JPH063541A - 導波路型グレーティング及びその作製法 - Google Patents
導波路型グレーティング及びその作製法Info
- Publication number
- JPH063541A JPH063541A JP4166362A JP16636292A JPH063541A JP H063541 A JPH063541 A JP H063541A JP 4166362 A JP4166362 A JP 4166362A JP 16636292 A JP16636292 A JP 16636292A JP H063541 A JPH063541 A JP H063541A
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- Japan
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- grating
- silicon dioxide
- core layer
- dioxide film
- clad layer
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- Pending
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-
- B29C47/92—
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 結合係数の大きな導波路型グレーティングを
提供することにある。 【構成】 導波路型グレーティングにおいて、コア層
２、クラッド層３またはそれらの界面の少なくとも一部
に、導波路を構成する媒質の存在しない空洞４を光の伝
搬方向に周期的に形成することによって、大きな結合係
数が得られるようにした。
提供することにある。 【構成】 導波路型グレーティングにおいて、コア層
２、クラッド層３またはそれらの界面の少なくとも一部
に、導波路を構成する媒質の存在しない空洞４を光の伝
搬方向に周期的に形成することによって、大きな結合係
数が得られるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路型グレーティ
ング及びその作製法に関するものである。
ング及びその作製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】グレーティングは光回路の高機能化を実
現するために、最も重要な部品のひとつである。従来、
光導波路に用いるグレーティングとしては図２に示すも
のがある。また上記グレーティングの作製法としては図
３の(a) 〜(d) に示す方法がある。
現するために、最も重要な部品のひとつである。従来、
光導波路に用いるグレーティングとしては図２に示すも
のがある。また上記グレーティングの作製法としては図
３の(a) 〜(d) に示す方法がある。
【０００３】図２において、１はＩｎＰ基板、２はＩｎ
0.72Ｇａ0.28Ａｓ0.59Ｐ0.41コア層、３はＩｎＰクラッ
ド層を示している。
0.72Ｇａ0.28Ａｓ0.59Ｐ0.41コア層、３はＩｎＰクラッ
ド層を示している。
【０００４】ここで図３に示したグレーティングの作製
プロセスについて説明する。まず図３(a) に示すように
ＩｎＰ基板１上に光導波路のコアとなるＩｎＧａＡｓＰ
コア層２を成長し、その上にフォトレジスト５を塗布す
る。次に干渉露光法あるいは電子ビーム露光法によりグ
レーティングパターンを形成する（同図(b) ）。このレ
ジストパターンを用いてＩｎＧａＡｓＰコア層２にグレ
ーティングパターンをエッチングする。ＩｎＧａＡｓＰ
コア層２のエッチングには臭化水素酸ＨＢｒ等を用いた
ウェットエッチング法、またはハロゲン系あるいはメタ
ン系ガスを用いたドライエッチング法を用いる。次にフ
ォトレジスト５を除去する（同図(c) ）。最後に光導波
路のクラッドとなるＩｎＰクラッド層３を成長し、同図
(d) に示したような光導波路用グレーティングが完成す
る。
プロセスについて説明する。まず図３(a) に示すように
ＩｎＰ基板１上に光導波路のコアとなるＩｎＧａＡｓＰ
コア層２を成長し、その上にフォトレジスト５を塗布す
る。次に干渉露光法あるいは電子ビーム露光法によりグ
レーティングパターンを形成する（同図(b) ）。このレ
ジストパターンを用いてＩｎＧａＡｓＰコア層２にグレ
ーティングパターンをエッチングする。ＩｎＧａＡｓＰ
コア層２のエッチングには臭化水素酸ＨＢｒ等を用いた
ウェットエッチング法、またはハロゲン系あるいはメタ
ン系ガスを用いたドライエッチング法を用いる。次にフ
ォトレジスト５を除去する（同図(c) ）。最後に光導波
