JPH09293926A

JPH09293926A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH09293926A
Application number: JP10680196A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Naoe; 和彦直江
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-04-26
Filing date: 1996-04-26
Publication date: 1997-11-11
Anticipated expiration: 2016-04-26
Also published as: JP3716039B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板上に同一直線上で光学的に滑らかに
接続する異なる２種類の半導体光導波路を形成する。【解決手段】半導体基板上に活性層形成用半導体層、及
びクラッド層形成用半導体層を形成し、クラッド層形成
用半導体層の一部をエッチングすると同時にエッチング
用マスク層の形状をひさし状にし、反応性イオンエッチ
ング処理により第１半導体光導波路を形成し、コア層形
成用半導体、及びクラッド層形成用半導体を選択成長さ
せ、第１半導体光導波路と同一直線上にエッチング用マ
スクをパターニングし、再び反応性イオンエッチング処
理により、第２半導体光導波路を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に半
導体光導波路を形成した半導体装置およびその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板上に半導体層により第
１半導体光導波路を形成し、第１半導体光導波路と同一
直線上に滑らかに接続する第２半導体光導波路を形成す
る構造を有する半導体装置を製造する場合、第１半導体
光導波路を形成する工程において、通常の反応性イオン
エッチング処理により第１半導体光導波路を形成し、続
いて反応性イオンエッチングにより生じたダメージ層を
ウエットエッチング処理により除去し、第２半導体光導
波路形成用半導体層を選択成長した後、第１半導体光導
波路と同一直線上に第２半導体光導波路を反応性イオン
エッチング処理により形成する方法がある。

【０００３】これらの工程において、第１半導体光導波
路を形成した後の選択成長が、異常成長することなく平
坦に行われることが、第１半導体光導波路と、その後に
形成する第２半導体光導波路とが滑らかに接続されるた
めの必要条件である。前述の方法では、第１半導体光導
波路形成後のウエットエッチング処理により、エッチン
グ用マスクに対して半導体導波路が選択的にエッチング
されエッチング用マスクがひさし状になる。このエッチ
ング用マスクのひさしにより選択成長の際に結晶が異常
成長することなく平坦に成長し、第２半導体光導波路形
成後に第１半導体光導波路と第２半導体光導波路とが滑
らかに接続される。

【０００４】このほか、選択成長において結晶を異常成
長させることなく平坦に成長させる方法としては、１９
９５年応用物理学会春季大会の２１ｐ−ＭＧ−１６、お
よび２８ａ−ＳＺＹ−６などに報告されているように、
有機金属気相成長法による選択成長の際に塩素などのハ
ロゲン系ガスを流す、あるいは選択成長の際に試料を加
熱し通常の成長温度より高くする、などの方法がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】半導体基板上にパター
ン化された半導体光導波路を半導体または半導体積層体
で選択成長を行う際に、エッチング用マスクにひさしが
形成されていない場合、選択成長した結晶層がエッチン
グ用マスク上にはい上がって成長する異常成長が起こ
り、平坦な結晶形状が得られない。このため第１半導体
光導波路と同一直線上に第２半導体光導波路を形成し全
導波路に光を挿入した際に、これらの接合部に異常成長
した部分での光の散乱による大きな過剰損が生じ、素子
特性上好ましくない。

【０００６】また従来行われている第１半導体光導波路
形成後に反応性イオンエッチングによって生じたダメー
ジ層をウエットエッチング処理により除去する際に第１
半導体光導波路をエッチングし、エッチング用マスクを
ひさし状にする方法については、ウエットエッチング処
理は本来ダメージ層除去が目的であり、半導体光導波路
の形状、特に導波路断面の形状を制御するためにはダメ
ージ層が除去できる最小の量のエッチングにとどめるこ
とが望ましい。

【０００７】しかし、エッチング用マスクのひさしの大
きさを、選択成長の際に結晶の異常成長が起こらない最
適な大きさにすることは難しい。言い換えれば、エッチ
ング用マスクのひさしの大きさを選択成長の際に結晶の
異常成長が起こらないようなものにすると、ウエットエ
ッチング処理の際に半導体光導波路の形状、特に断面形
状が制御できないといった問題点を生ずる。

