号ラインに挿入するなどの対策が採られてきた。
コモンモードノイズは、グランド系を通して伝播し、インターフェイスケーブルをアンテナ代わりにして空中に放射される。近年の信号の高速デジタル化、高周波化によってこのコモンモードノイズに対する対策が非常に重要となってきている。
従来、コモンモードノイズに対しては、通常、対策を施してない。対策が必要な時には、ライン中にノイズを除去するための各種フィルタ等を挿入している。しかしながら、ライン中にフィルタを挿入する場合、一度、設置した信号ラインを切断してフィルタの挿入スペースを作り接続するものであるが、これは非常に大変な作業である。特に、信号ラインは、回路基板上に形成された導体パターンである場合が多い。したがって、一度切り離した導体パターンを再接続することは困難である。このため、最近では、ノイズが発生することを前提として、事前にフィルタを挿入するスペースやラインを確保することか行われている。しかしながら、情報処理装置等でのデータの授受を行うバスラインにおいてはラインが密集している。このため、これらの対策は困難を極めている。
一般に、EMI対策を行う場合、ノイズ対策の専門知識や経験が必要とされ、対策には多くの時間が必要とされる。更に、使用するフィルタが高価であること、フィルタを実装するスペースに制約がある場合が多いこと、フィルタの実装作業が容易でないこと、装置全体の所要工数が多くなり生産コストが上昇すること等、多くの問題がある。特に、ノイズが発生してもしなくても事前にスペースを確保したり、ラインを敷設しておくことは、非常に無駄な作業であるとも言える。
近年あらゆる機器で小型・薄型化が要求されていることを考慮すると、従来のノイズ対策方法を用いて、充分なノイズ対策を施し、且つ小型化した電子機器を実現することは非常に困難であるといわざるを得ない。
そこで、本発明の一目的は、予めノイズ対策用の処置を施すことなく、必要デバイスを実装して回路を構成した後に、ノイズの発生が発見された場合でも、デッドスペースを利用して充分な対策が可能なEMI対策部品、およびEMI対策方法を提供することにある。
発明の開示
本発明は、特に対策を必要とされているのが、インターフェイスケーブル等をアンテナとして放射されるコモンモードノイズであること、及び近年の信号の高周波化によって発生するノイズが比較的高い周波数であることに着目し、本発明者が先に提案したEMI抑制用の複合磁性体にバイアス磁界を印加することによって、さらに、効率を高めたEMI対策部品を提供し、これをEMI対策方法に適用したものである。
即ち、本発明によれば、軟磁性粉末を有機結合剤層中に分散してなる複合磁性体層と、外複合姿勢体操に少なくとも一部上に配置された結合剤に磁石粉末が分散された複合磁石層とを備え、前記複合磁石層は前記複合磁性体層にバイアス磁界を印加することを特徴とするEMI対策部品が得られる。
また、本発明によれば、情報処理装置のバスラインの少なくとも一部を、軟磁性粉末を有機結合剤層中に分散してなる複合磁性体層で覆うとともに、該複合磁性体層にバイアス磁界を印加えることを特徴とするEMI対策方法が得られる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例によるEMI対策部品11をCPU5のバスライン6上に配置してEMI対策を施した状態を示す斜視図である。EMI対策部品11は一部を切り欠いて示してある。バスライン6は、CPU5と図示しない外部回路とをつなぐものである。
第1の実施例において、電磁干渉抑制を行う装置であるEMI対策部品11は、シート状の複合磁性体1を有している。複合磁性体1は、有機結合剤と、該有機結合剤中に分散された表面に酸化皮膜を有する金属磁性体粉末とからなるシート形状を備えており、周波数帯域上で異なる2つの磁気共鳴を有している。この複合磁性体1の一面には、複合磁石層2を備えている。この複合磁石層2は、有機結合剤の層中にSmCo5永久磁石粉末を分散して固化したものである。また、複合磁石層2の他の面には、粘着層3が設けられている。この粘着層3は、ポリビニルアルコールを主成分としている。
電磁干渉抑制装置11は、CPU5と外部回路とをつなぐバスライン6を、粘着層3を介して、複合磁石層2をライン側にして、覆ったものである。
