JPH08340153A - 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH08340153A JPH08340153A JP14611495A JP14611495A JPH08340153A JP H08340153 A JPH08340153 A JP H08340153A JP 14611495 A JP14611495 A JP 14611495A JP 14611495 A JP14611495 A JP 14611495A JP H08340153 A JPH08340153 A JP H08340153A
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- semiconductor laser
- quantum well
- distributed feedback
- well structure
- feedback semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 突き合わせ接合作製のためのエッチング、再
成長のプロセスの制御を容易にし、格子欠陥のない結合
効率の高い接合を再現性よく作製することができる分布
帰還型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 突き合わせ接合を有する分布帰還型半導体レ
ーザにおいて、活性層となる量子井戸構造２２の上側に
成長されるＰ型クラッド層２４の構成材料としてＩｎＡ
ｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いる。また、位相整合
領域ＢとなるＩｎＧａＡｓＰ層２３の上側に成長される
Ｐ型クラッド層２５の構成材料としてＩｎＡｌＡｓ又は
ＩｎＧａＡｌＡｓを用いる。
成長のプロセスの制御を容易にし、格子欠陥のない結合
効率の高い接合を再現性よく作製することができる分布
帰還型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 突き合わせ接合を有する分布帰還型半導体レ
ーザにおいて、活性層となる量子井戸構造２２の上側に
成長されるＰ型クラッド層２４の構成材料としてＩｎＡ
ｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いる。また、位相整合
領域ＢとなるＩｎＧａＡｓＰ層２３の上側に成長される
Ｐ型クラッド層２５の構成材料としてＩｎＡｌＡｓ又は
ＩｎＧａＡｌＡｓを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光計測や光通信に用い
る分布帰還型半導体レーザ素子及びその製造方法に関す
るものである。
る分布帰還型半導体レーザ素子及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の先行技術として
は、例えば、以下のような文献に示されるものがあっ
た。 文献名（１）『Ｙ．Ｍａｔｓｕｉ，Ｔ．Ｋｕｎｉｉ，
Ｈ．Ｈｏｒｉｋａｗａ，Ｔ．Ｋａｍｉｊｈｏ，“Ｎａｒ
ｒｏｗ−Ｌｉｎｅｗｉｄｔｈ（＜２００ｋＨｚ）Ｏｐｅ
ｒａｔｉｏｎ ｏｆ １．５−μｍ Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉ
ｎｔｅｄ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌ
ｌ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃ
ｔｏｒ Ｌａｓｅｒ，”ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮ．Ｔｅ
ｃｈ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ，３，ＮＯ．５，４２４頁〜４
２６頁（１９９１）．』 文献名（２）『半導体レーザと光集積回路、末松安晴
著、オーム社、３１３〜３２５頁』 上記文献（１）は、異種導波路構造間の接続方法の一種
である突き合わせ接合（Ｂｕｔｔ−ｊｏｉｎｔ）を用い
て、活性層領域と分布反射器領域、位相整合領域とを結
合させ、分布反射型レーザを作製した例が示されてい
る。
は、例えば、以下のような文献に示されるものがあっ
た。 文献名（１）『Ｙ．Ｍａｔｓｕｉ，Ｔ．Ｋｕｎｉｉ，
Ｈ．Ｈｏｒｉｋａｗａ，Ｔ．Ｋａｍｉｊｈｏ，“Ｎａｒ
ｒｏｗ−Ｌｉｎｅｗｉｄｔｈ（＜２００ｋＨｚ）Ｏｐｅ
ｒａｔｉｏｎ ｏｆ １．５−μｍ Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉ
ｎｔｅｄ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌ
ｌ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃ
ｔｏｒ Ｌａｓｅｒ，”ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮ．Ｔｅ
ｃｈ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ，３，ＮＯ．５，４２４頁〜４
２６頁（１９９１）．』 文献名（２）『半導体レーザと光集積回路、末松安晴
著、オーム社、３１３〜３２５頁』 上記文献（１）は、異種導波路構造間の接続方法の一種
である突き合わせ接合（Ｂｕｔｔ−ｊｏｉｎｔ）を用い
て、活性層領域と分布反射器領域、位相整合領域とを結
合させ、分布反射型レーザを作製した例が示されてい
る。
【０００３】異種導波路間の接続方法としては、ここで
用いられている構造の他に、上記文献（２）に開示され
るように二重導波路型のものもある。二重導波路型はそ
の作製方法の簡便さに利点があるものの、光の結合効率
では突き合わせ接合に劣る。突き合わせ接合はこれとは
対照的に結合効率は理想的には１００％が期待でき、ま
た、各導波路は個別の結晶成長過程で作製されるため、
構造設計上の制約がない。しかしながら、その作製方法
が複雑であり、実際の作製において、理想構造を再現性
良く得ることは困難であった。
用いられている構造の他に、上記文献（２）に開示され
るように二重導波路型のものもある。二重導波路型はそ
の作製方法の簡便さに利点があるものの、光の結合効率
では突き合わせ接合に劣る。突き合わせ接合はこれとは
対照的に結合効率は理想的には１００％が期待でき、ま
た、各導波路は個別の結晶成長過程で作製されるため、
構造設計上の制約がない。しかしながら、その作製方法
が複雑であり、実際の作製において、理想構造を再現性
良く得ることは困難であった。