【０００８】本発明は、これら従来技術の問題点を解決
し、第１半導体光導波路を所望の形状に形成し、続いて
選択成長を行った後、第２半導体光導波路を同一直線上
に形成し、２種類以上の半導体導波路を光学的に滑らか
に接続した構造を有する半導体装置及びその製造方法を
提供することを目的としてなされたものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の方法は、半導体
基板上に少なくとも２種類の異なる半導体層の光導波路
を同一直線上に形成する半導体装置の製造方法におい
て、半導体基板上に、少なくとも活性層形成用半導体層
及びその上側に第１クラッド層形成用半導体層を形成す
る工程と、上記第１クラッド層形成用半導体層上にスト
ライプ状の第１エッチング用マスクを形成する工程と、
上記第１クラッド層形成用半導体層の一部を選択的にエ
ッチングして、第１エッチング用マスクの形状をひさし
状にする工程と、上記第１クラッド層形成用半導体層、
及び上記活性層形成用半導体層を反応性イオンエッチン
グ法によりエッチングし、第１クラッド層と活性層から
構成される第１半導体光導波路を形成する工程と、上記
第１クラッド層と活性層はエッチングし、かつ上記第１
エッチング用マスクはエッチングされないエッチャント
により、上記第１半導体光導波路を所定量エッチングす
る工程と、上記エッチャントによりエッチングされた部
分に、上記第１エッチング用マスクをマスクとして、少
なくともコア層形成用半導体層、及び第２クラッド層形
成用半導体層を有機金属気相法により選択成長する工程
と、上記第１エッチング用マスクを除去する工程と、上
記第２クラッド層形成用半導体層上に、ストライプ状で
かつ上記第１半導体光導波路上及びこれと同一直線上
に、第２半導体光導波路形成用のエッチング用マスクを
形成する工程と、上記第２クラッド層形成用半導体層、
及び上記コア層形成用半導体層を反応性イオンエッチン
グ法によりエッチングし、第２クラッド層とコア層から
構成される第２半導体光導波路を形成する工程を有する
ことを特徴とする。

【００１０】すなわち、上記の選択成長に伴う課題につ
いては、上記本発明の方法において、第１クラッド層形
成用半導体層をエッチングする工程で、エッチング用マ
スクを半導体光導波路に対してひさし状にすることによ
り解決可能である。このエッチングによりエッチング用
マスクのひさしの大きさを、選択成長の際に結晶の異常
成長が起こらないような大きさに最適化することが可能
である。

【００１１】さらにこのエッチング処理は第１の半導体
光導波路を形成する前に行い、かつ活性層形成用半導体
層はエッチングしないため、従来の方法で問題になって
いるエッチング処理による半導体光導波路の形状、特に
断面形状の変化は半導体光導波路上の十分小さい部分に
限られ、半導体光導波路を所望の形状に形成することが
可能である。また、反応性イオンエッチング後のダメー
ジ層除去を目的としたウエットエッチングは、ダメージ
層を除去できる最適量を行えばよく、活性層を含めた半
導体光導波路形状の変化も必要最小限にとどめることが
できる。

【００１２】図１〜図７は上記本発明の製造方法におけ
る工程概略図であり、各図とも半導体装置加工部の斜視
図（ａ）、およびその一点破線部より切断した縦断面図
(ｂ)を示している。

【００１３】図１は半導体基板１０１上に活性層形成用
半導体層１０２、及び第１クラッド層形成用半導体層１
０３をエピタキシャル成長し、次いで第１エッチング用
マスク１０４を形成した状態を示す。

【００１４】図２は第１エッチング用マスク１０４上に
ストライプ状のパターンを形成した状態を示す。

【００１５】図３は前記第１クラッド層形成用半導体層
１０３にエッチングを施し第１エッチング用マスク１０
４にひさしを形成した状態を示す。

【００１６】図４は前記第１エッチング用マスク１０４
をマスクとして、通常の反応性イオンエッチング技術に
より第１クラッド層形成用半導体層１０３、及び活性層
形成用半導体層１０２をこれらに結晶方向に対して異方
的にかつ垂直にエッチングを施して第１半導体光導波路
を形成した状態を示す。

【００１７】図５は前記第１エッチング用マスク１０４
をマスクとして、コア層形成用半導体層１０５、及び第
２クラッド層形成用半導体層１０６を選択成長した状態
を示す。