本発明の第1の実施例について、更に、具体的に説明する。
下記表1に、複合磁性体に使用した軟磁性体粉末及び有機結合剤を示す。軟磁性体粉末は、Fe−Al−Si合金粉末からなり、酸素分圧20%の窒素−酸素混合ガス雰囲気中で気相酸化した。これにより、粉末粒子表面に酸化皮膜が形成されていることが確認された。
複合磁石層2としては、結合剤としてポリプロピレンポリマー中にSmCo5型永久磁石粉末を分散させてシート状に形成した。
この複合磁石体シート2上に次のようにして前記複合磁性体層1を形成した。下記表1の材料を混合してペースト状としたものをこの複合磁石シート2上にスキージを用いて塗布し、充分に乾燥した後プレスして、複合磁石シート2上に複合磁性体層を形成した。この複合磁性体層の一層の厚みは0.1mmであった。この複合磁性体層の上に、更に、上記のペーストを塗布・乾燥・プレスする工程を繰り返して、複合磁性体層を積層形成し、全体の厚みが1mmとなったところで、70℃、48時間で加熱硬化させ、複合磁石体シートの上に複合磁性体層を形成した。かくして、複合磁石体層の上に複合磁石層を備えたEMI対策部品シートを得た。この複合磁性体層の表面抵抗を測定したところ、1×107Ωであった。
複合磁石シートの他側の面にはポリビニルアルコールを主成分とする粘着剤を塗布して粘着層3を形成した。
第2図は、本発明の第2の実施例によるEMI対策部品12をバスライン7に近接して配置した状態を示す断面図である。電磁干渉抑制装置であるEMI対策部品12はバスライン7側に複合磁性体層1、その上に複合磁石層2が配置された2層構造である。複合磁性体層1及び複合磁石層2は、第1の実施例で用いたものと同様に作製され、複合磁性体層1をライン側に配置して使用したものである。
第3図は、本発明の第3の実施例によるEMI対策部品13をバスライン7に近接して配置した状態を示す断面図である。このEMI対策部品13は、複合磁石層2を支持体として両面に複合磁性体層1が設けられている。
次に、本発明の実施例によるEMI対策部品を評価するために、次のような装置を用いた。
第4図は、本発明のEMI対策部品を評価するためのテスト用の装置の図である。第4図を参照すると、測定されるべき試料として、永久磁石層が形成されていない20mm×20mm×0.5mmのシート状EMI対策部品20(即ち、複合磁性体層のみからなるシート)を、マイクロストリップライン21上に、このラインを覆うように設置し、試料である複合磁性体シートに塗布された粘着層3によって、ライン21に貼り付けた。マイクロストリップライン21の入力31の側端子及び出力32の側端子は夫々リード線22及び23を介してマイクロアナライザイー24に接続されている。また、0〜1kOe(0〜79.6kA/mに相当)のバイアス磁界をマイクロストリップライン21の入出力方向(Hz方向)に印加できるように、2点鎖線で示されるヘルムホルツコイル28内に配置した。
このテスト用試料20を用いて、周波数1MHz〜3GHzにおいて、伝送特性及び電力損失を測定した。
第5図は、バイアス磁界が0の場合の、周波数変化に対する試料の反射伝送特性(S11)及び透過伝送特性(S21)と、入力電力(P(in))に対する電力損失(P(loss))の比である電力損失特性(P(loss)/P(in))を夫々示している。但し、S11=20log|Γ|(Γ:反射係数)、S21=20log|T|(T:透過係数)である。
電力損失特性は、入力に対する試料の吸収量を意味し、この例では、周波数が上昇するにつれてなだらかに上昇していることが認められた。
第6図は、同じ試料についてバイアス磁界を印加したときの電力損失特性を示す図である。第6図に示すように、Hz方向にバイアス磁界0、100、500、1000Oe(夫々0、7.96、39.5、79.6kA/mに相当)を印加すると曲線42、41、43、44に示すように、周波数の上昇と共に、曲線の立ち上がりが急峻となるとともに、ピークが明確に現れることが理解できる。
また、ピーク値の半分の値となる上下2周波数点間の周波数幅である半値幅は、表2に示す様に、次第に小さくなることが確認された。