路のクラッドとなるＩｎＰクラッド層３を成長し、同図
(d) に示したような光導波路用グレーティングが完成す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来は、上記のような
方法でグレーティングを作製するため、次のような欠点
がある。 (1) グレーティングの深さの制御が難しく、結合係数の
制御が困難である。 (2) 深いグレーティングを形成するのが難しく、結合係
数の大きなグレーティングが作製できない。
方法でグレーティングを作製するため、次のような欠点
がある。 (1) グレーティングの深さの制御が難しく、結合係数の
制御が困難である。 (2) 深いグレーティングを形成するのが難しく、結合係
数の大きなグレーティングが作製できない。
【０００６】本発明の目的は、上記の課題に鑑み、結合
係数の大きなグレーティングを制御性よく作製すること
にある。
係数の大きなグレーティングを制御性よく作製すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、請求項１では光導波路のコア層またはクラ
ッド層の少なくとも一方に、導波信号光の伝搬方向に周
期構造を形成した導波路型グレーティングにおいて、コ
ア層、クラッド層またはそれらの界面の少なくとも一部
に、光導波路を構成する媒質の存在しない空洞が周期的
に形成されている導波路型グレーディングを提供する。
また請求項２では、半導体光導波路のコア上に、導波信
号光の伝搬方向に周期的に選択成長マスクを形成する工
程と、該選択成長マスクを用いて周期構造を有するクラ
ッドを成長する工程とを含む導波路型グレーディングの
作製法を提供する。また請求項３では、半導体基板上に
周期的に選択成長マスクを形成する工程と、該選択マス
クを用いて周期構造を有する光導波路のコアを形成する
工程とを含む導波路型グレーディングの作製法を提供す
る。また請求項４では、請求項２または３において選択
成長マスクが酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等
の誘電体膜であるようにした。また請求項５では、請求
項２または３において選択成長マスクがＡｌを含む化合
物半導体であるようにした。
成するため、請求項１では光導波路のコア層またはクラ
ッド層の少なくとも一方に、導波信号光の伝搬方向に周
期構造を形成した導波路型グレーティングにおいて、コ
ア層、クラッド層またはそれらの界面の少なくとも一部
に、光導波路を構成する媒質の存在しない空洞が周期的
に形成されている導波路型グレーディングを提供する。
また請求項２では、半導体光導波路のコア上に、導波信
号光の伝搬方向に周期的に選択成長マスクを形成する工
程と、該選択成長マスクを用いて周期構造を有するクラ
ッドを成長する工程とを含む導波路型グレーディングの
作製法を提供する。また請求項３では、半導体基板上に
周期的に選択成長マスクを形成する工程と、該選択マス
クを用いて周期構造を有する光導波路のコアを形成する
工程とを含む導波路型グレーディングの作製法を提供す
る。また請求項４では、請求項２または３において選択
成長マスクが酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等
の誘電体膜であるようにした。また請求項５では、請求
項２または３において選択成長マスクがＡｌを含む化合
物半導体であるようにした。
【０００８】
【作用】請求項１によれば、一般に、結合係数ｋは、周
期構造を構成する媒質の屈折率の２乗の差に比例するた
めに、空洞の存在により、Δ［ｎ2 ］＝３．２2 −１．
０2 ＝９．２４となり、図２のような通常の構造の場合
のΔ［ｎ2 ］≒１と比べて大幅に増大する。請求項２乃
至５によれば、大きな結合係数を有するグレーティング
が容易に得られ、また結合係数の制御性も向上する。
期構造を構成する媒質の屈折率の２乗の差に比例するた
めに、空洞の存在により、Δ［ｎ2 ］＝３．２2 −１．
０2 ＝９．２４となり、図２のような通常の構造の場合
のΔ［ｎ2 ］≒１と比べて大幅に増大する。請求項２乃
至５によれば、大きな結合係数を有するグレーティング
が容易に得られ、また結合係数の制御性も向上する。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の導波路型グレーティングの
一実施例を示すものであって、図中１、２、３はそれぞ
れ従来例と同一構成の基板、コア層、クラッド層を示し
ている。４はクラッド層３中に形成された空洞である。
本実施例のグレーティングでは、クラッド層（屈折率ｎ
＝３．２）３と空洞（ｎ＝１．０）４の周期構造が形成
される。結合係数ｋは、周期構造を構成する媒質の屈折