【００１８】図６は第１半導体光導波路上及びその同一
直線上に第２エッチング用マスク１０７により、ストラ
イプ状のパターンを形成した状態を示す。

【００１９】図７は第２エッチング用マスク１０７をマ
スクとして、通常の反応性イオンエッチング技術により
半導体層または半導体積層体１０４をこれらに結晶方向
に対して異方的にかつ垂直にエッチングを施して第２半
導体光導波路を形成した状態を示す。

【００２０】本発明によると、第１クラッド層形成用半
導体層エッチング工程において、エッチング用マスクを
半導体光導波路に対してひさし状にすることにより、第
１半導体光導波路を所望の形状に形成し、かつ選択成長
において結晶が異常成長することなく平坦に再成長させ
ることが可能になる。

【００２１】これにより、第１半導体光導波路とこれに
対して選択成長後に同一直線上に形成する第２半導体光
導波路が滑らかに接続することができ、全導波路に光を
挿入した場合に、２種類の異なる半導体光導波路を接続
したことによる過剰損を最小限にすることができる。ま
た、２種類の半導体光導波路とも反応性イオンエッチン
グにより形成することにより、形状の制御性およびウエ
ハ面内の均一性に優れている。さらに形状の制御性は、
半導体装置の重要な特性の一つである素子の寄生容量の
制御とも密接な関係があるため、寄生容量の低減が可能
である。

【００２２】上記本発明の実施にあたって、前記第１ク
ラッド層形成用半導体層の一部を選択的にエッチングし
て、第１エッチング用マスク層の形状をひさし状にする
工程におけるエッチング量は、０.１μｍ以上で、かつ
前記活性層形成用半導体層をエッチングしない量である
ことが望ましい。

【００２３】また、上記第１クラッド層形成用半導体層
上に形成する第１エッチング用マスクのパターン形状
は、ストライプ状のほかに、マッハツェンダ型とするこ
とも可能である。

【００２４】さらに、上記第２クラッド層形成用半導体
層上に形成するエッチング用マスクのパターンは、スト
ライプ状の他にテーパー状であってもよい。

【００２５】また、第１半導体光導波路における第１ク
ラッド層上部でかつ第２半導体光導波路との結合部から
第１半導体光導波路側０.１μｍ以上の部分に、第２半
導体光導波路の第２クラッド層形成用半導体層結晶成長
時に生じた前記第２クラッド層形成用半導体層と同じ半
導体材料があることが好ましい。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１０〜図１
６に示す工程概略図を用いて説明する。ここで、上記各
図は、半導体装置加工部の斜視図（ａ）、およびその一
点破線部より切断した縦断面図（ｂ）を示している。

【００２７】ｎ型ＩｎＰ基板４０１上にｎ型ＩｎＡｌＡ
ｓバッファ層４０２，ＭＱＷ構造である吸収層４０３，
ｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層４０４、及びｐ+型ＩｎＧ
ａＡsコンタクト層４０５を分子線エピタキシー法（Ｍ
ＢＥ法）で成長する（図１０）。次いで、通常のＣＶＤ
技術により絶縁膜４０６を形成し、この上にリソグラフ
ィ技術及びエッチング技術を用いて前記の絶縁膜にエッ
チング用マスクのパターンを形成する（図１１）。

【００２８】次に前記のパターニングされた絶縁膜４０
６をエッチング用マスクとしてＢｒ系のエッチャントを
用いたウエットエッチングにより、絶縁膜４０６のパタ
ーンに対して少なくともｐ+ 型ＩｎＧａＡｓコンタクト
層４０５を０.１μｍ程度エッチングし、これと同時に
絶縁膜４０６にひさしを形成する（図１２）。

【００２９】次いで、前記パターニングされた絶縁膜４
０６をエッチングマスクとして、塩素系プラズマを用い
た反応性イオンエッチングにより前記ｐ+ 型ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層４０５，ｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層４
０４，吸収層４０３、及びｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層
４０２をこれらの結晶方向に対して異方的にエッチング
し第１半導体光導波路を形成した後（図１３）、反応性
イオンエッチングによる半導体結晶へのダメージを受け
た層を取り除くことを目的としたウエットエッチングお
よび反応性イオンエッチングにより付着した異物を取り
除くための洗浄を行う。この工程後においても前述のひ
さしの形状は十分保持されていることは言うまでもな
い。