第7図は、第4図の磁界印加用コイルであるヘルムホルツコイル28を使用せず、代わりに永久磁石35を試料上に配置した状態を示す図である。即ち、同図に示すように、永久磁石35としては、1cm3(10−6m3)の大きさで、x、y、およびz方向のバイアス磁界の強度Hx、Hy、及び、Hzが、夫々、3kOe、1.5kOe、1.5kOe(239、119、119kA/mに相当)となるように用いた。
第8図は、第4図の測定用装置を用い、第7図の試料における電力損失特性を測定した結果を示す図である。同図において、曲線51は、複合磁性体及び永久磁石の両方を使用しない場合のマイクロストリップラインのみの場合の特性であり、曲線55は永久磁石を使用しない場合(複合磁性体は使用している)の特性で、曲線52〜54は、複合磁性体と永久磁石を使用し、永久磁石によるバイアス磁界の方向をx、z、y方向とした場合の特性である。曲線55に比べて、曲線52のHxが1.5kOe(119.4kA/m)、曲線54のHyが3kOe(239kA/m)、曲線53のHzが1.5kOe(119kA/m)の場合の方が、2GHz付近において、明らかに立ち上がりが急峻となっていることが判明した。また、曲線51では、逆に立ち上がりが遅くなっていることがわかる。
第9図及び第10図は、複合磁性体のバイアス磁界の強度を0〜400Oeの範囲で変えて測定した、実数部透磁率μ′、虚数部透磁率μ″の周波数特性を示す図である。第9図に示すように、周波数の上昇に伴って、実数部透磁率μ′は緩やかに上昇するが、1GHz付近から、周波数の上昇と共に、低下する。一方、第10図に示すように、虚数部透磁率μ″は、周波数が0.5GHz付近から上昇すると共に急激に増加することが認められた。
なお、第11図は、複合磁性体のみの比実数部透磁率μ′、比虚数部透磁率μ″の周波数変化を示す図である。
第9図、第10図、第11図の比較から、複合磁性体にバイアス磁界を与えることによって、電磁干渉抑制に寄与するμ″の立ち上がりが急峻となり、更に効率良く特定(例えば、2GHz以上)の周波数に関して効率を高めることができる。
第12図は、本発明の第4の実施例によるEMI対策部品を用いた対策方法を説明するための装置の一部を切り欠いた斜視図である。第12図に示すように、第4の実施例による電磁干渉抑制装置であるEMI対策部品15をバスライン6上に設置することによって成されている。電磁干渉抑制装置15は、略コの字型に成形された複合磁性体成形体1′を備えている。複合磁性体成形体1′は、表面に酸化皮膜を有する金属磁性体粉末を有機結合剤中に分散させてなり、周波数上で2つの磁気共鳴をする。また、電磁干渉抑制装置15は、複合磁性体成形体1′の外側に当たる面に、複合磁石体層2が形成されている。
下記表3に、電磁干渉抑制装置15の複合磁性体成形体1′に使用したFe−Al−Si合金の金属磁性体粉末である軟磁性体粉末及び有機結合剤を夫々示している。下記表3において、軟磁性体粉末は、酸素分圧20%の窒素−酸素混合ガス雰囲気中で気相酸化し、表面に酸化皮膜が形成されている。
本発明のこの第4の実施例では、複合磁性成形体1′は、下記のとおり、乾式法で製造した。下記表3に示される材料を加熱混練し、押し出し成形によって、厚みが1mmの略コの字型に成形することによって、複合磁性体成形体を製造した。この複合磁性体成形体1′の表面抵抗を測定したところ、1×106Ωであった。さらに、この複合磁性体の表面上に、SmCo5永久磁石粉末を結合剤中に分散してなる複合磁石体層2を形成した。この複合磁石体層2によって、前述したものと同様に複合磁性体成形体1′にバイアス磁界を与えることができ、同様の作用効果を得ることができる。
以上説明した通り、本発明によれば、非常に容易に、無駄なスペースをとることなくバスラインの効果的なEMI対策が可能である。特に近年の信号周波数の高周波数化に対応し、高周波・広帯域で2次放射を引き起こすことなく放射ノイズを低減できるEMI対策部品とEMI対策方法を提供することができる。
また、本発明によれば、用いた電磁干渉抑制装置は、インダクタンス(L)素子としての機能も期待できることから、1つの対策で性質の異なった複数のノイズを取り除くことが出来、非常に効率の良いEMI対策部品とEMI対策方法を提供することができる。