率の２乗の差に比例するために、本構造では Δ［ｎ2 ］＝３．２2 −１．０2 ＝９．２４ となり、図２のような通常の構造の場合のΔ［ｎ2 ］≒
１と比べて大幅に増大する。従って、本構造のグレーテ
ィングの結合係数は容易に大きくする事が可能である。
一実施例を示すものであって、図中１、２、３はそれぞ
れ従来例と同一構成の基板、コア層、クラッド層を示し
ている。４はクラッド層３中に形成された空洞である。
本実施例のグレーティングでは、クラッド層（屈折率ｎ
＝３．２）３と空洞（ｎ＝１．０）４の周期構造が形成
される。結合係数ｋは、周期構造を構成する媒質の屈折
率の２乗の差に比例するために、本構造では Δ［ｎ2 ］＝３．２2 −１．０2 ＝９．２４ となり、図２のような通常の構造の場合のΔ［ｎ2 ］≒
１と比べて大幅に増大する。従って、本構造のグレーテ
ィングの結合係数は容易に大きくする事が可能である。
【００１０】図４は本発明の導波路型グレーティング作
製法の第１の実施例を示した図であって、選択成長マス
クに二酸化シルコン膜を用いた場合を示している。図中
１はＩｎＰ基板、２はＩｎ0.72Ｇａ0.28Ａｓ0.59Ｐ0.41
コア層、３はＩｎＰクラッド層、４は空洞、５はフォト
レジスト、６は二酸化シリコン膜をそれぞれ示してい
る。ここで図４のプロセスについて説明する。まず図３
(a) に示すと同様にＩＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰコア
層２を成長し、二酸化シリコン膜６を堆積した後、フォ
トレジスト５を塗布する。次に干渉露光法あるいは電子
ビーム露光法によりグレーティングパターンを形成する
（同図(b) ）。このレジストパターンを用いて二酸化シ
リコン膜６にグレーティングパターンをエッチングす
る。二酸化シリコン膜６のエッチングには弗酸系の溶液
を用いたウェットエッチング法、またはＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ
6 等弗素系ガスを用いたウェットエッチング法を用い
る。次にフォトレジストを除去する（同図(c) ）。ここ
で次にＩｎＰクラッド層３を成長する。二酸化シリコン
膜６上には結晶が成長しないためにＩｎＰクラッド層３
はＩｎＧａＡａＰコア層２の露出している部分のみに成
長する。成長をはじめたＩｎＰクラッド層３は（１１
１）面に沿って逆メサを形成するため、グレーティング
のピッチで決まる一定膜厚以上成長すると各逆メサは互
いに接続し、二酸化シリコン膜６は完全に埋め込まれた
形になる。この時、二酸化シリコン膜６上には結晶の存
在しない空洞４が形成され、同図(d) に示したような光
導波路用グレーティングが完成する。この作製法によれ
ば、ＩｎＰクラッド層（屈折率ｎ＝３．２）と空洞（ｎ
＝１．０）の周期構造が形成されるためグレーティング
の結合係数は容易に大きくする事が可能である。また、
結晶の存在しない空洞の大きさは二酸化シリコングレー
ティングのライン幅により容易に制御することができ、
従って結合係数の制御も容易となる。
製法の第１の実施例を示した図であって、選択成長マス
クに二酸化シルコン膜を用いた場合を示している。図中
１はＩｎＰ基板、２はＩｎ0.72Ｇａ0.28Ａｓ0.59Ｐ0.41
コア層、３はＩｎＰクラッド層、４は空洞、５はフォト
レジスト、６は二酸化シリコン膜をそれぞれ示してい
る。ここで図４のプロセスについて説明する。まず図３
(a) に示すと同様にＩＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰコア
層２を成長し、二酸化シリコン膜６を堆積した後、フォ
トレジスト５を塗布する。次に干渉露光法あるいは電子
ビーム露光法によりグレーティングパターンを形成する
（同図(b) ）。このレジストパターンを用いて二酸化シ
リコン膜６にグレーティングパターンをエッチングす
る。二酸化シリコン膜６のエッチングには弗酸系の溶液
を用いたウェットエッチング法、またはＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ
6 等弗素系ガスを用いたウェットエッチング法を用い
る。次にフォトレジストを除去する（同図(c) ）。ここ
で次にＩｎＰクラッド層３を成長する。二酸化シリコン
膜６上には結晶が成長しないためにＩｎＰクラッド層３
はＩｎＧａＡａＰコア層２の露出している部分のみに成
長する。成長をはじめたＩｎＰクラッド層３は（１１
１）面に沿って逆メサを形成するため、グレーティング
のピッチで決まる一定膜厚以上成長すると各逆メサは互
いに接続し、二酸化シリコン膜６は完全に埋め込まれた
形になる。この時、二酸化シリコン膜６上には結晶の存