【００３０】次いで、有機金属気相成長法により、前記
パターニングされた絶縁膜４０６をマスクとしてＩｎＰ
バッファ層４０７，ＩｎＧａＡｓＰコア層４０８，Ｉｎ
Ｐクラッド層４０９を順次選択成長する（図１４）。

【００３１】次いで絶縁膜４０６を完全に除去し、再び
通常のＣＶＤ技術により絶縁膜を形成し、この上にリソ
グラフィ技術及びエッチング技術を用いて、前記第１半
導体光導波路上でかつその同一直線上に絶縁膜によるエ
ッチング用マスクのパターンを形成する（図１５）。さ
らに、この絶縁膜をエッチングマスクとして、塩素系プ
ラズマを用いた反応性イオンエッチングによりＩｎＰク
ラッド層４０９，ＩｎＧａＡｓＰコア層４０８，ＩｎＰ
バッファ層４０７をこれらの結晶方向に対して異方的に
エッチングし第２半導体光導波路を形成する（図１
６）。

【００３２】その後再び反応性イオンエッチングによる
半導体結晶へのダメージを受けた層を取り除くことを目
的としたウエットエッチングおよび反応性イオンエッチ
ングにより付着した異物を取り除くための洗浄を行う。

【００３３】上述の実施例は、導波路集積化電界吸収型
光変調器の製造工程の一部である。本変調器はＭＱＷ吸
収層を持つ変調領域の光導波路（前記第１半導体光導波
路）とＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ導波路を有する導波路領域
の光導波路（前記第２半導体光導波路）からなる。導波
路領域のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ光導波路はアンドープ層
からなっており、導波路集積化に伴う寄生容量が生じな
い。従って、本素子のように２種類の異なる半導体光導
波路を同一基板上に形成する、すなわち接続することに
より、素子の高速化が可能になる。また本素子に光を入
射させた場合に、２種類の半導体光導波路を接続したこ
とによる光挿入損失の増加は約１ｄＢ以下と極めて小さ
く、素子製造工程における選択成長が、良好に行われた
結果を示した。

【００３４】本実施例ではｐ+ 型ＩｎＧａＡｓ層４０５
にエッチングを施し絶縁膜４０６にひさしを形成する方
法として、Ｂｒ系エッチャントによるウエットエッチン
グを用いたが、これ以外のエッチャントによるウエット
エッチング，試料におけるエッチングの面内分布を向上
させるための治具を用いたウエットエッチング，試料に
直接あたるプラズマの強度を抑制しガスプラズマのラジ
カルな成分によりサイドエッチが形成できる条件下にお
ける反応性イオンエッチング，ケミカル反応性イオンエ
ッチング、など少なくともｐ+ 型ＩｎＧａＡｓ層が絶縁
膜４０６に対してサイドエッチされ絶縁膜４０６がひさ
し状に加工されれば本実施例と同様の効果がある。

【００３５】また、反応性イオンエッチング処理につい
ては、上記実施例においては塩素系ガスのプラズマをエ
ッチングガスとして用いたが、他のハロゲン系ガス、及
びメタン系などの有機系のガスを用いても本実施例と同
様の効果がある。

【００３６】さらに、反応性イオンエッチングにより加
工する半導体光導波路側面の上記ｐ型ＩｎＰ基板４０１
に対する角度は、反応性イオンエッチングの際における
エッチングされる半導体試料の温度，エッチングガスの
流量または流量比，エッチングされる半導体試料とエッ
チングガスプラズマとの間の電位差などのエッチング条
件により変えることが可能であるが、上記絶縁膜にひさ
しの形状が十分保持されていれば、上記の角度は限定し
なくても次工程である選択成長においてはほぼ同様の効
果がある。

【００３７】また、上記実施例において反応性イオンエ
ッチング後の洗浄については反応性イオンエッチングに
伴ったガスまたは半導体のかすなどの付着異物をとるこ
とを目的とし、純水による洗浄，メタノール，アセトン
などによる有機洗浄，硫酸による脱脂、および純水や有
機溶媒による超音波洗浄などがある。反応性イオンエッ
チング後のエッチングについては反応性イオンエッチン
グによるダメージを受けた層を除去することを目的と
し、エッチングする半導体によって硫酸系，塩酸系，燐
酸系，Ｂｒ系などがある。また、エッチングと洗浄の順
序，回数は特に規定しなくとも、前述の効果があること
は言うまでもない。