【０００４】上記文献（１）の補足として、この素子の
製造工程を図４に示す。ここに示す方法は、突き合わせ
接合の製造方法としては広く用いられているものであ
り、標準的な方法である。以下に、図４を用いてこの素
子の製造方法を説明する。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、第１工程とし
て、量子井戸活性層及び上側ｐ−ＩｎＰの成長を行う。
すなわち、伝導型がＮ型の基板（具体的には２μｍ厚の
ｎ−ＩｎＰバッファ層付きｎ−ＩｎＰ基板）１上に活性
層として、厚み６５ÅのＩｎＧａＡｓ井戸領域とバンド
ギャップ波長１．３μｍ、厚み１３０ÅのＩｎＧａＡｓ
Ｐ障壁領域の５周期からなる量子井戸構造２、第１の上
側クラッド層３として、伝導型がＰ型で膜厚が５００Å
のＩｎＰを有機金属気相成長法を用いて、一回の結晶成
長により成長する。
製造工程を図４に示す。ここに示す方法は、突き合わせ
接合の製造方法としては広く用いられているものであ
り、標準的な方法である。以下に、図４を用いてこの素
子の製造方法を説明する。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、第１工程とし
て、量子井戸活性層及び上側ｐ−ＩｎＰの成長を行う。
すなわち、伝導型がＮ型の基板（具体的には２μｍ厚の
ｎ−ＩｎＰバッファ層付きｎ−ＩｎＰ基板）１上に活性
層として、厚み６５ÅのＩｎＧａＡｓ井戸領域とバンド
ギャップ波長１．３μｍ、厚み１３０ÅのＩｎＧａＡｓ
Ｐ障壁領域の５周期からなる量子井戸構造２、第１の上
側クラッド層３として、伝導型がＰ型で膜厚が５００Å
のＩｎＰを有機金属気相成長法を用いて、一回の結晶成
長により成長する。
【０００５】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、第
２工程として、アイランドの形成を行う。すなわち、膜
厚５００ÅのＳｉＯ2 を表面に堆積させた後、通常のホ
トリソグラフ技術を用い、２０μｍ×６００μｍの角型
パターン（アイランドパターン）４に加工する。次に、
これをエッチングマスクとして、第１の上側ＩｎＰクラ
ッド層３を、体積４の塩酸と体積１の水を零度に冷やし
た溶液（溶液Ａ）でエッチングする。その溶液ＡはＩｎ
Ｐに対してはエッチングの速さが、０．１μｍ／１０秒
なので約５秒程度で除去され、また、量子井戸構造２を
形成するＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰに対しては
エッチングしないので、表面に量子井戸構造が露出した
時点で自動的にエッチングが停止する。
２工程として、アイランドの形成を行う。すなわち、膜
厚５００ÅのＳｉＯ2 を表面に堆積させた後、通常のホ
トリソグラフ技術を用い、２０μｍ×６００μｍの角型
パターン（アイランドパターン）４に加工する。次に、
これをエッチングマスクとして、第１の上側ＩｎＰクラ
ッド層３を、体積４の塩酸と体積１の水を零度に冷やし
た溶液（溶液Ａ）でエッチングする。その溶液ＡはＩｎ
Ｐに対してはエッチングの速さが、０．１μｍ／１０秒
なので約５秒程度で除去され、また、量子井戸構造２を
形成するＩｎＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰに対しては
エッチングしないので、表面に量子井戸構造が露出した
時点で自動的にエッチングが停止する。
【０００６】次に、体積４の硫酸、体積１の過酸化水素
水、体積１の水からなる室温の溶液（溶液Ｂ）を用いて
量子井戸構造２をエッチングする。上記構造の量子井戸
構造の場合、エッチング時間は約５〜１０秒程度と非常
に短い。前記溶液Ｂは、ＩｎＰに対してエッチングをし
ないので表面にＮ型のＩｎＰ基板１が露出した時点でエ
ッチングは自動的に停止する。
水、体積１の水からなる室温の溶液（溶液Ｂ）を用いて
量子井戸構造２をエッチングする。上記構造の量子井戸
構造の場合、エッチング時間は約５〜１０秒程度と非常
に短い。前記溶液Ｂは、ＩｎＰに対してエッチングをし
ないので表面にＮ型のＩｎＰ基板１が露出した時点でエ
ッチングは自動的に停止する。
【０００７】（３）次に、図４（ｃ）に示すように、第
３工程として、導波路領域６、上側ｐ−ＩｎＰ５の選択
成長、上側ｐ−ＩｎＰの選択除去、グレーディング７の
形成を行う。すなわち、ＳｉＯ2 膜を選択成長のマスク
として用い、バンドギャップ波長１．３〜１．２μｍ、
厚み２０００Å程度のＩｎＧａＡｓＰ、厚み５００Åの
伝導型ＰのＩｎＰクラッド層を成長する。
３工程として、導波路領域６、上側ｐ−ＩｎＰ５の選択
成長、上側ｐ−ＩｎＰの選択除去、グレーディング７の
形成を行う。すなわち、ＳｉＯ2 膜を選択成長のマスク
として用い、バンドギャップ波長１．３〜１．２μｍ、
厚み２０００Å程度のＩｎＧａＡｓＰ、厚み５００Åの
伝導型ＰのＩｎＰクラッド層を成長する。
【０００８】上記第２工程において、溶液Ｂによる量子
井戸構造のエッチング時間が十分でなく、仮に量子井戸
構造が残っている領域が有ると、第３工程の選択成長を
有機金属気相成長法により行う際の基板温度上昇中に量
子井戸構造を構成している元素のうち砒素（Ａｓ）が離
脱して格子欠陥を生じる原因になる。これは、ＩｎＰが
表面に露出している場合を考えて結晶成長を行うため
に、基板温度上昇中の表面保護を燐の原料であるホスフ
ィン（ＰＨ3 ）を基板上に供給する必要があるために、
Ａｓの離脱を妨げなくなるためである。Ａｓの離脱を防
ぐためにはＡｓの原料であるアルシン（ＡｓＨ3 ）を基
板上に供給しなければならない。この場合に、基板表面
にＩｎＰが露出している場合、今度は、燐の基板からの
離脱が激しく起こり格子欠陥の原因になる。
井戸構造のエッチング時間が十分でなく、仮に量子井戸
構造が残っている領域が有ると、第３工程の選択成長を
有機金属気相成長法により行う際の基板温度上昇中に量
子井戸構造を構成している元素のうち砒素（Ａｓ）が離
脱して格子欠陥を生じる原因になる。これは、ＩｎＰが
表面に露出している場合を考えて結晶成長を行うため
に、基板温度上昇中の表面保護を燐の原料であるホスフ
ィン（ＰＨ3 ）を基板上に供給する必要があるために、
Ａｓの離脱を妨げなくなるためである。Ａｓの離脱を防
ぐためにはＡｓの原料であるアルシン（ＡｓＨ3 ）を基
板上に供給しなければならない。この場合に、基板表面
にＩｎＰが露出している場合、今度は、燐の基板からの
離脱が激しく起こり格子欠陥の原因になる。
【０００９】また、量子井戸構造が残っていると、この
上にブラッグ反射領域となる導波路を成長することにな
り、導波路の膜厚、屈折率の制御上問題となる。表面に
量子井戸構造が残っている領域が残っている領域が有る