さらに、本発明によれば、事前対策を要さず、対策に時間や専門知識を使わずに済み、特別なスペースが無くても対策が可能で、部品そのものもフィルタ等に較べ安価である等、多くの長所を有し、結果として電子機器の小型化、低価格化に寄与するEMI対策部品とEMI対策方法とを提供することができる。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明に係るEMI対策部品およびEMI対策方法は、電子機器や電気機器の電磁ノイズ等の抑制する電磁干渉抑制対策に極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例によるEMI対策部品を、CPUのバスライン上に配置してEMI対策を施した状態を示す斜視図であり、EMI対策部品ハ一部を切り欠いて示してある。
第2図は本発明の第2の実施例によるEMI対策部品をバスラインに近接して配置した状態を示す断面図である。
第3図は本発明の第3の実施例によるEMI対策部品をバスラインに近接して配置した状態を示す断面図である。
第4図は本発明のEMI対策部品を評価するためのテスト用装置とその作用を示す概略図である。
第5図は、バイアス磁界が0の場合の試料の反射伝送特性(S11)及び透過伝送特性(S21)と、入力電力に対する損失の比である電力損失特性(P(loss)/P(in))を夫々示す図である。
第6図は、異なるバイアス磁界を印加したときの電力損失特性を示す図である。
第7図は、第4図の磁界印加用のヘルムホルツコイルに代えて、試料上に永久磁石を配置した状態を示す図である。
第8図は、第7図の試料における電力損失特性の測定結果を示す図である。
第9図及び第10図は、種々のバイアス磁界における試料の実数部透磁率μ′、虚数部透磁率μ″の周波数特性を、それぞれ、示す図である。
第11図はバイアス磁界が無いときの同じ試料の比実数部透磁率μ′、比虚数透磁率μ″のそれぞれの周波数数特性を示す図である。
第12図は本発明の第4の実施例によるEMI対策部品をCPUのバスライン上に配置してEMI対策を施した状態を示す斜視図であり、EMI対策部品ハ一部を切り欠いて示してある。
本発明は、パーソナルコンピュータを代表とするようなCPUやMPUを有し入出力装置との間でデータの授受を行うような情報処理装置又は機器においてデータの受け渡しを行うバスラインに対するEMI(電磁干渉)対策のための部品とEMI対策方法に関する。
背景技術
一般に、ノイズを伝播経路によって分類すると放射ノイズと伝導ノイズとに分けられる。放射ノイズに対しては、金属シールドを用いることによってEMI対策が採られている。伝導ノイズは更にノーマルモードとコモンモードに分けられる。ノーマルモードノイズに対しては、インダクタやコンデンサ、EMIフィルタを信号ラインに挿入するなどの対策が採られてきた。
コモンモードノイズは、グランド系を通して伝播し、インターフェイスケーブルをアンテナ代わりにして空中に放射される。近年の信号の高速デジタル化、高周波化によってこのコモンモードノイズに対する対策が非常に重要となってきている。
従来、コモンモードノイズに対しては、通常、対策を施してない。対策が必要な時には、ライン中にノイズを除去するための各種フィルタ等を挿入している。しかしながら、ライン中にフィルタを挿入する場合、一度、設置した信号ラインを切断してフィルタの挿入スペースを作り接続するものであるが、これは非常に大変な作業である。特に、信号ラインは、回路基板上に形成された導体パターンである場合が多い。したがって、一度切り離した導体パターンを再接続することは困難である。このため、最近では、ノイズが発生することを前提として、事前にフィルタを挿入するスペースやラインを確保することか行われている。しかしながら、情報処理装置等でのデータの授受を行うバスラインにおいてはラインが密集している。このため、これらの対策は困難を極めている。
一般に、EMI対策を行う場合、ノイズ対策の専門知識や経験が必要とされ、対策には多くの時間が必要とされる。更に、使用するフィルタが高価であること、フィルタを実装するスペースに制約がある場合が多いこと、フィルタの実装作業が容易でないこと、装置全体の所要工数が多くなり生産コストが上昇すること等、多くの問題がある。特に、ノイズが発生してもしなくても事前にスペースを確保したり、ラインを敷設しておくことは、非常に無駄な作業であるとも言える。