【００３８】図８は、第２クラッド層形成用半導体層結
晶成長時に生じた当該半導体層と同じ半導体材料が、第
１半導体光導波路の第１クラッド層の一部、３０８で示
した部分にあることを示す図である。

【００３９】図９は本発明による半導体装置の一実施例
の導波路集積化電界吸収型光変調器を示す。同図（ａ）
はこの半導体装置の上面図であり、同図（ｂ）（ｃ）及
び（ｄ）は、（ａ）に書き込まれた一点破線Ａ−Ａ′，
Ｂ−Ｂ′、及びＣ−Ｃ′で切断したときの断面図をそれ
ぞれ示す。

【００４０】図において、６０１はｎ型ＩｎＰ基板、６
０２はｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層、６０３は吸収層、
６０４はｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、６０５はｐ+ 型
ＩｎＧａＡｓコンタクト層、６０６はＩｎＰバッファ
層、６０７はＩｎＧaＡsＰコア層、６０８はＩｎＰクラ
ッド層、６０９はＳｉＯ₂ 膜、６１０はポリイミド、６
１１はｐ- 電極、６１２はｎ- 電極、６１３は反射防止
膜である。

【００４１】図１７は本発明による半導体装置の一実施
例の導波路集積化マッハツェンダ型光変調器を示す。同
図（ａ）はこの半導体装置を上部から見た図であり、同
図（ｂ）（ｃ）及び（ｄ）は、（ａ）に書き込まれた一
点破線Ａ−Ａ′，Ｂ−Ｂ′，及びＣ−Ｃ′で切断したと
きの断面図をそれぞれ示す。

【００４２】図において、７０１はｎ型ＩｎＰ基板、７
０２はｎ型ＩｎＰバッファ層、703は活性層、７０４は
ｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層、７０５はｐ+ 型ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層、７０６はＩｎＰバッファ層、７０７
はＩｎＡｌＡｓとＩｎＧaＡsからなる量子井戸層、７０
８はＩｎＰクラッド層、７０９はＳｉＯ₂ 膜、７１０は
ポリイミド、７１１はｐ- 電極、７１２はｎ- 電極、７
１３は反射防止膜である。

【００４３】

【発明の効果】本発明により、第１の半導体光導波路と
これに対して選択成長後に同一直線上に形成する第２の
半導体光導波路が滑らかに接続することができ、第１の
導波路から第２の導波路にわたる全導波路に光を挿入し
た場合に、２種類の異なる半導体光導波路の接続部で生
じる過剰損を最小限にすることができる。さらに、２種
類の半導体光導波路とも反応性イオンエッチングにより
形成するため形状の制御性に優れており、例えば導波路
における光の横モード制御や、半導体装置の寄生容量の
低減も可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す斜
視図および断面図。