か無いかは調べることが非常に困難であり、通常は、溶
液Ｂによる量子井戸構造のエッチングをエッチング時間
（約３〜５秒）より計算される必要時間よりも長め（約
５〜１０秒）に行い、確実に量子井戸構造が除去される
ように行い対応する。
上にブラッグ反射領域となる導波路を成長することにな
り、導波路の膜厚、屈折率の制御上問題となる。表面に
量子井戸構造が残っている領域が残っている領域が有る
か無いかは調べることが非常に困難であり、通常は、溶
液Ｂによる量子井戸構造のエッチングをエッチング時間
（約３〜５秒）より計算される必要時間よりも長め（約
５〜１０秒）に行い、確実に量子井戸構造が除去される
ように行い対応する。
【００１０】この時、光学顕微鏡を用いて基板を上から
観察すると、２０μｍ×６００μｍの角型パターンのア
イランドパターンの縁の境界線が二重あるいは三重に見
える。これは、図５の側面から見た断面図に示す様に、
量子井戸構造をエッチングし過ぎることにより、上側Ｉ
ｎＰ層の下に入り込む位置まで量子井戸構造がエッチン
グにより後退する（アンダーカット）するためである。
観察すると、２０μｍ×６００μｍの角型パターンのア
イランドパターンの縁の境界線が二重あるいは三重に見
える。これは、図５の側面から見た断面図に示す様に、
量子井戸構造をエッチングし過ぎることにより、上側Ｉ
ｎＰ層の下に入り込む位置まで量子井戸構造がエッチン
グにより後退する（アンダーカット）するためである。
【００１１】三重に見えるときのもう一本の線は、溶液
Ａにより上側ＩｎＰをエッチングした際にＩｎＰがアン
ダーカットされた場合に、ＳｉＯ2 との境界が分離され
てみえる場合に生じる。溶液Ｂによる量子井戸構造のエ
ッチングによるアンダーカットの深さは、エッチング時
間が約５〜１０秒の場合、浅い場合で０．５μｍ、深い
場合で１．０μｍになる。
Ａにより上側ＩｎＰをエッチングした際にＩｎＰがアン
ダーカットされた場合に、ＳｉＯ2 との境界が分離され
てみえる場合に生じる。溶液Ｂによる量子井戸構造のエ
ッチングによるアンダーカットの深さは、エッチング時
間が約５〜１０秒の場合、浅い場合で０．５μｍ、深い
場合で１．０μｍになる。
【００１２】この過程で形成されるアンダーカットの深
さが０．５μｍより深い場合、第３工程での選択成長の
際にアンダーカットされた奥の部分まで成長ができなく
なり、この部分に空洞ができる（図５参照）。空洞は導
波光の散乱原因となり、導波路間の結合効率を大幅に下
げてしまう。よって、量子井戸構造のエッチング時間は
５秒程度が望ましく、これより長すぎても、短すぎても
いけない。第３工程では、選択成長の後に、部分的に上
側ｐ−ＩｎＰクラッド層領域を除去し、この領域のみに
通常の二光束干渉露光装置により回折格子７を形成す
る。
さが０．５μｍより深い場合、第３工程での選択成長の
際にアンダーカットされた奥の部分まで成長ができなく
なり、この部分に空洞ができる（図５参照）。空洞は導
波光の散乱原因となり、導波路間の結合効率を大幅に下
げてしまう。よって、量子井戸構造のエッチング時間は
５秒程度が望ましく、これより長すぎても、短すぎても
いけない。第３工程では、選択成長の後に、部分的に上
側ｐ−ＩｎＰクラッド層領域を除去し、この領域のみに
通常の二光束干渉露光装置により回折格子７を形成す
る。
【００１３】（４）次に、図４（ｄ）に示すように、第
４工程として、グレーディング保存をしながらの上側ｐ
−ＩｎＰの全面成長を行う。すなわち、アイランドパタ
ーン上のＳｉＯ2 を沸酸で除去した後、全体に、伝導型
ｐのＩｎＰ層８を４０００Å成長する。この時、基板表
面にはアイランドを構成するｐ−ＩｎＰとグレーティン
グ領域を形成するＩｎＧａＡｓＰとを同時に表面保護す
る理由と、基板温度上昇中のグレーティングの熱変形に
よる崩れを防ぐために、少量のホスフィンとアルシンの
両方を供給する。
４工程として、グレーディング保存をしながらの上側ｐ
−ＩｎＰの全面成長を行う。すなわち、アイランドパタ
ーン上のＳｉＯ2 を沸酸で除去した後、全体に、伝導型
ｐのＩｎＰ層８を４０００Å成長する。この時、基板表
面にはアイランドを構成するｐ−ＩｎＰとグレーティン
グ領域を形成するＩｎＧａＡｓＰとを同時に表面保護す
る理由と、基板温度上昇中のグレーティングの熱変形に
よる崩れを防ぐために、少量のホスフィンとアルシンの
両方を供給する。
【００１４】（５）この後、図４（ｅ）に示すように、
第５工程として、メサ形成及びＰＮ電流狭搾層（９，１
０）の選択成長を行う。すなわち、サイリスタ電流狭搾
層を活性層１１両側に備えた埋め込みへテロ構造を作製
する。 （６）最後に、図４（ｆ）に示すように、第６工程とし
て、上側ｐ−ＩｎＰクラッド層及びｐ−ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層の全面成長を行う。すなわち、上側ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層１２及びコンタクト層１３を形成する。
第５工程として、メサ形成及びＰＮ電流狭搾層（９，１
０）の選択成長を行う。すなわち、サイリスタ電流狭搾
層を活性層１１両側に備えた埋め込みへテロ構造を作製
する。 （６）最後に、図４（ｆ）に示すように、第６工程とし
て、上側ｐ−ＩｎＰクラッド層及びｐ−ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層の全面成長を行う。すなわち、上側ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層１２及びコンタクト層１３を形成する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の素子の製造方法では、突き合わせ接合作製のた
めのエッチング、再成長のプロセスの制御が困難であ
り、格子欠陥のない結合効率の高い接合を再現性よく作
製することに問題があった。本発明は、上記問題点を除
去し、突き合わせ接合作製のためのエッチング、再成長
のプロセスの制御を容易にし、格子欠陥のない結合効率
の高い接合を再現性よく作製することができる分布帰還
型半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的
とする。
た従来の素子の製造方法では、突き合わせ接合作製のた
めのエッチング、再成長のプロセスの制御が困難であ
り、格子欠陥のない結合効率の高い接合を再現性よく作
製することに問題があった。本発明は、上記問題点を除
去し、突き合わせ接合作製のためのエッチング、再成長
のプロセスの制御を容易にし、格子欠陥のない結合効率
の高い接合を再現性よく作製することができる分布帰還