近年あらゆる機器で小型・薄型化が要求されていることを考慮すると、従来のノイズ対策方法を用いて、充分なノイズ対策を施し、且つ小型化した電子機器を実現することは非常に困難であるといわざるを得ない。
そこで、本発明の一目的は、予めノイズ対策用の処置を施すことなく、必要デバイスを実装して回路を構成した後に、ノイズの発生が発見された場合でも、デッドスペースを利用して充分な対策が可能なEMI対策部品、およびEMI対策方法を提供することにある。
発明の開示
本発明は、特に対策を必要とされているのが、インターフェイスケーブル等をアンテナとして放射されるコモンモードノイズであること、及び近年の信号の高周波化によって発生するノイズが比較的高い周波数であることに着目し、本発明者が先に提案したEMI抑制用の複合磁性体にバイアス磁界を印加することによって、さらに、効率を高めたEMI対策部品を提供し、これをEMI対策方法に適用したものである。
即ち、本発明によれば、軟磁性粉末を有機結合剤層中に分散してなる複合磁性体層と、外複合姿勢体操に少なくとも一部上に配置された結合剤に磁石粉末が分散された複合磁石層とを備え、前記複合磁石層は前記複合磁性体層にバイアス磁界を印加することを特徴とするEMI対策部品が得られる。
また、本発明によれば、情報処理装置のバスラインの少なくとも一部を、軟磁性粉末を有機結合剤層中に分散してなる複合磁性体層で覆うとともに、該複合磁性体層にバイアス磁界を印加えることを特徴とするEMI対策方法が得られる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例によるEMI対策部品11をCPU5のバスライン6上に配置してEMI対策を施した状態を示す斜視図である。EMI対策部品11は一部を切り欠いて示してある。バスライン6は、CPU5と図示しない外部回路とをつなぐものである。
第1の実施例において、電磁干渉抑制を行う装置であるEMI対策部品11は、シート状の複合磁性体1を有している。複合磁性体1は、有機結合剤と、該有機結合剤中に分散された表面に酸化皮膜を有する金属磁性体粉末とからなるシート形状を備えており、周波数帯域上で異なる2つの磁気共鳴を有している。この複合磁性体1の一面には、複合磁石層2を備えている。この複合磁石層2は、有機結合剤の層中にSmCo5永久磁石粉末を分散して固化したものである。また、複合磁石層2の他の面には、粘着層3が設けられている。この粘着層3は、ポリビニルアルコールを主成分としている。
電磁干渉抑制装置11は、CPU5と外部回路とをつなぐバスライン6を、粘着層3を介して、複合磁石層2をライン側にして、覆ったものである。
本発明の第1の実施例について、更に、具体的に説明する。
下記表1に、複合磁性体に使用した軟磁性体粉末及び有機結合剤を示す。軟磁性体粉末は、Fe−Al−Si合金粉末からなり、酸素分圧20%の窒素−酸素混合ガス雰囲気中で気相酸化した。これにより、粉末粒子表面に酸化皮膜が形成されていることが確認された。
複合磁石層2としては、結合剤としてポリプロピレンポリマー中にSmCo5型永久磁石粉末を分散させてシート状に形成した。
この複合磁石体シート2上に次のようにして前記複合磁性体層1を形成した。下記表1の材料を混合してペースト状としたものをこの複合磁石シート2上にスキージを用いて塗布し、充分に乾燥した後プレスして、複合磁石シート2上に複合磁性体層を形成した。この複合磁性体層の一層の厚みは0.1mmであった。この複合磁性体層の上に、更に、上記のペーストを塗布・乾燥・プレスする工程を繰り返して、複合磁性体層を積層形成し、全体の厚みが1mmとなったところで、70℃、48時間で加熱硬化させ、複合磁石体シートの上に複合磁性体層を形成した。かくして、複合磁石体層の上に複合磁石層を備えたEMI対策部品シートを得た。この複合磁性体層の表面抵抗を測定したところ、1×107Ωであった。
複合磁石シートの他側の面にはポリビニルアルコールを主成分とする粘着剤を塗布して粘着層3を形成した。