在しない空洞４が形成され、同図(d) に示したような光
導波路用グレーティングが完成する。この作製法によれ
ば、ＩｎＰクラッド層（屈折率ｎ＝３．２）と空洞（ｎ
＝１．０）の周期構造が形成されるためグレーティング
の結合係数は容易に大きくする事が可能である。また、
結晶の存在しない空洞の大きさは二酸化シリコングレー
ティングのライン幅により容易に制御することができ、
従って結合係数の制御も容易となる。
【００１１】図５は本発明の光導波路型グレーティング
作製法の第２の実施例を示した図であって、図４と同じ
く選択成長マスクに二酸化シリコン膜を用いた場合を示
している。図中１はＩｎＰ基板、２はＩｎ0.72Ｇａ0.28
Ａｓ0.59Ｐ0.41コア層、３はＩｎＰクラッド層、４はコ
ア層２中に形成された空洞、５はフォトレジスト、６は
二酸化シリコン膜をそれぞれ示している。ここで図５の
プロセスについて説明する。まず図５(a) に示すように
ＩｎＰ基板１上に二酸化シリコン膜６を堆積した後、フ
ォトレジスト５を塗布する。次に干渉露光法あるいは電
子ビーム露光法によりグレーティングパターンを形成す
る。このレジストパターンを用いて二酸化シリコン膜６
にグレーティングパターンをエッチングする（同図(b)
）。二酸化シリコン膜６のエッチングには弗酸系の溶
液を用いたウェットエッチング法、またはＣＦ4 、Ｃ2
Ｆ6 等弗素系ガスを用いたドライエッチング法を用い
る。次にフォトレジストを除去する（同図(c) ）。ここ
で次にＩｎＧａＡｓＰコア層２を成長する（同図(d)
）。二酸化シリコン膜６上には結晶が成長しないため
にＩｎＧａＡｓＰコア層２はＩｎＰ基板１の露出してい
る部分のみに成長する。その結果図４のプロセスで説明
したものと同様な議論によりＩｎＧａＡｓＰコア層２を
成長すると同図(e) の様なグレーティングが完成する。
この作製法の場合についても図３に示した作製法と同様
な議論が成立ち、大きな結合係数を有するグレーティン
グが容易に得られ、また結合係数の制御性も向上する。
作製法の第２の実施例を示した図であって、図４と同じ
く選択成長マスクに二酸化シリコン膜を用いた場合を示
している。図中１はＩｎＰ基板、２はＩｎ0.72Ｇａ0.28
Ａｓ0.59Ｐ0.41コア層、３はＩｎＰクラッド層、４はコ
ア層２中に形成された空洞、５はフォトレジスト、６は
二酸化シリコン膜をそれぞれ示している。ここで図５の
プロセスについて説明する。まず図５(a) に示すように
ＩｎＰ基板１上に二酸化シリコン膜６を堆積した後、フ
ォトレジスト５を塗布する。次に干渉露光法あるいは電
子ビーム露光法によりグレーティングパターンを形成す
る。このレジストパターンを用いて二酸化シリコン膜６
にグレーティングパターンをエッチングする（同図(b)
）。二酸化シリコン膜６のエッチングには弗酸系の溶
液を用いたウェットエッチング法、またはＣＦ4 、Ｃ2
Ｆ6 等弗素系ガスを用いたドライエッチング法を用い
る。次にフォトレジストを除去する（同図(c) ）。ここ
で次にＩｎＧａＡｓＰコア層２を成長する（同図(d)
）。二酸化シリコン膜６上には結晶が成長しないため
にＩｎＧａＡｓＰコア層２はＩｎＰ基板１の露出してい
る部分のみに成長する。その結果図４のプロセスで説明
したものと同様な議論によりＩｎＧａＡｓＰコア層２を
成長すると同図(e) の様なグレーティングが完成する。
この作製法の場合についても図３に示した作製法と同様
な議論が成立ち、大きな結合係数を有するグレーティン
グが容易に得られ、また結合係数の制御性も向上する。
【００１２】以上選択成長マスクに二酸化シリコン膜を
用いた場合について説明してきたが、窒化シリコン、ア
ルミナ等の誘電体膜を用いた場合についても同様な議論
が成り立つことは言うまでもない。
用いた場合について説明してきたが、窒化シリコン、ア
ルミナ等の誘電体膜を用いた場合についても同様な議論
が成り立つことは言うまでもない。
【００１３】さらにＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、
ＡｌＧａＡｓ等Ａｌを含む化合物半導体の場合でも、Ａ
ｌを含む化合物半導体は空気中で酸化し、その上には結
晶は成長しないために前述の誘電体膜と全く同様な議論
が成り立つ。従って、選択成長マスクとしてＡｌを含む
化合物半導体を用いた場合についても結合係数の制御性
が向上し、また大きな結合係数を有するグレーティング
の作製が容易となる。
ＡｌＧａＡｓ等Ａｌを含む化合物半導体の場合でも、Ａ
ｌを含む化合物半導体は空気中で酸化し、その上には結
晶は成長しないために前述の誘電体膜と全く同様な議論
が成り立つ。従って、選択成長マスクとしてＡｌを含む