型半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）突き合わせ接合を有する分布帰還型半導体レーザ
において、活性層となる量子井戸構造の上側に成長され
るＰ型クラッド層の構成材料としてＩｎＡｌＡｓ又はＩ
ｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたものである。
成するために、 （１）突き合わせ接合を有する分布帰還型半導体レーザ
において、活性層となる量子井戸構造の上側に成長され
るＰ型クラッド層の構成材料としてＩｎＡｌＡｓ又はＩ
ｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたものである。
【００１７】（２）上記（１）記載の分布帰還型半導体
レーザにおいて、位相整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層
の上側に成長されるＰ型クラッド層の構成材料としてＩ
ｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたも
のである。 （３）突き合わせ接合を有する分布帰還型半導体レーザ
の製造方法において、Ｎ型ＩｎＰ基板上に量子井戸構造
と、その上にＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓからな
るＰ型クラッド層を形成する工程と、酸化膜をマスクと
して前記Ｐ型クラッド層と量子井戸構造とを同一の溶液
で順次エッチングし、アイランドを形成する工程とを施
すようにしたものである。
レーザにおいて、位相整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層
の上側に成長されるＰ型クラッド層の構成材料としてＩ
ｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたも
のである。 （３）突き合わせ接合を有する分布帰還型半導体レーザ
の製造方法において、Ｎ型ＩｎＰ基板上に量子井戸構造
と、その上にＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓからな
るＰ型クラッド層を形成する工程と、酸化膜をマスクと
して前記Ｐ型クラッド層と量子井戸構造とを同一の溶液
で順次エッチングし、アイランドを形成する工程とを施
すようにしたものである。
【００１８】（４）突き合わせ接合を有する分布帰還型
半導体レーザの製造方法において、Ｎ型ＩｎＰ基板上に
量子井戸構造と、その上にＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡ
ｌＡｓからなるＰ型クラッド層を形成する工程と、酸化
膜をマスクとして前記Ｐ型クラッド層と量子井戸構造と
を同一の溶液で順次エッチングし、アイランドを形成す
る工程と、位相整合領域に、ＩｎＧａＡｓＰからなる導
波路層と、その上にＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓ
からなるＰ型クラッド層とを選択成長させる工程とを施
すようにしたものである。
半導体レーザの製造方法において、Ｎ型ＩｎＰ基板上に
量子井戸構造と、その上にＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡ
ｌＡｓからなるＰ型クラッド層を形成する工程と、酸化
膜をマスクとして前記Ｐ型クラッド層と量子井戸構造と
を同一の溶液で順次エッチングし、アイランドを形成す
る工程と、位相整合領域に、ＩｎＧａＡｓＰからなる導
波路層と、その上にＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓ
からなるＰ型クラッド層とを選択成長させる工程とを施
すようにしたものである。
【００１９】
（１）請求項１記載の突き合わせ接合を有する分布帰還
型半導体レーザによれば、活性層となる量子井戸構造の
上側に成長されるＰ型クラッド層の構成材料として、Ｉ
ｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたの
で、突き合わせ接合作製のためのエッチング、再成長の
プロセスの制御を容易にし、格子欠陥のない結合効率の
高い接合を行うことができる分布帰還型半導体レーザを
得ることができる。
型半導体レーザによれば、活性層となる量子井戸構造の
上側に成長されるＰ型クラッド層の構成材料として、Ｉ
ｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたの
で、突き合わせ接合作製のためのエッチング、再成長の
プロセスの制御を容易にし、格子欠陥のない結合効率の
高い接合を行うことができる分布帰還型半導体レーザを
得ることができる。
【００２０】（２）請求項２記載の突き合わせ接合を有
する分布帰還型半導体レーザによれば、位相整合領域と
なるＩｎＧａＡｓＰ層の上側に成長されるＰ型クラッド
層の構成材料として、ＩｎＡｌＡａ又はＩｎＧａＡｌＡ
ｓを用いるようにしたので、突き合わせ接合作製のため
のエッチング、再成長のプロセスの制御を容易にし、格
子欠陥のない結合効率の高い接合を再現性よく得ること
ができる。
する分布帰還型半導体レーザによれば、位相整合領域と
なるＩｎＧａＡｓＰ層の上側に成長されるＰ型クラッド
層の構成材料として、ＩｎＡｌＡａ又はＩｎＧａＡｌＡ
ｓを用いるようにしたので、突き合わせ接合作製のため
のエッチング、再成長のプロセスの制御を容易にし、格
子欠陥のない結合効率の高い接合を再現性よく得ること
ができる。
【００２１】（３）請求項３記載の突き合わせ接合を有
する分布帰還型半導体レーザの製造方法によれば、活性
層となる量子井戸構造の上側に成長される伝導型がＰで
あるクラッド層の構成材料として、ＩｎＡｌＡｓ、Ｉｎ
ＧａＡｌＡｓを用いるようにしたので、ＳｉＯ2 のアイ
ランドパターンをエッチングマスクとして、体積４の硫
酸、体積１の過酸化水素水、体積１の水からなる室温の
溶液である溶液Ｂを用いて、ＩｎＡｌＡｓ及びＩｎＧａ
ＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造を一括でエッチング
により除去する。この時のエッチングの時間は、ＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造が確実に除去され
るように十分な時間をかけて行う。この時、従来技術で
説明したように、前記溶液ＢはＩｎＰに対してエッチン
グをしないので、ＩｎＰ基板が露出されて下方へのエッ
チングは停止する。
する分布帰還型半導体レーザの製造方法によれば、活性