【図２】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す斜
視図および断面図。

【図３】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す斜
視図および断面図。

【図４】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す斜
視図および断面図。

【図５】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す斜
視図および断面図。

【図６】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す斜
視図および断面図。

【図７】本発明の半導体装置の製造工程の一例を示す斜
視図および断面図。

【図８】本発明の一実施例の半導体装置の斜視図および
断面図。

【図９】本発明の一実施例の半導体装置の平面図および
断面図。

【図１０】本発明の実施例における半導体装置製造工程
を示す斜視図および断面図。

【図１１】本発明の実施例における半導体装置製造工程
を示す斜視図および断面図。

【図１２】本発明の実施例における半導体装置製造工程
を示す斜視図および断面図。

【図１３】本発明の実施例における半導体装置製造工程
を示す斜視図および断面図。

【図１４】本発明の実施例における半導体装置製造工程
を示す斜視図および断面図。

【図１５】本発明の実施例における半導体装置製造工程
を示す斜視図および断面図。

【図１６】本発明の実施例における半導体装置製造工程
を示す斜視図および断面図。

【図１７】本発明の一実施例の半導体装置を示す平面図
および断面図。

【符号の説明】

１０１，３０１…半導体基板、１０２，３０２…活性層
形成用半導体層、１０３，３０３…第１クラッド層形成
用半導体層、１０４…第１エッチング用マスク、１０
５，３０５…コア層形成用半導体層、１０６，３０６…
第２クラッド層形成用半導体層、１０７，３０７…第２
エッチング用マスク、２０８，…第１半導体光導波路、
２０９…第２半導体光導波路、１０８，４１１…ひさし
部、３０８…第１クラッド層の一部にある第２クラッド
層形成用半導体層結晶成長時に生じた当該半導体層と同
じ半導体材料、４０１，６０１，７０１…ｎ型ＩｎＰ基
板、４０２，６０２…ｎ型ＩｎＡｌＡｓバッファ層、４
０３，６０３…吸収層、４０４，６０４，７０４…ｐ型
ＩｎＡｌＡｓクラッド層、４０５，６０５，７０５…ｐ
+ 型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、４０６…エッチング用
絶縁膜マスク、４０７，６０６,７０６…ＩｎＰバッフ
ァ層、４０８，６０７，…ＩｎＧａＡｓＰコア層、４０
９，６０８，７０８…ＩｎＰクラッド層、４１０…エッ
チング用絶縁膜マスク、609,７０９…ＳｉＯ₂ 膜、６１
０，７１０…ポリイミド、６１１，７１１…ｐ- 電極、
６１２，７１２…ｎ- 電極、６１３，７１３…反射防止
膜、７０２…ｎ型InPバッファ層、７０３…活性層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に少なくとも２種類の異なる
半導体層の光導波路を同一直線上に形成する半導体装置
の製造方法において、半導体基板上に、少なくとも活性
層形成用半導体層及びその上側に第１クラッド層形成用
半導体層を形成する工程と、上記第１クラッド層形成用
半導体層上にストライプ状の第１エッチング用マスクを
形成する工程と、上記第１クラッド層形成用半導体層の
一部を選択的にエッチングして、第１エッチング用マス
クの形状をひさし状にする工程と、上記第１クラッド層
形成用半導体層、及び上記活性層形成用半導体層を反応
性イオンエッチング法によりエッチングし、第１クラッ
ド層と活性層から構成される第１半導体光導波路を形成
する工程と、上記第１クラッド層と活性層はエッチング
し、かつ上記第１エッチング用マスクはエッチングされ
ないエッチャントにより、上記第１半導体光導波路を所
定量エッチングする工程と、上記エッチャントによりエ
ッチングされた部分に、上記第１エッチング用マスクを
マスクとして、少なくともコア層形成用半導体層、及び
第２クラッド層形成用半導体層を有機金属気相法により
選択成長する工程と、上記第１エッチング用マスクを除
去する工程と、上記第２クラッド層形成用半導体層上
に、ストライプ状でかつ上記第１半導体光導波路上及び
これと同一直線上に、第２半導体光導波路形成用のエッ
チング用マスクを形成する工程と、上記第２クラッド層
形成用半導体層、及び上記コア層形成用半導体層を反応
性イオンエッチング法によりエッチングし、第２クラッ
ド層とコア層から構成される第２半導体光導波路を形成
する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項２】請求項１に記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１クラッド層形成用半導体層の一部を選
択的にエッチングして、第１エッチング用マスク層の形
状をひさし状にする工程におけるエッチング量は、０.
１μｍ以上でかつ前記活性層形成用半導体層をエッチ
ングしない量であることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【請求項３】請求項１に記載の半導体装置の製造方法に
おいて、上記第１クラッド層形成用半導体層上に形成す
る第１エッチング用マスクのパターン形状は、ストライ
プ状のほかに、マッハツェンダ型であることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項４】請求項１に記載の半導体装置の製造方法に
おいて、上記第２クラッド層形成用半導体層上に形成す
るエッチング用マスクのパターンはストライプ状の他に
テーパー状であることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項５】半導体基板上に少なくとも２種類の異なる
半導体層からなる半導体光道波路を同一直線上に形成す
る半導体装置において、第１半導体光導波路における第
１クラッド層上部でかつ第２半導体光導波路との結合部
から第１半導体光導波路側０.１μｍ以上の部分に、第
２半導体光導波路の第２クラッド層形成用半導体層結晶
成長時に生じた前記第２クラッド層形成用半導体層と同
じ半導体材料があることを特徴とする半導体装置。