化合物半導体を用いた場合についても結合係数の制御性
が向上し、また大きな結合係数を有するグレーティング
の作製が容易となる。
【００１４】図６にＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量
子井戸構造を選択マスクとして作製したグレーティング
の概略図を示す。ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子
井戸構造をエッチングし、量子井戸の側壁にＡｌを含む
半導体（ＩｎＡｌＡｓ）を露出させてＩｎＰクラッド層
３を成長することにより側壁に結晶が成長するのを防
ぎ、クラッド層３とコア層２との界面に空洞４を有する
周期構造を形成した。この構造では空洞が三角形ではな
くひし形になるために光の電界分布と空洞の空間的重な
りが大きくなり結合係数は非常に大きくなる。
子井戸構造を選択マスクとして作製したグレーティング
の概略図を示す。ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子
井戸構造をエッチングし、量子井戸の側壁にＡｌを含む
半導体（ＩｎＡｌＡｓ）を露出させてＩｎＰクラッド層
３を成長することにより側壁に結晶が成長するのを防
ぎ、クラッド層３とコア層２との界面に空洞４を有する
周期構造を形成した。この構造では空洞が三角形ではな
くひし形になるために光の電界分布と空洞の空間的重な
りが大きくなり結合係数は非常に大きくなる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば導
波路型グレーティングを、コア層、クラッド層またはそ
れらの界面の少なくとも一部に、導波路を構成する媒質
の存在しない空洞を周期的に形成することにより構成し
たため、以下のような利点がある。 (1) 結合係数が大きくとれる。
波路型グレーティングを、コア層、クラッド層またはそ
れらの界面の少なくとも一部に、導波路を構成する媒質
の存在しない空洞を周期的に形成することにより構成し
たため、以下のような利点がある。 (1) 結合係数が大きくとれる。
【００１６】また、グレーティングの作製に選択成長を
用いたために以下のような利点がある。 (1) 大きな結合係数を有するグレーティングの作製が容
易になる。 (2) 結合係数の制御性が向上する。
用いたために以下のような利点がある。 (1) 大きな結合係数を有するグレーティングの作製が容
易になる。 (2) 結合係数の制御性が向上する。
【図１】本発明の導波路型グレーティングの構成図
【図２】従来のグレーティングの構成図
【図３】従来のグレーティングの作製法の説明図
【図４】本発明のグレーティングの作製法の第１の実施
例を示す図
例を示す図
【図５】本発明のグレーティング作製法の第２の実施例
を示す図
を示す図
【図６】本発明の他の作製法によるグレーティングの概
略図
略図
１…ＩｎＰ基板、２…ＩｎＧａＡｓＰコア層、３…Ｉｎ
Ｐクラッド層、４…空洞、５…フォトレジスト、６…二
酸化シリコン膜。
Ｐクラッド層、４…空洞、５…フォトレジスト、６…二
酸化シリコン膜。
Claims (5)
- 【請求項１】 光導波路のコア層またはクラッド層の少
なくとも一方に、導波信号光の伝搬方向に周期構造を形
成した導波路型グレーティングにおいて、 コア層、クラッド層またはそれらの界面の少なくとも一
部に、光導波路を構成する媒質の存在しない空洞が周期
的に形成されていることを特徴とする導波路型グレーテ
ィング。 - 【請求項２】 半導体光導波路のコア層上に、導波信号
光の伝搬方向に周期的に選択成長マスクを形成する工程
と、 該選択成長マスクを用いて周期構造を有するクラッド層
を成長する工程とを含むことを特徴とする導波路型グレ
ーティングの作製法。 - 【請求項３】 半導体基板上に周期的に選択成長マスク
を形成する工程と、 該選択マスクを用いて周期構造を有する光導波路のコア
層を形成する工程とを含むことを特徴とする導波路型グ
レーティングの作製法。 - 【請求項４】 選択成長マスクが酸化シリコン、窒化シ
リコン、アルミナ等の誘電体膜であることを特徴とする
請求項２または請求項３記載の導波路型グレーティング
の作製法。 - 【請求項５】 選択成長マスクがＡｌを含む化合物半導
体であることを特徴とする請求項２または請求項３記載