層となる量子井戸構造の上側に成長される伝導型がＰで
あるクラッド層の構成材料として、ＩｎＡｌＡｓ、Ｉｎ
ＧａＡｌＡｓを用いるようにしたので、ＳｉＯ2 のアイ
ランドパターンをエッチングマスクとして、体積４の硫
酸、体積１の過酸化水素水、体積１の水からなる室温の
溶液である溶液Ｂを用いて、ＩｎＡｌＡｓ及びＩｎＧａ
ＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造を一括でエッチング
により除去する。この時のエッチングの時間は、ＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造が確実に除去され
るように十分な時間をかけて行う。この時、従来技術で
説明したように、前記溶液ＢはＩｎＰに対してエッチン
グをしないので、ＩｎＰ基板が露出されて下方へのエッ
チングは停止する。
【００２２】一方、横方向のエッチングは時間と共に進
んでいくので、ＳｉＯ2 膜を庇（オーバーハング）とす
る深いアンダーカットが形成される。次に、ＳｉＯ2 膜
を沸酸で完全に除去するのに必要な時間の６割に相当す
る時間、素子を沸酸に漬け、ＳｉＯ2 のエッチングを行
う。この工程により、ＳｉＯ2 膜の庇部分では、ＳｉＯ
2 膜は上下からエッチングされるので、実質的にＳｉＯ
2 膜の除去時間の１２０％の時間のエッチングを行った
ことになり、ＳｉＯ2 膜の庇は完全に除去される。
んでいくので、ＳｉＯ2 膜を庇（オーバーハング）とす
る深いアンダーカットが形成される。次に、ＳｉＯ2 膜
を沸酸で完全に除去するのに必要な時間の６割に相当す
る時間、素子を沸酸に漬け、ＳｉＯ2 のエッチングを行
う。この工程により、ＳｉＯ2 膜の庇部分では、ＳｉＯ
2 膜は上下からエッチングされるので、実質的にＳｉＯ
2 膜の除去時間の１２０％の時間のエッチングを行った
ことになり、ＳｉＯ2 膜の庇は完全に除去される。
【００２３】更に、ＩｎＡｌＡｓ上のＳｉＯ2 膜は６０
％のエッチングを行っているので、最初に堆積させた厚
みの４割は依然残っており、これを用いて、第３工程
（図４参照）の選択成長が行なえる。これにより、アン
ダーカットを無くすことができ、第３工程（図４参照）
の選択成長において、従来深いアンダーカットが有る場
合に生じていた空洞の形成を防ぐことができる。
％のエッチングを行っているので、最初に堆積させた厚
みの４割は依然残っており、これを用いて、第３工程
（図４参照）の選択成長が行なえる。これにより、アン
ダーカットを無くすことができ、第３工程（図４参照）
の選択成長において、従来深いアンダーカットが有る場
合に生じていた空洞の形成を防ぐことができる。
【００２４】（４）請求項４記載の突き合わせ接合を有
する分布帰還型半導体レーザの製造方法によれば、更
に、位相整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層の上側に成長
される伝導型がＰであるクラッド層の構成材料として、
ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたの
で、ＩｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓＰは共に砒素を原料に
含む材料であるので、工程４（図４参照）において、グ
レーティング上のＰ−ＩｎＰの再成長において、表面保
護のためのガスとしてアルシンのみを用いればよく、導
波路層と上側クラッド層との再成長のための保存が両者
に対して良好に行える。
する分布帰還型半導体レーザの製造方法によれば、更
に、位相整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層の上側に成長
される伝導型がＰであるクラッド層の構成材料として、
ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたの
で、ＩｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓＰは共に砒素を原料に
含む材料であるので、工程４（図４参照）において、グ
レーティング上のＰ−ＩｎＰの再成長において、表面保
護のためのガスとしてアルシンのみを用いればよく、導
波路層と上側クラッド層との再成長のための保存が両者
に対して良好に行える。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明の実施例を示す突き合わ
せ接合を有する分布反射型半導体レーザの構造を示す
図、図２はその量子井戸構造活性層の構造を示す図（図
１のＤ部の拡大図）、図３はその分布反射型半導体レー
ザの突き合わせ接合状態を示す断面図である。
ながら説明する。図１は本発明の実施例を示す突き合わ
せ接合を有する分布反射型半導体レーザの構造を示す
図、図２はその量子井戸構造活性層の構造を示す図（図
１のＤ部の拡大図）、図３はその分布反射型半導体レー
ザの突き合わせ接合状態を示す断面図である。
【００２６】これらの図において、２１はｎ−ＩｎＰ基
板、２２は量子井戸活性層、２３は１．３μｍＩｎＧａ
ＡｓＰ導波路層、２４は第１のｐ−ＩｎＡｌＡｓ上側ク
ラッド層、２５は第２のｐ−ＩｎＡｌＡｓ上側クラッド
層、２６は第３のｐ−Ｉｎ上側クラッド層、２７はＳｉ
Ｏ2 膜である。また、Ａはこの分布反射型半導体レーザ
の活性層領域、Ｂは位相整合領域、Ｃは分布反射器領域
を示している。
板、２２は量子井戸活性層、２３は１．３μｍＩｎＧａ
ＡｓＰ導波路層、２４は第１のｐ−ＩｎＡｌＡｓ上側ク
ラッド層、２５は第２のｐ−ＩｎＡｌＡｓ上側クラッド
層、２６は第３のｐ−Ｉｎ上側クラッド層、２７はＳｉ
Ｏ2 膜である。また、Ａはこの分布反射型半導体レーザ
の活性層領域、Ｂは位相整合領域、Ｃは分布反射器領域
を示している。
【００２７】ここで、量子井戸活性層は、図２に示すよ
うに、厚み６５ÅのＩｎＧａＡｓ井戸領域と、バンドギ
ャップ波長１．３μｍ、厚み１３０ÅのＩｎＧａＡｓＰ
障壁層の５周期からなる量子井戸構造２２となってい
る。この分布反射型半導体レーザは、活性層となる量子
井戸構造２２の上側に成長される伝導型がＰであるクラ
ッド層の構成材料として、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌ
Ａｓを用いることを特徴とする。
うに、厚み６５ÅのＩｎＧａＡｓ井戸領域と、バンドギ
ャップ波長１．３μｍ、厚み１３０ÅのＩｎＧａＡｓＰ
障壁層の５周期からなる量子井戸構造２２となってい
る。この分布反射型半導体レーザは、活性層となる量子
井戸構造２２の上側に成長される伝導型がＰであるクラ