第2図は、本発明の第2の実施例によるEMI対策部品12をバスライン7に近接して配置した状態を示す断面図である。電磁干渉抑制装置であるEMI対策部品12はバスライン7側に複合磁性体層1、その上に複合磁石層2が配置された2層構造である。複合磁性体層1及び複合磁石層2は、第1の実施例で用いたものと同様に作製され、複合磁性体層1をライン側に配置して使用したものである。
第3図は、本発明の第3の実施例によるEMI対策部品13をバスライン7に近接して配置した状態を示す断面図である。このEMI対策部品13は、複合磁石層2を支持体として両面に複合磁性体層1が設けられている。
次に、本発明の実施例によるEMI対策部品を評価するために、次のような装置を用いた。
第4図は、本発明のEMI対策部品を評価するためのテスト用の装置の図である。第4図を参照すると、測定されるべき試料として、永久磁石層が形成されていない20mm×20mm×0.5mmのシート状EMI対策部品20(即ち、複合磁性体層のみからなるシート)を、マイクロストリップライン21上に、このラインを覆うように設置し、試料である複合磁性体シートに塗布された粘着層3によって、ライン21に貼り付けた。マイクロストリップライン21の入力31の側端子及び出力32の側端子は夫々リード線22及び23を介してマイクロアナライザイー24に接続されている。また、0〜1kOe(0〜79.6kA/mに相当)のバイアス磁界をマイクロストリップライン21の入出力方向(Hz方向)に印加できるように、2点鎖線で示されるヘルムホルツコイル28内に配置した。
このテスト用試料20を用いて、周波数1MHz〜3GHzにおいて、伝送特性及び電力損失を測定した。
第5図は、バイアス磁界が0の場合の、周波数変化に対する試料の反射伝送特性(S11)及び透過伝送特性(S21)と、入力電力(P(in))に対する電力損失(P(loss))の比である電力損失特性(P(loss)/P(in))を夫々示している。但し、S11=20log|Γ|(Γ:反射係数)、S21=20log|T|(T:透過係数)である。
電力損失特性は、入力に対する試料の吸収量を意味し、この例では、周波数が上昇するにつれてなだらかに上昇していることが認められた。
第6図は、同じ試料についてバイアス磁界を印加したときの電力損失特性を示す図である。第6図に示すように、Hz方向にバイアス磁界0、100、500、1000Oe(夫々0、7.96、39.5、79.6kA/mに相当)を印加すると曲線42、41、43、44に示すように、周波数の上昇と共に、曲線の立ち上がりが急峻となるとともに、ピークが明確に現れることが理解できる。
また、ピーク値の半分の値となる上下2周波数点間の周波数幅である半値幅は、表2に示す様に、次第に小さくなることが確認された。
第7図は、第4図の磁界印加用コイルであるヘルムホルツコイル28を使用せず、代わりに永久磁石35を試料上に配置した状態を示す図である。即ち、同図に示すように、永久磁石35としては、1cm3(10−6m3)の大きさで、x、y、およびz方向のバイアス磁界の強度Hx、Hy、及び、Hzが、夫々、3kOe、1.5kOe、1.5kOe(239、119、119kA/mに相当)となるように用いた。
第8図は、第4図の測定用装置を用い、第7図の試料における電力損失特性を測定した結果を示す図である。同図において、曲線51は、複合磁性体及び永久磁石の両方を使用しない場合のマイクロストリップラインのみの場合の特性であり、曲線55は永久磁石を使用しない場合(複合磁性体は使用している)の特性で、曲線52〜54は、複合磁性体と永久磁石を使用し、永久磁石によるバイアス磁界の方向をx、z、y方向とした場合の特性である。曲線55に比べて、曲線52のHxが1.5kOe(119.4kA/m)、曲線54のHyが3kOe(239kA/m)、曲線53のHzが1.5kOe(119kA/m)の場合の方が、2GHz付近において、明らかに立ち上がりが急峻となっていることが判明した。また、曲線51では、逆に立ち上がりが遅くなっていることがわかる。
第9図及び第10図は、複合磁性体のバイアス磁界の強度を0〜400Oeの範囲で変えて測定した、実数部透磁率μ′、虚数部透磁率μ″の周波数特性を示す図である。第9図に示すように、周波数の上昇に伴って、実数部透磁率μ′は緩やかに上昇するが、1GHz付近から、周波数の上昇と共に、低下する。一方、第10図に示すように、虚数部透磁率μ″は、周波数が0.5GHz付近から上昇すると共に急激に増加することが認められた。