の導波路型グレーティングの作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4166362A JPH063541A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 導波路型グレーティング及びその作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4166362A JPH063541A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 導波路型グレーティング及びその作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH063541A true JPH063541A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15829992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4166362A Pending JPH063541A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 導波路型グレーティング及びその作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063541A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054120A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Keio University | Circuit de traitement de signaux optiques et procede de fabrication |
| EP1394578A3 (en) * | 2002-08-01 | 2004-06-16 | Northrop Grumman Corporation | Fabrication of high index-contrast gratings using a regrowth-over-dielectric process |
| JP2006147797A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ化合物半導体光素子 |
| WO2016031712A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 日本碍子株式会社 | グレーティング素子 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP4166362A patent/JPH063541A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054120A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Keio University | Circuit de traitement de signaux optiques et procede de fabrication |
| EP1394578A3 (en) * | 2002-08-01 | 2004-06-16 | Northrop Grumman Corporation | Fabrication of high index-contrast gratings using a regrowth-over-dielectric process |
| US6944373B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-09-13 | Northrop Grumman Corporation | High index-step grating fabrication using a regrowth-over-dielectric process |
| JP2006147797A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ−ｖ化合物半導体光素子 |
| WO2016031712A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 日本碍子株式会社 | グレーティング素子 |
| JPWO2016031712A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2017-06-08 | 日本碍子株式会社 | グレーティング素子 |
| US10393931B2 (en) | 2014-08-26 | 2019-08-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Grating element |
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