ッド層の構成材料として、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌ
Ａｓを用いることを特徴とする。
【００２８】更に、位相整合領域ＢとなるＩｎＧａＡｓ
Ｐ導波路層２３の上側に成長される伝導型がＰであるク
ラッド層の構成材料としてＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌ
Ａｓを用いることを特徴とする。このように構成したの
で、図２に示すように、この分布反射型半導体レーザの
突き合わせ接合の製造工程において、以下の利点を有す
る。
Ｐ導波路層２３の上側に成長される伝導型がＰであるク
ラッド層の構成材料としてＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌ
Ａｓを用いることを特徴とする。このように構成したの
で、図２に示すように、この分布反射型半導体レーザの
突き合わせ接合の製造工程において、以下の利点を有す
る。
【００２９】すなわち、アイランドの形成（図４の第２
工程参照）において、クラッド層としてのＩｎＡｌＡｓ
は溶液Ｂ（体積４の硫酸、体積１の過酸化水素水、体積
１の水からなる室温の溶液）に対して、ＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造２２と同様にエッチングさ
れる材料であるので、図４の第２工程に示すように、Ｓ
ｉＯ2 のアイランドパターンをエッチングマスクとして
アイランドエッチングを行う過程において、従来のよう
に溶液Ａ（体積４の塩酸と体積１の水を零度に冷やした
溶液）を併用する必要がない。
工程参照）において、クラッド層としてのＩｎＡｌＡｓ
は溶液Ｂ（体積４の硫酸、体積１の過酸化水素水、体積
１の水からなる室温の溶液）に対して、ＩｎＧａＡｓＰ
／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造２２と同様にエッチングさ
れる材料であるので、図４の第２工程に示すように、Ｓ
ｉＯ2 のアイランドパターンをエッチングマスクとして
アイランドエッチングを行う過程において、従来のよう
に溶液Ａ（体積４の塩酸と体積１の水を零度に冷やした
溶液）を併用する必要がない。
【００３０】すなわち、本発明の製造方法においては、
第２工程として、ＳｉＯ2 のアイランドパターンをエッ
チングマスクとして、溶液Ｂを用いてＩｎＡｌＡｓ及び
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造２２を一括
でエッチングにより除去する。この時のエッチングの時
間は、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造２２
が確実に除去されるように十分な時間をかけて行う。こ
の時、従来技術で説明したように、溶液ＢはＩｎＰに対
してエッチングをしないので、ＩｎＰ基板２１が露出さ
れて下方へのエッチングは停止する。
第２工程として、ＳｉＯ2 のアイランドパターンをエッ
チングマスクとして、溶液Ｂを用いてＩｎＡｌＡｓ及び
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造２２を一括
でエッチングにより除去する。この時のエッチングの時
間は、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造２２
が確実に除去されるように十分な時間をかけて行う。こ
の時、従来技術で説明したように、溶液ＢはＩｎＰに対
してエッチングをしないので、ＩｎＰ基板２１が露出さ
れて下方へのエッチングは停止する。
【００３１】一方、横方向のエッチングは時間と共に進
んでいくので、ＳｉＯ2 膜を庇（オーバーハング）とす
る深いアンダーカットが形成される。次に、ＳｉＯ2 膜
を沸酸で完全に除去するのに必要な時間の６割に相当す
る時間、素子を沸酸に漬け、ＳｉＯ2 のエッチングを行
う。この工程により、ＳｉＯ2 膜の庇部分では、ＳｉＯ
2 膜は上下からエッチングされるので、実質的にＳｉＯ
2 膜の除去時間の１２０％の時間のエッチングを行った
ことになり、ＳｉＯ2 膜の庇は完全に除去される。
んでいくので、ＳｉＯ2 膜を庇（オーバーハング）とす
る深いアンダーカットが形成される。次に、ＳｉＯ2 膜
を沸酸で完全に除去するのに必要な時間の６割に相当す
る時間、素子を沸酸に漬け、ＳｉＯ2 のエッチングを行
う。この工程により、ＳｉＯ2 膜の庇部分では、ＳｉＯ
2 膜は上下からエッチングされるので、実質的にＳｉＯ
2 膜の除去時間の１２０％の時間のエッチングを行った
ことになり、ＳｉＯ2 膜の庇は完全に除去される。
【００３２】更に、ＩｎＡｌＡｓ上のＳｉＯ2 は６０％
のエッチングを行っているので、最初に堆積させた厚み
の４割は依然残っており、これを用いて、第３工程（図
４参照）の選択成長が行なえる。これにより、アンダー
カットを無くすことができ、第３工程（図４参照）の選
択成長において、従来深いアンダーカットが有る場合に
生じていた空洞の形成を防ぐことができる。
のエッチングを行っているので、最初に堆積させた厚み
の４割は依然残っており、これを用いて、第３工程（図
４参照）の選択成長が行なえる。これにより、アンダー
カットを無くすことができ、第３工程（図４参照）の選
択成長において、従来深いアンダーカットが有る場合に
生じていた空洞の形成を防ぐことができる。
【００３３】また、位相整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ
層の上側に成長される伝導型がＰである第２のクラッド
層２５の構成材料として、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌ
Ａｓを用いれば、ＩｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓＰは共に
砒素を原料に含む材料であるので、図４の第４工程にお
いて、グレーティング上のＰ−ＩｎＰの再成長におい
て、表面保護のためのガスとしてアルシンのみを用いれ
ばよく、導波路層と上側クラッド層との再成長のための
保存が両者に対して良好に行なえることになる。
層の上側に成長される伝導型がＰである第２のクラッド
層２５の構成材料として、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌ
Ａｓを用いれば、ＩｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓＰは共に
砒素を原料に含む材料であるので、図４の第４工程にお
いて、グレーティング上のＰ−ＩｎＰの再成長におい