なお、第11図は、複合磁性体のみの比実数部透磁率μ′、比虚数部透磁率μ″の周波数変化を示す図である。
第9図、第10図、第11図の比較から、複合磁性体にバイアス磁界を与えることによって、電磁干渉抑制に寄与するμ″の立ち上がりが急峻となり、更に効率良く特定(例えば、2GHz以上)の周波数に関して効率を高めることができる。
第12図は、本発明の第4の実施例によるEMI対策部品を用いた対策方法を説明するための装置の一部を切り欠いた斜視図である。第12図に示すように、第4の実施例による電磁干渉抑制装置であるEMI対策部品15をバスライン6上に設置することによって成されている。電磁干渉抑制装置15は、略コの字型に成形された複合磁性体成形体1′を備えている。複合磁性体成形体1′は、表面に酸化皮膜を有する金属磁性体粉末を有機結合剤中に分散させてなり、周波数上で2つの磁気共鳴をする。また、電磁干渉抑制装置15は、複合磁性体成形体1′の外側に当たる面に、複合磁石体層2が形成されている。
下記表3に、電磁干渉抑制装置15の複合磁性体成形体1′に使用したFe−Al−Si合金の金属磁性体粉末である軟磁性体粉末及び有機結合剤を夫々示している。下記表3において、軟磁性体粉末は、酸素分圧20%の窒素−酸素混合ガス雰囲気中で気相酸化し、表面に酸化皮膜が形成されている。
本発明のこの第4の実施例では、複合磁性成形体1′は、下記のとおり、乾式法で製造した。下記表3に示される材料を加熱混練し、押し出し成形によって、厚みが1mmの略コの字型に成形することによって、複合磁性体成形体を製造した。この複合磁性体成形体1′の表面抵抗を測定したところ、1×106Ωであった。さらに、この複合磁性体の表面上に、SmCo5永久磁石粉末を結合剤中に分散してなる複合磁石体層2を形成した。この複合磁石体層2によって、前述したものと同様に複合磁性体成形体1′にバイアス磁界を与えることができ、同様の作用効果を得ることができる。
以上説明した通り、本発明によれば、非常に容易に、無駄なスペースをとることなくバスラインの効果的なEMI対策が可能である。特に近年の信号周波数の高周波数化に対応し、高周波・広帯域で2次放射を引き起こすことなく放射ノイズを低減できるEMI対策部品とEMI対策方法を提供することができる。
また、本発明によれば、用いた電磁干渉抑制装置は、インダクタンス(L)素子としての機能も期待できることから、1つの対策で性質の異なった複数のノイズを取り除くことが出来、非常に効率の良いEMI対策部品とEMI対策方法を提供することができる。
さらに、本発明によれば、事前対策を要さず、対策に時間や専門知識を使わずに済み、特別なスペースが無くても対策が可能で、部品そのものもフィルタ等に較べ安価である等、多くの長所を有し、結果として電子機器の小型化、低価格化に寄与するEMI対策部品とEMI対策方法とを提供することができる。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明に係るEMI対策部品およびEMI対策方法は、電子機器や電気機器の電磁ノイズ等の抑制する電磁干渉抑制対策に極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例によるEMI対策部品を、CPUのバスライン上に配置してEMI対策を施した状態を示す斜視図であり、EMI対策部品ハ一部を切り欠いて示してある。
第2図は本発明の第2の実施例によるEMI対策部品をバスラインに近接して配置した状態を示す断面図である。
第3図は本発明の第3の実施例によるEMI対策部品をバスラインに近接して配置した状態を示す断面図である。
第4図は本発明のEMI対策部品を評価するためのテスト用装置とその作用を示す概略図である。
第5図は、バイアス磁界が0の場合の試料の反射伝送特性(S11)及び透過伝送特性(S21)と、入力電力に対する損失の比である電力損失特性(P(loss)/P(in))を夫々示す図である。
第6図は、異なるバイアス磁界を印加したときの電力損失特性を示す図である。
第7図は、第4図の磁界印加用のヘルムホルツコイルに代えて、試料上に永久磁石を配置した状態を示す図である。