て、表面保護のためのガスとしてアルシンのみを用いれ
ばよく、導波路層と上側クラッド層との再成長のための
保存が両者に対して良好に行なえることになる。
【００３４】また、本発明の突き合わせ接合を持つ分布
帰還型レーザにおいて、上側クラッド層としてＩｎＡｌ
Ａｓを用いているが、この上側クラッド層は、ＩｎＧａ
ＡｌＡｓを用いても同様の効果を奏することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
帰還型レーザにおいて、上側クラッド層としてＩｎＡｌ
Ａｓを用いているが、この上側クラッド層は、ＩｎＧａ
ＡｌＡｓを用いても同様の効果を奏することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
【００３５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、活性層となる量子
井戸構造の上側に成長されるＰ型クラッド層の構成材料
として、ＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いるよ
うにしたので、突き合わせ接合作製のためのエッチン
グ、再成長のプロセスの制御を容易にし、格子欠陥のな
い結合効率の高い接合を行うことができる分布帰還型半
導体レーザを得ることができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、活性層となる量子
井戸構造の上側に成長されるＰ型クラッド層の構成材料
として、ＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いるよ
うにしたので、突き合わせ接合作製のためのエッチン
グ、再成長のプロセスの制御を容易にし、格子欠陥のな
い結合効率の高い接合を行うことができる分布帰還型半
導体レーザを得ることができる。
【００３６】（２）請求項２記載の発明によれば、位相
整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層の上側に成長されるＰ
型クラッド層の構成材料として、ＩｎＡｌＡａ又はＩｎ
ＧａＡｌＡｓを用いるようにしたので、突き合わせ接合
作製のためのエッチング、再成長のプロセスの制御を容
易にし、格子欠陥のない結合効率の高い接合を再現性よ
く行うことができる。
整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層の上側に成長されるＰ
型クラッド層の構成材料として、ＩｎＡｌＡａ又はＩｎ
ＧａＡｌＡｓを用いるようにしたので、突き合わせ接合
作製のためのエッチング、再成長のプロセスの制御を容
易にし、格子欠陥のない結合効率の高い接合を再現性よ
く行うことができる。
【００３７】（３）請求項３記載の発明によれば、活性
層となる量子井戸構造の上側に成長される伝導型がＰで
あるクラッド層の構成材料として、ＩｎＡｌＡｓ、Ｉｎ
ＧａＡｌＡｓを用いるようにしたので、ＳｉＯ2 のアイ
ランドパターンをエッチングマスクとして、体積４の硫
酸、体積１の過酸化水素水、体積１の水からなる室温の
溶液である溶液Ｂを用いて、ＩｎＡｌＡｓ及びＩｎＧａ
ＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造を一括でエッチング
により除去する。
層となる量子井戸構造の上側に成長される伝導型がＰで
あるクラッド層の構成材料として、ＩｎＡｌＡｓ、Ｉｎ
ＧａＡｌＡｓを用いるようにしたので、ＳｉＯ2 のアイ
ランドパターンをエッチングマスクとして、体積４の硫
酸、体積１の過酸化水素水、体積１の水からなる室温の
溶液である溶液Ｂを用いて、ＩｎＡｌＡｓ及びＩｎＧａ
ＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造を一括でエッチング
により除去する。
【００３８】この時のエッチングの時間は、ＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造が確実に除去されるよ
うに十分な時間をかけて行う。この時、従来技術で説明
したように、前記溶液ＢはＩｎＰに対してエッチングを
しないので、ＩｎＰ基板が露出されて下方へのエッチン
グは停止する。一方、横方向のエッチングは時間と共に
進んでいくので、ＳｉＯ2 膜を庇（オーバーハング）と
する深いアンダーカットが形成される。次に、ＳｉＯ2
膜を沸酸で完全に除去するのに必要な時間の６割に相当
する時間、素子を沸酸に漬け、ＳｉＯ2 のエッチングを
行う。この工程により、ＳｉＯ2 膜の庇部分では、Ｓｉ
Ｏ2 膜は上下からエッチングされるので、実質的にＳｉ
Ｏ2 膜の除去時間の１２０％の時間のエッチングを行っ
たことになり、ＳｉＯ2 膜の庇は完全に除去される。
ｓＰ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸構造が確実に除去されるよ
うに十分な時間をかけて行う。この時、従来技術で説明
したように、前記溶液ＢはＩｎＰに対してエッチングを
しないので、ＩｎＰ基板が露出されて下方へのエッチン
グは停止する。一方、横方向のエッチングは時間と共に
進んでいくので、ＳｉＯ2 膜を庇（オーバーハング）と
する深いアンダーカットが形成される。次に、ＳｉＯ2
膜を沸酸で完全に除去するのに必要な時間の６割に相当
する時間、素子を沸酸に漬け、ＳｉＯ2 のエッチングを
行う。この工程により、ＳｉＯ2 膜の庇部分では、Ｓｉ
Ｏ2 膜は上下からエッチングされるので、実質的にＳｉ
Ｏ2 膜の除去時間の１２０％の時間のエッチングを行っ
たことになり、ＳｉＯ2 膜の庇は完全に除去される。
【００３９】更に、ＩｎＡｌＡｓ上のＳｉＯ2 膜は６０
％のエッチングを行っているので最初に堆積させた厚み
の４割は依然残っており、これを用いて、第３工程（図
４参照）の選択成長が行なえる。これにより、アンダー
カットを無くすことができ、第３工程（図４参照）の選
択成長において、従来深いアンダーカットが有る場合に
生じていた空洞の形成を防ぐことができる。
％のエッチングを行っているので最初に堆積させた厚み
の４割は依然残っており、これを用いて、第３工程（図
４参照）の選択成長が行なえる。これにより、アンダー
カットを無くすことができ、第３工程（図４参照）の選
択成長において、従来深いアンダーカットが有る場合に
生じていた空洞の形成を防ぐことができる。
【００４０】（４）請求項４記載の発明によれば、更
に、位相整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層の上側に成長
される伝導型がＰであるクラッド層の構成材料として、
ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたの
で、ＩｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓＰは共に砒素を原料に
含む材料であるので、工程４（図４参照）において、グ
レーティング上のＰ−ＩｎＰの再成長において、表面保
護のためのガスとしてアルシンのみを用いればよく、導
波路層と上側クラッド層との再成長のための保存が両者
に対して良好に行える。
に、位相整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層の上側に成長
される伝導型がＰであるクラッド層の構成材料として、
ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓを用いるようにしたの
で、ＩｎＡｌＡｓとＩｎＧａＡｓＰは共に砒素を原料に
含む材料であるので、工程４（図４参照）において、グ
レーティング上のＰ−ＩｎＰの再成長において、表面保
護のためのガスとしてアルシンのみを用いればよく、導
波路層と上側クラッド層との再成長のための保存が両者
に対して良好に行える。
【図１】本発明の実施例を示す突き合わせ接合を有する
分布反射型半導体レーザの構造を示す図である。
分布反射型半導体レーザの構造を示す図である。
【図２】本発明の実施例を示す突き合わせ接合を有する
分布反射型半導体レーザの量子井戸構造活性層の構造を
示す図（図１のＤ部の拡大図）である。
分布反射型半導体レーザの量子井戸構造活性層の構造を
示す図（図１のＤ部の拡大図）である。
【図３】本発明の実施例を示す分布反射型半導体レーザ
の突き合わせ接合状態を示す断面図である。
の突き合わせ接合状態を示す断面図である。
【図４】従来の突き合わせ接合を有する分布反射型半導
体レーザの製造工程図である。
体レーザの製造工程図である。
【図５】従来の分布反射型半導体レーザの突き合わせ接
合状態を示す断面図である。
合状態を示す断面図である。
２１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２２ 量子井戸活性層 ２３ ＩｎＧａＡｓＰ導波路層 ２４ 第１のｐ−ＩｎＡｌＡｓ上側クラッド層 ２４ａ，２７ ＳｉＯ2 膜 ２５ 第２のｐ−ＩｎＡｌＡｓ上側クラッド層 ２６ 第３のｐ−Ｉｎ上側クラッド層 ２７ ＳｉＯ2 膜 Ａ 活性層領域 Ｂ 位相整合領域 Ｃ 分布反射器領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 洋 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 突き合わせ接合を有する分布帰還型半導
体レーザにおいて、 活性層となる量子井戸構造の上側に成長されるＰ型クラ
ッド層の構成材料としてＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａＡｌ
Ａｓを用いることを特徴とする分布帰還型半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 請求項１記載の分布帰還型半導体レーザ
において、位相整合領域となるＩｎＧａＡｓＰ層の上側
に成長されるＰ型クラッド層の構成材料としてＩｎＡｌ
Ａｓ又はＩｎＧａＡｌＡｓを用いることを特徴とする分
布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項３】 突き合わせ接合を有する分布帰還型半導
体レーザの製造方法において、（ａ）Ｎ型ＩｎＰ基板上
に量子井戸構造と、その上にＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａ
ＡｌＡｓからなるＰ型クラッド層を形成する工程と、
（ｂ）酸化膜をマスクとして前記Ｐ型クラッド層と量子
井戸構造とを同一の溶液で順次エッチングし、アイラン
ドを形成する工程とを施すことを特徴とする分布帰還型
半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 突き合わせ接合を有する分布帰還型半導
体レーザの製造方法において、（ａ）Ｎ型ＩｎＰ基板上
に量子井戸構造と、その上にＩｎＡｌＡｓ又はＩｎＧａ
ＡｌＡｓからなるＰ型クラッド層を形成する工程と、
（ｂ）酸化膜をマスクとして前記Ｐ型クラッド層と量子
井戸構造とを同一の溶液で順次エッチングし、アイラン
ドを形成する工程と、（ｃ）位相整合領域に、ＩｎＧａ
ＡｓＰからなる導波路層と、その上にＩｎＡｌＡｓ又は
ＩｎＧａＡｌＡｓからなるＰ型クラッド層とを選択成長
させる工程とを施すことを特徴とする分布帰還型半導体
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14611495A JPH08340153A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14611495A JPH08340153A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340153A true JPH08340153A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15400480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14611495A Withdrawn JPH08340153A (ja) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340153A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023248412A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザ、波長可変レーザモジュールおよび波長可変レーザの層構造の製造方法 |
-
1995
- 1995-06-13 JP JP14611495A patent/JPH08340153A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023248412A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザ、波長可変レーザモジュールおよび波長可変レーザの層構造の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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