第8図は、第7図の試料における電力損失特性の測定結果を示す図である。
第9図及び第10図は、種々のバイアス磁界における試料の実数部透磁率μ′、虚数部透磁率μ″の周波数特性を、それぞれ、示す図である。
第11図はバイアス磁界が無いときの同じ試料の比実数部透磁率μ′、比虚数透磁率μ″のそれぞれの周波数数特性を示す図である。
第12図は本発明の第4の実施例によるEMI対策部品をCPUのバスライン上に配置してEMI対策を施した状態を示す斜視図であり、EMI対策部品ハ一部を切り欠いて示してある。
Claims (18)
- 軟磁性粉末を有機結合剤中に分散してなる複合磁性体の層と、前記複合磁性体の層の少なくとも一部に配置された結合剤に磁石粉末を分散してなる複合磁石体層とを備え、前記複合磁石体の層は前記複合磁性体の層にバイアス磁界印加することを特徴とするEMI対策部品。
- 請求項1記載の前記EM1対策部品は、情報処理装置のバスラインの少なくとも一部を覆うものであることを特徴とするEMI対策部品。
- 請求項1記載のEMI対策部品において、前記磁石粉末はSmCo系永久磁石粉末であることを特徴とするEMI対策部品。
- 請求項1記載のEMI対策部品において、前記軟磁性粉末は、表面に酸化皮膜を有する金属磁性体粒子からなり、且つ前記複合磁性体層の表面抵抗が少なくとも103Ω以上であることを特徴とするEMI対策部品。
- 請求項1乃至4の内のいずれか一つに記載のEMI対策部品において、前記複合磁性体は、互いに異なる大きさの異方性磁界によってもたらされる磁気共鳴を少なくとも2つ有することを特徴とするEMI対策部品。
- 請求項1乃至5の内のいずれかに記載のEMI対策部品において、前記複合磁性体は、更にゴム、デキストリン、及びポリビニルアルコールのうちの何れかを主成分とする粘着層を有することを特徴とするEMI対策部品。
- 請求項1乃至6の内のいずれか一つに記載のEMI対策部品において、前記複合磁性体は、シート状であることを特徴とするEMI対策部品。
- 請求項1乃至7の内のいずれか一つに記載のEMI対策部品において、前記複合磁性体は、略コの字型に成形された成形体であることを特徴とするEMI対策部品。
- 請求項8記載のEMI対策部品において、前記複合磁性体成形体の外表面を覆うように、前記複合磁石層が設けられていることを特徴とするEMI対策部品。
- 情報処理装置のバスラインの少なくとも一部を、軟磁性粉末を有機結合剤中に分散してなる複合磁性体層で覆うとともに、前記複合磁性体層にバイアス磁界を印加えることを特徴とするEMI対策方法。
- 請求項10記載のEMI対策方法において、前記バイアス磁界は、前記複合磁性体層の一部に設けられた結合剤中に磁石粉末が分散されてなる複合磁石層によってなされることを特徴とするEMI対策方法。
- 請求項11記載のEMI対策方法において、前記磁石粉末はSmCo系永久磁石粉末であることを特徴とするEMI対策方法。
- 請求項10記載のEMI対策方法において、前記軟磁性粉末は、表面に酸化皮膜を有する金属磁性体粒子からなり、且つ前記複合磁性体層の表面抵抗が少くとも103Ω以上であることを特徴とするEMI対策方法。
- 請求項10乃至13のうちのいずれか一つに記載のEMI対策方法において、前記複合磁性体層は、互いに異なる大きさの異方性磁界によってもたらされる磁気共鳴を少なくとも2つ有することを特徴とするEMI対策方法。
- 請求項10乃至14の内のいずれかに記載のEMI対策方法において、前記複合磁性体層は、更にゴム、デキストリン、及びポリビニルアルコールのうちの何れかを主成分とする粘着層を有することを特徴とするEMI対策方法。
- 請求項11記載のEMI対策方法において、前記複合磁性体層及び複合磁石体層は積層されたシート状であることを特徴とするEMI対策方法。
- 請求項10乃至16の内のいずれか一つに記載のEMI対策方法において、前記複合磁性体層は、略コの字型に成形された成形体であることを特徴とするEMI対策方法。
- 請求項17記載のEMI対策方法において、前記複合磁性体の成形体の外表面を覆うように、前記複合磁石層が設けられていることを特徴とするEMI対策方法。
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